特許7879935IP Force 特許公報全文掲載

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金属基材及びその金属基材の少なくとも一部の上に直接配置された保護層を含む負極と、高濃度電解質とを含む電池

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 3つのポリマー配合物1-a、1-b及び1-c(表1を参照されたい)の各々のSEM(走査型電子顕微鏡)画像。
【図2】 DME中4.5MのLiFSI電解質における、保護されていないリチウムアノード及びポリマー配合物1-a、1-b及び1-cを使用している保護されたアノードのセル構築後20時間にわたる各Li-Li対称コインセルについて測定された未補償抵抗(Ru)。
【図3】 DME中4.5MのLiFSI電解質における、保護されていないリチウムアノード及びポリマー配合物2-a、2-b、2-c及び2-dを使用している保護されたアノードのセル構築後20時間にわたる各Li-Li対称コインセルについて測定された未補償抵抗(Ru)。
【図4】 様々な量のHEAAを含有するポリマー膜のSEM顕微鏡写真であり、各ポリマー膜をメスで切断し、撮像し、次いで、DME中の4.5MのLiFSIに一晩(16時間)浸漬した後、純粋なDMEですすぎ、再び撮像した。
【図5】 様々なPEG対HEAA比を有する保護されたアノードを含有するLi-NMCパウチセルの総比放電容量(サイクル方式(cycling regime)はC/3~D/1であり、電位は充電の最上部及び最下部にて保持した)。
【図6】 様々なPEG対HEAA比を有する保護されたアノードを含有するLi-NMCパウチセルのクーロン効率(サイクル方式はC/3~D/1であり、電位は充電の最上部及び最下部にて保持した)。
【図7A】 (a)熱アニーリングが施されていない場合の(DME中4.5MのLiFSI)対TTE(3対1、v/v)中のポリマー膜伝導率(b)熱アニーリングが施されている場合の(DME中4.5MのLiFSI)対TTE(3対1、v/v)中のポリマー膜伝導率
【図7B】 (a)熱アニーリングが施されていない場合の(DME中4.5MのLiFSI)対TTE(3対1、v/v)中のポリマー膜伝導率(b)熱アニーリングが施されている場合の(DME中4.5MのLiFSI)対TTE(3対1、v/v)中のポリマー膜伝導率
【図8】 熱アニーリングを施した、様々なPEG対HEAA比を有する保護されたアノードを含有するLi-NMCパウチセルの総比放電容量(サイクル方式はC/3~D/1であり、電位は充電の最上部及び最下部において保持した)。
【図9】 熱アニーリングを施した、様々なPEG対HEAA比を有する保護されたアノードを含有するLi-NMCパウチセルのクーロン効率(サイクル方式はC/3~D/1であり、電位は充電の最上部及び最下部において保持した)。
【図10】 電解質組成物中に様々な濃度の電解質を有する保護されたアノードを含有するLi-NMCパウチセルのクーロン効率。
【図11A】 保護されたアノードを含有するLi-NMCパウチセルの温度に対するクーロン効率。
【図11B】 保護されたアノードを含有するLi-NMCパウチセルの温度に対するクーロン効率。
【図11C】 保護されたアノードを含有するLi-NMCパウチセルの温度に対するクーロン効率。
【図11D】 保護されたアノードを含有するLi-NMCパウチセルの温度に対するクーロン効率。

代表図 図1本件の代表的な図

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