特許7876105IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光素子の製造方法及び発光素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、高い信頼性を有する発光素子の製造方法及び発光素子を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、ｎ側層と、ｐ側層と、前記ｎ側層と前記ｐ側層との間に位置する活性層とを有する半導体構造体であって、前記ｎ側層は前記活性層及び前記ｐ側層から露出し、上面視において第１方向に並んで配置された複数の第１領域を有する、前記半導体構造体を準備する工程と、前記複数の第１領域の間に位置する前記ｐ側層上に、第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１領域上、前記ｐ側層上、・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、高い信頼性を有する発光素子の製造方法及び発光素子を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 第１実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図2】 図１のＡ部の拡大上面図である。
【図3】 図２のIII-III線における模式断面図である。
【図4】 図２のIＶ-IＶ線における模式断面図である。
【図5】 図２のＶ-Ｖ線における模式断面図である。
【図6】 第１実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式上面図である。
【図7】 第１実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式上面図である。
【図8】 第１実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式上面図である。
【図9】 第１実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式上面図である。
【図10】 第１実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式上面図である。
【図11】 第１実施形態の第１変形例による発光素子の一部分の模式上面図である。
【図12】 図１１のＸII-ＸII線における模式断面図である。
【図13】 第１実施形態の第２変形例による発光素子の一部分の模式上面図である。
【図14】 第２実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図15】 第３実施形態の発光素子の模式上面図である。
【図16】 図１５のＸＶI-ＸＶI線における模式断面図である。
【図17】 第３実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式上面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１～３…発光素子、１０…半導体構造体、１１…ｎ側層、１１ａ…第１領域、１２…活性層、１３…ｐ側層、２０…透光性導電層、３０…第１絶縁膜、４０…第２絶縁膜、４１…ｎ側開口、４１ａ…第１開口部、４１ｂ…第２開口部、４２…ｐ側開口、５０…ｎ側電極、５１…第１部分、５２…第２部分、６０…ｐ側電極、７０…第３絶縁膜、１００…基板

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