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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-04-27
(54)【発明の名称】ウエハ乾燥のためのシステム及び方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20230420BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 651Z
H01L21/304 651B
H01L21/304 648G
H01L21/304 647A
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022555628
(86)(22)【出願日】2021-03-10
(85)【翻訳文提出日】2022-09-14
(86)【国際出願番号】 US2021021735
(87)【国際公開番号】W WO2021188339
(87)【国際公開日】2021-09-23
(31)【優先権主張番号】16/820,344
(32)【優先日】2020-03-16
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】514028776
【氏名又は名称】トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス，インコーポレーテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】ハード，トレース
(72)【発明者】
【氏名】パチェコ ロトンダロ，アントニオ ルイス
(72)【発明者】
【氏名】バセット，デレク
(72)【発明者】
【氏名】小杉 仁
【テーマコード（参考）】
5F157
【Ｆターム（参考）】
5F157AA09
5F157AB02
5F157AB33
5F157AB90
5F157AC03
5F157AC04
5F157AC56
5F157BC03
5F157BF22
5F157BF48
5F157BF55
5F157BF59
5F157CB14
5F157CB26
5F157CB27
5F157DA21
5F157DB32
5F157DB33
(57)【要約】
一実施例では、ウエハ乾燥のための方法は、第１のウエハの表面を提供することであって、第１のウエハの表面が乾燥処理で除去すべき液体を含む、こと、を含む。方法は、第１の処理チャンバ内で液体を第１の固体膜と置換することであって、第１の固体膜が第１のウエハの表面を覆う、こと、を更に含む。方法は、第１のウエハを第１の処理チャンバから第２の処理チャンバに搬送すること、を更に含む。方法は、第２の処理チャンバを通して超臨界流体を流すことによって、第２の処理チャンバ内で第１のウエハを処理することであって、超臨界流体が第１の固体膜を除去する、こと、を更に含む。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
ウエハ乾燥の方法であって、第１のウエハの表面を提供するステップであって、前記第１のウエハの前記表面は、乾燥処理で除去される液体を有する、ステップと、
第１の処理チャンバにおいて、前記液体を第１の固体膜と置換するステップであって、前記第１の固体膜は、前記第１のウエハの前記表面を覆う、ステップと、
前記第１のウエハを前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバに搬送するステップと、
前記第２の処理チャンバを介して超臨界流体を流すことにより、前記第２の処理チャンバ内で前記第１のウエハを処理するステップであって、前記超臨界流体は、前記第１の固体膜を除去する、ステップと、
を有する、方法。
【請求項2】
さらに、前記液体を前記第１の固体膜と置換する前に、前記ウエハの前記表面に配置された複数の特徴部に対してすすぎ処理を実施するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記除去される液体は、前記すすぎ処理からのすすぎ液である、請求項２に記載の方法。
【請求項4】
さらに、前記ウエハをイソプロピルアルコールで処理することにより、前記すすぎ処理からのすすぎ液を除去するステップを有し、前記除去される液体は、前記イソプロピルアルコールである、請求項２に記載の方法。
【請求項5】
前記ウエハの前記表面は、高アスペクト比の特徴部を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
前記第１の固体膜は、前記高アスペクト比の特徴部を取り囲み被覆する、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
さらに、第２のウエハの表面を提供するステップであって、前記第２のウエハの前記表面は、前記乾燥処理で除去される前記液体を有する、ステップと、前記第１の処理チャンバ内で、前記液体を第２の固体膜と置換するステップであって、前記第２の固体膜は、前記第２のウエハの前記表面を覆う、ステップと、
前記第２のウエハを前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバに搬送するステップと、
前記第２の処理チャンバを介して超臨界流体を流すことにより、前記第２の処理チャンバ内で前記第２のウエハを処理するステップであって、前記超臨界流体は、前記第２の固体膜を除去する、ステップと、
を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項8】
前記第１のウエハおよび前記第２のウエハは、前記第２の処理チャンバ内で同時に処理される、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
ウエハ乾燥の方法であって、第１のウエハの表面を提供するステップであって、前記第１のウエハの前記表面は、乾燥処理で除去される液体を有する、ステップと、
第１の処理チャンバ内で、前記第１のウエハの前記表面を覆う第１の固体膜を形成するステップと、
第２の処理チャンバ内で流体を流すステップと、
前記流体を加圧して、超臨界相で前記第２の処理チャンバを介して流すステップと、
前記第２の処理チャンバ内で、前記第１の固体膜を前記流体の前記超臨界相に昇華させることにより、前記第１のウエハの前記表面から前記第１の固体膜を除去するステップと、
を有する、方法。
【請求項10】
さらに、前記第１の固体膜を形成する前に、前記第１のウエハの前記表面に配置された複数の特徴部に対してすすぎ処理工程を実施するステップを有する、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記除去される液体は、前記すすぎ処理からのすすぎ液である、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
さらに、前記ウエハをイソプロピルアルコールで処理することにより、前記すすぎ処理からのすすぎ液を除去するステップを有し、前記除去される液体は、前記イソプロピルアルコールである、請求項１０に記載の方法。
【請求項13】
前記第１のウエハの前記表面は、高アスペクト比の特徴部を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項14】
前記第１の固体膜は、前記高アスペクト比の特徴部を取り囲み被覆する、請求項１３に記載の方法。
【請求項15】
さらに、乾燥される第２のウエハの表面を提供するステップと、
前記第１の処理チャンバ内で、前記第２のウエハの前記表面を覆う第２の固体膜を形成するステップと、
前記第２の固体膜を前記流体の前記超臨界相に昇華させることにより、前記第２のウエハの前記表面から前記第２の固体膜を除去するステップと、
を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項16】
前記第１のウエハおよび前記第２のウエハは、前記第２の処理チャンバ内で同時に処理される、請求項１５に記載の方法。
【請求項17】
さらに、前記第１の固体膜を形成する前に、前記第１のウエハの前記表面を液体で処理するステップを有し、前記第１の固体膜を形成するステップにより、前記液体は、前記第１の固体膜と置換される、請求項９に記載の方法。
【請求項18】
処理装置であって、処理チャンバと、
前記処理チャンバへの流体入口と、
前記処理チャンバからの流体出口と、
乾燥されるウエハを保持する支持体と、
加圧サイクルを印加するように構成された制御回路であって、前記処理チャンバ内の流体が加圧され超臨界流体となる、制御回路と、
を有する、処理装置。
【請求項19】
前記制御回路が、前記流体の温度を監視し制御する温度コントローラと、
前記流体の圧力を監視し制御する圧力コントローラと、
を有する、請求項１８に記載の処理装置。
【請求項20】
前記支持体は、複数のウエハを保持するように構成され、前記制御回路は、前記加圧サイクルの間、前記複数のウエハの各々に、同一の処理環境を提供するように構成される、請求項１８に記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、２０２０年３月１６日に出願された米国特許出願第１６／８２０，３４４号に対する優先権及びその出願日の利益を主張するものであり、同米国特許出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０２０年３月１６日に出願された米国特許出願第１６／８２０，３４４号に対する優先権及びその出願日の利益を主張するものであり、同米国特許出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
本発明は、概して、ウエハ乾燥のためのシステム及び方法に関し、特定の実施形態では、超臨界流体を使用するウエハ乾燥のためのシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【0003】
半導体ウエハの製造には、多くの場合、いくつかの処理ステップが含まれる。これらの処理ステップの多くには、例えば、湿式洗浄処理で使用される副産物の化学種の除去が含まれる。多くの場合、ウエハ洗浄処理の最終すすぎステップとして脱イオン水が使用されて、洗浄液を除去する。しかしながら、すすぎ液さえも、更なる処理の前に除去する必要がある。したがって、ウエハを乾燥させてすすぎ液の痕跡を除去する。しかしながら、特徴部が更に小さな形状にスケーリングされるに伴い、乾燥中に特徴部に損傷を与えないようにするための乾燥技術が課題となっている。
【0004】
これらの課題を克服するために、ウエハの表面のすすぎ液をイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と置換することを含む１つの特定の方法が開発された。次いで、このＩＰＡが、超臨界乾燥処理を使用して除去され、ここで、ＩＰＡで被覆されたウエハが超臨界二酸化炭素に露出されて、ＩＰＡが除去される。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一実施形態によれば、ウエハ乾燥のための方法は、第１のウエハの表面を提供することであって、第１のウエハの表面が乾燥処理で除去すべき液体を含む、こと、を含む。方法は、第１の処理チャンバ内で液体を第１の固体膜と置換することであって、第１の固体膜が第１のウエハの表面を覆う、ことを更に含む。方法は、第１のウエハを第１の処理チャンバから第２の処理チャンバに搬送することを更に含む。方法は、第２の処理チャンバを通して超臨界流体を流すことによって、第２の処理チャンバ内で第１のウエハを処理することであって、超臨界流体が第１の固体膜を除去する、ことを更に含む。
【0006】
ウエハ乾燥方法は、第１のウエハの表面を提供することであって、第１のウエハの表面が乾燥処理で除去すべき液体を含む、ことと、第１の処理チャンバ内で第１のウエハの表面を覆う第１の固体膜を形成することと、第２の処理チャンバ内で流体を流すことと、を含む。この方法は更に、流体を加圧して、超臨界相の第２の処理チャンバを通して流すことと、第２の処理チャンバ内で、第１の固体膜を流体の超臨界相に昇華させることによって、第１のウエハの表面から第１の固体膜を除去することと、を含む。
【0007】
処理装置は、処理チャンバと、処理チャンバへの流体入口と、処理チャンバからの流体出口と、乾燥すべきウエハを保持するための支持体と、処理チャンバ内で流体を加圧して超臨界流体にする加圧サイクルを適用するように構成された制御回路と、を含む。
【0008】
本発明及びその利点をより完全に理解するために、ここで、添付図面と併せて読まれるべき以下の説明を参照する。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1A】本発明の実施形態による、ウエハ乾燥処理の一般的な処理フローの断面図を示し、ここで、図１Ａは、湿式処理後の基板上の固体膜の形成を示し、図１Ｂは、基板の搬送を示し、図１Ｃは、固体膜が超臨界流体に露出されることを示す図である。
【図1B】本発明の実施形態による、ウエハ乾燥処理の一般的な処理フローの断面図を示し、ここで、図１Ａは、湿式処理後の基板上の固体膜の形成を示し、図１Ｂは、基板の搬送を示し、図１Ｃは、固体膜が超臨界流体に露出されることを示す図である。
【図1C】本発明の実施形態による、ウエハ乾燥処理の一般的な処理フローの断面図を示し、ここで、図１Ａは、湿式処理後の基板上の固体膜の形成を示し、図１Ｂは、基板の搬送を示し、図１Ｃは、固体膜が超臨界流体に露出されることを示す図である。
【図2A】本発明の一実施形態による、乾燥の様々な段階中の高アスペクト比（ＨＡＲ）構造を含む半導体ウエハの断面図を示し、ここで、全て本発明の一実施形態による、図２Ａは、固体膜を有するウエハを示し、図２Ｂは、処理チャンバ内への流体の注入を示し、図２Ｃは、流体中の固体膜の漸進的な除去を示し、図２Ｄは、固体膜が流体に溶解するにつれて、固体膜がより漸進的に除去される段階を示し、図２Ｅは、固体膜の完全な除去を示し、図２Ｆは、乾燥後のウエハを示す図である。
【図2B】本発明の一実施形態による、乾燥の様々な段階中の高アスペクト比（ＨＡＲ）構造を含む半導体ウエハの断面図を示し、ここで、全て本発明の一実施形態による、図２Ａは、固体膜を有するウエハを示し、図２Ｂは、処理チャンバ内への流体の注入を示し、図２Ｃは、流体中の固体膜の漸進的な除去を示し、図２Ｄは、固体膜が流体に溶解するにつれて、固体膜がより漸進的に除去される段階を示し、図２Ｅは、固体膜の完全な除去を示し、図２Ｆは、乾燥後のウエハを示す図である。
【図2C】本発明の一実施形態による、乾燥の様々な段階中の高アスペクト比（ＨＡＲ）構造を含む半導体ウエハの断面図を示し、ここで、全て本発明の一実施形態による、図２Ａは、固体膜を有するウエハを示し、図２Ｂは、処理チャンバ内への流体の注入を示し、図２Ｃは、流体中の固体膜の漸進的な除去を示し、図２Ｄは、固体膜が流体に溶解するにつれて、固体膜がより漸進的に除去される段階を示し、図２Ｅは、固体膜の完全な除去を示し、図２Ｆは、乾燥後のウエハを示す図である。
【図2D】本発明の一実施形態による、乾燥の様々な段階中の高アスペクト比（ＨＡＲ）構造を含む半導体ウエハの断面図を示し、ここで、全て本発明の一実施形態による、図２Ａは、固体膜を有するウエハを示し、図２Ｂは、処理チャンバ内への流体の注入を示し、図２Ｃは、流体中の固体膜の漸進的な除去を示し、図２Ｄは、固体膜が流体に溶解するにつれて、固体膜がより漸進的に除去される段階を示し、図２Ｅは、固体膜の完全な除去を示し、図２Ｆは、乾燥後のウエハを示す図である。
【図2E】本発明の一実施形態による、乾燥の様々な段階中の高アスペクト比（ＨＡＲ）構造を含む半導体ウエハの断面図を示し、ここで、全て本発明の一実施形態による、図２Ａは、固体膜を有するウエハを示し、図２Ｂは、処理チャンバ内への流体の注入を示し、図２Ｃは、流体中の固体膜の漸進的な除去を示し、図２Ｄは、固体膜が流体に溶解するにつれて、固体膜がより漸進的に除去される段階を示し、図２Ｅは、固体膜の完全な除去を示し、図２Ｆは、乾燥後のウエハを示す図である。
【図2F】本発明の一実施形態による、乾燥の様々な段階中の高アスペクト比（ＨＡＲ）構造を含む半導体ウエハの断面図を示し、ここで、全て本発明の一実施形態による、図２Ａは、固体膜を有するウエハを示し、図２Ｂは、処理チャンバ内への流体の注入を示し、図２Ｃは、流体中の固体膜の漸進的な除去を示し、図２Ｄは、固体膜が流体に溶解するにつれて、固体膜がより漸進的に除去される段階を示し、図２Ｅは、固体膜の完全な除去を示し、図２Ｆは、乾燥後のウエハを示す図である。
【図3】全て本発明の一実施形態による、バッチ超臨界乾燥処理チャンバの断面図である。
【図5】全て本発明の実施形態による、ウエハ乾燥処理のための処理手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0010】
図面は、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではない。図面は単なる表現であり、本発明の特定のパラメータを描写することを意図していない。図面は、本発明の特定の実施形態のみを示すことを意図しており、したがって、範囲を限定するものと見なすべきではない。図面では、同様の番号は同様の要素を表す。
【0011】
ウエハ乾燥システムの様々な実施形態の方法及び使用について、以下で詳細に論じる。しかしながら、本明細書で詳述される様々な実施形態は、多種多様な分野に適用可能であり得ることを評価すべきである。実施形態はまた、ウエハ乾燥以外の他の状況で適用され得る。本明細書で説明する特定の実施形態は、様々な実施形態を作成及び使用する特定の方法を単に例示するものであり、限定された範囲で解釈されるべきではない。
【0012】
超臨界乾燥を使用して、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）でコーティングされたウエハ表面を除去する従来の方法には、多くの処理関連の制限がある。ＩＰＡは、ウエハが乾燥チャンバに搬送されるときに、脱湿及びこぼれの影響を受けやすい。加えて、ＩＰＡの蒸気圧が高いことにより、乾燥が早まり、ウエハの表面上の地形的特徴部が崩壊につながる場合がある。
【0013】
本発明の実施形態は、ＩＰＡなどの乾燥用液体又はＤＩ水などのすすぎ用液体を、ウエハの表面全体を覆う固体膜と置換することによって、これらの制限を克服する。次いで、固体膜は、超臨界乾燥処理を使用することによって乾燥チャンバ内で直接除去される。方法の実施形態について、図２Ａ～図２Ｆと共に図１Ａ～図１Ｃを使用して説明する。方法及び乾燥チャンバの代替的な実施形態について、図３を使用して説明する。図１Ａ～図１Ｃ、図２Ａ～図２Ｆ、図３の実施形態を実施するための超臨界ウエハ乾燥のためのシステムについて、図４を使用して説明する。
【0014】
【0015】
本明細書に提示される実施形態は、ウエハ１０２が処理チャンバ内に配置され、そこでウエハの表面上に固体膜が形成される、乾燥技術について詳述する。後でより詳細に説明するように、固体膜は、ウエハ１０２の表面上の構造を保護するための犠牲層として機能する。いったん固体膜の形成が完了すると、ウエハ１０２は次いで、第２の処理チャンバに搬送され、そこで超臨界除去技術が実施されて固体膜が溶解除去され、したがってウエハ１０２の上面構造が露出される。
【0016】
図１Ａに示される初期段階の前に、ウエハ１０２は、以前のウエハ製造ステップから何らかの残存する処理化学物質を除去するために湿式洗浄処理を受ける場合がある。湿式洗浄は、例えば、一実施形態では、単一又は複数のウエハを取り扱うように構成することができる第１の処理チャンバ１０１であり得る、洗浄処理チャンバ内で行うことができる。洗浄処理チャンバは、例えば、スピン洗浄によって動作することができる。ウエハ１０２がスピンしている間、洗浄材料を供給するノズルアームは、回転しているウエハ１０２の上側近くに前進することができる。ノズルアームは、所定の順序で、例えば化学液に続いてすすぎ液を供給することができる。ウエハ１０２の後面もまた、化学液に続いてすすぎ液が使用される、同様の洗浄処理を受ける場合がある。例えば、洗浄処理の一実施形態では、アルカリ性化学液であるＳＣ１液体（すなわち、水酸化アンモニアと過酸化水素との混合物）を最初に使用して、粒子及び有機汚染物質を除去することができる。次いで、脱イオン水（ＤＩＷ）などのすすぎ液を使用して、すすぎ動作を実行することができる。いくつかの実施形態では、第２の洗浄処理を順次実行することができる。次の洗浄段階では、ウエハ１０２上に存在し得る任意の自然酸化膜は、酸性の化学液である希釈フッ化水素酸（ＤＨＦ）の水溶液によって除去される。次に、再びＤＩＷを用いて、追加のすすぎ洗浄が行われる。
【0017】
いったん湿式洗浄処理が完了すると、全ての洗浄液は、通常、洗浄処理チャンバ内の底部位置に設けられた排出ポートを通して、洗浄処理チャンバから排出される。更に、洗浄処理チャンバ内の雰囲気は、例えば、洗浄処理チャンバ内の底部位置に設けられた排気ポートから排気される。一方、ウエハ保持機構１０４の回転は、徐々に停止させられる。
【0018】
上述の湿式洗浄処理の完了後、ウエハ１０２は、すすぎ液を除去するために乾燥される必要がある。洗浄処理チャンバが追加の処理ステップを実行するように構成されている場合、ウエハ１０２は、次の処理ステップ用の準備が行われる間、同じチャンバ内に留まることができる。しかしながら、洗浄処理チャンバが次の処理ステップを実行するように構成されていない場合、ウエハ１０２は、異なる処理チャンバに搬送されてもよい。
【0019】
ここで図１Ａを参照すると、概略図は、湿式洗浄及びすすぎ後のウエハ１０２の表面上の固体膜の形成を示している。処理のこの段階において、ウエハ１０２は、第１の処理チャンバ１０１内に配置され、そこでウエハ保持機構１０４上にしっかりと静止される。この第１の処理チャンバ１０１内で、固体膜１０３が、ウエハ１０２の表面上の構造全体を完全に覆うように、ウエハ１０２の上面上に形成される。
【0020】
第１の処理チャンバ１０１は、処理空間を形成する内部チャンバ内にウエハ保持機構１０４が配置された、ウエハ１０２を実質的に水平に保持するユニットとして説明され得る。
【0021】
ウエハ保持機構１０４は、ウエハ１０２を垂直軸の周りで回転させる回転チャックを備えることができる。他の実施形態では、第１の処理チャンバ１０１は、固定チャック、ウエハ１０２を固定して取り付けるために使用される様々なピン若しくはクリップを有する治具、又は場合によっては、様々な処理ステップ中にウエハ１０２が静止されるプレート若しくはトレイを備えることができる。
【0022】
本発明の様々な実施形態では、ウエハ１０２は、シリコンなどの半導体基板を含むことができる。又は、他の実施形態では、化合物半導体だけでなく、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）などの任意の他のタイプの半導体本体。更に、ウエハ１０２は、複数の処理された層を有する半導体基板を含むことができ、各層は、当技術分野で既知である半導体材料の異なる組成から構成され得る。加えて、ウエハ１０２の最上層は、高アスペクト比（ＨＡＲ）構造などの表面特徴部を含み得る。
【0023】
本発明の実施形態によれば、固体膜１０３は、湿式処理ステップの後、ウエハ１０２の最上面上に形成される。固体膜１０３は、１つの処理チャンバから別の処理チャンバへの搬送期間中にウエハ１０２上の表面特徴部（すなわち、ＨＡＲ構造）を一時的に物理的に支持する犠牲膜であり得る。例えば、固体膜１０３の剛性は、表面特徴部（すなわち、ＨＡＲ表面）が様々なモードのウエハ搬送中に互いに崩壊するのを防止するのに役立つように、表面特徴部をコーティングする。
【0024】
液体が固体を濡らすと、液体と固体の間の表面張力及び接触角に依存する圧力差（通常、ラプラス圧力と呼ばれる）が境界面にわたって増大する。ウエハ表面からのウエハ乾燥（液体の除去）中、このラプラス圧力は、ＨＡＲ構造などの特定の領域で更に増大され、特徴部に対する損傷（例えばパターン崩壊）を引き起こす可能性がある。本発明の実施形態は、従来の乾燥技術におけるような液体から蒸気への変換を回避することによって、これを克服する。
【0025】
むしろ、本発明の実施形態は、固体膜１０３を超臨界流体に直接変換（例えば、溶解又は融解）することによって、固体膜１０３を除去する。様々な実施形態では、固体膜１０３の材料、及び流体は、固体膜１０３が超臨界相に変化するように選択される。換言すれば、様々な実施形態では、固体膜１０３の組成は、固体膜１０３が流体に露出されると、固体膜１０３が超臨界流体を形成するように構成され、これにより、固体膜１０３と下にあるウエハ１０２の構造との間の表面張力を除去する。これにより、固体膜１０３が流体内に昇華（又は除去）され、次いで、処理チャンバから除去することができる。
【0026】
したがって、１つ以上の実施形態では、固体膜１０３は、二酸化炭素（ｓｃＣＯ２）を含む超臨界流体に溶解可能である。換言すれば、一実施形態では、固体膜１０３は二酸化炭素（ＣＯ２）と超臨界相を形成し、その結果、固体膜１０３内の材料の組成がｓｃＣＯ２と混和性のガスに溶解する。例えば、固体膜１０３は、８５％超のイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む材料組成を有することができ、なぜなら、その濃度が、固体膜をｓｃＣＯ２などの超臨界流体に容易に溶解させるからである。１つ以上の実施形態では、固体膜１０３は、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びカルボニル基を有するポリマーなどのポリマー材料を含むことができる。
【0027】
固体膜１０３は、スピンキャスティング、コーティング、堆積、及び当業者に既知である他の処理などの、多数の製造技術によってウエハ１０２の表面上に形成され得る。例えば、固体膜１０３は、ポリマー材料をウエハ１０２の中心位置上に最初に分配するノズルによって、ウエハ１０２の表面上に最初にキャストされ得る。次いで、ウエハ１０２は、第１の処理チャンバ１０１内で結合されたウエハ保持機構１０４の回転を介してスピンされ、ポリマー材料をウエハ全体に広げる。いったんポリマー材料がウエハ１０２全体に広げられると、指定されたスピン速度が実施されて、固体膜１０３の所望の厚さを達成することができる。固体膜１０３の厚さは、ウエハ１０２上の表面特徴部（すなわち、ＨＡＲ構造）の高さに応じて、数十ナノメートル～数ミクロンであり得る。
【0028】
様々な実施形態では、固体膜１０３の厚さは、少なくとも表面特徴部の上部を覆うように選択され得る。１つ以上の実施形態では、固体膜１０３の厚さは、ウエハ１０２上の全ての特徴部が固体膜１０３によって覆われるように、ウエハ１０２上の最も高い構造の厚さよりも少なくとも１０％だけ大きい。いったん固体膜１０３の所望の厚さが達成されると、ポリマー材料は、材料を固化及び硬化させるために、ソフトベーキング又は硬化処理を受け得る。
【0029】
従来の超臨界乾燥で使用されるより伝統的な材料（ＩＰＡのような液体など）の代わりに、固体膜１０３などの固体材料を使用することにより、処理に対してより機械的に安定した材料が提供される。有利なことに、固体膜１０３は、従来の液体膜と比較して、通常のロボット速度で搬送することがはるかに容易である。例えば、液体を使用する従来の方法と比較して、固体膜１０３は、より速い速度で搬送され、それによって遅延を短縮することができるが、同時に、ウエハ１０２の表面からこぼれる（又は脱湿する）リスクをもたらさない。加えて、固体膜１０３の蒸気圧が比較的低いため、従来の材料の場合のように、蒸発による膜損失のリスクは存在しない。その結果、温度又は圧力の上昇中の乾燥による意図しない表面露出のリスクは存在しない。したがって、本発明の実施形態は、特にウエハ１０２のエッジの周りで、ＨＡＲ構造のような表面特徴部のパターン崩壊を低減することができる。
【0030】
次に図１Ｂに示されるように、固体膜１０３を含むウエハ１０２は、追加の処理のために搬送される。ウエハ１０２は、搬送中にウエハ１０２を適所にしっかりと保持するフォーク又はプレートに結合されたロボットなどの、ウエハ送達装置を使用して搬送されてもよい。例えば、ウエハ１０２は、図１Ｃを使用して更に説明されるように、第２の処理チャンバ１０５に送達されてもよい。
【0031】
次に図１Ｃを参照すると、固体膜１０３を含むウエハ１０２が、超臨界乾燥（ＳＣＤ）チャンバなどの第２の処理チャンバ１０５内に配置され、そこで固体膜１０３の完全な除去を受ける。
【0032】
第２の処理チャンバ１０５は、最初に処理状態に上昇され得る。例えば、この時間中、ウエハ１０２及び第２の処理チャンバ１０５を加熱して、処理温度に到達させることができる。同様に、第２の処理チャンバ１０５を、特定の圧力まで加圧することができる。有利なことに、この時間中、固体膜１０３は、ウエハ表面上の特徴部の不注意な露出を引き起こすことなく、ウエハ１０２の表面を覆い続ける。
【0033】
第２の処理チャンバ１０５内にある間、ウエハ１０２の表面上の固体膜１０３は、一実施形態では二酸化炭素（ｓｃＣＯ２）を含み得る、超臨界流体と接触させられる。流体は、第２の処理チャンバ１０５内に注入され、加圧されて超臨界流体になり、次いで、ウエハ１０２の表面上の固体膜１０３と接触する。超臨界流体の存在下にある間、固体膜１０３は、徐々に溶解して離れ、ウエハ１０２を「乾燥」させ、新たに露出した表面特徴部（すなわちＨＡＲ構造）を追加の処理に対する準備状態にする。
【0034】
一実施形態では、超臨界流体は主に、超臨界二酸化炭素（ｓｃＣＯ２）を含み、これは有利なことに、良好な化学的安定性、信頼性、低コスト、非毒性、不燃性を有し、且つ容易に入手可能である。これら全ての特性により、ｓｃＣＯ２を、様々な半導体製造処理、特にウエハ乾燥に望ましい候補とするのに役立つ。
【0035】
第２の処理チャンバ１０５内では、流体供給ヘッダが、入口１１１を通して第２の処理チャンバ１０５の主本体に超臨界流体を送達する。処理中（すなわち、固体膜１０３の除去中）、流体供給ヘッダは、制御された、例えば層流速度で、超臨界流体を送達する。層流速度で動作している間、超臨界流体は、流体供給ヘッダから固体膜１０３の上面に向かって直接流れることができる。ウエハ１０２の表面に向かって下降する過程で、超臨界流体は、固体膜１０３を通って浸透し、処理中に固体膜を徐々に除去する。この処理の詳細については、後のセクションで説明する。
【0036】
処理の完了時において、流体排出ヘッダは、超臨界流体を第２の処理チャンバ１０５の主本体から出口１１２を通って主本体の外側領域に導く。この外側領域では、超臨界流体が、第２の処理チャンバ１０５から排出される。排出された超臨界流体はまた、溶解した固体膜１０３の残骸を含み得る。
【0037】
図２Ａ～図２Ｆは、本発明の一実施形態による、高アスペクト比（ＨＡＲ）構造２０１を含むウエハ１０２の表面から固体膜１０３が除去されるときの、乾燥処理フローの断面図を示している。以下の図は、上記の図１Ｃで説明した第２の処理チャンバ１０５内で行われ得る、様々なウエハレベル処理段階のより詳細な説明を提供する。
【0038】
ここで図２Ａを参照すると、処理のこの段階において、ＨＡＲ構造２０１を含むウエハ１０２は、固体膜１０３によって取り囲まれている。前述のように、固体膜１０３は、図２Ａに示されるＨＡＲ構造２０１などの表面特徴部に一時的な保護を提供する犠牲層であり得る。固体膜１０３は、ＨＡＲ構造２０１が、主に、湿式洗浄処理後の搬送中にウエハ１０２のエッジの周りで見られるパターン崩壊に屈しないことを確実にするのに役立つ。
【0039】
本発明の実施形態によれば、所望の用途に応じて、ＨＡＲ構造２０１のアスペクト比（幅対高さ）は、一実施例では、１：５～１：２０、又は１：５～１：１００であり得る。本出願の実施形態は、本明細書で具体的に示されていないアスペクト比に適用されることに留意されたい。
【0040】
本発明の実施形態では、ＨＡＲ構造２０１は、製造中のデバイスのパターンの一部、又は製造中の中間構造であってもよい。様々な実施形態では、ＨＡＲ構造２０１は、深堀反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）又は当業者に既知である他の処理などの、標準的な半導体製造技術によって製造され得る。
【0041】
ＨＡＲ構造２０１は、シリコン、炭化シリコン、窒化ガリウム、酸化シリコン、窒化シリコン、金属線又はビア、金属酸化物（ＭＯｘ）、金属窒化物（ＭＮｘ）、及び金属酸窒化物などの材料のパターンを含むことができ、ここで、「Ｍ」は、アルミニウム、銅、ハフニウム、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンなどの元素金属を表す。
【0042】
次に図２Ｂに示されるように、流体２０３は、圧力シールされた第２の処理チャンバ１０５内に層流速度下で導入され、そこで、システムの設定された処理パラメータ（例えば、圧力及び温度）により超臨界相に達することができる。流体２０３が固体膜１０３内に浸透すると、流体２０３と固体膜１０３の上部との間の界面において、混合物２０２が形成される。混合物２０２は、流体２０３及び固体膜１０３を含む。
【0043】
様々な実施形態では、固体膜１０３は、流体２０３によって除去可能であり、且つ流体２０３に溶解可能である。一実施形態では、混合物２０２はまた、超臨界相を形成し、したがって、固体膜１０３から分離し、流れている流体２０３に組み込まれる。別の実施形態では、固体膜１０３は、流体２０３に溶解又は昇華し、したがって直接気相に遷移する。例えば、固体膜１０３が流体２０３と混和性のポリマー物質を含む場合、流体２０３を使用して、ポリマー物質がウエハ１０２の表面から完全に除去されるまで、ポリマー物質を溶解することができる。別の実施形態では、固体膜１０３は、流体２０３に溶け込み、流体２０３によって除去される。別の例では、流体２０３を使用して、溶媒と同様にポリマー物質を飽和させることができる。
【0044】
有利なことに、固体膜１０３の除去中、混合物２０２と下にあるＨＡＲ構造２０１との間の表面張力からの応力は最小であり、これらの構造に対して損傷を引き起こさない。
【0045】
図２Ｃは、固体膜１０３が流体２０３内に溶解するときの、固体膜１０３の漸進的な除去を示している。固体膜１０３が枯渇するにつれて、混合物２０２は固体膜１０３内により深く浸透する。混合物２０２は、溶解固体膜１０３からの材料と流体２０３との組み合わせを含む。
【0046】
次に図２Ｄを参照すると、概略図は、固体膜１０３が流体２０３に溶解し続けるときの、固体膜１０３のより漸進的な除去段階を示している。この段階において、上記に示され、図１Ｃで論じられた第２の処理チャンバ１０５は、主に流体２０３で満たされている。加えて、固体膜１０３の大部分は、流体２０３によって消費されるにつれて除去されている。更に、混合物２０２は、ＨＡＲ構造２０１を更に通過し、固体膜１０３のより深くまで浸透している。
【0047】
図２Ｅに示されるように、固体膜１０３は完全に除去される。概略図が示すように、第２の処理チャンバ１０５を完全に包含する流体２０３は、ＨＡＲ構造２０１を完全に取り囲んでいる。その結果、固体膜１０３は、ウエハ１０２の表面にもはや存在しない。同様に、混合物２０２もまた、流れている流体２０３と共に洗い流される。
【0048】
図２Ｆは、流体２０３が第２の処理チャンバ１０５（例えば、超臨界乾燥チャンバ）からいったんパージされた、ＨＡＲ構造２０１を含むウエハ１０２の概略図を示している。ここで第２の処理チャンバ１０５で残留ガスがパージされると、ＨＡＲ構造２０１が露出され、その後の処理の準備が整う。この最終段階において、チャンバを減圧して流体２０３の流れを停止した後、ウエハ１０２が、第２の処理チャンバ１０５から取り出され、ウエハ１０２は、従来の半導体処理のようにその後の処理を受けることができる。
【0049】
第２の処理チャンバ１０５でのウエハ１０２の総処理時間は、およそ７０秒～１８０秒の範囲のいずれかであり得る。この時間スケールは、固体膜１０３を構成する材料のタイプに依存し得る。同様にまた、ウエハ１０２の表面上に存在するＨＡＲ構造２０１の全てを完全に覆うために、固体膜１０３に必要な所望の厚さに基づいて、時間スケールを調整する必要がある場合がある。更に、固体膜１０３は、流体２０３がシステム内に送達される前に、第２の処理チャンバ１０５内で平衡化するためのより多くの時間を必要とし得る。
【0050】
図３は、本発明の別の実施形態による、超臨界乾燥のための高スループットバッチ処理チャンバ３０５の断面図である。
【0051】
本発明のこの実施形態では、バッチ処理チャンバ３０５は、複数のウエハ１０２を処理するように構成されている。複数のウエハ１０２を処理することにより、ウエハ当たりの総処理時間を大幅に短縮することができ、それによって生産コストが削減される。例えば、図では、バッチ処理チャンバ３０５は、同時に２枚のウエハを支持するように構成され、したがって、スループットを２倍に増大させる。しかしながら、バッチ処理チャンバ３０５は、複数のウエハを支持するために、以前に示された第２の処理チャンバ１０５に対する修正を含む。
【0052】
様々な実施形態では、バッチ処理チャンバ３０５は、複数のウエハ保持機構１０４を備え得る、修正された機械的ハンドリングシステムを備えている。更に、ウエハ保持機構１０４は、ウエハ間の変動を低減するように設計され、したがって、全てのウエハ１０２は、同一の処理環境、例えば、同様の流量、ウエハ表面における流体２０３の分圧などを経験する。一実施形態では、バッチ処理チャンバ３０５は、第２の処理チャンバ１０５よりも大きいため、安定化（加圧）に時間がかかる場合がある。バッチ処理チャンバ３０５が過度に大きい場合、同時処理によって得られるいかなる利点も、加圧時間及び減圧時間によって打ち消され得る。
【0053】
図４Ａ～図４Ｂは、様々な実施形態で説明される第２の処理チャンバ１０５／バッチ処理チャンバ３０５などの超臨界乾燥システムの様々な構成要素を表す概略図であり、ここで、図４Ａはシステム構成要素の概略を示し、図４Ｂは流体供給の概略を示している。
【0054】
本発明の様々な実施形態では、超臨界乾燥システムは、第２の処理チャンバ１０５（又はバッチ処理チャンバ３０５）に結合されたインターフェース回路４０１を備え得る。インターフェース回路４０１は、第２の処理チャンバ１０５内のウエハの温度を制御するための温度コントローラ４０２を備え得る。本発明の実施形態では、温度コントローラ４０２を使用して、ユーザが意図された処理に対して望ましい温度を選択することを可能にし得る。システムは、処理チャンバ内でウエハが費やす時間を制御するためのタイミングコントローラ４０３を含み得る。タイミングコントローラ４０３はまた、加圧及び温度サイクル用のタイミングサイクルを制御することができる。また、本発明の様々な実施形態では、タイミングコントローラ４０３を使用して、ユーザが意図された処理に対して所望の時間を設定及び／又は監視することを可能にし得る。
【0055】
システムはまた、チャンバ内の圧力及び／又は温度を調整するために、タイミングコントローラ４０３及び温度コントローラ４０２によって使用され得る、チャンバ内の圧力を監視する圧力コントローラ４０６を含むことができる。いくつかの実施形態では、温度コントローラ４０２、タイミングコントローラ４０３、及び圧力コントローラ４０６の回路は、単一のチップに統合されてもよい。電力コントローラ４０４は、単独で、又はタイミングコントローラ４０３と共に、のいずれかで、システムの様々な構成要素に電力を供給することができる。電源スイッチ４０５は、手動オーバーライド機能を提供することができる。
【0056】
本発明の実施形態では、インターフェース回路４０１はまた、第２の処理チャンバ１０５によって実行される様々な処理関連機能のためのユーザ入力用のデジタルディスプレイタッチスクリーンなどの、ディスプレイ及びグラフィカルユーザインターフェース（ＧＵＩ）を備えてもよい。ディスプレイはまた、第２の処理チャンバ１０５によって実行される各処理に関連するステータスインジケータを提供することができる。これにより、ユーザが設定された処理パラメータのリアルタイムステータスを監視することを可能にする。
【0057】
本発明の実施形態では、電源スイッチ４０５により、ユーザが第２の処理チャンバ１０５をオン又はオフにする（すなわち、電源を切る）ことを可能にする。電源スイッチ４０５はまた、システムが動作モード、スタンバイモード、電源オフモード、又は他のモードにあるかどうかをユーザが判定することを可能にするインジケータを含むことができる。
【0058】
第２の処理チャンバ１０５の他の実施形態では、追加の結合構成要素は、ベント／ファンユニット４１６と、流体入口システム４０８と、流体出口システム４０９と、（上述した）ウエハ保持機構１０４を含み得るウエハ搬送システム４１４と、を備え得る。
【0059】
様々な実施形態では、第２の処理チャンバ１０５内に含まれ得るベント／ファンユニット４１６は、例えばホットスポット又は過熱を回避することによって、第２の処理チャンバ１０５の主区画からガスを排出するのに役立つか、又は内部温度を調節するのに役立つことができる。ベント／ファンユニット４１６は、一実施形態では、第２の処理チャンバ１０５の後部又は底部に配置され得る。
【0060】
本発明の様々な実施形態では、第２の処理チャンバ１０５に結合された、流体入口システム４０８及び流体出口システム４０９は、二酸化炭素などのガスが第２の処理チャンバ１０５の主区画に出入りするための経路を提供する。
【0061】
図４Ｂに示されるように、流体入口システム４０８は、大気圧よりも高い圧力で、流体２０３の原材料を第２の処理チャンバ１０５内に供給するための流体供給源４５０と、流体供給源を第２の処理チャンバ１０５に接続する流体供給通路４６０と、を備え得る。流体入口システム４０８はまた、流体供給経路に配置された開閉弁４２１を有する流れ制御ユニットを備え得る。開閉弁４２１は、流体供給源４５０からの（例えば、超臨界状態の）流体２０３の供給のオンオフを調整し、開閉弁４２１が開放しているときは流体２０３を第２の処理チャンバ１０５に流させ、開閉弁４２１が閉鎖しているときは流体２０３を第２の処理チャンバ１０５に流させない。例えば、開閉弁４２１が開放している場合、約１５ＭＰａ～３０ＭＰａの高圧を有する流体２０３が、開閉弁４２１を介して流体供給源４５０から供給ラインに供給され得る。
【0062】
流体入口システム４０８はまた、流体２０３を加熱するためのヒータ４２２を備え得る。流体入口システム４０８はまた、温度及び圧力を感知するための複数のセンサ４２３を備え得る。流体入口システム４０８はまた、流体供給源４５０から供給されている（例えば、超臨界状態の）流体２０３の圧力を調整するための減圧弁、例えばオリフィス４２４を備え得る。流体入口システム４０８はまた、オリフィス４２４から送られる（例えば、超臨界状態の）流体２０３に含まれるあらゆる異物を除去し、クリーンな（例えば、超臨界状態の）流体２０３を第２の処理チャンバ１０５の入口１１１内に出力する、フィルタ４２５を備え得る。
【0063】
流体出口システム４０９は、第２の処理チャンバ１０５からの流体２０３の供給のオンオフを調整する排出制御弁４３１を備えることができ、排出制御弁４３１が開放しているときは第２の処理チャンバ１０５から流体２０３を排出させ、排出制御弁４３１が閉鎖しているときは第２の処理チャンバ１０５から流体２０３を排出させない。
【0064】
流体出口システム４０９はまた、下流排出経路４７０を通って排出されている流体の温度及び圧力を感知するための複数のセンサ４３３を備え得る。流体出口システム４０９はまた、第２の処理チャンバ１０５から排出されている流体２０３の圧力を調整するための減圧弁、例えばオリフィス４３４を備え得る。様々な実施形態では、流体入口システム４０８及び流体出口システム４０９は、図４Ａを使用して説明された構成要素を使用して、インターフェース回路４０１によって制御され得る。様々な実施形態では、流体入口システム４０８及び流体出口システム４０９は、当業者に既知であるような他の構成要素を備え得る。一実施形態では、流体入口システム４０８用の入口及び流体出口システム４０９用の出口は、第２の処理チャンバ１０５の底部又は後面近くに配置することができる。
【0065】
図５は、全て本発明の一実施形態による、固体膜を形成することによって除去すべき液体を除去することによる、ウエハ乾燥処理の処理手順を示すフローチャートである。
【0066】
したがって、例えば上記の図１Ａ～図１Ｃ及び図２Ａ～図２Ｆに示されるように、ウエハ乾燥のための方法は、ウエハ１０２の表面を提供することを含み、ここで、ウエハの表面は、乾燥処理で除去すべき液体を含む（ステップ５１０）。方法は、第１の処理チャンバ１０１内で、除去すべき液体を第１の固体膜１０３と置換することを含み、ここで、第１の固体膜１０３は、ウエハ１０２の表面を覆う（ステップ５２０）。方法は、ウエハ１０２を第１の処理チャンバ１０１から第２の処理チャンバ１０５に搬送することを更に含む（ステップ５３０）。方法は、第２の処理チャンバ１０５を通して流体２０３を流すことにより、第２の処理チャンバ１０５内でウエハ１０２を処理すること（ステップ５４０）を更に含むことができ、ここで、流体２０３は、第１の固体膜１０３を除去する。
【0067】
ここで、本発明の例示的な実施例を要約する。本明細書の全体及び本明細書において出願される請求項により、他の実施形態も理解されるであろう。
【0068】
実施例１．ウエハ乾燥のための方法は、第１のウエハの表面を提供することであって、第１のウエハの表面が乾燥処理で除去すべき液体を含む、こと、を含む。方法は、第１の処理チャンバ内で液体を第１の固体膜と置換することであって、第１の固体膜が第１のウエハの表面を覆う、ことを更に含む。方法は、第１のウエハを第１の処理チャンバから第２の処理チャンバに搬送することを更に含む。方法は、第２の処理チャンバを通して超臨界流体を流すことによって、第２の処理チャンバ内で第１のウエハを処理することであって、超臨界流体が第１の固体膜を除去する、ことを更に含む。
【0069】
実施例２．液体を第１の固体膜と置換する前に、ウエハの表面に配置された複数の特徴部に対してすすぎ処理を実行すること、を更に含む、実施例１の方法。
【0070】
実施例３．除去すべき液体が、すすぎ処理からのすすぎ液である、実施例１又は２の方法。
【0071】
実施例４．ウエハをイソプロピルアルコールで処理することによって、すすぎ処理からのすすぎ液を除去することであって、除去すべき液体がイソプロピルアルコールである、ことを更に含む、実施例１～３のいずれか１つの方法。
【0072】
実施例５．ウエハの表面が、高アスペクト比の特徴部を含む、実施例１～４のいずれか１つの方法。
【0073】
実施例６．第１の固体膜が、高アスペクト比の特徴部を取り囲んで覆っている、実施例１～５のいずれか１つの方法。
【0074】
実施例７．第２のウエハの表面を提供することであって、第２のウエハの表面が、乾燥処理で除去すべき液体を含むことと、第１の処理チャンバ内で、液体を第２の固体膜と置換することであって、第２の固体膜が第２のウエハの表面を覆う、ことと、を更に含む、実施例１～６のいずれか１つの方法。方法は、第２のウエハを第１の処理チャンバから第２の処理チャンバに搬送することと、第２の処理チャンバを通して超臨界流体を流すことによって第２の処理チャンバ内で第２のウエハを処理することであって、超臨界流体が第２の固体膜を除去する、ことと、を更に含む。
【0075】
実施例８．第１のウエハ及び第２のウエハが、第２の処理チャンバ内で同時に処理される、実施例１～７のいずれか１つの方法。
【0076】
実施例９．ウエハ乾燥方法は、第１のウエハの表面を提供することであって、第１のウエハの表面が乾燥処理で除去すべき液体を含む、ことと、第１の処理チャンバ内で第１のウエハの表面を覆う第１の固体膜を形成することと、第２の処理チャンバ内で流体を流すことと、を含む。この方法は更に、流体を加圧して、超臨界相の第２の処理チャンバを通して流すことと、第２の処理チャンバ内で、第１の固体膜を流体の超臨界相に昇華させることによって、第１のウエハの表面から第１の固体膜を除去することと、を含む。
【0077】
実施例１０．第１の固体膜を形成する前に、第１のウエハの表面に配置された複数の特徴部に対してすすぎ処理ステップを実行すること、を更に含む、実施例９の方法。
【0078】
実施例１１．除去すべき液体が、すすぎ処理からのすすぎ液である、実施例９又は１０の方法。
【0079】
実施例１２．ウエハをイソプロピルアルコールで処理することによって、すすぎ処理からのすすぎ液を除去することであって、除去すべき液体がイソプロピルアルコールである、ことを更に含む、実施例９～１１のいずれか１つの方法。
【0080】
実施例１３．第１のウエハの表面が、高アスペクト比の特徴部を含む、実施例９～１２のいずれか１つの方法。
【0081】
実施例１４．第１の固体膜が、高アスペクト比の特徴部を取り囲んで覆っている、実施例９～１３のいずれか１つの方法。
【0082】
実施例１５．乾燥すべき第２のウエハの表面を提供することと、第１の処理チャンバ内で第２のウエハの表面を覆う第２の固体膜を形成することと、を更に含む、実施例９～１４のいずれか１つの方法。方法は、第２の固体膜を流体の超臨界相に昇華させることによって、第２のウエハの表面から第２の固体膜を除去することを更に含む。
【0083】
実施例１６．第１のウエハ及び第２のウエハが、第２の処理チャンバ内で同時に処理される、実施例９～１５のいずれか１つの方法。
【0084】
実施例１７．第１の固体膜を形成する前に第１のウエハの表面を液体で処理することであって、第１の固体膜を形成することにより液体を第１の固体膜と置換する、ことを更に含む、実施例９～１６のいずれか１つの方法。
【0085】
実施例１８．処理装置は、処理チャンバと、処理チャンバへの流体入口と、処理チャンバからの流体出口と、乾燥すべきウエハを保持するための支持体と、処理チャンバ内で流体を加圧して超臨界流体にする加圧サイクルを適用するように構成された制御回路と、を含む。
【0086】
実施例１９．制御回路が、流体の温度を監視及び制御するための温度コントローラと、流体の圧力を監視及び制御するための圧力コントローラと、含む、実施例１８の処理装置。
【0087】
実施例２０．支持体が複数のウエハを保持するように構成され、制御回路が、加圧サイクル中に複数のウエハの各々に同一の処理環境を提供するように構成されている、実施例１８又は１９の処理装置。
【0088】
本発明は、例示的実施形態を参照して説明されているが、本明細書は、限定的な意味で解釈されることを意図するものではない。当業者であれば、本明細書を参照することにより、それらの例示的実施形態の様々な修正形態及び組み合わせ並びに本発明の別の実施形態が明らかになるであろう。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのようなあらゆる修正形態又は実施形態を包含することが意図される。
【図1A-1C】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図3】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【国際調査報告】