技術分野
インダン環含有化合物、硬化性組成物、硬化物、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、特許文献1の技術では、低誘電率及び耐熱性については検討しているものの、特に耐熱性については先端材料用途に要求されるレベルには達していない。さらに、特許文献1の技術により得られたポリインダン誘導体からなる低誘電材料では、分子中に残存するビニル基の量が限られてしまい、当該低誘電材料を硬化する際の現像性などに影響を及ぼす虞がある。
そこで、本開示が解決しようとする技術的課題は、優れた耐熱性及び低誘電正接を示す、インダン環含有化合物及びその製造方法、インダン環含有化合物を含有するインダン系混合物、インダン環含有化合物を含有する硬化性組成物及びその硬化物、並びに当該硬化物を用いた、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置を提供することにある。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明者らは、上述した課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の一般式(1a)で表される構造単位と、以下の一般式(2)又は一般式(3)で表される構造単位とを有し、かつ末端部位の少なくとも1つがアルケニル基を有するインダン環含有化合物を用いることにより、低誘電正接及び優れた耐熱性を高次に両立することができるインダン環含有化合物、前記インダン環含有化合物を含有するインダン系混合物、前記インダン・・・ 続きを
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発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示によれば、極めて低い誘電正接を示し、かつ耐熱性に優れた、インダン環含有化合物、インダン環含有化合物を含有するインダン系混合物、インダン環含有化合物を含有する硬化性組成物及びその硬化物を提供しうる。
本開示によれば、酸触媒下でアニリン系化合物を用いたインダン環含有化合物の製造方法によって、脱水処理の省略又は脱水処理の回数を低減できる。
本開示によれば、極めて低い誘電正接を示し、かつ耐熱性に優れたインダン環含有化合物を使用した硬化物により、低誘電性及び優れた耐熱性が高次に両立した、プリプレグ、回路基板、ビルドアップフィルム、半導体封止材及び半導体装置を提供しうる。
この特許の権利範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】
図1は、実施例1で得られたインダン環含有化合物(A-1)のGPCチャートを示す。
【図2】
図2は、実施例2で得られたインダン環含有化合物(A-2)のGPCチャートを示す。
【図3】
図3は、実施例3で得られたインダン環含有化合物(A-3)のGPCチャートを示す。
【図4】
図4は、実施例4で得られたインダン環含有化合物(A-4)のGPCチャートを示す。
【図5】
図5は、実施例5で得られたインダン環含有化合物(A-5)のGPCチャートを示す。
【図6】
図6は、実施例1で得られたインダン環含有化合物(A-1)のFD-MSチャートを示す。
【図7】
図7は、実施例1で得られたインダン環含有化合物(A-1)の13C-NMRチャートを示す。
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