特表 2022-553194 ＥＵＶコレクタミラー

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2022-12-22

(54)【発明の名称】ＥＵＶコレクタミラー

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20221215BHJP

   G02B 5/10 20060101ALI20221215BHJP

   G02B 5/18 20060101ALI20221215BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 503

G02B5/10 Z

G02B5/18

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022522843

(86)(22)【出願日】2020-09-11

(85)【翻訳文提出日】2022-04-14

(86)【国際出願番号】 EP2020075493

(87)【国際公開番号】W WO2021073813

(87)【国際公開日】2021-04-22

(31)【優先権主張番号】102019215829.3

(32)【優先日】2019-10-15

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】503263355

【氏名又は名称】カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー

(71)【出願人】

【識別番号】306025156

【氏名又は名称】アーエスエムエル・ネザーランズ・ベスローテン・フェンノートシャップ

【氏名又は名称原語表記】ＡＳＭＬ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ Ｂ．Ｖ．

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100086771

【弁理士】

【氏名又は名称】西島 孝喜

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須 威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100158469

【弁理士】

【氏名又は名称】大浦 博司

(72)【発明者】

【氏名】ファン デ ケルコフ マルクス

【テーマコード（参考）】

2H042

2H197

2H249

【Ｆターム（参考）】

2H042DA00

2H042DB02

2H042DB08

2H042DD07

2H042DE00

2H042DE04

2H197AA06

2H197AA09

2H197AA10

2H197CA10

2H197CA12

2H197CB17

2H197GA01

2H197GA05

2H197GA12

2H197GA23

2H249AA07

2H249AA16

2H249AA55

(57)【要約】

ＥＵＶコレクタミラーが、光源領域（１７）から反射面（１６）に当たる使用可能なＥＵＶ光を後続のＥＵＶ光学部へ反射させる反射面（１６）を有する。反射面（１６）は、光源領域（１７）からポンプ光回折格子構造（１９）に当たるポンプ光（２２）を光源領域（１７）へ逆反射して戻すように設計されているポンプ光回折格子構造（１９）を保持する。ポンプ光（２２）は、使用可能なＥＵＶ光の波長からずれている波長を有する。このようなＥＵＶコレクタミラーにより、一方で、レーザ放電生成プラズマ（ＬＤＰＰ）ＥＵＶ光源のポンプ光のエネルギーと、他方で、結果として得られる使用可能なＥＵＶエネルギーとの間で高い変換効率が可能になる。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光源領域（１７）から反射面（１６）に当たる使用可能なＥＵＶ光（３）を後続のＥＵＶ光学部（６、７）へ反射させる前記反射面（１６）を有する、ＥＵＶコレクタミラー（１５）であって、
前記反射面（１６）が、前記光源領域（１７）からポンプ光回折格子構造（１９）に当たるポンプ光（２２）を前記光源領域（１７）へ逆反射して戻すように設計されている前記ポンプ光回折格子構造（１９）を保持し、前記ポンプ光（２２）が、前記使用可能なＥＵＶ光（３）の波長からずれている波長（λ_PL）を有し、
前記ポンプ光回折格子構造（１９）のピッチが、前記ＥＵＶコレクタミラー（１５）の反射面（１６）にわたって変化する、ＥＵＶコレクタミラー。

【請求項2】

前記ポンプ光回折格子構造（１９）が、約１０μｍの波長（λ_PL）を有するポンプ光（２２）用に設計されている、請求項１に記載のＥＵＶコレクタミラー。

【請求項3】

前記ポンプ光回折格子構造（１９）が、約１μｍの波長（λ_PL）を有するポンプ光（２２）用に設計されている、請求項１に記載のＥＵＶコレクタミラー。

【請求項4】

前記ポンプ光回折格子構造１９の回折格子ピッチｐ（ｒ）が次式に従っており、

【数1】

ここで、
ｐ（ｒ）は、前記反射面（１６）上のそれぞれの衝突点と前記反射面（１６）の対称回転軸（１８）との間の距離ｒに依存する、ポンプ光回折格子構造（１９）のピッチを表し、
λ_PLは、ポンプ光（１９）の波長を表し、
θ_rは、それぞれのポンプ光線（２２_r）の反射面（１６）への入射角を表す
ことを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載のＥＵＶコレクタミラー。

【請求項5】

前記ポンプ光回折格子構造（１９）は、前記ポンプ光（２２）に対して５０％と９０％との間の反射率を有する、請求項１～４のいずれか一項に記載のＥＵＶコレクタミラー。

【請求項6】

ポンプ光（２２）を生成するポンプ光源（２３）を有し、
請求項１～５のいずれか一項に記載のＥＵＶコレクタミラー（１５）を有する、光源コレクタモジュール（２）。

【請求項7】

請求項６に記載の光源コレクタモジュール（２）の一部としてのポンプ光源（２３）。

【請求項8】

パルス持続期間が５０ｎｓ未満であるポンプ光パルスを生成する、請求項７に記載のポンプ光源。

【請求項9】

パルス立ち上がり時間が５ｎｓ未満であるポンプ光パルスを生成する、請求項７または８に記載のポンプ光源。

【請求項10】

請求項１～５のいずれか一項に記載のＥＵＶコレクタミラー（１５）を含むＥＵＶ投影露光装置（１）用の照明光学部（１５、６）。

【請求項11】

前記使用可能なＥＵＶ照明光（３）を前記ＥＵＶコレクタミラー（１５）から、結像されるべき物体（１０）が配置可能である物体平面（５）内の物体視野（４）に向けて導くための、請求項１０に記載の照明光学部（１５、６）と、
基板（１１）が配置可能である像視野（８）に前記物体視野（４）を結像するための投影光学ユニット（７）と、
一方では結像されるべき物体（１０）用の、および他方では基板（１１）用のホルダ（１０ａ、１２）と
を含む投影露光装置。

【請求項12】

構造化構成要素を製作する方法であって、
レチクル（１０）およびウェーハ（１１）を与えるステップと、
請求項１１に記載の投影露光装置を用いて、レチクル（１０）上の構造をウェーハ（１１）の感光層の上に投影するステップと、
微細構造および／またはナノ構造をウェーハ（１１）上に製作するステップと
を含む方法。

【請求項13】

請求項１２に記載の方法に従って製作された、構造化構成要素。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

ドイツ特許出願ＤＥ１０ ２０１９ ２１５ ８２９．３の内容が、参照により組み込まれる。

【0002】

本発明は、ＥＵＶ投射露光装置に使用するＥＵＶコレクタミラー（ＥＵＶ ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ ｍｉｒｒｏｒ：ＥＵＶ集光鏡）に関する。

【背景技術】

【0003】

このような集光器（ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ：コレクタ）を用いた照明光学ユニットが、ＤＥ１０ ２０１３ ００２ ０６４ Ａ１および米国特許出願公開第２０１９／００９４６９９号により知られている。１つのコレクタミラーが、米国特許第１０，１０１，５６９Ｂ２号により知られている。別のＥＵＶコレクタミラーの実施形態が、ＤＥ１０ ２０１９ ２００ ６９８ Ａ１により知られている。

【0004】

本発明の目的は、一方で、レーザ放電生成プラズマ（ＬＤＰＰ）ＥＵＶ光源のポンプ光（ｐｕｍｐ ｌｉｇｈｔ）のエネルギーと、他方で、結果として得られる使用可能なＥＵＶエネルギーとの間でより高い変換効率が可能になるＥＵＶコレクタミラーを開発することである。

【発明の概要】

【0005】

本発明によれば、この目的は、請求項１に明記された特徴を含むＥＵＶコレクタミラー（ＥＵＶ集光鏡）によって達成される。

【0006】

本発明によって、ＬＤＰＰ光源の光源領域（ｓｏｕｒｃｅ ｒｅｇｉｏｎ）から発するポンプ光を逆反射する（ｒｅｔｒｏｒｅｆｌｅｃｔ：再帰反射する）ように設計された格子構造により、ポンプ光エネルギーから使用可能なＥＵＶ光エネルギーへの高い変換効率を可能にすることが実現された。逆反射ポンプ光は、使用可能なＥＵＶ光に変換するために、再び光源領域で使用される。

【0007】

特に、ＥＵＶコレクタミラーのこのような逆反射ポンプ光格子構造では、従来技術により知られているポンプ光源のプリパルス／メインパルス方式の必要性をなくすことができる。これにより、ポンプ光レーザ光源を構築することが容易になる。特に、メインパルスを使用可能なＥＵＶ光に変換する効率を高めるために、ＬＤＰＰ光源のターゲット、たとえば錫液滴（ｔｉｎ ｄｒｏｐｌｅｔ：スズの小さな滴）をプレパルスによって事前成形する必要がない。これにより、一方では光源を含む光源コレクタモジュール（ｓｏｕｒｃｅ ｃｏｌｌｅｃｔｏｒ ｍｏｄｕｌｅ：光源集光モジュール、ソースコレクタモジュール）の、他方ではＥＵＶコレクタミラーの、構築に関するコストの低減につながる。従来のプリパルス／メインパルス方式と比較して効果的に使用されるポンプ光エネルギーは、大幅に、たとえば約５０％、さらには１００％も増加させることができる。

【0008】

特に、球状のターゲットを、さらなる成形を特に必要とせずに、ポンプ光が当たる（ｉｍｐｉｎｇｅ：衝突する、作用する、影響を与える）ように使用することができる。

【0009】

ポンプ光格子構造は、ブレーズド格子でよい。ブレーズ角は、０次または±１次のポンプ光波長の逆反射拡散に対して最適化することができる。ポンプ光格子構造のピッチ（ｐｉｔｃｈ）は、ポンプ光格子構造に当たるポンプ光線の入射角条件に逆反射特性を適合させるために、ＥＵＶコレクタミラーの反射面にわたって異なる。

【0010】

ＥＵＶコレクタミラーの反射面が回転対称軸に対して回転対称である場合、ピッチは、このような対称軸までの格子構造の距離が増加するとともに増加し得る。あるいは、別の実施形態では、ピッチは、距離が増加するとともに減少し得る。別の実施形態では、ピッチと、対称軸までの回折格子構造のこのような距離との間の依存関係は、非単調（ｎｏｎ－ｍｏｎｏｔｏｎｉｃ）であり得る。

【0011】

ポンプ光回折格子構造（ｐｕｍｐ ｌｉｇｈｔ ｇｒａｔｉｎｇ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）は、２つ以上の異なる高さレベルを含むことができ、すなわち、２段格子として、または多段格子として実現することができる。

【0012】

請求項２および３によるポンプ光波長は、使用可能なＥＵＶ照明光を効率的に生成するのに特に適していることが実証されている。

【0013】

請求項４に記載のピッチ、たとえば格子周期は、ポンプ光波長に対する逆反射条件を満たす。このピッチは、反射面へのポンプ光の入射角度に依存する。このような入射角は、それぞれのポンプ光線が反射面に当たる点と回転対称軸（ａｘｉｓ ｏｆ ｒｏｔａｔｉｏｎａｌ ｓｙｍｍｅｔｒｙ）との間の距離に依存する。その結果、ピッチは、ポンプ光格子構造を保持する反射面領域の、このような対称軸までの距離に依存する。対称軸までの距離が増加すると、ピッチは減少し得る。

【0014】

典型的なピッチ寸法は、０．１ｍｍと２ｍｍとの間の範囲内、詳細には０．２ｍｍと１．０ｍｍとの間の範囲内、より詳細には０．５ｍｍと０．９ｍｍとの間の範囲内とすることができる。

【0015】

請求項５に記載の反射率は、適切なポンプ光格子構造を使用することによって達成することができる。ＥＵＶコレクタミラーの反射面は、使用可能なＥＵＶ照明光を当然ながら主として高反射するように最適化された、高反射コーティングを保持することができる。このような反射コーティングはまた、高反射のポンプ光波長に最適化することもできる。

【0016】

請求項６に記載の光源コレクタモジュールの利点は、ＥＵＶコレクタミラーに関して上で説明したものである。

【0017】

請求項７に記載のポンプ光源についても同様である。

【0018】

請求項８に記載のパルス持続時間および／または請求項９に記載のパルス立ち上がり時間は、特に高い変換効率を示すことが実証された。

【0019】

請求項１０に記載の照明光学部（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ ｏｐｔｉｃｓ）、請求項１１に記載の投射露光装置、請求項１２に記載の製造方法、および請求項１３に記載のマイクロおよび／またはナノ構造化構成要素の各利点は、ＥＵＶコレクタミラー、光源コレクタミラーモジュールおよびポンプ光源に関して先に論じたものである。

【0020】

特に、半導体構成要素、たとえばメモリチップが、投影露光装置を使用して製造されてよい。

【0021】

本発明の例示的な実施形態について、図面を参照して以下でより詳細に説明する。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】ＥＵＶマイクロリソグラフィ用の投影露光装置の概略図である。

【図2】ポンプ光源から来るポンプ光の光路を含むＥＵＶコレクタミラーの子午断面図である。

【図3】光源領域からポンプ光回折格子構造に当たるポンプ光をこの光源領域へ逆反射して戻すように設計されているポンプ光回折格子構造を示す、反射面の拡大図であり、逆反射ポンプ光線路が＋１次回折について、また－１次回折についても示されている。

【発明を実施するための形態】

【0023】

マイクロリソグラフィ用の投影露光装置１は、以下でさらに詳細に説明するＥＵＶ照明光および／または結像光３用の光源モジュール２を備える。このような光源モジュール２は、光源コレクタモジュール（光源集光モジュール）とも表記される。光源モジュール２の光源はＥＵＶ光源であり、たとえば５ｎｍと３０ｎｍとの間、特に５ｎｍと１５ｎｍとの間の波長範囲内の光を生成する。照明光および／または結像光３は、以下では使用ＥＵＶ光とも呼ばれる。

【0024】

特に、ＥＵＶ光源は、使用ＥＵＶ波長が１３．５ｎｍの光源であっても、使用ＥＵＶ波長が６．９ｎｍまたは７ｎｍの光源であってもよい。その他の使用ＥＵＶ波長もまた可能である。照明光３のビーム経路が図１に非常に概略的に示されている。

【0025】

照明光学ユニット６は、照明光３を光源から物体平面５内の物体視野４へ導く役割を果たす。前記照明光学ユニットは、図１に非常に概略的に示されている視野面鏡ＦＦと、照明光３のビーム経路の下流に配置され、同様に非常に概略的に描かれている瞳面鏡ＰＦとを備える。かすめ入射（ｇｒａｚｉｎｇ ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ）用の視野形成鏡６ｂ（ＧＩ鏡、ｇｒａｚｉｎｇ ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ ｍｉｒｒｏｒ）が、照明光学ユニットの瞳面６ａに配置されている瞳面鏡ＰＦと物体視野４との間の照明光３のビーム経路に配置される。このようなＧＩ鏡６ｂは、必須ではない。

【0026】

瞳面鏡ＰＦの瞳面（これ以上詳細に記述しない）は、転送光学ユニットの一部であり、視野面鏡ＦＦの視野面（同様に記述しない）を、特に像を、互いに重ね合わせて物体視野４内に転送する。従来技術により知られている一実施形態が、一方では視野面鏡ＦＦに、他方では瞳面鏡ＰＦに使用されてもよい。例として、このような照明光学ユニットは、ＤＥ１０ ２００９ ０４５ ０９６ Ａ１により知られている。

【0027】

投影光学ユニットまたは結像光学ユニット７を使用して、物体視野４は像平面９の像視野８に所定の縮尺で結像される（ｉｍａｇｅｄ）。この目的のために使用できる投影光学ユニットは、たとえば、ＤＥ１０ ２０１２ ２０２ ６７５ Ａ１により知られている。

【0028】

投影露光装置１、および投影光学ユニット７の様々な実施形態についての説明を容易にするために、デカルトｘｙｚ座標系が図面に示されており、この座標系から、図に示された構成要素のそれぞれの位置関係は明らかである。図１において、ｘ方向は、図面の平面に垂直に平面へ向かっている。ｙ方向は図１の左の方へ延び、ｚ方向は図１の上の方へ延びる。物体平面５は、ｘｙ平面に平行に延びる。

【0029】

物体視野４および像視野８は矩形である。あるいは、物体視野４および像視野８が、曲がった、または湾曲した実施形態になっている、すなわち、特に、一部がリング形であることも可能である。物体視野４および像視野８は、ｘ／ｙアスペクト比が１よりも大きい。したがって、物体視野４は、ｘ方向に長い物体視野寸法と、ｙ方向に短い物体視野寸法とを有する。これらの物体視野寸法は、視野座標ｘおよびｙに沿って延びている。

【0030】

従来技術により知られている例示的な実施形態のうちの１つを投影光学ユニット７に使用することができる。この場合に物体として結像されるのは、物体視野４と一致する、レチクルとも呼ばれる反射マスク１０の一部分である。レチクル１０は、レチクルホルダ（ｒｅｔｉｃｌｅ ｈｏｌｄｅｒ：レチクル保持部）１０ａによって保持されている。レチクルホルダ１０ａは、レチクル移動駆動装置１０ｂによって移動される。

【0031】

投影光学ユニット７による結像は、基板ホルダ（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｈｏｌｄｅｒ：基板保持部）１２によって保持されているウェーハの形の基板１１の表面で実現される。基板ホルダ１２は、ウェーハまたは基板移動駆動装置１２ａによって移動される。

【0032】

図１は、レチクル１０と投影光学ユニット７の間の、前記投影光学ユニットに入る照明光３の光線ビーム１３と、投影光学ユニット７と基板１１の間の、投影光学ユニット７から出てくる照明光３の光線ビーム１４とを概略的に示す。投影光学ユニット７の像視野側開口数（ＮＡ）は、原寸に比例しては図１に再現されていない。

【0033】

投影露光装置１は、スキャナ型である。投影露光装置１の動作中に、レチクル１０と基板１１の両方がＹ方向に走査される。基板１１の個々の露光間にレチクル１０および基板１１のｙ方向の段階的な移動が行われる、ステッパタイプの投影露光装置１もまた実施可能である。これらの移動は、移動駆動装置１０ｂおよび１２ａを適切に作動させることによって、互いに同期して行われる。

【0034】

図２は、光源モジュール２の一部であるＥＵＶコレクタミラー１５の子午断面図を子午断面で示す。ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面１６は、図２には示されていない、光源領域１７から反射面１６に当たる照明光を後続のＥＵＶ照明光学ユニット６へ反射する役割を果たす。この目的のために、反射面１６は、光軸１８に対して回転対称である楕円形状を有する。光源領域１７は、反射面１６の楕円形状の一方の焦点領域に配置される。この楕円形状の他方の焦点には、使用可能なＥＵＶ照明光３を他の波長と区別する、またデブリとも区別する役割を果たす、図２には示されていない中間焦点が配置されている。

【0035】

図３は、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面１６の拡大断面図を示す。この拡大図には、周期的に交互になっている正の構造２０（「山」）と負の構造２１（「谷」）とを含む、ポンプ光回折格子構造１９が概略的に示されている。回折格子構造１９のこのような周期性は、回折格子ピッチｐによって記述される。

【0036】

ポンプ光回折格子構造１９は、光源領域１７からポンプ光回折格子構造１９に当たるポンプ光２２（図２も比較）を光源領域へ逆反射して戻すように設計されている。

【0037】

ポンプ光２２は、図２に概略的に示されるように、ポンプ光源２３から発せられる。ポンプ光源２３は、約１０μｍ（ａｒｏｕｎｄ １０μｍ：１０μｍのまわり）の波長、たとえば１０．６μｍのポンプ光波長を有するポンプ光を生成するＣＯ₂レーザ光源である。あるいは、ポンプ光源２３は、波長が約１μｍ前後である、たとえばポンプ光波長が１．０６４μｍのポンプ光を生成するＮｄベース固体レーザ光源、たとえばＮｄ：ＹＡＧレーザであってもよい。ポンプ光２２の波長は、照明光３の波長から、すなわち使用可能なＥＵＶ光の波長からずれている。

【0038】

ポンプ光２２は、パルス状になっている。ポンプ光源２３は、ＭＯＰＡ（主発振器電力増幅器）レーザ光源である。

【0039】

平行ポンプ光２２は、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面１６に配置された貫通孔２４を通過し、光源領域１７に配置された錫液滴２５に当たって、図２には示されていない照明光３が生成される。ポンプ光源２３から光源領域１７に至るポンプ光２２の光路は、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面１６の光軸１８と同一線上にある。

【0040】

錫液滴２５は、ポンプ光２２が当たるときには球状である、すなわちパンケーキの形状ではない。

【0041】

錫液滴２５に当たるポンプ光２２の一部は、錫液滴２５に吸収される。当たるポンプ光２２の別の一部は、錫液滴２５から反射される。このような反射されたポンプ光２２のビーム経路が、図２にポンプ光線２２_rとして例示されている。錫液滴２５が球状であるので、反射ポンプ光線２２_rは、図３に概略的に示されたポンプ光回折格子構造１９を保持する反射面１６に、その広い領域にわたって当たる。

【0042】

図３はまた、１つの例示的な反射ポンプ光線２２_rの逆反射状態を概略的に示している。このようなポンプ光線２２_rは反射面１６に、θ_rとも表記される入射角αで当たる。このような入射角θ_rは、反射面１６上のポンプ光線２２_rの衝突点ＩＰの、光軸１８からの径方向の距離に依存する。図３中の、衝突点ＩＰと光軸１８の間のこのような距離は、ｒと表記される。

【0043】

ポンプ光回折格子構造１９のピッチｐは、次式に従って、光軸に対するそれぞれの正負の構造２０／２１の距離ｒに依存して、反射面１６にわたって変化する。

【数1】

【0044】

ここで、
ｐ（ｒ）は、それぞれの衝突点（ｉｍｐｉｎｇｅｍｅｎｔ ｐｏｉｎｔ：当たる点、作用点、影響を与える点）ＩＰと光軸１８の間の距離ｒに依存するポンプ光回折格子構造１９のピッチを表し、
λ_PLはポンプ光１９の波長を表し、
θ_rは（上記ｐ（ｒ）の式中、

【数2】

をθ_rと表記する。）、それぞれのポンプ光線２２_rの反射面１６への入射角、すなわち、一方の入射ポンプ光線２２_rと、それぞれの衝突点ＩＰまわりの反射面１６の主表面の断面に対する法線との間の角度を表す。

【0045】

上式によれば、入射角θ_rが小さいとピッチｐが大きくなり、逆に、入射角θ_rが大きいとピッチｐが小さくなる。これは、入射形状に依存して、すなわち反射面１６の配置、その曲率、および光源領域の位置に依存して、それぞれのｒａｔｉｎｇ構造２０／２１の光軸１８までの距離ｒとのピッチの依存関係に関して、以下の変化になる。
ピッチｐの変化は、距離ｒが増加するとピッチが増加するような変化であり得る。
ピッチの変化ｐは、距離ｒが増加するとピッチが減少するような変化であり得る。
ピッチｐは、距離ｒに非単調に依存し得る。

【0046】

ポンプ光回折格子構造１９のピッチは、＋１次回折について、ポンプ光線２２_rのそれぞれに対し逆反射条件を満たす。その結果、ＥＵＶコレクタミラー１５の反射面１６上のポンプ光回折格子構造１９に当たるポンプ光線２２_rのすべてが、図２に示されるように、また、ポンプ光線２２_rの１つについて例示されている図３にも示されるように、逆反射される。

【0047】

さらに、図３はまた、－１次回折の回折ビームも示している。

【0048】

ポンプ光回折格子構造１９は、図３には示されていないポンプ光線２２_rの＋１次回折に対してブレーズされる。したがって、＋１次回折は、入射するポンプ光線２２_rのエネルギーのほとんどすべてを保持する。

【0049】

逆反射されたポンプ光線２２_rは、再び錫液滴２５に当たり、それによって光源モジュール２のポンピング効率が向上する。

【0050】

ポンプ光１９の個々のパルスは、パルス持続時間（全幅半値）が５０ｎｓ未満であり、好ましくは４０ｎｓ未満、好ましくは３０ｎｓ未満、好ましくは２０ｎｓ未満、好ましくは１０ｎｓ未満、好ましくは８ｎｓ未満、好ましくは５ｎｓ未満である。

【0051】

特に、最大パルス強度の１０％未満である低照度レベルと最大パルス強度の８０％超である高照度レベルとの間のポンプ光パルスの立ち上がり時間は、１５ｎｓ未満、１０ｎｓ未満、さらには５ｎｓ未満である。このような短いパルス持続時間、および／またはこのような小さい立ち上がり時間は、ポンプ光エネルギーから使用可能なＥＵＶ照明光３のエネルギーへの良好な変換効率をもたらす。

【0052】

ポンプ光回折格子構造１９では、ポンプ光２２の反射率が５０％を超える。具体的には、このような反射率は、５０％と９０％との間の範囲内にあり得るのであり、６０％と８５％との間の範囲内、または６５％と７５％との間の範囲内にあり得る。

【0053】

ポンプ光１９と錫液滴２５の相互作用により、使用可能なＥＵＶ照明光３は、たとえば６．５ｎｍまたは１３ｎｍの波長で生成される。

【0054】

微細構造化構成要素またはナノ構造化構成要素を製作するために、投影露光装置１は、次のように使用される。最初に、反射マスク１０すなわちレチクル、および基板すなわちウェーハ１１が与えられる（ｐｒｏｖｉｄｅｄ）。続いて、レチクル１０上の構造が、ウェーハ１１の感光層の上に投影露光装置１を用いて投影される。次に、ウェーハ１１上の微細構造（ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：マイクロ構造）またはナノ構造（ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）が、したがって構造化構成要素（ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）が、感光層を現像（ｄｅｖｅｌｏｐ）することによって製作される。

【図1】

【図2】

【図3】

【国際調査報告】