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技術分野

半導体レーザ素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

窒化物半導体を有する半導体レーザ素子において、回折格子を設けたＤＦＢレーザ素子は、回折格子を設けないファブリペロー型の半導体レーザ素子よりも、閾値電流の増大が生じる傾向がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

以下の発明（１）を含む。 （１）光導波路を有する窒化物半導体積層体を備え、 前記窒化物半導体積層体は、 前記光導波路の共振方向に沿って屈折率が周期的に変化している周期構造を有する第１ｎ側窒化物半導体層と、 第２ｎ側窒化物半導体層と、 １以上の井戸層及び１以上の障壁層を有する活性層と、 ｐ側窒化物半導体層と、 をこの順に有し、 前記活性層は、前記１以上の井戸層のうち最も・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

上述の発明によれば、周期構造を有する半導体レーザ素子において、閾値電流を低減することができる。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一実施形態の半導体レーザ素子を示す模式的な上面図である。
【図2】 図１のII－II線における断面図である。
【図3】 図１のIII－III線における断面図である。
【図4】 計算例１において、第２ｎ側窒化物半導体層の厚さと回折格子に結合する部分の光強度割合Γgratingの関係を示すグラフである。
【図5】 計算例１において、第２ｎ側窒化物半導体層の厚さと井戸層の光閉じ込めΓwellの関係を示すグラフである。
【図6】 計算例１において、第２ｎ側窒化物半導体層の厚さとｐ側窒化物半導体層への漏れ光の割合Γｐの関係を示すグラフである。
【図7】 計算例１において、規格化結合係数ｋＬを計算した結果を示すグラフである。
【図8】 実施例１及び比較例１の半導体レーザ素子のＩ－Ｌ特性を示すグラフである。
【図9】 実施例１及び比較例１の半導体レーザ素子の波長スペクトルを示すグラフである。
【図10】 実施例１の半導体レーザ素子のサイドモード抑圧比を示すグラフである。
【図11】 実施例２及び比較例２の半導体レーザ素子のＩ－Ｌ特性を示すグラフである。
【図12】 実施例２の半導体レーザ素子の波長スペクトルを示すグラフである。
【図13】 比較例２の半導体レーザ素子の波長スペクトルを示すグラフである。
【図14】 実施例２の半導体レーザ素子のサイドモード抑圧比を示すグラフである。
【図15】 実施例２の半導体レーザ素子の一部のＺコントラスト像である。

代表図 図1本件の代表的な図

１０ 光導波路 ２０ 窒化物半導体積層体 ２０ａ 光出射端面 ２０ｂ 光反射端面 ２０ｃ リッジ ３０ ｎ側窒化物半導体層 ３１ 第１ｎ側窒化物半導体層 ３１ａ 第１半導体部 ３１ｂ 第２半導体部 ３２ 第２ｎ側窒化物半導体層 ３３ 第３ｎ側窒化物半導体層 ３４ 第４ｎ側窒化物半導体層 ３５ 第５ｎ側窒化物半導体層 ４０ 活性層 ４１ 井戸層 ４２ 障壁層 ５０ ｐ側窒化物半導体層 ６０ 基板 ７１ 第１保護膜 ７２ 第２保護膜 ７３ 絶縁膜 ８１ ｎ電極 ８２ ｐ電極 ８３ パッド電極１００ 半導体レーザ素子

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