特許7901779IP Force 特許公報全文掲載

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発光素子および発光素子の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一順方向電圧が低い発光素子および発光素子の製造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一発光素子は、下方から上方に向かって順に、それぞれが窒化物半導体からなる、第１ｎ側層と、第１活性層と、第１ｐ側層と、を含む第１発光部と、前記第１発光部の上方に配置され、ｎ型不純物を含む窒化物半導体からなる中間層と、前記中間層の上方に配置された第２発光部であって、下方から上方に向かって順に、それぞれが窒化物半導体からなる、第２ｎ側層と、第２活性層と、第２ｐ側層と、を含む第・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一実施形態によれば、順方向電圧が低い発光素子および発光素子の製造方法を提供できる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 発光素子を示す断面図である。
【図2A】 図１の第１ｐ側層を拡大して示す断面図である。
【図2B】 図１の第２ｐ側層を拡大して示す断面図である。
【図3】 発光素子の製造方法を示すフローチャートである。
【図4A】 図３の第１ｐ側層を形成する工程の詳細を示すフローチャートである。
【図4B】 図３の第２ｐ側層を形成する工程の詳細を示すフローチャートである。
【図5】 発光素子の製造過程を説明するための断面図である。
【図6】 発光素子の製造過程を説明するための断面図である。
【図7】 発光素子の製造過程を説明するための断面図である。
【図8】 発光素子の製造過程を説明するための断面図である。
【図9A】 参考例および実施例１～３に係る発光素子の各順方向電圧Ｖｆを正規化した値Ｖｆ／Ｖｆｒｅｆを示すグラフである。
【図9B】 参考例および実施例１～３に係る発光素子の各出力Ｐｏを正規化した値Ｐｏ／Ｐｏｒｅｆを示すグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ ：発光素子 １１ ：基板 １２ ：半導体構造体 １３ ：ｎ側電極 １４ ：ｐ側電極 １１０ ：第１発光部 １１１ ：下地層 １１２ ：第１ｎ側層 １１２ｓ１ ：第１面 １１２ｓ２ ：第２面 １１２ｓ３ ：第３面 １１３ ：第１活性層 １１４ ：第１ｐ側層 １１４ａ ：第１層 １１４ｂ ：第５層 １１４ｃ ：第２層 １１４ｄ ：第６層 １１４ｅ ：第７層 １２０ ：中間層 １３０ ：第２発光部 １３１ ：第２ｎ側層 １３２ ：第２活性層 １３３ ：第２ｐ側層 １３３ａ ：第３層 １３３ｂ ：第８層 １３３ｃ ：第４層 １３３ｄ ：第９層 １３３ｅ ：第１０層

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