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基体部材の製造方法、発光装置の製造方法、基体部材および発光装置

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

しかしながら、研磨による絶縁膜の除去は、所望の位置の絶縁膜を選択的に除去することは必ずしも容易ではない。 そこで、所望の位置の絶縁膜を容易にかつ選択的に除去することができる基体部材の製造方法、発光装置の製造方法、基体部材、及び発光装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示に係る一の基体部材の製造方法は、第１面と前記第１面と反対側の第２面とを持つ基体と、前記基体の前記第１面に配置された電極と、前記基体の前記第１面及び前記第２面並びに前記電極を被覆する絶縁膜と、を含む構造体を準備する準備工程と、前記電極上の前記絶縁膜にレーザ光を照射して、前記電極を前記絶縁膜から露出させる電極露出工程と、を含む。

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

以上のように構成された所望の位置の絶縁膜を容易にかつ選択的に除去することができる基体部材の製造方法、発光装置の製造方法、基体部材、及び発光装置を提供する。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 実施形態１に係るセラミック構造体の底面図である。
【図1B】 実施形態１に係るセラミック構造体の図１ＡのＩＢ－ＩＢ線についての断面図である。
【図1C】 実施形態１に係るセラミック部材の断面図である。
【図2A】 実施形態２に係る発光装置の上面図である。
【図2B】 実施形態２に係る発光装置の底面図である。
【図2C】 実施形態２に係る発光装置の図２ＡのＡ－Ａ線についての断面図である。
【図3A】 実施形態２に係る製造方法の実装基板準備工程において、準備する実装基板の断面図である。
【図3B】 実施形態２に係る製造方法の実装工程において、実装基板上に発光素子１を実装したときの断面図である。
【図3C】 実施形態２に係る製造方法の絶縁膜形成工程において、絶縁膜３０を形成したときの断面図である。
【図3D】 実施形態２に係る製造方法の電極露出工程において、レーザ光を照射する際の様子を示す断面図である。
【図4A】 実施形態３に係る発光装置の上面図である。
【図4B】 実施形態３に係る発光装置の図４ＡのＢ－Ｂ線についての断面図である。
【図4C】 実施形態３に係る発光装置の底面図である。
【図5】 実施形態４に係る発光装置のパッケージの上面図である。
【図6】 変形例１に係る発光装置のパッケージの上面図である。
【図7A】 変形例３に係る発光装置の底面図である。
【図7B】 変形例４に係る発光装置の底面図である。
【図8A】 実施形態５に係る基体部材の上面図である。
【図8B】 実施形態５に係る基体部材の断面図（図８のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図）である。
【図8C】 実施形態５に係る基体部材の変形形態の断面図である。
【図8D】 実施形態５に係る基体部材の変形形態の断面図である。
【図9A】 実施形態５に係る発光装置のパッケージの上面図である。
【図9B】 実施形態５に係る発光装置のパッケージの断面図（図９ＡのＩＸ－ＩＸ線に沿って切断した断面図）である。
【図9C】 実施形態５に係る発光装置のパッケージの変形形態の断面図である。
【図9D】 実施形態５に係る発光装置のパッケージの変形形態の断面図である。
【図9E】 実施形態５に係る発光装置のパッケージの変形形態の断面図である。
【図9F】 実施形態５に係る発光装置のパッケージの変形形態の断面図である。
【図9G】 実施形態５に係る発光装置のパッケージの変形形態の断面図である。

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