特許7929392IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 日亜化学工業株式会社 > 特許7929392

技術分野

半導体レーザ素子

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

半導体レーザ素子において、レーザ発振する電流である閾値電流の更なる低減が求められている。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本願は、以下の発明を含む。 第１導電型の第１窒化物半導体層と、 第２導電型の第２窒化物半導体層と、 前記第１窒化物半導体層と前記第２窒化物半導体層との間に配置された、単一量子井戸 構造又は多重量子井戸構造の活性領域と、を備え、 前記活性領域は、前記第１窒化物半導体層の側から順に、第１障壁層と、中間層と、井 戸層と、第２障壁層と、を有し、 前記中間層の格子定数は、前記第１障・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

このような構成を有することにより、半導体レーザ素子の閾値電流を低減させることができる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 本発明の一半導体レーザ素子の模式的な断面図である。
【図2】 本発明の一半導体レーザ素子の活性領域のバンドギャップエネルギーを模式的に示す図である。
【図3】 本発明の一半導体レーザ素子の模式的な上面図である。
【図4】 活性領域の変形例１を模式的に示す図である。
【図5】 活性領域の変形例２を模式的に示す図である。
【図6】 活性領域の変形例３を模式的に示す図である。
【図7】 実施例１～４及び比較例１、２の半導体レーザ素子の閾値電流密度を示すグラフである。

代表図 図1本件の代表的な図

１００ 半導体レーザ素子 １ 基板 ２ ｎ側領域 ２１ 第１ｎ型半導体層 ２２ 第２ｎ型半導体層 ２３ 第３ｎ型半導体層（ｎ型窒化物半導体層） ２４ 第４ｎ型半導体層 ２５ ｎ側組成傾斜層 ３ 活性領域 ３１ 第１障壁層 ３２ 中間層 ３３ 井戸層 ３４ 第２障壁層 ３５ ＩｎＧａＮ層 ３６ ＧａＮ層 ３７ 中間障壁層 ４ ｐ側領域 ４１ ｐ側組成傾斜層 ４２ 第１ｐ型半導体層 ４３ 第２ｐ型半導体層（ｐ型窒化物半導体層） ４４ 第３ｐ型半導体層 ４ａ リッジ ５ 絶縁膜 ５ａ 開口 ６ ｐ電極 ７ ｐ側パッド電極 ８ ｎ電極

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.