特表 2022-553008 極紫外線マスクブランク欠陥低減方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2022-12-21

(54)【発明の名称】極紫外線マスクブランク欠陥低減方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/24 20120101AFI20221214BHJP

   C23C 14/06 20060101ALI20221214BHJP

   C23C 14/00 20060101ALI20221214BHJP

【ＦＩ】

G03F1/24

C23C14/06 N

C23C14/06 P

C23C14/00 B

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022523095

(86)(22)【出願日】2020-10-23

(85)【翻訳文提出日】2022-06-10

(86)【国際出願番号】 US2020057000

(87)【国際公開番号】W WO2021081291

(87)【国際公開日】2021-04-29

(31)【優先権主張番号】62/925,880

(32)【優先日】2019-10-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】17/077,176

(32)【優先日】2020-10-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】Ｍ／Ｓ １２６９，３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】シャオ， ウェン

(72)【発明者】

【氏名】バート， サンジェイ

(72)【発明者】

【氏名】リウ， シーユイ

(72)【発明者】

【氏名】ヴァルゲス， ビンニ

(72)【発明者】

【氏名】ジンダル， ビブー

(72)【発明者】

【氏名】ゼラード， アゼディン

【テーマコード（参考）】

2H195

4K029

【Ｆターム（参考）】

2H195BA02

2H195BA10

2H195CA16

2H195CA23

4K029AA24

4K029BA03

4K029BA11

4K029BA35

4K029BA41

4K029BA58

4K029BB02

4K029BC07

4K029BD01

4K029CA05

4K029CA06

4K029DA01

4K029DA10

4K029DC02

4K029DC03

4K029DC16

4K029DC39

4K029EA00

4K029FA09

4K029JA02

(57)【要約】

極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクの製造方法及びその製造システムが開示される。ＥＵＶマスクブランクを形成する方法は、マルチカソードＰＶＤチャンバ内部の一部に二重層を形成し、次にマルチカソードＰＶＤチャンバ内の基板上にＳｉ／Ｍｏの多層スタックを形成することを含む。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法であって：
マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバのチャンバ内部の一部上に第１の層を堆積すること；
前記第１の層上に、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層からなる群から選択される二重層を形成するために第２の層を堆積すること；
前記マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに基板を配置すること；並びに
前記基板上にモリブデンとシリコンの交互層の多層スタックを形成すること
を含む方法。

【請求項2】

前記第１の層がＳｉＮ_ｘ層であり、前記第２の層がＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層であり、前記マルチカソードＰＶＤチャンバが、第１のシリコンターゲット、第２のシリコンターゲット、第３のシリコンターゲット、及び第４のモリブデンターゲットを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記ＰＶＤチャンバに、Ａｒ／Ｎ_２ガスの混合物を流すこと、及び前記第１のシリコンターゲットからスパッタリングして、前記チャンバ内部の前記一部上にＳｉＮ_ｘ層を形成することを更に含む、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記ＰＶＤチャンバにＡｒ／Ｎ_２／Ｏ_２ガスの混合物を流すこと、及び前記第２のシリコンターゲットを前記ＳｉＮ_ｘ層上のＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層にスパッタリングして、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層を形成することを更に含む、請求項３に記載の方法。

【請求項5】

前記マルチカソードＰＶＤチャンバに前記基板を配置することの前に、３～１０個の範囲のＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層を形成することを更に含む、請求項４に記載の方法。

【請求項6】

前記チャンバ内部の前記一部がライナーを含む、請求項５に記載の方法。

【請求項7】

前記ライナーがシールドを含む、請求項６に記載の方法。

【請求項8】

前記ＳｉＮ_ｘ層及び前記ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層の各々を形成する間、前記ライナーを回転させることを更に含む、請求項６に記載の方法。

【請求項9】

前記基板上でのモリブデンとシリコンの交互層の前記多層スタックの形成の間、前記ライナーを回転させない、請求項８に記載の方法。

【請求項10】

極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法であって：
マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバのライナーを回転させること；
前記ライナーを回転させている間、前記ライナー上に第１の層を堆積すること；
前記ライナーを回転させている間、前記第１の層上に、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層からなる群から選択される二重層を形成するために第２の層を堆積すること；
前記ライナーの回転を停止させること；
チャンバ内部を含む前記マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに基板を配置すること；並びに
前記基板上にモリブデンとシリコンの交互層の多層スタックを形成すること
を含む方法。

【請求項11】

前記第１の層がＳｉＮ_ｘ層であり、前記第２の層がＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層であり、前記マルチカソードＰＶＤチャンバが、第１のシリコンターゲット、第２のシリコンターゲット、第３のシリコンターゲット、及び第４のモリブデンターゲットを含む、請求項１０に記載の方法。

【請求項12】

前記ＰＶＤチャンバにＡｒ／Ｎ_２ガスの混合物を流すこと、及び前記第１のシリコンターゲットからスパッタリングして、前記ライナー上にＳｉＮ_ｘ層を形成することを更に含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

前記ＰＶＤチャンバにＡｒ／Ｎ_２／Ｏ_２ガスの混合物を流すこと、及び前記第２のシリコンターゲットを前記ＳｉＮ_ｘ層上のＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層にスパッタリングして、ＳｉＮ_ｘ／ＳＯＸ_ｘＮ_ｙ二重層を形成することを更に含む、請求項１２に記載の方法。

【請求項14】

前記マルチカソードＰＶＤチャンバに前記基板を配置することの前に、３～１０個の範囲のＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層を形成することを更に含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記ライナーを、前記ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層及び前記ＳｉＮ_ｘ層の各々の堆積が、３～５回のライナーの回転の完全なサイクルの間に起こるように回転させる、請求項１１に記載の方法。

【請求項16】

前記ライナーの回転速度を最大２０ｒｐｍに制御することを更に含む、請求項１５に記載の方法。

【請求項17】

マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバであって：
第１のシリコンターゲット、第２のシリコンターゲット、第３のシリコンターゲット及びモリブデンターゲットと；
前記ＰＶＤチャンバの内部を裏打ちし、回転するように構成されているライナーと；
前記第１のシリコンターゲットがスパッタリングされるときの前記ライナー上への第１の層の堆積の間、及び前記第２のシリコンターゲットがスパッタリングされるときの、前記第１の層上に、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層からなる群から選択される二重層を形成するための第２の層の堆積の間に、前記ライナーの回転を制御するように構成されているコントローラと
を含むマルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ。

【請求項18】

前記コントローラが、３～８個の二重層を形成するように構成されている、請求項１７に記載のマルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ。

【請求項19】

前記コントローラが、前記チャンバ中に基板を装填する前に、前記ライナーの回転を停止させるように構成されている、請求項１７に記載のマルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ。

【請求項20】

前記コントローラが、第３のシリコンターゲット及び第４のモリブデンターゲットを交互にスパッタリングすることによって、前記基板上にモリブデンとシリコンの交互層の多層スタックを形成するように構成されている、請求項１９に記載のマルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、概して、極紫外線リソグラフィ、より具体的には、極紫外線マスクブランク製造欠陥低減方法及び装置に関する。

【背景技術】

【0002】

［０００２］極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、縮小投影露光Ｘ線リソグラフィ（ｓｏｆｔ ｘ－ｒａｙ ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）としても知られており、０．０１３５ミクロン以下の最小フィーチャサイズの半導体デバイスの製造に使用される。一般に、５～１００ナノメートルの波長範囲にある極紫外線は、事実上すべての材料に強く吸収される。そのため、極紫外線システムは、光の透過ではなく反射によって機能する。無反射吸収体マスクパターンでコーティングされた一連のミラー又はレンズ要素、及び反射要素又はマスクブランクを使用することにより、パターン化された化学線は、レジストでコーティングされた半導体基板に反射される。

【0003】

［０００３］極紫外線リソグラフィシステムのレンズ要素とマスクブランクは、モリブデン及びシリコンなどの材料の反射多層コーティングでコーティングされる。非常に狭い紫外線バンドパス内、例えば、１３．５ナノメートルの紫外線に対して１２．５～１４．５ナノメートルのバンドパス内の光を強く反射する多層コーティングでコーティングされた基板を使用することにより、レンズ要素又はマスクブランクあたり約６５％の反射値が得られた。

【0004】

［０００４］ＥＵＶブランクは、ブランクの作業領域の欠陥に対して低い耐性を有する。シリコンとモリブデンの堆積は、チャンバに不均衡な応力をもたらし、最終的には応力に関連する欠陥の原因となる。目標は、ブランクの作業領域にキラータイプの欠陥（大きな欠陥）をゼロにすることであり、というのも、欠陥は修復が難しく、機能しているＥＵＶマスクを有するためである。したがって、欠陥の少ないＥＵＶブランクが必要とされている。

【発明の概要】

【0005】

［０００５］本開示の１つ又は複数の実施形態は、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法に関し、該方法は、マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバのチャンバ内部の一部に第１の層を堆積すること；第１の層上に、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層からなる群から選択される二重層を形成するために、第２の層を堆積すること；マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに基板を配置すること；及び基板上にモリブデンとシリコンの交互層の多層スタックを形成することを含む。

【0006】

［０００６］本開示の追加の実施形態は、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを製造する方法に関し、該方法は、マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバのライナーを回転させること；ライナーが回転している間にライナー上に第１の層を堆積すること；ライナーが回転している間に第１の層上に、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層からなる群から選択される二重層を形成するために、第２の層を堆積することこと；ライナーの回転を停止させこと；チャンバ内部を含むマルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに基板を配置すること；及び基板上にモリブデンとシリコンの交互層の多層スタックを形成することを含む。

【0007】

［０００７］本開示のさらなる実施形態は、第１のシリコンターゲット、第２のシリコンターゲット、第３のシリコンターゲット及びモリブデンターゲット；ＰＶＤチャンバの内部を裏打ちし、回転するように構成されているライナー；及び第１のシリコンターゲットがスパッタリングされるときのライナー上の第１の層の堆積中、及び第２のシリコンターゲットがスパッタリングされるときの、第１の層上に、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層からなる群から選択される二重層を形成するための、第２の層の堆積中に、ライナーの回転を制御するように構成されているコントローラを含むマルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに関する。

【0008】

［０００８］本開示の上記の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明は、実施形態を参照することによって得ることができ、そのいくつかは添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって、その範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】［０００９］極紫外線リソグラフィシステムの実施形態を概略的に示している。

【図2】［００１０］極紫外線反射要素生成システムの実施形態を示している。

【図3】［００１１］１つ又は複数の実施形態によるマルチカソードＰＶＤチャンバの側面図である。

【図4】［００１２］ＥＵＶマスクブランクなどの驚嘆紫外線反射要素の実施形態を示している。

【図5】［００１３］一実施形態による、ＰＶＤチャンバのＡｌ／Ｏ表面上のＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層コーティングの実施形態を示す。

【図6】［００１４］１つ又は複数の実施形態による方法を示すフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0010】

［００１５］本開示のいくつかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明に記載される構築又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実施することができる。

【0011】

［００１６］本明細書で使用される「水平」という用語は、その向きに関係なく、マスクブランクの平面又は表面に平行な平面として定義される。「垂直」という用語は、まさに定義された水平に垂直な方向を指す。「上」、「下」、「下」、「上」、「側」（「側壁」におけるなど）、「より高い」、「より低い」、「上部」、「上」、及び「下部」などの用語は、図に示すように、水平面に対して定義される。

【0012】

［００１７］「上に」という用語は、要素間に直接接触があることを示す。「直接上に」という用語は、要素が介在せずに要素間に直接接触していることを示す。

【0013】

［００１８］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「前駆体」、「反応物」、「反応性ガス」などの用語は、基板表面と反応する任意のガス種を指すために交換可能に使用される。

【0014】

［００１９］当業者は、プロセス領域を説明するための「第１」及び「第２」などの序数の使用が、処理チャンバ内の特定の位置、又は処理チャンバ内の露出の順序を意味しないことは理解するであろう。

【0015】

［００２０］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「基板」という用語は、プロセスが作用する表面又は表面の一部を指す。文脈が明らかに他のことを示さない限り、基板への言及は基板の一部のみを指すことも当業者によって理解されるであろう。さらに、いくつかの実施形態では、基板上に堆積することへの言及は、露出した基板と、その上に堆積又は形成された１つ又は複数の膜若しくはフィーチャを備えた基板の両方を意味する。

【0016】

［００２１］ここで図１を参照すると、極紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態が示されている。極紫外線リソグラフィシステム１００は、極紫外線光１１２を生成するための極紫外線光源１０２、一組の反射要素、及びターゲットウエハ１１０を含む。反射要素は、コンデンサ１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、又はそれらの組み合わせを含む。

【0017】

［００２２］極紫外線光源１０２は、極紫外線１１２を生成する。極紫外線１１２は、５～５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長を有する電磁放射である。例えば、極紫外線光源１０２は、レーザ、レーザ生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザ、シンクロトロン放射、又はそれらの組み合わせを含む。

【0018】

［００２３］極紫外線光源１０２は、様々な特性を有する極紫外線１１２を生成する。極紫外線光源１０２は、ある範囲の波長にわたって広帯域の極紫外線放射を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、５～５０ｎｍの範囲の波長を有する極紫外線光１１２を生成する。

【0019】

［００２４］１つ又は複数の実施形態では、極紫外線光源１０２は、狭い帯域幅を有する極紫外線光１１２を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、１３．５ｎｍで極紫外線１１２を生成する。波長ピークの中心は１３．５ｎｍである。

【0020】

［００２５］コンデンサ１０４は、極紫外線１１２を反射及び集束するための光学ユニットである。コンデンサ１０４は、極紫外線光源１０２からの極紫外線１１２を反射及び集光して、ＥＵＶ反射マスク１０６を照明する。

【0021】

［００２６］コンデンサ１０４は単一の要素として示されているが、いくつかの実施形態のコンデンサ１０４は、極紫外線１１２を反射及び集中するために、球面鏡、凸鏡、平面鏡、又はそれらの組み合わせなどの１つ又は複数の反射要素を含むことが理解される。例えば、いくつかの実施形態のコンデンサ１０４は、単一の凹面ミラー、又は凸面、凹面、及び平坦な光学要素を有する光学アセンブリである。

【0022】

［００２７］ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極紫外線反射要素である。ＥＵＶ反射マスク１０６は、リソグラフィパターンを作成して、ターゲットウエハ１１０上に形成される回路レイアウトを形成する。ＥＵＶ反射マスク１０６は、極紫外線１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部を画定する。

【0023】

［００２８］光低減アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像を低減するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極紫外線１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって低減され、ターゲットウエハ１１０に反射される。いくつかの実施形態の光学的縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の画像のサイズを縮小するためのミラー及び他の光学要素を含む。例えば、いくつかの実施形態の光学縮小アセンブリ１０８は、極紫外線１１２を反射及び集束するための球面鏡を含む。

【0024】

［００２９］光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４の画像のサイズを縮小する。例えば、いくつかの実施形態のマスクパターン１１４は、ターゲットウエハ１１０上の光学縮小アセンブリ１０８によって４：１の比率で画像化され、ターゲットウエハ１１０上のマスクパターン１１４によって表される回路を形成する。いくつかの実施形態の極紫外線１１２は、反射マスク１０６をターゲットウエハ１１０と同期してスキャンして、ターゲットウエハ１１０上にマスクパターン１１４を形成する。

【0025】

［００３０］ここで図２を参照すると、極紫外線反射要素生成システム２００の実施形態が示されている。極端極紫外線反射要素は、ＥＵＶマスクブランク２０４、極紫外線（ＥＵＶ）ミラー２０５、又はＥＵＶ反射マスク１０６などの他の反射要素を含む。

【0026】

［００３１］いくつかの実施形態の極紫外線反射要素生成システム２００は、図１の極紫外線光１１２を反射するマスクブランク、ミラー、又は他の要素を生成する。極紫外線反射素子製造システム２００は、ソース基板２０３に薄いコーティングを適用することによって反射素子を製造する。

【0027】

［００３２］ＥＵＶマスクブランク２０４は、図１のＥＵＶ反射マスク１０６を形成するための多層構造である。いくつかの実施形態のＥＵＶマスクブランク２０４は、半導体製造技術を使用して形成される。いくつかの実施形態のＥＵＶ反射マスク１０６は、エッチング及び他のプロセスによってマスクブランク２０４上に形成された図１のマスクパターン１１４を有する。

【0028】

［００３３］極紫外線ミラー２０５は、ある範囲の極紫外線を反射する多層構造である。いくつかの実施形態の極紫外線ミラー２０５は、半導体製造技術を使用して形成される。いくつかの実施形態のＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、各要素上に形成された層に関して同様の構造であるが、極紫外線ミラー２０５は、マスクパターン１１４を有さない。

【0029】

［００３４］反射要素は、極紫外線１１２の効率的な反射器である。一実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、６０％を超える極紫外線反射率を有する。反射要素は、それらが極紫外線１１２の６０％を超えて反射する場合に効率的である。

【0030】

［００３５］極紫外線反射要素生成システム２００は、ソース基板２０３がロードされ、そこから反射要素がアンロードされるウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２を含む。大気ハンドリングシステム２０６は、ウエハハンドリング真空チャンバ２０８へのアクセスを提供する。いくつかの実施形態のウエハローディング及びキャリアハンドリングシステム２０２は、システム内で基板を大気から真空に移送するための基板輸送ボックス、ロードロック、及び他の構成要素を含む。ＥＵＶマスクブランク２０４は、非常に小規模でデバイスを形成するために使用されるので、ソース基板２０３及びＥＵＶマスクブランク２０４は、汚染及び他の欠陥を防ぐために真空システムで処理される。

【0031】

［００３６］いくつかの実施形態のウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバ、第１の真空チャンバ２１０及び第２の真空チャンバ２１２を含む。第１の真空チャンバ２１０は、第１のウエハハンドリングシステム２１０を含み、第２の真空チャンバ２１２は、第２のウエハハンドリングシステム２１６を含む。ウエハハンドリング真空チャンバ２０８は２つの真空チャンバで説明されているが、いくつかの実施形態のシステムは、任意の数の真空チャンバを有することが理解される。

【0032】

［００３７］いくつかの実施形態のウエハハンドリング真空チャンバ２０８は、様々な他のシステムを取り付けるために、その周囲の周りに複数のポートを有する。第１の真空チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８、第１の物理的気相堆積システム２２０、第２の物理的気相堆積システム２２２、及び予洗浄システム２２４を有する。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱的に脱着するためのものである。予洗浄システム２２４は、ウエハ、マスクブランク、ミラー、又は他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。

【0033】

［００３８］いくつかの実施形態の第１の物理的気相堆積システム２２０及び第２の物理的気相堆積システム２２２などの物理的気相堆積システムは、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成するために使用される。例えば、いくつかの実施形態の物理的気相堆積システムは、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせなどの真空気相堆積システムを含む。マグネトロンスパッタリングシステムなどの物理的気相堆積システムは、シリコン、金属、合金、化合物、又はそれらの組み合わせの層を含むソース基板２０３上に薄層を形成する。

【0034】

［００３９］物理的気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収体層を形成する。例えば、いくつかの実施形態の物理的蒸気堆積システムは、シリコン、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオビウム、タングステンルテニウム、モリブデンルテニウム、ニオブルテニウム、クロム、タンタル、窒化物、化合物、又はそれらの組み合わせの層を形成する。いくつかの化合物は酸化物として記載されているが、いくつかの実施形態の化合物は、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はそれらの組み合わせを含むことが理解される。

【0035】

［００４０］第２の真空チャンバ２１２は、第１のマルチカソード源２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及びそれに接続された超平滑堆積チャンバ２３２を有する。例えば、いくつかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ支援化学気相堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾル支援ＣＶＤ、ホットフィラメントＣＶＤシステム、又は同様のシステムを含む。別の例では、いくつかの実施形態の化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２は、極紫外線反射素子製造システム２００とは別のシステムにある。

【0036】

［００４１］いくつかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成する。例えば、いくつかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、単結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、又はそれらの組み合わせを含むソース基板２０３上に、材料の層を形成するために使用される。いくつかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、シリコン、酸化シリコン、オキシ炭化シリコン、炭素、タングステン、炭化シリコン、窒化シリコン、窒化チタン、金属、合金、及び化学気相堆積に適した他の材料の層を形成する。例えば、いくつかの実施形態の化学気相堆積システムは、平坦化層を形成する。

【0037】

［００４２］第１のウエハハンドリングシステム２１４は、連続真空において、大気処理システム２０６と第１の真空チャンバ２１０の周囲の様々なシステムとの間でソース基板２０３を移動させることができる。第２のウエハハンドリングシステム２１６は、ソース基板２０３を連続真空に維持しながら、ソース基板２０３を第２の真空チャンバ２１２の周りで動かすことができる。いくつかの実施形態の極紫外線反射素子製造システム２００は、連続真空中で第１のウエハハンドリングシステム２１４と、第２のウエハハンドリングシステム２１６との間で、ソース基板２０３とＥＵＶマスクブランク２０４とを転送する。

【0038】

［００４３］以下のセクションでは、簡単にするために、ＥＵＶマスクブランク２０４の用語は、極紫外線ミラー２０５の用語と交換可能に使用される。ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有する反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。１つ又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、図１の極紫外線１１２などの入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。

【0039】

［００４４］ここで、複数のカソードアセンブリ３０２ａ及び３０２ｂを含むＰＶＤチャンバ３００の実施形態を示す図３を参照する。図３の側面図には２つのカソードアセンブリ３０２ａ及び３０２ｂのみが示されているが、マルチカソードチャンバは、２つを超えるカソードアセンブリ、例えば、５つ、６つ、又は６つを超えるカソードアセンブリを含むことができる。上部シールド３０６は、複数のカソードアセンブリ３０２ａ及び３０２ｂの下に設けられ、上部シールド３０６は、２つのシールド孔３０４ａ及び３０４ｂを有し、カソードアセンブリ３０２ａの底部に配置されたターゲット３０５ａ、３０５ｂをＰＶＤチャンバ３００の内部空間３２１に露出させる。複数のカソードアセンブリを含むＰＶＤチャンバ３００は、マルチカソードＰＶＤチャンバとも呼ばれる。

【0040】

［００４５］図３のＰＶＤチャンバ３００は、モジュラーチャンバ本体を含み、中間チャンバ本体３２５は、下部チャンバ本体３２７の上に隣接して配置されている。中間チャンバ本体３２５は、下部チャンバ本体３２７に固定されて、下部シールド３１８及び中間シールド３１６を取り囲むモジュラーチャンバ本体を形成する。上部アダプタリッド（図示せず）は、上部シールド３０６を取り囲むように中間チャンバ本体３２５の上に配置されている。

【0041】

［００４６］ＰＶＤチャンバ３００はまた、回転ペデスタル３１０を備えている。図３のＰＶＤチャンバ３００の上部シールド３０６は実質的に平坦であることが理解されよう。しかしながら、いくつかの実施形態による上部シールド３０６は、ドーム型又は円錐形であってよい。

【0042】

［００４７］上部シールド３０６は、第１のシールド孔と第２のシールド孔との間の領域３０７に隆起領域３０９を含む。ＰＶＤチャンバ３００は、上部シールド３０６を回転させることなく、第１のターゲット３０５ａ及び第２のターゲット３０５ｂから材料を交互にスパッタリングするように構成される。

【0043】

［００４８］１つ又は複数の実施形態では、隆起領域３０９は高さＨを有し、隆起領域の高さＨは、スパッタリングプロセス中に、第１のターゲット３０５ａからスパッタリングされた材料が第２のターゲット３０５ｂに堆積するのを防ぎ、第２のターゲット３０５ｂからスパッタリングされた材料が第１のターゲット３０５ａに堆積するのを防ぐのに十分である。

【0044】

［００４９］本開示の１つ又は複数の実施形態によれば、第１のカソードアセンブリ３０２ａは、第１のバッキングプレートから離隔された第１の磁石を含み、第２のカソードアセンブリ３０２ｂは、第２の磁石３２０ｂを含み、第１の磁石３２０ａ及び第２の磁石３２０ｂは、矢印３１１ｂによって示されるように、線形アクチュエータ３１３ａ及び線形アクチュエータ３１３ｂによって移動可能である。線形アクチュエータ３１３ａ及び線形アクチュエータ３１３ｂは、それぞれ、第１の磁石アセンブリ３１５ａ及び第２の磁石アセンブリ３１５ｂの線形運動をもたらすことができる任意の適切な装置を備えることができる。第１の磁石アセンブリ３１５ａは、回転モータ３１７ａを含み、これは、回転モータ３１７ａに結合されたシャフト３１９ａを介して第１の磁石３２０ａを回転させるサーボモータを含むことができる。第２の磁石アセンブリ３１５ｂは、回転モータ３１７ｂを含み、これは、回転モータ３１７ｂに結合されたシャフト３１９ｂを介して第２の磁石３２０ｂを回転させるサーボモータを含むことができる。第１の磁石アセンブリ３１５ａは、第１の磁石３２０ａに加えて複数の磁石を含み得ることが理解されよう。同様に、第２の磁石アセンブリ３１５ｂは、第２の磁石３２０ｂに加えて、複数の磁石を含み得る。

【0045】

［００５０］いくつかの実施形態では、第１のターゲット３０５ａはモリブデンターゲットを含み、第２のターゲット３０５ｂはシリコンターゲットを含み、ＰＶＤチャンバ３００は、第３のターゲット３０５を支持するための第３のバッキングプレートを含む（図示せず）第３のカソードアセンブリ（図示せず）、及び第４のターゲット（図示せず）を支持するように構成された第４のバッキングプレートを含む第４のカソードアセンブリ（図示せず）を更に備える。１つ又は複数の実施形態による第３のカソードアセンブリ及び第４のカソードアセンブリは、ここに記載される第１及び第２のカソードアセンブリ３０２ａ、３２０２ｂと同じ方法で構成される。特定の実施形態では、ターゲットはシリコンを含み、第２のターゲットはシリコンを含み、第３のターゲットはシリコンを含み、第４のターゲットはモリブデンを含む。いくつかの実施形態における第１のターゲットは、スパッタリングされてＳｉＮｘを形成し、第２のターゲットは、スパッタリングされてＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、金属層、又は合金層を形成する。いくつかの実施形態では、第１のターゲットはスパッタリングされてＳｉＯ_ｘＮ_ｙを形成し、第２のターゲットはスパッタリングされて金属層又は合金層を形成する。１つ又は複数の実施形態では、例示的な金属には、Ｍｏ、及びＡｌが含まれ、例示的な合金には、ＭｏＳｉ_ｘ、ＡｌＳｉ_ｘ、Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙが含まれる。したがって、いくつかの実施形態では、第１のターゲット及び第２のターゲットはスパッタリングされて、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層を形成する。１つ又は複数の実施形態では、第３のターゲット及び第４のターゲットは、Ｍｏ／Ｓｉの多層スタックを形成するためにスパッタリングされる。

【0046】

［００５１］プラズマスパッタリングは、ＰＶＤチャンバ３００においてＤＣスパッタリング又はＲＦスパッタリングのいずれかを使用して達成することができる。いくつかの実施形態では、プロセスチャンバは、ＲＦ及びＤＣエネルギーを各カソードアセンブリに関連するターゲットに結合するための供給構造を含む。カソードアセンブリ３０２ａの場合、供給構造の第１の端部は、ＲＦ電源３４８ａ及びＤＣ電源３５０ａに結合することができ、これは、それぞれ、ＲＦ及びＤＣエネルギーをターゲット３０５ａに提供するのに利用できる。ＲＦ電源３４８ａは３４９ａでＲＦ電力に結合され、ＤＣ電源３５０ａは３５１ａでＤＣ電力に結合されている。例えば、ＤＣ電源３５０ａを利用して、ターゲット３０５ａに負の電圧又はバイアスを印加することができる。いくつかの実施形態では、ＲＦ電源３４８ａによって供給されるＲＦエネルギーは、周波数が約２ＭＨｚ～約６０ＭＨｚの範囲であり得るか、又は、例えば、２ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ、若しくは６０ＭＨｚなどの非制限周波数を使用できる。いくつかの実施形態では、複数のＲＦ電源を提供して（すなわち、２つ以上）、上記の複数の周波数でＲＦエネルギーを提供することができる。

【0047】

［００５２］同様に、カソードアセンブリ３０２ｂの場合、供給構造の第１の端部は、ＲＦ電源３４８ｂ及びＤＣ電源３５０ｂに結合することができ、これは、それぞれ、ＲＦ及びＤＣエネルギーをターゲット３０５ｂに提供するのに利用できる。ＲＦ電源３４８ｂは３４９ａでＲＦ電力に結合され、ＤＣ電源３５０ｂは３５１ｂでＤＣ電力に結合されている。例えば、ＤＣ電源３５０ｂを利用して、ターゲット３０５ｂに負の電圧又はバイアスを印加することができる。いくつかの実施形態では、ＲＦ電源３４８ｂによって供給されるＲＦエネルギーは、周波数が約２ＭＨｚ～約６０ＭＨｚの範囲であり得るか、又は、例えば、２ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、４０．６８ＭＨｚ、若しくは６０ＭＨｚなどの非制限周波数を使用できる。いくつかの実施形態では、複数のＲＦ電源を提供して（すなわち、２つ以上）、上記の複数の周波数でＲＦエネルギーを提供することができる。

【0048】

［００５３］示される実施形態は、カソードアセンブリ３０２ａ及び３０２ｂのための個別のＲＦ電源３４８ａ及び３４８ｂ、並びにカソードアセンブリ３０２ａ及び３０２ｂのための個別のＤＣ電源３５０ａ及び３５０ｂを含む一方で、ＰＶＤチャンバは、単一のＲＦ電源と、各カソードアセンブリへの供給を備えた単一のＤＣ電源とを含むことができる。

【0049】

［００５４］図３に示されるＰＶＤチャンバ３００は、ＰＶＤプロセス中に汚染に曝される取り外し可能なＰＶＤチャンバ内部部品を含む。これらの取り外し可能なＰＶＤチャンバ内部部品は、まとめて「プロセスキット」と呼ばれ得る。図３では、プロセスキットは、上部シールド３０６、中間シールド３１６、及び下部シールド３１８を含む。いくつかの実施形態では、上部シールド３０６、中間シールド３１６、及び下部シールド３１８などの単一のシールド又は複数のシールドは、ＰＶＤチャンバ３００の内部を裏打ちするライナーを備える。いくつかの実施形態におけるライナーは、Ａｌ／Ｏ表面を含む。いくつかの実施形態によるプロセスキットは、リストされた構成要素、並びに底部ライナー、堆積リング、カバーリング、及びターゲットバッキング板シールドなどの他の構成要素を更に含み得る。

【0050】

［００５５］いくつかの実施形態では、ＰＶＤチャンバ３００は、コントローラ３９０を備えている。単一のコントローラ又は複数のコントローラが存在して良い。複数のコントローラが存在する場合、各コントローラは、他の各コントローラと通信して、ＰＶＤチャンバ３００の全体的な機能を制御する。例えば、複数のコントローラが使用されている場合、プライマリ制御プロセッサが他の各コントローラに結合されて通信し、システムを制御する。コントローラは、様々なチャンバやサブプロセッサを制御するための産業環境で使用できる、あらゆる形式の汎用コンピュータプロセッサ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサなどの１つである。ここで使用される場合、「通信中」とは、コントローラが有線通信回線を介して又は無線で信号を送受信できることを意味する。

【0051】

［００５６］各コントローラは、プロセッサ３９２、プロセッサに結合されたメモリ３９４、プロセッサ３９２に結合された入力／出力デバイス、異なる電子部品間の通信を提供するサポート回路３９６及び３９８を備える。メモリは、１つ又は複数の一時メモリ（ランダムアクセスメモリなど）及び非一時メモリ（ストレージなど）を含み、プロセッサのメモリは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、又はローカル若しくはリモートの他の形式のデジタルストレージなどのすぐに利用できるメモリの１つ又は複数であって良い。メモリは、システムのパラメータと構成要素を制御するためにプロセッサによって操作可能な命令セットを保持できる。サポート回路は、従来の方法でプロセッサをサポートするためにプロセッサに結合される。回路は、例えば、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、サブシステムなどを含み得る。

【0052】

［００５７］プロセスは、一般に、プロセッサによって実行されると、プロセスチャンバに本開示のプロセスを実行させるソフトウェアルーチンとしてメモリに格納され得る。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されているハードウェアから離れて配置されている第２のプロセッサによって格納及び／又は実行され得る。１つ又は複数の実施形態では、本開示の方法のいくつか又はすべては、制御されたハードウェアである。したがって、いくつかの実施形態では、プロセスは、ソフトウェアによって実装され、コンピュータシステムを使用して、例えば、特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェア実装としてのハードウェアで、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせとして実行される。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、プロセスが実行されるようにチャンバの動作を制御する特定の目的のコンピュータ（コントローラ）に変換する。

【0053】

［００５８］いくつかの実施形態では、マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ３００は、第１のシリコンターゲット、第２のシリコンターゲット、第３のシリコンターゲット及びモリブデンターゲット、並びにＰＶＤチャンバの内部を裏打ちし、回転するように構成されたライナーを備える。ライナーは、上記のように１つ又は複数のシールドで構成できる。ＰＶＤチャンバ３００は、第１のシリコンターゲットがスパッタリングされるときにライナー上へのＳｉＮｘ層の堆積中、及び第２のシリコンターゲットがスパッタリングされるときにＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層を形成するためのＳｉＮ_ｘ層上へのＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層の堆積中に、ライナーの回転を制御するように構成されたコントローラを更に含む。いくつかの実施形態では、コントローラは、３～８個のＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層を形成するように構成される。

【0054】

［００５９］いくつかの実施形態では、コントローラは、第１のターゲットがスパッタリングされてＳｉＮ_ｘを形成するときに、堆積中にライナーの回転を制御するように構成されており、そして第２のターゲットはスパッタリングされて、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、金属ターゲットからの金属層、又は合金層を形成する。いくつかの実施形態では、第１のターゲットはスパッタリングされてＳｉＯ_ｘＮ_ｙを形成し、第２のターゲットはスパッタリングされて金属ターゲット又は合金層から金属層を形成する。１つ又は複数の実施形態では、例示的な金属には、Ｍｏ、及びＡｌが含まれ、例示的な合金には、ＭｏＳｉ_ｘ、ＡｌＳｉ_ｘ、Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙが含まれる。したがって、いくつかの実施形態では、第１のターゲットと第２のターゲットがスパッタリングされて、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層を形成するときの堆積中、コントローラは、ライナーの回転を制御するように構成されている。いくつかの実施形態では、コントローラは、基板をチャンバにロードする前にライナーの回転を停止するように構成される。いくつかの実施形態では、コントローラは、第３のシリコンターゲット及び第４のモリブデンターゲットを交互にスパッタリングすることによって、基板上にモリブデンとシリコンの交互層の多層スタックを形成するようにチャンバを制御するように構成される。

【0055】

［００６０］ここで図４を参照すると、極紫外線反射要素５０２の実施形態が示されている。１つ又は複数の実施形態では、極紫外線反射要素５０２は、図２のＥＵＶマスクブランク２０４又は図２の極紫外線ミラー２０５である。ＥＵＶマスクブランク２０４及び極紫外線ミラー２０５は、図１の極紫外線光１１２を反射するための構造である。ＥＵＶマスクブランク２０４は、図１に示されるＥＵＶ反射マスク１０６を形成するために使用される。

【0056】

［００６１］極紫外線反射素子５０２は、基板５０４、反射層の反射多層スタック５０６、及びキャッピング層５０８を含む。反射多層スタック５０６は、例えば１３．５ｎｍの波長でＥＵＶ放射を反射する。１つ又は複数の実施形態では、極紫外線ミラー２０５を使用して、図１のコンデンサ１０４又は図１の光学還元アセンブリ１０８で使用するための反射構造を形成する。

【0057】

［００６２］いくつかの実施形態ではＥＵＶマスクブランク２０４である極紫外線反射素子５０２は、基板５０４、シリコンとモリブデンの交互層を含む反射層の反射多層スタック５０６、及び任意選択のキャッピング層５０８を含む。いくつかの実施形態における極紫外線反射要素５０２は、パターン化によって図１の反射マスク１０６を形成するために使用されるＥＵＶマスクブランク２０４である。以下のセクションでは、簡単にするために、ＥＵＶマスクブランク２０４についての用語は、極紫外線ミラー２０５の用語と交換可能に使用される。

【0058】

［００６３］ＥＵＶマスクブランク２０４は、マスクパターン１１４を有する反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。１つ又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランク２０４の反射面は、図１の極紫外線１１２などの入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。

【0059】

［００６４］基板５０４は、極紫外線反射要素５０２に構造的支持を提供するための要素である。１つ又は複数の実施形態では、基板５０４は、温度変化中の安定性を提供するために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料から作られている。１つ又は複数の実施形態では、基板５０４は、機械的サイクリング、熱サイクリング、結晶形成、又はそれらの組み合わせに対する安定性などの特性を有する。１つ又は複数の実施形態による基板５０４は、シリコン、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はそれらの組み合わせなどの材料から形成される。

【0060】

［００６５］反射多層スタック５０６は、極紫外線１１２に対して反射する構造である。反射多層スタック５０６は、第１の反射層５１２及び第２の反射層５１４の交互する反射層を含む。第１の反射層５１２及び第２の反射層５１４は、図４の反射対５１６を形成する。非限定的な実施形態では、多層スタック５０６は、合計で最大１２０個の反射層のために、２０～６０の範囲の反射対５１６を含む。

【0061】

［００６６］１つ又は複数の実施形態による第１の反射層５１２及び第２の反射層５１４は、様々な材料から形成される。一実施形態では、第１の反射層５１２及び第２の反射層５１４は、それぞれ、シリコン及びモリブデンから形成される。いくつかの実施形態の第１の反射層５１２及び第２の反射層５１４は、様々な構造を有する。一実施形態では、第１の反射層５１２及び第２の反射層５１４の両方が、単一層、複数層、分割層構造、不均一構造、又はそれらの組み合わせで形成される。ほとんどの材料は極紫外線波長の光を吸収するため、他のリソグラフィシステムで使用されているように、使用される光学素子は透過性ではなく反射性である。反射多層スタック５０６は、ブラッグ反射器又はミラーを作製するために、異なる光学特性を有する材料の薄い層を交互に有することによって反射構造を形成する。

【0062】

［００６７］一実施形態では、交互層のそれぞれは、極紫外線１１２に対して異なる光学定数を有する。交互層の厚さの周期が極紫外線１１２の波長の半分である場合、交互層は共鳴反射率を提供する。一実施形態では、１３．５ｎｍの波長における極紫外線１１２の場合、交互層は約６．５ｎｍ厚である。提供されるサイズと寸法形状は、一般的な要素の通常の工学公差の範囲内であることが理解される。

【0063】

［００６８］１つ又は複数の実施形態による反射多層スタック５０６は、様々な方法で形成される。一実施形態では、第１の反射層５１２及び第２の反射層５１４は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせで形成される。

【0064】

［００６９］例示的な実施形態では、反射多層スタック５０６は、マグネトロンスパッタリングなどの物理的気相堆積技術を使用して形成される。一実施形態では、反射多層スタック５０６の第１の反射層５１２及び第２の反射層５１４は、正確な厚さ、低粗さ、及び層間のきれいな界面を含み、マグネトロンスパッタリング技術によって形成されるという特徴を有する。一実施形態では、反射多層スタック５０６の第１の反射層５１２及び第２の反射層５１４は、正確な厚さ、低粗さ、及び層間のきれいな界面を含み、物理的気相堆積によって形成されるという特徴を有する。

【0065】

［００７０］物理的気相堆積技術を使用して形成された反射多層スタック５０６の層の物理的寸法形状は、反射率を高めるために正確に制御される。一実施形態では、シリコンの層などの第１の反射層５１２は、４．１ｎｍの厚さを有する。モリブデンの層などの第２の反射層５１４は、２．８ｎｍの厚さを有する。層の厚さは、極紫外線反射素子のピーク反射波長を決定する。層の厚さが正しくない場合、いくつかの実施形態の所望の波長１３．５ｎｍでの反射率が低下した。

【0066】

［００７１］１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層５０８は、極紫外線１１２の透過を可能にする保護層である。一実施形態では、キャッピング層５０８は、反射多層スタック５０６上に直接形成される。１つ又は複数の実施形態では、キャッピング層５０８は、反射性多層スタック５０６を汚染物質及び機械的損傷から保護する。一実施形態では、反射多層スタック５０６は、酸素、炭素、炭化水素、又はそれらの組み合わせによる汚染に敏感である。一実施形態によるキャッピング層５０８は、汚染物質と相互作用してそれらを中和する。

【0067】

［００７２］通常、マルチカソード（ＭＣ）チャンバでは、ターゲットは回転シールドを介してＭＣチャンバに曝される。シールドは最初に堆積のためにシリコンターゲットに移動し、次にモリブデンターゲットに回転する。これは、回転シールドが回転シールドの同じ開口部（又は孔）からのモリブデン又はシリコンターゲットの堆積に曝されることになることを意味し、したがって、プロセスキットの他の部分と比較して回転シールド上に比較的均一な堆積を提供する。しかしながら、下部のプロセスキット（つまり、エクステンションシールド、コニカルシールド、カバーリング、堆積リング、パック）では、非対称の堆積が見られる。したがって、純粋なシリコンの堆積が見られる下部プロセスキットの領域（シリコンが豊富な領域）と、純粋なモリブデンの堆積が見られる部分がある。

【0068】

［００７３］ＥＵＶマスクブランクの形成中の堆積プロセス中に発生する欠陥の主な原因の１つは、チャンバ内部の表面への接着性が低いためにＰＶＤチャンバ内のプロセスキットから剥がれ落ちたＳｉリッチフレークであることが発見され、これはＡｌ／Ｏで構成されている。「ペースト化（ｐａｓｔｉｎｇ）」と呼ばれるプロセスでは、モリブデンの堆積を利用して、堆積したシリコンをペースト化し（つまり、モリブデンがシリコンの上に堆積し、シリコンを所定の位置に保持する。）、これにより、シリコンの剥離が防止される。しかしながら、各Ｓｉ堆積後にプロセスキットをＭｏをペースト化する一方で、プロセスキットへの厚いＳｉ層の蓄積を減らすことができると判断され、モリブデンのペースト化は、Ｓｉのプラズマプリュームプロファイルと比較してＭｏのプラズマプリュームプロファイルがはるかに小さいため、ＭｏがプロセスキットのすべてのＳｉ堆積領域をペースト化するのを防ぐ。

【0069】

［００７４］本開示の１つ又は複数の実施形態では、接着性緩衝材料をＰＶＤチャンバ内部４５０に施用することを含む方法が提供され、例えば、ＥＵＶマスクブランクなどのＥＵＶ反射要素５０２の製造中、プロセスキットは、Ｍｏ／Ｓｉ多層スタック５０６を堆積する前のＡｌ／Ｏ表面を含む。いくつかの実施形態における接着性緩衝剤材料の特徴は、接着性緩衝剤材料が、粒子の剥離及び欠陥の発生を防ぐために、Ａｌ／Ｏ及びＭｏ／Ｓｉの両方に対して十分な接着性を示すことである。

【0070】

［００７５］本開示の実施形態は、窒化シリコン（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、例えば、Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ、及び窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）、例えば、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＰＶＤチャンバの内部構成要素の少なくとも一部上の多層、例えば、プロセスキット構成要素、ライナーを含む層状接着剤コーティングを形成することに関する。いくつかの実施形態では、ライナーは、図３に示されるように、上部シールド３０６、中間シールド３１６、及び下部シールド３１８のうちの少なくとも１つ、並びに下部ライナー、堆積リング、カバーリング及びターゲットバッキングプレートシールドなどの他の構成要素を含む。いくつかの実施形態では、窒化シリコン（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）と窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）の交互層が、１つ又は複数のプロセスキット構成要素などのＰＶＤチャンバの内部構成要素上に形成される。

【0071】

［００７６］本開示の特定の実施形態によれば、図５を参照して、ライナーなどのＰＶＤチャンバの内部構成要素６０２は、Ａｌ／Ｏ表面を含むものとして示されている。一実施形態によるＰＶＤチャンバの内部構成要素６０２は、図３に示されるように、上部シールド３０６、中間シールド３１６、及び下部シールド３１８などの１つ又は複数のプロセスキット構成要素、並びに下部ライナー、堆積リング、カバーリング及びターゲットバッキングプレートシールドなどの他の構成要素を含む。ＳｉＮ_ｘ層６０３は、ＰＶＤチャンバの内部構成要素６０２上に堆積される。いくつかの実施形態によれば、ＳｉＮ_ｘは、Ａｌ／Ｏとの間の良好な接着のために、Ａｌ／Ｏを含む内部構成要素６０２上に堆積される第１の層である。１つ又は複数の実施形態によれば、第１のＳｉＮｘ層６０３は、２０～５０ｎｍの範囲の厚さを有する。いくつかの実施形態では、１～５ｍＴｏｒｒの範囲の圧力及び３００～１，５００Ｗの範囲の電力で５～３０ｓｃｃｍの範囲で流れるＡｒ／Ｎ_２ガス混合物を用いた物理的気相堆積により、パルスＤＣ又はＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）ソースを使用して、第１のシリコンターゲットから材料を反応的にスパッタリングして、ＳｉＮ_ｘ層６０３が形成される。次に、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層６０５がＳｉＮ_ｘ層６０３上に形成される。ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層６０５は、反射多層スタック６０６の構成要素であるＭｏとＳｉの両方の間の接着を提供する。ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層６０５は、ＰＶＤによって、１～５ｍＴｏｒｒの範囲の圧力で５～３０ｓｃｃｍの範囲を流れるＡｒ／Ｎ_２／Ｏ_２ガス混合物を使用して、パルスＤＣ又はＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）源で３００～１５００Ｗの範囲の電力を使用して第２のシリコンターゲットから反応的に材料をスパッタリングすることで、５～３０ｎｍの範囲の厚さに形成される。図５に示されるように、ＳｉＮ_ｘ層６０３及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層６０５から構成される複数の追加の二重層６０７は、ＳｉＮ_ｘ層６１３及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層６１５で終端するように形成することができる。ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの二重層の数は、コーティングされるＰＶＤチャンバの内部構成要素６０２の粗さに応じて、３～１０個の二重層の範囲で変えることができる。プロセスキットなどの内部構成要素６０２の平均粗さは、２５０Ｒａ～１，２００Ｒａの範囲で変化し得る。３～１０個の二重層は、３、４、５、６、７、８、９又は１０個のＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層からなる二重層スタック６１０を形成することができる。３～１０個のＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層を形成した後、Ｍｏ／Ｓｉリフレクタスタック６０６を上記のＰＶＤプロセスを使用して堆積する。

【0072】

［００７７］いくつかの実施形態では、以下の二重層のうちの１つの３～１０個が形成される：ＳｉＮ_ｘ／二重層、Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層。層の厚さは、二重層の第１及び第２の層について上記で提供された範囲内であり得る。３～１０個の二重層を形成した後、Ｍｏ／Ｓｉリフレクタスタック６０６を、上記のようにＰＶＤプロセスを使用して堆積する。

【0073】

［００７８］図６を参照すると、１つ又は複数の実施形態では、極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランク６５０を製造する方法は、６６０でＰＶＤチャンバの内部構成要素にＳｉＮ_ｘを堆積し、次いで６７０でＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層を堆積することを含む。次に、ステップ６６０及び６７０を繰り返して、３、４、５、６、７、８、９又は１０回形成して、３、４、５、６、７、８、９又は１０個のＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層を形成する。代替の実施形態では、この方法は、３、４、５、６、７、８、９又は１０個のＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層及びＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層を形成することができる。次に、６９０で、基板は、６９０で、マルチカソード（ＭＣ）物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバに配置される。方法６００はさらに、６９０に多層リフレクタスタック、例えば、第３のシリコンターゲット及び第４のモリブデンターゲットを交互にスパッタリングすることによるＳｉ／Ｍｏスタックを堆積することを含む。その後、この方法を繰り返すことができる。

【0074】

［００７９］１つ又は複数の実施形態によれば、ＰＶＤチャンバの内部構成要素、例えば、図３に示されるような上部シールド３０６、中間シールド３１６、及び下部シールド３１８などのプロセスキット構成要素を回転させることが決定され、これは、いわゆるチャンバ「ライナー」を集合的に提供することができ、結果としてＰＶＤチャンバの内部構成要素のカバレッジが向上する。回転シャフト３１９ａに結合された回転ペデスタル３１０は、図３に示されるように、軸３２２を中心に矢印３１４の方向に回転する。回転ペデスタルは、ライナー、例えば、中央シールド３１６に結合することができる下部シールド３１８に結合することができ、これは、上部シールド３０６に結合することができる。いくつかの実施形態では、ライナーは、単一の連続シールド又は２つのシールド構成要素を含むことができる。したがって、ＰＶＤチャンバ３００のライナー又は少なくとも１つのシールド（例えば、下部シールド３１８、中間シールド３１６又は上部シールド３０６、あるいは下部シールド３１８の３つすべて、中間シールド３１６又は上部シールド３０６）を回転させることによって、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層又はＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層は、シールド／ライナー上のＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層の均一性を向上させる。いくつかの実施形態では、ＰＶＤチャンバ３００は、少なくとも下部シールド３１８からなるチャンバライナーを回転させる回転アダプタ３２４を備え、いくつかの実施形態では、回転ペデスタル３１０から中間チャンバ本体３２５まで延びる単一のシールド又はライナーは、均一なＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層を提供する。回転アダプタ３２４は、１つ又は複数のシールドの形で、回転ペデスタル３１０の回転運動をチャンバライナーに伝達する。回転アダプタ３２４は、ねじ又はボルトなどの留め具によって固定するか、別の方法で回転ペデスタル３１０に固定することができ、ペデスタル３１０が軸３１４を中心に軸３１４を中心に矢印３１４の方向に回転すると、回転アダプタ３２４は次に回転し、これは、１つ又は複数のシールドの形でライナーを回転させることができる。１つ又は複数の実施形態では、チャンバライナーの回転速度は最大２０ｒｐｍであり得る。

【0075】

［００８０］１つ又は複数の実施形態では、方法は、２つのＳｉターゲットにマルチカソードＰＶＤチャンバを提供して、内部構成要素、例えば、ＰＶＤチャンバのライナー又はシールド上にＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層コーティングを形成することを含む。１つ又は複数の実施形態では、第１のＳｉターゲットがＳｉＮ_ｘ堆積に使用され、第２のＳｉターゲットがＳｉＯ_ｘＮ_ｙ堆積に使用される。コーティングの均一性を確保するために、チャンバライナー（１つ又は複数のシールドなど）は、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層堆積プロセス中に回転している。いくつかの実施形態では、チャンバライナー又は１つ若しくは複数のシールドの回転速度は、各ＳｉＮ_ｘ層及び各ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層の堆積に対して３～５回の完全な回転サイクルが存在するように制御される。

【0076】

［００８１］１つ又は複数の実施形態によれば、方法は、図６の６５５に示されるように、チャンバライナーを回転させることを含む。次に、６６０でＡｒ／Ｎ_２ガス混合物を流し、チャンバライナーの回転速度を設定して、チャンバライナーの回転の３～５サイクルの範囲にわたってＳｉＮ_ｘを堆積することにより、ＳｉＮ_ｘ層を堆積する。６７０でＡｒ／Ｎ_２／Ｏ_２ガス混合物を流し、チャンバライナーの回転速度を設定して、チャンバライナーの回転の３～５サイクルの範囲にわたってＳｉＯ_ｘＮ_ｙを堆積することにより、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ層を堆積する。次に、６７０で、コーティングされているライナー又はシールドの粗さに応じて、ステップ６６０及び６７０を３～１０回繰り返す。次に、チャンバライナーの回転を停止し、基板を６９０でチャンバ内に配置し、６９５で基板上にＳｉ／Ｍｏ多層スタックを形成する。

【0077】

［００８２］１つ又は複数の実施形態によれば、ＳｉＮ_ｘ／ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ａｌ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＮ_ｘ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ａｌ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＭｏＳｉ_ｘ二重層、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／ＡｌＳｉ_ｘ二重層、又はＳｉＯ_ｘＮ_ｙ／Ｍｏ_ｘＡｌ_ｙ二重層は、二重層の２つの構成要素を組み合わせることにより、Ａｌ／ＯとＭｏ／Ｓｉの両方に対して良好な接着性を示す。いくつかの実施形態では、二重層の堆積中にチャンバライナー又はシールドを回転させることにより、プロセスキット構成要素などのＰＶＤチャンバの内部構成要素上により均一なコーティングが提供される。１つ又は複数の実施形態では、二重層は、プロセスキットなどのＰＶＤチャンバの内部構成要素上の緩んだＡｌ／Ｏを覆い、したがって、Ａｌ／Ｏの欠陥をゼロに等しいかゼロ近くまで低減する。Ｍｏ／Ｓｉの堆積も二重層に接着するため、Ｍｏ／Ｓｉフレークの欠陥も大幅に減少する。いくつかの実施形態では、Ｓｉ／Ｍｏ多層スタックを堆積する前に、ＰＶＤチャンバの内部構成要素に二重層を適用することにより、生産工程の５０％を超えるまで二重層を使用せず、欠陥がゼロであった場合、ＥＵＶマスクブランク製造中のＭｏ／Ｓｉの多層スタックの堆積中のゼロ欠陥の収率は、ゼロ欠陥のある製造実行の１０％から増加した。

【0078】

［００８３］この明細書全体を通じての、「一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」、「特定の実施形態（ｃｅｒｔａｉｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、「１つ又は複数の実施形態（ｏｎｅ ｏｒ ｍｏｒｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔｓ）」、又は、「実施形態（ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」に対する言及は、実施形態に関連して説明されている特定の特徴、構造、材料、又は特徴が、本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、この明細書全体の様々な場所での「１つ又は複数の実施形態において」、「特定の実施形態において」、「一実施形態において」又は「実施形態において」などの句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。さらに、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、１つ若しくは複数の実施形態において、任意の適切な方法で組み合わせることができる。

【0079】

［００８４］ここでの開示は具体的な実施形態を参照して説明されているが、これらの実施形態が本開示の原理及び用途の単なる例示であることは理解されたい。本開示の趣旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に様々な修正及び変形を加えることができることは、当業者には明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びそれらの同等物の範囲内にある修正及び変形を含むことが意図されている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【国際調査報告】