特表2023-532103薄膜形成用成長抑制剤、これを用いた薄膜形成方法、及びこれから製造された半導体基板

発明の名称　薄膜形成用成長抑制剤、これを用いた薄膜形成方法、及びこれから製造された半導体基板

出願人　ソウルブレイン　シーオー．，　エルティーディー　（識別番号 321001986）

　　　　特許公開件数ランキング 1006 位（22件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 2416 位（6件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2023-532103

公報発行日　2023年7月26

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_P1-2023-532103

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