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ソウルブレイン　シーオー．，　エルティーディー

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ソウルブレイン　シーオー．，　エルティーディーの商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 7931672	薄膜形成用成長抑制剤、これを用いた薄膜形成方法、及びこれから製造された半導体基板	2026年10月 7日
特許 7931673	薄膜形成用成長抑制剤、及びこれを用いた薄膜形成方法	2026年10月 7日
特許 7925083	薄膜改質組成物、これを用いた薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子	2026年 9月25日
特許 7915827	遮蔽化合物、これを用いた薄膜形成方法、これから製造された半導体基板及び半導体素子	2026年 9月 4日
特許 7905453	薄膜改質組成物及びこれを用いた薄膜形成方法	2026年 8月14日
特許 7891796	薄膜形成方法	2026年 7月17日
特許 7892054	膜質改善剤	2026年 7月17日
特許 7892079	薄膜前駆体化合物、これを用いた薄膜形成方法、これから製造された半導体基板	2026年 7月17日
特許 7873732	薄膜遮蔽剤、これを用いた薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子	2026年 6月12日
特許 7862134	薄膜製造方法及び薄膜製造装置	2026年 5月19日
特許 7858054	膜質改善剤、それを利用した薄膜形成方法、それから製造された半導体基板及び半導体素子	2026年 5月13日
特許 7858069	薄膜改質組成物、これを用いた薄膜形成方法	2026年 5月13日
特許 7858075	真空ベースの薄膜改質剤、これを含む薄膜改質組成物、これを用いた薄膜形成方法、これにより製造された半導体基板及び半導体素子	2026年 5月13日
特許 7836828	金属薄膜前駆体組成物、及びこれを用いた薄膜形成方法	2026年 3月27日
特許 7833545	高誘電率薄膜用マスキング剤、それを利用した選択領域蒸着方法、それから製造された半導体基板及び半導体素子	2026年 3月19日

16 件中 1-15 件を表示

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7931672 7931673 7925083 7915827 7905453 7891796 7892054 7892079 7873732 7862134 7858054 7858069 7858075 7836828 7833545

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