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特表2023-528784非常に高い温度に対応する剥離可能な仮基板、及び前記基板から加工層を移動させるプロセス
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-07-06
(54)【発明の名称】非常に高い温度に対応する剥離可能な仮基板、及び前記基板から加工層を移動させるプロセス
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20230629BHJP
H01L 21/20 20060101ALI20230629BHJP
H01L 21/265 20060101ALI20230629BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 C
H01L21/20
H01L21/265 Z
H01L21/265 Q
H01L21/02 B
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2022572577
(86)(22)【出願日】2021-04-26
(85)【翻訳文提出日】2023-01-12
(86)【国際出願番号】 FR2021050718
(87)【国際公開番号】W WO2021250333
(87)【国際公開日】2021-12-16
(31)【優先権主張番号】2006023
(32)【優先日】2020-06-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】FR
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】598054968
【氏名又は名称】ソイテック
【氏名又は名称原語表記】Ｓｏｉｔｅｃ
【住所又は居所原語表記】Ｐａｒｃ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｑｕｅ ｄｅｓ ｆｏｎｔａｉｎｅｓ ｃｈｅｍｉｎ Ｄｅｓ Ｆｒａｎｑｕｅｓ ３８１９０ Ｂｅｒｎｉｎ， Ｆｒａｎｃｅ
(74)【代理人】
【識別番号】100107456
【弁理士】
【氏名又は名称】池田 成人
(74)【代理人】
【識別番号】100162352
【弁理士】
【氏名又は名称】酒巻 順一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100123995
【弁理士】
【氏名又は名称】野田 雅一
(72)【発明者】
【氏名】ビアード， ヒューゴ
(72)【発明者】
【氏名】ゴーダン， グウェルタズ
(72)【発明者】
【氏名】ルーシェ， セヴラン
(72)【発明者】
【氏名】ランドル， ディディエ
【テーマコード（参考）】
5F152
【Ｆターム（参考）】
5F152LL03
5F152LL04
5F152LM09
5F152LN19
5F152LN28
5F152LP01
5F152LP07
5F152MM18
5F152NN05
5F152NQ02
5F152NQ12
5F152NQ17
(57)【要約】
本発明は、１０００℃を超える剥離温度で剥離可能な仮基板（１０）に関し、仮基板は、主平面に沿って延在する、半導体加工層と、キャリア基板と、加工層とキャリア基板との間に配置され、主平面に垂直な軸線に沿って２０ｎｍ未満の厚さを有する、中間層と、中間層内又は中間層に隣り合って位置する、結合境界面と、最大濃度が１０２１／ｃｍ３を超える、主平面に垂直な軸線に沿った濃度プロファイルに従って分布する、少なくとも１種の気体種の原子であって、前記原子が、仮基板が剥離温度より低い温度に曝されているとき、中間層、１０ｎｍ以下の厚さを有するキャリア基板の隣り合う層、及び／又は１０ｎｍ以下の厚さを有する加工層の隣り合う副層に閉じ込められた状態で保持され、前記原子が、仮基板が剥離温度以上の温度に曝されると、剥離境界面に拡散するよう意図されている、原子と、を備える。
【選択図】 なし
【選択図】 なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
１０００℃を超える剥離温度で剥離可能な仮基板（１０）であって、前記仮基板（１０）が、主平面（ｘ，ｙ）に沿って延在する、半導体加工層（１）と、
キャリア基板（３）と、
前記加工層（１）と前記キャリア基板（３）との間に配置され、前記主平面（ｘ、ｙ）に垂直な軸線（ｚ）に沿って２０ｎｍ未満の厚さを有する、中間層（２）と、
前記中間層（２）内又は前記中間層（２）に隣り合って位置する、結合境界面（４）と、
最大濃度が１０２１／ｃｍ３を超え、前記主平面（ｘ，ｙ）に垂直な前記軸線（ｚ）に沿った濃度プロファイル（２ｂ）に従って分布する少なくとも１種の気体種の原子（２ａ）であり、前記原子（２ａ）が、前記仮基板（１０）が前記剥離温度より低い温度に曝されているとき、前記中間層（２）、１０ｎｍ以下の厚さを有する前記キャリア基板（３）の隣り合う層、及び／又は１０ｎｍ以下の厚さを有する前記加工層（１）の隣り合う副層に閉じ込められた状態で保持され、前記原子（２ａ）が、前記仮基板（１０）が前記剥離温度以上の温度に曝されると、剥離境界面に拡散するよう意図されている、原子（２ａ）と、
を備える、仮基板（１０）。
【請求項2】
前記中間層（２）が、タングステン、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブデン、タンタル、窒化チタン、窒化タンタル、アモルファスシリコンの中から選択される少なくとも１種の材料で形成される、請求項１に記載の仮基板（１０）。
【請求項3】
前記気体種が、窒素、ヘリウム、アルゴン、キセノン、及び／又は水素である、請求項１又は２に記載の仮基板（１０）。
【請求項4】
前記キャリア基板（３）が、前記キャリア基板（３）の熱膨張係数が、前記加工層（１）の熱膨張係数に等しいか又は近い材料を備える、請求項１～３のいずれか一項に記載の仮基板（１０）。
【請求項5】
請求項１～４のいずれか一項に記載の仮基板（１０）を製造するプロセスであって、前記プロセスが、ａ）ドナー基板（１１）を用意するステップと、
ｂ）前記ドナー基板（１１）内に埋込み脆弱面（５）を形成するために、水素、ヘリウム、又はこれら２つの組合せの中から選択された軽イオンを前記ドナー基板（１１）に注入するステップであり、前記埋込み脆弱面（５）が、前記ドナー基板（１１）の前面（１１ａ）と共に、表面加工層（１）を画定する、注入するステップと、
ｃ）前面（３ａ）を有するキャリア基板（３）を用意するステップと、
ｄ）前記ドナー基板（１１）の前記前面（１１ａ）及び／又は前記キャリア基板（３）の前記前面（３ａ）に、前記中間層（２）を形成するよう意図されている少なくとも１つの膜（２１、２２）を堆積させるステップと、
ｅ）前記少なくとも１つの膜（２１、２２）が前記基板（１１），（３）の間に配置されて、前記中間層（２）を形成するように、前記ドナー基板（１１）と前記キャリア基板（３）とを接合するステップと、
ｆ）一方で前記仮基板（１０）を形成し、他方で前記ドナー基板の残りの部分（１１’）を形成するために、前記埋込み脆弱面（５）に沿って分離するステップと、を含み、
前記製造するプロセスが、
堆積させるステップｄ）の前に、前記ドナー基板（１１）及び／若しくは前記キャリア基板（３）の、それぞれの前面（１１ａ、３ａ）から１０ｎｍ以下の深さまで、
堆積させるステップｄ）の後に、前記少なくとも１つの膜（２１、２２）内へ、又は
分離するステップｆ）の後に、前記中間層（２）内へ、
前記少なくとも１種の気体種の原子（２ａ）を導入するステップをさらに含む、仮基板（１０）を製造するプロセス。
【請求項6】
ステップｆ）が、９００℃～１２００℃の温度で熱処理することを含む、請求項５に記載の仮基板（１０）を製造するプロセス。
【請求項7】
請求項１～４のいずれか一項に記載の仮基板（１０）からレシーバ基板（５０）へ、加工層（１）を移動させるプロセスであって、ｇ）前記仮基板（１０）の前記加工層（１）上に配置されたレシーバ基板（５０）を備える、剥離可能な構造体（５１０）を形成するステップであり、１０００℃以上の第１の温度で処理することを含む前記形成するステップと、
ｈ）前記中間層（２）内又は前記中間層（２）に隣り合う剥離境界面に沿って前記剥離可能な構造体（５１０）を剥離するステップであり、一方で前記レシーバ基板（５０）上に配置された前記加工層（１）を備える複合構造体（５１）と、他方で前記キャリア基板（３）とを形成するために、前記第１の温度よりも高い剥離温度で熱処理することを含む前記剥離するステップと、
を含む、仮基板（１０）から加工層（１）を移動させるプロセス。
【請求項8】
ステップｇ）が、前記仮基板（１０）の前記加工層（１）の自由面上に前記レシーバ基板（５０）を堆積することを含む、請求項７に記載の仮基板（１０）から加工層（１）を移動させるプロセス。
【請求項9】
前記レシーバ基板（５０）の前記堆積が、熱若しくは励起化学気相堆積、又は蒸着によって、１０００℃以上、好ましくは１２００℃以上の温度で実行される、請求項８に記載の仮基板（１０）から加工層（１）を移動させるプロセス。
【請求項10】
形成される前記レシーバ基板（５０）が、多結晶炭化ケイ素でできている、請求項８又は９に記載の仮基板（１０）から加工層（１）を移動させるプロセス。
【請求項11】
ステップｈ）が、１４００℃以上、又はさらには１５００℃以上の温度で熱処理することを含む、請求項７～１０のいずれか一項に記載の仮基板（１０）から加工層（１）を移動させるプロセス。
【請求項12】
前記加工層（１）の自由面である前記複合構造体（５１）の前面（５１ａ）の、化学洗浄、化学エッチング、及び／又は化学機械研磨の工程を含む、前記複合構造体（５１）を仕上げるステップｉ）を含む、請求項７～１１のいずれか一項に記載の仮基板（１０）から加工層（１）を移動させるプロセス。
【請求項13】
ステップｉ）が、前記レシーバ基板（５０）の自由面である前記複合構造体（５１）の後面（５０ｂ）の、化学洗浄、化学エッチング、機械研削、及び／又は化学機械研磨の工程を含む、請求項１２に記載の仮基板（１０）から加工層（１）を移動させるプロセス。
【請求項14】
剥離するステップｈ）の前に、前記レシーバ基板（５０）の後面（５０ｂ）の化学洗浄、化学エッチング、機械研削、及び／又は化学機械研磨の工程を含む、前記剥離可能な構造体（５１０）を処理するステップｇ’）を含む、請求項７～１３のいずれか一項に記載の仮基板（１０）から加工層（１）を移動させるプロセス。
【請求項15】
場合によっては、前記加工層（１）上に追加層をエピタキシャル成長させた後の、前記複合構造体（５１）の前記加工層（１）内又は前記加工層（１）上へ、電子部品を製造するステップを含む、請求項７～１４のいずれか一項に記載の仮基板（１０）から加工層（１）を移動させるプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
（発明の分野）
本発明は、マイクロエレクトロニクス部品用半導体材料の分野に関する。本発明は、特に、１０００℃よりも高い、又はさらには１２００℃よりも高い温度で剥離可能な仮基板、及びかかる仮基板を製造するプロセスに関する。本発明はさらに、たとえば単結晶炭化ケイ素でできた加工層（ｗｏｒｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を、前記仮基板からレシーバ基板に移動させるプロセスに関する。
本発明は、マイクロエレクトロニクス部品用半導体材料の分野に関する。本発明は、特に、１０００℃よりも高い、又はさらには１２００℃よりも高い温度で剥離可能な仮基板、及びかかる仮基板を製造するプロセスに関する。本発明はさらに、たとえば単結晶炭化ケイ素でできた加工層（ｗｏｒｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を、前記仮基板からレシーバ基板に移動させるプロセスに関する。
【従来技術の説明】
【0002】
（発明の技術的背景）
炭化ケイ素（ＳｉＣ：ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ）への関心は、この半導体材料がエネルギー処理能力を高めることができるので、ここ数年で大幅に増加している。ＳｉＣは、革新的なパワーデバイスの製造にますます広く使用されており、特に電気自動車などのエレクトロニクスにおける、成長中の分野のニーズに応える。
炭化ケイ素（ＳｉＣ：ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ）への関心は、この半導体材料がエネルギー処理能力を高めることができるので、ここ数年で大幅に増加している。ＳｉＣは、革新的なパワーデバイスの製造にますます広く使用されており、特に電気自動車などのエレクトロニクスにおける、成長中の分野のニーズに応える。
【0003】
単結晶炭化ケイ素をベースとするパワーデバイス及び一体型電源システムは、シリコンでできた従来の同様のもの（ｈｏｍｏｌｏｇｕｅ）と比較して、はるかに高い電力密度を管理することができ、より小さなアクティブゾーンの寸法で高い電力密度を実現する。ＳｉＣに基づくパワーデバイスの寸法をさらに制限するには、横方向ではなく縦方向の部品を製造するのが有利である。このため、ＳｉＣ構造体は、前記構造体の前面に配置された電極と後面に配置された電極との間で、垂直方向の導電を可能にする必要がある。
【0004】
それにもかかわらず、マイクロエレクトロニクス産業向けの単結晶ＳｉＣ基板は、依然として高価であり、大きなサイズでの供給が困難である。したがって、典型的には、より安価なキャリア基板上に単結晶ＳｉＣの薄層を備える複合構造体を製造する、薄層の移動による解決策を利用することが有利である。１つのよく知られた薄層の移動による解決策に、軽イオン注入及び直接結合による接合に基づく、スマートカット（Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ）（商標）プロセスがある。かかるプロセスにより、たとえば、単結晶ＳｉＣ（ｃ－ＳｉＣ：ｍｏｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ＳｉＣ）でできた薄層を備える、複合構造体を製造することが可能となり、この薄層は、ｃ－ＳｉＣでできたドナー基板から得られ、多結晶ＳｉＣ（ｐ－ＳｉＣ：ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ＳｉＣ）でできたキャリア基板と直接接触し、これにより、垂直方向の導電が可能となる。
【0005】
さらに文献、米国特許第８４３６３６３号が知られており、この文献は、金属キャリア基板上に配置される、ｃ－ＳｉＣでできた薄層を備える複合構造体を製造するプロセスを説明しており、金属キャリア基板の熱膨張係数は、薄層の熱膨張係数と一致する。この製造プロセスは、ｃ－ＳｉＣドナー基板に埋込み脆弱面（ｂｕｒｉｅｄ ｗｅａｋｅｎｅｄ ｐｌａｎｅ）を形成し、前記埋込み脆弱面とドナー基板の前面との間で、薄層を画定するステップを含む。次に、たとえばタングステン又はモリブデンの金属層が、ドナー基板の前表面に堆積され、補強材として機能するのに十分な厚さを有するキャリア基板を形成する。このプロセスは、最後に、埋込み脆弱面に沿って分離し、一方で、金属キャリア基板及びｃ－ＳｉＣでできた薄層を備える複合構造体を、他方で、ｃ－ＳｉＣドナー基板の残りの部分を形成するステップを含む。
【0006】
しかし、かかる製造プロセスは、キャリア基板を形成する材料が、１２００℃を超える温度（ｐ－ＳｉＣを製造するための通常の温度）での堆積を必要とするｐ－ＳｉＣである場合、対応できない。具体的には、こうした高温では、埋込み脆弱面に存在する空隙の成長速度が、ｐ－ＳｉＣ層の成長速度よりも速く、膨れが発生し始める前に、補強効果に必要な厚さに達せず、これは、空隙に応じて垂直方向に層が変形することと関係する。
【発明の概要】
【0007】
（発明の主題）
本発明は、従来技術の解決策に対する代替の解決策に関し、上述の欠点を完全に又は部分的に克服することを目的とする。本発明は、特に、非常に高い温度で剥離可能な仮基板、及び関連する製造プロセスに関する。本発明はさらに、複合構造体を形成するために、特に単結晶炭化ケイ素でできていてもよい加工層を、仮基板からレシーバ基板に移動させるプロセスに関する。
本発明は、従来技術の解決策に対する代替の解決策に関し、上述の欠点を完全に又は部分的に克服することを目的とする。本発明は、特に、非常に高い温度で剥離可能な仮基板、及び関連する製造プロセスに関する。本発明はさらに、複合構造体を形成するために、特に単結晶炭化ケイ素でできていてもよい加工層を、仮基板からレシーバ基板に移動させるプロセスに関する。
【0008】
（発明の簡単な説明）
本発明は、１０００℃を超える剥離温度で剥離可能な仮基板に関し、仮基板は、
主平面に沿って延在する、半導体加工層と、
キャリア基板と、
加工層とキャリア基板との間に配置され、主平面に垂直な軸線に沿って２０ｎｍ未満の厚さを有する、中間層と、
中間層内又は中間層に隣り合って位置する、結合境界面と、
最大濃度が１０２１／ｃｍ３を超える、主平面に垂直な軸線に沿った濃度プロファイルに従って分布する、少なくとも１種の気体種の原子であって、前記原子が、仮基板が剥離温度より低い温度に曝されているとき、中間層、１０ｎｍ以下の厚さを有するキャリア基板の隣り合う層、及び／又は１０ｎｍ以下の厚さを有する加工層の隣り合う副層に閉じ込められた状態で保持され、前記原子が、仮基板が剥離温度以上の温度に曝されると、剥離境界面に拡散するよう意図されている、原子と、を備える。
本発明は、１０００℃を超える剥離温度で剥離可能な仮基板に関し、仮基板は、
主平面に沿って延在する、半導体加工層と、
キャリア基板と、
加工層とキャリア基板との間に配置され、主平面に垂直な軸線に沿って２０ｎｍ未満の厚さを有する、中間層と、
中間層内又は中間層に隣り合って位置する、結合境界面と、
最大濃度が１０２１／ｃｍ３を超える、主平面に垂直な軸線に沿った濃度プロファイルに従って分布する、少なくとも１種の気体種の原子であって、前記原子が、仮基板が剥離温度より低い温度に曝されているとき、中間層、１０ｎｍ以下の厚さを有するキャリア基板の隣り合う層、及び／又は１０ｎｍ以下の厚さを有する加工層の隣り合う副層に閉じ込められた状態で保持され、前記原子が、仮基板が剥離温度以上の温度に曝されると、剥離境界面に拡散するよう意図されている、原子と、を備える。
【0009】
本発明の他の有利で非限定的な特徴によれば、単独で、又は技術的に実現可能な任意の組合せで、以下が成立する。
【0010】
加工層は、炭化ケイ素、ダイヤモンド、及び／又は窒化ガリウムを含む。
【0011】
中間層は、タングステン、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブデン、タンタル、窒化チタン、窒化タンタル、アモルファスシリコンの中から選択される少なくとも１種の材料で形成される。
【0012】
気体種は、窒素、ヘリウム、アルゴン、キセノン、及び／又は水素である。
【0013】
キャリア基板は、キャリア基板の熱膨張係数が、加工層の熱膨張係数に等しいか又は近い材料を含む。
【0014】
本発明はまた、上記の仮基板を製造するプロセスにも関し、このプロセスは、
ａ）ドナー基板を用意するステップと、
ｂ）ドナー基板に埋込み脆弱面を形成するために、水素、ヘリウム、又はこれら２つの組合せの中から選択された軽イオンを前記ドナー基板に注入するステップであって、埋込み脆弱面が、ドナー基板の前面と共に、表面加工層を画定する、上記ステップと、
ｃ）前面を有するキャリア基板を用意するステップと、
ｄ）ドナー基板の前面及び／又はキャリア基板の前面に、中間層を形成するよう意図されている少なくとも１つの膜を堆積させるステップと、
ｅ）少なくとも１つの膜が前記基板間に配置され、中間層を形成するように、ドナー基板とキャリア基板とを接合するステップと、
ｆ）一方で仮基板を形成し、他方でドナー基板の残りの部分を形成するために、埋込み脆弱面に沿って分離するステップと、を含む。
ａ）ドナー基板を用意するステップと、
ｂ）ドナー基板に埋込み脆弱面を形成するために、水素、ヘリウム、又はこれら２つの組合せの中から選択された軽イオンを前記ドナー基板に注入するステップであって、埋込み脆弱面が、ドナー基板の前面と共に、表面加工層を画定する、上記ステップと、
ｃ）前面を有するキャリア基板を用意するステップと、
ｄ）ドナー基板の前面及び／又はキャリア基板の前面に、中間層を形成するよう意図されている少なくとも１つの膜を堆積させるステップと、
ｅ）少なくとも１つの膜が前記基板間に配置され、中間層を形成するように、ドナー基板とキャリア基板とを接合するステップと、
ｆ）一方で仮基板を形成し、他方でドナー基板の残りの部分を形成するために、埋込み脆弱面に沿って分離するステップと、を含む。
【0015】
製造プロセスは、
堆積させるステップｄ）の前に、ドナー基板及び／若しくはキャリア基板の、それぞれの前面から１０ｎｍ以下の深さまで、
堆積させるステップｄ）の後に、少なくとも１つの膜へ、又は
分離するステップｆ）の後に、中間層へ、
少なくとも１種の気体種の原子を、以下へ導入するステップをさらに含む。
堆積させるステップｄ）の前に、ドナー基板及び／若しくはキャリア基板の、それぞれの前面から１０ｎｍ以下の深さまで、
堆積させるステップｄ）の後に、少なくとも１つの膜へ、又は
分離するステップｆ）の後に、中間層へ、
少なくとも１種の気体種の原子を、以下へ導入するステップをさらに含む。
【0016】
本発明の他の有利で非限定的な特徴によれば、単独で、又は技術的に実現可能な任意の組合せで、以下が成立する。
【0017】
ドナー基板を用意するステップａ）は、初期基板にドナー層をエピタキシャル成長させて、ドナー基板を形成することを含む。
【0018】
初期基板及びドナー層は炭化ケイ素でできており、ステップａ）は、初期基板に単結晶変換層を形成し、初期基板の基底面転位欠陥を、ドナー層のエピタキシャル成長の前に、貫通刃状転位欠陥に変換することを含む。
【0019】
エピタキシャル成長は、１２００℃を超える温度、好ましくは１５００℃～１６５０℃で実行される。
【0020】
ステップｆ）は、９００℃～１２００℃の温度での熱処理を含む。
【0021】
本発明は、最後に、加工層を上記の仮基板からレシーバ基材に移動させるプロセスに関する。このプロセスは、
ｇ）仮基板の加工層上に配置されたレシーバ基板を備える、剥離可能な構造体を形成するステップであって、形成するステップが、１０００℃以上の第１の温度での処理を含む上記ステップと、
ｈ）中間層内又は中間層に隣り合う剥離境界面に沿って剥離可能な構造体を剥離するステップであって、一方でレシーバ基板上に配置された加工層を備える複合構造体を、他方でキャリア基板を形成するための第１の温度よりも高い剥離温度での熱処理を含む上記ステップと、を含む。
ｇ）仮基板の加工層上に配置されたレシーバ基板を備える、剥離可能な構造体を形成するステップであって、形成するステップが、１０００℃以上の第１の温度での処理を含む上記ステップと、
ｈ）中間層内又は中間層に隣り合う剥離境界面に沿って剥離可能な構造体を剥離するステップであって、一方でレシーバ基板上に配置された加工層を備える複合構造体を、他方でキャリア基板を形成するための第１の温度よりも高い剥離温度での熱処理を含む上記ステップと、を含む。
【0022】
本発明の他の有利で非限定的な特徴によれば、単独で、又は技術的に実現可能な任意の組合せで、以下が成立する。
【0023】
ステップｇ）は、仮基板の加工層の自由面上へのレシーバ基板の堆積を含む。
【0024】
レシーバ基板の堆積は、熱若しくは励起化学気相堆積（ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、又は蒸着によって、１０００℃以上、好ましくは１２００℃以上の温度で実行される。
【0025】
形成されるレシーバ基板は、多結晶炭化ケイ素でできている。
【0026】
レシーバ基板はバルク基板であり、ステップｇ）は、レシーバ基板を仮基板の加工層の自由面に接合するステップを含む。
【0027】
接合するステップは、分子接着による直接結合と、１０００℃以上、又はさらには１２００℃以上の温度での熱処理とを含む。
【0028】
ステップｈ）は、１４００℃以上、又はさらには１５００℃以上の温度での熱処理を含む。
【0029】
移動プロセスは、加工層の自由面である複合構造体の前面の、化学洗浄、化学エッチング、及び／又は化学機械研磨の工程を含む、複合構造体を仕上げるステップｉ）を含む。
【0030】
ステップｉ）は、レシーバ基板の自由面である複合構造体の後面の、化学洗浄、化学エッチング、機械研削、及び／又は化学機械研磨の工程を含む。
【0031】
移動プロセスは、剥離するステップｈ）の前に、レシーバ基板の後面の化学洗浄、化学エッチング、機械研削、及び／又は化学機械研磨の工程を含む、剥離可能な構造体を処理するステップｇ’）を含む。
【0032】
移動プロセスは、新しい仮基板のキャリア基板として再利用するために、キャリア基板を再調整するステップｊ）を含む。
【0033】
移動プロセスは、場合によっては、加工層上への追加層のエピタキシャル成長の後に、複合構造体の加工層内又は加工層上に、電子部品を製造するステップを含む。
【0034】
本発明の他の特徴及び利点は、添付図を参照しながら提示される、本発明の以下の詳細な説明から明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1a】本発明による剥離可能な仮基板を示す図である。
【図1b】本発明による剥離可能な仮基板の、中間層の拡大図である。
【図2a】本発明による剥離可能な仮基板を製造するプロセスを示す図である。
【図2b】本発明による剥離可能な仮基板を製造するプロセスを示す図である。
【図2c】本発明による剥離可能な仮基板を製造するプロセスを示す図である。
【図2d】本発明による剥離可能な仮基板を製造するプロセスを示す図である。
【図2e】本発明による剥離可能な仮基板を製造するプロセスを示す図である。
【図2f】本発明による剥離可能な仮基板を製造するプロセスを示す図である。
【図3a】本発明による製造プロセスのステップａ）の、特定の実施形態を示す図である。
【図3b】本発明による製造プロセスのステップａ）の、特定の実施形態を示す図である。
【図4-1】第１の実施態様による、剥離可能な仮基板を製造するプロセスのステップを示す図である。
【図4d】第１の実施態様による、剥離可能な仮基板を製造するプロセスのステップを示す図である。
【図4e】第１の実施態様による、剥離可能な仮基板を製造するプロセスのステップを示す図である。
【図4f】第１の実施態様による、剥離可能な仮基板を製造するプロセスのステップを示す図である。
【図5-1】本発明の第２の実施態様による、剥離可能な仮基板を製造するプロセスのステップを示す図である。
【図6-1】本発明の第３の実施態様による、剥離可能な仮基板を製造するプロセスのステップを示す図である。
【図7g】本発明による移動プロセスのステップを示す図である。
【図7h】本発明による移動プロセスのステップを示す図である。
【図7i】本発明による移動プロセスのステップを示す図である。
【図7j】本発明による移動プロセスのステップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0036】
（発明の詳細な説明）
説明では、図中の同じ参照番号が、同じタイプの要素に使用されることがある。図は概略図であり、読みやすくするため、縮尺通りではない。特に、軸線ｚに沿った層の厚さは、軸線ｘ及び軸線ｙに沿った横方向の寸法に対して縮尺通りではない。また、互いに対する層の相対的な厚さは、図では必ずしも考慮されていない。
説明では、図中の同じ参照番号が、同じタイプの要素に使用されることがある。図は概略図であり、読みやすくするため、縮尺通りではない。特に、軸線ｚに沿った層の厚さは、軸線ｘ及び軸線ｙに沿った横方向の寸法に対して縮尺通りではない。また、互いに対する層の相対的な厚さは、図では必ずしも考慮されていない。
【0037】
本発明は、１０００℃より高い、好ましくはさらに１２００℃より高い、１３００℃より高い、１４００℃より高い、又は１５００℃より高い剥離温度で剥離可能な仮基板１０に関する。剥離可能とは、仮基板１０が、非常に高い温度で２つの部分に分離できること、この場合には、仮基板１０の両方の部分である、加工層１をキャリア基板３から剥離することによって、前記加工層１を最終のレシーバ基板へ移動させることが可能であることを意味する。
【0038】
仮基板１０は、直径が１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、又はさらに場合によっては４５０ｍｍであり、典型的には３００～８００μｍの厚さを有する、ウェハの形態で用意されることが好ましい。仮基板１０は、図１ａ及び図１ｂに示されているように、主面（ｘ、ｙ）に沿って延在する、前面１０ａ及び後面３ｂを有する。
【0039】
仮基板１０は、中間層２上に配置された半導体加工層１を備え、中間層２自体は、キャリア基板３上に配置される。仮基板１０はまた、中間層２内、又は中間層２と隣り合って位置する、すなわち、中間層２と加工層１との間又は中間層２とキャリア基板３との間に位置する、結合境界面４を有する。
【0040】
半導体材料でできた加工層１は、所与の用途に対処するために、部品をその中又は上に製造することが意図されている層である。仮基板１０は、非常に高い処理温度を必要とする半導体材料に特に適しているので、加工層１は、炭化ケイ素を含んでおり有利である。加工層１はまた、もちろん、ダイヤモンド、たとえば窒化ガリウム若しくは窒化アルミニウムなどの、高い製造温度を必要とする２元若しくは３元のＩＩＩ－Ｖ化合物、又は同様に高い処理温度若しくは製造温度（通常は１０００°Ｃ若しくは１２００°Ｃより高い）を必要とするＩＩ－ＶＩ化合物の中から選択される、１種又は複数の材料も含むことができる。
【0041】
加工層１は、中間層２上に配置され、中間層２自体は仮基板１０に備えられる。後者は、主平面（ｘ、ｙ）に垂直な軸線ｚに沿って、２０ｎｍ未満、又はさらには１０ｎｍ未満である、厚さを有する。この薄い厚さにより、たとえ中間層２の１種又は複数の構成材料が、剥離温度よりも低いクリープ又は溶融温度を有していても、仮基板１０が、良好な機械的強度及び非常に高い温度との良好な適合性を保持できるという点で、重要である。
【0042】
中間層２は、主面（ｘ，ｙ）に平行に連続的に、又は不連続に、たとえば主面（ｘ，ｙ）に平行な面に並んで配置されたノジュールの形態で、延在してもよいことに留意されたい。
【0043】
中間層２は、たとえばタングステン、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブデン、タンタル、窒化チタン、窒化タンタル、及びアモルファスシリコンの中から選択される、少なくとも１種の金属又は半導体材料で形成されてもよい。
【0044】
中間層２の材料は、すなわち、加工層１の非常に薄い厚さ（１０ｎｍ未満）にわたって、仮基板１０を実現する、移動プロセス中に加えられる非常に高い温度で、加工層１に拡散及び／又は反応しないか、若しくはほとんど反応しないように選択される。これにより、加工層１の完全性及び純度を維持することができる。
【0045】
中間層２は、キャリア基板３上に配置され、同様に、仮基板１０の一部を形成する。キャリア基板３は、加工層１の処理に必要な又は目標となる高温に対応する、どんな材料で形成されてもよい。キャリア基板３は、その熱膨張係数が、加工層１の熱膨張係数に等しいか又は近い材料を含むことが好ましい。この材料は、たとえば、より低い結晶品質を示しながらも、加工層１と同じ性質であるように選択することができる。
【0046】
たとえば、加工層１が炭化ケイ素でできた特定の場合において、キャリア基板３自体は、加工層１よりも低い結晶品質の単結晶炭化ケイ素、又は多結晶炭化ケイ素で形成されてもよい。
【0047】
仮基板１０は、軸線ｚに沿った、最小濃度が１０２１／ｃｍ３よりも高い、濃度プロファイル２ｂに従って分布する、少なくとも１種の気体種の原子２ａをさらに含む。
【0048】
仮基板１０を製造するプロセスでさらに詳細に説明されるように、この原子２ａは、プロセスの様々な時点で、基板及び含まれる層の様々な場所に導入されてもよい。
【0049】
したがって、原子２ａの濃度プロファイル２ｂは、様々な形を取ってもよく、原子２ａのほとんどが、中間層２に位置している一例が、図１ｂに示されている。別法として、原子２ａのほとんどが、その厚さが１０ｎｍ以下である、中間層２に隣り合うキャリア基板３の層内に位置してもよい。言い換えると、この場合、原子２ａのほとんどが、キャリア基板３内に、ただし中間層２の非常に近くにある。さらに別の代替形態として、原子２ａのほとんどが、その厚さが１０ｎｍ以下である、中間層２に隣り合う加工層１の副層内に位置してもよい。
【0050】
原子２ａの場所がどこであれ、濃度プロファイル２ｂは、原子２ａの濃度が最大であり、１０２１／ｃｍ３以上、又はさらには数１０２１／ｃｍ３、通常は２Ｅ２１／ｃｍ３～５Ｅ２１／ｃｍ３の値に達する領域を、含む必要がある。
【0051】
本発明によれば、原子２ａは、仮基板１０が剥離温度よりも低い温度に曝されているときには、中間層２、１０ｎｍ以下の厚さを有するキャリア基板３の隣り合う層、及び／又は１０ｎｍ以下の厚さを有する加工層１の隣り合う副層に閉じ込められた状態で保持されている。この原子２ａは、仮基板１０が剥離温度以上の温度に曝されると、中間層２内の又は中間層２に隣り合う、結合境界面４と一致するか又は結合境界面４の近傍の、剥離境界面に拡散することが意図されている。
【0052】
中間層２の材料及び気体種は、以下であるよう選択される。
原子のほとんどが、仮基板１０が剥離温度よりも低い温度に曝されているとき、中間層２内の前記気体種の溶解度が高いことにより、中間層２に閉じ込められた状態で保持されるか、又は
原子のほとんどが、仮基板１０が剥離温度よりも低い温度に曝されているとき、中間層２が、前記種に対して効果的なバリアを形成するので、キャリア基板３の隣り合う薄い層、及び／又は加工層１の隣り合う薄い副層に閉じ込められた状態で保持される。
原子のほとんどが、仮基板１０が剥離温度よりも低い温度に曝されているとき、中間層２内の前記気体種の溶解度が高いことにより、中間層２に閉じ込められた状態で保持されるか、又は
原子のほとんどが、仮基板１０が剥離温度よりも低い温度に曝されているとき、中間層２が、前記種に対して効果的なバリアを形成するので、キャリア基板３の隣り合う薄い層、及び／又は加工層１の隣り合う薄い副層に閉じ込められた状態で保持される。
【0053】
閉じ込められた原子２ａのほとんどが、したがって、臨界温度（剥離温度）を超えると剥離境界面に蓄積し、仮基板１０を使用する移動プロセスでさらに説明されるように、前記境界面に沿った剥離を引き起こす。
【0054】
気体種は、窒素、ヘリウム、アルゴン、キセノン、及び／又は水素の中から選択されることが好ましい。
【0055】
【0056】
製造プロセスは、最初に、前面１１ａ及び後面１１ｂを有するドナー基板１１を用意するステップａ）を含む（図２ａ）。ドナー基板１１は、仮基板１０の加工層１の元となり、したがって、少なくとも加工層１を形成する材料を含む。
【0057】
ドナー基板１１の前面１１ａの表面粗さは、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：ａｔｏｍｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）を使って、２０μｍ×２０μｍの走査により測定され、有利には、１ｎｍＲａ（平均粗さ）未満となるよう選択される。
【0058】
第１の選択肢によれば、ドナー基板１１は、加工層１用に所望のレベルの品質を備えたバルク基板であり、この層は、ドナー基板１１から直接もたらされる。
【0059】
第２の選択肢によれば、ステップａ）は、ドナー基板１１を形成するために、初期基板１１１にドナー層１１０をエピタキシャル成長させることを含む。ドナー層１１０は、初期基板１１１の結晶欠陥密度よりも低い結晶欠陥密度を有することが好ましい（図３ａ）。
【0060】
ステップａ）は、初期基板１１１及びドナー層１１０が炭化ケイ素でできている特定の場合には、初期基板１１１に単結晶変換層１１２を形成し、初期基板１１１の基底面転位欠陥を、ドナー層１１０のエピタキシャル成長の前に、貫通刃状転位欠陥に変換することを含んでもよい（図３ｂ）。たとえば、ドナー層１１０で、１／ｃｍ２以下のＢＰＤ欠陥密度が目標となる。
【0061】
炭化ケイ素のエピタキシャル成長は、１２００℃よりも高い温度、好ましくは１５００℃～１６５０℃の温度で実行される。使用される前駆体は、モノシラン（ＳｉＨ４）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）であり、キャリアガスは、アルゴンを含むか又は含まない水素であってもよい。
【0062】
ドナー層１１０（及び／又は変換層１１２）のエピタキシャル成長の前に、初期基板１１１の前面に存在する可能性がある微粒子、金属若しくは有機汚染物質、又は自然酸化物の層の全部又は一部を除去することを目的として、初期基板１１１を洗浄及び／又はエッチングする、従来のシーケンスを実行してもよいことに留意されたい。
【0063】
製造プロセスは次に、前記ドナー基板１１の埋込み脆弱面５を形成するために、水素、ヘリウム、又は両方の種の組合せの中から選択された軽イオンを、ドナー基板１１（及び存在する場合は特に、ドナー層１１０に）に注入するステップｂ）を含む（図２ｂ）。埋込み脆弱面５は、ドナー基板１１の前面１１ａと共に、表面加工層１を画定する。
【0064】
スマートカット（商標）プロセスに関してよく知られているように、これらの軽い種が、注入深さの周囲に、ドナー基板１１の前面１１ａに平行な、すなわち図の平面（ｘ，ｙ）に平行な薄い層に分布する、微小な空隙を形成することになる。この薄い層は、簡単にするために、埋込み脆弱面５と呼ばれる。
【0065】
軽い種の注入エネルギーは、ドナー基板１１の決定された深さに到達するように選択され、この深さは、加工層１の目標厚さに一致する。たとえば、水素イオンでは、１０ｋｅＶ～２５０ｋｅＶのエネルギーで、５Ｅ１６／ｃｍ２～１Ｅ１７／ｃｍ２のドーズ量を注入されると、１００～１５００ｎｍ程度の厚さを有する加工層１を画定することになる。
【0066】
軽い種のイオン注入のステップの前に、ドナー基板１１の前面１１ａに、保護層が堆積されてもよいことに留意されたい。この保護層は、たとえば、シリコン酸化物又はシリコン窒化物などの材料で構成することができる。
【0067】
仮基板１０を製造するプロセスは、次に、キャリア基板３を用意することである、ステップｃ）を含む（図２ｃ）。
【0068】
キャリア基板３は、上記で言及されたように、仮基板１０に機械的支持をもたらし、所与の用途のために設計された最終的な複合構造体５１に保持することを意図していない。したがって、キャリア基板３の主な特性は、低コスト、及び加工層１の機械的支持体としての信頼性であることが好ましい。
【0069】
製造プロセスは、次に、ドナー基板１１及び／又はキャリア基板３に、少なくとも１つの膜２１、２２を堆積させるステップｄ）を含む（図２ｄ）。言い換えると、第１の膜２１が、ドナー基板１１の前面１１ａに堆積されてもよく、代替的又は追加的に、第２の膜２２が、キャリア基板３の前面３ａに堆積されてもよい。図２ｄに示される例では、第１の膜２１及び第２の膜２２が、それぞれドナー基板１１及びキャリア基板３に堆積される。
【0070】
少なくとも１つの堆積された膜２１、２２は、仮基板１０の中間層２を形成することを意図していることに留意されたい。
【0071】
少なくとも１つの堆積膜２１、２２は、主平面（ｘ、ｙ）に垂直な軸線ｚに沿って、２０ｎｍ未満、又はさらには１０ｎｍ未満、たとえば０．３ｎｍ～１０ｎｍの厚さを有する。
【0072】
少なくとも１つの膜２１、２２は、例として、タングステン、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブデン、タンタル、窒化チタン、窒化タンタル、アモルファスシリコンの中から選択される、少なくとも１種の材料で形成されてもよい。
【0073】
ステップｄ）の堆積は、特に直接液体噴射、プラズマ強化、熱、化学気相堆積（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング又は蒸着による堆積など、任意の既知の技法を使用して実行されてもよい。
【0074】
製造プロセスは、次に、ドナー基板１１とキャリア基板３とを接合し、これにより少なくとも１つの膜２１、２２が前記基板１１，３の間に配置され、中間層２を形成するステップｅ）を含む（図２ｅ）。
【0075】
ドナー基板１１及びキャリア基板３は、これらのそれぞれの前面１１ａ、３ａで接合され、積層体３１１を形成する。２つの基板は、それ自体はよく知られているように、分子接着による、すなわち、この場合、基板１１、３の前面を、面の一方又は両方に膜２１、２２が設けられた状態で、直接接触させて配置することによる、直接結合を使用して接合されてもよい。結合は、周囲温度又は８００℃未満の温度で、大気中又は制御された雰囲気、たとえば真空下で行うことができる。
【0076】
ステップｅ）は、この接触の前に、結合境界面４の品質を向上させることができる（低い欠陥密度、良好な接着品質）、洗浄、表面活性化、又は他の表面処理の、従来のシーケンスを含んでもよい。
【0077】
接合又は結合境界面４は、中間層２内、中間層２と加工層１との間、又はさもなければ中間層２とキャリア基板３との間に位置する。
【0078】
製造プロセスは、次に、埋込み脆弱面５に沿って分離させ、一方で仮基板１０を形成し、他方でドナー基板の残りの部分１１’を形成することを含む、ステップｆ）を含む（図２ｆ）。仮基板１０の前面１０ａはまた、ドナー基板１１から生じる加工層１の前面でもある。
【0079】
１つの有利な実施態様によれば、分離させるステップｆ）は、積層体３１１に、分離温度で熱処理を加えることにより実行される。埋込み脆弱面５に存在する微小な空隙は、分割波が始まるまで成長速度に従い、分割波は、埋込み脆弱面５の全範囲にわたって伝播し、その結果ドナー基板の残りの部分１１’から仮基板１０が分離される。実際には、炭化ケイ素でできたドナー基板１１では、温度は、ステップｂ）の注入条件に応じて、９００℃～１２００℃であってもよい。
【0080】
１つの代替の実施態様によれば、分離ステップｆ）は、９００℃～１２００℃の温度での熱処理の全体又は一部が完了した後に、積層体３１１に機械的ストレスを加えることによって実行される。ストレスは、たとえば、埋込み脆弱面５の近傍に工具（たとえば剃刀の刃）を挿入することによって、加えることができる。分離ストレスは、例として、数ＧＰａ程度、好ましくは２ＧＰａよりも大きくてもよい。
【0081】
それ自体知られているように、分離ステップｆ）の終了時に、仮基板１０の加工層１の前面１０ａは、５～１００ｎｍ ＲＭＳの表面粗さを有する（原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を使った、２０μｍ×２０μｍの走査により測定される）。
【0082】
ステップｆ）は、任意選択で、分離後、加工層１を平滑化及び修復する処理を含んでもよい。特に、制御された（酸化若しくは還元する）雰囲気下での熱処理、加工層１の損傷した表面部分を除去するための、湿式若しくは乾式化学エッチング、及び／又は良好なレベルの粗さ（たとえば、２０×２０μｍのＡＦＭの範囲で０．５ｎｍ ＲＭＳ未満、若しくはさらには０．３ｎｍ未満の、最終的な粗さ）を復元し、場合によっては損傷した表面部分を除去するための、加工層１の前面の化学機械研磨について、言及することができる。仮基板１０に、従来の洗浄シーケンス、たとえば、ＳＣ１／ＳＣ２タイプ（標準洗浄１、標準洗浄２）、ＨＦ（フッ化水素酸）、及び／又はＮ２、Ａｒ、ＣＦ４などを用いたプラズマでの洗浄もまた適用して、加工層１の前面１０ａの品質をさらに高めることができる。
【0083】
キャリア基板３は、加工層１に適合し、機械的に、また高温で安定するよう選択され、また中間層２は、非常に薄い厚さになるよう選択されるので、加工層１に高品質を取り戻すために必要な熱的、機械的、又は化学的処理を、加工層１への望ましからざるストレス又は損傷のリスクなしに、仮基板１０へ容易に加えることができる。
【0084】
ステップｆ）の後に、仮基板１０の加工層１に追加層をエピタキシャル成長させるステップを続けることができることに留意されたい。かかるステップは、加工層に、相対的にかなりの厚さ、典型的には数ミクロンから数十ミクロン程度、たとえば５μｍ～５０μｍが必要な場合に適用される。エピタキシ温度は、仮基板１０の剥離が時期尚早に開始されるのを回避するために、有利には、１５００℃より低く、又はさらには１３００℃より低くなるよう選択される。
【0085】
中間層２は、高温熱処理を含むことが好ましいステップｆ）の間又は終了時に、物理的及び／又は形態学的変化を起こすことがある。少なくとも１つの膜２１、２２は、加工層１の材料とキャリア基板３の材料との間の連続領域に、層間挿入されたノジュールを形成する可能性があり、中間層２は、この場合、ノジュールの不連続層で形成される。したがって、接合境界面４自体もまた実質的に変化し、ノジュール内、ノジュールと加工層１との間、ノジュールとキャリア基板３との間、並びに／又は加工層１とキャリア基板３との間に位置することがある。別法として、中間層２は、接合境界面４に沿ってずっと、中間層２の連続形態を保持していてもよい。
【0086】
製造プロセスは、少なくとも１種の気体種の原子２ａを、少なくとも１つの膜２１、２２、又はその近傍に導入するステップをさらに含む。気体種は、上記の仮基板１０の説明で言及したように、窒素、ヘリウム、アルゴン、キセノン、及び／又は水素であってもよい。この気体種の原子２ａは、中間層２、１０ｎｍ以下の厚さを有するキャリア基板３の隣り合う層、及び／又は１０ｎｍ以下の厚さを有する加工層１の隣り合う副層に、閉じ込められることを意図したものである。
【0087】
図４－１、図４ｄ、図４ｅ、及び図４ｆに示されている第１の実施態様において、原子２ａを導入するこのステップは、膜２１、２２を堆積させるステップｄ）の前に実行されるので、－１）と呼ぶことにする。原子２ａは、ドナー基板１１及び／又はキャリア基板３に、それぞれの前面１１ａ、３ａから、１０ｎｍ未満の浅い深さまで導入される。イオン注入は、原子２ａをイオンの形態で、１つ又は複数の基板１１、３に導入するために実行することができ、イオン注入エネルギーは、典型的には、１０ｋｅＶよりも小さく、又はさらには５ｋｅＶよりも小さく、注入ドーズ量は、典型的には、２Ｅ１５／ｃｍ２～数１Ｅ１６／ｃｍ２である。したがって、注入ゾーン２０は、ドナー基板１１の前面１１ａの表面近傍、及び／又はキャリア基板３の前面３ａの表面近傍に形成される。
【0088】
【0089】
原子２ａは、中間層２に隣り合うキャリア基板３の薄い層（厚さ１０ｎｍ以下）内、及び中間層２に隣り合う加工層１の薄い副層（厚さ１０ｎｍ以下）内に位置し、前記隣り合う層及び副層は、注入ゾーン２０から始まる。原子２ａは、気体種及び中間層２の性質に応じて、仮基板１０に熱処理が加えられる間、後者が、ステップｆ）の分離温度よりも著しく高い、剥離温度以上の温度に曝されない限り、前述の層及び副層に閉じ込められた状態で保持されるか、又は中間層２に閉じ込められた状態になる可能性がある。
【0090】
気体種の原子２ａは、主平面（ｘ、ｙ）に垂直な軸線ｚに沿った濃度プロファイルに従って分布し、最大濃度は１０２１／ｃｍ３よりも高い。
【0091】
図５－１に示されている第２の実施態様において、原子２ａを導入するステップは、膜２１、２２を堆積させるステップｄ）の後に実行されるので、－１）と呼ぶことにする。
【0092】
少なくとも１つの膜２１、２２は、上記で言及されたように、ドナー基板１１上及び／又はキャリア基板３上に存在してもよい。
【0093】
原子２ａは、少なくとも１つの膜２１、２２に導入される。イオン注入は、原子２ａをイオンの形態で導入するために実行することができ、イオン注入エネルギーは、ステップｄ）で堆積される膜２１、２２の厚さに応じて、典型的には１０ｋｅＶよりも小さく、又はさらには５ｋｅＶよりも小さい。注入ドーズ量は、典型的には、２Ｅ１５／ｃｍ２～数１Ｅ１６／ｃｍ２である。
【0094】
気体種の原子２ａは、中間層２内で、軸線ｚに沿った濃度プロファイルに従って分布し、最大濃度は、注入ピークに位置し、１０２１／ｃｍ３よりも高い。
【0095】
【0096】
図６－１に示されている第３の実施態様において、原子２ａを導入するステップは、分離ステップｆ）の後に実行されるので、－１）と呼ぶことにする。
【0097】
原子２ａは、たとえばイオン注入によって、中間層２に導入される。イオン注入エネルギーは、この場合、イオンが通過して中間層２に到達する、加工層１の性質及び厚さに依存する。注入ドーズ量は、典型的には、２Ｅ１５／ｃｍ２～数１Ｅ１６／ｃｍ２である。
【0098】
気体種の原子２ａは、この場合も、軸線ｚに沿った濃度プロファイルに従って分布し、最大濃度は、注入ピークに位置し、１０２１／ｃｍ３より高いと予測される。
【0099】
説明された３つの実施態様のいずれにおいても、注入されるイオンの総ドーズ量は、完成した仮基板１０において、原子２ａの濃度プロファイルが１０２１／ｃｍ３よりも高い最大濃度を示すように定められる。
【0100】
気体種の原子２ａの大きいドーズ量を、中間層２内及び／又は中間層２の非常に近くに導入することにより、下記で説明される本発明の移動プロセス中に、中間層２内又は中間層２に隣り合う剥離境界面を生成することが可能になる。
【0101】
【0102】
レシーバ基板５０は、直径が１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、又は場合によってはさらに４５０ｍｍであり、典型的には３００～８００μｍの厚さを有する、ウェハの形態で用意されることが好ましい。レシーバ基板５０は、互いに反対側にある、前面及び後面５０ｂを備える。レシーバ基板５０は、最終用途向けに設計されており、したがって、レシーバ基板５０の物理的及び電気的特性は、特に必要な仕様に合わせて選択される。
【0103】
加工層１が、たとえば高い結晶品質の炭化ケイ素でできているパワーエレクトロニクス用途では、レシーバ基板５０は、特に多結晶炭化ケイ素でできており、垂直方向の導電経路を備えるために、良好な導電性を示すことができる。
【0104】
移動プロセスは、仮基板１０の加工層１上に配置されたレシーバ基板５０を備える、剥離可能な構造体５１０を形成するステップｇ）を含む（図７ｇ）。図７ｇの仮基板１０が、中間層２に閉じ込められた気体種の原子２ａと共に示されていることに留意されたい。原子２ａが別の場所にある、上記で説明された他のどんな構成も、もちろん実施することができる。
【0105】
ステップｇ）は、１０００℃以上、且つ有利には１５００℃以下である、第１の温度での処理を含む。
【0106】
第１の実施形態によれば、ステップｇ）は、仮基板１０の加工層１の自由面１０ａへの、レシーバ基板５０の堆積を含む。堆積は、特に、高品質の多結晶炭化ケイ素でできたレシーバ基板５０を、非常に高品質の単結晶炭化ケイ素でできた加工層１に堆積することが望まれる場合、１０００℃より高いか、１２００℃以上か、又はさらには１４００℃より高い温度（第１の温度に一致する）で実行されてもよい。もちろん、レシーバ基板５０を形成するための、非常に高い温度で堆積される他の材料が、興味深い場合がある。
【0107】
加工層１とレシーバ基板５０との間の導電を必要とする用途では、これらの間に非絶縁性の境界面を画定しなければならない。言い換えると、ステップｇ）は、加工層１とレシーバ基板５０との境界面が導電性になるように実行される。境界面の比抵抗は、典型的には、１ｍΩ・ｃｍ２未満が目標となる。加工層１の自由面１０ａ上に存在する自然酸化物の除去が、境界面の導電性を確保するために、湿式又は乾式ルートでのＨＦ（フッ化水素酸）脱酸によって実行されるので有利である。別法として、堆積されたレシーバ基板５０の最初の数ナノメートルの過剰ドーピングにより、加工層１と前記基板５０との境界面の導電性を高めてもよい。
【0108】
また、脱酸及び／又はレシーバ基板５０形成の前に、仮基板１０に洗浄シーケンスを施し、仮基板１０の自由面１０ａ、３ｂに存在する可能性がある微粒子、金属又は有機汚染物質の全部又は一部を除去するので有利である。
【0109】
第１の実施形態では、仮基板１０の加工層１は、ステップｆ）の分離後に、仮基板１０の表面粗さを完全に復元するために、必ずしも研磨する必要がないことに留意されたい。非常に高い温度（典型的には１１００℃～１５００℃）での堆積又はエピタキシによるレシーバ基板５０の製造は、加工層１の表面の修復及び再構成を促すことができ、さらに、残留した粗さを許容することができる。
【0110】
キャリア基板３は、加工層１に適合し、機械的に、また高温で安定するよう選択され、また中間層２は、非常に薄い厚さになるよう選択されるので、剥離可能な構造体５１０を形成するために必要な熱的、機械的、又は化学的処理を、加工層１への望ましからざるストレス又は損傷のリスクなしに、仮基板１０へ容易に加えることができる。
【0111】
この第１の実施形態では、ステップｇ）の堆積は、蒸着又は化学気相堆積（ＣＶＤ）技法を使用して実行されてもよい。大気圧ＣＶＤ（ＡＰＣＶＤ：ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ－ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ）若しくは低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ：ｌｏｗ－ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ）などの熱ＣＶＤ技法、プラズマ励起ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：ｐｌａｓｍａ－ｅｎｈａｎｃｅｄ ＣＶＤ）、又はさもなければ直接液体噴射式ＣＶＤ（ＤＬＩ－ＣＶＤ：ｄｉｒｅｃｔ－ｌｉｑｕｉｄ－ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ＣＶＤ）が使用されてもよい。
【0112】
前述のパワー用途に必要な導電特性を得るために、炭化ケイ素でできたレシーバ基板５０の例に戻ると、基板は、たとえば、以下の構造上の特性を示すことができる。多結晶構造、３Ｃ ＳｉＣタイプの粒子、１１１配向、平均サイズは１～５０μｍ、最終抵抗率が０．０３ｏｈｍ・ｃｍ以下のｎ型ドーピング。
【0113】
レシーバ基板５０は、ステップｇ）の終了時に、典型的には５０μｍ以上の厚さ、又はさらには、１００μｍ以上の厚さ、たとえば３００μｍ程度の厚さを有する。ステップｇ）から得られる剥離可能な構造体５１０は、加工層１上に配置されたレシーバ基板５０を備え、加工層１自体は、仮基板１０内に備えられる。レシーバ基板５０を製造するために実現される第１の温度は、剥離温度よりも低く、したがって、気体種の原子２ａのほとんどが、中間層２、１０ｎｍ以下の厚さを有するキャリア基板３の隣り合う層、及び／又は１０ｎｍ以下の厚さを有する加工層１の隣り合う副層に、閉じ込められた状態で保持される。
【0114】
レシーバ基板５０がバルク基板である第２の実施形態によれば、ステップｇ）は、前記レシーバ基板５０を、仮基板１０の加工層１の自由面１０ａに接合して、剥離可能な構造体５１０を形成する工程を含む。
【0115】
接合工程は、任意の既知の技法を使用して、特に、分子接着による直接結合、熱圧着接合、又は非常に高い温度に対応する、別のタイプの結合を使用して、実行されてもよい。ステップｇ）は、この結合を強固にするために、１０００℃以上、又はさらには１２００℃以上の温度（第１の温度に一致する）での熱処理をさらに含む。
【0116】
本発明による移動プロセスは、次に、中間層２内又は中間層２に隣り合って位置する剥離境界面に沿って、剥離可能な構造体５１０を剥離するステップｈ）を含む。このステップは、一方で、レシーバ基板５０上に配置された加工層１を備える複合構造体５１を形成し、他方で、キャリア基板３を形成する（図７ｈ）。剥離ステップは、ステップｆ）の分離温度よりも高く、ステップｇ）で加えられる第１の温度よりも高い剥離温度での、熱処理を含む。剥離温度は、１０００℃より高い。
【0117】
中間層２が、窒素の原子２ａが注入されたタングステンを含み、加工層１及びキャリア基板３が、ＳｉＣでできた特定の場合において、剥離温度は、典型的には、１４００℃以上、又はさらには１５００℃以上、たとえば１６００℃又は１７００℃にすることができる。
【0118】
仮基板１０内に存在する原子２ａは、ステップｈ）の熱処理の過程にわたって移行し、中間層２内又は中間層２に隣り合う接合境界面４と一致するか又は接合境界面４近傍の、剥離境界面に蓄積する。気体種は、次いで、加圧された微小な亀裂を生成し、微小な亀裂は、圧力下で増大して、剥離可能な構造体５１０の内部で、剥離可能な構造体５１０の主面（ｘ、ｙ）に平行な全エリアにわたって、剥離を引き起こす。
【0119】
１つの特定の実施形態によれば、中間層２は、ステップｈ）の間又は事前の先立つ熱処理の間に、ノジュールの形態へのセグメント化を起こす。このノジュールは、この場合、加工層１の材料とキャリア基板３の材料との間の連続領域に、層間挿入される。ステップｈ）で起こる気体種の蓄積は、この場合、前記連続領域で優先的に生じ、加圧された微小な亀裂を引き起こす。
【0120】
本発明による移動プロセスにおける剥離現象は、仮基板１０又は剥離可能な構造体５１０に事前に加えられる非常に高い温度よりも高い、剥離温度でしか起こらないので、特に有利であり、したがって、前記剥離可能な構造体５１０を形成するための、いくつかのタイプのステップの利用が可能となる。高い第１の温度により、特に、非常に高品質のレシーバ基板５０（第１の実施形態において）、及び／又はレシーバ基板５０の加工層１への非常に高品質の接合（第２の実施形態において）を、中間層２での剥離境界面の早すぎる進行を引き起こすことなく、達成することができる。
【0121】
したがって、第２段階で、より高い剥離温度で、剥離可能な構造体５１０の剥離を引き起こし、複合構造体５１を形成することが可能である。
【0122】
本発明による移動プロセスは、次に、加工層１の自由面である、複合構造体５１の前面５１ａの化学洗浄、化学エッチング、及び／又は化学機械研磨の工程を含む、複合構造体５１を仕上げるステップｉ）を含んでもよい。化学エッチング又は研磨は、複合構造体５１の前面５１ａから、中間層２’の残留物を除去するのに有用な場合があることに留意されたい。
【0123】
ステップｉ）はまた、レシーバ基板５０の自由面５０ｂである、複合構造体５１の後面５０ｂに施される化学洗浄、化学エッチング、機械研削、及び／又は化学機械研磨の工程を含んでもよい。
【0124】
特にレシーバ基板５０が堆積によって形成される第１の実施形態において、縁部の環状の輪郭及び縁部の屑の形状を、マイクロエレクトロニクス製造プロセスの要件に適合したものにするための、複合構造体５１の縁部の研磨又は研削もまた、このステップｉ）の間に実行されてもよい。
【0125】
ステップｉ）は、最後に、複合構造体５１の加工層１の追加層のエピタキシャル成長を含んでもよい。かかるステップは、一時的な基板１０から移動された加工層１の厚さが、部品の製造に十分でない場合か、又は特定のドーピングタイプ若しくは特定の組成を有する層が、前記部品の加工表面１に必要な場合に、適用される。
【0126】
移動プロセスは、任意選択で、剥離ステップｈ）の前に、レシーバ基板５０の後面５０ｂの化学洗浄、化学エッチング、機械研削、及び／又は化学機械研磨、並びに場合によっては、剥離可能な構造体５１０の縁部の研削の工程を含む、剥離可能な構造体５１０を処理するステップｇ’）を含んでもよい。これにより、剥離可能な構造体５１０に依然として埋め込まれている加工層１を損傷するリスクなしに、レシーバ基板５０の形状及び厚さを処理及び改良することが可能となる。
【0127】
本発明による移動プロセスは、最後に、特に新しい仮基板１０のキャリア基板として再利用するために、キャリア基板３を再調整するステップｊ）を含んでもよい（図７ｊ）。かかる再調整のステップは、ステップｈ）の終了時の、表面又は縁部の化学機械研磨、機械研削、及び／又は湿式若しくは乾式化学エッチングによる、基板３の前面の１つ又は複数の処理をベースとする。
【0128】
（例示的な実施態様）
非限定的で例示的な一実施態様によれば、製造プロセスのステップａ）で用意される初期基板１１１は、４Ｈ型結晶多形のｃ－ＳｉＣでできたウェハであり、軸線＜１１－２０＞に対して４．０°±０．５°の方位を有し、直径１５０ｍｍ及び厚さ３５０μｍである。ＲＣＡタイプ（標準洗浄１＋標準洗浄２）、次いでカロ酸（硫酸と過酸化水素との混合物）、次いでＨＦ（フッ化水素酸）の、従来の洗浄シーケンスが、初期基板１１１で、ｃ－ＳｉＣでできたドナー層１１０のエピタキシャル成長の前に実行される。
非限定的で例示的な一実施態様によれば、製造プロセスのステップａ）で用意される初期基板１１１は、４Ｈ型結晶多形のｃ－ＳｉＣでできたウェハであり、軸線＜１１－２０＞に対して４．０°±０．５°の方位を有し、直径１５０ｍｍ及び厚さ３５０μｍである。ＲＣＡタイプ（標準洗浄１＋標準洗浄２）、次いでカロ酸（硫酸と過酸化水素との混合物）、次いでＨＦ（フッ化水素酸）の、従来の洗浄シーケンスが、初期基板１１１で、ｃ－ＳｉＣでできたドナー層１１０のエピタキシャル成長の前に実行される。
【0129】
成長は、エピタキシ用チャンバで、１６５０°Ｃの温度で、モノシラン（ＳｉＨ４）及びプロパン（Ｃ３Ｈ８）又はエチレン（Ｃ２Ｈ４）などの前駆体を使用して実行され、厚さ３０μｍのｃ－ＳｉＣドナー層１１０を生成する（成長速度は、１０μｍ／時）。ドナー層１１０は、１／ｃｍ２程度のＢＰＤ欠陥密度を有する。
【0130】
ステップｂ）で注入される水素イオンは、１５０ｋｅＶのエネルギー及び６Ｅ１６ Ｈ＋／ｃｍ２のドーズ量で、ドナー層１１０の自由表面を通して注入される。このようにして、ドナー層１１０の約８００ｎｍの深さで、埋込み脆弱面５が生成される。
【0131】
ステップｃ）で、直径１５０ｍｍ、厚さ５５０μｍの低い結晶品質の単結晶炭化ケイ素でできたキャリア基板３を用意する。
【0132】
ＲＣＡタイプ＋カロ酸の洗浄シーケンスが、ドナー基板１１及びキャリア基板３に施され、ドナー基板１１及びキャリア基板３の自由面から、可能性のある汚染物質が除去される。
【0133】
第１の膜２１及び第２の膜２２を形成するために、タングステンが、ドナー基板１１の前面１１ａ及びキャリア基板３の前面３ａに、７００℃程度の温度での化学気相蒸着を使用して、０．５ｎｍの厚さで堆積される（ステップｄ））。
【0134】
膜２１に注入ピーク（最大濃度）を入れるために、窒素が、５ｋｅＶの注入エネルギー及び１Ｅ１６／ｃｍ２のドーズ量で、ドナー基板１１の膜２１に注入される（ステップ－１））。
【0135】
次に、ステップｅ）が、積層体３１１を形成するために、ドナー基板１１の注入された膜２１の、接合境界面４に沿った、キャリア基板３の膜２２への分子接着による接合を実現する。２つの膜２１、２２は、中間層２を形成する。
【0136】
分離ステップｆ）は、埋込み脆弱面５に沿って、９５０℃で数十分間又はさらには１時間の熱処理を加えることにより行われる。このようにして、表面加工層１を有する仮基板１０が形成される。ドナー基板１１’の残りの部分は、再調整して、新しいサイクルで再使用されてもよい。
【0137】
１０００℃以上の温度での、前記加工層１を修復するための熱処理のみならず、加工層１の表面から約２００ｎｍを除去する化学機械研磨の工程も実行される。気体種の原子２ａのほとんどが、このステップの間、中間層２に閉じ込められた状態で保持される。
【0138】
複合構造体５１を製造するために、加工層１をレシーバ基板５０に移動させる目的で、多結晶炭化ケイ素のＬＰ－ＣＶＤ堆積の工程が、仮基板１０の加工層１で、メチルシラン前駆体を用いて、１２５０℃の温度で１２０分間、レシーバ基板５０の厚さが３６０μｍに達するように実行される。レシーバ基板５０は、これらの条件下で、非常に高品質の多結晶である（ステップｇ））。レシーバ基板５０の厚さ、及び場合によってはレシーバ基板５０の周縁の形状を調整するために、研削及び／又は研磨のステップを実行することができる。このようにして、剥離可能な構造体５１０が生成される。
【0139】
剥離ステップｈ）は、剥離可能な構造体５１０に加えられる、１７００℃での熱処理に対応する。中間層２に閉じ込められた窒素の原子２ａの拡散、及び結合境界面４又は結合境界面４の非常に近くでの、加圧された微小な亀裂を形成するための原子２ａの蓄積によって生じる剥離境界面が、剥離可能な構造体５１０の完全な剥離を引き起こすまで、中間層２内に形成される。このようにして、一方で、レシーバ基板５０上に配置された加工層１を備える複合構造体５１と、他方で、キャリア基板３とが得られる。複合構造体５１及びキャリア基板３はそれぞれ、たとえば研磨又は化学エッチングによって除去することができる、中間層２の残留物２’、２’’を備える。
【0140】
機械研削又は化学機械研磨が、剥離可能な構造体５１０で実行されなかった場合、複合構造体５１の後面に施すことが好ましい。
【0141】
原則として、加工層１の自由面５１ａに相当する、前記構造体５１の前面５１ａは、一時的な基板１０の層の品質及び前面５１ａの低い粗さが得られたので、従来の洗浄を必要としない。
【0142】
次に、場合によっては、加工層１での追加層のエピタキシャル成長の後に、複合構造体５１上に、垂直方向の部品が製造されてもよい。
【0143】
上記の例で説明されたものと同様の条件下で、少なくとも１つの膜２１、２２の材料は、アモルファスシリコンであってもよく、導入される原子２ａは、アルゴン又はヘリウムであってもよい。
【0144】
言うまでもなく、本発明は、説明された実施形態及び例に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定められる本発明の範囲から逸脱することなく、実施態様の変形が本発明に加えられてもよい。
【図1a】
【図1b】
【図2a】
【図2b】
【図2c】
【図2d】
【図2e】
【図2f】
【図3a】
【図3b】
【図4-1】
【図4d】
【図4e】
【図4f】
【図5-1】
【図6-1】
【図7g】
【図7h】
【図7i】
【図7j】
【国際調査報告】