特許7876104IP Force 特許公報全文掲載

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発光素子の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一光取出効率を向上した発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に配置された活性層と、を有する半導体構造体であって、前記ｎ側層は、上面視で、前記ｐ側層及び前記活性層が配置されていない第１領域と、前記ｐ側層及び前記活性層が配置された第２領域と、を有する前記半導体構造体を準備する工程と、上面視で、前記ｎ側層の前記第１領域上に、前記ｎ側層を露出させる複数の第１マスクを・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一実施形態によれば、光取出効率を向上した発光素子の製造方法を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の発光素子を例示する模式的な平面図である。
【図2】 図１のＩＩ－ＩＩ線における模式的な断面図である。
【図3】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図4】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図5】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図6】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図7】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図8】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図9】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図10】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図11】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。
【図12】 本発明の発光素子の製造方法の一工程を示す模式的な断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…発光素子、１０、１２１０、１２１０ａ、１２１０ｂ…ｎ側層、１０ａ…第１凸部、１０ｂ…第２凸部、１１ａ…第１面、１１ｂ…第２面、１２ａ…第３面、１２ｂ…第４面、１４、１２１４…活性層、１５、１２１５…ｐ側層、２０、１２２０…半導体積層体、３０…反射電極、４０…第１導電部材、５０…第２導電部材、７１…第１パッド電極、７２…第２パッド電極、８１…第１絶縁膜、８２…第２絶縁膜、８３…第３絶縁膜、８４…第４絶縁膜、１００…支持基板、１０１…接合層、１０００…基板、１１００、１１００ａ…下地層、１２００…半導体構造体、１３００…第１凸部形成用マスク、１３００ａ…レジストマスク、１４００…素子分離用マスク、１５００…第２凸部形成用マスク

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