磁性材料には、保磁力等の磁気特性や磁気光学特性が１００℃近傍～２００℃未満の加熱によって劣化するものが多い。特に、ＢｉＳｂと磁性膜の積層体は、１５０℃程度の比較的低温の熱処理によって、ＢｉＳｂのＢｉやＳｂが磁性膜中に拡散してしまい、磁性膜の磁気特性が劣化する虞がある（非特許文献５）。そのため、このような材料の、磁性細線を備える磁気抵抗効果素子や光変調素子（磁壁移動素子）への適用が困難である。具体的には、フォトリソグラフィ工程において、フォトレジストの硬化（ベーク）温度が１５０℃程度またはそれ以上、現像（フォトレジストの溶解）温度が７０～９０℃程度である。また、レジストマスク除去工程のプラズマアッシング温度が１６０℃程度である。磁性膜や積層体の細線状等への成形は、その成膜前にレジストマスクを形成するリフトオフ法により、また、レジストマスクを溶解除去することにより可能である。しかし、磁壁移動素子は、磁性細線上の一部の領域にＡｕ，Ｃｕ等からなる電極や読出し用の素子等を接続する必要がある。電極等を磁性細線の形成前に絶縁膜に埋め込んで磁性細線の下面に接続することもできるが、磁壁移動素子の構造等によっては磁性細線の形成後にしか形成できない場合がある。フォトリソグラフィによらない配線形成技術として導電性ペーストを印刷する技術が開発されているが、導電性ペーストを焼成するために熱処理が必要である。

すなわち、本発明に係る磁壁移動型デバイスの製造方法は、磁性材料からなる磁性層を備えて細線状に形成してなる磁性細線と、前記磁性細線の細線方向における一部に接続する電極と、を備える磁壁移動素子を配列した磁壁移動型デバイスの製造方法である。この磁壁移動型デバイスの製造方法は、第１基板上に、前記磁性細線が形成される領域と、平面視ですべての前記磁性細線を囲繞する枠状の領域と、を空けたマスクを形成するマ・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る