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技術分野

半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、フォトニック結晶構造を利用した半導体レーザ等はまだ開発途上にあり、改善の余地がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一半導体レーザは、第１導電型の半導体層を含む第１半導体層部と、前記第１半導体層部上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた第２導電型の半導体層を含む第２半導体層部と、前記第２半導体層部上に設けられた第１導電型の不純物を第１濃度で含有する半導体層を含む第３半導体層部と、前記第３半導体層部上に設けられた第１導電型の不純物を第２濃度で含有する半導体層を含む第４半導体層部・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示の一半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法は、フォトニック結晶を含む半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 本開示の実施形態１に係る半導体レーザの概略断面図である。
【図1B】 図１Ａに示す半導体レーザのフォトニック結晶に関して別の形態を示す概略断面図である。
【図2】 図１Ａに示す半導体レーザの概略上面図である。
【図3】 図１Ａに示す半導体レーザが含むフォトニック結晶の一例を示す図である。
【図4A】 図１Ａに示す半導体レーザのフォトニック結晶に関して別の形態を示す概略断面図である。
【図4B】 分布ブラッグ反射膜を有する半導体レーザの概略断面図である。
【図4C】 分布ブラッグ反射膜を有する半導体レーザの別の概略断面図である。
【図5A】 光取り出し面に光反射防止コーティングを施した半導体レーザの概略断面図である。
【図5B】 図１Ａに示す半導体レーザの光取り出し面の位置を変更した場合の概略断面図である。
【図6】 本開示の実施形態２に係る半導体レーザの概略断面図である。
【図7】 本開示の実施形態３に係る半導体レーザの概略断面図である。
【図8A】 図１Ａに示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図8B】 図１Ａに示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図8C】 図１Ａに示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図8D】 図１Ａに示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図8E】 図１Ａに示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図8F】 図１Ａに示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図8G】 図１Ａに示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図9A】 図７に示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図9B】 図７に示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図9C】 図７に示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
【図9D】 図７に示す半導体レーザの製造方法の一工程を示す概略断面図である。
１ 第１電極 ２ 第２電極 ３ 光反射防止コーティング ４ 透光性電極 ５、２０５ 光取り出し面 ７ フォトニック結晶 ７ａ 下端 ７ｂ 上端 ８ 穴集合部 １０ 第１半導体層部 ２０ 第２半導体層部 ３０ 第３半導体層部 ３０ａ 第１接合面 ３１ 第１層 ３２ 第２層 ４０、３４０ 第４半導体層部 ４０ａ、３４０ａ 第２接合面 ４０ｂ 上面 ４５ 分布ブラッグ反射膜（ＤＢＲ膜） ５０ 活性層 ５１ 第１障壁層 ５２ 井戸層 ５３ 第２障壁層 ６０ 基板 ６０ａ、４ａ 下面 ７０ 穴 ７１ 第１端 ７２ 第２端 ７５ 溝 ８０ 穴 ８１ 第１マスク ８２ 第２マスク ８５ 成長基板 ８６ 樹脂層 ８７ 支持基板 ９０ 半導体部 １００、２００、３００ 半導体レーザ ２０３ａ、２０３ｂ 光反射膜

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