特表 2022-546219 ウェーハ接地のための方法、装置、及びシステム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2022-11-04

(54)【発明の名称】ウェーハ接地のための方法、装置、及びシステム

(51)【国際特許分類】

   H01J 37/20 20060101AFI20221027BHJP

   H01L 21/66 20060101ALI20221027BHJP

【ＦＩ】

H01J37/20 H

H01L21/66 J

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022507662

(86)(22)【出願日】2020-08-25

(85)【翻訳文提出日】2022-04-04

(86)【国際出願番号】 EP2020073704

(87)【国際公開番号】W WO2021037827

(87)【国際公開日】2021-03-04

(31)【優先権主張番号】62/893,135

(32)【優先日】2019-08-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】63/022,374

(32)【優先日】2020-05-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】63/068,839

(32)【優先日】2020-08-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．コンパクトフラッシュ

２．ＢＬＵＥＴＯＯＴＨ

(71)【出願人】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】ワン，イーシャン

(72)【発明者】

【氏名】リウ，シビン

(72)【発明者】

【氏名】カオ，シャンフイ

(72)【発明者】

【氏名】チュ，カンシェン

(72)【発明者】

【氏名】ドウ，ユーイン

(72)【発明者】

【氏名】ルオ，イン

(72)【発明者】

【氏名】リー，インロン

(72)【発明者】

【氏名】リー，チアン

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン デル ウィルク，ロナルド

(72)【発明者】

【氏名】ヴァン デル トールン，ヤン－ヘラルト，コルネリス

【テーマコード（参考）】

4M106

5C101

【Ｆターム（参考）】

4M106AA01

4M106BA02

4M106CA39

4M106DB05

4M106DJ02

5C101AA03

5C101FF02

5C101FF25

5C101HH11

(57)【要約】

ウェーハ接地及びウェーハ接地位置調整のためのシステム及び方法が開示される。第一方法が、接地されるウェーハに関連する電気的特性の第一値を電気信号で受信することと、少なくとも第一値を用いて第一制御パラメータを決定することと、第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することと、を含み得る。ウェーハの接地位置を調整するための第二方法が、ウェーハとウェーハに接触している少なくとも１つの接地ピンとの間の電気的接続を終了することと、ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整することと、接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復することと、を含み得る。第三方法が、衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることと、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することと、を含み得る。
【選択図】図１５Ｄ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

接地ピンと、
衝突によって前記ウェーハ上のコーティングを貫通するように前記接地ピンを制御することと、前記接地ピンと前記ウェーハとの間に電気的接続を確立することと、のための回路を有するコントローラと、
を備える、システム。

【請求項2】

前記ウェーハを支持するウェーハステージに結合されたアクチュエータを更に備える、請求項１に記載のシステム。

【請求項3】

前記アクチュエータが、前記接地ピンを作動させるように構成される、請求項２に記載のシステム。

【請求項4】

前記衝突によって前記接地ピンに前記ウェーハ上の前記コーティングを貫通させるための回路を有する前記コントローラが、前記衝突によって前記接地ピンに前記コーティングを貫通させるための回路であって、前記接地ピンが前記ウェーハと直接接触するか、又は前記接地ピンが前記コーティングを完全に貫通しない、回路を備える、請求項３に記載のシステム。

【請求項5】

衝突によって前記ウェーハ上の前記コーティングを貫通するように前記接地ピンを制御するための回路を有する前記コントローラが、前記ウェーハに向けて前記接地ピンを作動させるための回路を備える、請求項３に記載のシステム。

【請求項6】

前記ウェーハに向けて前記接地ピンを作動させるための回路を有する前記コントローラが、ある距離だけ前記ウェーハから離れるように前記接地ピンを移動させることと、前記ウェーハに向けて前記接地ピンを加速させることと、のための回路を備える、請求項５に記載のシステム。

【請求項7】

前記回路を有する前記コントローラが、更に、前記ウェーハのタイプ、前記ウェーハのコーティングのタイプ、又は前記コーティングの厚さのうちの少なくとも１つに基づいて、前記距離を決定することのためである、請求項６に記載のシステム。

【請求項8】

前記回路を有する前記コントローラが、更に、前記ウェーハから離れるように前記接地ピンを移動させる前に、前記ウェーハに接触するように前記接地ピンを制御することのためである、請求項６に記載のシステム。

【請求項9】

マスブロックであって、前記アクチュエータが前記マスブロックを作動させるように構成される、マスブロックを更に備える、請求項３に記載のシステム。

【請求項10】

衝突によって前記ウェーハ上の前記コーティングを貫通するように前記接地ピンを制御するための回路を有する前記コントローラが、前記ウェーハに向かう前記接地ピンに衝突するように前記マスブロックを作動させるための回路を備える、請求項９に記載のシステム。

【請求項11】

前記ウェーハに向かう前記接地ピンに衝突するように前記マスブロックを作動させるための回路を有する前記コントローラが、前記接地ピンに向けて前記マスブロックを作動させるための回路を備える、請求項１０に記載のシステム。

【請求項12】

前記接地ピンに向けて前記マスブロックを作動させるための回路を有する前記コントローラが、ある距離だけ前記接地ピンから離れるように前記マスブロックを移動することと、前記接地ピンに向けて前記マスブロックを加速させることと、のための回路を備える、請求項１１に記載のシステム。

【請求項13】

前記回路を有する前記コントローラが、更に、前記ウェーハのタイプ、前記ウェーハのコーティングのタイプ、又は前記コーティングの厚さのうちの少なくとも１つに基づいて、前記距離を決定することのためである、請求項１２に記載のシステム。

【請求項14】

前記回路を有する前記コントローラが、更に、前記接地ピンから離れるように前記マスブロックを移動させる前に、前記接地ピンに接触するように前記マスブロックを制御することのためである、請求項１２に記載のシステム。

【請求項15】

装置に方法を実行させるために、前記装置の少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令のセットを記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることと、
前記接地ピンと前記ウェーハとの間に電気的接続を確立することと、
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０１９年８月２８日に出願された米国特許出願第６２／８９３，１３５号、２０２０年５月８日に出願された米国特許出願第６３／０２２，３７４号、及び２０２０年８月２１日に出願された米国特許出願第６３／０６８，８３９号の優先権を主張するものであり、これらの米国特許出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

[0002] 本明細書の記載は、荷電粒子ビーム装置の分野に関し、より詳細には、半導体ウェーハ製造におけるウェーハ接地及びバイアシングに関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] 荷電粒子ビーム装置は、荷電粒子ビーム装置が発生させた荷電粒子ビームをウェーハ基板の表面に衝突させた際にウェーハ基板の表面から到来する二次電子、後方散乱電子、ミラー電子、又は他の種類の電子を検出することにより、ウェーハ基板の２次元画像を生成することができる。半導体産業では、ウェーハ処理（例えば、電子ビーム直接描画リソグラフィシステム）、プロセスモニタリング（例えば、クリティカルディメンジョン走査電子顕微鏡（critical dimension scanning electron microscope、ＣＤ－ＳＥＭ））、ウェーハ検査（例えば、電子ビーム検査システム）、欠陥解析（例えば、欠陥レビューＳＥＭ、略称ＤＲ－ＳＥＭ、及び集束イオンビームシステム、略称ＦＩＢ）など、様々な目的で様々な荷電粒子ビーム装置が半導体ウェーハに対して使用されている。このような装置が機能を果たすとき、より良いイメージングのために、ウェーハ基板の電位が、所定の値に保持されたり、バイアスされたりし得る。これを実現するために、過剰な電荷がウェーハ基板に供給されるプロセスであるウェーハ基板と荷電粒子ビームとの相互作用のプロセスにおいて、プログラム可能なＤＣ電圧源（例えば、ウェーハバイアス供給源）に対象のウェーハ基板を電気的に接続する、より具体的には、抵抗接続する。このプロセスは、ウェーハバイアシングと呼ばれ得る。

【0004】

[0004] ウェーハバイアシングにおいては、従来、ウェーハバイアス供給源からウェーハ基板への電気的な接触は、ウェーハの表面は電気接点を配置するのに不適切であるため、ウェーハ基板の裏面に押し当てた１つ又は複数の電気接点を使用して、ウェーハ基板の裏面において行われる。

【発明の概要】

【0005】

[0005] 本開示の実施形態は、ウェーハ接地のためのシステム及び方法を提供する。いくつかの実施形態では、ウェーハを接地するための方法が、接地されるウェーハに関連する電気的特性の第一値を電気信号で受信することを含み得る。本方法はまた、少なくとも第一値を用いて第一制御パラメータを決定することを含み得る。本方法は、第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することを更に含み得る。

【0006】

[0006] いくつかの実施形態では、ウェーハを接地するためのシステムが開示される。本システムは、接地されるウェーハに関連する電気的特性の第一値を電気信号で生成するように構成されたセンサと、電気信号を発生させるように構成された電気信号発生器と、コントローラであって、電気的特性の第一値を受信することと、少なくとも第一値を用いて第一制御パラメータを決定することと、第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することとのための回路を備えるコントローラとを含み得る。

【0007】

[0007] いくつかの実施形態では、ウェーハの接地位置を調整するための方法が開示される。本方法は、ウェーハとウェーハに接触している接地ピンとの間の電気的接続を終了することを含み得る。本方法はまた、ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整することを含み得る。本方法は、接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復することを更に含み得る。

【0008】

[0008] いくつかの実施形態では、ウェーハの接地位置を調整するためのシステムが開示される。検査システムは、ウェーハと接触するように構成された接地ピンと、ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了し、ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整し、接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復するように構成されたアクチュエータとを備え得る。

【0009】

[0009] いくつかの実施形態では、ウェーハを接地するための方法が開示される。本方法は、複数のプローブとウェーハとの間に接点のセットを確立することを含み得る。本方法はまた、ウェーハのコーティングの破壊を促進するために、複数のプローブを介して接点のセットに電気信号の第一セットを印加することを含み得る。本方法は、ウェーハを介する複数のプローブの間の電気経路の抵抗が所定の閾値以上であるとの決定に基づいて、複数のプローブを介して接点のセットに電気信号の第二セットを印加することであって、電気信号の第二セットが、電気信号の第一セットを印加するときのウェーハに関連する電気的特性の値に基づいて決定される、ことを更に含み得る。

【0010】

[0010] いくつかの実施形態では、ウェーハを接地するための方法が開示される。本方法は、複数のプローブとウェーハとの間に接点の第一セットを確立することを含み得る。本方法はまた、ウェーハのコーティングの破壊を促進するために、複数のプローブを介して接点の第一セットに電気信号の第一セットを印加することを含み得る。本方法は、ウェーハを介する複数のプローブの間の電気経路の抵抗が所定の閾値以上である場合、複数のプローブとウェーハとの間に接点の第二セットを確立することを更に含み得る。本方法は、複数のプローブを介して接点の第二セットに電気信号の第二セットを印加することであって、電気信号の第二セットが、電気信号の第一セットを印加するときのウェーハに関連する電気的特性の値に基づいて決定される、ことを更に含み得る。

【0011】

[0011] いくつかの実施形態では、ウェーハを接地するための方法が開示される。本方法は、接地ピンにウェーハを接触させることを含み得る。本方法はまた、接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させることを含み得る。本方法は、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することを更に含み得る。

【0012】

[0012] いくつかの実施形態では、システムが開示される。本システムは、ウェーハと接触するように構成された接地ピンを備え得る。本システムはまた、コントローラであって、接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させることと、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することとのための回路を有するコントローラを備え得る。

【0013】

[0013] いくつかの実施形態では、ウェーハを接地するための方法が開示される。本方法は、衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることを含み得る。本方法はまた、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することを含み得る。

【0014】

[0014] いくつかの実施形態では、システムが開示される。本システムは、接地ピンと、コントローラであって、衝突によってウェーハ上のコーティングを貫通するように接地ピンを制御することと、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することとのための回路を有するコントローラとを備え得る。

【0015】

[0015] いくつかの実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体が、装置に方法を実行させるために、装置の少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令のセットを記憶し得る。本方法は、衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることを含み得る。本方法はまた、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することを含み得る。

【0016】

[0016] いくつかの実施形態では、ウェーハ接地のためのシステムが開示される。本システムは、第一接地ピンを備え得る。本システムはまた、静電ホルダの内側に第一電極を備える静電ホルダを備え得る。本システムは、第一接地ピンと第一電極との間に電気的に結合された第一過電圧保護デバイスであって、第一過電圧保護デバイスが、第一過電圧保護デバイスに印加された第一電圧が閾値電圧を超えたときに電気を通し、第一電圧が閾値電圧を超えないときに電気を通すことを停止するように構成される、第一過電圧保護デバイスを更に備え得る。

【0017】

[0017] いくつかの実施形態では、高電圧の高速ランピングのための装置が開示される。本装置は、装置の高電圧部分と装置の接地部分との間に配置されたアイソレータを備え得る。本装置はまた、高電圧部分に電気的に結合された第一電極を備え得る。本装置は、接地部分に電気的に結合され、第一電極に導通していない第二電極を更に備え得る。本装置は、アイソレータの上で第一電極及び第二電極を覆う誘電体層を更に備え得る。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】[0018]本開示のいくつかの実施形態による、例示的な電子ビーム検査（ＥＢＩ）システムを示す概略図である。

【図2】[0019]本開示のいくつかの実施形態による、図１の例示的な電子ビーム検査システムの一部分であり得る例示的な電子ビームツールを示す概略図である。

【図3】[0020]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地の例示的なシステムの図である。

【図4】[0021]本開示のいくつかの実施形態による、例示的なマルチピンウェーハ接地システムの図である。

【図5】[0022]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的な方法を示すフローチャートである。

【図6】[0023]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地位置調整の例示的なシステムの図である。

【図7】[0024]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地位置調整の例示的なシステムの図である。

【図8】[0025]本開示のいくつかの実施形態による、調整前及び調整後の例示的な接地位置の図である。

【図9】[0026]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地位置調整の例示的なシステムの図である。

【図10】[0027]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハの接地位置を調整する例示的な方法を示すフローチャートである。

【図11】[0028]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハの接地位置を調整するための別の例示的な方法を示すフローチャートである。

【図12】[0029]本開示のいくつかの実施形態による、例示的なマルチピンウェーハ接地システムの図である。

【図13】[0030]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的な方法を示すフローチャートである。

【図14A】[0031]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的なシステムの動作段階を示す。

【図14B】[0031]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的なシステムの動作段階を示す。

【図14C】[0031]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的なシステムの動作段階を示す。

【図14D】[0031]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的なシステムの動作段階を示す。

【図15A】[0032]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための別の例示的なシステムの動作段階を示す。

【図15B】[0032]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための別の例示的なシステムの動作段階を示す。

【図15C】[0032]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための別の例示的なシステムの動作段階を示す。

【図15D】[0032]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための別の例示的なシステムの動作段階を示す。

【図16】[0033]本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的な方法を示すフローチャートである。

【図17】[0034]本開示のいくつかの実施形態による、静電ホルダの電極と接地ピンとの間で電圧差が瞬時に発生する例示的なウェーハ接地システムの図である。

【図18】[0035]本開示のいくつかの実施形態による、静電ホルダの電極と接地ピンとの間で電圧差が形成されることが防止される例示的なウェーハ接地システムの図である。

【図19A】[0036]本開示のいくつかの実施形態による、静電ホルダの電極と接地ピンとの間で電圧差が形成されることが防止される例示的なウェーハ接地システムの図である。

【図19B】[0036]本開示のいくつかの実施形態による、静電ホルダの電極と接地ピンとの間で電圧差が形成されることが防止される例示的なウェーハ接地システムの図である。

【図19C】[0036]本開示のいくつかの実施形態による、静電ホルダの電極と接地ピンとの間で電圧差が形成されることが防止される例示的なウェーハ接地システムの図である。

【図20】[0037]本開示のいくつかの実施形態による、高電圧部分において放電が発生し得る例示的なウェーハ検査システムの断面図を示す。

【図21】[0038]本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための例示的な装置の図である。

【図22】[0039]本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための別の例示的な装置の図である。

【図23】[0040]本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための更に別の例示的な装置の図である。

【図24】[0041]本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための更に別の例示的な装置の図である。

【図25】[0042]本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための例示的なウェーハ検査システムの断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

[0043] ここで、例が添付の図面に示される例示的な実施形態について詳細に参照する。以下の説明は添付の図面を参照している。添付の図面においては、別段の記載がない限り、異なる図面で同じ番号がある場合、同じ又は類似の要素を表している。例示的な実施形態の以下の説明に記載されている実装形態は、本開示によるすべての実装形態を表すわけではない。そうではなく、これら実装形態は、添付の特許請求の範囲に記載されている主題に関連する態様による装置及び方法の例に過ぎない。本開示の範囲を制限することなしに、いくつかの実施形態は、電子ビーム（「ｅビーム」）を利用するシステムにおける検出システム及び検出方法を提供するという文脈で説明され得る。しかしながら、本開示はそのように限定されるものではない。他のタイプの荷電粒子ビーム（例えば、プロトン、イオン、ミューオン、又は電荷を運ぶ任意の他の粒子を含む）も同様に適用され得る。更に、検出のためのシステム及び方法は、他のイメージングシステム、例えば、光イメージング、光子検出、Ｘ線検出、イオン検出などにも使用され得る。

【0020】

[0044] 電子デバイスは、基板と呼ばれる一片の半導体材料の上に形成された回路から構成される。半導体材料としては、例えば、シリコン、ガリウムヒ素、インジウムリン、シリコンゲルマニウムなどが挙げられ得る。多くの回路が同じ一片のシリコン上に一緒に形成されることがあり、集積回路又はＩＣと呼ばれる。これらの回路のサイズは、より多くの回路を基板上に取り付けることができるように劇的に小さくなっている。例えば、スマートフォンのＩＣチップは、親指の爪ほどの大きさでありながら、２０億個超のトランジスタを備え、各トランジスタのサイズは、ヒトの髪の毛のサイズの１０００分の１未満であり得る。

【0021】

[0045] 極めて小さい構造体又は構成要素を備えたこれらのＩＣの製造は、数百の個別のステップをしばしば伴う、複雑で時間及び費用のかかるプロセスである。１つのステップにおけるエラーであっても、完成したＩＣに欠陥をもたらし、これを使いものにならなくする可能性がある。よって、製造プロセスの１つの目標は、このような欠陥を回避して、プロセスで製造される、動作するＩＣの数を最大化すること、つまり、プロセスの歩留まり全体を向上させることである。

【0022】

[0046] 歩留まりを向上させるための１つの要素は、チップ製造プロセスをモニタリングして、チップ製造プロセスにおいて十分な数の動作する集積回路が製造されることを確保することである。プロセスをモニタリングする１つの方法は、チップ回路構造体の形成の様々な段階でチップ回路構造体を検査することである。検査は、走査型荷電粒子顕微鏡（scanning charged-particle microscope、「ＳＣＰＭ」）を使用して行われ得る。例えば、ＳＣＰＭは、走査型電子顕微鏡（scanning electron microscope、ＳＥＭ）であり得る。ＳＣＰＭは、このような極めて小さい構造体をイメージングするために使用されて、実際に、ウェーハの構造体の「写真」を撮ることができる。画像は、構造体が適切な位置で適切に形成されたか否かを決定するために使用され得る。構造体に欠陥がある場合、プロセスを調整することができるため、欠陥が再発しにくくなる。

【0023】

[0047] ＳＥＭの動作原理はカメラと同様である。カメラは、人又は物体から反射又は放出された光の強度を受け取って記録することにより写真を撮る。ＳＥＭは、ウェーハの構造体から反射又は放出された電子のエネルギー又は量を受け取って記録することにより「写真」を撮る。このような「写真」を撮る前に、電子ビームが構造体に対して投射され得、電子が構造体から（例えば、ウェーハの表面から、ウェーハの表面の下にある構造体から、又はその両方から）反射又は放出される（「出射する」）と、ＳＥＭの検出器がそれらの電子のエネルギー又は量を受け取って記録して、検査画像を生成し得る。このような写真を撮るために、電子ビームはウェーハ全体を（例えば、ライン・バイ・ラインで又はジグザグに）走査することができ、検出器は電子ビームが投影された領域（「ビームスポット」と呼ばれる）から到来する、出射する電子を受け取ることができる。検出器は、各ビームスポットからの出射する電子を１つずつ受け取って記録し、すべてのビームスポットについて記録された情報を合わせて検査画像を生成し得る。単一の電子ビームを使用して単一の「写真」を撮影して検査画像を生成するＳＥＭ（「シングルビームＳＥＭ」と呼ばれる）もあれば、複数の電子ビームを使用してウェーハの複数の「部分写真」を並列に撮影して、それらをつなぎ合わせて検査画像を生成するＳＥＭ（「マルチビームＳＥＭ」と呼ばれる）もある。複数の電子ビームを使用することにより、ＳＥＭは、これらの複数の「部分写真」を得るために構造体上に多くの電子ビームを供給し、その結果、構造体からより多くの電子が出射され得る。したがって、検出器は、より多くの出射する電子を同時に受け取り、ウェーハの構造体の検査画像をより高効率及びより高速に生成し得る。

【0024】

[0048] 典型的には、構造体は、ステージと呼ばれるイメージングのためのプラットフォーム上に置かれた基板（例えば、シリコン基板）上に作られる。電子ビームが構造体に当たると、基板は帯電し、電気的に中性ではなくなり得る。帯電した基板は電圧を得て、出射する電子に影響を与えることがあり、このことが画像品質に影響を与え得る。したがって、イメージングを改善するためには、基板を接地することが有利であり得る。

【0025】

[0049] 接地のために、基板は、電源に電気的に接続され得る。電源と基板との間の電気的接続は、基板の裏面（すなわち、構造体のない表面）に１つ又は複数の導電性の接地ピン又はプローブを押し当てることにより実施され得る。基板の裏面は、通常、基板の製造プロセスにおいて保護被覆として作られた材料の薄膜（「裏面膜」）によって覆われる。

【0026】

[0050] しかしながら、裏面膜は導電性ではない。一般に、このような非導電性の裏面膜を打開するために、貫通法と電気ザッピング法との２つのタイプの方法が使用され得る。貫通法では、接地ピンが裏面膜を貫通して基板に直接接触するように押し当てられ得る。しかしながら、貫通法は、裏面膜に損傷をもたらすことがあり、その場合、製造時の基板の損傷につながり得、また過剰な粒子が生成されることにつながって、ＳＥＭの真空チャンバの汚染につながり得る。

【0027】

[0051] 電気ザッピング法では、接地ピンが裏面膜に押し当てられてこれを部分的に貫通するが、完全には貫通しないことがある。電源は、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立するために裏面膜を破壊する目的で、接地ピンの間に高電圧（例えば、数十キロボルト）の電気信号（「接地信号」）を発生させ得る。接地信号は、接地ピンの先端と裏面膜との間に電気的ザッピングを生じ得る。

【0028】

[0052] しかしながら、電気ザッピング法にも課題がある。１つ目の課題は、裏面膜を破壊するために、そしてそれを過剰な損傷を生じることなく行うために必要な接地信号の最適化された電圧が基板のタイプによって異なることである。つまり、あるタイプの基板において最適化された接地信号の電圧が、別のタイプの基板の裏面膜を破壊できず、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を形成することができない場合がある。２つ目の課題は、接地信号の過剰な電圧により、接地ピンの先端付近のウェーハに過剰な損傷（例えば、裏面膜の小規模爆発）が生じて、その結果、イメージング環境（例えば、ＳＥＭシステムの真空チャンバ）を汚染し得る粒子が発生し得ることである。３つ目の課題は、電気ザッピングがいくつかの接地位置において失敗し得るが、同じ位置でザッピングを繰り返すことは、接地ピンの寿命を縮めたり、過剰な数の汚染粒子につながったりし得るため望ましくないことである。したがって、いずれの方法にも改善が望まれる。

【0029】

[0053] 本開示の実施形態は、改善されたウェーハ接地システムを提供し得る。ウェーハ接地は、貫通法又は電気ザッピング法を使用することにより実施され得る。本開示の電気ザッピング法の実施形態によれば、接地ピンの接触位置が動的に調整され得る。初期の接触位置において接地が成功しなかった場合、接触位置を動的に調整し、異なる接地信号を印加することにより、ウェーハ接地が成功する確率を高めつつ、真空チャンバ内の汚染を抑制し、接地ピンの寿命を延ばすことができる（従来の方法と比較して）。加えて、本開示の電気ザッピング法の実施形態によれば、ウェーハ接地のための電気信号の電気的特性もまた、接地電気経路の測定フィードバックに基づいて動的に調整され得る。電気的特性を動的に調整することにより、接地ピンの寿命が延び、検査用真空チャンバ内の汚染が減少し、電気信号が異なるタイプのウェーハを接地するのに好都合に適合され得る。また、本開示の貫通法及び電気ザッピング法の実施形態によれば、接地ピンとウェーハとの間の接触を改善するために、ウェーハに対して接地ピンを振動させるための振動子が設けられ得る。振動子は、貫通法を使用するシステムに使用されてもよく、その場合、裏面膜の爆発及び汚染粒子の堆積を回避することができ、接地ピンの寿命を延ばすことができる。振動子はまた、電気ザッピング法のみを使用したシステム、又は両方の方法を組み合わせたシステムに使用されてもよく、その場合、接地ピンの接地位置に調整のための余剰寸法を設けることができ、ウェーハ接地の成功率を更に高めることができる。

【0030】

[0054] 本開示の実施形態は、ウェーハ接地及びウェーハの接地位置の調整のための方法及びシステムを含む。例えば、ウェーハ接地システムが、接地されるウェーハに関連する電気的特性の第一値を電気信号で受信し得る。ウェーハ接地システムはまた、少なくとも第一値を用いて第一制御パラメータを決定し得る。ウェーハ接地システムは、第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を更に制御し得る。別の例では、ウェーハ接地システムは、ウェーハと接地ピンとを引き離し得る。ウェーハ接地システムはまた、ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整し得る。ウェーハ接地システムは、接地ピンとウェーハとを更に再び付け得る。実施形態の詳細を以下のとおり記載する。

【0031】

[0055] 更に、特別な場合では、極めて複雑な構造体がウェーハ上に製造されることがあり、このことはウェーハ接地により多くの課題を生じ得る。例えば、いくつかのＩＣは多数の層を備えるように製造され得る。このような多層構造体は、ウェーハの表面に通常の場合よりも高い張力を生じ得る。高い張力は、ウェーハにワープ（warp）又はボウ（bow）を生じさせることがあり、これにより、検査画像においてエラー（例えば、不明瞭さ）が生じ得る。このような複雑な構造体に起因してウェーハにワープ又はボウが生じることを避けるために、このような複雑なＩＣを製造するためのいくつかのウェーハは、機械的強度を高めるために厚膜化裏面膜がコーティングされ得る。しかしながら、ウェーハにワープが生じるのを防ぐのに十分な厚さを有する厚膜化裏面膜は、電気ザッピング法も貫通法もウェーハ接地において成功裏に機能しない程に厚すぎることがある。

【0032】

[0056] 本開示の実施形態は、「ピン衝突」法を使用するウェーハ接地のための方法及びシステムを更に含む。ウェーハ接地システムは、部分的貫通又は完全貫通のいずれかで厚膜化裏面膜を貫通するように厚膜化裏面膜に衝突するように接地ピンを作動させ得る。衝突により厚膜化裏面膜を貫通した後、ウェーハ接地のために接地ピンとウェーハの導電面との間の電気的接続が確立され得る。

【0033】

[0057] 典型的には、基板は、静電ホルダ（又は「静電チャック」）によってステージ上に配置及び固定される。静電ホルダは少なくとも１つの電極を備えていてもよく、非導電性の誘電体材料が電極と基板との間に設けられていてもよい。例えば、電極は、ステージの上面の下に設けられ得る。クランプ電圧を印加されているとき、電極は、静電場を介してステージの上面に基板を引き付けて固定し得る。クランプ電圧がオフであるとき、電極は静電場を失い得、基板はステージから解放され得る。

【0034】

[0058] しかしながら、場合によっては、クランプ電圧がオフになった後に残留電荷が静電ホルダ上に生じることがあり、これにより残留クランプ力が生じ得る。残留クランプ力は、基板の解放を難しくすることがあり、場合によっては基板が全く解放されないことがある。このような「ウェーハスティッキング」問題は、機器の性能及び稼働率に影響を与え得る。残留電荷は、ある期間にわたって蓄積されることもあれば、クランプ電圧を印加したときに瞬時に形成されることもある。例えば、静電ホルダの通常動作中に、接地ピンが接地信号を供給するために基板に接触し得る。基板は、ある電位（例えば、３０キロボルト）でバイアスされ得る。静電ホルダの電極には、この電位に対して浮いているクランプ電圧（例えば、＋３００ボルト又は－３００ボルト）が供給され得る。クランプ電圧が（例えば、複数の基板の固定及び解放のために）周期的にオン及びオフされる場合、この電位とクランプ電圧との間の電圧差に起因して電荷が完全に中和されないため、残留電荷が、ある期間にわたって静電ホルダの表面に蓄積され得る。アーク放電が電極の回路に発生する場合にクランプ電圧が印加されると、残留電荷は瞬時に形成されることがあり、このとき、基板と電極との間の瞬時電圧差（例えば、１０キロボルト）がクランプ電圧を著しく乱し得るが、電位は影響を受けない。このような瞬時電圧差によって、基板と電極との間に強い電場が瞬時に形成されることがあり、この電場が、静電ホルダの上面に対して基板の電荷を引き付けたり、跳ね返したりし得る。

【0035】

[0059] 残留クランプ力を抑制するために、いくつかの設計が使用され得る。場合によっては、ある期間にわたって蓄積された残留電荷を処理するために、第一設計が使用され得る。例えば、残留クランプ力が存在するとモニタリングされた場合に基板を上昇させるために使用され得るリフトピンが静電ホルダに設けられ得る。別の例として、残留クランプ力が所定の閾値を超えていると測定された場合に、静電ホルダの表面の残留電荷を中和する（例えば、イオンを発射する）ために使用され得るイオナイザが静電ホルダに設けられ得る。

【0036】

[0060] しかしながら、残留電荷が瞬時に形成される場合、初期残留力を測定できないため、第一設計が有効に機能しないことがある。そのような場合には、第二設計が使用され得る。例えば、リフトピンが基板を上昇させるために使用され得るように残留クランプ力が所定の閾値未満になったと測定されるまで、静電ホルダの表面の残留電荷を一時的に中和するために、また基板が解放された後に残留電荷を完全に中和するために、静電ホルダの放電電圧を制御し得る放電コントローラが静電ホルダに設けられ得る。それにも関わらず、静電ホルダの第二設計は、イオナイザではなく静電ホルダの放電能力に依拠し、これは、すべての残留電荷を中和するには効率が悪いことがある。

【0037】

[0061] 本開示の実施形態は、基板と静電ホルダとの間に瞬時に形成された電圧差に起因する残留電荷の形成を防止するための装置及びシステムを更に含み、本装置及びシステムは、静電ホルダの電極と基板との間に通信可能に結合された過電圧保護デバイスを備え得る。過電圧保護デバイスは、過電圧下では導電性になり、過電圧がなくなるとリセットされて非導電性になり得る。例えば、過電圧保護デバイスは、電極と基板との間の電圧差が閾値電圧未満である場合には導電性であり得る。電圧差が（例えば、電極の回路に生じるアーク放電によって）閾値電圧を超える場合、過電圧保護デバイスは、電極と基板との間の電圧差を抑制又は排除するように、電極と基板との間で電気を通すように導電性になり得る。電圧差が閾値電圧を再び下回ると、過電圧保護デバイスが再び非導通状態になり得る。そうすることにより、基板又は静電ホルダに残留電荷は瞬時に形成されなくなり得る。

【0038】

[0062] 場合によっては、基板と静電ホルダとの間における瞬時に形成される電圧差の１つの原因は、静電ホルダ付近で生じる放電であり得る。典型的には、静電ホルダは、ステージのハウジングの上面に配置され得る。静電ホルダ上に固定された基板をバイアスするために、ハウジングの上面が導電性とされ、バイアシングする高電位（例えば、－３０キロボルト）を印加され得る。地面にハウジングの底面を接続するなどして、ハウジングは接地される。ハウジングの上面と底面とは、１つ又は複数のアイソレータによって絶縁され得る。例えば、アイソレータは、ハウジングの１つ又は複数の壁であり得る。

【0039】

[0063] 既存のウェーハ接地システムの１つの課題は、システムの高電圧部分（例えば、ハウジングの上面）と接地部分（例えば、ハウジングの底面）との間のアイソレータが不要な放電をしがちであり得ることである。高電圧部分とアイソレータとの間の電場が過度に強い場合、両者の間で電荷の電界放出が始まり得、これにより高電圧部分の表面から電子が脱落し得る。これらの電界放出電子が十分な着地エネルギーを有して、アイソレータの表面に付着した気体分子を解放する場合、アバランシェ効果がトリガされ得、最終的には高電圧部分とアイソレータとの間に絶縁破壊がもたらされ得る。例えば、アーク放電が生じることがあり、これは、高電圧部分付近で大量の電荷を放出し得る。このような放電は、静電ホルダのクランプ電圧を（例えば、基板と静電ホルダとの間に電圧差を瞬時に形成させることにより）乱し、静電ホルダに残留電荷を形成させることがあり、これにより本明細書に記載されているウェーハスティッキング問題が引き起こされ得る。更に、このような放電は、環境から望ましくない粒子（例えば、粉塵）を引き付けることがあり、これはウェーハ接地システムに対する潜在的な害をもたらし得る。

【0040】

[0064] ウェーハ接地システムの通常動作の際には、システムの高電圧部分の電圧が安定しているため、電界放出は発生しない。しかしながら、高電圧がスイッチをオン及びオフされると（例えば、基板の交換又は保守点検のため）、アイソレータの表面電圧は、高電圧のランプアップ又はランプダウンに容量的に反応し得る（例えば、アイソレータと高電圧部分とが実効キャパシタの２つの端子となる）。このような場合、高電圧部分とアイソレータとの間の電場が電界放出を引き起こし、最終的には不要な放電を引き起こすように十分に強くなり得る。

【0041】

[0065] 不要な放電を防ぐために、既存のウェーハ接地システムは、高電圧のランプアップ又はランプダウンを低速で行わなければならないことがある。それにも関わらず、そのような低速のランピング速度は、特にマルチビーム検査システムにおけるウェーハ検査のスループットを抑制し得る。

【0042】

[0066] 本開示の実施形態は、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための装置及びシステムを更に含む。例えば、そのような装置は、装置の高電圧部分と装置の接地部分との間に配置されたアイソレータを備え得る。本装置はまた、高電圧部分に電気的に結合された第一電極と、接地部分に電気的に結合され、第一電極に導通していない第二電極とを備え得る。本装置は、アイソレータの上で第一電極及び第二電極を覆う誘電体層を更に備え得る。そうすることにより、強い電場は、第一電極及び第二電極の端部付近と、アイソレータの表面付近とに形成されるように閉じ込められ得る。また、第一電極と第二電極とは、それらの間に滑らかに弱まる電場を形成し得、これにより、高い電場強度に対応する電場の勾配の急激な変化を避けることができる。更に、第一電極及び第二電極を覆うことにより、周囲の環境がそれらの間の電場に対する影響を弱め得る。また、第一電極と第二電極との間で電場が非常に強くなったとしても、第一電極及び第二電極は誘電体層及びアイソレータによって覆われているため、電界放出は発生することができない。まとめると、提供される装置及びシステムは、不要な放電を引き起こすことなく高電圧の迅速なランピング、ウェーハスティッキングの問題の可能性の低下、ウェーハ検査のスループットの大幅な向上、不要な放電に起因する環境への害の抑制をもたらし得る。

【0043】

[0067] 図面内の構成要素の相対的な寸法は、明確にするために誇張されている場合がある。下記の図面の説明では、同一又は類似の参照番号は同一又は類似の構成要素又はエンティティを指し、個々の実施形態に関する相違のみを説明する。

【0044】

[0068] 本明細書で使用される場合、特に別段の記載のない限り、「又は」という用語は、実行不可能な場合を除いて、すべての可能な組み合わせを包含する。例えば、構成要素がＡ又はＢを含み得ると記載されている場合、特に別段の記載のない限り、又は実行不可能でない限り、構成要素は、Ａ、又はＢ、又はＡ及びＢを含み得る。別の例として、構成要素がＡ、Ｂ、又はＣを含み得ると記載されている場合、特に別段の記載のない限り、又は実行不可能でない限り、構成要素は、Ａ、又はＢ、又はＣ、又はＡ及びＢ、又はＡ及びＣ、又はＢ及びＣ、又はＡ及びＢ及びＣを含み得る。

【0045】

[0069] 図１は、本開示のいくつかの実施形態による、例示的な電子ビーム検査（ＥＢＩ）システム１００を示す。ＥＢＩシステム１００は、イメージングに使用され得る。図１に示すように、ＥＢＩシステム１００は、メインチャンバ１０１と、ロードロックチャンバ１０２と、ビームツール１０４と、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）１０６とを備える。ビームツール１０４は、メインチャンバ１０１内に配置される。ＥＦＥＭ１０６は、第一ローディングポート１０６ａと第二ローディングポート１０６ｂとを備える。ＥＦＥＭ１０６は、追加のローディングポート（複数可）を備えてもよい。第一ローディングポート１０６ａ及び第二ローディングポート１０６ｂは、ウェーハ（例えば、半導体ウェーハ又は他の材料（複数可）で作られたウェーハ）又は検査すべきサンプル（ウェーハとサンプルとは同義で使用され得る）を収容する、ウェーハ用正面開口式一体型ポッド（wafer front opening unified pod、ＦＯＵＰ）を受け入れる。「ロット」は、バッチとしての処理のためにロードされ得る複数のウェーハである。

【0046】

[0070] ＥＦＥＭ１０６の１つ又は複数のロボットアーム（図示せず）が、ロードロックチャンバ１０２にウェーハを移送し得る。ロードロックチャンバ１０２は、大気圧よりも低い第一圧力に達するようにロードロックチャンバ１０２内の気体分子を除去するロードロック真空ポンプシステム（図示せず）に接続される。第一圧力に達した後、１つ又は複数のロボットアーム（図示せず）は、ロードロックチャンバ１０２からメインチャンバ１０１にウェーハを移送し得る。メインチャンバ１０１は、第一圧力よりも低い第二圧力に達するようにメインチャンバ１０１内の気体分子を除去するメインチャンバ真空ポンプシステム（図示せず）に接続される。第二圧力に達した後、ウェーハはビームツール１０４による検査を受ける。ビームツール１０４は、単一ビームシステムであってもマルチビームシステムであってもよい。

【0047】

[0071] ビームツール１０４には、コントローラ１０９が電子的に接続される。コントローラ１０９は、ＥＢＩシステム１００の様々な制御を実行するように構成されたコンピュータであり得る。図１では、コントローラ１０９は、メインチャンバ１０１、ロードロックチャンバ１０２、及びＥＦＥＭ１０６を備える構造体の外側にあるものとして示されているが、コントローラ１０９は構造体の一部であってもよいことを理解されたい。

【0048】

[0072] いくつかの実施形態では、コントローラ１０９は、１つ又は複数のプロセッサ（図示せず）を備え得る。プロセッサは、情報を操作又は処理することができる汎用又は専用の電子デバイスであり得る。例えば、プロセッサは、中央処理装置（又は「ＣＰＵ」）、グラフィック処理装置（又は「ＧＰＵ」）、光学プロセッサ、プログラマブルロジックコントローラ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、デジタルシグナルプロセッサ、知的財産（ＩＰ）コア、プログラマブルロジックアレイ（ＰＬＡ）、プログラマブルアレイロジック（ＰＡＬ）、ジェネリックアレイロジック（ＧＡＬ）、複合プログラマブルロジックデバイス（ＣＰＬＤ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、システムオンチップ（ＳｏＣ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、及びデータ処理することができる任意のタイプの回路の任意の数の任意の組み合わせを含み得る。プロセッサはまた、ネットワークを介して結合された複数のマシン又はデバイスにわたって分散された１つ又は複数のプロセッサを含む仮想プロセッサであってもよい。

【0049】

[0073] いくつかの実施形態では、コントローラ１０９は、１つ又は複数のメモリ（図示せず）を更に備え得る。メモリは、（例えば、バスを介して）プロセッサによってアクセス可能であるコード及びデータを記憶することができる汎用又は専用の電子デバイスであり得る。例えば、メモリは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、光ディスク、磁気ディスク、ハードドライブ、ソリッドステートドライブ、フラッシュドライブ、セキュリティデジタル（ＳＤ）カード、メモリスティック、コンパクトフラッシュ（ＣＦ）カード、又は任意のタイプのストレージデバイスの任意の数の任意の組み合わせを含み得る。コードは、オペレーティングシステム（ＯＳ）と、特定のタスクのための１つ又は複数のアプリケーションプログラム（又は「アプリ」）とを含み得る。メモリはまた、ネットワークを介して結合された複数のマシン又はデバイスにわたって分散された１つ又は複数のメモリを含む仮想メモリであってもよい。

【0050】

[0074] 図２は、本開示の実施形態による、例示的なイメージングシステム２００を示す。図２の電子ビームツール１０４は、ＥＢＩシステム１００における使用のために構成され得る。電子ビームツール１０４は、単一ビーム装置であってもマルチビーム装置であってもよい。図２に示すように、電子ビームツール１０４は、電動サンプルステージ２０１と、検査すべきウェーハ２０３を保持するように電動サンプルステージ２０１によって支持されたウェーハホルダ２０２とを備える。電子ビームツール１０４は、対物レンズアセンブリ２０４と、（電子センサ面２０６ａ及び２０６ｂを備える）電子検出器２０６と、対物開口２０８と、コンデンサレンズ２１０と、ビーム制限開口２１２と、銃開口２１４と、アノード２１６と、カソード２１８とを更に備える。対物レンズアセンブリ２０４は、いくつかの実施形態では、ポールピース２０４ａと、制御電極２０４ｂと、偏向器２０４ｃと、励磁コイル２０４ｄとを備える改良型はねのけ式液浸系位相差用対物レンズ（swing objective retarding immersion lens、ＳＯＲＩＬ）を含み得る。追加的に、電子ビームツール１０４は、ウェーハ２０３上の材料の特性を評価するためのエネルギー分散Ｘ線スペクトロメータ（Energy Dispersive X-ray Spectrometer、ＥＤＳ）検出器（図示せず）を備え得る。

【0051】

[0075] アノード２１６とカソード２１８との間に加速電圧を印加することによって、カソード２１８から一次電子ビーム２２０が放出される。一次電子ビーム２２０は、銃開口２１４及びビーム制限開口２１２を通過する。銃開口２１４及びビーム制限開口２１２の双方が、ビーム制限開口２１２の下にあるコンデンサレンズ２１０に入射する電子ビームのサイズを決定し得る。コンデンサレンズ２１０が一次電子ビーム２２０を集束させた後、ビームは、対物レンズアセンブリ２０４に入射する前に、電子ビームのサイズを設定するための対物開口２０８に入射する。偏向器２０４ｃは、ウェーハ上でのビームスキャンを容易にするように一次電子ビーム２２０を偏向させる。例えば、スキャンプロセスにおいて、偏向器２０４ｃは、ウェーハ２０３の異なる部分について、画像再構築のためのデータを提供するために、ウェーハ２０３の上面の異なる位置上に異なる時点で一次電子ビーム２２０を順次偏向させるように制御され得る。更に、偏向器２０４ｃはまた、特定の位置におけるウェーハ構造体の立体画像再構築のためのデータを提供するために、特定の位置においてウェーハ２０３の異なる側上に異なる時点で一次電子ビーム２２０を偏向させるように制御され得る。更に、いくつかの実施形態では、アノード２１６及びカソード２１８は複数の一次電子ビーム２２０を発生させることができ、電子ビームツール１０４は、ウェーハ２０３の異なる部分の画像再構築のためのデータを提供するために、複数の一次電子ビーム２２０をウェーハの異なる部分／異なる側に同時に投影する複数の偏向器２０４ｃを備え得る。

【0052】

[0076] 励起コイル２０４ｄ及びポールピース２０４ａは、ポールピース２０４ａの一端で開始してポールピース２０４ａの他端で終了する磁場を発生させる。一次電子ビーム２２０によってスキャンされるウェーハ２０３の部分は、この磁場に浸され得、帯電されて電場を発生し得る。電場によって、ウェーハの表面付近において、入射する一次電子ビーム２２０はウェーハ２０３と衝突する前にエネルギーが低減される。ポールピース２０４ａから電気的に絶縁された制御電極２０４ｂは、ウェーハ２０３のマイクロアーチングを防止すると共に適正なビームフォーカスを確保するようにウェーハ２０３上の電場を制御する。

【0053】

[0077] 一次電子ビーム２２０を受けると、ウェーハ２０３の一部分から二次電子ビーム２２２が放出され得る。二次電子ビーム２２２は、電子検出器２０６のセンサ面上２０６ａ及び２０６ｂ上にビームスポットを形成し得る。電子検出器２０６は、ビームスポットの強度を表す信号（例えば、電圧、電流など）を発生させ、この信号を画像処理システム２５０に供給し得る。二次電子ビーム２２２及び結果として生じるビームスポットの強度は、ウェーハ２０３の外部又は内部構造に応じて変わり得る。更に、上で論じたように、一次電子ビーム２２０をウェーハの上面の異なる位置上、又は特定の位置においてウェーハの異なる側上に投射させて、異なる強度の二次電子ビーム２２２（及び結果として生じるビームスポット）を発生させ得る。したがって、ウェーハ２０３の位置に対してビームスポットの強度をマッピングすることにより、処理システムは、ウェーハ２０３の内部又は外部構造を反映した画像を再構築し得る。

【0054】

[0078] イメージングシステム２００は、電動サンプルステージ２０１上のウェーハ２０３を検査するために使用され得、上で論じた電子ビームツール１０４を備える。イメージングシステム２００はまた、画像取得装置２６０と、ストレージ２７０と、コントローラ１０９とを備える画像処理システム２５０を備え得る。画像取得装置２６０は、１つ又は複数のプロセッサを備え得る。例えば、画像取得装置２６０は、コンピュータ、サーバ、メインフレームホスト、端末、パーソナルコンピュータ、任意の種類のモバイルコンピューティングデバイスなど、又はそれらの組み合わせを含み得る。画像取得装置２６０は、導電体、光ファイバケーブル、ポータブルストレージメディア、ＩＲ、Bluetooth、インターネット、無線ネットワーク、無線通信機、又はそれらの組み合わせなどの媒体を介して、電子ビームツール１０４の検出器２０６と接続され得る。画像取得装置２６０は、検出器２０６からの信号を受信し得、画像を構築し得る。よって、画像取得装置２６０は、ウェーハ２０３の画像を取得し得る。画像取得装置２６０はまた、等高線の生成、取得した画像への指標の重ね合わせなど、様々な後処理機能を実行し得る。画像取得装置２６０は、取得した画像の輝度及びコントラストなどの調整を実行し得る。ストレージ２７０は、ハードディスク、クラウドストレージ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、他のタイプのコンピュータ可読メモリなどのストレージ媒体であり得る。ストレージ２７０は、画像取得装置２６０と結合され得、スキャンされた生の画像データを原画像として保存したり、後処理された画像を保存したりするために使用され得る。画像取得装置２６０及びストレージ２７０は、コントローラ１０９に接続され得る。いくつかの実施形態では、画像取得装置２６０、ストレージ２７０、及びコントローラ１０９は、１つの制御ユニットとして一緒に一体化され得る。

【0055】

[0079] いくつかの実施形態では、画像取得装置２６０は、検出器２０６から受信したイメージング信号に基づいて、サンプルの１つ又は複数の画像を取得し得る。イメージング信号は、荷電粒子イメージングを行うためのスキャン動作に対応し得る。取得された画像は、複数のイメージング領域を含む単一の画像であり得る。単一の画像は、ストレージ２７０に記憶され得る。単一の画像は、複数の領域に分割され得る原画像であり得る。領域のそれぞれは、ウェーハ２０３の特徴を含む１つのイメージング領域を含み得る。

【0056】

[0080] ウェーハ接地は、ウェーハ２０３が電気的に中性になるようにウェーハ２０３からウェーハホルダ２０２に電荷を伝導することにより実施され得る。ウェーハ接地を実行するために貫通法又は電気ｓ法が使用され得る。これらの方法では、ウェーハは、その裏面をウェーハステージによって支持された状態で、ウェーハステージ上に配置され得る。ウェーハ基板の裏面の表面には、（例えば、保護コーティングとして機能する）裏面膜が存在し得る。裏面膜は非導電性であり得る。導電性材料（例えば、金属）で作られた２つ以上の接地ピンが、裏面膜を完全に穿孔することなく裏面膜に押し当てられ得る。

【0057】

[0081] 電気ザッピング法では、電気信号は、第一接地ピンから第一絶縁破壊を介して裏面膜を通ってウェーハに入り、ウェーハから第二絶縁破壊を介して裏面膜を通って第二接地ピンに出得る。絶縁破壊により、「バイアス経路」と呼ばれ得る、裏面膜を通る安定な電気経路（例えば、直流（ＤＣ）経路）が形成され得る。バイアス経路は、実効抵抗を有し得る。例えば、裏面膜の抵抗は、実効抵抗に寄与し得る。

【0058】

[0082] 電気ザッピングの際に、第一接地ピンと第二接地ピンとの間の実効抵抗を測定するためにセンサが使用され得る。ウェーハ接地システムに結合されたコントローラが、閾値条件が満たされているか否か（例えば、実効抵抗が所定の抵抗以下であるか否か）を決定し得る。閾値条件が満たされている場合、コントローラは、電気信号発生器に接地信号の発生を停止させ得る。閾値条件が満たされていない場合、コントローラは、電気信号発生器に接地信号の発生を所定の持続時間（例えば、数ミリ秒から数十ミリ秒）だけ継続させ得る。このような実効抵抗と所定の抵抗との比較のそれぞれが、ウェーハ接地の「サイクル」と呼ばれ得る。一般に、閾値条件が満たされるまでには数サイクルかかり得る。

【0059】

[0083] バイアス経路の実効抵抗が所定の抵抗以下である場合、ウェーハ接地は完了され得る。次いで、コントローラは、電気信号発生器から接地ピンを電気的に切り離し、ウェーハバイアス供給源にこれらの接地ピンを電気的に接続し得る。ウェーハバイアス供給源は、ウェーハバイアシングのために、バイアス経路を通してウェーハ基板に低電圧の電気信号を供給し得る。

【0060】

[0084] 電気ザッピング法の課題は、ウェーハ接地を完了する前に、コントローラが、電気信号発生器に同じ振幅、同じ周波数、又は同じ所定の持続時間などの同じ接地信号を発生させ続け得ることである。そのような電気信号はウェーハ接地には最適化されていない場合がある。例えば、絶縁破壊を引き起こすためには、振幅が必要以上に大きくなることもあれば、周波数が必要以上に高くなることもあれば、持続時間が必要以上に長くなることもある。最適化されていない電気信号は、裏面膜の粒子にエネルギーを与え、裏側の表面からこれらの裏面膜の粒子を解放し得る。粒子は、ウェーハ及びウェーハステージを囲む真空チャンバに入ることがあり、そうすると汚染が生じてメンテナンスコストを押し上げ得る。また、最適化されていない電気信号は、接地ピンの寿命を縮めることがあり、これもメンテナンスコストを押し上げ得る。

【0061】

[0085] 電気ザッピング法の別の課題は、接地信号が異なるタイプのウェーハに対して調整可能ではない場合があることである。接地信号は、所定の信号プロファイル（例えば、方形波）を有し得る。所定の信号プロファイルは、印加される所定の振幅、所定の周波数、又は所定の持続時間を有し得る。このような所定の信号プロファイルの特性は、調整可能ではない場合がある。しかしながら、メーカが違えば、異なるタイプのウェーハが製造され得、ウェーハのタイプが異なれば、裏面膜のタイプも異なり得る。例えば、異なるタイプの裏面膜は、酸化物、窒化珪素、又は他の材料などの異なる材料の裏面膜であり得る。別の例としては、異なるタイプの裏面膜は、異なる厚さ、硬度、又は伝導度（例えば、絶縁性であること、又は高抵抗であること）を有し得る。最適化された電気信号は、ウェーハのタイプごとに特性が異なり得る。調整可能ではない信号プロファイルでは、接地のための電気信号の信号プロファイルが、ウェーハのタイプごとに最適化して設定される可能性は低いため、上述のような課題が生じる。

【0062】

[0086] 電気ザッピング法の更なる別の課題は、接地信号の信号プロファイルが典型的には方形波などのパルスであることである。試験の結果、パルス信号によって、より多くの裏面膜の粒子が真空チャンバ内に解放され得ることがわかっている。

【0063】

[0087] 電気ザッピング法のまた別の課題は、裏面膜における接地ピンの接触位置（「接地位置」）が典型的には固定されることである。接地ピンがウェーハに押し当てられるとき、接触不良又は他の理由に起因してウェーハが接地されない場合がある可能性がある。しかしながら、ウェーハステージにはウェーハの位置を調整する機構がないことがあるため、接地位置を調整することは難しい場合がある。ウェーハを成功裏に接地させる確率を高めるために、既存のシステムは、裏面膜に押し当てるために複数の（例えば２つ以上の）接地ピンを使用し得る。複数の接地ピンのうちのいずれか２つが電気経路を形成する場合、ウェーハ接地は、これらの２つの接地ピンを使用して完成され得る。それにも関わらず、接地ピンのいずれも電気経路を形成できない場合、ウェーハは接地されないことがあり、廃棄物として破棄されることがある。このことにより、製造の生産性及び効率が低下し得る。また、複数の接地ピンを使用することによりシステムの複雑さが増し得る。

【0064】

[0088] 図３は、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地の例示的なシステム３００の図である。システム３００は、接地ピンの寿命の改善又は跳ね飛ばされる粒子の低減など、様々な利点を伴ってウェーハを接地するために使用され得る。図３では、システム３００は、ウェーハを保持するためのサブシステム３０２と、電気信号発生器３１４と、センサ３１６と、コントローラ３２２と、制御パラメータ最適化器３２４とを少なくとも備える。

【0065】

[0089] サブシステム３０２は、静電ホルダ３０６とウェーハ３０４とを備える。いくつかの実施形態では、ウェーハ３０４は図２のウェーハ２０３であってもよく、静電ホルダ３０６は図２のウェーハホルダ２０２であってもよい。ウェーハ３０４は裏面膜３０８を備える。裏面膜３０８は非導電性であり得る。静電ホルダ３０６は、少なくとも１つの電極３１０を備え得る。電極３１０は、電気を流すと、静電場を介して静電ホルダ３０６にウェーハ３０４を引き付けて固定し得る。サブシステム３０２は、少なくとも１つの接地ピン（又は「プローブ」）３１２を更に備える。接地ピン３１２は、電気信号発生器３１４とウェーハ３０４との間に電気的に接続され得る。いくつかの実施形態では、接地ピン３１２は、裏面膜３０８を完全に貫通することなしに、裏面膜３０８に押し当てられ得る。接地ピン３１２は、電気信号発生器３１４とセンサ３１６とに電気的に接続され得る。

【0066】

[0090] 電気信号発生器３１４は、ウェーハ３０４を接地するための接地信号を発生させ得る。いくつかの実施形態では、電気信号発生器３１４はドライバである。接地信号は、接地ピン３１２とウェーハ３０４との間で裏面膜３０８を通る絶縁破壊を引き起こすための高い電圧を有し得る。センサ３１６は、絶縁破壊に関連する電気的特性３２０を検出又は測定するために使用され得る。例えば、電気的特性３２０は、インピーダンス、抵抗、容量性リアクタンス、アドミタンス、コンダクタンス、又は容量性サセプタンスのうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの実施形態では、電気的特性３２０は、接地ピンとウェーハとを含む電気経路に関連し得る。例えば、サブシステム３０２は、単一の接地ピン３１２を備える単一ピンシステムであってもよい。単一ピンシステムでは、センサ３１６は、ウェーハ３０４に電気的に接続され得、接地ピン３１２とウェーハ３０４との間で裏面膜３０８を通る絶縁破壊の電気的特性３２０を測定し得る。

【0067】

[0091] 別の例としては、サブシステム３０２は、複数の接地ピン３１２を備えるマルチピンシステムであり得る。図４は、本開示のいくつかの実施形態による、例示的なマルチピンウェーハ接地システム４００の図である。システム４００は、ウェーハ３０４と、静電ホルダ３０６と、裏面膜３０８と、電極３１０と、複数の接地ピン３１２とを備える。いくつかの実施形態では、サブシステム３０２が、システム４００で置き換えられ得る。マルチピンシステムでは、例えば、電気信号発生器３１４が第一接地ピンと電気的に接続され得、センサ３１６が第二接地ピンと電気的に接続され得る。接地信号は、第一接地ピンを通ってウェーハ３０４に入り、第二接地ピンを通って出得る。図３のセンサ３１６は、第一絶縁破壊及び第二絶縁破壊の電気的特性３２０を測定し得、第一絶縁破壊は、第一接地ピンとウェーハ３０４との間で裏面膜３０８を通り、第二絶縁破壊は、ウェーハ３０４と第二接地ピンとの間で裏面膜３０８を通る。いくつかの実施形態では、ウェーハステージ上でウェーハ３０４と導体（図３の静電ホルダ３０６又は電極３１０）との間に容量結合が形成され得る。例えば、ウェーハステージ上でウェーハと導体とがキャパシタを形成し得る。容量結合は、接地信号の電気経路（「帰路」）として使用され得る。容量結合の電気的接続は、接地ピン３１２のうちの少なくとも１つを通って入る交流（ＡＣ）信号を用いて確認され得る。ＡＣ信号が流れて電流ループを形成すると、コントローラ３２２は、容量結合が確立されたと決定し得る。いくつかの実施形態では、接地ピン３１２とウェーハ３０４との間の電気的接続の品質は、ＡＣ信号を測定することにより検証され得る。

【0068】

[0092] 再び図３を参照すると、コントローラ３２２は、電気信号発生器３１４に電気的に接続され得、接地信号及びＡＣ信号を発生させるように電気信号発生器３１４を制御し得る。いくつかの実施形態では、コントローラ３２２は、図１及び図２のコントローラ１０９の一部分として実施され得る。いくつかの実施形態では、コントローラ３２２は、ソフトウェアモジュール又はハードウェアモジュールなど、コントローラ１０９とは独立なコントローラとして実施され得る。接地信号及びＡＣ信号の特性は、コントローラ３２２によって出力される制御パラメータによって制御され得る。接地信号及びＡＣ信号の特性は、電圧、電流、電圧若しくは電流のプロファイル、プロファイルの周波数、プロファイルの周期、プロファイルの位相、プロファイルの振幅、又は電圧若しくは電流の持続時間のうちの少なくとも１つを含み得る。いくつかの実施形態では、接地信号のプロファイルは、正弦波形状であり得る。方形波信号と比較して、正弦波信号（例えば、正弦波高電圧信号）は、エネルギーを与えられて裏面膜３０８の表面から解放された跳ね飛ばされる粒子の数を大幅に低減し得る。絶縁破壊を生じるのに必要最小限の電圧又は持続時間で接地信号を発生させるなど、接地信号及びＡＣ信号の特性を制御することにより、接地プロセスの性能が最適化され得る。ウェーハ３０４のタイプに応じて、コントローラ３２２によって出力される制御パラメータは異なり得る。したがって、接地信号及びＡＣ信号が調整可能であり得、接地ピン３１２の寿命が改善され得る。

【0069】

[0093] 制御パラメータ最適化器３２４は、コントローラ３２２のための制御パラメータを最適化し得る。いくつかの実施形態では、コントローラ３２２は、少なくとも電気的特性３２０を用いてリアルタイム制御パラメータ３２６を生成し得る。例えば、コントローラ３２２は、電気的特性３２０の値と電気的特性３２０の目標値３２８とを受信し、リアルタイム制御パラメータ３２６を生成し得る。いくつかの実施形態では、目標値３２８は、データベース（例えば、コントローラ３２２によってアクセス可能なメモリ）に記憶され得、コントローラ３２２は、要求に応じてデータベースから目標値３２８を取得し得る。目標値３２８は、電気的特性３２０と同じタイプの値であってもよく、接地状態を示すように予め定められていてもよい。いくつかの実施形態では、コントローラ３２２がリアルタイム制御パラメータ３２６を決定する前に、電気的特性３２０の値が目標値３２８と比較され得る。例えば、電気的特性３２０が実効抵抗である場合、目標値３２８は実効抵抗の目標値であり得る。電気的特性３２０の値が実効抵抗の目標値以下である場合、コントローラ３２２は、絶縁破壊が発生してウェーハ３０４が接地されたと決定し得、接地信号の発生を停止するように電気信号発生器３１４を制御し得る。電気的特性３２０の値が実効抵抗の目標値以上である場合、コントローラ３２２は、絶縁破壊が発生していないと決定し、制御パラメータ最適化器３２４によって最適化されるリアルタイム制御パラメータ３２６を生成し得る。制御パラメータ最適化器３２４は、リアルタイム制御パラメータ３２６を最適化し、最適化された制御パラメータ３３０をコントローラ３２２に出力し得る。コントローラ３２２は、意図した特性を有する接地信号を発生させるように電気信号発生器３１４を制御するために、最適化された制御パラメータ３３０を使用し得る。

【0070】

[0094] 制御パラメータ最適化器３２４は、様々な入力に基づいてリアルタイム制御パラメータ３２６を最適化し得る。入力は、初期パラメータ３２６と、電気的特性３２０の値と、目標値３２８と、ウェーハタイプ３３２とを少なくとも含み得る。いくつかの実施形態では、ウェーハタイプ３３２は、目標値３２８を記憶する同じデータベースなどのデータベースに記憶され得る。いくつかの実施形態では、制御パラメータ最適化器３２４は、リアルタイム制御パラメータ３２６を最適化するための他の入力データを含み得る。ウェーハタイプ３３２は、ウェーハ３０４のタイプを示し得る。例えば、ウェーハタイプ３３２は、裏面膜３０８の材料のタイプ、厚さ、硬度若しくは伝導度、又はウェーハ３０４の電気的特性などを示し得る。いくつかの実施形態では、制御パラメータ最適化器３２４は、電気的特性３２０の値、リアルタイム制御パラメータ３２６、目標値３２８、及びウェーハタイプ３３２を入力として用いて、最適化されたパラメータ３３０を決定するために機械学習技法を用い得る。機械学習技法は、例えば、ニューラルネットワークを含み得る。機械学習技法は、教師なしの学習モデルであっても教師あり学習モデルであってもよい。

【0071】

[0095] いくつかの実施形態では、機械学習技法は、教師あり学習モデルであり得、様々なウェーハタイプ３３２、電気的特性３２０の測定値、及び電気的特性３２０の目標値３２８の条件下でリアルタイム制御パラメータを最適化するように訓練され得る。いくつかの実施形態では、教師あり学習モデルを訓練するために、様々なウェーハタイプ３３２、電気的特性３２０の測定値、及び電気的特性３２０の目標値３２８に対応する既知のパラメータ（例えば、機械学習技法を使用せずにチューニングされたパラメータ）の情報が、真の分類又は正確な分類を示すラベル（「接地の真実性ラベル」）として使用され得る。例えば、そのような情報は、ログファイルとしてデータベースに記憶され得る。訓練の際には、初期制御パラメータが生成されて教師あり学習モデルに供給され得る。教師あり学習モデルの出力は、接地の真実性ラベルと比較され得る。異なっている場合は、教師あり学習モデルのパラメータが更新され得る。このような比較の正答率が所定の水準（例えば、９５％）を超えた場合、教師あり学習モデルが訓練されたと決定され得る。

【0072】

[0096] 訓練された教師あり学習モデルは、様々なウェーハタイプ３３２、電気的特性３２０の測定値、及び電気的特性３２０の目標値３２８に基づいて最適化された制御パラメータ３３０を決定するために使用され得る。例えば、ウェーハ接地の第一サイクルでは、コントローラ３２２は、意図された電圧の周波数又は意図された電圧の振幅など、意図された特性を有する正弦波の接地信号を生成するように電気信号発生器３１４を制御するために、最適化された制御パラメータ３３０を受信し得る。センサ３１６は、電気的特性３２０の第一値を測定し得る。コントローラ３２２は、電気的特性３２０の第一値を受信し、データベースから目標値３２８を取得し得る。電気的特性３２０の第一値が目標値３２８よりも高いという比較結果に基づいて、コントローラ３２２はリアルタイム制御パラメータ３２６を生成し得る。制御パラメータ最適化器３２４は、リアルタイム制御パラメータ３２６及び電気的特性３２０の第一値を受信し、データベースから目標値３２８及びウェーハタイプ３３２を更に取得し得る。それらを訓練された教師あり学習モデルに入力することにより、制御パラメータ最適化器３２４は、最適化された制御パラメータ３３０を出力し得る。コントローラ３２２は、ウェーハ接地の第二サイクルで接地信号の特性を変えるように電気信号発生器３１４するために、最適化された制御パラメータ３３０を受信し得る。

【0073】

[0097] いくつかの実施形態では、ウェーハ接地の異なるサイクルにおいて最適化された制御パラメータ３３０は異なり得る。例えば、最適化された制御パラメータ３３０は、センサ３１６によって測定された電気的特性３２０の値に依存し得る。例えば、上述の例のウェーハ接地の第二サイクルでは、コントローラ３２２が接地信号の特性を変えるように電気信号発生器３１４を制御した後に、センサ３１６が電気的特性３２０の第二値を受信し得る。第二値は、ウェーハ接地の第一サイクルにおいてセンサ３１６によって測定された第一値よりは低いが、目標値３２８よりは依然として高く、このことは、絶縁破壊は完全には発生していないが、その発生の可能性が接地信号の制御された電圧によって高められたことを示し得る。この状況では、接地ピンの寿命を過剰に高い電圧から保護しながら、絶縁破壊の発生を確保する趣旨で、接地信号の電圧が降下され得る。制御パラメータ最適化器３２４は、ウェーハ接地の第三サイクルのための最適化された制御パラメータ３３０を決定するために第二値を入力し得、このことは、ウェーハ接地の第二サイクルのときよりも接地信号の電圧の振幅を下げるように電気信号発生器３１４を制御するようにコントローラ３２２に示し得る。

【0074】

[0098] 接地プロセスの各サイクルにおいて、最適化されたパラメータは異なり得る。最適化された接地電圧プロファイルにより、接地ピンの寿命が大幅に改善されることが期待される。

【0075】

[0099] いくつかの実施形態では、最適化された制御パラメータ３３０は、ウェーハタイプ３３２に応じて異なり得る。例えば、ウェーハ３０４を検査した後、新しいタイプの裏面膜を有する新しいウェーハが静電ホルダ３０６上に配置され得る。新しいタイプの裏面膜は、裏面膜３０８とは異なる電気的特性を有し得る。この状況では、制御パラメータ最適化器３２４は、データベースから対応するウェーハタイプを取得し、新しいウェーハに対応するリアルタイム制御パラメータを最適化し得る。

【0076】

[0100] いくつかの実施形態では、制御パラメータ最適化器３２４は、コントローラ３２２によってアクセス可能なメモリに記憶されたアプリケーションプログラム又はコードなど、コントローラ３２２によってアクセス可能及び実行可能なソフトウェアモジュールとして実施され得る。いくつかの実施形態では、制御パラメータ最適化器３２４は、実行可能なプログラムコードを記憶するハードウェアモジュールとして実施され得、ハードウェアモジュールは、データの入出力のためにコントローラ３２２と通信し得る。例えば、ハードウェアモジュールは、ＦＰＧＡ又はＡＳＩＣであり得る。

【0077】

[0101] 図５は、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的な方法５００を示すフローチャートである。方法５００は、荷電粒子ビーム装置（例えば、ＥＢＩシステム１００）と結合され得るコントローラによって実行され得る。例えば、コントローラは、図２のコントローラ１０９又は図３のコントローラ３２２であってもよい。コントローラは、方法５００を実施するようにプログラムされ得る。

【0078】

[0102] ステップ５０２において、コントローラは、接地されるウェーハに関連する電気的特性の第一値を電気信号で受信する。いくつかの実施形態では、電気的特性は、図３の電気的特性３２０であってもよい。例えば、電気的特性は、インピーダンス、抵抗、容量性リアクタンス、アドミタンス、コンダクタンス、又は容量性サセプタンスのうちの少なくとも１つを含み得る。

【0079】

[0103] 電気的特性の第一値は、ウェーハ接地の第一サイクルにおける電気的特性３２０の第一値であってもよい。ウェーハは、図３のウェーハ３０４であってもよい。電気信号は、図３の電気信号発生器３１４によって発生された接地信号であってもよい。いくつかの実施形態では、センサ（例えば、図３のセンサ３１６）が、電気的特性を測定した後に第一値を生成し得る。コントローラは、センサから第一値を受信し得る。

【0080】

[0104] いくつかの実施形態では、センサは、ウェーハを出る電気信号を伝導する電気経路の一部分（「フィードバック部分」）に配置され得る。いくつかの実施形態では、電気的特性は、ウェーハと、ウェーハを支持するウェーハマウントとを含む電気経路に関連し得る。いくつかの実施形態では、電気的特性は、ウェーハと、ウェーハを支持するウェーハマウントと、接地ピンとを含む電気経路に関連する。例えば、ウェーハマウントは、図３の静電ホルダであってもよい。

【0081】

[0105] いくつかの実施形態では、電気的特性は、ウェーハとウェーハマウントとの間の抵抗、又はウェーハとウェーハマウントとの間の容量性リアクタンスのうちの一方を含み得る。例えば、単一ピンシステムでは、接地信号は、接地ピン３１２を通ってウェーハ３０４に入り、ウェーハ３０４からウェーハ３０４と静電ホルダ３０６との間にある容量結合を介して出得る。この例では、電気経路は、例えば、接地ピン３１２と、裏面膜３０８と、ウェーハ３０４との間の電気的特性を含み得る。電気的特性は、ウェーハ３０４と静電ホルダ３０６との間に容量結合の容量性リアクタンスを含み得る。別の例では、マルチピンシステムにおいて、接地信号は、第一接地ピンを通ってウェーハ３０４に入り、第二接地ピンを通って出得る。電気経路は、例えば、第一接地ピン３１２と、裏面膜３０８と、ウェーハ３０４と、第二接地ピンとの間の電気的特性を含み得る。この例では、電気的特性は、第一絶縁破壊及び第二絶縁破壊の実効抵抗などのウェーハとウェーハマウントとの間の抵抗を含み得、第一絶縁破壊は、第一接地ピンとウェーハ３０４との間で裏面膜３０８を通り、第二絶縁破壊は、ウェーハ３０４と第二接地ピンとの間で裏面膜３０８を通り得る。

【0082】

[0106] 本開示では、電気的特性のタイプは限定されず、また本開示では、本開示の範囲を外れることなしに、直流回路又は交流回路の電気的特性が使用され得ることに留意されたい。

【0083】

[0107] 再び図５を参照すると、ステップ５０４において、コントローラは、少なくとも第一値を用いて第一制御パラメータを決定する。例えば、第一制御パラメータは、図３に示すようなウェーハ接地の第一サイクルにおける最適化された制御パラメータ３３０であり得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、第一値と電気的特性の目標値との比較に基づいて、第一制御パラメータを決定し得る。例えば、電気的特性の目標値は、図３の目標値３２８であってもよい。いくつかの実施形態では、比較に基づいて第一制御パラメータを決定するために、コントローラは、第一値と目標値との間の差が閾値条件を満たすか否かを決定し得る。コントローラは、差が閾値条件を満たすという決定に基づいて、第一制御パラメータを更に決定し得る。いくつかの実施形態では、例えば、電気的特性が抵抗である場合、閾値条件は、第一値が目標値以下であることであり得る。電気的特性のタイプに応じて、第一値と目標値との間の閾値条件は、適宜変更され得、本明細に示す例に限定されるものではないことに留意されたい。

【0084】

[0108] いくつかの実施形態では、第一制御パラメータを決定するために、コントローラは、少なくとも第一値を用いて初期パラメータを決定し得る。例えば、初期パラメータは、図３のリアルタイム制御パラメータ３２６であってもよい。次いで、コントローラは、少なくとも初期パラメータ、第一値、目標値、及びウェーハのタイプに基づいて、第一制御パラメータを決定し得る。例えば、ウェーハのタイプは、図３のウェーハタイプ３３２であってもよい。いくつかの実施形態では、コントローラは、図３の制御パラメータ最適化器３２４などの制御パラメータ最適化器を使用して第一制御パラメータを決定してもよい。

【0085】

[0109] いくつかの実施形態では、制御パラメータ最適化器は、第一制御パラメータを決定するために機械学習技法を使用し得る。例えば、機械学習技法への入力は、少なくとも初期パラメータ、第一値、目標値、及びウェーハのタイプを含み得る。例えば、図３に示すように、制御パラメータ最適化器３２４は、リアルタイム制御パラメータ３２６、電気的特性３２０の第一値、目標値３２８、及びウェーハタイプ３３２を入力としてもよい。制御パラメータ最適化器３２４の出力は、最適化された制御パラメータ３３０であってもよい。

【0086】

[0110] 再び図５を参照すると、ステップ５０６において、コントローラは、第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御する。例えば、図３に示すように、コントローラ３２２は、最適化された制御パラメータ３３０を用いて電気信号発生器３１４によって発生された接地信号の特性と、電気的特性３２０の第一値とを制御し得る。いくつかの実施形態では、電気信号の特性は、電圧、電流、電圧若しくは電流のプロファイル、プロファイルの周波数、プロファイルの周期、プロファイルの位相、プロファイルの振幅、又は電圧若しくは電流の持続時間のうちの少なくとも１つを含む。

【0087】

[0111] いくつかの実施形態では、電気信号のプロファイルは、正弦波形状であり得る。方形波プロファイルと比較して、正弦波プロファイルを有する電気信号は、ウェーハ及びウェーハマウントを囲む真空チャンバ（例えば、図３のサブシステム３０２を囲む真空チャンバ）内に、ウェーハの裏面膜（例えば、裏面膜３０８）の粒子が跳ね飛ばされるのを低減し得る。

【0088】

[0112] いくつかの実施形態では、電気信号の特性を制御する場合、コントローラは、第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性の値を変更し得る。例えば、コントローラは、接地信号の電圧の振幅、周波数、位相、又は持続時間を変更し得る。

【0089】

[0113] いくつかの実施形態では、同じタイプのウェーハに対する接地プロセス中に、ウェーハ接地のサイクル数が増加するにつれて、接地信号の電圧が降下し得る。例えば、ステップ５０６において、コントローラは、第一制御パラメータ及び第一値を用いて接地信号の電圧を降下させ得る。

【0090】

[0114] いくつかの実施形態では、ステップ５０２～５０６は、ウェーハ接地が完了するまで繰り返され得る。例えば、ウェーハ接地の第一サイクルでステップ５０６を実行した後、コントローラは電気的特性の第二値を受信し得る。コントローラは、少なくとも第二値を用いて第二制御パラメータを更に決定し得る。コントローラは、第二制御パラメータ及び第二値を用いて電気信号の特性を更に制御し得る。コントローラは、閾値条件が満たされるまで、方法５００の実行を停止し得る。このことは、ステップ５０４に記載されている。いくつかの実施形態では、第二制御パラメータと第一制御パラメータとは異なる値を有し得る。これに対応して、第二制御パラメータの値と第一制御パラメータの値とは異なる値を有し得る。

【0091】

[0115] いくつかの実施形態では、ステップ５０２において記載されたようにウェーハ及びウェーハマウントを含む電気経路のインピーダンス（例えば、抵抗）は、所定の閾値以上であり得る。インピーダンスが所定の閾値以上である場合、コントローラは、電気経路が開いていると決定し得る。例えば、所定の閾値は、中でも、１００，０００オーム、２００，０００オーム、３０００，０００オーム、又は３５０，０００オームの抵抗値を含み得る。所定の閾値は、ウェーハの接地要件を満たすために必要であり得る電流の予測される量に基づいて決定され得る。インピーダンスが所定の閾値以上である場合、コントローラがステップ５０６を実行した後、電気経路が開いている（例えば、ウェーハとウェーハマウントとの間に流れ得る電気信号はほとんど又はまったくない）と決定され得る。インピーダンスが所定の閾値以上である場合、コントローラは、少なくとも第一値を用いて第三制御パラメータを決定し得る。例えば、第一値は、電気経路が依然として開いている間にコントローラが電気信号を印加した後の電気経路に関連するデータであってもよい。第三制御パラメータと第一制御パラメータとは異なる値を有し得る。次いで、コントローラは、少なくとも第三制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御し得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、電気経路が閉じるまでこのような動作を繰り返し得る。

【0092】

[0116] いくつかの実施形態では、コントローラは、ウェーハ接地の異なるサイクルで、異なるタイプの制御パラメータを生成し、最適化し得る。例えば、上述の第二制御パラメータと第一制御パラメータとは異なるタイプの制御パラメータであり得る。例えば、第一制御パラメータは、コントローラが接地信号の振幅を制御するための１つ又は複数のパラメータであり得る一方、第二制御パラメータは、コントローラが接地信号の持続時間を制御するための１つ又は複数のパラメータであり得る。

【0093】

[0117] 図６は、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地位置調整の例示的なシステム６００の図である。システム６００は、ウェーハを保持するためのサブシステム６０２と、ウェーハ接地サブシステム６０６と、ウェーハ接地位置調整サブシステム６０８とを少なくとも備える。サブシステム６０２は、図３のサブシステム３０２と類似していてもよく、ウェーハ３０４と、静電ホルダ３０６と、裏面膜３０８と、電極３１０と、接地ピン３１２と、ウェーハステージ６０４とを備える。いくつかの実施形態では、ウェーハステージ６０４は、図２の電動サンプルステージ２０１であってもよい。いくつかの実施形態では、サブシステム６０６は、ウェーハ３０４を接地するために使用されてもよく、図３のシステム３００と同様であってもよいが、その詳細は以下では説明しない。いくつかの実施形態では、サブシステム６０８は、接地ピン３１２が裏面膜３０８に接触する位置（「接地位置」）を調整し得る。

【0094】

[0118] いくつかの実施形態では、ウェーハ３０４が静電ホルダ３０６の上に取り付けられ、接地ピン３１２が裏面膜３０８と接触する場合、サブシステム６０６は、図３～図５に記載のプロセスを使用することなどによって、ウェーハ３０４が接地され得るか否かを試験し得る。接地が成功しない場合、サブシステム６０８は、そのように示された信号を受信し、接地位置を調整するための信号を発生させ得る。信号は、接地位置を変更するために、サブシステム６０２の１つ又は複数のアクチュエータを駆動し得る。接地位置が調整されると、サブシステム６０６は、ウェーハ３０４が接地され得るか否かの試験を続け得る。上述のプロセスは、ウェーハ３０４が成功裏に接地されるまで繰り返され得る。図６ではサブシステム６０２がマルチピンシステムとして示されているが、（例えば、図３のサブシステム３０２と同様の）単一ピンシステムであってもよく、ウェーハ接地位置調整が依然として動作し得ることに留意されたい。

【0095】

[0119] 図７は、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地位置調整の例示的なシステム７００の図である。いくつかの実施形態では、システム７００は、サブシステム６０８の一実施形態であってもよい。システム７００は、ウェーハを保持するためのサブシステム７０２と、コントローラ７１０と、センサ７１２と、目標調整値７１４とを少なくとも備える。センサ７１２は、ウェーハ３０４と接地ピン３１２との間の相対位置（例えば、回転位置又は並進位置）を測定し得る。いくつかの実施形態では、目標調整値７１４は、接地位置を目標位置に調整するためにサブシステム７０２のアクチュエータを制御するためにコントローラ７１０によって使用されるパラメータの値を含み得る。例えば、目標位置は、回転位置又は並進位置を含み得る。いくつかの実施形態では、目標調整値７１４は、データベース（例えば、図１のシステム１００の１つ又は複数のメモリ）に記憶され得る。サブシステム７０２は、図３のサブシステム３０２又は図６のサブシステム６０２と類似していてもよく、ウェーハ３０４と、静電ホルダ３０６と、裏面膜３０８と、電極３１０と、接地ピン３１２と、ウェーハステージの上部７０４と、ウェーハステージの底部７０６と、リフタ７０８を含むアクチュエータとを備える。サブシステム７０２は、図７ではマルチピンシステムとして示されている。しかしながら、サブシステム７０２はまた、図３のサブシステム３０２などの単一ピンシステムであってもよい。アクチュエータは、電気式アクチュエータ、磁気式アクチュエータ、電磁式アクチュエータ、油圧式アクチュエータ、機械式アクチュエータ、又は任意の適切なタイプのアクチュエータを含み得る。いくつかの実施形態では、（上部７０４及び底部７０６を備える）ウェーハステージは、図２の電動サンプルステージ２０１であってもよい。

【0096】

[0120] コントローラ７１０は、センサ７１２に電気的に接続され、及びリフタ７０８と上部７０４に機械的に接続されたアクチュエータ（図示せず）とを含むアクチュエータに電気的に接続され得る。コントローラ７１０は、リフタ７０８、上部７０４、接地ピン３１２、又はウェーハ３０４を移動させるための他の機械的構成要素（例えば、ロボットアーム）など、サブシステム７０２の様々な部分を移動させるようにアクチュエータを制御し得る。例えば、コントローラ７１０と上部７０４との間の破線の矢印は、コントローラ７１０が、上部７０４を水平方向、垂直方向、又はその両方に移動させるようにアクチュエータ（図示せず）を制御し得ることを示し得る。コントローラ７１０とリフタ７０８との間の破線の矢印は、コントローラ７１０が、ウェーハ３０４を垂直方向に移動させるようにリフタ７０８を制御し得ることを示し得る。いくつかの実施形態では、コントローラ７１０は、アクチュエータを制御するためのパラメータを取得するため、又はセンサ７１２から受信したデータを記憶するためにデータベースに更に接続し得る。例えば、コントローラ７１０は、目標調整値７１４を記憶するデータベースにアクセスし得る。いくつかの実施形態では、コントローラ７１０は、図１及び図２のコントローラ１０９の一部分として実施され得る。いくつかの実施形態では、コントローラ７１０は、ソフトウェアモジュール又はハードウェアモジュールなど、コントローラ１０９とは独立なコントローラとして実施され得る。

【0097】

[0121] いくつかの実施形態では、底部７０６は静止状態にあり得、上部７０４は可動であり得る。例えば、上部７０４は、可動（例えば、垂直方向、水平方向、又はその両方に沿って）、又は水平方向に回転可能、又はその両方であり得る。いくつかの実施形態では、静電ホルダ３０６は、上部７０４に固定され得、また、上部７０４と共に可動であり得る。いくつかの実施形態では、上部７０４は、静電ホルダ３０６を介してウェーハ３０４を支持し、接地ピン３１２を固定し得る。例えば、接地ピンの端部が上部７０４に固定されてもよいし、また上部７０４と共に可動であってもよい。ウェーハ３０４が上部７０４に（例えば、静電ホルダ３０６に）載っている場合、接地ピン３１２がウェーハ３０４の底面（例えば、裏面膜３０８）に接触し得る。

【0098】

[0122] いくつかの実施形態では、アクチュエータは上部を移動させ得る。例えば、アクチュエータは、上部７０４を水平方向に、例えばあるアジマス角だけ回転させる回転機構（図示せず）を含み得る。いくつかの実施形態では、アクチュエータはリフタ７０８を含み得る。リフタの第一端が底部７０６に固定され得、リフタの第二端が垂直方向に可動であり得る。例えば、リフタの第一端は、底部７０６に（例えば、底部７０６にある孔を貫通することにより）水平方向に固定され、垂直方向に可動であってもよい。リフタの第二端は、電磁式アクチュエータ又は油圧式アクチュエータなどの移動機構によって上昇又は下降され得る。リフタの第二端は、そこにある孔又は溝を貫通することなどによって、上部７０４、静電ホルダ３０６、及び電極３１０を貫通し得る。リフタの第二端は、静電ホルダ３０６の上面を超えて移動し、ウェーハ３０４の底面に接触し得る。サブシステム７０２では、ある高さ（例えば、数ミリメートル）までリフタを上昇させることにより、ウェーハ３０４が静電ホルダ３０６の上面を離れて上昇され、接地ピン３１２から引き離され得る。

【0099】

[0123] いくつかの実施形態では、リフタ７０８は垂直方向及び水平方向に固定され得、上部７０４は垂直方向に可動であり得る。上部７０４が下降されると、接地ピン３１２及び静電ホルダ３０６も下降され得る。しかしながら、リフタ７０８がウェーハ３０４を支持し得、ウェーハ３０４が垂直方向に静止状態にあってもよい。上部７０４を下降させることにより、静電ホルダ３０６がウェーハ３０４の底面を離れて下降され得、接地ピン３１２が底面から引き離され得る。

【0100】

[0124] いくつかの実施形態では、接地位置を調整するために、以下の手順がシステム７００によって実行され得る。図６のサブシステム６０６は、ウェーハ３０４が接地されていないと決定し、そのことを示す信号をコントローラ７１０に送信し得る。コントローラ７１０は、ウェーハ３０４に対する接地ピン３１２の現在の回転角度（例えば、アジマス角）を測定するようにセンサ７１２を制御し得る。コントローラ７１０は、目標調整値７１４（例えば、目標回転角度の値）を更に取得し得る。コントローラ７１０は、目標角度と現在の回転角度との間の角度差を測定することなどにより、目標角度と現在の回転角度とを比較し得る。次いで、コントローラ７１０は、接地位置を調整するためのアクチュエータに角度差を送信し得る。いくつかの実施形態では、コントローラ７１０は、ソフトウェアモジュールなどのアクセス可能なメモリにコンピュータ可読命令を記憶し、上述の動作を実行するためにそのような命令を実行し得る。

【0101】

[0125] いくつかの実施形態では、接地位置を調整することは、接地ピン３１２とウェーハ３０４との間の相対回転角度（例えば、アジマス角）を変更することを含み得る。相対回転角度を変更することは、接地ピン３１２を回転運動において静止状態に維持したままウェーハ３０４の回転角度を変更すること、ウェーハ３０４を回転運動において静止状態に維持したまま接地ピン３１２の回転角度を変更すること、又は接地ピン３１２及びウェーハ３０４の回転角度を変更することのうちの少なくとも１つを含み得る。

【0102】

[0126] 例えば、いくつかの実施形態では、リフタ７０８が底部７０６に水平方向に固定され、垂直方向に可動である場合、コントローラ７１０は、上部７０４を垂直方向に静止状態に維持することなどにより、ウェーハ３０４を上昇させるようにリフタ７０８を制御し得る。接地ピン３１２及び静電ホルダ３０６が上部７０４に固定されているため、ウェーハ３０４がリフタ７０８によって上昇されると、裏面膜３０８が接地ピン３１２及び静電ホルダ３０６の上面から引き離され得る。コントローラ７１０は、角度差に等しい角度だけ水平方向（例えば、アジマス方向）に回転するように上部７０４を更に制御し得る。回転の方向は、時計回り又は反時計回りのいずれかであり得る。いくつかの実施形態では、回転は、上部７０４の中心を中心とし得る。接地ピン３１２は上部７０４に固定されているため、接地ピン３１２はまた、上部７０４と共に角度差だけ回転され得る。コントローラ７１０は、底部７０６を回転運動において静止状態に、ひいてはウェーハ３０４も回転運動において静止状態にするように制御し得る。このような回転を行った後、コントローラ７１０は、接地ピン３１２が異なる位置で裏面膜３０８に再び付くとき、ウェーハ３０４が静電ホルダ３０６の上に載るまでウェーハ３０４を下降させるようにリフタ７０８を制御し得る。

【0103】

[0127] 別の例として、いくつかの実施形態では、リフタ７０８が底部７０６に水平方向及び垂直方向に固定されている場合、コントローラ７１０は、アクチュエータ（図示せず）を制御して上部７０４を下降させて、接地ピン３１２と裏面膜３０８とを引き離し得る。底部７０６に水平方向及び垂直方向に固定されたリフタ７０８はまた、「支持部」と呼ばれ得る。接地ピン３１２及び静電ホルダ３０６が上部７０４に固定されているため、上部７０４がアクチュエータによって下降されると、裏面膜３０８が接地ピン３１２及び静電ホルダ３０６の上面から引き離され得る。コントローラ７１０は、角度差に等しい角度だけ水平方向（例えば、アジマス方向）に回転するように上部７０４を更に制御し得る。回転の方向は、時計回り又は反時計回りのいずれかであり得る。いくつかの実施形態では、回転は、上部７０４の中心を中心とし得る。接地ピン３１２は上部７０４に固定されているため、接地ピン３１２はまた、上部７０４と共に角度差だけ回転され得る。コントローラ７１０は、底部７０６を回転運動において静止状態に、ひいてはウェーハ３０４も回転運動において静止状態にするように制御し得る。このような回転を行った後、コントローラ７１０は、接地ピン３１２が異なる位置で裏面膜３０８に再び付くとき、ウェーハ３０４が静電ホルダ３０６の上に載るまで上部７０４を上昇させるようにアクチュエータを制御し得る。

【0104】

[0128] 別の例として、いくつかの実施形態では、接地ピン３１２は、上部７０４に固定されず、独立したアクチュエータ（図示せず）に固定され得る。この例では、コントローラ７１０は、リフタ７０８を垂直方向に静止状態に維持することなどにより、上部７０４及びウェーハ３０４を垂直方向に静止状態に維持したまま、接地ピン３１２を下降させるようにアクチュエータを制御し得る。次いで、静電ホルダ３０６にウェーハ３０４を載せたまま、接地ピン３１２は裏面膜３０８から引き離され得る。コントローラ７１０は、角度差に等しい角度だけ水平方向（例えば、アジマス方向）に接地ピンを回転させるように独立したアクチュエータを更に制御し得る。回転の方向は、時計回り又は反時計回りのいずれかであり得る。いくつかの実施形態では、回転は、上部７０４の中心を中心とし得る。そのような回転を行った後、コントローラ７１０は、異なる位置で裏面膜３０８に再び付くまで接地ピン３１２を上昇させるようにアクチュエータを制御し得る。

【0105】

[0129] いくつかの実施形態では、コントローラ７１０は、接地ピン３１２とウェーハ３０４との間の並進位置を調整し得る。例えば、コントローラ７１０は、接地ピン３１２と裏面膜３０８とを引き離すように制御し、並進アクチュエータ（図示せず）を制御して、上部７０４、接地ピン３１２、又はウェーハ３０４のうちの少なくとも１つの所定の方向に沿って所定の距離だけ水平位置を調整した後、接地ピン３１２と裏面膜３０８とを異なる位置において再び付けることができる。いくつかの実施形態では、コントローラ７１０は、接地ピン３１２と裏面膜３０８との間の並進位置及び回転位置の両方を調整し得る。

【0106】

[0130] コントローラ７１０が接地位置の調整を完了すると、サブシステム６０６は、ウェーハ３０４が接地し得るか否かを再度試験し得る。ウェーハ３０４が成功裏に接地され得る場合、調整プロセスは終了され得る。ウェーハ３０４が成功裏に接地され得ない場合、システム７００は、もう一度調整を行うように再び機能し得る。このプロセスは、ウェーハ３０４が成功裏に接地されるまで繰り返され得る。いくつかの実施形態では、角度差は小さな値（例えば、１０００分の１度、１００分の１度、又は１０分の１度）として予め定められていてもよく、システム７００は、ウェーハ３０４を成功裏に接地する前に、実質的に任意の数の調整を行ってもよく、このことにより、ウェーハ３０４が無駄にならないことが確保され得る。

【0107】

[0131] 図８は、調整前及び調整後の例示的な接地位置の図である。図８は、図７のサブシステム７０２に設けられたウェーハ３０４の上面図である。図８では、サブシステム７０２は、２つの接地ピン３１２を備え得る。図７に関連して説明した例と同様に、ウェーハ３０４は回転運動において静止状態にあり得る。接地の回転を調整するために、ウェーハ３０４の上昇又は上部７０４の下降などにより、接地ピン３１２が裏面膜３０８から引き離され得る。図８に示すように、ウェーハ３０４が静止状態にあり、上部７０４が回転されるとき、上部７０４は角度差８０８だけ時計回り方向８０２に沿って回転され得る。そのような調整の前に、接地ピン３１２は、黒色の点で示されている第一接地位置８０４において裏面膜３０８に接触し得る。調整後、接地ピン３１２は、円で示されている接地位置８０６において裏面膜３０８に接触し得る。

【0108】

[0132] このような調整を行うことにより、ウェーハ３０４を破棄することなく、接地位置が容易に及び効率的に実行され得、ウェーハ３０４を接地する可能性を好都合にも高めることができ、よって、製造の生産性及び効率を向上させることができる。また、このような接地位置調整設計を用いることにより、接地ピンの数が削減され、これによりウェーハ接地システムの複雑さが低減され得る。更に、角度差の任意の値及び所定の距離の任意の値を設定することにより、接地位置は、必要に応じて任意の精度で任意の回数だけ調整され得る。

【0109】

[0133] 図７及び図８において、いくつかの実施形態では、接地ピン３１２が裏面膜３０８に再び付くときに、接地ピン３１２は、調整前とは異なる圧力で裏面膜３０８に押し当てられ得る。例えば、調整後、接地ピン３１２は、より高い圧力で裏面膜３０８に押し当てられて得る。より高い圧力では、たとえ角度差が０°であっても、接地ピン３１２が裏面膜３０８により深く貫通し得るため、状況によっては、ウェーハ接地サブシステム（例えば、ウェーハ接地サブシステム６０６）にウェーハ３０４を接地させることが可能になり得る。圧力を変えることにより、接地位置を調整するための別の独立した態様が提供され得る。位置調整及び圧力調整は、システム７０２によって単独でも組み合わせによっても使用され得る。

【0110】

[0134] 図９は、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地位置調整の例示的なシステム９００の図である。システム９００は、ウェーハを保持するためのサブシステム６０２と、ウェーハ接地サブシステム６０６と、ウェーハ調整プラットフォーム９０２とを少なくとも備える。サブシステム６０２及び６０６については図６で説明しており、以下ではこれ以上説明しない。ウェーハ調整プラットフォーム９０２は、サブシステム６０８及び７０２とは異なり得るため、以下に詳述する。

【0111】

[0135] いくつかの実施形態では、ウェーハ調整プラットフォーム９０２は、ウェーハ３０４を回転運動又は並進運動させるためのプラットフォームであり得る。例えば、ウェーハ調整プラットフォーム９０２は、コントローラと、センサと、ウェーハ３０４を回転運動又は並進運動させるための少なくとも１つのアクチュエータとを備え得る。いくつかの実施形態では、ウェーハ調整プラットフォーム９０２は、サブシステム６０２とは独立な構成要素として実施され得る。例えば、ウェーハ調整プラットフォーム９０２は、サブシステム６０２と同じ真空チャンバ内の異なる位置に配置され得る。いくつかの実施形態では、接地位置を調整するために、アンローディングアクチュエータ（例えば、ロボットアーム）が、静電ホルダ３０６からウェーハ調整プラットフォーム９０２上にウェーハ３０４を（例えば、吸い上げて上昇させることにより）アンロードし得る。ウェーハ調整プラットフォーム９０２は、ウェーハ３０４をある角度だけ（例えば、角度差だけ）回転させたり、ウェーハ３０４をある距離だけ並進移動させたりし得る。ウェーハ３０４を回転又は並進移動させた後、ローディングアクチュエータ（例えば、ロボットアーム）が、ウェーハ調整プラットフォーム９０２から再び静電ホルダ３０６にウェーハ３０４を（例えば、吸い上げて上昇させることにより）ロードし得、それによって、接地ピン３１２が異なる位置で裏面膜３０８に再び付き得る。システム９００の設計を使用する１つの利点は、システム９００の設計を使用することにより、既存のウェーハステージ（例えば、ウェーハステージ６０４）を置き換えることなく、又は既存のウェーハステージを（例えば、リフタ７０８を追加することにより）実質的に修正することなく、構成要素（ウェーハ調整プラットフォーム９０２）を追加することによって、接地位置調整システムとウェーハステージの既存の設計との互換性を最大化し得ることであり得る。

【0112】

[0136] 図１０及び図１１は、本開示のいくつかの実施形態による、方法１０００～１１００の例示的なフローチャートを示す。方法１０００～１１００は、荷電粒子ビーム装置（例えば、ＥＢＩシステム１００）と結合され得るコントローラによって実行され得る。例えば、コントローラは、図２のコントローラ１０９又は図７のコントローラ７１０であってもよい。コントローラは、方法１０００～１１００を実施するようにプログラムされ得る。

【0113】

[0137] 図１０は、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハの接地位置を調整する例示的な方法を示すフローチャートである。

【0114】

[0138] ステップ１００２において、コントローラは、ウェーハとウェーハに接触している接地ピンとの間の電気的接続を終了する。例えば、ウェーハは、図６～図９のウェーハ３０４であってもよい。接地ピンは、図６～図９の接地ピン３１２のうちの少なくとも１つであってもよい。いくつかの実施形態では、コントローラは、リフタ（例えば、図７のリフタ７０８）を使用して、ウェーハを支持するウェーハマウント（例えば、図６～図９の静電ホルダ３０６）から離れるようにウェーハを上昇させるようにアクチュエータを制御し得る。リフタは、ウェーハの底面（例えば、図６～図９の裏面膜３０８）と接触し、ウェーハマウントの底部（例えば、図７の底部７０６）に固定され得る。いくつかの実施形態では、接地ピンはウェーハマウントの上部（例えば、図７の上部７０４）に固定され得、接地ピンは、ウェーハが上部の上にあるときに、ウェーハの底面に接触し得る。

【0115】

[0139] いくつかの実施形態では、コントローラは、ウェーハと接地ピンとを引き離すために、ウェーハマウント上にあるウェーハの底面から接地ピンを下降させるようにアクチュエータを制御し得る。接地ピンは、図７に示され説明されるように、ウェーハマウントにおいて垂直方向に可動であり得る。コントローラは、ウェーハを垂直方向に静止状態に維持するように制御し得る。例えば、接地ピンは、図７に示され説明されるように、ウェーハマウントを下降又は上昇させることなく、接地ピンを垂直方向に下降及び上昇させ得る独立したアクチュエータに接続され得る。

【0116】

[0140] いくつかの実施形態では、コントローラは、接地ピンとウェーハとを引き離すようにウェーハマウントの上部を下降させるようにアクチュエータを制御し得る。いくつかの実施形態では、接地ピンは、図７に示され説明されるように、ウェーハマウントの上部に固定され得る。ウェーハの底面は、図７に示され説明されるように、ウェーハマウントの底部に固定された（例えば、リフタ７０８が垂直方向に静止状態にされる場合）非可動式支持部に接触し得る。接地ピンは、図７に示され説明されるように、上部が下降されていない場合、ウェーハの底面に接触し得る。

【0117】

[0141] いくつかの実施形態では、コントローラは、図９に示され説明されるように、ウェーハマウントからプラットフォームにウェーハを取り外すようにアクチュエータを制御し得る。いくつかの実施形態では、接地ピンは、図９に示され説明されるように、ウェーハマウントに固定され、ウェーハがウェーハマウントの上にあるときにウェーハに接触し得る。

【0118】

[0142] ステップ１００４において、コントローラは、ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整する。いくつかの実施形態では、相対位置は、相対回転位置、相対並進位置、又はそれらの組み合わせを含み得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、図６～図９に示され説明されるように、ウェーハと接地ピンとの間の相対アジマス角を所定の角度だけ調整するようにアクチュエータを制御し得る。いくつかの実施形態では、所定の角度は、現在の相対アジマス角と目標の相対角度との間の差であり得る。現在の相対アジマス角は、ウェーハと接地ピンとの間にあり得る。目標の相対アジマス角は、ウェーハと接地ピンとの間にあり得る。例えば、所定の角度は、図８の角度差８０８であってもよい。

【0119】

[0143] いくつかの実施形態では、リフタを使用してウェーハマウントから離れるようにウェーハを上昇させること、又はウェーハマウントの上部を下降させることにより、ウェーハが接地ピンから引き離される場合、コントローラは、ウェーハマウントの底部に対してウェーハの上部を所定の角度だけ回転させることによって、相対位置を調整し得る。いくつかの実施形態では、ウェーハの底面から接地ピンを下降させることにより、ウェーハが接地ピンから引き離される場合、コントローラは、接地ピンがウェーハマウントに対して回転運動において可動である場合、ウェーハマウントに対して接地ピンを所定の角度だけ回転させることによって、相対位置を調整し得る。いくつかの実施形態では、ウェーハマウントからプラットフォームにウェーハを取り外すことにより、ウェーハが接地ピンから引き離される場合、コントローラは、プラットフォームにウェーハを所定の角度だけ回転させることによって、相対位置を調整し得る。

【0120】

[0144] いくつかの実施形態では、ウェーハが接地ピンから並進移動により引き離される場合、コントローラは、図７に説明されるように、ウェーハと接地ピンとの間の相対並進距離を所定の距離だけ調整するようにアクチュエータを制御し得る。

【0121】

[0145] ステップ１００６において、コントローラは、接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復する。いくつかの実施形態では、リフタを使用してウェーハマウントから離れるようにウェーハを上昇させることにより、ウェーハが接地ピンから引き離される場合、コントローラは、図７に示され説明されるように、リフタを使用してウェーハマウントの上部上にウェーハを下降させることによって、接地ピンとウェーハとを再び付け得る。いくつかの実施形態では、ウェーハの底面から接地ピンを下降させることにより、ウェーハが接地ピンから引き離される場合、コントローラは、図７に示され説明されるように、ウェーハの底面に接触するように接地ピンを上昇させることによって、接地ピンとウェーハとを再び付け得る。いくつかの実施形態では、ウェーハマウントの上部を下降させることにより、ウェーハが接地ピンから引き離される場合、コントローラは、図７に示され説明されるように、ウェーハマウントの上部を上昇させることによって、接地ピンとウェーハとを再び付け得る。

【0122】

[0146] いくつかの実施形態では、ウェーハマウントからプラットフォームにウェーハを取り外すことにより、ウェーハが接地ピンから引き離される場合、コントローラは、図９に示され説明されるように、プラットフォームからウェーハマウント上にウェーハを移動させることによって、接地ピンとウェーハとを再び付け得る。

【0123】

[0147] いくつかの実施形態では、コントローラが接地ピンとウェーハとを再び付けるように信号を送る場合、接地ピンは、ウェーハと接地ピンとを引き離す前の接地ピンと底面との間の圧力とは異なる圧力で、ウェーハの底面に接触し得る。いくつかの実施形態では、接地ピンは、図８に示すように、ウェーハと接地ピンとを引き離す前に接地ピンが底面に接触する位置とは異なる位置で、ウェーハの底面に接触し得る。いくつかの実施形態では、接地ピンは、同じ相対位置でウェーハの底面に接触し得る。

【0124】

[0148] いくつかの実施形態では、ステップ１００２～１００６は、ウェーハが成功裏に接地されるまで繰り返され得る。

【0125】

[0149] 図１１は、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハの接地位置を調整するための別の例示的な方法１１００を示すフローチャートである。方法１１００はステップ１１０２～１１０８を含む。コントローラは、ステップ１００２～１００６とそれぞれ同様にステップ１１０２～１１０６を実行し得る。

【0126】

[0150] ステップ１１０８において、別のコントローラ（例えば、図３のコントローラ３２２、又は図６及び図９のサブシステム６０６のコントローラ）が、ウェーハを接地するための電気経路が形成される（又は、実質的に開いている）か否かを決定し得る。電気経路が形成されない（又は実質的に開いている）場合、コントローラは、ステップ１１０２～１１０６に戻って実行してもよい。電気経路が形成される（又は閉じている）場合、ウェーハが成功裏に接地したと決定され得、コントローラは、方法１１００を実行することを停止し得る。本開示では、電気経路のインピーダンス（例えば、抵抗）が所定の閾値以上である場合、電気経路は「実質的に開いている」とみなす。インピーダンスが所定の閾値以上である場合に、コントローラは、電気経路が開いていると決定し得る。いくつかの実施形態では、所定の閾値は、１００，０００オームの抵抗値を含み得る。

【0127】

[0151] 本開示はまた、接地ピンを調整するために振動子を使用してウェーハを接地するための方法及びシステムを提供する。いくつかの実施形態では、振動子は、ウェーハ接地のために、電気ザッピング法、貫通法、又はその両方をサポートするシステムで使用され得る。図１２は、本開示のいくつかの実施形態による、例示的なマルチピンウェーハ接地システム１２００の図である。システム１２００は、システム４００と同様であり、ウェーハ３０４と、静電ホルダ３０６と、裏面膜３０８と、電極３１０と、複数の接地ピン３１２と、接地ピン３１２に結合された（例えば、固定された）複数の振動子１２０２とを備える。いくつかの実施形態では、接地ピン３１２のそれぞれが、単一の振動子と結合され得る。いくつかの実施形態では、振動子１２０２のそれぞれが２つ以上の接地ピンに結合され得る、又は各接地ピンが２つ以上の振動子１２０２に結合され得る。振動子は、任意の数の次元（例えば、１Ｄ、２Ｄ、又は３Ｄ）の任意の方向（例えば、水平方向、垂直方向、環状、楕円状、又は任意の方向）に沿って接地ピン３１２を振動させ得る。いくつかの実施形態では、振動子１２０２は、接地ピン３１２のアクチュエータ（例えば、リフタ７０８）と一体化され得る。いくつかの実施形態では、振動子１２０２は、ピエゾアクチュエータを含み得る。

【0128】

[0152] いくつかの実施形態では、振動子１２０２は、電源から電力を供給され得る。例えば、電源は、電気信号発生器３１４と同じであってもよいし異なっていてもよい。コントローラ３２２は、電源の出力を制御し得る。例えば、コントローラ３２２は、振動子１２０２を駆動して振動させるために、出力が任意の形状の電気信号又はパルスとなるように出力を制御し得る。

【0129】

[0153] いくつかの実施形態では、コントローラ３２２は、ウェーハ接地のために振動子１２０２の振動を制御し得る。例えば、貫通法を使用するシステムでは、接地ピン３１２は、初期接地位置において裏面膜３０８を貫通し、ウェーハ３０４と直接接触し得る。ウェーハ３０４と接地ピン３１２との間に接地信号が流れるように電気経路が形成されない（例えば、１つ若しくは複数の接地ピン３１２が裏面膜３０８に完全に貫通し損なった、又は接地ピン３１２に汚染粒子が堆積している）場合、コントローラ３２２は、振動子１２０２又はウェーハ３０４を制御して振動させて、接地ピン３１２が、ウェーハ３０４とよりよく接触するようにしたり、接地ピン３１２上に堆積した粒子を振り落とすようにしたりなどし得る。別の例として、電気ザッピング法を使用するシステムでは、接地ピン３１２の接地位置を調整するためにアクチュエータ（例えば、リフタ７０８又は上部７０８）を使用することの他、振動子１２０２は、同じ又は調整された接地位置でより良い接地を実現するために、別の次元の制御を提供し得る。振動子１２０２を設けることにより、ウェーハ接地システムが、ウェーハ接地に貫通法と電気ザッピング法との両方を使用することが可能になり得ることに留意されたい。換言すれば、振動子１２０２を備えたウェーハ接地システムは、（貫通法を使用する）機械的モードと（電気ザッピング法を使用する）電気的モードの２つのウェーハ接地「モード」を有し得る。

【0130】

[0154] いくつかの実施形態では、ウェーハ３０４が静止状態にあるとき、コントローラ３２２は、振動子１２０２を制御して振動させ得る。例えば、振動子１２０２が図７の上部７０８に固定されている場合、又は上部７０８が接地ピン３１２のための振動子として機能する場合、コントローラ３２２は、上部７０８を制御して振動させ得る。別の例として、振動子１２０２が上部７０４とは独立である場合、コントローラ３２２は、振動子１２０２を制御して、上部７０８の動きとは独立に振動させ得る。いくつかの実施形態では、ウェーハ３０４が静止状態にはないとき、コントローラ３２２は、ウェーハ３０４を制御して振動させ得る。例えば、コントローラ３２２は、電極３１０を制御して振動させることにより、ウェーハ３０４を振動させ得る。振動子１２０２は、本明細書に開示されているような例に限定されるものではなく、接地ピン３１２をウェーハ３０４に対して振動させるための任意の適切な方法で実施され得ることに留意されたい。

【0131】

[0155] いくつかの実施形態では、コントローラ３２２は、振動子１２０２を制御して周期的に振動させ得る。いくつかの実施形態では、コントローラ３２２は、振動子１２０２を制御して、ウェーハ３０４と接地ピン３１２との間で電気的接続が失敗したことを検出したときなど、「必要に応じて」振動させ得る。

【0132】

[0156] 図１３は、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的な方法１３００を示すフローチャートである。方法１３００は、荷電粒子ビーム装置（例えば、ＥＢＩシステム１００）と結合され得るコントローラによって実行され得る。例えば、コントローラは、図３のコントローラ３２２又は図７のコントローラ７１０であってもよい。コントローラは、方法１３００を実施するようにプログラムされ得る。

【0133】

[0157] ステップ１３０２において、コントローラは、ウェーハに接地ピンを接触させる。コントローラは、ステップ１００２又は１１０２と同様にステップ１３０２を実行し得る。いくつかの実施形態では、ステップ１３０２を実行する前に、コントローラは、ウェーハを接地するための電気経路が形成されているか否かを決定し得る。電気経路が形成されない場合、コントローラは、ステップ１３０２を実行し得る。

【0134】

[0158] ステップ１３０４において、コントローラは、接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させる。いくつかの実施形態では、コントローラは、接地ピン（例えば、図１２の接地ピン３１２）と、ウェーハを支持するウェーハマウントの上部（例えば、上部７０４）とに結合された振動子を振動させ得る。いくつかの実施形態では、振動子は上部であり得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、ウェーハホルダ（例えば、静電ホルダ３０６又は電極３１０）を振動させ得、このときウェーハホルダは、ウェーハマウント上にウェーハを固定している。いくつかの実施形態では、コントローラは、ウェーハの表面に垂直な方向又は表面に平行な方向のうちの少なくとも一方に沿って、接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させ得る。例えば、図１２に示すように、コントローラは、水平方向、垂直方向、円周方向、又は３Ｄ方向に沿って、接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させ得る。

【0135】

[0159] ステップ１３０６において、コントローラは、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立する。コントローラは、ステップ１００６又は１１０６と同様にステップ１３０６を実行し得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、貫通法を使用して電気的接続を回復し得る。例えば、コントローラは、ウェーハと直接接触するように、表面のコーティング（例えば、裏面膜３０８）を介してウェーハの表面に接地ピンを押し当て得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、電気ザッピング法を使用して電気的接続を回復し得る。例えば、コントローラは、表面のコーティング（例えば、裏面膜３０８）を介してウェーハの表面に接地ピンを押し当てることができ、このとき接地ピンは、コーティングを完全に貫通しない。

【0136】

[0160] いくつかの実施形態では、ステップ１３０６の後、別のコントローラ（例えば、図３のコントローラ３２２、又は図６及び図９のサブシステム６０６のコントローラ）が、ウェーハを接地するための電気経路が形成される（又は、実質的に開いている）か否かを決定し得る。電気経路が形成されない（又は実質的に開いている）場合、コントローラは、ステップ１３０２～１３０６に戻って実行してもよい。電気経路が形成される場合、ウェーハが成功裏に接地したと決定され得、コントローラは、方法１３００を実行することを停止し得る。

【0137】

[0161] 本開示はまた、厚膜化裏面膜を備えたウェーハを接地するための方法及びシステムを提供する。いくつかの実施形態では、高度に複雑な構造体がウェーハ上に製造される。このような複雑な構造体は、多数の層を備え得る。例えば、複雑な構造体としては、ＮＡＮＤフラッシュメモリ回路など、１つ又は複数のＮＯＴ－ＡＮＤ（「ＮＡＮＤ」）ゲートを備える三次元回路が挙げられる。他の構造体と比べて、多層複合構造体は、ウェーハの表面に高い張力を生じさせることがあり、これにより、ウェーハにワープ又はボウが生じ得る。ボウの生じたウェーハは、ウェーハの部分が一次電子ビーム（例えば、図２の一次電子ビーム２２０）の焦点面から外れるなど、検査プロセスに問題を生じ得る。それらの問題は、検査画像の品質劣化（例えば、焦点ずれ、ブラーリング、ディストーションなど）の原因となり得る。

【0138】

[0162] このような複雑な構造体に起因してウェーハにワープ又はボウを生じるのを避けるために、いくつかの実施形態では、ウェーハは、機械的強度を高めるために厚膜化裏面膜でコーティングされ得る。例えば、通常の場合、裏面膜の厚さは０．１～０．３μｍであり得る。ウェーハにワープ又はボウが生じるのを避けるためには、裏面膜の厚さは（例えば、１．４～２．２μｍに）厚くされ得る。しかしながら、厚膜化裏面膜は、電気ザッピング法も貫通法もウェーハ接地に成功裏に機能しない程に厚すぎることがある。例えば、厚膜化裏面膜は、電気ザッピング法では絶縁破壊が突破できないほどの厚さになり得る。別の例では、厚膜化裏面膜は、貫通法において接地ピンが押し当てられて貫通できないほどの厚さになり得る。

【0139】

[0163] 厚膜化裏面膜を備えたウェーハを接地するためには、「ピン衝突法」が使用され得る。図１４Ａ～図１４Ｄは、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的なシステム１４００の動作段階を示す。システム１４００はピン衝突法を実施し得る。システム１４００は、ウェーハ接地のための任意のシステム（例えば、図３、図６、図７、又は図９のシステム３００、６００、７００、又は９００）のサブシステムであり得る。図１４Ａ～図１４Ｄでは、１つの接地ピンしか示されていないが、任意の単一ピンシステム（例えば、図３のサブシステム３０２）又はマルチピンシステム（例えば、図４のシステム４００、図６及び図７並びに図９のサブシステム６０２若しくは７０２、又は図１２のシステム１２００）が、ピン衝突法を互換的に実施するように構成され得ることに留意されたい。例えば、マルチピンシステムでは、ピン衝突法は、その複数の接地ピンのうちの１つ又は複数において互換的に実施され得る。

【0140】

[0164] 図１４Ａ～図１４Ｄでは、システム１４００は、ウェーハ３０４と、裏面膜１４０２と、接地ピン３１２と、アクチュエータ（図示せず）とを備える。裏面膜１４０２は、図３及び図４、図６及び図７、図９、並びに図１２の裏面膜３０８と同様であり得る。いくつかの実施形態では、裏面膜１４０２は厚膜化され得る。例えば、裏面膜１４０２の厚さは、０．３μｍを超えてもよい（例えば、１．４～２．２μｍ）。いくつかの実施形態では、アクチュエータは、ウェーハを支持するウェーハステージ（例えば、図６又は図９のウェーハステージ６０４）に結合され得る。例えば、アクチュエータは、ウェーハステージの一部分（例えば、図７の上部７０４）に結合され得る。いくつかの実施形態では、アクチュエータは、電気式アクチュエータ（例えば、電気モータなどの電気機械式アクチュエータ、又は油圧式アキュムレータを含む電気油圧式アクチュエータ）、磁気式アクチュエータ（例えば、電気モータ）、ばね（例えば、コイル状のばね又はコイル状のポリマー）、空気圧式アクチュエータ、又は油圧式アクチュエータのうちの１つを含み得る。

【0141】

[0165] 図１４Ａは、システム１４００の初期段階を示し、初期段階では、接地ピン３１２が、裏面膜１４０２に接触するように（例えば、図３のコントローラ３２２又は図７のコントローラ７１０によって）制御され得る。例えば、初期段階のアクチュエータは動作しないようにされ得る。換言すれば、接地ピン３１２は初期段階ではデフォルト位置にあり得る。初期段階では、デフォルト位置によって接地ピン３１２が裏面膜１４０２に接触させられる。このような初期段階の構成は、厚膜化裏面膜を持たないウェーハを接地するためのシステム１４００の互換性を確保し得る。例えば、厚膜化裏面膜を持たないウェーハがシステム１４００に配置される場合、図１４Ａに示すように初期段階を設定することにより、システム１４００は、ピン衝突法を持ち出すことなく、ウェーハ接地のための他の方法（例えば、図５、図１０、図１１、又は図１３の方法５００、１０００、１１００、又は１３００）を実行し得る。

【0142】

[0166] 図１４Ｂは、ピン衝突法を実施するシステム１４００の第一段階を示しており、第一段階では、接地ピン３１２がある距離だけ裏面膜１４０２から（矢印で示すように）離れるように移動される。いくつかの実施形態では、アクチュエータは、裏面膜１４０２から離れるように接地ピン３１２を移動させ得る。いくつかの実施形態では、接地ピン３１２は、接地ピン３１２（例えば、接地ピン３１２の先端から測定）と裏面膜１４０２との間の距離が１００ミクロンを超え得るように、裏面膜１４０２から離れるように移動され得る。例えば、距離は１ミリメートルを超えてもよい。いくつかの実施形態では、裏面膜１４０２から離れるように接地ピン３１２を移動させることにより、接地ピン３１２は、以下に説明するように、加速のための十分な空間を有し得る。

【0143】

[0167] 図１４Ｃは、ピン衝突法を実施するシステム１４００の第二段階を示しており、第二段階では、アクチュエータ（図示せず）は、裏面膜１４０２に向かって（矢印で示すように）接地ピン３１２を作動（例えば、加速）させ得る。いくつかの実施形態では、加速は、接地ピン３１２が裏面膜１４０２に衝突する前に終了し得る。いくつかの実施形態では、アクチュエータは、裏面膜１４０２に衝突する前に、接地ピン３１２の運動エネルギーが、例えば、０．０００２ジュールを超え得るように（例えば、接地ピン３１２の最大移動距離が３ミリメートルのとき）、接地ピン３１２を作動させ得る。裏面膜１４０２に衝突する前の接地ピンの運動エネルギーは、アクチュエータによる作動下でのその移動距離に依存し得、上記の例に限定されるものではないことに留意されたい。

【0144】

[0168] 図１４Ｄは、ピン衝突法を実施するシステム１４００の最終段階を示しており、最終段階では、図１４Ｃで説明したように第二段階で得られた運動エネルギーに起因する衝突によって接地ピン３１２が裏面膜１４０２を貫通する。いくつかの実施形態では、接地ピン３１２は、裏面膜１４０２を完全に貫通し、穴を開けることなくウェーハ３０４と直接接触し得る。このような場合、接地ピン３１２とウェーハ３０４との間の電気的接続は、ウェーハ接地の貫通法を用いてウェーハ３０４を接地するために確立され得る。いくつかの実施形態では、接地ピン３１２は、接地ピン３１２の先端とウェーハ３０４の表面（例えば、導電性表面）との間の距離が０．３ミクロン以下であり得るように、裏面膜１４０２を完全には貫通しないこともある。このような場合、接地ピン３１２とウェーハ３０４との間の電気的接続は、ウェーハ接地の電気ザッピング法を用いてウェーハ３０４を接地するために確立され得る。

【0145】

[0169] 上述したようなピン衝突法のいくつかの実施形態では、接地ピン３１２の運動エネルギーは、図１４Ｂに記載されているような接地ピン３１２と裏面膜１４０２との間の距離に依存し得る。例えば、アクチュエータがばねベースのアクチュエータである場合、接地ピン３１２は、アクチュエータのばねを圧縮するように裏面膜１４０２から引き離され得る。接地ピン３１２と裏面膜１４０２との間の距離が大きいほど、ばねを圧縮することによって接地ピン３１２が得ることができる弾性エネルギーが大きくなる。接地ピン３１２が得た弾性エネルギーによって、図１４Ｃで説明したように、第二段階で得た運動エネルギーが決まり得る。別の例では、アクチュエータが電気式アクチュエータである場合、接地ピン３１２と裏面膜１４０２との間の距離によって、図１４Ｃで説明したように、第二段階において電気式アクチュエータが接地ピン３１２に対して働くことができるようにする空間が決まり得る。特定のタイプのアクチュエータでは、異なるタイプのウェーハ、異なるタイプの裏面膜、及び異なる厚さの裏面膜１４０２が、図１４Ｂで説明したように、第一段階で距離を決め得る。

【0146】

[0170] いくつかの実施形態では、距離は、ウェーハのタイプ、裏面膜のタイプ、又は裏面膜の厚さのうちの少なくとも１つに基づいて、（例えば、図３のコントローラ３２２又は図７のコントローラ７１０によって）決定され得る。例えば、特定の厚さを有する特定のタイプの裏面膜を備えた特定のタイプのウェーハについて、接地プロセスとは別に実験が実施されてもよく、実験では、穴あけなしで接地ピン３１２とウェーハ３０４との間の直接接触を確保する距離、又は接地ピン３１２とウェーハ３０４との間の絶縁破壊を確保する距離など、対応する距離が取得されてもよい。ウェーハタイプ情報は、システム１４００を含むウェーハ接地システム（例えば、図３に示すようなウェーハタイプ３３２を記憶するデータベース）に記憶されてもよく、対応する距離もウェーハ接地システム（例えば、図３に示すような目標値３２８も記憶するデータベース）に記憶されてもよい。第二段階を実行するとき、システム１４００は、裏面膜１４０２から離れるように接地ピン３１２を移動させる前に、ウェーハタイプ情報を決定し、対応する距離を取得し得る。

【0147】

[0171] いくつかの実施形態では、システム１４００は、電気的接続から（例えば、図３のセンサ３１６によって）決定された電気的特性（例えば、図３の電気的特性３２０）に基づいて距離を最適化し得る。例えば、接地ピン３１２が裏面膜１４０２に衝突するが、電気的接続が確立できない場合、又は電気的接続の品質がウェーハ接地のニーズを満たすことができない場合、システム１４００は、電気的接続から決定された電気的特性に基づいて、裏面膜１４０２から離れるように接地ピン３１２を移動させるための新しい距離を決定し、図１４Ｂ及び図１４Ｃで説明したようなピン衝突法を繰り返し得る。いくつかの実施形態では、ピン衝突法を繰り返すとき、システム１４００はまた、距離の他に、アクチュエータによって接地ピン３１２に印加される目標運動エネルギーなどの他のパラメータを最適化し得る。

【0148】

[0172] いくつかの実施形態では、電気的接続が図１４Ｄに記載されているように最終段階において確立できない場合、システム１４００を含むウェーハ接地システムは、ピン衝突法が実施されるウェーハ上の位置を調整し得る。例えば、位置は、図６～図１１で説明したような方法で調整され得る。

【0149】

[0173] 図１５Ａ～図１５Ｄは、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的なシステム１５００の動作段階を示す。システム１５００はピン衝突法を実施し得る。システム１５００は、ウェーハ接地のための任意のシステム（例えば、図３、図６、図７、又は図９のシステム３００、６００、７００、又は９００）のサブシステムであり得る。図１５Ａ～図１５Ｄでは、１つの接地ピンしか示されていないが、任意の単一ピンシステム（例えば、図３のサブシステム３０２）又はマルチピンシステム（例えば、図４のシステム４００、図６及び図７並びに図９のサブシステム６０２若しくは７０２、又は図１２のシステム１２００）が、ピン衝突法を互換的に実施するように構成され得ることに留意されたい。例えば、マルチピンシステムでは、ピン衝突法は、その複数の接地ピンのうちの１つ又は複数において互換的に実施され得る。

【0150】

[0174] 図１５Ａ～図１５Ｄでは、システム１５００は、ウェーハ３０４と、裏面膜１４０２と、接地ピン３１２と、マスブロック１５０２と、アクチュエータ（図示せず）とを備える。システム１５００のアクチュエータは、図１４Ａ～図１４Ｄにおいて説明されたシステム１４００のアクチュエータと同様であり得る。マスブロック１５０２は、質量を有する固体の物体であり得る。いくつかの実施形態では、マスブロック１５０２は、ハンマー又はラムであり得る。

【0151】

[0175] 図１５Ａは、システム１５００の初期段階を示し、初期段階では、接地ピン３１２が、裏面膜１４０２に接触するように（例えば、図３のコントローラ３２２又は図７のコントローラ７１０によって）制御され得る。また、マスブロック１５０２が、接地ピン３１２に接触するように制御され得る。システム１４００の初期段階と同様に、このような構成は、厚膜化裏面膜を持たないウェーハを接地するためのシステム１５００の互換性を確保し得る。

【0152】

[0176] 図１５Ｂは、ピン衝突法を実施するシステム１５００の第一段階を示しており、第一段階では、マスブロック１５０２がある距離だけ接地ピン３１２から（矢印で示すように）離れるように移動される。いくつかの実施形態では、アクチュエータは、裏面膜１４０２から離れるようにマスブロック１５０２を移動させ得る。いくつかの実施形態では、マスブロック１５０２は、マスブロック１５０２（例えば、マスブロック１５０２の上面から測定）と接地ピン３１２との間の距離が１００ミクロンを超え得るように、接地ピン３１２から離れるように移動され得る。例えば、距離は１ミリメートルを超えてもよい。いくつかの実施形態では、接地ピン３１２から離れるようにマスブロック１５０２を移動させることにより、マスブロック１５０２は、以下に説明するように、加速のための十分な空間を有し得る。

【0153】

[0177] 図１５Ｃは、ピン衝突法を実施するシステム１５００の第二段階を示しており、第二段階では、アクチュエータ（図示せず）は、接地ピン３１２に向かって（矢印で示すように）マスブロック１５０２を作動（例えば、加速）させ得る。いくつかの実施形態では、加速は、マスブロック１５０２が接地ピン３１２に衝突する前に終了し得る。いくつかの実施形態では、アクチュエータは、マスブロック１５０２の運動エネルギーが、接地ピン３１２に衝突する又は打撃を与える前に、例えば、０．０００２ジュールを超えるように、マスブロック１５０２を作動させ得る。

【0154】

[0178] 図１５Ｄは、ピン衝突法を実施するシステム１５００の最終段階を示しており、最終段階では、マスブロック１５０２によって接地ピン３１２に与えられた力に起因する衝突によって接地ピン３１２が裏面膜１４０２を貫通する。システム１４００の最終段階と同様に、システム１５００の最終段階では、接地ピン３１２が裏面膜１４０２に完全又は不完全に貫通し得、接地ピン３１２とウェーハ３０４との間の電気的接続は、貫通法又は電気ザッピング法をそれぞれ使用してウェーハ３０４を接地するために確立され得る。

【0155】

[0179] 図１５Ａ～図１５Ｄに記載されているようなピン衝突法のいくつかの実施形態では、マスブロック１５０２が接地ピン３１２に当たるときの運動エネルギーは、図１５Ｂで説明したようなマスブロック１５０２と接地ピン３１２との間の距離に依存し得る。図１５Ｃで得られるマスブロック１５０２の運動エネルギーと、図１５Ｂのマスブロック１５０２と接地ピン３１２との間の距離との関係は、図１４Ｃで得られる接地ピン３１２の運動エネルギーと、図１４Ｂの接地ピン３１２と裏面膜１４０２との間の距離との関係と同様であり得、このことは以下では繰り返さない。また、いくつかの実施形態では、図１４Ａ～図１４Ｄで説明したのと同様に図１５Ｂにおける距離は、ウェーハのタイプ、ウェーハのコーティングのタイプ、又はコーティングの厚さのうちの少なくとも１つに基づいて決定され得、このことは以下では繰り返さない。いくつかの実施形態では、システム１５００は、電気的接続から（例えば、図３のセンサ３１６によって）決定された電気的特性（例えば、図３の電気的特性３２０）に基づいて距離を最適化し得る、又は図１４Ａ～図１４Ｃで説明したのと同様にピン衝突法が実施されるウェーハ上の位置を調整し得、このことは以下では繰り返さない。

【0156】

[0180] 図１４Ａ～図１４Ｂで説明したピン衝突法と比較して、図１５Ａ～図１５Ｂで説明したピン衝突法は、システム１５００を設計するのにより高い自由度を有し得る。例えば、マスブロック１５０２の材料及び質量の選択にはより多くの自由度があり得る。図１５Ａ～図１５Ｂで説明したピン衝突法と比較して、図１４Ａ～図１４Ｂで説明したピン衝突法は、よりわかりやすく、実施に必要な構成要素が少なくなり得る。

【0157】

[0181] 図１６は、本開示のいくつかの実施形態による、ウェーハ接地のための例示的な方法１６００を示すフローチャートである。方法１６００は、荷電粒子ビーム装置（例えば、ＥＢＩシステム１００）と結合され得るコントローラによって実行され得る。例えば、コントローラは、図３のコントローラ３２２又は図７のコントローラ７１０であってもよい。コントローラは、方法１６００を実施するようにプログラムされ得る。

【0158】

[0182] ステップ１６０２において、コントローラは、ウェーハ（例えば、図１４Ａ～図１４Ｄ又は図１５Ａ～図１５Ｄのウェーハ３０４）に接地ピン（例えば、図１４Ａ～図１４Ｄ又は図１５Ａ～図１５Ｄの接地ピン３１２）を衝突させる。ステップ１６０４において、コントローラは、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立する。

【0159】

[0183] ステップ１６０２のいくつかの実施形態では、コントローラは、衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティング（例えば、図１４Ａ～図１４Ｄ又は図１５Ａ～図１５Ｄの裏面膜１４０２）を貫通させ得る。例えば、コーティングは、０．３ミクロンを超える厚さを有し得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、ウェーハと直接接触するために、衝突を介して接地ピンにコーティングを貫通させ得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、衝突を介して接地ピンにコーティングを貫通させることができ、このとき接地ピンは、コーティングを完全に貫通しない。例えば、接地ピンがコーティングを完全に貫通しない場合、接地ピンが衝撃によってコーティングを貫通した後の接地ピンの先端とウェーハの表面との間の距離が、０．３ミクロン以下であり得る。前述の距離が０．３ミクロン以下の場合など、いくつかの実施形態では、ウェーハは、依然として電気ザッピング法によって接地され得る。

【0160】

[0184] ステップ１６０２のいくつかの実施形態では、コントローラは、接地ピンの運動エネルギーが、例えば、０．０００２ジュールを超えるように、（例えば、図１４Ａ～図１４Ｄで説明されるようなアクチュエータを使用して）ウェーハに向けて接地ピンを作動させ得る。いくつかの実施形態では、ウェーハに向けて接地ピンを作動させる場合、コントローラは、（例えば、図１４Ｂに示され説明されるように）ある距離だけウェーハから離れるように接地ピンを移動させることと、（例えば、図１４Ｃに示され説明されるように）ウェーハに向けて接地ピンを加速させることとを制御し得る。いくつかの実施形態では、距離は１００ミクロンを超えてもよい。例えば、距離は１ミリメートルを超えてもよい。いくつかの実施形態では、コントローラは、（例えば、図１４Ａ～図１４Ｄで説明したように）ウェーハのタイプ、ウェーハのコーティングのタイプ、又はコーティングの厚さのうちの少なくとも１つに基づいて、距離を決定し得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、図１４Ａに示すように、ウェーハから離れるように接地ピンを移動させる前に、ウェーハに接地ピンを接触させ得る。

【0161】

[0185] ステップ１６０２のいくつかの実施形態では、コントローラは、ウェーハに向かう接地ピンにマスブロック（例えば、図１５Ａ～図１５Ｄのマスブロック１５０２）を衝突させ得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、マスブロックの運動エネルギーが、例えば、０．０００２ジュールを超えるように、（例えば、図１５Ａ～図１５Ｄで説明されるようなアクチュエータを使用して）接地ピンに向けてマスブロックを作動させ得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、（例えば、図１５Ｂに示され説明されるように）ある距離だけ接地ピンから離れるようにマスブロックを移動させることと、（例えば、図１５Ｃに示され説明されるように）接地ピンに向けてマスブロックを加速させることとを制御し得る。いくつかの実施形態では、距離は１００ミクロンを超えてもよい。例えば、距離は１ミリメートルを超えてもよい。いくつかの実施形態では、コントローラは、（例えば、図１５Ａ～図１５Ｄで説明したように）ウェーハのタイプ、ウェーハのコーティングのタイプ、又はコーティングの厚さのうちの少なくとも１つに基づいて、距離を決定し得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、図１５Ａに示すように、接地ピンから離れるようにマスブロックを移動させる前に、接地ピンにマスブロックを接触させ得る。いくつかの実施形態では、接地ピンから離れるようにマスブロックを移動させる前に接地ピンにマスブロックを接触させることの他に、コントローラは、図１５Ａに示すように、接地ピンにウェーハを更に接触させ得る。

【0162】

[0186] 例として、図１７は、本開示のいくつかの実施形態による、静電ホルダの電極と接地ピンとの間で電圧差が瞬時に発生する例示的なウェーハ接地システム１７００の図である。いくつかの実施形態では、システム１７００は、図３のシステム３００、図４のシステム４００、図６のシステム６００、図７のシステム７００、図９のシステム９００、図１２のシステム１２００、図１４Ａ～図１４Ｄのシステム１４００、又は図１５Ａ～図１５Ｄのシステム１５００と同じ構成要素、より多くの構成要素、又はより少ない構成要素を備え得る。図１７では、システム１７００は、ウェーハ３０４と、静電ホルダ３０６と、（接地ピン３１２を含む）１つ又は複数の接地ピンと、（第一電極１７０２及び第二電極１７０４を含む）複数の電極と、第一電極１７０２に接続された第一ワイヤリング１７０６と、第二電極１７０４に接続された第二ワイヤリング１７０８と、接地ピン３１２に接続された接地ワイヤリング１７１０と、接地ワイヤリング１７１０に接続された接地電源１７１２と、第一ワイヤリング１７０６及び第二ワイヤリング１７０８に接続された電圧源１７１４とを備える。

【0163】

[0187] 例えば、第一電極１７０２は、第一ワイヤリング１７０６を介して電圧源１７１４によって供給された（第一電極１７０２の内側に正の符号「＋」で表されている）正のクランプ電圧を帯びることができ、第二電極１７０４は、第二ワイヤリング１７０８を介して電圧源１７１４によって供給された（第二電極１７０４の内側に負の符号「－」で表されている）負のクランプ電圧を帯びることができる。本明細書に記載される「ワイヤリング」又は「ケーブリング」は、任意の数のワイヤ、ケーブル、コード、インターフェイス、コネクタ、導体、絶縁体、半導体、又は電気分配のための任意の構成要素を含み得る。図１７に示すように、第一電極１７０２及び第二電極１７０４は、静電ホルダ３０６の上面の下に備えられ得る。静電ホルダ３０６は、ウェーハ３０４と第一電極１７０２及び第二電極１７０４との間に、非導電性の誘電体材料を備え得る。図１７では１つの接地ピン及び２つの電極しか示されていないが、システム１７００は、任意の数の接地ピン及び電極を備え得ることに留意されたい。

【0164】

[0188] システム１７００の動作中、接地ピン３１２は、図１７に示すように、接地信号を供給するためにウェーハ３０４に電気的に接続され得る。例えば、接地ピン３１２は、本明細書に記載される貫通法などを介して、ウェーハ３０４の裏面膜（図１７には示さず）を貫通した後、ウェーハ３０４に物理的に接触し得る。別の例として、接地ピン３１２は、本明細書に記載される電気ザッピング法などを介して、絶縁破壊を介してウェーハ３０４に導電的に接続し得る。接地電源１７１２は、接地ワイヤリング１７１０及び接地ピン３１２を介してウェーハ３０４に接地信号及びウェーハバイアス電位（例えば、負の電位）を供給し得る。例えば、接地電源１７１２は、図３のシステム３００における電気信号発生器３１４の機能を含み得る。接地電源１７１２は、電圧源１７１４とは異なるデバイスであり得る。

【0165】

[0189] システム１７００の動作中に、静電ホルダ３０６の電極は、静電ホルダ３０６の上面上にウェーハ３０４を固定するためのクランプ電圧を供給され得る。クランプ電圧は、ウェーハ３０４に供給された電位の上に浮遊電圧だけ浮き得る。例えば、浮遊電圧は３００ボルトであり得、その場合、第一電極１７０２は３０キロボルト＋３００ボルトの正のクランプ電圧を供給され得、第二電極１７０４は３０キロボルト－３００ボルトの負のクランプ電圧を供給され得る。本開示のいくつかの実施形態と同様に、図１７に示すように、第一電極１７０２及び第二電極１７０４は、それぞれ正のクランプ電圧及び負のクランプ電圧を供給され得る。クランプ電圧に応じて、ウェーハ３０４の底面において反対の電荷が形成され得る（ウェーハ３０４の内側の正の符号「＋」及び負の符号「－」で表される）。第一電極１７０２のクランプ電圧の絶対値と第二電極１７０４のクランプ電圧の絶対値とが等しい場合、ウェーハ３０４の底面において発生した反対の電荷は、ウェーハ３０４が帯びる総電荷に影響しない。例えば、ウェーハ３０４は、（例えば、３０キロボルトの電位で）バイアスされ、電気的中性を維持し得る（例えば、ゼロの総電荷を帯びる）一方で、ウェーハ３０４内部の電荷分布は、図１７に示すように分極され得る。ウェーハ３０４の底面で形成された反対の電荷は、対応する電極に引き付けられ得、ウェーハ３０４は静電ホルダ３０６の上面に固定され得る。

【0166】

[0190] 場合によっては、電気アーク放電が電極の回路に発生し得る。例えば、図１７に示すように、アーク放電１７１６が第一ワイヤリング１７０６に発生し得、これにより、ウェーハ３０４と静電ホルダ３０６の電極（例えば、第一電極１７０２）との間に電圧差（例えば、１０キロボルト）が瞬時に形成され得る。電圧差は、クランプ電圧を著しく乱す一方で、ウェーハ３０４に供給されるバイアス電位（例えば、３０キロボルト）は影響を受け得ない。例えば、第一電極１７０２のクランプ電圧が３０キロボルト＋３００ボルトから２０キロボルト＋３００ボルトに降下し得る。別の例として、第二ワイヤリング１７０８（図１７には示さず）にアーク放電が発生する場合、第二電極１７０４のクランプ電圧もまた電圧差によって変化し得る。このような瞬時に形成される電圧差は、ウェーハ３０４と静電ホルダ３０６の電極（例えば、第一電極１７０２及び第二電極１７０４）との間に強い電場を発生させ得る。強い電場は、静電ホルダ３０６の上面に対して、ウェーハ３０４の電荷を引き付けたり、跳ね返したりし得る。引き寄せられた電荷又は跳ね返された電荷は、ウェーハ３０４又は静電ホルダ３０６上に残留電荷を更に形成し得る。

【0167】

[0191] 本開示は、基板と静電ホルダとの間に瞬時に形成された電圧差に起因する残留電荷の形成を防止するための装置及びシステムを提供する。本開示のいくつかの実施形態と同様に、本装置又はシステムは、接地ピンと、静電ホルダの内側に電極を備える静電ホルダと、接地ピンと電極との間に電気的に結合された（例えば、導電的に接続された）過電圧保護デバイスとを備え得る。過電圧保護デバイスは、過電圧保護デバイスに印加される電圧が閾値電圧を超える場合に電気を通し、閾値電圧を超えない場合に電気を通さないように構成され得る。いくつかの実施形態では、過電圧保護デバイスは、複数の方向に電気を伝導することを可能にし得る。いくつかの実施形態では、閾値電圧は、過電圧保護デバイスの電気的特性（例えば、パラメータ）であり得る。いくつかの実施形態では、閾値電圧は調節可能（例えば、本装置及びシステムの異なるアプリケーションに応じて任意の値を有するように構成可能）であり得る。

【0168】

[0192] いくつかの実施形態では、過電圧保護デバイスは、過渡電圧抑制（ＴＶＳ）ダイオード、ツェナーダイオード、バリスタ（又は「電圧依存抵抗器」と呼ばれる）、若しくは交流用シリコンダイオード（ＳＩＤＡＣ）、又は過電圧下で導電性になり、過電圧がなくなるとリセットされて非導電性になる任意のアクティブクローバデバイスのうちの少なくとも１つを含み得る。例えば、過電圧保護デバイスがＴＶＳダイオードを含む場合、閾値電圧はＴＶＳダイオードの逆降伏電圧であり得る。ＴＶＳダイオードに印加される電圧が逆降伏電圧を超える場合、ＴＶＳダイオードは、過電圧に対して接地のための低インピーダンス経路を提供するアバランシェモードで動作し得る。ＴＶＳダイオードは、過電圧が逆降伏電圧未満に低下した後、高インピーダンス状態に戻り得る。

【0169】

[0193] いくつかの実施形態では、過電圧保護デバイスは、サイリスタサージ保護デバイス（Ｔｒｉｓｉｌ）、交流用ダイオード（ＤＩＡＣ）、二方向三端子サイリスタ（ＴＲＩＡＣ）のうち少なくとも１つを含み得る。

【0170】

[0194] 本開示のいくつかの実施形態と同様に、本装置及びシステムは複数の接地ピンを備え得、静電ホルダは複数の電極を備え得る。本装置及びシステムは、１つの接地ピンと１つの電極との間にそれぞれが電気的に結合され得る複数の過電圧保護デバイスを備え得る。つまり、各接地ピンと各電極との間には、１つの過電圧保護デバイスが電気的に結合される。複数の過電圧保護デバイスは、過電圧の下では導電性になり、過電圧がなくなるとリセットされて非導電性になるように構成され得る。

【0171】

[0195] 本開示のいくつかの実施形態と同様に、本装置及びシステムは、ハウジングを更に備え得る。ハウジングは、静電ホルダ及び接地ピンを取り囲む凹面を備え得る。ハウジングは、第一インターフェイス又は第二インターフェイスのうちの少なくとも一方を更に備え得る。第一インターフェイスは、凹面上にあり、電極のワイヤリングと嵌合し得る。第二インターフェイスは、凹面上にあり、接地ピンのワイヤリングと嵌合し得る。過電圧保護デバイスは、ハウジングの内側又は外側に配置され得る。

【0172】

[0196] 過電圧保護デバイスを使用することにより、上述の装置及びシステムは、過電圧が電極と接地ピンとの間に瞬時に形成された場合（例えば、電極のワイヤリングにアーク放電が発生した場合）にはいつでも、低インピーダンス状態の過電圧保護デバイスを介して、電極と接地ピンとの間で瞬時に電荷を移動させ得る。過電圧が収まると、過電圧保護デバイスは、高インピーダンス状態に戻り得る。このような技術的解決策は、残留電荷の形成を低減又は排除し得る。

【0173】

[0197] 例として、図１８は、本開示のいくつかの実施形態による、静電ホルダの電極と接地ピンとの間で電圧差が形成されることが防止される例示的なウェーハ接地システム１８００の図である。システム１８００は、図１７のシステム１７００と同様であり得、ウェーハ３０４と、静電ホルダ３０６と、接地ピン３１２と、第一電極１７０２と、第二電極１７０４と、第一ワイヤリング１７０６と、第二ワイヤリング１７０８と、接地ワイヤリング１７１０と、接地電源１７１２と、電圧源１７１４と、接地ワイヤリング１７１０と第一ワイヤリング１７０６との間に電気的に結合された第一過電圧保護デバイス１８０２と、接地ワイヤリング１７１０と第二ワイヤリング１７０８との間に電気的に結合された第二過電圧保護デバイス１８０４とを備える。

【0174】

[0198] 第一過電圧保護デバイス１８０２及び第二過電圧保護デバイス１８０４は、接地ワイヤリング１７１０（及び実質的にウェーハ３０４）と第一ワイヤリング１７０６及び第二ワイヤリング１７０８との間でそれぞれ過剰な電圧を分路し得る。例えば、接地ワイヤリング１７１０と第一ワイヤリング１７０６（又は第二ワイヤリング１７０８）との間の電圧差が閾値電圧（例えば、降伏電圧）未満である場合、第一過電圧保護デバイス１８０２（又は第二過電圧保護デバイス１８０４）は、非導電性になり（例えば、高インピーダンスのキャパシタとして機能する）、接地ワイヤリング１７１０と第一ワイヤリング１７０６（又は第二ワイヤリング１７０８）との間に流れる電荷を遮断し得る。接地ワイヤリング１７１０と第一ワイヤリング１７０６（又は第二ワイヤリング１７０８）との間の電圧差が閾値電圧以上である場合、第一過電圧保護デバイス１８０２（又は第二過電圧保護デバイス１８０４）は、導電性になり（例えば、インピーダンスが劇的に下がり）、接地ワイヤリング１７１０と第一ワイヤリング１７０６（又は第二ワイヤリング１７０８）との間に電荷が流れることができるようにし、これにより電圧差が瞬時に減少又は消滅し得る。接地ワイヤリング１７１０と第一ワイヤリング１７０６（又は第二ワイヤリング１７０８）との間の電圧差が再び閾値電圧未満に再び低下すると、第一過電圧保護デバイス１８０２（又は第二過電圧保護デバイス１８０４）は自動的にリセットされて、再び非導通性になり得る。

【0175】

[0199] 第一過電圧保護デバイス１８０２又は第二過電圧保護デバイス１８０４は、電荷を流すことができる方向を有し得る。いくつかの実施形態では、第一過電圧保護デバイス１８０２又は第二過電圧保護デバイス１８０４は、電荷がそれらのいずれかの方向に沿って流れることができるように「二方向」であり得る。例えば、接地ワイヤリング１７１０と第一ワイヤリング１７０６（又は第二ワイヤリング１７０８）との間の電圧差の絶対値が閾値電圧以上である場合、第一過電圧保護デバイス１８０２（又は第二過電圧保護デバイス１８０４）は、ウェーハ３０４の電圧が第一電極１７０２（又は第二電極１７０４）よりも高いとき、接地ワイヤリング１７１０から第一ワイヤリング１７０６（又は第二ワイヤリング１７０８）に電荷が流れることができるようにする、又はウェーハ３０４の電圧が第一電極１７０２（又は第二電極１７０４）よりも低いとき、第一ワイヤリング１７０６（又は第二ワイヤリング１７０８）から接地ワイヤリング１７１０に電荷が流れることができるようにする。

【0176】

[0200] いくつかの実施形態では、第一過電圧保護デバイス１８０２又は第二過電圧保護デバイス１８０４は、電荷がそれらの単一の方向のみに沿って流れることができるように「一方向」であり得る。例えば、第一過電圧保護デバイス１８０２が接地ワイヤリング１７１０から第一ワイヤリング１７０６に伝導方向を有する場合、第一過電圧保護デバイス１８０２は、ウェーハ３０４の電圧が第一電極１７０２の電圧を閾値電圧だけ超える場合にのみ、電荷が接地ワイヤリング１７１０から第一ワイヤリング１７０６に流れることができるようにし得、第一電極１７０２の電圧がウェーハ３０４の電圧を閾値電圧だけ超える場合であっても、電荷が第一ワイヤリング１７０６から接地ワイヤリング１７１０に流れるのを遮断し得る。

【0177】

[0201] 例として、図１９Ａ～図１９Ｃは、本開示のいくつかの実施形態による、静電ホルダの電極と接地ピンとの間で電圧差が形成されることが防止される例示的なウェーハ接地システム１９００Ａ～１９００Ｃの図である。システム１９００Ａ～１９００Ｃは、図１８のシステム１８００と同様であり得、静電ホルダ３０６と、接地ピン３１２と、第一電極１７０２と、第二電極１７０４と、第一ワイヤリング１７０６と、第二ワイヤリング１７０８と、接地ワイヤリング１７１０と、接地電源１７１２と、電圧源１７１４と、第一過電圧保護デバイス１８０２と、第二過電圧保護デバイス１８０４とを備える。システム１９００Ａ～１９００Ｃは、（図１９Ａ～図１９Ｃにおいて太線で表されている）凹面１９０４を備えるハウジング１９０２と、凹面１９０４上の第一インターフェイス１９０６と、凹面１９０４上の第二インターフェイス１９０８と、凹面１９０４上の接地インターフェイス１９１０と、第一電極１７０２と第一インターフェイス１９０６との間に電気的に結合された第一ケーブリング１９１２と、第二電極１７０４と第二インターフェイス１９０８の間に電気的に結合された第二ケーブリング１９１４と、接地ピン３１２と接地インターフェイス１９１０との間に電気的に結合された接地ケーブリング１９１６とを更に備える。本明細書に記載される「インターフェイス」は、２つ以上の電気構成要素が互いに接続又は相互作用する位置又は端子を含み得る。いくつかの実施形態では、本明細書に記載されるインターフェイスは、嵌合する部分（例えば、オス部分又はメス部分）を含み得る。例えば、第一インターフェイス１９０６、第二インターフェイス１９０８、及び接地インターフェイス１９１０は、コネクタ、プラグ、ねじ、クランプ、ピン、ソケット、又は２つ以上の電気構成要素を電気的に結合するための任意の手段を含み得る。

【0178】

[0202] 第一ワイヤリング１７０６は、第一インターフェイス１９０６と第一ケーブリング１９１２とを備え得る。例えば、第一インターフェイス１９０６は、第一ワイヤリング１７０６（例えば、第一ケーブリング１９１２）の１つ又は複数の部分と嵌合し得る。第二ワイヤリング１７０８は、第二インターフェイス１９０８と第二ケーブリング１９１４とを備え得る。例えば、第二インターフェイス１９０８は、第二ワイヤリング１７０８（例えば、第二ケーブリング１９１４）の１つ又は複数の部分と嵌合し得る。接地ワイヤリング１７１０は、接地インターフェイス１９１０と接地ケーブリング１９１６とを備え得る。例えば、接地インターフェイス１９１０は、接地ワイヤリング１７１０（例えば、接地ケーブリング１９１６）の１つ又は複数の部分と嵌合し得る。

【0179】

[0203] 凹面１９０４は、図１９Ａ～図１９Ｃに示すように、電気ホルダ３０６と接地ピン３１２とを取り囲み得る。凹面１９０４は、図１９Ａ～図１９Ｃに示すような例示的な形状に限定されるものではなく、任意の形状とすることができることに留意されたい。

【0180】

[0204] この開示の実施形態と同様に、第一過電圧保護デバイス１８０２は、接地ピン３１２と第一電極１７０２との間に電気的に結合される限り、どこにでも配置され得、第二過電圧保護デバイス１８０４は、接地ピン３１２と第二電極１７０４との間に電気的に結合される限り、どこにでも配置され得る。例として、図１９Ａに示すように、第一過電圧保護デバイス１８０２及び第二過電圧保護デバイス１８０４は、ハウジング１９０２の内側に設けられる。図１９Ｂ～図１９Ｃに示すように、第一過電圧保護デバイス１８０２及び第二過電圧保護デバイス１８０４は、ハウジング１９０２の外側に設けられる。例えば、図１９Ｂでは、第一過電圧保護デバイス１８０２は第一インターフェイス１９０６と接地インターフェイス１９１０との間に電気的に結合され、第二過電圧保護デバイス１８０４は第二インターフェイス１９０８と接地インターフェイス１９１０との間に電気的に結合される。別の例として、図１９Ｃでは、第一過電圧保護デバイス１８０２は第一ケーブリング１９１２と接地ケーブリング１９１６との間に電気的に結合され、第二過電圧保護デバイス１８０４は第二ケーブリング１９１４と接地ケーブリング１９１６との間に電気的に結合される。いくつかの実施形態では、第一過電圧保護デバイス１８０２及び第二過電圧保護デバイス１８０４は、それらのインピーダンスを更に下げるために、それぞれ第一電極１７０２及び第二電極１７０４付近の位置に配置され得る。本開示は、第一過電圧保護デバイス１８０２の位置又は第二過電圧保護デバイス１８０４の位置を、図１９Ａ～図１９Ｃに図示及び記載されているような例に限定するものではないことに留意されたい。

【0181】

[0205] 場合によっては、ウェーハと静電ホルダとの間における瞬時に形成される電圧差の１つの原因は、静電ホルダ付近で生じる放電であり得る。例として、図２０は、本開示のいくつかの実施形態による、高電圧部分において放電が発生し得る例示的なウェーハ検査システム２０００の断面図を示す。図２０では、システム２０００は、静電ホルダ３０６と、静電ホルダ３０６の上に固定されたウェーハ３０４と、静電ホルダ３０６を支持するハウジング１９０２と、遮蔽板２００２の（内部の破線で表される）孔を通してウェーハ３０４上に投射される一次電子ビーム２２０とを備える。ハウジング１９０２は、ステージ（例えば、図２に図示及び説明した電動サンプルステージ２０１）を配置するために使用され得る空洞２００４を備える。静電ホルダ３０６は、ステージに取り付けられ得、ステージによって移動されるように制御され得る。

【0182】

[0206] ハウジング１９０２は、（太線で表されている）上面２００６と、（太線で表されている）底面２００８と、側面２０１０とを備える。いくつかの実施形態では、側面２１０はまた、位置決め目的のためのミラーとして使用され得る。検査動作では、上面２００６及びウェーハ３０４は、高電圧（例えば、－３０キロボルト）でバイアスされ得る。一次電子ビーム２２０の偏向を避けるために、遮蔽板２００２もまたバイアス電圧（例えば、－３０キロボルト）でバイアスされ得る。底面２００８は接地され得る。システム２０００では、上面２００６は高電圧部分と呼ばれ、底面２００８は接地部分と呼ばれ得る。絶縁層が、上面２００６と底面２００８とを絶縁するために、側面２０１０上に設けられ得る。このような理由により、本開示では側面２０１０は絶縁面２０１０とも呼ばれ得る。

【0183】

[0207] 理想的な場合では、接地のおかげで底面２００８の下には電場がない、又は遮蔽板２００２のおかげで上面２００６の上には電場がなく、電場は、上面２００６と底面２００８との間にのみ存在する。このような理想的な場合では、上面２００６の高電圧は、絶縁面２０１０に沿って上面２００６から底面２００８に降下し得る。

【0184】

[0208] しかしながら、実際のシナリオでは、上面２００６付近の電場が過度に強い場合、上面２００６と絶縁面２０１０との間に電界放出が発生し得る。上面２００６は導電性であり、電源に接続されているため、大量の電荷（例えば、電子）を供給し得る電荷源として実質的に機能し得る。電界放出に起因して発生した電荷（「電界放出電荷」と呼ばれる）は、上面２００６から離脱して絶縁面２０１０に到着し得る。電界放出電荷の入射エネルギーが十分に高い場合、電界放出電荷は絶縁面２０１０に付着した気体分子を放出させ得、アバランシェ効果を引き起こし得る。アバランシェ効果により、上面２００６と絶縁面２０１０との間で大電流がアーク放電し、静電ホルダ３０６付近の環境に大量の電荷が放電され得る。このような放電は、静電ホルダ３０６のクランプ電圧を乱し、その上に残留電荷を形成させることがあり、このことがウェーハのスティッキング問題を引き起こし得る。更に、このような放電は、環境から望ましくない粒子（例えば、粉塵）を引き付けることがあり、これがウェーハ検査のための一次電子ビーム２２０と干渉し得る。

【0185】

[0209] 上面２００６の高電圧（すなわち、バイアス電圧）は、ウェーハを交換する又は点検のためにシステム２０００をシャットダウンするためなど、状況によってはオン及びオフを切り替えられ得る。そのような状況では、上記のような放電を防ぐために、高電圧のランプアップ又はランプダウンが低速に制限され得、これにより、特にシステム２０００がマルチビーム検査システムである場合には、システム２０００のウェーハ検査のスループットが制限され得る。

【0186】

[0210] 本開示のいくつかの実施形態と同様に、装置及びシステムが、放電を引き起こすことのない高電圧の高速ランピングのために提供される。そのような装置は、装置の高電圧部分と装置の接地部分との間に配置されたアイソレータを備え得る。高電圧部分は高電圧を印加され得る。接地部分は、グラウンドに電気的に接続されることにより接地され得る。絶縁体は、高電圧部分と接地部分とを絶縁し得る。本装置はまた、高電圧部分に電気的に結合された第一電極と、接地部分に電気的に結合され、第一電極に導通していない第二電極とを備え得る。本装置は、アイソレータの上で第一電極及び第二電極を覆う誘電体層を更に備え得る。本明細書で使用される場合、「覆う」は、囲う、被包する、埋める、包む、埋め込む、重ねる、被覆する、又はある物体を別の物体若しくは環境から絶縁又は隔離する任意の行為を含み得る。例えば、誘電体層は、ガラス、セラミック、又は少なくとも３×１０^－１１ファラッド毎メートルの誘電率を有する任意の材料で作られ得る。

【0187】

[0211] いくつかの実施形態では、高電圧部分は、第一表面（例えば、平板アノード）を備え得る。接地部分は、第一表面に平行である第二表面（例えば、平板カソード）を備え得る。アイソレータは、第一表面と第二表面との間に垂直面（例えば、側壁）を備え得る。

【0188】

[0212] いくつかの実施形態では、誘電体層はアイソレータの表面に付着され得る。このような場合、第一電極及び第二電極は、誘電体層とアイソレータの表面との間で覆われ得る。例えば、ガラス又はセラミックの層が絶縁体の表面に接着されてもよく、第一電極及び第二電極が層と表面との間に接着されてもよい。

【0189】

[0213] いくつかの実施形態では、アイソレータは、誘電体層を含み得る。そのような場合、第一電極及び第二電極は、アイソレータの内側に埋め込まれ得る。例えば、誘電体層は、絶縁体の同質部分であり得る。例として、第一電極及び第二電極は、粘土に埋め込まれ、同時焼成されて単一のセラミック体にしてもよい。

【0190】

[0214] いくつかの実施形態では、アイソレータは、第一電極及び第二電極を埋め込み得、追加の誘電体層がアイソレータの表面に付着され得る。アイソレータ上で第一電極及び第二電極を覆うことは、他の態様で実施されてもよく、本開示はそれらの態様を上述の例示的な実施形態に限定するものではないことに留意されたい。

【0191】

[0215] 本開示のいくつかの実施形態と同様、本装置は、第一導電性部分と第二導電性部分とを更に備え得る。第一導電性部分は、装置の高電圧部分に電気的に結合され、第一電極に容量的に結合され得る。例えば、第一導電性部分は高電圧部分から延びて第一電極に平行である平板であり得る。第二導電性部分は、装置の接地部分に電気的に結合され、第二電極に容量的に結合され得る。例えば、第二導電性部分は接地部分から延びて第二電極に平行である平板であり得る。

【0192】

[0216] 誘電体層は、アイソレータの表面にキャパシタを形成するのに寄与し得る。例えば、第一導電性部分、誘電体層、及び第一電極は、第一キャパシタを形成し得る。別の例として、第二導電性部分、誘電体層、及び第二電極は、第二キャパシタを形成し得る。キャパシタは、電界放出を生じ得る集中した電場の形成を防ぐことために、装置と、その周辺環境にある物体（例えば、装置の隣接する構成要素又は建築構造体）との間の容量結合を緩和し得る。キャパシタの容量が大きいほど、より良く緩和され得る。キャパシタの容量が十分に大きい場合、その大きい容量は、実質的に装置を真空状態にしているとみなすことができ、環境的な容量結合の影響が大幅に緩和され得る、又は排除され得る。

【0193】

[0217] キャパシタの容量は、その端子のオーバーラップ面積に比例し、２つの端子間の距離に反比例し得る。つまり、キャパシタの容量は、距離に対するオーバーラップする面積の比（「オーバーラップ対距離比」と称する）に比例し得る。例えば、第一キャパシタは、その２つの端子として第一導電部分と第一電極とを有し得、これらは、誘電体層の厚さだけ距離を空けられ、第一オーバーラップ面積を有する。第二キャパシタは、その２つの端子として第二導電部分と第二電極とを有し得、これらは、誘電体層の厚さだけ距離を空けられ、第二オーバーラップ面積を有する。

【0194】

[0218] いくつかの実施形態では、誘電体層の厚さが、第一導電性部分と第一電極との間の第一オーバーラップ面積、及び第二導電性部分と第二電極との間の第二オーバーラップ面積のうち小さい方の１０分の１（すなわち、１／１０）以下であり得る。このような場合、第一キャパシタと第二キャパシタとの両方が、少なくとも１０のオーバーラップ対距離比を有し得、このことは、容量の増加に寄与し得る。

【0195】

[0219] いくつかの実施形態では、誘電体層の厚さが、誘電体層の表面と、装置に容量結合され、装置に属さない物体との間の距離の５０分の１以下（例えば、１／５０）であり得る。例えば、物体は、装置を取り囲む環境にある物体であり得る。物体及び第一導電性部分（又は第二導電性部分）は実効キャパシタを形成し得、物体と第一導電性部分（又は第二導電性部分）とがそれらの２つの端子となり、それらの間にあるすべての材料（例えば、空気）が誘電体材料となり得る。このような場合、第一キャパシタ（又は第二キャパシタ）の端子間距離が実効キャパシタの端子間距離よりもはるかに小さい（例えば、最大でも１／５０）ため、第一キャパシタ（又は第二キャパシタ）の容量は実効キャパシタの容量を超え得、このことは、物体と装置との間の容量結合を緩和することに寄与し得る。

【0196】

[0220] 本開示のいくつかの実施形態と同様に、本装置は、ハウジングを更に備え得る。ハウジングは、ウェーハ検査システムのステージを囲むように構成され得る。高電圧部分は、ハウジングの上面を含み得る。接地部分は、ハウジングの底面を含み得る。アイソレータは、ハウジングの壁を含み得る。例えば、ハウジングは、ステージを囲うことの他に、静電ホルダを支持するために使用され得る。

【0197】

[0221] 本開示のいくつかの実施形態と同様に、本装置は、アイソレータ上で誘電体層によって覆われた複数の電極を備え得る。例えば、覆われた電極の数は、高電圧の値に依存し得る。いくつかの実施形態では、覆われた電極の数は、高電圧の値の比であり得る。そうすることにより、アイソレータの表面電圧が、高電圧のランプアップ又はランプダウン中に構成され得る。

【0198】

[0222] 例として、図２１は、本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための例示的な装置２１００の図である。装置２１００は、上面２００６と、底面２００８と、絶縁面２０１０とを含む、図２０のシステム２０００のいくつかの構成要素を備え得る。図２０では、装置２１００の高電圧部分が上面２００６を含み得、装置２１００の接地部分が底面２００８を含み得る。上面２００６は底面２００８に平行であり得る。装置２１００のアイソレータは、上面２００６及び底面２００８と垂直である絶縁面２０１０を含み得る。図２１に示すように、絶縁面２０１０は、装置２１００の上面２００６と底面２００８との間のアイソレータとして機能し得る。装置２１００は、上面２００６に電気的に結合された第一電極２１０２と、底面２００８に電気的に結合され、第一電極２１０２に対して導通していない第二電極２１０４とを更に備える。

【0199】

[0223] 第一電極２１０２及び第二電極２１０４は絶縁面２０１０に固定され得る。絶縁面２０１０上に第一電極２１０２及び第二電極２１０４を導入することにより、上面２００６と底面２００８との間の電圧差が一定の割合で小さくなり得る。例えば、図２１に示すように、ポイント２１０６とポイント２１０８との間の電圧差の値は、ｘ方向に沿って減少し、実質的にゼロ電位に到達し（第二電極２１０４が接地されているため）、電圧曲線２１１０によって表されている。ポイント２１０６は第一電極２１０２の端部にあり得、ポイント２１０８は第二電極２１０４の端部にあり得る。図２１に示すように、電圧曲線２１１０は、急激な変化なしで、一定の傾きを有する。このような場合、ポイント２１０６とポイント２１０８との間の電場は一定の強度を有し得、電場の勾配は、滑らかであり得、このことは、電界放出を生じ得る集中した電場の形成を防ぎ得る。

【0200】

[0224] 図２１は、装置２１００を取り囲む環境の影響を考慮しない理想的な場合を示す。実際のシナリオでは、環境にある物体、又は空気でさえも、容量結合などを介して装置２１００と相互作用し得る。例えば、環境が導電性の物体（例えば、図２０のシステム２０００の隣接する構成要素又は建築構造体）を含む場合、それらの物体と絶縁面２０１０、第一電極２１０２、又は第二電極２１０４との間に容量が存在し得、これは、１つ又は複数の実効キャパシタとして表され得る。

【0201】

[0225] 例として、図２２は、本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための例示的な装置２２００の図である。図２２は、装置２２００に対する環境の影響を考慮した実際の場合を示す。装置２２００は装置２１００と同様であり得、上面２００６と、底面２００８と、絶縁面２０１０と、第一電極２１０２と、第二電極２１０４とを備え得る。ポイント２１０６とポイント２１０８との間の電圧差の値は、ｘ方向に沿って減少し、実質的にゼロ電位に到達し（第二電極２１０４が接地されているため）、電圧曲線２２０４によって表されている。

【0202】

[0226] 装置２２００は、装置２２００とその周辺環境にある物体との間に形成された容量を表す１つ又は複数の実効キャパシタを備える実効キャパシタセット２２０２を更に備える。実効キャパシタは、単に容量結合を表しているに過ぎず、実際のキャパシタではない。実効キャパシタセット２２０２の影響下で、図２１の電圧曲線２１１０と比較して、電圧曲線２２０４は、異なる形状に変化し得、ポイント２１０６付近にある電場が集中して高い強度を有し得ることを表す急激な変化のポイント２２０６を含む。このような場合、電界放出がポイント２１０６付近で発生し得るおそれがある。

【0203】

[0227] 例として、図２３は、本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための例示的な装置２３００の図である。装置２３００は装置２１００と同様であり得、上面２００６と、底面２００８と、絶縁面２０１０と、第一電極２１０２と、第二電極２１０４とを備え得る。（例えば、図２２に示すような）環境からの容量結合の影響を緩和又は排除するために、装置２３００はまた、絶縁面２０１０の上で第一電極２１０２及び第二電極２１０４を覆う誘電体層２３０６（点線の領域で表される）を備える。図２３では、誘電体層２３０６が絶縁面２０１０に（例えば、斜線で表した糊２３０８を介して）付着され得る。図２３では、第一電極２１０２及び第二電極２１０４が、誘電体層２３０６と絶縁面２０１０との間で覆われている。例えば、誘電体層２３０６は、ガラス又はセラミックの層であり得る。

【0204】

[0228] 図２２の装置２２００と同様に、装置２３００は、その周囲の環境の物体と容量結合され得る。図２３は、環境と第一導電性部分２３０２との間に形成された第一実効キャパシタ２３１０と、環境と第二導電性部分２３０４との間に形成された第二実効キャパシタ２３１６と、環境と誘電体層２３０６との間に形成された第三実効キャパシタ２３１８とを含む、そのような容量結合を反映する３つの実効キャパシタを示す。

【0205】

[0229] 装置２３００は、第一導電性部分２３０２と第二導電性部分２３０４とを更に備える。第一導電性部分２３０２は、上面２００６に電気的に結合され、第一電極２１０２に容量的に結合され得る。例えば、図２３に示すように、第一導電性部分２３０２は、上面２００６から延び、第一電極２１０２に平行である平板であり得る。第一導電性部分２３０２、第一電極２１０２、及びそれらの間の誘電体層２３０６の材料は、第一キャパシタ２３１２を形成し得る。第二導電性部分２３０４は、底面２００８に電気的に結合され、第二電極２１０４に容量的に結合され得る。例えば、図２３に示すように、第二導電性部分２３０４は、底面２００８から延び、第二電極２１０４に平行である平板であり得る。第二導電性部分２３０４、第二電極２１０４、及びそれらの間の誘電体層２３０６の材料は、第二キャパシタ２３１４を形成し得る。第一キャパシタ２３１２及び第二キャパシタ２３１４は、（第一実効キャパシタ２３１０、第二実効キャパシタ２３１６、及び第三実効キャパシタ２３１８で表されるような）装置と環境との間の容量結合を緩和し、電界放出を生じ得る集中した電場の形成を防ぐことができる。

【0206】

[0230] 装置２３００とその周辺環境との間の容量結合を効果的に緩和する一つの方法は、それらの容量結合（例えば第一実効キャパシタ２３１０、第二実効キャパシタ２３１６、及び第三実効キャパシタ２３１８の容量）よりもはるかに高いレベルまで、第一キャパシタ２３１２及び第二キャパシタ２３１４の容量を増加させることである。例えば、第一キャパシタ２３１２は、その２つの端子として第一導電性部分２３０２と第一電極２１０２とを有し得、これらは、誘電体層２３０６の厚さだけ距離を空けられ、第一オーバーラップ面積を有する。第二キャパシタ２３１４は、その２つの端子として第二導電性部分２３０４と第二電極２１０４とを有し得、これらは、誘電体層２３０６の厚さだけ距離を空けられ、第二オーバーラップ面積を有する。キャパシタの容量はオーバーラップ対距離比に比例するため、装置は、第一キャパシタ２３１２及び第二キャパシタ２３１４が高いオーバーラップ対距離比を有するように構成され得る。いくつかの実施形態では、誘電体層２３０６の厚さは、第一キャパシタ２３１２の第一オーバーラップ面積及び第二キャパシタ２３１４の第二オーバーラップ面積のうち小さい方の１０分の１（すなわち、１／１０）以下であり得る。このような場合、第一キャパシタ２３１２と第二キャパシタ２３１４との両方が、少なくとも１０のオーバーラップ対距離比を有し得、このことは、容量の増加に寄与し得る。

【0207】

[0231] 第一キャパシタ２３１２及び第二キャパシタ２３１４の容量をそれら容量結合の容量よりもはるかに大きいレベルにするために、装置２３００はまた、第一キャパシタ２３１２及び第二キャパシタ２３１４の両方のオーバーラップ対距離比が、第一実効キャパシタ２３１０、第二実効キャパシタ２３１６、及び第三実効キャパシタ２３１８のオーバーラップ対距離比よりも大きくなるように構成され得る。いくつかの実施形態では、誘電体層２３０６の厚さが、誘電体層２３０６の表面と、装置２３００に容量結合され、装置２３００に属さない物体との間の距離の５０分の１以下（例えば、１／５０）であり得る。例えば、物体は、装置２３００を取り囲む環境にある最も近い物体であり得る。このような場合、第一キャパシタ２３１２及び第二キャパシタ２３１４の両方の容量は、第一実効キャパシタ２３１０、第二実効キャパシタ２３１６、及び第三実効キャパシタ２３１８の容量を超え得る。なぜなら、第一キャパシタ２３１２及び第二キャパシタ２３１４の両方の端子間距離は、第一実効キャパシタ２３１０、第二実効キャパシタ２３１６、及び第三実効キャパシタ２３１８の端子間距離よりもはるかに小さい（例えば、最大で１／５０）ためである。このことは、装置２３００とその環境との間の容量結合を緩和することに寄与し得る。

【0208】

[0232] 図２３に示すように、ポイント２１０６とポイント２１０８との間の電圧差の値は、ｘ方向に沿って減少し、実質的にゼロ電位に到達し（第二電極２１０４が接地されているため）、電圧曲線２３２０によって表されている。図２３の電圧曲線２２０４と比較して、電圧曲線２３２０は、急激な変化なしで、平滑な傾きを有する。このような場合、ポイント２１０６とポイント２１０８との間に集中した電場が形成されないため、電界放出が防止され得る。

【0209】

[0233] いくつかの実施形態では、誘電体層は、第一電極２１０２及び第二電極２１０４を内部に埋め込み得る。例として、図２４は、本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための例示的な装置２４００の図である。装置２４００は、図２３の装置２３００と同様であり得、上面２００６と、底面２００８と、第一電極２１０２と、第二電極２１０４と、第一導電性部分２３０２と、第二導電性部分２３０４と、第一キャパシタ２３１２と、第二キャパシタ２３１４と、第一実効キャパシタ２３１０と、第二実効キャパシタ２３１６と、第三実効キャパシタ２３１８とを備える。装置２３００とは対照的に、装置２４００は、絶縁面２０１０、誘電体層２３０６、又は糊２３０８を含まない。代わりに、装置２４００は、図２４の点線領域によって表されるように、単一の誘電体（例えば、セラミック体又はガラス体）であるアイソレータ２４０２を備える。

【0210】

[0234] アイソレータ２４０２は、装置２３００の誘電体層２３０６に相当すると見なされ得る表面層２４０４を備え得る。図２４に示すように、第一電極２１０２及び第二電極２１０４は、アイソレータ２４０２の内側に埋め込まれ得る。一例として、アイソレータ２４０２を製造するために、第一電極２１０２及び第二電極２１０４が粘土に埋めまれ、電極を埋め込んだ粘土が同時焼成されて単一のセラミック体にされ得る。

【0211】

[0235] 図２４に示すように、ポイント２１０６とポイント２１０８との間の電圧差の値は、ｘ方向に沿って減少し、実質的にゼロ電位に到達し（第二電極２１０４が接地されているため）、急激な変化なしで平滑な傾きを有する電圧曲線２４０６によって表されている。電圧曲線２４０６は、図２３の電圧曲線２２０４と同様であり得る。このような場合、ポイント２１０６とポイント２１０８との間に集中した電場が形成されないため、電界放出が防止され得る。

【0212】

[0236] 例として、図２５は、本開示のいくつかの実施形態による、放電を起こさない高電圧の高速ランピングのための例示的なウェーハ検査システム２５００の断面図である。システム２５００は、図２０のシステム２０００、図２３の装置２３００、及び図２４の装置２４００と同様であり得る。システム２５００は、静電ホルダ３０６と、ウェーハ３０４と、ハウジング１９０２と、一次電子ビーム２２０と、遮蔽板２００２と、空洞２００４と、上面２００６と、底面２００８と、絶縁面２０１０とを備える。システム２０００とは対照的に、システム２５００は、第一電極２１０２と、第二電極２１０４と、第一導電性部分２３０２と、第二導電性部分２３０４と、アイソレータ２５０２とを更に備える。いくつかの実施形態では、アイソレータ２５０２は、図２３の誘電体層２３０６と同様に実施され得る。いくつかの実施形態では、アイソレータ２５０２は、図２４のアイソレータ２４０２と同様に実施され得る。図２５では、アイソレータ２５０２は、第一電極２１０２と第二電極２１０４との間にある記号のセットとして示され、これらの記号は、アイソレータ２５０２の誘電体材料によって発生する実効容量結合及び抵抗結合を表している。

【0213】

[0237] 図２０～図２５に関連して図示及び説明されているように。本開示で提供される装置及びシステムは、強い電場の形成を防止し得る。本装置及びシステムは、滑らかに弱まる電場を間に形成するための電極を導入し、これにより電界放出が生じ得る電場の急激な変化を避けることができる。更に、絶縁面上で第一電極及び第二電極を覆うことにより、本装置又はシステムと周囲の環境との間にある容量結合が緩和され得る。まとめると、本装置及びシステムは、不要な放電を引き起こさない高電圧の高速ランピング、ウェーハスティッキングの問題の可能性の低下、ウェーハ検査のスループットの大幅な向上、及び不要な放電に起因する環境への害の抑制をもたらし得る。

【0214】

[0238] 放電を起こさない高電圧の高速ランピングを実施するために、電極を覆った状態でアイソレータを使用する他に、他の方法もまた使用され得ることに留意されたい。例えば、アイソレータを抵抗面に置き換えてもよく、覆った電極が抵抗面による両者の間の抵抗結合を介して電圧差を小さくし得る。しかしながら、抵抗表面で熱放散が起こり得、これにより周囲部分の変形が生じることがある。

【0215】

[0239] また、図２０～図２５に関連して説明した装置及びシステムは、ウェーハ接地又はウェーハ検査での使用に限定されるものではないことに留意されたい。そうではなく、図２０～図２５に関連して説明した装置及びシステムは、高電圧部分と接地部分とを備え、高速ランピング又はランプダウンの需要がある任意のシステム又は装置で使用され得る。例えば、そのようなシステム又は装置としては、ＳＥＭ、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、又はＸ線装置が挙げられ得るが、これらに限定されるものではない。

【0216】

[0240] 更なる実施形態が、以下の条項において説明され得る。
条項１．
ウェーハを接地するための方法であって、本方法が、
接地されるウェーハに関連する電気的特性の第一値を電気信号で受信することと、
少なくとも第一値を用いて第一制御パラメータを決定することと、
第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することと、
を含む、方法。
条項２．
電気的特性が、ウェーハと、ウェーハを支持するウェーハマウントとを含む電気経路に関連する、条項１に記載の方法。
条項３．
電気経路の抵抗が所定の閾値以上であるという決定に基づいて、少なくとも第一値を用いて第二制御パラメータを決定することであって、第二制御パラメータと第一制御パラメータとが異なる値を有する、ことと、
第二制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することと、
を更に含む、条項２に記載の方法。
条項４．
所定の閾値が１００，０００オームである、条項３に記載の方法。
条項５．
第一制御パラメータを決定することが、
第一値と電気的特性の目標値との比較に基づいて、第一制御パラメータを決定すること
を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。
条項６．
第一制御パラメータを決定することが、
第一値と目標値との間の差が閾値条件を満たすか否かを決定することと、
差が閾値条件を満たすという決定に基づいて、第一制御パラメータを決定することと、
を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。
条項７．
電気的特性が、インピーダンス、抵抗、容量性リアクタンス、アドミタンス、コンダクタンス、又は容量性サセプタンスのうちの少なくとも１つを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。
条項８．
電気的特性が、ウェーハとウェーハマウントとの間の抵抗、又はウェーハとウェーハマウントとの間の容量性リアクタンスのうちの一方を含む、条項７に記載の方法。
条項９．
閾値条件が、第一値が目標値以下であることを含む、条項８に記載の方法。
条項１０．
第一制御パラメータを決定することが、
少なくとも第一値を用いて初期パラメータを決定することと、
少なくとも初期パラメータ、第一値、目標値、及びウェーハのタイプに基づいて、第一制御パラメータを決定することと、
を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。
条項１１．
第一制御パラメータを決定することが、
機械学習技法を用いて第一制御パラメータを決定することであって、機械学習技法への入力が、初期パラメータ、第一値、目標値、及びウェーハのタイプを含む、こと
を含む、条項１０に記載の方法。
条項１２．
電気信号の特性が、電圧、電流、電圧若しくは電流のプロファイル、プロファイルの周波数、プロファイルの周期、プロファイルの位相、プロファイルの振幅、又は電圧若しくは電流の持続時間のうちの少なくとも１つを含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。
条項１３．
プロファイルが、正弦波形状を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。
条項１４．
第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することが、
第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性の値を変更すること
を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。
条項１５．
電気信号の特性を制御することが、
電気信号の電圧を降下させること
を含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。
条項１６．
第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することの後、電気的特性の第二値を受信することと、
少なくとも第二値を用いて第三制御パラメータを決定することであって、第三制御パラメータと第一制御パラメータとが異なる値を有する、ことと、
第三制御パラメータ及び第二値を用いて電気信号の特性を制御することと、
を更に含む、先行する条項の何れか一項に記載の方法。
条項１７．
第三制御パラメータと第一制御パラメータとが異なるタイプの制御パラメータである、条項１６に記載の方法。
条項１８．
ウェーハを接地するためのシステムであって、本システムが、
接地されるウェーハに関連する電気的特性の第一値を電気信号で生成するように構成されたセンサと、
電気信号を発生させるように構成された電気信号発生器と、
電気的特性の第一値を受信することと、少なくとも第一値を用いて第一制御パラメータを決定することと、第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することとのための回路を備えるコントローラと、
を備える、システム。
条項１９．
電気信号発生器とウェーハとの間に電気的に接続された接地ピン
を更に備える、条項１８に記載のシステム。
条項２０．
電気的特性が、ウェーハと、ウェーハを支持するウェーハマウントと、接地ピンと、を含む電気経路に関連する、条項１８又は１９に記載のシステム。
条項２１．
コントローラが、
電気経路の抵抗が所定の閾値以上であるという決定に基づいて、少なくとも第一値を用いて第二制御パラメータを決定することであって、第二制御パラメータと第一制御パラメータとが異なる値を有することと、
第二制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することと、
のための回路を備える、条項２０に記載のシステム。
条項２２．
所定の閾値が１００，０００オームである、条項２１に記載のシステム。
条項２３．
第一制御パラメータを決定することが、
第一値と電気的特性の目標値との比較に基づいて、第一制御パラメータを決定すること
を含む、条項１８～２２の何れか一項に記載のシステム。
条項２４．
第一制御パラメータを決定することが、
第一値と目標値との間の差が閾値条件を満たすか否かを決定することと、
差が閾値条件を満たすという決定に基づいて、第一制御パラメータを決定することと、
を含む、条項１８～２３の何れか一項に記載のシステム。
条項２５．
電気的特性が、インピーダンス、抵抗、容量性リアクタンス、アドミタンス、コンダクタンス、又は容量性サセプタンスのうちの少なくとも１つを含む、条項１８～２４の何れか一項に記載のシステム。
条項２６．
電気的特性が、ウェーハとウェーハマウントとの間の抵抗、又はウェーハとウェーハマウントとの間の容量性リアクタンスのうちの一方を含む、条項２５に記載のシステム。
条項２７．
閾値条件が、第一値が目標値以下であることを含む、条項２６に記載のシステム。
条項２８．
第一制御パラメータを決定することが、
少なくとも第一値を用いて初期パラメータを決定することと、
少なくとも初期パラメータ、第一値、目標値、及びウェーハのタイプに基づいて、第一制御パラメータを決定することと、
を含む、条項１８～２７の何れか一項に記載のシステム。
条項２９．
第一制御パラメータを決定することが、
機械学習技法を用いて第一制御パラメータを決定することであって、機械学習技法への入力が、初期パラメータ、第一値、目標値、及びウェーハのタイプを含む、こと
を含む、条項２８に記載のシステム。
条項３０．
電気信号の特性が、電圧、電流、電圧若しくは電流のプロファイル、プロファイルの周波数、プロファイルの周期、プロファイルの位相、プロファイルの振幅、又は電圧若しくは電流の持続時間のうちの少なくとも１つを含む、条項１８～２９の何れか一項に記載のシステム。
条項３１．
プロファイルが、正弦波形状を含む、条項１８～３０の何れか一項に記載のシステム。
条項３２．
電気信号の特性を制御することが、
電気信号の電圧を降下させること
を含む、条項１８～３１の何れか一項に記載のシステム。
条項３３．
コントローラが、
第一制御パラメータ及び第一値を用いて電気信号の特性を制御することの後、センサから電気的特性の第二値を受信することと、
少なくとも第二値を用いて第三制御パラメータを決定することであって、第三制御パラメータと第一制御パラメータとが異なる値を有する、ことと、
第二制御パラメータ及び第二値を用いて電気信号の特性を制御することと、
のための回路を備える、条項１８～３２の何れか一項に記載のシステム。
条項３４．
第三制御パラメータと第一制御パラメータとが異なるタイプの制御パラメータである、条項３３に記載のシステム。
条項３５．
ウェーハの接地位置を調整するための方法であって、本方法が、
ウェーハとウェーハに接触している接地ピンとの間の電気的接続を終了することと、
ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整することと、
接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復することと、
を含む、方法。
条項３６．
ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了することが、
ウェーハの底面と接触し、ウェーハマウントの底部に固定されたリフタを使用して、ウェーハを支持するウェーハマウントから離れるようにウェーハを上昇させることであって、接地ピンがウェーハマウントの上部に固定され、ウェーハが上部に載っているときに接地ピンがウェーハの底面に接触する、こと
を含む、条項３５に記載の方法。
条項３７．
接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復することが、
リフタを使用してウェーハマウントの上部上にウェーハを下降させること
を含む、条項３６に記載の方法。
条項３８．
ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了することが、
ウェーハマウントに載っているウェーハの底面から接地ピンを下降させることであって、接地ピンがウェーハマウントにおいて垂直方向に可動であること
を含む、条項３５に記載の方法。
条項３９．
接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復することが、
ウェーハの底面に接触するように接地ピンを上昇させること
を含む、条項３８に記載の方法。
条項４０．
ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了することが、
ウェーハを支持するウェーハマウントの上部を下降させることであって、接地ピンがウェーハマウントの上部に固定され、ウェーハの底面がウェーハマウントの底部に固定された非可動式支持部に接触し、上部が下降されていないときに接地ピンがウェーハの底面に接触すること
を含む、条項３５に記載の方法。
条項４１．
接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復することが、
ウェーハマウントの上部を上昇させること
を含む、条項４０に記載の方法。
条項４２．
ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了することが、
ウェーハマウントからプラットフォームにウェーハを取り外すことであって、接地ピンがウェーハマウントに固定され、ウェーハがウェーハマウントに載っているときにウェーハに接触すること
を含む、条項３５に記載の方法。
条項４３．
接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復することが、
プラットフォームからウェーハマウント上にウェーハを移動させること
を含む、条項４２に記載の方法。
条項４４．
接地ピンが、ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了する前の接地ピンと底面との間の圧力とは異なる圧力でウェーハの底面に接触する、条項３５～４３の何れか一項に記載の方法。
条項４５．
接地ピンが同じ相対位置でウェーハの底面に接触する、条項３５～４４の何れか一項に記載の方法。
条項４６．
ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整することが、
接地ピンとウェーハとの間の相対アジマス角を所定の角度だけ調整すること
を含む、条項３５～４５の何れか一項に記載の方法。
条項４７．
所定の角度が、ウェーハと接地ピンとの間の現在の相対アジマス角と、ウェーハと接地ピンとの間の目標の相対アジマス角との間の差である、条項４６に記載の方法。
条項４８．
相対アジマス角を調整することが、
ウェーハマウントの底部に対してウェーハマウントの上部を所定の角度だけ回転させること
を含む、条項４６～４７に記載の方法。
条項４９．
相対アジマス角を調整することが、
ウェーハマウントに対して接地ピンを所定の角度だけ回転させることであって、接地ピンがウェーハマウントに対して回転運動において可動であること
を含む、条項４６～４７に記載の方法。
条項５０．
相対アジマス角を調整することが、
プラットフォームにウェーハを所定の角度だけ回転させること
を含む、条項４６～４７に記載の方法。
条項５１．
ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整することが、
ウェーハと接地ピンとの間の相対並進運動距離を所定の距離だけ調整すること
を含む、条項３５～４５の何れか一項に記載の方法。
条項５２．
ウェーハを接地するための電気経路が形成されているか否かを決定することと、
電気経路が形成されていないとの決定に基づいて、ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了することと、
を更に含む、条項３５～５１の何れか一項に記載の方法。
条項５３．
ウェーハの接地位置を調整するためのシステムであって、本システムが、
ウェーハと接触するように構成された接地ピンと、
ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了し、ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整し、接地ピンとウェーハとの間の電気的接続を回復するように構成されたアクチュエータと、
を備える、システム。
条項５４．
底部と上部とを備えるウェーハマウントであって、上部が、ウェーハを支持し、接地ピンを固定するように構成され、アクチュエータが、上部を移動させるように更に構成され、接地ピンが、ウェーハが上部に載っているときにウェーハの底面に接触する、ウェーハマウント
を更に備える、条項５３に記載のシステム。
条項５５．
アクチュエータが、底面に接触し、底部に固定されたリフタを備え、
接地ピンが上部に固定され、
リフタが、上部から離れるようにウェーハを上昇させるように構成される、条項５４に記載のシステム。
条項５６．
リフタが、上部上にウェーハを下降させるように構成される、条項５５に記載のシステム。
条項５７．
アクチュエータが、底面に接触し、底部に固定された非可動式支持部 を更に備え、リフタが上部を下降させるように構成される、条項５５に記載のシステム。
条項５８．
リフタが、上部を上昇させるように構成される、条項５７に記載のシステム。
条項５９．
接地ピンがウェーハマウントにおいて垂直方向に可動であり、
底面が上部に載っており、
ウェーハと接地ピンとを引き離すように構成されたアクチュエータが、底面から接地ピンを下降させるように更に構成される、条項５４に記載のシステム。
条項６０．
ウェーハと接地ピンとを引き離すように構成されたアクチュエータが、
底面に接触するように接地ピンを上昇させる
ように更に構成される、条項５９に記載のシステム。
条項６１．
ウェーハを回転させるように構成されたプラットフォーム
を更に備え、
ウェーハと接地ピンとを引き離すように構成されたアクチュエータが、ウェーハマウントからプラットフォームにウェーハピンを取り外すように更に構成される、条項５４に記載のシステム。
条項６２．
接地ピンとウェーハとを再び付けるように構成されたアクチュエータが、プラットフォームからウェーハマウント上にウェーハを移動させるように更に構成される、条項６１に記載のシステム。
条項６３．
接地ピンが、ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了する前の接地ピンと底面との間の圧力とは異なる圧力で底面に接触する、条項５３～６２の何れか一項に記載のシステム。
条項６４．
接地ピンが、同じ相対位置で底面に接触する、条項５３～６３の何れか一項に記載の方法。
条項６５．
ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整するように構成されたアクチュエータが、
接地ピンとウェーハとの間の相対アジマス角を所定の角度だけ調整する
ように更に構成される、条項５４～６４の何れか一項に記載のシステム。
条項６６．
所定の角度が、ウェーハと接地ピンとの間の現在の相対アジマス角と、ウェーハと接地ピンとの間の目標の相対アジマス角との間の差である、条項６５に記載のシステム。
条項６７．
相対アジマス角を調整するように構成されたアクチュエータが、底部に対して上部を所定の角度だけ回転させるように更に構成される、条項６５又は６６に記載のシステム。
条項６８．
接地ピンが上部に対して回転運動において可動であり、
相対アジマス角を調整するように構成されたアクチュエータが、上部に対して接地ピンを所定の角度だけ回転させるように更に構成される、条項６５又は６６に記載のシステム。
条項６９．
プラットフォームが、ウェーハを所定の角度だけ回転させるように更に構成される、条項６５又は６６に記載のシステム。
条項７０．
ウェーハと接地ピンとの間の相対位置を調整するように構成されたアクチュエータが、
ウェーハと接地ピンとの間の相対並進運動距離を所定の距離だけ調整する
ように更に構成される、条項５３～６９の何れか一項に記載のシステム。
条項７１．
アクチュエータが、
ウェーハを接地するための電気経路が形成されていないとの決定に基づいて、ウェーハと接地ピンとの間の電気的接続を終了する
ように更に構成される、条項５３～７０の何れか一項に記載のシステム。
条項７２．
ウェーハを接地する方法であって、本方法が、
複数のプローブとウェーハとの間に接点のセットを確立することと、
ウェーハのコーティングの破壊を促進するために、複数のプローブを介して接点のセットに電気信号の第一セットを印加することと、
ウェーハを介する複数のプローブの間の電気経路の抵抗が所定の閾値以上であるとの決定に基づいて、複数のプローブを介して接点のセットに電気信号の第二セットを印加することであって、電気信号の第二セットが、電気信号の第一セットを印加するときのウェーハに関連する電気的特性の値に基づいて決定されることと、
を含む、方法。
条項７３．
プローブが接地ピンを含む、条項７２に記載の方法。
条項７４．
電気信号の第一セットが、電圧パルスのセットを含む、条項７２又は７３に記載の方法。
条項７５．
破壊が絶縁破壊を含む、条項７２～７４の何れか一項に記載の方法。
条項７６．
所定の閾値が１００，０００オームである、条項７２～７５の何れか一項に記載の方法。
条項７７．
ウェーハを接地する方法であって、本方法が、
複数のプローブとウェーハとの間に接点の第一セットを確立することと、
ウェーハのコーティングの破壊を促進するために、複数のプローブを介して接点の第一セットに電気信号の第一セットを印加することと、
ウェーハを介する複数のプローブの間の電気経路の抵抗が所定の閾値以上である場合、複数のプローブとウェーハとの間に接点の第二セットを確立することと、
複数のプローブを介して接点の第二セットに電気信号の第二セットを印加することであって、電気信号の第二セットが、電気信号の第一セットを印加するときのウェーハに関連する電気的特性の値に基づいて決定される、ことと、
を含む、方法。
条項７８．
プローブが接地ピンを含む、条項７７に記載の方法。
条項７９．
電気信号の第一セットが、電圧パルスのセットを含む、条項７７又は７８に記載の方法。
条項８０．
破壊が絶縁破壊を含む、条項７７～７９の何れか一項に記載の方法。
条項８１．
所定の閾値が１００，０００オームである、条項７７～８０の何れか一項に記載の方法。
条項８２．
ウェーハを接地する方法であって、本方法が、
ウェーハに接地ピンを接触させることと、
接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させることと、
接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することと、
を含む、方法。
条項８３．
接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させることが、
接地ピンと、ウェーハを支持するウェーハマウントの上部とに結合された振動子を振動させること
を含む、条項８２に記載の方法。
条項８４．
振動子が上部である、条項８３に記載の方法。
条項８５．
接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させることが、
ウェーハを支持するウェーハマウント上のウェーハを固定するウェーハホルダを振動させること
を含む、条項８２～８４の何れか一項に記載の方法。
条項８６．
接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させることが、
ウェーハの表面に垂直な方向又は表面に平行な方向のうちの少なくとも一方に沿って、接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させること
を含む、条項８２～８５の何れか一項に記載の方法。
条項８７．
接地ピン又はウェーハの間の電気的接続を確立することが、
ウェーハと直接接触するように、表面のコーティングを介してウェーハの表面に接地ピンを押し当てること
を含む、条項８２～８６の何れか一項に記載の方法。
条項８８．
接地ピン又はウェーハの間の電気的接続を確立することが、
表面のコーティングを介してウェーハの表面に接地ピンを押し当てることであって、接地ピンがコーティングを完全に貫通しないこと
を含む、条項８２～８７の何れか一項に記載の方法。
条項８９．
ウェーハと接触するように構成された接地ピンと、
接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させることと、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することと、のための回路を有するコントローラと、
を備える、システム。
条項９０．
接地ピンと、ウェーハを支持するウェーハマウントの上部とに結合され、接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させるように構成された振動子
を更に備える、条項８９に記載のシステム。
条項９１．
振動子が上部である、条項９０に記載のシステム。
条項９２．
接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させることが、
ウェーハを支持するウェーハマウント上のウェーハを固定するウェーハホルダを振動させること
を含む、条項８９～９１の何れか一項に記載のシステム。
条項９３．
接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させることが、
ウェーハの表面に垂直な方向又は表面に平行な方向のうちの少なくとも一方に沿って、接地ピン又はウェーハのうちの少なくとも一方を振動させること
を含む、条項８９～９２の何れか一項に記載のシステム。
条項９４．
接地ピン又はウェーハの間に電気的接続を確立することが、
ウェーハと直接接触するように、表面のコーティングを介してウェーハの表面に接地ピンを押し当てること
を含む、条項８９～９３の何れか一項に記載のシステム。
条項９５．
接地ピン又はウェーハの間に電気的接続を確立することが、
表面のコーティングを介してウェーハの表面に接地ピンを押し当てることであって、接地ピンがコーティングを完全に貫通しないこと
を含む、条項８９～９４の何れか一項に記載のシステム。
条項９６．
ウェーハを接地する方法であって、本方法が、
衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることと、
接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することと、
を含む、方法。
条項９７．
コーティングが０．３ミクロンを超える厚さを有する、条項０に記載の方法。
条項９８．
衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることが、
ウェーハと直接接触するように、衝突によってコーティングに接地ピンを貫通させること
を含む、条項９６又は０に記載の方法。
条項９９．
衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることが、
衝突によって接地ピンにコーティングを貫通させることであって、接地ピンがコーティングを完全に貫通しないこと
を含む、条項９６又は０に記載の方法。
条項１００．
接地ピンが衝撃によってコーティングを貫通した後の接地ピンの先端とウェーハの表面との間の距離が、０．３ミクロン以下である、条項０に記載の方法。
条項１０１．
衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることが、
ウェーハに向けて接地ピンを作動させること
を含む、条項０～０の何れか一項に記載の方法。
条項１０２．
ウェーハに向けて接地ピンを作動させることが、
ある距離だけウェーハから離れるように接地ピンを移動させることと、
ウェーハに向けて接地ピンを加速させることと、
を含む、条項０に記載の方法。
条項１０３．
ウェーハに向けて接地ピンを作動させることが、接地ピンの運動エネルギーが０．０００２ジュールを超えるように構成される、条項１０１又は０に記載の方法。
条項１０４．
距離が１００ミクロン又は１ミリメートルを超える、条項０又は１０３に記載の方法。
条項１０５．
ウェーハのタイプ、ウェーハのコーティングのタイプ、又はコーティングの厚さのうちの少なくとも１つに基づいて、距離を決定すること
を更に含む、条項０～０の何れか一項に記載の方法。
条項１０６．
ウェーハから離れるように接地ピンを移動させる前に、ウェーハに接地ピンを接触させること
を更に含む、条項０～０の何れか一項に記載の方法。
条項１０７．
衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることが、
ウェーハに向かう接地ピンにマスブロックを衝突させること
を含む、条項０～０の何れか一項に記載の方法。
条項１０８．
ウェーハに向かう接地ピンにマスブロックを衝突させることが、
接地ピンに向けてマスブロックを作動させること
を含む、条項０に記載の方法。
条項１０９．
接地ピンに向けてマスブロックを作動させることが、
ある距離だけ接地ピンから離れるようにマスブロックを移動させることと、
接地ピンに向けてマスブロックを加速させることと、
を含む、条項０に記載の方法。
条項１１０．
接地ピンに向けてマスブロックを作動させることが、マスブロックの運動エネルギーが０．０００２ジュールを超えるように構成される、条項１０８又は０に記載の方法。
条項１１１．
距離が１００ミクロン又は１ミリメートルを超える、条項０又は１１０に記載の方法。
条項１１２．
ウェーハのタイプ、ウェーハのコーティングのタイプ、又はコーティングの厚さのうちの少なくとも１つに基づいて、距離を決定すること
を更に含む、条項０～０の何れか一項に記載の方法。
条項１１３．
接地ピンから離れるようにマスブロックを移動させる前に、マスブロックに接地ピンに接触させること
を更に含む、条項０～０の何れか一項に記載の方法。
条項１１４．
接地ピンから離れるようにマスブロックを移動させる前に、ウェーハに接地ピンを接触させること
を更に含む、条項０～０の何れか一項に記載の方法。
条項１１５．
接地ピンと、
衝突によってウェーハ上のコーティングを貫通するように接地ピンを制御することと、接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することと、のための回路を有するコントローラと、
を備える、システム。
条項１１６．
ウェーハを支持するウェーハステージに結合されたアクチュエータ
を更に備える、条項０に記載のシステム。
条項１１７．
アクチュエータが、電気式アクチュエータ、磁気式アクチュエータ、電磁式アクチュエータ、ばね、空気圧式アクチュエータ、又は油圧式アクチュエータのうちの１つを含む、条項０に記載のシステム。
条項１１８．
アクチュエータが、接地ピンを作動させるように構成される、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１１９．
コーティングが０．３ミクロンを超える厚さを有する、条項０に記載のシステム。
条項１２０．
衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させるための回路を有するコントローラが、
衝突によって接地ピンにコーティングを貫通させるための回路であって、接地ピンがウェーハと直接接触する、又は接地ピンがコーティングを完全に貫通しない、回路
を備える、条項０又は１１９に記載のシステム。
条項１２１．
接地ピンが衝撃によってコーティングを貫通した後の接地ピンの先端とウェーハの表面との間の距離が、０．３ミクロン以下である、条項０に記載のシステム。
条項１２２．
衝突によってウェーハ上のコーティングを貫通するように接地ピンを制御するための回路を有するコントローラが、
ウェーハに向けて接地ピンを作動させるための回路
を備える、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１２３．
ウェーハに向けて接地ピンを作動させるための回路を有するコントローラが、
ある距離だけウェーハから離れるように接地ピンを移動させることと、
ウェーハに向けて接地ピンを加速させることと、
のための回路を備える、条項０に記載のシステム。
条項１２４．
ウェーハに向けて接地ピンを作動させることのための回路が、接地ピンの運動エネルギーが０．０００２ジュールを超えるように構成される、条項１２２又は０に記載のシステム。
条項１２５．
距離が１００ミクロン又は１ミリメートルを超える、条項０又は１２４に記載のシステム。
条項１２６．
回路を有するコントローラが、更に、
ウェーハのタイプ、ウェーハのコーティングのタイプ、又はコーティングの厚さのうちの少なくとも１つに基づいて、距離を決定すること
のためである、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１２７．
回路を有するコントローラが、更に、
ウェーハから離れるように接地ピンを移動させる前に、ウェーハに接触するように接地ピンを制御すること
のためである、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１２８．
マスブロックであって、アクチュエータがマスブロックを作動させるように構成される、マスブロック
を更に備える、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１２９．
衝突によってウェーハ上のコーティングを貫通するように接地ピンを制御するための回路を有するコントローラが、
ウェーハに向かう接地ピンに衝突するようにマスブロックを作動させるための回路
を備える、条項０に記載のシステム。
条項１３０．
ウェーハに向かう接地ピンに衝突するようにマスブロックを作動させるための回路を有するコントローラが、
接地ピンに向けてマスブロックを作動させるための回路
を備える、条項０に記載のシステム。
条項１３１．
接地ピンに向けてマスブロックを作動させるための回路を有するコントローラが、
ある距離だけ接地ピンから離れるようにマスブロックを移動させることと、
接地ピンに向けてマスブロックを加速させることと、
のための回路を備える、条項０に記載のシステム。
条項１３２．
接地ピンに向けてマスブロックを作動させるための回路が、マスブロックの運動エネルギーが０．０００２ジュールを超える、条項１３０又は０に記載のシステム。
条項１３３．
距離が１００ミクロン又は１ミリメートルを超える、条項０又は１３２に記載のシステム。
条項１３４．
回路を有するコントローラが、更に、
ウェーハのタイプ、ウェーハのコーティングのタイプ、又はコーティングの厚さのうちの少なくとも１つに基づいて、距離を決定すること
のためである、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１３５．
回路を有するコントローラが、更に、
接地ピンから離れるようにマスブロックを移動させる前に、接地ピンに接触するようにマスブロックを制御すること
のためである、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１３６．
回路を有するコントローラが、更に、
接地ピンから離れるようにマスブロックを移動させる前に、ウェーハに接触するように接地ピンを制御すること
のためである、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１３７．
装置に方法を実行させるために、装置の少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令のセットを記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、本方法が、
衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることと、
接地ピンとウェーハとの間に電気的接続を確立することと、
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
条項１３８．
第一接地ピンと、
静電ホルダの内側に第一電極を備える静電ホルダと、
第一接地ピンと第一電極との間に電気的に結合された第一過電圧保護デバイスであって、第一過電圧保護デバイスに印加された第一電圧が閾値電圧を超えたときに電気を通し、第一電圧が閾値電圧を超えないときに電気を通すことを停止する、ように構成される、第一過電圧保護デバイスと、
を備える、ウェーハ接地のためのシステム。
条項１３９．
第一過電圧保護デバイスが、複数の方向に電気を通すことができるように構成される、条項０に記載のシステム。
条項１４０．
閾値電圧が第一過電圧保護デバイスの電気的特性である、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１４１．
閾値電圧が調整可能である、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１４２．
第一過電圧保護デバイスが、過渡電圧抑制（ＴＶＳ）ダイオード、ツェナーダイオード、バリスタ、又は交流用シリコンダイオード（ＳＩＤＡＣ）のうちの少なくとも１つを含む、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１４３．
静電ホルダ及び第一接地ピンを取り囲むように構成された凹面と、凹面上の第一インターフェイスであって、第一インターフェイスが第一電極のワイヤリングと嵌合するように構成される、第一インターフェイス、及び凹面上の第二インターフェイスであって、第二インターフェイスが第一接地ピンのワイヤリングと嵌合するように構成される、第二インターフェイスのうちの少なくとも一方とを備える、ハウジング
を更に備える、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１４４．
第一過電圧保護デバイスが、ハウジングの内側にある、条項０に記載のシステム。
条項１４５．
第一過電圧保護デバイスが、ハウジングの外側にある、条項０に記載のシステム。
条項１４６．
静電ホルダが、静電ホルダの内側に第二電極を備える、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１４７．
第一接地ピンと第二電極との間に電気的に結合された第二過電圧保護デバイスであって、第二過電圧保護デバイスに印加された第二電圧が閾値電圧を超えたときに電気を通し、第二電圧が閾値電圧を超えないときに電気を通すことを停止する、ように構成される、第二過電圧保護デバイス
を更に備える、条項０に記載のシステム。
条項１４８．
第二接地ピンと、
第二接地ピンと第一電極との間に電気的に結合された第三過電圧保護デバイスであって、第三過電圧保護デバイスに印加された第三電圧が閾値電圧を超えたときに電気を通し、第三電圧が閾値電圧を超えないときに電気を通すことを停止する、ように構成される、第三過電圧保護デバイスと、
を更に備える、条項０～０の何れか一項に記載のシステム。
条項１４９．
高電圧の高速ランピングのための装置であって、
装置の高電圧部分と装置の接地部分との間に配置されたアイソレータと、
高電圧部分に電気的に結合された第一電極と、
接地部分に電気的に結合され、第一電極に導通していない第二電極と、
アイソレータの上で第一電極及び第二電極を覆う誘電体層と、
を備える、装置。
条項１５０．
誘電体層がアイソレータの表面に付着され、第一電極及び第二電極が誘電体層とアイソレータの表面との間で覆われる、条項０に記載の装置。
条項１５１．
アイソレータが誘電体層を備え、第一電極及び第二電極がアイソレータの内側に埋め込まれる、条項０に記載の装置。
条項１５２．
装置の高電圧部分に電気的に結合され、第一電極に容量的に結合された第一導電性部分と、
装置の接地部分に電気的に結合され、第二電極に容量的に結合された第二導電性部分と、
を更に備える、条項０～０の何れか一項に記載の装置。
条項１５３．
誘電体層の厚さが、第一導電性部分と第一電極との間の第一オーバーラップ面積、及び第二導電性部分と第二電極との間の第二オーバーラップ面積のうち小さい方の１０分の１以下である、条項０に記載の装置。
条項１５４．
誘電体層の厚さが、誘電体層の表面と、装置に容量結合され、装置に属さない物体との間の距離の５０分の１以下である、条項０～０の何れか一項に記載の装置。
条項１５５．
誘電体層の材料が、３×１０^－１１ファラッド毎メートル以上の誘電率を有する、条項０～０の何れか一項に記載の装置。
条項１５６．
材料がガラス又はセラミックを含む、条項０に記載の装置。
条項１５７．
高電圧部分が第一表面を備え、接地部分が第一表面に平行な第二表面を備え、アイソレータが第一表面及び第二表面に垂直な表面を備える、条項０～０の何れか一項に記載の装置。
条項１５８．
ウェーハを支持するステージを囲むように構成されたハウジングであって、高電圧部分がハウジングの上面を含み、接地部分がハウジングの底面を含み、アイソレータがハウジングの壁を含む、ハウジング
を更に備える、条項０～０の何れか一項に記載の装置。

【0217】

[0241] プロセッサ（例えば、図１のコントローラ１０９のプロセッサ）が、画像処理、データ処理、データベース管理、グラフィック表示、荷電粒子ビーム装置若しくは他のイメージングデバイスの動作、ウェーハ接地の制御、ウェーハ接地位置調整の制御、又はピン衝突法の実施などを実行するための命令を記憶する、非一時的コンピュータ可読媒体が提供され得る。非一時的媒体の一般的な形式としては、例えば、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、ソリッドステートドライブ、磁気テープ、又は任意の他の磁気データ記憶媒体、ＣＤ－ＲＯＭ、任意の他の光学データ記憶媒体、孔のパターンを持つ任意の物理媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及びＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ－ＥＰＲＯＭ又は任意の他のフラッシュメモリ、ＮＶＲＡＭ、キャッシュ、レジスタ、任意の他のメモリチップ又はカートリッジ、並びにそれらのネットワークバージョンが挙げられる。

【0218】

[0242] 図中のブロック図は、本開示の様々な例示的な実施形態による、システム、方法、及びコンピュータハードウェア又はソフトウェア製品の可能な実装形態のアーキテクチャ、機能、及び動作を示している。この点において、フローチャート又はブロック図の各ブロックは、指定された論理機能を実施するための１つ又は複数の実行可能な命令を含む、コードのモジュール、セグメント、又は部分を表し得る。いくつかの代替的な実装形態では、ブロックで示された機能が、図の記載とは異なる順序で行われ得ることを理解されたい。例えば、連続して示されている２つのブロックは、実質的に同時に実行又は実施されてもよいし、２つのブロックは、場合により、関連する機能に応じて、逆の順序で実行されてもよい。また、いくつかのブロックが省略されてもよい。また、ブロック図の各ブロック及びブロックの組み合わせは、指定された機能若しくは行為を実行する専用のハードウェアベースのシステムによって、又は専用のハードウェアとコンピュータ命令との組み合わせによって実施され得ることを理解されたい。

【0219】

[0243] 本開示の実施形態は、上で説明され、添付の図面に示されたとおりの構造に限定されるものではなく、本開示の範囲を逸脱することなく、様々な修正及び変更がなされ得ることが理解されよう。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14A】

【図14B】

【図14C】

【図14D】

【図15A】

【図15B】

【図15C】

【図15D】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19A】

【図19B】

【図19C】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【手続補正書】

【提出日】2022-04-04

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

接地ピンと、
衝突によって前記ウェーハ上のコーティングを貫通するように前記接地ピンを制御することと、前記接地ピンと前記ウェーハとの間に電気的接続を確立することと、のための回路を有するコントローラと、
前記ウェーハを支持するウェーハステージに結合されたアクチュエータと、を備え、
前記アクチュエータが、前記接地ピンを作動させるように構成され、
衝突によって前記ウェーハ上の前記コーティングを貫通するように前記接地ピンを制御するための回路を有する前記コントローラが、前記ウェーハに向けて前記接地ピンを作動させるための回路を備え、
前記ウェーハに向けて前記接地ピンを作動させるための回路を有する前記コントローラが、ある距離だけ前記ウェーハから離れるように前記接地ピンを移動させることと、前記ウェーハに向けて前記接地ピンを加速させることと、のための回路を備える、
システム。

【請求項2】

前記衝突によって前記接地ピンに前記ウェーハ上の前記コーティングを貫通させるための回路を有する前記コントローラが、前記衝突によって前記接地ピンに前記コーティングを貫通させるための回路であって、前記接地ピンが前記ウェーハと直接接触するか、又は前記接地ピンが前記コーティングを完全に貫通しない、回路を備える、請求項１に記載のシステム。

【請求項3】

前記回路を有する前記コントローラが、更に、前記ウェーハのタイプ、前記ウェーハのコーティングのタイプ、又は、前記コーティングの厚さ、のうちの少なくとも１つに基づいて、前記距離を決定するためである、請求項１に記載のシステム。

【請求項4】

前記回路を有する前記コントローラが、更に、前記ウェーハから離れるように前記接地ピンを移動させる前に、前記ウェーハに接触するように前記接地ピンを制御するためである、請求項１に記載のシステム。

【請求項5】

マスブロックであって、前記アクチュエータが前記マスブロックを作動させるように構成される、マスブロックを更に備える、請求項１に記載のシステム。

【請求項6】

衝突によって前記ウェーハ上の前記コーティングを貫通するように前記接地ピンを制御するための回路を有する前記コントローラが、前記ウェーハに向かう前記接地ピンに衝突するように前記マスブロックを作動させるための回路を備える、請求項５に記載のシステム。

【請求項7】

前記ウェーハに向かう前記接地ピンに衝突するように前記マスブロックを作動させるための回路を有する前記コントローラが、前記接地ピンに向けて前記マスブロックを作動させるための回路を備える、請求項６に記載のシステム。

【請求項8】

前記接地ピンに向けて前記マスブロックを作動させるための回路を有する前記コントローラが、ある距離だけ前記接地ピンから離れるように前記マスブロックを移動することと、前記接地ピンに向けて前記マスブロックを加速させることと、のための回路を備える、請求項７に記載のシステム。

【請求項9】

前記回路を有する前記コントローラが、更に、前記ウェーハのタイプ、前記ウェーハのコーティングのタイプ、又は、前記コーティングの厚さ、のうちの少なくとも１つに基づいて、前記距離を決定するためである、請求項８に記載のシステム。

【請求項10】

前記回路を有する前記コントローラが、更に、前記接地ピンから離れるように前記マスブロックを移動させる前に、前記接地ピンに接触するように前記マスブロックを制御するためである、請求項８に記載のシステム。

【請求項11】

装置に方法を実行させるために、前記装置の少なくとも１つのプロセッサによって実行可能な命令のセットを記憶する非一時的コンピュータ可読媒体であって、前記方法が、
衝突によって接地ピンにウェーハ上のコーティングを貫通させることと、
前記接地ピンと前記ウェーハとの間に電気的接続を確立することと、
を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。

【国際調査報告】