特許7908613IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

レーザ光源

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

レーザダイオードチップとレンズとの位置ずれが生じにくいレーザ光源が求められている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示のレーザ光源は、一実施形態において、発光層を含む半導体積層構造体と、前記半導体積層構造体を支持する基板と、前記発光層で発生したレーザ光を出射する第１の端面と、前記第１の端面とは反対側の第２の端面と、を有し、前記第１の端面から前記第２の端面までの距離によって共振器長が規定される、端面出射型のレーザダイオードチップと、前記レーザダイオードチップが固着された主平面と、前記レーザダイオードチッ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本開示によれば、レーザダイオードチップとレンズとの位置ずれが生じにくいレーザ光源を実現することが可能になる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 図１Ａは、本開示の実施形態１におけるレーザ光源１００の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図1B】 図１Ｂは、図１Ａのレーザ光源１００の平面構成を模式的に示す図である。
【図2A】 図２Ａは、図１Ａのレーザ光源１００から半導体レーザパッケージ４０および一対のリード端子５０を省略した構成のより詳細を示す斜視図である。
【図2B】 図２Ｂは、図２Ａのレーザ光源１００を模式的に示す上面図である。
【図2C】 図２Ｃは、図２Ｂの構成のＹＺ平面に平行なＩＩＣ－ＩＩＣ線断面図である。
【図3A】 図３Ａは、本開示の実施形態１の変形例１におけるレーザ光源１１０の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図3B】 図３Ｂは、図３Ａのレーザ光源１１０を模式的に示す上面図である。
【図3C】 図３Ｃは、図３Ｂの構成のＹＺ平面に平行なＩＩＩＣ－ＩＩＩＣ線断面図である。
【図4A】 図４Ａは、本開示の実施形態１の変形例２におけるレーザ光源１２０の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図4B】 図４Ｂは、図４Ａのレーザ光源１２０を模式的に示す上面図である。
【図4C】 図４Ｃは、図４Ｂの構成のＹＺ平面に平行なＩＶＣ－ＩＶＣ線断面図である。
【図5A】 図５Ａは、本開示の実施形態１の変形例３におけるレーザ光源１３０の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図5B】 図５Ｂは、図５Ａのレーザ光源１３０を模式的に示す上面図である。
【図5C】 図５Ｃは、図５Ｂの構成のＹＺ平面に平行なＶＣ－ＶＣ線断面図である。
【図6A】 図６Ａは、本開示の実施形態１の変形例４におけるレーザ光源１４０の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図6B】 図６Ｂは、図６Ａのレーザ光源１４０を模式的に示す上面図である。
【図6C】 図６Ｃは、図６Ｂの構成のＹＺ平面に平行なＶＩＣ－ＶＩＣ線断面図である。
【図7A】 図７Ａは、本開示の実施形態１の変形例５におけるレーザ光源１５０の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図7B】 図７Ｂは、図７Ａのレーザ光源１５０を模式的に示す上面図である。
【図7C】 図７Ｃは、図７Ｂの構成のＹＺ平面に平行なＶＩＩＣ－ＶＩＩＣ線断面図である。
【図7D】 図７Ｄは、コレット６０を用いて、図７Ａのレーザ光源１５０におけるコリメートレンズ３０をサブマウント２０に接合する様子を模式的に示す斜視図である。
【図8A】 図８Ａは、本開示の実施形態２におけるレーザ光源２００の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図8B】 図８Ｂは、図８Ａのレーザ光源２００を模式的に示す上面図である。
【図8C】 図８Ｃは、図８Ｂの構成のＹＺ平面に平行なＶＩＩＩＣ－ＶＩＩＩＣ線断面図である。
【図8D】 図８Ｄは、図８Ａのレーザ光源２００を模式的に示す背面図である。
【図9A】 図９Ａは、本開示の実施形態２の変形例１におけるレーザ光源２１０の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図9B】 図９Ｂは、図９Ａのレーザ光源２１０を模式的に示す上面図である。
【図9C】 図９Ｃは、図９Ｂの構成のＹＺ平面に平行なＩＸＣ－ＩＸＣ線断面図である。
【図9D】 図９Ｄは、図９Ａのレーザ光源２１０を模式的に示す背面図である。
【図10A】 図１０Ａは、本開示の実施形態２の変形例２におけるレーザ光源２２０の構成例を模式的に示す斜視図である。
【図10B】 図１０Ｂは、図１０Ａのレーザ光源２２０を模式的に示す上面図である。
【図10C】 図１０Ｃは、図１０Ｂの構成のＹＺ平面に平行なＸＣ－ＸＣ線断面図である。
【図10D】 図１０Ｄは、図１０Ａの第４のサブマウント部分２０ｐ４およびコリメートレンズ３０を模式的に示す斜視図である。
１０ レーザダイオードチップ １０ａ 半導体積層構造体 １０ｂ 基板 １０Ｃ１ 第１のクラッド層 １０Ｃ２ 第２のクラッド層 １０ｅ１ 出射端面 １０ｅ２ 後方端面 １０Ｌ 発光層 ２０ サブマウント ２０ｃｏ 切り欠き ２０ｄ 溝 ２０ｅｄ エッジ ２０ｆｅ 前方端面 ２０ｆｅ１ 中央端面 ２０ｆｅ２ 両側端面 ２０Ｌ 連結部 ２０ＬＳ レンズ支持部 ２０ｐ１ 第１のサブマウント部分 ２０ｐ２ 第２のサブマウント部分 ２０ｐ３ 第３のサブマウント部分 ２０ｐ４ 第４のサブマウント部分 ２０ｓ１ 主平面 ２０ｓ２ 裏面 ２０ｓｅ 一対のレンズ支持部の端面 ２０ｕｓ 第１のサブマウント部分の上面 ３０ コリメートレンズ ３０ｃ レンズ曲面部 ３０ｆ 平坦部 ４０ 半導体レーザパッケージ ４０ｂ 基体 ４０Ｌ 蓋体 ４０ｗ 透光窓 ５０ リード端子 ６０ コレット ６０ａ 二又部分 ６０ｂ 支持部分 １００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０ レーザ光源 ２００、２１０、２２０ レーザ光源

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