特許7886516IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

半導体発光素子とその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

半導体発光素子は、その用途が拡大するにつれてさらなる光取り出し効率の向上が求められている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

以上の目的を達成するために、本開示に係る半導体発光素子は、 第１ｎ側窒化物半導体層と、前記第１ｎ側窒化物半導体層上に設けられた第１活性層と、前記第１活性層上に設けられた第１ｐ側窒化物半導体層と、を含む第１発光部と、 第２ｎ側窒化物半導体層と、 を含み、 前記第１発光部の第１接合面と前記第２ｎ側窒化物半導体層の第２接合面とが直接接合 しており、 前記第１発光部の第１接合面と・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

以上のように構成された本開示に係る半導体発光素子によれば、半導体発光素子の光取り出し効率を高めることができる。
また、本開示に係る半導体発光素子とその製造方法によれば、光取り出し効率を高めることができる半導体発光素子を製造することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 実施形態１の半導体発光素子の断面図である。
【図1B】 実施形態１の半導体発光素子の直接接合した部分を分離して示す断面図である。
【図1C】 実施形態１の半導体発光素子の製造工程を表すフロー図である。
【図1D】 第１発光部準備工程Ｓ１の詳細を示すフロー図である。
【図1E】 第２ｎ側窒化物半導体層準備工程Ｓ２の詳細を示すフロー図である。
【図1F】 第１発光部準備工程Ｓ１の一工程を示す概略断面図である。
【図1G】 第１発光部準備工程Ｓ１の一工程を示す概略断面図である。
【図1H】 第２ｎ側窒化物半導体層準備工程Ｓ２の一工程を示す概略断面図である。
【図1I】 第２ｎ側窒化物半導体層準備工程Ｓ２の一工程を示す概略断面図である。
【図1J】 第２ｎ側窒化物半導体層準備工程Ｓ２の一工程を示す概略断面図である。
【図1K】 直接接合工程Ｓ５の一工程を示す概略断面図である。
【図1L】 直接接合工程Ｓ５の一工程を示す概略断面図である。
【図2A】 実施形態２の半導体発光素子の断面図である。
【図2B】 実施形態２の半導体発光素子の直接接合した部分を分離して示す断面図である。
【図3A】 実施形態３の半導体発光素子の断面図である。
【図3B】 実施形態３の半導体発光素子の直接接合した部分を分離して示す断面図である。
【図3C】 実施形態３における第２ｎ側窒化物半導体層準備工程Ｓ２の詳細を示すフロー図である。
【図3D】 実施形態３の変形例に係る半導体発光素子の断面図である。
【図4A】 実施形態４の半導体発光素子の断面図である。
【図4B】 実施形態４の半導体発光素子の直接接合した部分を分離して示す断面図である。
【図5A】 実施形態５の半導体発光素子の断面図である。
【図5B】 実施形態５の半導体発光素子の直接接合した部分を分離して示す断面図である。
【図6】 本開示の一半導体発光素子を備える発光装置の断面図である。
【図7A】 実施例１の半導体発光素子における被接合層と第２ｎ側窒化物半導体層の接合界面およびその近傍の透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）の画像である。
【図7B】 図７Ａの、ＮＢＤ１における電子線回折像である。
【図7C】 図７Ａの、ＮＢＤ２における電子線回折像である。
【図7D】 図７Ａの、ＮＢＤ３における電子線回折像である。
【図8】 実施例１の半導体発光素子の出力比と比較例の半導体発光素子の出力比とを示すグラフである。
【図9A】 実施例２の半導体発光素子における接合界面およびその近傍の透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による画像である。
【図9B】 図９Ａの、ＳＡＤ１における電子線回折像である。
【図9C】 図９Ａの、ＳＡＤ２における電子線回折像である。
【図9D】 図９Ａの、ＮＢＤ４における電子線回折像である。
【図10A】 実施例２の半導体発光素子のアニール後における接合界面およびその近傍の透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による画像である。
【図10B】 図１０Ａの、ＳＡＤ３における電子線回折像である。
【図10C】 図１０Ａの、ＳＡＤ４における電子線回折像である。
【図10D】 図１０Ａの、ＮＢＤ５における電子線回折像である。
１ 基板 １０ 第１発光部 １１ 第１ｎ側窒化物半導体層 １２ 第１活性層 １３ 第１ｐ側窒化物半導体層 １５ 被接合層 ２０ 第２発光部 ２１ 第２ｎ側窒化物半導体層 ２２ 第２活性層 ２３ 第２ｐ側窒化物半導体層 ３０ 第３発光部 ３１ 第３ｎ側窒化物半導体層 ３２ 第３活性層 ３３ 第３ｐ側窒化物半導体層 ５１ 第１接合面 ５２ 第２接合面 ５３ 空隙

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