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特許 7907099出願番号 特願 2023-506960
発光素子
出願人 日亜化学工業株式会社（識別番号 226057）
2026年 特許公開件数ランキング 94位 225件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 127位 149件（※）
公報発行日 2026年8月19
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7907099 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
発光素子
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
このような発光素子において、順方向電圧を低減させることが望まれる。順方向電圧を低減できる発光素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一発光素子は、第１ｎ側半導体層と、第１ｐ側半導体層と、前記第１ｎ側半導体層と前記第１ｐ側半導体層との間に設けられた第１活性層と、を含む窒化物半導体からなる第１発光部と、第１発光部上に位置し、第２ｎ側半導体層と、第２ｐ側半導体層と、前記第２ｎ側半導体層と前記第２ｐ側半導体層との間に設けられた第２活性層と、を含む窒化物半導体からなる第２発光部と、前記第１ｐ側半導体層と前記第・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一発光素子によれば、順方向電圧を低減できる発光素子を提供することができる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図１は、本発明の一発光素子の構成を示す模式断面図である。
【図2】
図２は、本発明の一発光素子の製造方法の流れを示すフローチャートである。
【図3A】
図３Ａは、本発明の一発光素子の製造方法を示す模式図である。
【図3B】
図３Ｂは、本発明の一発光素子の製造方法を示す模式図である。
【図3C】
図３Ｃは、本発明の一発光素子の製造方法を示す模式図である。
代表図 図1本件の代表的な図
１ 発光素子
１０ 基板
１１ 第１発光部
１２ 第２発光部
２０ 第１ｎ側半導体層
２１ ｎコンタクト層
２２ 第１積層部
２３ 下地層
３０ 第１活性層
４０ 第１ｐ側半導体層
５０ トンネル接合層
６０ 第２ｎ側半導体層
６１ 中間層
６２ 第２積層部
７０ 第２活性層
８０ 第２ｐ側半導体層
９１ ｎ側電極
９２ ｐ側電極
１００ 半導体積層体
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