特許 7919643出願番号特願 2023-138842
冷却装置

出願人日本電信電話株式会社（識別番号 4226）

2026年特許公開件数ランキング 118位 201件（※）

2026年特許取得件数ランキング 15位 774件（※）

2026年特許公開件数ランキング 507位 83件（※）

2026年特許取得件数ランキング 487位 72件（※）

公報発行日　2026年9月14

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7919643　ログイン済みの方はこのURLへ

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※ 共同出願を含む

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半導体基板を冷却する冷却装置

しかし、冷媒を注入した冷却装置内では、半導体基板は冷媒内に浸漬され、該半導体基板の周囲で冷媒が循環するため、冷媒と半導体との間にホウ素を添加した遮蔽板を設置することが難しいという問題がある。

本開示の一態様の冷却装置は、半導体基板を冷却する冷却装置であって、容器と、前記容器内に注入された冷媒と、を有し、前記冷媒はホウ素を含む。

本開示によれば、冷媒内に浸漬されている半導体基板に照射される熱中性子を遮蔽することが可能になる。

【図1】図１は、冷却装置の斜視図である。

【図2】図２は、冷却装置を模式的に示す説明図である。

【図3】図３は、容器に自然界の高エネルギー中性子が入射したときの、中性子エネルギーと中性子フラックスの関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。

１容器２冷媒３半導体基板４冷却部５液滴６蒸気１００冷却装置

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