特許7884172IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

発光素子の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明は、信頼性の高い発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様によれば、発光素子の製造方法は、ｎ側層と、前記ｎ側層上に配置された活性層と、前記活性層上に配置されたｐ側層とを有する半導体構造体と、前記ｐ側層上に配置された透光性導電膜と、を有するウェハを準備する工程と、前記透光性導電膜上に、第１マスクを形成する工程と、前記第１マスクを形成する工程の後、前記第１マスクから露出する前記透光性導電膜を除去し、前記透光性導電膜に前記透光性導電膜から前・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、信頼性の高い発光素子の製造方法を提供することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図2】 図１のII-II線における模式断面図である。
【図3】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図4】 図３のIＶ-IＶ線における模式断面図である。
【図5】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図6】 図５のＶI-ＶI線における模式断面図である。
【図7】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図8】 図７のＶIII-ＶIII線における模式断面図である。
【図9】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図10】 図９のＸ-Ｘ線における模式断面図である。
【図11】 図９のＸI-ＸI線における模式断面図である。
【図12】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図13】 図１２のＸIII-ＸIII線における模式断面図である。
【図14】 図１２のＸIＶ-ＸIＶ線における模式断面図である。
【図15】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図16】 図１５のＸＶI-ＸＶI線における模式断面図である。
【図17】 図１５のＸＶII-ＸＶII線における模式断面図である。
【図18】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図19】 図１８のＸIＸ-ＸIＸ線における模式断面図である。
【図20】 図１８のＸＸ-ＸＸ線における模式断面図である。
【図21】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図22】 図２１のＸＸII-ＸＸII線における模式断面図である。
【図23】 図２１のＸＸIII-ＸＸIII線における模式断面図である。
【図24】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図25】 図２４のＸＸＶ-ＸＸＶ線における模式断面図である。
【図26】 図２４のＸＸＶI-ＸＸＶI線における模式断面図である。
【図27】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図28】 図２７のＸＸＶIII-ＸＸＶIII線における模式断面図である。
【図29】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図30】 図２９のＸＸＸ-ＸＸＸ線における模式断面図である。
【図31】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【図32】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【図33】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式平面図である。
【図34】 図３３のＸＸＸIＶ-ＸＸＸIＶ線における模式断面図である。
【図35】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【図36】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【図37】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【図38】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【図39】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【図40】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【図41】 実施形態の発光素子の製造方法の一工程を説明するための模式断面図である。
【図42】 実施形態の発光素子の模式平面図である。

代表図 図1本件の代表的な図

１…発光素子、１０…半導体構造体、１１…ｎ側層、１１ａ…ｎ側露出部、１２…ｐ側層、１３…活性層、１５…透光性導電膜、１５ａ…開口、１５ｏ…外縁、３１…ｎ側電極、３２…ｐ側電極、４０…第１反射層、５０…第２反射層、６１…絶縁層、６２…第１保護膜、６３…第２保護膜、７０…樹脂部材、７１…第１導電部材、７２…第２導電部材、８０…溝、９１…第１マスク、９１ａ…マスク開口、９２…第２マスク、９３…第３マスク、１００…素子部、１０１…第１基板、１０２…第２基板、Ｗ…ウェハ

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