▶ サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニーの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2022-07-27
(54)【発明の名称】複数のレーザビームを発生させるための装置及び方法
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20220720BHJP
H01S 3/23 20060101ALI20220720BHJP
H01S 3/00 20060101ALI20220720BHJP
H01S 3/104 20060101ALI20220720BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 505
G03F7/20 521
H01S3/23
H01S3/00 A
H01S3/104
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2021566461
(86)(22)【出願日】2020-05-15
(85)【翻訳文提出日】2022-01-07
(86)【国際出願番号】 US2020033262
(87)【国際公開番号】W WO2020236647
(87)【国際公開日】2020-11-26
(31)【優先権主張番号】62/851,147
(32)【優先日】2019-05-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】62/853,772
(32)【優先日】2019-05-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】62/978,515
(32)【優先日】2020-02-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/006,162
(32)【優先日】2020-04-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】513192029
【氏名又は名称】サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ガレスピー，ウォルター，デール
(72)【発明者】
【氏名】ソーンズ，ジョシュア，ジョン
(72)【発明者】
【氏名】ダフィー，トーマス，パトリック
(72)【発明者】
【氏名】メイソン，エリック，アンダース
(72)【発明者】
【氏名】パウデル，ラビン
【テーマコード（参考）】
2H197
5F071
5F172
【Ｆターム（参考）】
2H197AA05
2H197AA09
2H197BA02
2H197BA06
2H197CA08
2H197CA12
2H197CA13
2H197HA03
5F071AA06
5F071HH03
5F071HH07
5F071HH08
5F071JJ10
5F172AD06
5F172DD06
5F172EE22
5F172NN05
5F172NQ05
5F172ZZ02
(57)【要約】
複数のレーザチャンバを使用して複数のレーザビームを発生させるための装置及び方法。ビームの相対タイミングは、例えばインターリーブされたり、重なったり、重なることが妨げられたり、続けざまに発生したりするように制御可能である。ビームは異なる波長などの異なるスペクトル特性及び出力特性を有することがある。また、複数のレーザチャンバのうちの少なくとも１つが２つの異なる波長の放射を発生させるように構成されたシステムも開示される。
【選択図】 図１
【選択図】 図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、前記第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを受光するように配置され、前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、を備えたガス放電レーザシステム。
【請求項2】
前記第１のレーザチャンバモジュールが第１のエキシマレーザチャンバモジュールを含む、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項3】
前記第１のエキシマレーザチャンバモジュールがＡｒＦレーザチャンバモジュールを含む、請求項２に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項4】
前記第１のエキシマレーザチャンバモジュールがＫｒＦレーザチャンバモジュールを含む、請求項２に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項5】
前記第２のレーザチャンバモジュールが第２のエキシマレーザチャンバモジュールを含む、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項6】
前記第２のエキシマレーザチャンバモジュールがＡｒＦレーザチャンバモジュールである、請求項４に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項7】
第３のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第３のレーザチャンバモジュールをさらに備え、前記ビームコンバイナが、前記第３のビームを受光するように配置され、前記第３のビームを前記共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合された、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項8】
前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項9】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュールが第１の繰り返し率で放電し、前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記第１の繰り返し率と実質的に同じかつ前記第１の繰り返し率の期間の半分だけ前記第１の繰り返し率に対してオフセットされた第２の繰り返し率で放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合された、請求項８に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項10】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合され、前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、請求項８に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項11】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合された、請求項８に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項12】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電しないように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合された、請求項８に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項13】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールの両方に発射させる共通コマンドを発生させるように適合された、請求項８に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項14】
前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記共通コマンドの後遅滞なく発射するように適合された、請求項１３に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項15】
前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記共通コマンドの後遅れて発射するように適合された、請求項１３に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項16】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュールに発射させる第１のコマンド及び前記第２のレーザチャンバモジュールに発射させる第２のコマンドを発生させるように適合された、請求項８に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項17】
前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記第１のコマンドの後遅滞なく発射するように適合された、請求項１６に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項18】
前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記第１のコマンドの後遅れて発射するように適合された、請求項１６に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項19】
前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記コマンドの後遅れて発射するように適合された、請求項１７に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項20】
前記第１のレーザチャンバモジュールに第１の繰り返し率で発射させ、前記第２のレーザチャンバモジュールに前記第１の繰り返し率と異なる第２の繰り返し率で発射させる、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項21】
前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールの両方にガスを供給するように適合されたガス供給システムをさらに備えた、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項22】
前記第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームのパラメータを測定するように配置された第１のレーザチャンバメトロロジユニットをさらに備えた、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項23】
前記第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームと、前記第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームとの結合体のパラメータを測定するように配置された結合ビームメトロロジユニットをさらに備えた、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項24】
前記結合ビームメトロロジユニットの出力を受けるように配置され、前記第１のレーザチャンバモジュールが発生させた前記光ビームと前記第２のレーザチャンバモジュールが発生させた前記光ビームとの結合体のスペクトルを、前記結合ビームメトロロジユニットの前記出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えた、請求項２３に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項25】
前記第１のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、前記第１のレーザチャンバモジュールからの前記光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュールをさらに備えた、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項26】
前記第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、前記第２のレーザチャンバモジュールからの前記光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールと、前記第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び前記第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールに接続され、前記第１の帯域幅が前記第２の帯域幅と実質的に同じになるように、前記第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び前記第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを制御するように適合された制御ユニットとをさらに備えた、請求項２５に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項27】
前記第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、前記第２のレーザチャンバモジュールからの前記光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールと、前記第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び前記第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールに接続され、前記第１の帯域幅が前記第２の帯域幅と異なるように、前記第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び前記第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを制御するように適合された制御ユニットとをさらに備えた、請求項２５に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項28】
第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、前記第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを受光するように配置され、前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを受光するように配置されたスキャナとを備え、前記スキャナが、前記第１及び第２の波長を調整するための指示を提供するように構成されたリソグラフィ装置。
【請求項29】
前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、請求項２８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項30】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合された、請求項２９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項31】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電しないように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合された、請求項２９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項32】
前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールの両方にガスを供給するように適合されたガス供給システムをさらに備えた、請求項２８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項33】
リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、前記方法が、スキャナから１つ以上の目標波長の指示を受け取るステップと、
前記指示に応じて、第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
前記指示に応じて、第２のレーザチャンバモジュールを使用して、前記第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるステップと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを前記スキャナで使用して、単一パスで前記第１の波長での放射及び前記第２の波長での放射に前記基板を露光するステップと、を含む方法。
【請求項34】
前記第１の波長で前記第１のレーザ放射ビームを発生させ、前記第１の波長と異なる前記第２の波長で前記第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップの相対タイミングを制御するステップをさらに含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項35】
前記第１の波長で前記第１のレーザ放射ビームを発生させ、前記第１の波長と異なる前記第２の波長で前記第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップの相対タイミングを制御する前記ステップが、前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームを実質的に同じ繰り返し率かつ互いに１８０度異なる位相で発生させることを含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項36】
前記第１の波長で前記第１のレーザ放射ビームを発生させ、前記第１の波長と異なる前記第２の波長で前記第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップの相対タイミングを制御する前記ステップが、前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームを実質的に同じ繰り返し率で発生させ、前記第２のビームを前記第１のビームを発生させた実質的に直後に発生させることを含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項37】
前記第１の波長で前記第１のレーザ放射ビームを発生させ、前記第１の波長と異なる前記第２の波長で前記第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップの相対タイミングを制御する前記ステップが、前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項38】
前記第１の波長で前記第１のレーザ放射ビームを発生させ、前記第１の波長と異なる前記第２の波長で前記第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップの相対タイミングを制御する前記ステップが、前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項39】
リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、前記方法が、第１のパルス数を得るために第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、前記パルスを出力ビームパスに沿って前記基板に伝搬させるステップと、
第２のパルス数を得るために第２のレーザチャンバモジュールを使用して第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させ、前記パルスを前記出力ビームパスに沿って前記基板に伝搬させるステップと、を含む方法。
【請求項40】
前記第１の波長が実質的に前記第２の波長と同じである、請求項３９に記載の方法。
【請求項41】
前記第１の波長が前記第２の波長と異なる、請求項３９に記載の方法。
【請求項42】
前記第１のパルス数が前記第２のパルス数と同じである、請求項４１に記載の方法。
【請求項43】
前記第１のパルス数が前記第２のパルス数と異なる、請求項４１に記載の方法。
【請求項44】
前記第１のビームが第１のパルスエネルギーを有し、前記第２のビームが前記第１のパルスエネルギーと異なる第２のパルスエネルギーを有する、請求項３９に記載の方法。
【請求項45】
前記第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を狭めるステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項46】
前記第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を第１の量だけ狭め、前記第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を前記第１の量と異なる第２の量だけ狭めるステップをさらに含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項47】
第１のコマンド信号を発生させるステップ及び第２のコマンド信号を発生させるステップをさらに含み、第１のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップが前記第１のコマンド信号及び第２のコマンド信号を発生させる前記ステップに応じて実行され、第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップが前記第２のコマンド信号に応じて実行される、請求項３９に記載の方法。
【請求項48】
第１の波長及び前記第１の波長と異なる第２の波長を有する第１のスペクトルを有する第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、前記第１及び第２の波長と異なる第３の波長、並びに前記第１、第２、及び第３の波長と異なる第４の波長を有する第２のスペクトルを有する第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを受光するように配置され、前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、を備えたガス放電レーザシステム。
【請求項49】
前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、請求項４８に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項50】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合され、前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、請求項４９に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項51】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合された、請求項４９に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項52】
前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記第１のレーザチャンバモジュールに前記第１のスペクトルを有する前記第１のレーザ放射ビームを発生させるように構成された第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを含む、請求項４８に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項53】
前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記第２のレーザチャンバモジュールに前記第２のスペクトルを有する前記第２のレーザ放射ビームを発生させるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを含む、請求項５２に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項54】
リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、前記方法が、第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長及び第２の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
第３の波長及び第４の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるステップと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームをスキャナで使用して、単一パスで前記第１の波長での放射及び前記第２の波長での放射に前記基板を露光するステップとを含み、
前記第１、第２、第３、及び第４の波長が互いに異なる方法。
【請求項55】
前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップの相対タイミングを制御するステップをさらに含む、請求項５４に記載の方法。
【請求項56】
前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップの前記相対タイミングを制御する前記ステップが、前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含む、請求項５５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０１９年５月２９日に出願されたAPPARATUS FOR AND METHOD OF GENERATING MULTIPLE LASER BEAMSと題する米国出願第６２／８５３，７７２号及び２０２０年２月１９日に出願されたAPPARATUS FOR AND METHOD OF GENERATING MULTIPLE LASER BEAMSと題する米国出願第６２／９７８，５１５号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0001] この出願は、２０１９年５月２９日に出願されたAPPARATUS FOR AND METHOD OF GENERATING MULTIPLE LASER BEAMSと題する米国出願第６２／８５３，７７２号及び２０２０年２月１９日に出願されたAPPARATUS FOR AND METHOD OF GENERATING MULTIPLE LASER BEAMSと題する米国出願第６２／９７８，５１５号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] この出願はまた、２０１９年５月２２日に出願されたCONTROL SYSTEM FOR A PLURALITY OF DEEP ULTRAVIOLET OPTICAL OSCILLATORSと題する米国出願第６２／８５１，１４７号及び２０２０年４月７日に出願されたCONTROL SYSTEM FOR A PLURALITY OF DEEP ULTRAVIOLET OPTICAL OSCILLATORSと題する米国出願第６３／００６，１６２号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【0003】
[0003] 本開示は、例えばリソグラフィ装置で使用するための複数のレーザビームを発生させることに関する。
【背景技術】
【0004】
[0004] リソグラフィ装置は、所望のパターンを半導体材料のウェーハなどの基板上に、通常は基板のターゲット部分上に適用する。パターニングデバイスは、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれ、ウェーハの個々の層上に形成すべき回路パターンを発生させるのに使用されることがある。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、連続してパターンが与えられる隣接したターゲット部分を含むことになる。
【0005】
[0005] リソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分上に１回で露光することにより各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行又は逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することも可能である。本明細書では、便宜上、ステッパ及びスキャナはどちらも単にスキャナと呼ぶことにする。
【0006】
[0006] パターンを照明し、これを基板上に投影するのに使用される光源は、多数の構成のうちのいずれか１つである場合がある。一般にリソグラフィシステムで使用される深紫外線エキシマレーザには、波長が２４８ｎｍのフッ化クリプトン（ＫｒＦ）及び波長が１９３ｎｍのフッ化アルゴン（ＡｒＦ）が含まれる。一般に、エキシマレーザは特定の気体混合物とともに機能するように設計される。波長の小さなゆっくりとした調整が容易に行えるのに対し、急速に変化する波長は些細なことではない。
【0007】
[0007] しかしながら、波長を変化させる能力を有することが望まれる場合がある可能性がある。例えば、３Ｄ ＮＡＮＤでは、メモリ容量の層が積み重ねられる。２Ｄから３Ｄ ＮＡＮＤアーキテクチャへの移行には、製造プロセスの大きな変更が必要である。３Ｄ ＮＡＮＤ製造では、課題は、極端なアスペクト比（例えば、穴径のその深さに対する比）におけるエッチングプロセス及び堆積プロセスによって主として決定される。超高アスペクト比（ＨＡＲ）フィーチャを有する複雑な３Ｄ構造を構築することは複雑であり、確実な大量生産を達成するためには、極めて高い精度、及び最終的にはプロセス均一性及びプロセス再現性を必要とする。さらに、多層スタック高さが増すにつれて、メモリアレイの上部及び下部において一貫したエッチング及び堆積結果を得ることの難しさも増す。
【0008】
[0008] これらの検討事項は、より大きい焦点深度の必要性をもたらす。リソグラフィ焦点深度（ＤＯＦ）は、関係ＤＯＦ＝±ｍλ／（ＮＡ）２によって決定される。ここでλは照明光の波長であり、ＮＡは開口数であり、ｍはレジストプロセスに依存する実用的係数である。３Ｄ ＮＡＮＤリソグラフィにおける焦点深度要件は大きくなるため、２回以上の露光パスが、パス毎に異なる焦点面を使用してウェーハに対して行われることがある。１つの方法は、パス毎にウェーハステージ高さを変化させることを含む。同じ効果をもたらすための別の方法は波長を変化させることである。レーザ放射を集束させるレンズを構成する材料は通常、多少の非ゼロ分散を有するため、異なる波長が異なる深さに集束するようになる。このため、波長を急速に変化させる能力を有することが望ましいことがある。
【0009】
[0009] 波長の検討を越えて、ＫｒＦレーザのために高ドーズレジストを使用することは、より高い出力を有するＫｒＦレーザの必要性につながる。例えば、一部の応用例が、１２０Ｗも提供することができるＫｒＦレーザを有することが望ましいことがある。
【0010】
[0010] 柔軟な波長切り替え及び／又はより高い出力照明を提供し得るレーザシステムが必要である。
【発明の概要】
【0011】
[0011] 以下は、実施形態の基本的理解を与えるために１つ以上の実施形態の簡単な概要を示す。この概要は、全ての想定される実施形態の広範囲の概要ではなく、全ての実施形態の重要又は重大な要素を特定することも全てのあらゆる実施形態の範囲の境界を明示することも意図していない。１つ以上の実施形態のいくつかの概念を、後で説明するさらに詳細な説明への前置きとして簡単な形で示すことを唯一の目的とする。
【0012】
[0012] ある実施形態の一態様によれば、２つの独立したレーザチャンバ又はキャビティを有するレーザシステムが開示される。少なくとも２つの波長の制御は、これらの２つの独立したキャビティによって達成することができる。ビームのいずれかにより個別に供給され得るよりも高い出力を提供するために、ビームを空間的に又は時間的に重ね合わせることがある。２つのビームを１つのプラットフォームにまとめることは、一度に使用されるキャビティがたった１つで済むため、より低い出力プロセスのための運転コストを増加させない。２つのレーザを１つのスキャナと一緒にすることで、より高い出力が必要とされない場合、サービス間隔が２倍になる可能性がある。このことは、主パワー増幅器（ＭＯＰＡ）又は同様の２チャンバシステムでは不可能である。
【0013】
[0013] ある実施形態の別の態様によれば、システムは、ユーザが低出力プロセスのためにチャンバのうちのどちらかを単独で使用する、又は高出力プロセスのために２つのチャンバを同時に使用することを可能にするコンポーネントを備えることがある。
【0014】
[0014] ある実施形態の別の態様によれば、２つのチャンバの相対的発射時間は、チャンバが同時に若しくは一方のチャンバの発射が他方に少し遅れて発射されるように、又はスキャナで用いられる効率的な繰り返しを本質的に２倍にするために発射をインターリーブできるように制御されることがある。
【0015】
[0015] ある実施形態の別の態様によれば、第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置され、第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、を備えたガス放電レーザシステムが開示される。第１のレーザチャンバモジュールは第１のエキシマレーザチャンバモジュールを含むことがある。第１のレーザチャンバモジュールはＡｒＦレーザチャンバモジュールを含むことがある。第１のエキシマレーザチャンバモジュールはＫｒＦレーザチャンバモジュールを含むことがある。第２のレーザチャンバモジュールは第２のエキシマレーザチャンバモジュールを含むことがある。第２のレーザチャンバモジュールはＡｒＦレーザチャンバモジュールを含むことがある。第２のエキシマレーザチャンバモジュールはＫｒＦレーザチャンバモジュールを含むことがある。ガス放電レーザシステムは、第３のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第３のレーザチャンバモジュールをさらに備えることがあり、ビームコンバイナは、第３のビームを受光し、第３のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように配置されることがある。
【0016】
[0016] ガス放電レーザシステムは、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えることがある。放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュールが第１の繰り返し率で放電し、第２のレーザチャンバモジュールが、第１の繰り返し率と実質的に同じかつ第１の繰り返し率の期間の半分だけ第１の繰り返し率に対してオフセットされた第２の繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合されることがある。放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合されることがあり、第２のレーザチャンバモジュールは、第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する。放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合されることがある。放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電しないように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合されることがある。放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方に発射させる共通コマンドを発生させるように適合されることがある。
【0017】
[0017] 第１のレーザチャンバモジュールは、共通コマンドの後遅滞なく発射するように適合されることがある。第１のレーザチャンバモジュールは、共通コマンドの後遅れて発射するように適合されることがある。第２のレーザチャンバモジュールは、共通コマンドの後遅滞なく発射するように適合されることがある。第２のレーザチャンバモジュールは、共通コマンドの後遅れて発射するように適合されることがある。
【0018】
[0018] 放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュールに発射させる第１のコマンド及び第２のレーザチャンバモジュールに発射させる第２のコマンドを発生させるように適合されることがある。第１のレーザチャンバモジュールは、第１のコマンドの後遅滞なく発射するように適合されることがある。第１のレーザチャンバモジュールは、第１のコマンドの後遅れて発射するように適合されることがある。第２のレーザチャンバモジュールは、第２のコマンドの後遅滞なく発射するように適合されることがある。第２のレーザチャンバモジュールは、コマンドの後遅れて発射するように適合されることがある。第１のレーザチャンバモジュールに第１の繰り返し率で発射させることがあり、第２のレーザチャンバモジュールに第１の繰り返し率と異なる第２の繰り返し率で発射させることがある。第１の繰り返し率の第２の繰り返し率に対する放電率比は、例えば２：１又は３：２などの２つの整数の比である場合がある。
【0019】
[0019] ガス放電レーザシステムは、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方を制御するように適合された制御システムをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方にガスを供給するように適合されたガス供給システムをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームのパラメータを測定するように配置された第１のレーザチャンバメトロロジユニットをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームのパラメータを測定するように配置された第２のレーザチャンバメトロロジユニットをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームと第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームとの結合体のパラメータを測定するように配置された結合ビームメトロロジユニットをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第１のレーザチャンバメトロロジユニットからの出力を受けるように配置され、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの波長を、第１のレーザチャンバメトロロジユニットの出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第２のレーザチャンバメトロロジユニットからの出力を受けるように配置され、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの波長を、第２のレーザチャンバメトロロジユニットの出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、結合ビームメトロロジユニットの出力を受けるように配置され、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームと第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームとの結合体のスペクトルを、結合ビームメトロロジユニットの出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第１のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第１のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュールをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールと、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールに接続され、第１の帯域幅が第２の帯域幅と実質的に同じになるように、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを制御するように適合された制御ユニットとをさらに備えることがある。ガス放電レーザシステムは、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールと、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールに接続され、第１の帯域幅が第２の帯域幅と異なるように、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを制御するように適合された制御ユニットとをさらに備えることがある。
【0020】
[0020] ある実施形態の別の態様によれば、第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置され、第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置されたスキャナとを備え、スキャナが、第１及び第２の波長を調整するための指示を提供するように構成されたリソグラフィ装置が開示される。リソグラフィ装置は、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えることがある。放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが、実質的に同じ繰り返し率かつ互いに１８０度異なる位相で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合されることがある。放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合され、第２のレーザチャンバモジュールは、第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する。放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合されることがある。放電タイミング回路は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電しないように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合されることがある。リソグラフィ装置は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方を制御するように適合された制御システムをさらに備えることがある。リソグラフィ装置は、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方にガスを供給するように適合されたガス供給システムをさらに備えることがある。
【0021】
[0021] ある実施形態の別の態様によれば、リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、方法が、スキャナから１つ以上の目標波長の指示を受け取るステップと、指示に応じて、第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるステップと、指示に応じて、第２のレーザチャンバモジュールを使用して、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップと、第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるステップと、第１のビーム及び第２のビームをスキャナで使用して、単一パスで第１の波長での放射及び第２の波長での放射に基板を露光するステップと、を含む方法が開示される。方法は、第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップをさらに含むことがある。第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップは、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを、実質的に同じ繰り返し率かつ互いに１８０度異なる位相で発生させることを含むことがある。第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップは、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同じ繰り返し率で発生させること、及び第２のビームを第１のビームを発生させた実質的に直後に発生させることを含むことがある。第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップは、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含むことがある。第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップは、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含むことがある。
【0022】
[0022] ある実施形態の別の態様によれば、リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、方法が、第１のパルス数を得るために第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、パルスを出力ビームパスに沿って基板に伝搬させるステップと、第２のパルス数を得るために第２のレーザチャンバモジュールを使用して第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させ、パルスを出力ビームパスに沿って基板に伝搬させるステップと、を含む方法が開示される。第１の波長は実質的に第２の波長と同じである場合がある。第１の波長は第２の波長と異なる場合がある。第１のパルス数は第２のパルス数と同じである場合がある。第１のパルス数は第２のパルス数と異なる場合がある。第１のビームは第１のパルスエネルギーを有することがあり、第２のビームは第１のパルスエネルギーと異なる第２のパルスエネルギーを有することがある。方法は、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を狭めるステップをさらに含むことがある。方法は、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を狭めるステップをさらに含むことがある。方法は、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を第１の量だけ狭め、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を第１の量と異なる第２の量だけ狭めるステップをさらに含むことがある。方法は、コマンド信号を発生させるステップをさらに含むことがあり、第１のレーザ放射ビームを発生させるステップ及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップは、コマンド信号に応じて実行される。方法は、第１のコマンド信号を発生させるステップ及び第２のコマンド信号を発生させるステップをさらに含むことがあり、第１のレーザ放射ビームを発生させるステップは第１のコマンド信号及び第２のコマンド信号を発生させるステップに応じて実行され、第２のレーザ放射ビームを発生させるステップは第２のコマンド信号に応じて実行される。
【0023】
[0023] 本発明のさらなる特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施形態の構造及び動作は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。本発明は、本明細書に記載の特定の実施形態に限定されないことに留意すべきである。そのような実施形態は、例示の目的でのみ本明細書に提示されている。追加の実施形態は、本明細書に含まれる教示に基づいて、関連技術分野の当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【0024】
[0024] 本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し説明とともに、更に本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。
【0025】
【図1】[0025] 従来の２チャンバレーザシステムの機能ブロック図である。
【図3】[0027] ある実施形態のある態様に係る２チャンバレーザシステムの機能ブロック図である。
【図4】[0028] ある実施形態のある態様に係る２つのレーザチャンバにおける可能な放電の相対的なタイミングを示す図である。
【図5】[0029] ある実施形態のある態様に係る２つのレーザチャンバにおける別の可能な放電の相対的なタイミングを示す図である。
【図6】[0030] ある実施形態のある態様に従って有利に使用され得るライン狭隘化モジュールの図である。
【図7】[0031] ある実施形態のある態様に従って発生され得る出力スペクトルの概念グラフである。
【0026】
[0032] 本発明の特徴及び利点は、同様の参照符号は全体を通して対応する要素を識別する図面を参照しながら以下の詳細な説明を読むことで更に明白になるであろう。図面では、一般に、同様の参照番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似する要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【0027】
[0033] 追加の露光パスが必要となるのを回避できることはウェーハスループット率に利益をもたらすことになる。また、ウェーハに供給される電力の量を単一のレーザが提供し得るものの限界を超えて増やすことができることも有益となる。これは理論的には、重ね合わせたビームがスキャナに接続される２つのレーザを使用することによって達成することができるため、多波長露光を単一パスで達成することが可能になる。単一のＫｒＦレーザが最大出力を有するため、２つのレーザを単一のスキャナに接続することによってより高い出力を得ることができる。ただし、２つの個別のレーザを使用することは、製造施設において追加の床面積を占め、レーザサブシステム（例えば、気体ハンドリング、配電、封止及び機械構造）の二重化を伴う。レーザシステム全体のコンポーネントの全てを完全に重複させることなく複数のレーザビームを発生させる効率的な方法が必要である。
【0028】
[0034] 本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される１つ又は複数の実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される１つ又は複数の実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【0029】
[0035] 記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。更に、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。更に、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識の範囲内にあることが理解される。
【0030】
[0036] 実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実行され得る例示的な環境を示すことは有益である。図１は、従来の２チャンバレーザシステム１０の機能ブロック図である。この実施形態では、レーザビームが、ステッパ又はスキャナマシンなどのリソグラフィマシン１２の入力ポートに設けられる。レーザシステム１０のメインコンポーネントは、スキャナ１２が図示されるように設置されるフロア１４の下方に設置されることがある。レーザシステム１０はビームデリバリユニット１６を備え、ビームデリバリユニット１６は、レーザビームをスキャナ１２の入力ポートに供給するための密閉されたビームパスを提供する。図示された特定の光源システムは、主発振器１８及びパワー増幅器２０を備え、主発振器パワー増幅器すなわちＭＯＰＡシステムとして知られているタイプのレーザシステムである。レーザシステム１０はまた、一般に光学部品２２及び光学部品２４として示される、パルスのスペクトル特性を制御したり、パルスを整形したりするための様々なコンポーネントを備える。このようなレーザシステムの構成及び動作のさらなる詳細は、例えば、２００６年７月１８日に発行された「Control System for a Two Chamber Gas Discharge Laser」と題する米国特許第７，０７９，５６４号に見ることができ、参照によりその内容全体が本明細書に組み込まれる。
【0031】
[0037] 主発振器１８及びパワー増幅器２０は、それぞれ２つの細長い電極、レーザガス、電極間にガスを循環させるためのファン、及び水冷式のフィン付き熱交換器を含む。主発振器１８は、パワー増幅器２０により２パスで増幅される第１のレーザビームを生成して、図１の矢印により示される出力レーザビームを生成する。
【0032】
[0038] 図２を参照すると、例えば、高電圧共振型電源３０と、整流子モジュール３２と、圧縮ヘッドモジュール３４と、レーザチャンバモジュール３６とを含むパルスパワー回路が示されている。高電圧共振型電源モジュール３０は、三相常用プラントパワーを高ＤＣ電圧に変換する。整流子モジュール３２及び圧縮ヘッドモジュール３４は、共振型電源モジュール３０からの電気エネルギーを圧縮及び増幅して、レーザチャンバモジュール３６において電極間に所望の放電電圧が印加されてパルスが生成される。この回路の動作についてのさらなる詳細は、その全体内容が参照により本明細書に組み込まれる、２００６年２月２１日発行の「Method and Apparatus for Cooling Magnetic Circuit Elements」と題する米国特許第７，００２，４４３号に見られる。
【0033】
[0039] 高度なフォトリソグラフィで使用される光源は通常、基板上に印刷されたクリティカルディメンジョンの必要な均一性（ＣＤ均一性すなわちＣＤＵ）を達成することをサポートするために狭スペクトル帯域幅を有する光源を必要とする。しかしながら、これはまた、焦点深度が小さい高ＮＡシステムにおいて半導体メーカーが利用できるプロセスウィンドウを制限する。特に、接触層についての課題は、フィーチャサイズが縮小すると共にプロセスウィンドウ領域が縮小することである。
【0034】
[0040] 焦点ドリル加工技術と呼ばれる技術が、接触層及びビア層のパターニングにおいてより大きなプロセスウィンドウをサポートする。焦点ドリル加工には、必要なサポートするメトロロジ及び制御能力と共に、広スペクトル帯域幅チューニング能力が必要であるため、半導体メーカーに大きなプロセス寛容度が与えられる。スペクトルチューニングの１つの方法はＲＥＬＡＸと呼ばれる。その内容が参照により本明細書に組み込まれる、Ｉ．Ｌａｌｏｖｉｃらによる「RELAX: Resolution Enhancement by Laser-spectrum Adjusted Exposure」、Optical Microlithography VXIII、Proc. of SPIE Vol 5754、2005参照。
【0035】
[0041] 上記のように、焦点深度は波長の関数である。ＤＯＦは３Ｄ ＮＡＮＤにとって特に重要である。この技術では、適用されるフォトレジストは、約１～１５μｍと非常に厚く、スキャナシステムの典型的なＤＯＦを大幅に上回る。現在、製造には、焦点が構造下部の下方数ミクロンのところに設定された状態、次いで第２のパスについて、焦点が例えば約１μｍ～約４μｍの範囲のある距離だけ高い状態でウェーハの搬送が行われる２段階プロセスが必要である。
【0036】
[0042] ある実施形態のある態様によれば、ウェーハを複数パスにさらす必要性は、単一露光中に２つの離れたレーザキャビティがそれぞれ発生させた２つの異なる波長のビームにウェーハを露出することによって回避される。したがって、ショット単位で焦点面の深さを調整することが可能であり、基板のターゲット部分ごとに１つのパスで複数波長による照明が可能になる。
【0037】
[0043] 図３に示す構成では、第１の共振充電器４０が、第１の整流子４２及び第２の整流子４４に電気エネルギーを供給する。第１の整流子４２は、第１の圧縮ヘッド４６にパルスを供給する。第２の整流子４４は、第２の圧縮ヘッド４８にパルスを供給する。第１の圧縮ヘッド４６は、第１のレーザチャンバモジュール５０内に放電を発生させる。第２の圧縮ヘッド４８は、第２のレーザチャンバモジュール５２内に放電を発生させる。また、図３には、第１のライン狭隘化モジュール５４及び第２のライン狭隘化モジュール５６、第１の光カプラ５８及び第２の光カプラ６０、並びに第１の安定化モジュール６２及び第２の安定化モジュール６４などのレーザビームを調節するための光学部品も示されている。レーザチャンバモジュールにより生成されたビームは、ライン狭隘化されてガス放電システムの自然帯域幅よりもはるかに小さい帯域幅を生成する。制御回路７０が、第１のレーザチャンバモジュール５０及び第２のレーザチャンバモジュール５２が発生させた光ビームの帯域幅及び波長が互いに異なるように、第１のライン狭隘化モジュール５４及び第２のライン狭隘化モジュール５６を制御することがある。
【0038】
[0044] 様々なトリガリング構成が採用される場合がある。例えば、１つのトリガを使用して、一方又は両方のチャンバのトリガと放電との間に遅延があってもなくても、両方のチャンバに発射させることができる。代替的に、トリガは、２つのチャンバが異なる電圧／エネルギーコマンドを有するように、別々に、つまり別個の回路によって発生されることがある。
【0039】
[0045] また、第１のレーザチャンバモジュール５０及び第２のレーザチャンバモジュール５２により共通に使用され得る、例えば、気体ハンドリングシステム、制御システム、インターフェイス、配電システム、冷却水系、チャンバフィルタ及びブロワ用の電源、ビームパスパージシステムなどの様々なシステムコンポーネントが、一般的に６８によって示されている。したがって、示されている構成では、２つのレーザチャンバはこれらのコンポーネントを共用することができ、各コンポーネントを２つ有することは不必要である。
【0040】
[0046] 図３の構成はまた、独立したエネルギーを有する２つのレーザを動作させ、相対的な発射時間、帯域幅、及び波長を制御することができる制御回路７０と、エネルギー／パルスコマンドを２つのレーザ間で分けることができるスキャナインターフェイスとを備える。
【0041】
[0047] 第１のレーザチャンバモジュール５０からのビームと第２のレーザチャンバモジュール５２からのビームは、ビームコンバイナ６６によって結合される。これらの２つのレーザからのビームの結合を単一パスで生じさせる１つの方法は、ビームを回転プリズムに透過させることである。一実施形態では、第１のレーザチャンバモジュール５０は第１の波長でレーザ放射を発生させるのに対して、第２のレーザチャンバモジュール５２は、第１の波長と異なる第２の波長でレーザ放射を発生させる。したがって、２つのチャンバは協働して、ウェーハ上に異なる焦点面を有し異なる深さで動作する、異なる波長での放射を生成する。
【0042】
[0048] 図３には、第１のレーザチャンバモジュール５０が発生させた光ビームの波長を含むパラメータを測定するように配置された第１のメトロロジユニット７２も示されている。図３に示された構成はまた、第２のレーザチャンバモジュール５２が発生させた光ビームの波長を含むパラメータを測定するように配置された第２のメトロロジユニット７４を含む。結合されたビームの波長を含むパラメータ、つまり、第１のレーザチャンバモジュールからの光ビームと第２のチャンバモジュールからの光ビームの結合体のパラメータを測定するために第３のメトロロジユニット７６が配置される。結合ビームは、一方のチャンバが発射していない場合に、単にもう一方のレーザチャンバからのビームであるときもあることが理解されるであろう。メトロロジユニットは、測定の結果を制御回路７０に供給する。示されるようなメトロロジユニットは、２つのレーザチャンバモジュールからの光の波長と結合ビームの波長とを独立に測定することができる。制御回路７０は、測定結果を使用して、各レーザチャンバモジュールが生成した光ビームの波長を制御することができる。
【0043】
[0049] ２つのチャンバの発射をインターリーブすることで２倍の有効繰り返し率を達成することができる。このことは図４に示されている。最上部のタイミング図は、第１のレーザチャンバモジュール５０の発射可能なタイミングを示し、中央のタイミング図は、第２のレーザチャンバモジュール５２の発射可能なタイミングを示す。２つのレーザからのビームを結合することで、最下部のタイミング図に示されるような、繰り返し率が２つのレーザのどちらかの２倍である有効繰り返し率を達成することができる。上述のように、複数のレーザのビームパスを結合するために、多数の構成のうちのどれか１つを使用することができる。
【0044】
[0050] ２つ（以上）のレーザチャンバモジュールの発射シーケンスは、様々なパターンのうちのどれか１つに設定することができる。例えばシーケンスは、チャンバがショットごとに発射を交互に行うように設定することができる。代替的にシーケンスは、第１のレーザチャンバモジュールが第１のショット数だけ発射し、次に第２のチャンバが第２のショット数だけ発射するように設定することができる。ここで第１の数と第２の数は等しいことも等しくないこともある。これらのシーケンスは、同じ波長の光又は異なる波長の光を発生させるレーザチャンバモジュールと共に採用することができる。また、２つの異なる波長で光を発生させるレーザチャンバモジュールは、実質的に異なる繰り返し率で発射が行われて、２つの波長ビームのそれぞれに異なるエネルギー含量を有するスペクトルを作成することができる。第２の放電率は、例えば第１の放電率の整数倍である場合があり、その結果、放電率の比は、例えば２：１である場合がある。第１の放電率と第２の放電率の関係はまた、３：２のような２つの整数の比である場合がある。
【0045】
[0051] 次に図５を参照すると、２つのレーザの発射のタイミング差Δｔは、０（光学部品が２倍の瞬間的な出力レベルに耐えられると仮定）を含む、又は２つのパルスが同時にではなく次々に（すなわち同じ露光中に）発生する程度に小さい任意の値に本質的に設定することができ、その結果、図に示されるように有効注入量が２倍になる。最上部のタイミング図は、第１のレーザチャンバモジュール５０の発射可能なタイミングを示し、中央のタイミング図は、第２のレーザチャンバモジュール５２の発射可能なタイミングを示す。したがって、２つのレーザからのビームを図に示されるように次々に発生させて、これを結合して、最下部のタイミング図に示されるような、注入量が２つのレーザのどちらかの２倍である有効注入量を得ることができる。
【0046】
[0052] ある実施形態の別の態様によれば、両チャンバは同時に動作されるが、エンドユーザがより低い出力を望む場合は、チャンバの一方又は他方のみを使用することができる。１つのチャンバ動作に使用するチャンバを交代させることで、チャンバの摩耗のバランスを取り、寿命を最大化することができる。
【0047】
[0053] 同時に発射する両レーザの出力がシステム光学系に損傷を与え得る状況がある場合があることに留意すべきである。このような状況では、同時発射を防止する制御回路を備えることが有益な場合がある。しかしながら、光学系に損傷を与えることなく間隔ごとにより高いドーズ量を得るために、そのようなレーザは次々に発射される可能性がある。
【0048】
[0054] ある実施形態の別の態様によれば、図３に示されるライン狭隘化モジュール５４及び５６の一方又は両方は、２つの波長、すなわち２色出力を生成するように構成することができる。波長は中心波長の周りのピーク分離である場合がある。ライン狭隘化モジュールの両方がこのように２つの波長を生成するように構成される場合、ピーク分離は同じであるか又は異なる場合がある。このような構成を使用して、最大４つの波長を生成することができる。
【0049】
[0055] 図６に示されているように、図３のライン狭隘化モジュール５４及び５６の一方又は両方としての機能を果たし得るライン狭隘化モジュール８０が、プリズムビームエキスパンダを共に構成するプリズム８２、８４、及び８６、アクチュエータ９２を備えたミラー９０、並びに格子９６を備えることがある。格子９６に入射するビームの角度はレーザの波長を決定する。したがって、この角度を調整することがレーザの波長調整をもたらす。プリズム（ディザー）、分割ミラー９０又は分割格子９６の作動によって、二重ピークスペクトルをライン狭隘化モジュール８０にパルスツーパルスで発生させることができる。
【0050】
[0056] 図７は、２つのライン狭隘化モジュールが２色出力用に構成されている場合の例示的な出力スペクトルを示している。ｘ軸は任意単位の波長であり、ｙ軸は任意単位の強度である。ピーク１００及び１０２は第１のレーザチャンバモジュール５０によって生成され、ピーク１１０及び１１２は第２のレーザチャンバモジュール５２によって生成される。この四波長スペクトルは、より厚いフォトレジストの露光に役立つ可能性があり、より高い電力要件を満たすことに対する代替手段（又は補完手段）としての機能を果たすことがある。
【0051】
[0057］ レーザの発射パターンは、最初の一方のレーザが発射し、次に他方、そして再び最初のレーザと続く、発射間隔が同じである「チクタク（tic-toc）」であるか、又は２つのレーザの発射間隔が、同じレーザの連続発射の間隔の半分未満である「スタッタ（stutter）」である可能性がある。
【0052】
[0058] 上述のように、第１のレーザチャンバモジュール５０からのビーム及び第２のレーザチャンバモジュール５２からのビームは、ビームコンバイナ６６によって結合されることがある。異なる波長を有する場合に、２つのビームを結合する別の方法は、ダイクロイックミラーを使用することである。ダイクロイックミラーは、１つの波長（ショートパス）が透過され、もう１つの波長が反射されるように機能する。同じ又は異なる波長を有する２つのレーザビームを結合するための別の技術は、ピックオフミラーの使用を伴う。２つのビームを結合するための別の構成は、ミラーの一部分に反射コーティング１３０を施したミラーを含む。一方のレーザビームは、反射コーティングから反射されることがある一方、他方はミラーのコーティングがない部分内を伝搬する。２つのビームを結合するためのさらなる別の構成は、一方のビームが使用方向に伝搬する一方、第２のビームが別の方向に伝搬する第１の位置にあるミラーにビームを衝突させ、次に第２のビームだけが使用方向に伝搬するように第２の位置に（例えば回転によって）ミラーを移動させることを含む。同じ効果は、ミラーを動かさず、ビームの一方又は両方の伝搬方向をディザリングすることによって得ることができる。
【0053】
[0059] 前述の説明は、２つのレーザチャンバについての具体的な例であるが、チャンバの１つ以上が複数の周波数を有するレーザ放射を発生させるように構成された、３つ以上のチャンバが使用され得ることが明白であろう。
【0054】
[0060] ２つのレーザチャンバを備え、共用の補助システムを備えた単一システムが、２つの完全なレーザシステムよりもコンパクトであり、６０Ｗ以下のＭＯＰＡレーザよりも動作費用が低く、単一のレーザで波長をディザリングすることによりもたらされ得るよりも精密な波長制御を行い、より良いドーズ量管理の可能性をもたらす高い繰り返し率を可能にすることがある。
【0055】
[0061] また、３つ以上のレーザチャンバモジュールが存在して使用される、又は使用できることがある。例えば、ＭＯＰＡ／ＭＯＰＡチャンバペアを、より高い繰り返し率又はパワーを提供するシステムに組み込むことができる。（同様に、二重「ＭＯＰＲＡ」チャンバペアを、パワー増幅器が利得媒体による何らかの光学再循環を含むシステムに組み込むことができる。ＭＯＰＡ／ＭＯＰＲＡペアも考えられる。）これらのチャンバは、それぞれの低い繰り返し率を個別に使用できるため、物理的にコンパクトに作ることができる。
【0056】
[0062] 請求の範囲の解釈には、概要及び要約部分ではなく、詳細な説明部分が用いられることが意図されていることを理解すべきである。概要及び要約部分は、本発明者らが考える本発明の１つ以上の例示的な実施形態を記載し得るが、それがすべてではなく、したがって、いかなる意味においても本発明及び添付の請求の範囲を限定することを意図していない。
【0057】
[0063] これまで、特定の機能の実施及びそれらの関係を示す機能的構成単位を用いて本発明を説明してきた。これらの機能的構成単位の境界は、説明の便宜上、本明細書において任意に定められたものである。かかる特定の機能及びそれらの関係が適切に実行される限り、別の境界を定めることが可能である。
【0058】
[0064] 特定の実施形態の以上の説明は、本発明の全般的性質を完全に明らかにしているため、当該分野の技術の範囲内の知識を適用することにより、他の者が、本発明の基本概念を逸脱することなく、過度の実験の必要なく容易に、かかる特定の実施形態を様々な用途に合わせて修正する及び／又は適合させることができるだろう。したがって、そのような適合及び修正は、本明細書に提示された教示及び手引きに基づき、開示された実施形態の均等物の意味及び範囲内であることが意図される。本明細書中の表現又は用語は、限定ではなく説明を目的とするものであり、本明細書の用語又は表現は、当業者により上記教示及び手引きに照らして解釈されるべきことを理解すべきである。
【0059】
[0065] 本発明の他の態様を以下の番号付けされた条項に記載する。
１．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、
第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置され、第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、を備えたガス放電レーザシステム。
２．第１のレーザチャンバモジュールが第１のエキシマレーザチャンバモジュールを含む、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
３．第１のエキシマレーザチャンバモジュールがＡｒＦレーザチャンバモジュールを含む、条項２に記載のガス放電レーザシステム。
４．第１のエキシマレーザチャンバモジュールがＫｒＦレーザチャンバモジュールを含む、条項２に記載のガス放電レーザシステム。
５．第２のレーザチャンバモジュールが第２のエキシマレーザチャンバモジュールを含む、条項１から４のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
６．第２のエキシマレーザチャンバモジュールがＡｒＦレーザチャンバモジュールである、条項５に記載のガス放電レーザシステム。
７．第２のエキシマレーザチャンバモジュールがＫｒＦレーザチャンバモジュールである、条項５に記載のガス放電レーザシステム。
８．第３のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第３のレーザチャンバモジュールをさらに備え、ビームコンバイナが、第３のビームを受光するように配置され、第３のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合された、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
９．第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
１０．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュールが第１の繰り返し率で放電し、第２のレーザチャンバモジュールが、第１の繰り返し率と実質的に同じかつ第１の繰り返し率の期間の半分だけ第１の繰り返し率に対してオフセットされた第２の繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１１．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールの第２のレーザチャンバモジュールに対する相対的な放電タイミングを制御するように適合され、第２のレーザチャンバモジュールが、第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１２．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１３．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電しないように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１４．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方に発射させる共通コマンドを発生させるように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１５．第１のレーザチャンバモジュールが、共通コマンドの後遅滞なく発射するように適合された、条項１４に記載のガス放電レーザシステム。
１６．第１のレーザチャンバモジュールが、共通コマンドの後遅れて発射するように適合された、条項１４に記載のガス放電レーザシステム。
１７．第２のレーザチャンバモジュールが、共通コマンドの後遅滞なく発射するように適合された、条項１４、１５及び１６のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
１８．第２のレーザチャンバモジュールが、共通コマンドの後遅れて発射するように適合された、条項１４、１５及び１６のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
１９．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュールに発射させる第１のコマンド及び第２のレーザチャンバモジュールに発射させる第２のコマンドを発生させるように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
２０．第１のレーザチャンバモジュールが、第１のコマンドの後遅滞なく発射するように適合された、条項１９に記載のガス放電レーザシステム。
２１．第１のレーザチャンバモジュールが、第１のコマンドの後遅れて発射するように適合された、条項１９に記載のガス放電レーザシステム。
２２．第２のレーザチャンバモジュールが、第２のコマンドの後遅滞なく発射するように適合された、条項１９、２０及び２１のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
２３．第２のレーザチャンバモジュールが、コマンドの後遅れて発射するように適合された、条項１９、２０及び２１のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
２４．第１のレーザチャンバモジュールを第１の繰り返し率で発射させ、第２のレーザチャンバモジュールを第１の繰り返し率と異なる第２の繰り返し率で発射させる、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
２５．第１の繰り返し率の第２の繰り返し率に対する放電率比が２つの整数の比である、条項２４に記載のガス放電レーザシステム。
２６．２つの整数の比が２：１である、条項２５に記載のガス放電レーザ。
２７．２つの整数の比が３：２である、条項２５に記載のガス放電レーザ。
２８．第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方を制御するように適合された制御システムをさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
２９．第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方にガスを供給するように適合されたガス供給システムをさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
３０．第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームのパラメータを測定するように配置された第１のレーザチャンバメトロロジユニットをさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
３１．第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームのパラメータを測定するように配置された第２のレーザチャンバメトロロジユニットをさらに備えた、条項１又は３０に記載のガス放電レーザシステム。
３２．第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームと、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームとの結合体のパラメータを測定するように配置された結合ビームメトロロジユニットをさらに備えた、条項１、３０又は３１のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
３３．第１のレーザチャンバメトロロジユニットからの出力を受けるように配置され、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの波長を、第１のレーザチャンバメトロロジユニットの出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えた、条項３０に記載のガス放電レーザシステム。
３４．第２のレーザチャンバメトロロジユニットからの出力を受けるように配置され、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの波長を、第２のレーザチャンバメトロロジユニットの出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えた、条項３０又は３３に記載のガス放電レーザシステム。
３５．結合ビームメトロロジユニットの出力を受けるように配置され、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームと第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの結合体のスペクトルを、結合ビームメトロロジユニットの出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えた、条項３２に記載のガス放電レーザシステム。
３６．第１のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第１のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュールをさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
３７．第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールをさらに備えた、条項３６に記載のガス放電レーザシステム。
３８．第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールと、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールに接続され、第１の帯域幅が第２の帯域幅と実質的に同じになるように、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを制御するように適合された制御ユニットとをさらに備えた、条項３６に記載のガス放電レーザシステム。
３９．第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールと、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールに接続され、第１の帯域幅が第２の帯域幅と異なるように、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを制御するように適合された制御ユニットとをさらに備えた、条項３６に記載のガス放電レーザシステム。
４０．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、
第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置され、第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、
第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置されたスキャナとを備え、スキャナが、第１及び第２の波長を調整するための指示を提供するように構成されたリソグラフィ装置。
４１．第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、条項４０に記載のリソグラフィ装置。
４２．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが、実質的に同じ繰り返し率かつ互いに１８０度異なる位相で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項４１に記載のリソグラフィ装置。
４３．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合され、第２のレーザチャンバモジュールが、第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、条項４１に記載のリソグラフィ装置。
４４．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項４１に記載のリソグラフィ装置。
４５．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電しないように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項４１に記載のリソグラフィ装置。
４６．第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方を制御するように適合された制御システムをさらに備えた、条項４０に記載のリソグラフィ装置。
４７．第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方にガスを供給するように適合されたガス供給システムをさらに備えた、条項４０に記載のリソグラフィ装置。
４８．リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、方法が、
スキャナから１つ以上の目標波長の指示を受け取るステップと、
指示に応じて、第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
指示に応じて、第２のレーザチャンバモジュールを使用して、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるステップと、
第１のビーム及び第２のビームをスキャナで使用して、単一パスで第１の波長での放射及び第２の波長での放射に基板を露光するステップと、を含む方法。
４９．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップをさらに含む、条項４８に記載の方法。
５０．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを、実質的に同じ繰り返し率かつ互いに１８０度異なる位相で発生させることを含む、条項４９に記載の方法。
５１．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同じ繰り返し率で発生させ、第２のビームを第１のビームを発生させた実質的に直後に発生させることを含む、条項４９に記載の方法。
５２．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含む、条項４９に記載の方法。
５３．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含む、条項４９に記載の方法。
５４．リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、方法が、
第１のパルス数を得るために第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、パルスを出力ビームパスに沿って基板に伝搬させるステップと、
第２のパルス数を得るために第２のレーザチャンバモジュールを使用して第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させ、パルスを出力ビームパスに沿って基板に伝搬させるステップと、を含む方法。
５５．第１の波長が実質的に第２の波長と同じである、条項５４に記載の方法。
５６．第１の波長が第２の波長と異なる、条項５４に記載の方法。
５７．第１のパルス数が第２のパルス数と同じである、条項５４から５６のいずれか一項に記載の方法。
５８．第１のパルス数が第２のパルス数と異なる、条項５４から５６のいずれか一項に記載の方法。
５９．第１のビームが第１のパルスエネルギーを有し、第２のビームが第１のパルスエネルギーと異なる第２のパルスエネルギーを有する、条項５４から５８のいずれか一項に記載の方法。
６０．第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を狭めるステップをさらに含む、条項５４から５９のいずれか一項に記載の方法。
６１．第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を狭めるステップをさらに含む、条項５４から５９のいずれか一項に記載の方法。
６２．第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を第１の量だけ狭め、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を第１の量と異なる第２の量だけ狭めるステップをさらに含む、条項５４に記載の方法。
６３．コマンド信号を発生させるステップをさらに含み、第１のレーザ放射ビームを発生させるステップ及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップが、コマンド信号に応じて実行される、条項５４に記載の方法。
６４．第１のコマンド信号を発生させるステップ及び第２のコマンド信号を発生させるステップをさらに含み、第１のレーザ放射ビームを発生させるステップが第１のコマンド信号及び第２のコマンド信号を発生させるステップに応じて実行され、第２のレーザ放射ビームを発生させるステップが第２のコマンド信号に応じて実行される、条項５４に記載の方法。
６５．第１の波長及び第１の波長と異なる第２の波長を有する第１のスペクトルを有する第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、
第１及び第２の波長と異なる第３の波長、並びに第１、第２、及び第３の波長と異なる第４の波長を有する第２のスペクトルを有する第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置され、第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、を備えたガス放電レーザシステム。
６６．第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、条項６５に記載のガス放電レーザシステム。
６７．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュールが第１の繰り返し率で放電し、第２のレーザチャンバモジュールが、第１の繰り返し率と実質的に同じかつ第１の繰り返し率の期間の半分だけ第１の繰り返し率に対してオフセットされた第２の繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項６６に記載のガス放電レーザシステム。
６８．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合され、第２のレーザチャンバモジュールが、第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、条項６６に記載のガス放電レーザシステム。
６９．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項６６に記載のガス放電レーザシステム。
７０．第１のレーザチャンバモジュールが、第１のレーザチャンバモジュールに第１のスペクトルを有する第１のレーザ放射ビームを発生させるように構成された第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを含む、条項６５に記載のガス放電レーザシステム。
７１．第２のレーザチャンバモジュールが、第２のレーザチャンバモジュールに第２のスペクトルを有する第２のレーザ放射ビームを発生させるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを含む、条項７０に記載のガス放電レーザシステム。
７２．リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、方法が、
第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長及び第２の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
第３の波長及び第４の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるステップと、
第１のビーム及び第２のビームをスキャナで使用して、単一パスで第１の波長での放射及び第２の波長での放射に基板を露光するステップとを含み、
第１、第２、第３、及び第４の波長が互いに異なる方法。
７３．第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップをさらに含む、条項７２に記載の方法。
７４．第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを、実質的に同じ繰り返し率かつ互いに１８０度異なる位相で発生させることを含む、条項７３に記載の方法。
７５．第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同じ繰り返し率で発生させ、第２のビームを第１のビームを発生させた実質的に直後に発生させることを含む、条項７３に記載の方法。
７６．第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含む、条項７３に記載の方法。
１．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、
第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置され、第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、を備えたガス放電レーザシステム。
２．第１のレーザチャンバモジュールが第１のエキシマレーザチャンバモジュールを含む、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
３．第１のエキシマレーザチャンバモジュールがＡｒＦレーザチャンバモジュールを含む、条項２に記載のガス放電レーザシステム。
４．第１のエキシマレーザチャンバモジュールがＫｒＦレーザチャンバモジュールを含む、条項２に記載のガス放電レーザシステム。
５．第２のレーザチャンバモジュールが第２のエキシマレーザチャンバモジュールを含む、条項１から４のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
６．第２のエキシマレーザチャンバモジュールがＡｒＦレーザチャンバモジュールである、条項５に記載のガス放電レーザシステム。
７．第２のエキシマレーザチャンバモジュールがＫｒＦレーザチャンバモジュールである、条項５に記載のガス放電レーザシステム。
８．第３のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第３のレーザチャンバモジュールをさらに備え、ビームコンバイナが、第３のビームを受光するように配置され、第３のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合された、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
９．第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
１０．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュールが第１の繰り返し率で放電し、第２のレーザチャンバモジュールが、第１の繰り返し率と実質的に同じかつ第１の繰り返し率の期間の半分だけ第１の繰り返し率に対してオフセットされた第２の繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１１．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールの第２のレーザチャンバモジュールに対する相対的な放電タイミングを制御するように適合され、第２のレーザチャンバモジュールが、第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１２．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１３．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電しないように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１４．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方に発射させる共通コマンドを発生させるように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
１５．第１のレーザチャンバモジュールが、共通コマンドの後遅滞なく発射するように適合された、条項１４に記載のガス放電レーザシステム。
１６．第１のレーザチャンバモジュールが、共通コマンドの後遅れて発射するように適合された、条項１４に記載のガス放電レーザシステム。
１７．第２のレーザチャンバモジュールが、共通コマンドの後遅滞なく発射するように適合された、条項１４、１５及び１６のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
１８．第２のレーザチャンバモジュールが、共通コマンドの後遅れて発射するように適合された、条項１４、１５及び１６のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
１９．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュールに発射させる第１のコマンド及び第２のレーザチャンバモジュールに発射させる第２のコマンドを発生させるように適合された、条項９に記載のガス放電レーザシステム。
２０．第１のレーザチャンバモジュールが、第１のコマンドの後遅滞なく発射するように適合された、条項１９に記載のガス放電レーザシステム。
２１．第１のレーザチャンバモジュールが、第１のコマンドの後遅れて発射するように適合された、条項１９に記載のガス放電レーザシステム。
２２．第２のレーザチャンバモジュールが、第２のコマンドの後遅滞なく発射するように適合された、条項１９、２０及び２１のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
２３．第２のレーザチャンバモジュールが、コマンドの後遅れて発射するように適合された、条項１９、２０及び２１のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
２４．第１のレーザチャンバモジュールを第１の繰り返し率で発射させ、第２のレーザチャンバモジュールを第１の繰り返し率と異なる第２の繰り返し率で発射させる、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
２５．第１の繰り返し率の第２の繰り返し率に対する放電率比が２つの整数の比である、条項２４に記載のガス放電レーザシステム。
２６．２つの整数の比が２：１である、条項２５に記載のガス放電レーザ。
２７．２つの整数の比が３：２である、条項２５に記載のガス放電レーザ。
２８．第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方を制御するように適合された制御システムをさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
２９．第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方にガスを供給するように適合されたガス供給システムをさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
３０．第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームのパラメータを測定するように配置された第１のレーザチャンバメトロロジユニットをさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
３１．第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームのパラメータを測定するように配置された第２のレーザチャンバメトロロジユニットをさらに備えた、条項１又は３０に記載のガス放電レーザシステム。
３２．第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームと、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームとの結合体のパラメータを測定するように配置された結合ビームメトロロジユニットをさらに備えた、条項１、３０又は３１のいずれか一項に記載のガス放電レーザシステム。
３３．第１のレーザチャンバメトロロジユニットからの出力を受けるように配置され、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの波長を、第１のレーザチャンバメトロロジユニットの出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えた、条項３０に記載のガス放電レーザシステム。
３４．第２のレーザチャンバメトロロジユニットからの出力を受けるように配置され、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの波長を、第２のレーザチャンバメトロロジユニットの出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えた、条項３０又は３３に記載のガス放電レーザシステム。
３５．結合ビームメトロロジユニットの出力を受けるように配置され、第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームと第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの結合体のスペクトルを、結合ビームメトロロジユニットの出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えた、条項３２に記載のガス放電レーザシステム。
３６．第１のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第１のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュールをさらに備えた、条項１に記載のガス放電レーザシステム。
３７．第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールをさらに備えた、条項３６に記載のガス放電レーザシステム。
３８．第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールと、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールに接続され、第１の帯域幅が第２の帯域幅と実質的に同じになるように、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを制御するように適合された制御ユニットとをさらに備えた、条項３６に記載のガス放電レーザシステム。
３９．第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールと、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールに接続され、第１の帯域幅が第２の帯域幅と異なるように、第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを制御するように適合された制御ユニットとをさらに備えた、条項３６に記載のガス放電レーザシステム。
４０．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、
第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置され、第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、
第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置されたスキャナとを備え、スキャナが、第１及び第２の波長を調整するための指示を提供するように構成されたリソグラフィ装置。
４１．第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、条項４０に記載のリソグラフィ装置。
４２．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが、実質的に同じ繰り返し率かつ互いに１８０度異なる位相で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項４１に記載のリソグラフィ装置。
４３．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合され、第２のレーザチャンバモジュールが、第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、条項４１に記載のリソグラフィ装置。
４４．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項４１に記載のリソグラフィ装置。
４５．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電しないように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項４１に記載のリソグラフィ装置。
４６．第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方を制御するように適合された制御システムをさらに備えた、条項４０に記載のリソグラフィ装置。
４７．第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールの両方にガスを供給するように適合されたガス供給システムをさらに備えた、条項４０に記載のリソグラフィ装置。
４８．リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、方法が、
スキャナから１つ以上の目標波長の指示を受け取るステップと、
指示に応じて、第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
指示に応じて、第２のレーザチャンバモジュールを使用して、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるステップと、
第１のビーム及び第２のビームをスキャナで使用して、単一パスで第１の波長での放射及び第２の波長での放射に基板を露光するステップと、を含む方法。
４９．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップをさらに含む、条項４８に記載の方法。
５０．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを、実質的に同じ繰り返し率かつ互いに１８０度異なる位相で発生させることを含む、条項４９に記載の方法。
５１．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同じ繰り返し率で発生させ、第２のビームを第１のビームを発生させた実質的に直後に発生させることを含む、条項４９に記載の方法。
５２．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含む、条項４９に記載の方法。
５３．第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含む、条項４９に記載の方法。
５４．リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、方法が、
第１のパルス数を得るために第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、パルスを出力ビームパスに沿って基板に伝搬させるステップと、
第２のパルス数を得るために第２のレーザチャンバモジュールを使用して第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させ、パルスを出力ビームパスに沿って基板に伝搬させるステップと、を含む方法。
５５．第１の波長が実質的に第２の波長と同じである、条項５４に記載の方法。
５６．第１の波長が第２の波長と異なる、条項５４に記載の方法。
５７．第１のパルス数が第２のパルス数と同じである、条項５４から５６のいずれか一項に記載の方法。
５８．第１のパルス数が第２のパルス数と異なる、条項５４から５６のいずれか一項に記載の方法。
５９．第１のビームが第１のパルスエネルギーを有し、第２のビームが第１のパルスエネルギーと異なる第２のパルスエネルギーを有する、条項５４から５８のいずれか一項に記載の方法。
６０．第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を狭めるステップをさらに含む、条項５４から５９のいずれか一項に記載の方法。
６１．第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を狭めるステップをさらに含む、条項５４から５９のいずれか一項に記載の方法。
６２．第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を第１の量だけ狭め、第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を第１の量と異なる第２の量だけ狭めるステップをさらに含む、条項５４に記載の方法。
６３．コマンド信号を発生させるステップをさらに含み、第１のレーザ放射ビームを発生させるステップ及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップが、コマンド信号に応じて実行される、条項５４に記載の方法。
６４．第１のコマンド信号を発生させるステップ及び第２のコマンド信号を発生させるステップをさらに含み、第１のレーザ放射ビームを発生させるステップが第１のコマンド信号及び第２のコマンド信号を発生させるステップに応じて実行され、第２のレーザ放射ビームを発生させるステップが第２のコマンド信号に応じて実行される、条項５４に記載の方法。
６５．第１の波長及び第１の波長と異なる第２の波長を有する第１のスペクトルを有する第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、
第１及び第２の波長と異なる第３の波長、並びに第１、第２、及び第３の波長と異なる第４の波長を有する第２のスペクトルを有する第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
第１のビーム及び第２のビームを受光するように配置され、第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、を備えたガス放電レーザシステム。
６６．第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、条項６５に記載のガス放電レーザシステム。
６７．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュールが第１の繰り返し率で放電し、第２のレーザチャンバモジュールが、第１の繰り返し率と実質的に同じかつ第１の繰り返し率の期間の半分だけ第１の繰り返し率に対してオフセットされた第２の繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項６６に記載のガス放電レーザシステム。
６８．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合され、第２のレーザチャンバモジュールが、第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、条項６６に記載のガス放電レーザシステム。
６９．放電タイミング回路が、第１のレーザチャンバモジュール及び第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、第１のレーザチャンバモジュールと第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように適合された、条項６６に記載のガス放電レーザシステム。
７０．第１のレーザチャンバモジュールが、第１のレーザチャンバモジュールに第１のスペクトルを有する第１のレーザ放射ビームを発生させるように構成された第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを含む、条項６５に記載のガス放電レーザシステム。
７１．第２のレーザチャンバモジュールが、第２のレーザチャンバモジュールに第２のスペクトルを有する第２のレーザ放射ビームを発生させるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを含む、条項７０に記載のガス放電レーザシステム。
７２．リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、方法が、
第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長及び第２の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
第３の波長及び第４の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
第１のビーム及び第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるステップと、
第１のビーム及び第２のビームをスキャナで使用して、単一パスで第１の波長での放射及び第２の波長での放射に基板を露光するステップとを含み、
第１、第２、第３、及び第４の波長が互いに異なる方法。
７３．第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップをさらに含む、条項７２に記載の方法。
７４．第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを、実質的に同じ繰り返し率かつ互いに１８０度異なる位相で発生させることを含む、条項７３に記載の方法。
７５．第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同じ繰り返し率で発生させ、第２のビームを第１のビームを発生させた実質的に直後に発生させることを含む、条項７３に記載の方法。
７６．第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを発生させるステップの相対タイミングを制御するステップが、第１のレーザ放射ビーム及び第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることを含む、条項７３に記載の方法。
【0060】
[0066] さらに他の実施例も特許請求の範囲内にある。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【手続補正書】
【提出日】2022-01-07
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、前記第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを受光するように配置され、前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、を備えたガス放電レーザシステム。
【請求項2】
前記第１のレーザチャンバモジュールが第１のエキシマレーザチャンバモジュールを含む、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項3】
前記第１のエキシマレーザチャンバモジュールがＡｒＦレーザチャンバモジュールを含む、請求項２に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項4】
前記第１のエキシマレーザチャンバモジュールがＫｒＦレーザチャンバモジュールを含む、請求項２に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項5】
前記第２のレーザチャンバモジュールが第２のエキシマレーザチャンバモジュールを含む、請求項２に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項6】
前記第２のエキシマレーザチャンバモジュールがＡｒＦレーザチャンバモジュールである、請求項４に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項7】
前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項8】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュールが第１の繰り返し率で放電し、前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記第１の繰り返し率と実質的に同じかつ前記第１の繰り返し率の期間の半分だけ前記第１の繰り返し率に対してオフセットされた第２の繰り返し率で放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合された、請求項７に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項9】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合され、前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、請求項７に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項10】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合された、請求項７に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項11】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールの両方に発射させる共通コマンドを発生させるように適合され、前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記共通コマンドの後遅滞なく発射するように適合された、請求項７に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項12】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールの両方に発射させる共通コマンドを発生させるように適合され、前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記共通コマンドの後遅れて発射するように適合された、請求項７に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項13】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュールに発射させる第１のコマンド及び前記第２のレーザチャンバモジュールに発射させる第２のコマンドを発生させるように適合され、前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記第１のコマンドの後遅滞なく発射するように適合された、請求項７に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項14】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュールに発射させる第１のコマンド及び前記第２のレーザチャンバモジュールに発射させる第２のコマンドを発生させるように適合され、前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記第１のコマンドの後遅れて発射するように適合された、請求項７に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項15】
前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記第２のコマンドの後遅れて発射するように適合された、請求項１３に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項16】
前記第１のレーザチャンバモジュールに第１の繰り返し率で発射させ、前記第２のレーザチャンバモジュールに前記第１の繰り返し率と異なる第２の繰り返し率で発射させる、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項17】
前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールの両方にガスを供給するように適合されたガス供給システムをさらに備えた、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項18】
前記第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームと、前記第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームとの結合体のパラメータを測定するように配置された結合ビームメトロロジユニットをさらに備えた、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項19】
前記結合ビームメトロロジユニットの出力を受けるように配置され、前記第１のレーザチャンバモジュールが発生させた前記光ビームと前記第２のレーザチャンバモジュールが発生させた前記光ビームとの結合体のスペクトルを、前記結合ビームメトロロジユニットの前記出力に少なくとも部分的に基づいて制御するように構成された制御ユニットをさらに備えた、請求項１８に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項20】
前記第１のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、前記第１のレーザチャンバモジュールからの前記光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュールをさらに備えた、請求項１に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項21】
前記第２のレーザチャンバモジュールからの光ビームを受光するように配置され、前記第２のレーザチャンバモジュールからの前記光ビームの帯域幅を狭めるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールと、前記第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び前記第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールに接続され、前記第１の帯域幅が前記第２の帯域幅と異なるように、前記第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュール及び前記第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを制御するように適合された制御ユニットとをさらに備えた、請求項２０に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項22】
第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、前記第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを受光するように配置され、前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを受光するように配置されたスキャナとを備え、前記スキャナが、前記第１及び第２の波長を調整するための指示を提供するように構成されたリソグラフィ装置。
【請求項23】
前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、請求項２２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項24】
リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、前記方法が、スキャナから１つ以上の目標波長の指示を受け取るステップと、
前記指示に応じて、第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
前記指示に応じて、第２のレーザチャンバモジュールを使用して、前記第１の波長と異なる第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるステップと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを前記スキャナで使用して、単一パスで前記第１の波長での放射及び前記第２の波長での放射に前記基板を露光するステップと、を含む方法。
【請求項25】
前記第１の波長で前記第１のレーザ放射ビームを発生させ、前記第１の波長と異なる前記第２の波長で前記第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップの相対タイミングを制御するステップをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項26】
前記第１の波長で前記第１のレーザ放射ビームを発生させ、前記第１の波長と異なる前記第２の波長で前記第２のレーザ放射ビームを発生させる前記ステップの相対タイミングを制御する前記ステップが、前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームを実質的に同じ繰り返し率で発生させ、前記第２のビームを前記第１のビームを発生させた実質的に直後に発生させることを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項27】
リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、前記方法が、第１のパルス数を得るために第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させ、前記パルスを出力ビームパスに沿って前記基板に伝搬させるステップと、
第２のパルス数を得るために第２のレーザチャンバモジュールを使用して第２の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させ、前記パルスを前記出力ビームパスに沿って前記基板に伝搬させるステップと、を含む方法。
【請求項28】
前記第１の波長が実質的に前記第２の波長と同じである、請求項２７に記載の方法。
【請求項29】
前記第１の波長が前記第２の波長と異なる、請求項２７に記載の方法。
【請求項30】
前記第１のビームが第１のパルスエネルギーを有し、前記第２のビームが前記第１のパルスエネルギーと異なる第２のパルスエネルギーを有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項31】
前記第１のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を第１の量だけ狭め、前記第２のレーザチャンバモジュールが発生させた光ビームの帯域幅を前記第１の量と異なる第２の量だけ狭めるステップをさらに含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項32】
第１の波長及び前記第１の波長と異なる第２の波長を有する第１のスペクトルを有する第１のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第１のレーザチャンバモジュールと、前記第１及び第２の波長と異なる第３の波長、並びに前記第１、第２、及び第３の波長と異なる第４の波長を有する第２のスペクトルを有する第２のレーザ放射ビームを発生させるように適合された第２のレーザチャンバモジュールと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを受光するように配置され、前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるように適合されたビームコンバイナと、を備えたガス放電レーザシステム。
【請求項33】
前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの相対的な放電タイミングを制御するように配置された放電タイミング回路をさらに備えた、請求項３２に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項34】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同じ繰り返し率で放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合され、前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記第１のレーザチャンバモジュールが放電を終えた実質的に直後に放電する、請求項３３に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項35】
前記放電タイミング回路が、前記第１のレーザチャンバモジュール及び前記第２のレーザチャンバモジュールが実質的に同時に放電するように、前記第１のレーザチャンバモジュールと前記第２のレーザチャンバモジュールとの前記相対的な放電タイミングを制御するように適合された、請求項３３に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項36】
前記第１のレーザチャンバモジュールが、前記第１のレーザチャンバモジュールに前記第１のスペクトルを有する前記第１のレーザ放射ビームを発生させるように構成された第１のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを含み、前記第２のレーザチャンバモジュールが、前記第２のレーザチャンバモジュールに前記第２のスペクトルを有する前記第２のレーザ放射ビームを発生させるように構成された第２のレーザチャンバライン狭隘化モジュールを含む、請求項３３に記載のガス放電レーザシステム。
【請求項37】
リソグラフィ装置において基板を露光する方法であって、前記方法が、第１のレーザチャンバモジュールを使用して第１の波長及び第２の波長で第１のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
第３の波長及び第４の波長で第２のレーザ放射ビームを発生させるステップと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームを共通の出力ビームパスに沿って伝搬させるステップと、
前記第１のビーム及び前記第２のビームをスキャナで使用して、単一パスで前記第１の波長での放射及び前記第２の波長での放射に前記基板を露光するステップとを含み、
前記第１、第２、第３、及び第４の波長が互いに異なる方法。
【請求項38】
前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームを実質的に同時に発生させることによって、前記第１のレーザ放射ビーム及び前記第２のレーザ放射ビームの相対タイミングを制御するステップをさらに含む、請求項３７に記載の方法。【国際調査報告】