特許 7904975出願番号特願 2025-501413
ＤＵＶで動作するよう設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置のレンズ素子、並びに反射防止層を形成する方法及び装置

出願人カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー（識別番号 503263355）

2026年特許公開件数ランキング 376位 55件（※）

2026年特許取得件数ランキング 563位 27件（※）

公報発行日　2026年8月13

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7904975　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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本願は、２０２２年７月１１日に出願された独国特許出願第１０２０２２２０７０６８．２号の優先権を主張する。この独国出願の内容を参照により本願の本文に援用する。

本発明の目的は、上述の問題を少なくとも部分的に回避しつつ光学性能の向上を可能にする、ＤＵＶで動作するよう設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置のレンズ素子と、反射防止層を形成する方法及び装置とを提供することである。

この目的は、独立特許請求項に記載の特徴により達成される。

【図1】本発明の一実施形態によるレンズ素子基板上に反射防止層を形成する方法を説明するための概略図を示す。

【図2】本発明の一実施形態によるレンズ素子基板上に反射防止層を形成する方法を説明するための概略図を示す。

【図3】本発明のさらに別の実施形態によるレンズ素子基板上に反射防止層を形成する方法を説明するための概略図を示す。

【図4】ＤＵＶで動作するよう設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の可能な構成を説明する概略図を示す。

【図5】ａ及びｂに、レンズ素子基板上に反射防止層を形成する従来の方法を説明するための概略図を示す。

【図6】レンズ素子基板上に反射防止層を形成する従来の方法で生じる問題を説明するための概略図を示す。

【図7a】レンズ素子基板上に反射防止層を形成する従来の方法で生じる問題を説明するための概略図を示す。

【図7b】レンズ素子基板上に反射防止層を形成する従来の方法で生じる問題を説明するための概略図を示す。

【図7c】レンズ素子基板上に反射防止層を形成する従来の方法で生じる問題を説明するための概略図を示す。

【図7d】レンズ素子基板上に反射防止層を形成する従来の方法で生じる問題を説明するための概略図を示す。

【図8a】レンズ素子基板上に反射防止層を形成する従来の方法で生じる問題を説明するための概略図を示す。

【図8b】レンズ素子基板上に反射防止層を形成する従来の方法で生じる問題を説明するための概略図を示す。

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