特許7879435IP Force 特許公報全文掲載

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発光素子及び発光素子の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一高い光取り出し効率を有する発光素子及び発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一発光素子は、それぞれが窒化物半導体からなる、ｎ側層と、ｐ側層と、ｎ側層とｐ側層の間に位置し紫外線を発する活性層と、を含む半導体構造体と、 前記ｎ側層に電気的に接続されるｎ電極と、前記ｐ側層に電気的に接続されるｐ電極と、を含み、前記活性層は、Ａｌを含む井戸層と、Ａｌを含む障壁層と、前記井戸層の側面と前記障壁層の側面とを含む孔部と、を有し、前記ｐ側層は、Ａｌを含む第１・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一実施形態によれば、高い光取り出し効率を有する発光素子及び発光素子の製造方法を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一発光素子の構成を示す模式断面図である。
【図2】 本発明の一発光素子の構成を示す模式断面図である。
【図3】 本発明の一実施形態の変形例に係る発光素子の構成を示す模式断面図である。
【図4】 本発明の一発光素子の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図5】 本発明の一発光素子の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図6】 本発明の一発光素子の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図7】 本発明の一発光素子の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図8】 本発明の一発光素子の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図9】 本発明の一発光素子の製造方法を説明するための模式断面図である。
【図10】 本発明の一発光素子の製造方法を説明するための模式断面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１ 発光素子 １０ 基板 １１ バッファ層 １２ 超格子層 ２０ ｎ側層 ２１ 下地層 ２２ ｎコンタクト層 ３０ 活性層 ３１ 井戸層 ３２ 障壁層 ３３ Ｖピット ４０ 電子ブロック層 ５０ ｐ側層 ５１ 第１層 ５２ 第２層 ５３ 第３層 ５４ 第４層 ６０ ｎ電極 ７０ ｐ電極 １００ 半導体構造体

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