特表 2022-545263 化学機械研磨補正ツール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2022-10-26

(54)【発明の名称】化学機械研磨補正ツール

(51)【国際特許分類】

   B24B 41/06 20120101AFI20221019BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20221019BHJP

   B24B 7/08 20060101ALI20221019BHJP

【ＦＩ】

B24B41/06 L

H01L21/304 622Y

H01L21/304 622K

H01L21/304 622G

H01L21/304 622M

H01L21/304 622E

H01L21/304 622F

B24B7/08

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022511252

(86)(22)【出願日】2020-08-25

(85)【翻訳文提出日】2022-04-14

(86)【国際出願番号】 US2020047801

(87)【国際公開番号】W WO2021041413

(87)【国際公開日】2021-03-04

(31)【優先権主張番号】62/892,334

(32)【優先日】2019-08-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】グルサミー， ジェイ

(72)【発明者】

【氏名】ズニガ， スティーブン エム．

【テーマコード（参考）】

3C034

3C043

5F057

【Ｆターム（参考）】

3C034BB75

3C043BA05

3C043BA13

3C043BA15

3C043BA16

3C043CC04

3C043DD02

3C043DD05

5F057AA02

5F057AA23

5F057AA31

5F057BA11

5F057CA11

5F057CA21

5F057DA03

5F057DA08

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5F057FA17

5F057FA19

5F057FA20

5F057FA32

5F057FA39

5F057FA42

5F057GA02

5F057GA27

5F057GB02

5F057GB03

5F057GB13

5F057GB15

5F057GB20

(57)【要約】

化学機械研磨タッチアップツールは、基板を支持するように構成されたペデスタルと、ペデスタル上で基板を中央配置するように構成された複数の顎部と、ペデスタル上にある基板の裏側の環状領域に圧力を加える荷重リングと、基板の裏側の環状領域と位置合わせされた基板の表側の環状領域に研磨材料を接触させる研磨リングと、研磨リングを回転させて研磨リングと基板との間の相対運動をもたらす研磨リングアクチュエータと、を含む。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を支持するように構成されたペデスタルと、
前記ペデスタル上で前記基板を中央配置するように構成された複数の顎部と、
前記ペデスタル上にある前記基板の裏側の環状領域に圧力を加える荷重リングと、
前記基板の前記裏側の前記環状領域と位置合わせされた前記基板の表側の環状領域に研磨材料を接触させる研磨リングと、
前記研磨リングを回転させて前記研磨リングと前記基板との間の相対運動をもたらす研磨リングアクチュエータと
を備える、化学機械研磨タッチアップツール。

【請求項2】

前記ペデスタル上で前記基板を中央配置するため、前記顎部のうち１つまたは複数を移動させる顎部アクチュエータを更に備える、請求項１に記載のツール。

【請求項3】

前記複数の顎部が４から１２個の顎部を含む、請求項１に記載のツール。

【請求項4】

前記研磨リングの回転軸が前記荷重リングおよび前記基板と同軸である、請求項１に記載のツール。

【請求項5】

前記荷重リングの幅が前記研磨リングの幅よりも幅広である、請求項１に記載のツール。

【請求項6】

スラリチャネルおよびスラリディスペンサを更に備える、請求項１に記載のツール。

【請求項7】

前記荷重リングが前記基板を保持するチャックを提供する、請求項１に記載のツール。

【請求項8】

前記研磨リング上の前記研磨材料を研削する、前記複数の顎部に接続されたコンディショナパッドを更に備える、請求項１に記載のツール。

【請求項9】

基板を支持するように構成されたペデスタルと、
前記ペデスタル上にある前記基板の裏側の環状領域における複数の角度位置に配設されたゾーンに独立制御可能な圧力を加える、複数の独立して垂直方向に移動可能なセグメントを含む非対称補正リングと、
前記基板の前記裏側の前記環状領域と位置合わせされた前記基板の表側の環状領域に研磨材料を接触させる研磨リングと、
前記研磨リングを回転させて前記研磨リングと前記基板との間の相対運動をもたらす研磨リングアクチュエータと
を備える、化学機械研磨タッチアップツール。

【請求項10】

前記非対称補正リングが、４から１２個の独立して垂直方向に移動可能なセグメントを含む、請求項９に記載のツール。

【請求項11】

前記非対称補正リングが、前記複数の独立して垂直方向に移動可能なセグメントに対応する、複数の独立して加圧可能なゾーンチャンバを含む、請求項９に記載のツール。

【請求項12】

前記研磨リングがセグメント化された研磨リングである、請求項９に記載のツール。

【請求項13】

前記研磨リングの回転軸が前記非対称補正リングおよび前記基板と同軸である、請求項９に記載のツール。

【請求項14】

前記非対称補正リングが前記基板を保持するチャックを提供する、請求項９に記載のツール。

【請求項15】

基板をペデスタル上で支持することと、
前記基板の表側を研磨リングと係合させることと、
前記基板の裏側を非対称補正リングと係合させることと、
前記基板の前記裏側を前記非対称補正リングに対して保持することと、
前記基板の前記表側を前記研磨リングで研磨することと
を含む、化学機械研磨タッチアップの方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、化学機械研磨（ＣＭＰ）で使用する研磨ツールに関する。

【背景技術】

【0002】

集積回路は、一般的に、導電層、半導電層、または絶縁層を半導体ウエハ上に逐次堆積させることによって、基板上に形成される。様々な製造プロセスでは、基板上の層を平坦化する必要がある。例えば、ある製造ステップは、充填層を非平坦面の上に堆積させ、充填層を平坦化することを伴う。特定の用途の場合、充填層は、パターニングされた層の上面が露出するまで平坦化される。例えば、金属層をパターニングされた絶縁層上に堆積させて、絶縁層のトレンチおよび孔を埋めることができる。平坦化後、パターニングされた層のトレンチおよび孔内にある金属の残りの部分は、基板上の薄膜回路間に導電路を提供するビア、プラグ、およびラインを形成する。別の例として、誘電層をパターニングされた導電層の上に堆積させ、次に平坦化して、後続のフォトリソグラフィステップを可能にすることができる。

【0003】

化学機械研磨（ＣＭＰ）は、１つの許容された平坦化方法である。この平坦化方法は、一般的に、基板をキャリアヘッド上に載置する必要がある。基板の露出面は、一般的に、回転する研磨パッドに接して配置される。キャリアヘッドは、制御可能な負荷を基板に与えて基板を研磨パッドに押し付ける。研削粒子を含む研磨スラリが、一般的に、研磨パッドの表面に供給される。

【発明の概要】

【0004】

一態様では、化学機械研磨タッチアップツールは、基板を支持するように構成されたペデスタルと、ペデスタル上で基板を中央配置するように構成された複数の顎部と、ペデスタル上にある基板の裏側の環状領域に圧力を加える荷重リングと、基板の裏側の環状領域と位置合わせされた基板の表側の環状領域に研磨材料を接触させる研磨リングと、研磨リングを回転させて研磨リングと基板との間の相対運動をもたらす研磨リングアクチュエータと、を含む。

【0005】

別の態様では、化学機械研磨タッチアップツールは、基板を支持するように構成されたペデスタルと、ペデスタル上にある基板の裏側の環状領域における複数の角度位置に配設されたゾーンに独立制御可能な圧力を加える、複数の独立して垂直方向に移動可能なセグメントを含む非対称補正リングと、基板の裏側の環状領域と位置合わせされた基板の表側の環状領域に研磨材料を接触させる研磨リングと、研磨リングを回転させて研磨リングと基板との間の相対運動をもたらす研磨リングアクチュエータと、を含む。

【0006】

別の態様では、化学機械研磨タッチアップの方法は、基板をペデスタル上で支持することと、基板の表側を研磨リングと係合させることと、基板の裏側を非対称補正リングと係合させることと、基板の裏側を非対称補正リングに対して保持することと、基板の表側を研磨リングで研磨することと、を含む。

【0007】

実現例は次のもののうち１つまたは複数を含んでもよい。

【0008】

セグメント化された研磨リングは４～１２個のセグメントを有してもよい。基板の裏側は非対称補正リングに吸着されてもよい。基板は動かないようにされてもよい。スラリは基板の表側上に分配されてもよい。研磨リングは、ペデスタル上で基板を中央配置するのに使用される顎部上の調整パッドを使用して調整されてもよい。

【0009】

上記の利点としては、以下の１つまたは複数を含み得るがそれらに限定されない。バルク研磨後の基板の１つまたは複数の領域の研磨不足を補正することができる。非対称の研磨も補正することができる。結論として、ウエハ内の均一性およびウエハ同士の均一性を改善することができる。

【0010】

１つまたは複数の実現例の詳細を、添付図面および以下の説明に示す。他の態様、特徴、および利点は、説明および図面から、また特許請求の範囲から明白となるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】研磨システムの概略断面図である。

【図2】研磨タッチアップツールの概略断面図である。

【図3】研磨タッチアップツールの概略断面図である。

【図4】研磨タッチアップツールの概略断面図である。

【図5】研磨タッチアップツールの概略断面図である。

【図6】研磨タッチアップツールの概略断面図である。

【図7】研磨タッチアップツールの概略断面図である。

【図8】非対称補正リングの概略下面図である。

【図9】非対称補正リングの概略斜視図である。

【図10】研磨タッチアップ動作のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

一部の研磨プロセスは、基板の表面にわたる厚さの不均一性をもたらす。例えば、バルク研磨プロセスは、基板上の研磨不足の領域をもたらす場合がある。この問題に対処するため、バルク研磨後、基板の研磨が不足していた部分に集中する「タッチアップ」研磨プロセスを実施することが可能である。

【0013】

バルク研磨プロセスでは、研磨は、潜在的には表面の異なる領域では異なる速度であるが、基板の表面全体にわたって行われる。バルク研磨プロセスの所与の瞬間には、基板の表面全体が研磨されているのではないことがある。例えば、研磨パッドに溝があることにより、基板表面のある部分が研磨パッドと接触していないことがある。いずれにしても、バルク研磨プロセスの過程にわたって、研磨パッドと基板との間の相対運動により、この部分は局所化されないので、基板の表面全体がある程度は研磨される。

【0014】

対照的に、「タッチアップ」研磨プロセスでは、研磨パッドは基板の表面全体に満たない部分に接触することができる。加えて、基板に対する研磨パッドの移動範囲は、タッチアップ研磨プロセスの過程にわたって、研磨パッドが基板の局所化された領域のみに接触し、基板の表面のかなりの部分（例えば、少なくとも５０％、少なくとも７５％、または少なくとも９０％）は研磨パッドに決して接触せず、したがって全く研磨されないような、移動範囲である。

【0015】

上述したように、一部のバルク研磨プロセスは不均一な研磨をもたらす。特に、一部のバルク研磨プロセスは、研磨が不足している局所化された非同心かつ不均一なスポットをもたらす。仮定として、研磨「タッチアップ」は、研磨不足の領域に亘って移動される非常に小さいパッドを使用して実施することができる。しかしながら、これはスループットが低いため、非実用的であり得る。

【0016】

局所的な不均一性に対処する１つの解決策は、基板の局所化された環状領域に圧力を加えることができる荷重リングを含む、別個の研磨「タッチアップ」ツールを使用するというものである。荷重リングの接触面積が大きいほど、より大きい研磨不足領域を同時に研磨することができ、スループットがより高くなる。特に、かかるリングは、環状の研磨不足領域が基板のエッジ付近にあるという共通の問題に対処することができる。

【0017】

局所的な非対称性に対処するため、荷重リングをセグメント化して、異なる圧力をリングの異なるセグメントに加えることができる。基板をペデスタル上で中央配置することができ、セグメント化された非対称補正リングは、基板の裏面に、角度的に非対称に圧力を加えることができる。加えて、研磨リングは、基板の表面に圧力を加え、表面に接して回転させて、基板を研磨することができる。研磨速度は非対称補正リングからの圧力に比例するので、不均一性を低減することができ、非対称性を補正することができる。

【0018】

図１は、バルク研磨装置１０４を含む研磨システム１００の一例を示している。研磨する基板１０は、バルク研磨用のバルク研磨装置１０４と、研磨の不均一性を補正する、例えばエッジを修正する、研磨タッチアップツール２００（図２～図７を参照）との間で移送することができる。例えば、基板は、研磨装置１０４における基板１０のバルク研磨と同時に、またはその後に研磨タッチアップツール２００に搬送することができる。基板１０の移送は、メカニズムを、例えば装填／取出しアセンブリまたはロボットアームを使用して、ステーション１０２と装置１０４との間で行うことができる。いくつかの実現例では、修正ステーション１０２はスタンドアロン型システムである。この場合、修正ステーション１０２は、バルク研磨装置１０４の近傍に、例えば同じ処理室内に配置することができる。

【0019】

研磨装置１０４は、１つまたは複数のキャリアヘッド１４０（１つのみ図示）を含む。各キャリアヘッド１４０は、研磨パッド１１０に接してウエハなどの基板１０を保持するように動作可能である。各キャリアヘッド１４０は、それぞれの基板と関連付けられた研磨パラメータ、例えば圧力の、独立制御を有することができる。各キャリアヘッド１４０は、研磨パッド１１０上であって可撓性膜１４４の下方の位置で基板１０を保持する保定リング１４２を含む。

【0020】

各キャリアヘッド１４０は、任意に、可撓性膜１４４上の、したがって基板１０上の関連するゾーンに独立制御可能な圧力を加えることができる、膜によって画成された複数の独立制御可能である加圧可能なチャンバを、例えば、３つのチャンバ１４６ａ～１４６ｃを含むことができる。

【0021】

各キャリアヘッド１４０は、支持構造１５０、例えばカルーセルまたはトラックから懸架され、キャリアヘッドが軸線１５５を中心にして回転できるように、駆動軸１５２によってキャリアヘッド回転モータ１５４に接続される。任意に、各キャリアヘッド１４０は、例えば、カルーセル１５０のスライダ上で、カルーセル自体の回転振動によって、またはキャリアヘッド１４０を支持するキャリッジのトラックに沿った移動によって、横方向に振動することができる。

【0022】

研磨装置１０４に含まれるプラテン１２０は、研磨パッド１１０が上に載置される、回転可能なディスク形状のプラテンである。プラテンは、軸線１２５を中心にして回転するように動作可能である。例えば、モータ１２１が駆動軸１２４を旋回させて、プラテン１２０を回転させることができる。研磨パッド１１０は、外側の研磨層１１２とより柔らかいバッキング層１１４とを有する、二層の研磨パッドであることができる。

【0023】

研磨装置１０４は、スラリなどの研磨液１３２を研磨パッド１１０上に分配するポート１３０を含むことができる。研磨装置はまた、研磨パッド１１０を研削して研磨パッド１１０を一貫した研削状態で維持する、研磨パッドコンディショナを含むことができる。

【0024】

動作の際、プラテンはその中心軸１２５を中心にして回転させられ、各キャリアヘッドは、その中心軸１５５を中心にして回転させられ、研磨パッドの上面を横切って横方向に並進させられる。

【0025】

１つのキャリアヘッド１４０のみが示されているが、研磨パッド１１０の表面積を効率的に使用することができるように、更なる基板を保持するのにより多数のキャリアヘッドを提供することができる。したがって、同時研磨プロセスのために基板を保持するように適合されたキャリアヘッドアセンブリの数は、少なくとも部分的に、研磨パッド１１０の表面積に基づくことができる。

【0026】

いくつかの実現例では、研磨装置は現場モニタリングシステム１６０を含む。現場モニタリングシステムは、研磨されている基板からの反射光のスペクトルを測定するのに使用することができる、光学モニタリングシステム、例えば分光モニタリングシステムであることができる。研磨パッドを通した光アクセスは、アパーチャ（即ち、パッドを貫通する孔）またはソリッドウィンドウ（solid window）１１８を含むことによって提供される。現場モニタリングシステムは、別の方法としてまたは加えて、渦電流モニタリングシステムを含むことができる。

【0027】

いくつかの実現例では、光学モニタリングシステム１６０は、２つの研磨装置の間に、または研磨装置と移送ステーションとの間に位置付けられたプローブ（図示なし）を有する、順次光学モニタリングシステムである。モニタリングシステム１６０は、研磨中、基板のゾーンの１つまたは複数の特徴を、継続的または周期的にモニタリングすることができる。例えば、１つの特徴は基板の各ゾーンの厚さである。

【0028】

現場または順次どちらかの実施形態では、光学モニタリングシステム１６０は、光源１６２と、光検出器１６４と、リモートコントローラ１９０、例えばコンピュータと光源１６２および光検出器１６４との間で信号を送信および受信する回路１６６と、を含むことができる。１つまたは複数の光ファイバー１７０を使用して、光源１６２からの光を研磨パッド内の光アクセスに伝達し、基板１０から反射した光を検出器１６４に伝達することができる。

【0029】

図２を参照すると、研磨タッチアップ、即ち研磨補正動作を実施するように構成された研磨タッチアップツール２００は、基部２１２上に載置されたペデスタル２１０を含む。ペデスタル２１０は、基板１０の表側１１を支持するように構成される。基板１０は、キャリアヘッド、例えばキャリアヘッド１４０を使用して、研磨タッチアップツール２００に装填することができる。基部２１２は、１つまたは複数のスラリディスペンサ２１６を備えた１つまたは複数のスラリチャネル２１４を含むことができる。

【0030】

研磨タッチアップツール２００はまた、基板１０に向かって径方向内向きに閉じるように構成された、複数（例えば、３つ以上）の顎部２２０を含む。これは、基板１０の中心を基準軸２５０と位置合わせするように作用する。各顎部２２０は別個の顎部アクチュエータ２２２によって駆動することができ、または共通のアクチュエータが全ての顎部２２２を駆動することができる。顎部アクチュエータ２２２は、例えば、モータ、油圧チャンバ、空気圧チャンバ、ねじ式ドライブ（screw thread drive）、または他の類似のアクチュエータであることができる。調整パッド２２４を顎部２２０に接続することができる。

【0031】

研磨タッチアップツール２００はまた、軸線２５０と同軸である研磨リング２３０を含む。研磨リング２３０は、複数の弧状セグメントを有する環状研磨リングであることができる。例えば、研磨リング２３０は、４～１２個のセグメントで構成することができる。研磨リングアクチュエータ２３２は、研磨リング２３０を移動させて基板１０の表側１１を係合するように構成することができる。

【0032】

研磨タッチアップツール２００はまた、荷重リング２４０を含む（図８も参照）。荷重リング２４０は、研磨リング２３０によって研磨される基板１０の表側１１の環状部分に対応する、基板１０の裏側１２の環状部分に接触するように構成された、環状リングであることができる。荷重リング２４０の幅は、研磨リング２３０の幅よりも幅広であることができる。荷重リング２３０も軸線２５０と同軸であることができる。

【0033】

荷重リング２４０は、基板１０の裏側１２を係合し掴むように構成されたチャック２４２を含むことができる。例えば、多数の真空チャネル２４６が、真空源２６０、例えばポンプ、制御弁を有する設備の真空ラインなどから、荷重リング２４０を通して、チャック２４２まで及ぶことができる。これにより、チャック２４２が基板１０を荷重リング２４０上で保持する（例えば、吸引マウント）することができる。

【0034】

いくつかの実現例では、荷重リング２４０は、基板１０の非対称性に対処するように構成された非対称補正リングである。図８～図９を参照すると、荷重リング２４０は、複数の弧状セグメント２４４を有するセグメント化された環状リングであることができる。各セグメント２４４に対する下向きの圧力を制御して、基板１０の表側１１の非対称性（例えば、その前の研磨動作によってもたらされる基板の非対称性）を補正することができる。４～１２個のセグメント２４４があり得る。荷重リング２４０の各セグメント２４４は、対応する個々に加圧可能なチャンバ２４８を有することができる。独立して加圧可能なゾーンチャンバ２４８は、チャネル２５２を使用して圧力源２６０に接続し、圧力源２６０を使用して加圧することができる。これにより、非対称補正リングを、基板１０上の複数の弧状ゾーンに異なる圧力を加えるように構成することができる。

【0035】

図３を参照すると、基板１０がペデスタル２１０上にロードされた後、複数の顎部２２０が基板１０のエッジを係合することができる。顎部２２０は、基板１０をペデスタル２１０上で中央配置するのに使用することができる。特に、顎部２２０は、径方向内向きに閉じて、基板１０が軸線２５０と同軸になる位置まで基板１０を押しやることができる。

【0036】

顎部アクチュエータ２２２は、顎部２２０が基板１０を係合することによる何らかの抵抗を受けるまで、顎部２２０を基板１０に対して内向きに閉じさせることができる。顎部アクチュエータ２２２は次に、顎部２２０を基板１０から係脱させ、例えば開かせて、顎部２２０と基板１０との間にある程度の遊びがあるようにすることができる。例えば、顎部アクチュエータ２２２は、顎部２２０が、顎部２２０と基板１０との間に、例えば０．１～３ｍｍの小さい遊びを残すようにすることができる。

【0037】

図４を参照すると、基板１０がペデスタル上で中央配置されると、基板１０の表側１１の環状領域を係合するように、研磨リング２３０が移動される。研磨リングアクチュエータ２３２は、研磨リング２３０の複数の弧状セグメント２４４を径方向で移動させ、研磨リング２３０に基板１０の表側１１の異なる部分を研磨させることができる（矢印Ａ）。このように、研磨リング２３０は、基板１０の表側１１の異なる部分を、例えば、エッジとエッジから５ｍｍの間の環状ゾーン、または基板のエッジから２０～５０ｍｍの間の環状ゾーンを、研磨することができる。

【0038】

研磨リングアクチュエータ２３２は、垂直方向で基板１０に向かってまたはそこから離れるように研磨リング２３０を移動させ、基板１０を上下させることができる。任意に、研磨リングアクチュエータ２３２は、研磨リング２３０のセグメントを内向きおよび外向きに移動させて、例えば、基板１０の異なる半径を研磨することができる。研磨リング２３０は、基板１０を係合し、次に基板１０をペデスタル２１０から持ち上げることができる。

【0039】

図５を参照すると、荷重リング２４０は、基板１０の裏側１２の環状領域を係合することができる。いくつかの実現例では、基板１０は、荷重リング２４０によって係合されたままペデスタル２１０上に載ることができる。いくつかの実現例では、基板１０を荷重リング２４０で掴ませ、荷重リング２１０の垂直移動によってペデスタル２１０から持ち上げることができる。いくつかの実現例では、基板１０を研磨リング２３０の垂直移動によってペデスタル２１０から持ち上げ、次に荷重リング２４０に係合させる（例えば、掴ませる）ことができる。

【0040】

荷重リングが基板１０を係合した後（例えば、チャック２４２が基板１０を荷重リング２４０に掴ませた後）、研磨リングアクチュエータ２３２は、研磨リング２３０を回転させ、基板１０の表側１１の一部分、例えばエッジを研磨させることができる。研磨リング２３０が回転する間、荷重リング２４０は静止しており、基板１０を静止したままにすることができる。スラリチャネル２１４（上述）は、このエッジ制御動作の間、スラリディスペンサ２１６を使用して、スラリを基板１０の表側１１に送達することができる。

【0041】

荷重リング２４０が非対称補正リングであると仮定して、荷重リング２４０の異なるセグメント２４４が、基板１０の裏側１２の環状領域における複数の角度位置に配設されたゾーンに異なる圧力を加えるように、チャンバ２４８を異なる圧力まで独立して加圧することができる。荷重リング２４０によって基板１０に加えられる圧力により、基板１０の表側１１の異なるゾーンを異なる速度で研磨させることができ、それによって研磨タッチアップツール２００が基板の非対称性を補正することができる。

【0042】

図６を参照すると、タッチアップ動作（例えば、補正またはエッジ制御動作）が実施された後、荷重リング２４０が基板１０から係脱して（例えば、基板１０の吸着を停止して）、基板１０が研磨リング２３０上に載る。顎部２２０も基板１０から離れることができる。研磨リング２３０上に載った基板１０を次に、例えばキャリアヘッド１４０を使用して、研磨タッチアップツール２００から持ち上げることができる。

【0043】

図７を参照すると、基板１０が研磨タッチアップツール２００から除去されると、顎部アクチュエータ２２２は、顎部２２０を研磨リング２３０の上方に位置付けることができる。具体的には、顎部２２０上に位置する調整パッド２２４を研磨リング２３０の上に位置付けることができる。研磨リングアクチュエータ２３２は、研磨リング２３０を調整パッド２２４に接触させることができ、その際、調整パッド２２４は、研磨リング２３０を研削して研磨リング２３０を一貫した研削状態で維持することができる。研磨リング２３０は、中心軸２５０を中心にして回転して、調整パッド２２４に研磨リング２３０を研削させることができる。

【0044】

図２～図７を参照すると、研磨タッチアップツール２００は、装置の様々な構成要素に、例えば、圧力源２６０、顎部アクチュエータ２２２、研磨リングアクチュエータ２３２、および荷重リング２４０の独立して加圧可能なゾーンチャンバに結合された、コントローラ１９０を含む。センサ２９５は、基板１０の表側１１における非対称性を検出するのに使用することができる。例えば、センサ２９５は、表側１１の異なる部分を測定する光学センサであることができる。センサ２９５は、測定値をコントローラ１９０に送信することができ、コントローラが次に、荷重リング２４０の独立して加圧可能なゾーンチャンバを加圧して、エッジ制御動作中に各ゾーン２４４が基板１０の裏側１２に加える圧力を調節することができる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【国際調査報告】