特表 2023-539277 ガスクラスター補助プラズマ処理

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-09-13

(54)【発明の名称】ガスクラスター補助プラズマ処理

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3065 20060101AFI20230906BHJP

   H01L 21/302 20060101ALI20230906BHJP

【ＦＩ】

H01L21/302 105A

H01L21/302 101C

H01L21/302 201B

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023513620

(86)(22)【出願日】2021-08-19

(85)【翻訳文提出日】2023-04-26

(86)【国際出願番号】 US2021046738

(87)【国際公開番号】W WO2022046519

(87)【国際公開日】2022-03-03

(31)【優先権主張番号】17/008,314

(32)【優先日】2020-08-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】514028776

【氏名又は名称】トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス，インコーポレーテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】ヴェンツェク，ピーター

(72)【発明者】

【氏名】ランジャン，アロック

【テーマコード（参考）】

5F004

【Ｆターム（参考）】

5F004BA11

5F004BA20

5F004BB12

5F004BB13

5F004CA02

5F004CA06

5F004DA00

5F004DA01

5F004DA04

5F004DA05

5F004DA11

5F004DA13

5F004DA16

5F004DA17

5F004DA18

5F004DA24

5F004DA26

5F004DB03

5F004DB07

5F004DB12

5F004EA03

5F004EA28

(57)【要約】

基板を処理するための方法は、パターン付与された層を基板上に形成することを含み、この層は開口部を含み、開口部の表面は側壁及び底壁を含む。この方法は、第１の処理チャンバ内で、基板の上方でガスクラスターのフラックスを生成することにより異方性処理を用いてパターン付与された層を処理することであって、ガスクラスターはラジカル前駆体を含むことと、基板をガスクラスターのフラックスにさらすことと、を含む。この方法は、第２の処理チャンバ内でイオンを含むプラズマを維持することと、イオンを開口部の底壁に向けることにより基板をイオンにさらすことと、を含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理するための方法であって、
パターン付与された層を前記基板上に形成することであって、前記層は開口部を含み、前記開口部の表面は側壁及び底壁を含む、形成することと、
第１の処理チャンバ内で前記基板の上方でガスクラスターのフラックスを生成することであって、前記ガスクラスターはラジカル前駆体を含む、生成すること、
前記基板を前記ガスクラスターのフラックスにさらすこと、
第２の処理チャンバ内でイオンを含むプラズマを維持すること、及び
前記イオンを前記開口部の前記底壁に向けることにより前記基板を前記イオンにさらすことによって、
異方性処理を用いて前記パターン付与された層を処理することと、を含む、方法。

【請求項2】

前記第１の処理チャンバが、プレナム、ノズルアセンブリ、及びガスクラスター処理チャンバを更に含み、前記第２の処理チャンバが、プラズマ処理チャンバ、及び前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマに給電するための電源を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項3】

ガスクラスターのフラックスを前記生成すること、及び前記基板をガスクラスターの前記フラックスに前記さらすことが、
前記基板を前記ガスクラスター処理チャンバの中に装填することと、
圧力下にあるガスを、プレナムのガス入口を通して前記プレナムの中に導入することと、
前記プレナムに結合された吸気アパーチャ及び前記ガスクラスター処理チャンバに結合された排気アパーチャを有するノズルを通じて、前記プレナムから前記ガスクラスター処理チャンバまで前記ガスを流すことであって、前記ノズルは１以上のひろがり率を有し、前記ガスを前記流すことが、
前記プレナム内に７６０Ｔｏｒｒ以下のガス圧力を印加することを含む、流すことと、を含み、
前記ガスを前記流すことは、前記ガスを冷却させ、前記ガスクラスター処理チャンバ内にガスクラスター凝縮物を形成させる、請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記第１の処理チャンバ及び前記第２の処理チャンバは、単一処理チャンバの一部として一体化されている、請求項２に記載の方法。

【請求項5】

前記基板を前記ガスクラスターのフラックスに前記さらすこと及び前記基板を前記イオンに前記さらすことが、複数のサイクルを含む循環的なエッチング処理の１サイクルの一部であり、前記複数のサイクルの各サイクルが、更に、
前記基板を前記ガスクラスターのフラックスに前記さらすことの後、前記プラズマを安定化させることであって、前記プラズマを前記安定化させることが、
圧力下にあるガスを、前記プレナムのガス入口を通して前記プレナムの中に導入すること、
前記単一処理チャンバ内の圧力を設定すること、
前記プレナム内の圧力を設定すること、及び
前記処理チャンバの電極を無線周波数（ＲＦ）電源に結合すること
を含む、安定化させることと、
前記基板を前記イオンに前記さらすことの後、前記ガスクラスターのフラックスを安定化させることであって、前記ガスクラスターのフラックスを前記安定化させることが、前記単一処理チャンバ内の圧力をリセットすること、前記プレナム内の圧力をリセットすること、及び前記処理チャンバの前記電極に結合された前記ＲＦ電源をリセットすること
を含むことと
を含む、請求項４に記載の方法。

【請求項6】

前記基板を前記ガスクラスターのフラックスに前記さらすこと及び前記基板を前記イオンに前記さらすことを同時に実施することと、
前記単一処理チャンバ内の圧力を１０ｍＴｏｒｒ以下で及び０．１ｍＴｏｒｒ以上に維持することと
を更に含む、請求項４に記載の方法。

【請求項7】

前記基板を前記ガスクラスターのフラックスに前記さらすこと及び前記基板を前記イオンに前記さらすことが、複数のサイクルを含む循環的なエッチング処理の１サイクルの一部であり、前記複数のサイクルの各サイクルが、更に、
前記基板を前記ガスクラスターのフラックスにさらすことの後、前記基板を前記第１の処理チャンバから前記第２の処理チャンバまで移送することと、
前記基板を前記イオンにさらすことの後、前記基板を前記第２の処理チャンバから前記第１の処理チャンバまで移送することと
を含む、請求項１に記載の方法。

【請求項8】

前記ガスクラスターが、酸素、一酸化炭素、水素、塩素、四塩化炭素、四塩化ケイ素、三塩化ホウ素、フッ素、四フッ化炭素、三フッ化窒素、六フッ化硫黄、トリフルオロメタン、ペルフルオロ炭素、ヒドロフルオロ炭素、又はそれらの任意の組み合わせ、又は不活性ガスとの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。

【請求項9】

基板を処理するためのシステムであって、
第１のサブシステムであって、
ガス入口を含むプレナム、
複数のノズルを含むノズルアセンブリであって、前記複数のノズルの各ノズルの吸気アパーチャが前記プレナムの内部に配置される、ノズルアセンブリ、及び
前記ノズルアセンブリの前記複数のノズルを介して前記プレナムに接続されたガスクラスター処理チャンバを含む、第１のサブシステムと、
前記ガス入口及び前記ガスクラスター処理チャンバのガス出口に接続されたガスフローシステムであって、前記ガスクラスター処理チャンバ内でガスクラスターのフラックスを生成するように構成された、ガスフローシステムと、
第２のサブシステムであって、
プラズマ処理チャンバ、及び
前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマに給電するための電源を含む、第２のサブシステムと、を備える、システム。

【請求項10】

前記複数のノズルの各ノズルの排気アパーチャが、前記プレナムの外部に配置され、前記複数のノズルの各ノズルが、管、円錐台、前記プレナムに結合された茎部を有するじょうご、又は収束‐発散ラバールノズル(convergent-divergent de Laval nozzle)のような形状をしている、請求項９に記載のシステム。

【請求項11】

前記ノズルアセンブリの各ノズルが、
１ｃｍ以上及び１０ｃｍ以下の長さ、
０．５ｍｍ以上及び１ｍｍ以下ののど部の幅、及び
１以上及び１０以下のひろがり率
を有する、請求項９に記載のシステム。

【請求項12】

前記第１のサブシステムが、前記プレナムに結合された冷却システムを更に含み、前記冷却システムが、前記プレナム内のガスの温度を１００Ｋ以上及び３１０Ｋ以下の目標値に制御するように構成される、請求項９に記載のシステム。

【請求項13】

基板を処理するためのシステムであって、
プレナムと、
前記プレナムの外部に配置され、プラズマを維持するように構成された基板処理チャンバと、
前記プレナムに結合された吸気アパーチャ及び前記基板処理チャンバに結合された排気アパーチャを有するノズルと、を備える、システム。

【請求項14】

前記ノズルが１以上のひろがり率を有し、
前記ノズルが、管、円錐台、前記プレナムに結合した茎部を有するじょうご、又は収束‐発散ラバールノズル(convergent-divergent de Laval nozzle)のような形状をしている、請求項１３に記載のシステム。

【請求項15】

前記ノズルが分極ノズルであり、前記分極ノズルが更に、誘電性基材であって、前記誘電性基材によって電気的に絶縁された２つの導電層が埋め込まれた誘電性基材を含み、前記２つの導電層が、パルスＤＣバイアス源に電気的に結合されるように構成される、請求項１３に記載のシステム。

【請求項16】

前記プレナムに結合された冷却システムを更に含み、前記冷却システムが、前記プレナム内のガスの温度を１００Ｋ以上及び３１０Ｋ以下の目標値に制御するように構成される、請求項１３に記載のシステム。

【請求項17】

前記ノズルに隣接して配置された複数のノズルを更に含み、前記ノズル及び前記複数のノズルが、前記プレナムを前記基板処理チャンバに接続するノズルアセンブリを形成する、請求項１３に記載のシステム。

【請求項18】

前記プレナムが第１のガス入口を含み、
前記基板処理チャンバが、
第２のガス入口と、
基板ホルダと、
ガス出口と
を含み、
前記システムが更に、前記第１のガス入口、前記第２のガス入口、及び前記ガス出口に接続されたガスフローシステムを含み、前記ガスフローシステムが、前記基板処理チャンバ内でガスクラスターのフラックスを生成する、請求項１３に記載のシステム。

【請求項19】

前記基板ホルダが、パルスＤＣバイアス源又は無線周波数（ＲＦ）バイアス電源に結合されている、請求項１８に記載のシステム。

【請求項20】

無線周波数（ＲＦ）電源に結合された電極を更に含み、前記電極が、前記基板処理チャンバの外部に配置されたコイルのような形状をしており、前記電極が、前記基板処理チャンバ内部で誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を維持するように構成される、請求項１８に記載のシステム。

【請求項21】

前記基板処理チャンバに結合された電子ビームイオン化装置を更に含み、前記電子ビームイオン化装置が、前記基板処理チャンバ内で前記ガスクラスターのフラックスを途中で捕えるようにエネルギー電子のビームを向けるように構成される、請求項１８に記載のシステム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２０年８月３１日に出願された米国非仮特許出願第１７／００８，３１４号に対する優先権及びその出願日の利益を主張するものであり、該米国非仮特許出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

本発明は、概してプラズマ処理に関し、特定の実施形態では、ガスクラスター補助プラズマ処理のためのシステム及び方法に関する。

【背景技術】

【0003】

一般的に、集積回路（ＩＣ）などの半導体デバイスは、基板上に誘電性物質、導電性物質、及び半導体物質の層を順次堆積させ、パターニングして、モノリシック構造で一体化された電子部品及び相互接続素子（例えば、トランジスタ、抵抗器、コンデンサ、金属線、接点、及びビア）のネットワークを形成することによって製造される。半導体デバイスの構成構造を形成するために使用される堆積ステップ及びエッチングステップの多くが、プラズマ処理を使用して行われる。プラズマ処理技術には、ケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）（例えば、プラズマアッシング）、物理的エッチング又はスパッタエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、プラズマ原子層エッチング（ＰＥＡＬＥ）、及び原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）が含まれる。

【0004】

連続的な各テクノロジー・ノードでは、最小フィーチャサイズを縮小させて、部品実装密度を概ね２倍にすることにより、コストを削減している。高機能で低コストの電子機器に対する需要により、フィーチャサイズが数ナノメートルまで縮小された。横方向の寸法が分子及び原子のスケールに近づくにつれて、プラズマ技術は、非常に高いアスペクト比の構造を、ＩＣの製造に必要とされる厳密な精度、均一性、安定性、及び再現性も満足することができる処理を用いて製造しなければならないという課題に直面している。半導体デバイスの製造を成功させるために、その道のりにおける障害を克服するには、プラズマ処理システム及び方法の更なる革新が必要であり得る。

【発明の概要】

【0005】

一実施形態によれば、基板を処理するための方法は、パターン付与された層を基板上に形成することを含み、この層は開口部を含み、開口部の表面は側壁及び底壁を含む。この方法は、第１の処理チャンバ内で基板の上方でガスクラスターのフラックスを生成することにより異方性処理を用いてパターン付与された層を処理することであって、ガスクラスターはラジカル前駆体を含むことと、基板をガスクラスターのフラックスにさらすことと、を含む。この方法は、第２の処理チャンバ内でイオンを含むプラズマを維持することと、イオンを開口部の底壁に向けることにより基板をイオンにさらすことと、を含む。

【0006】

一実施形態によれば、基板を処理するためのシステムは、第１のサブシステムであって、ガス入口を含むプレナムと、複数のノズルを含むノズルアセンブリであって、複数のノズルの各ノズルの吸気アパーチャはプレナムの内部に配置される、ノズルアセンブリと、ノズルアセンブリの複数のノズルを介してプレナムに接続されたガスクラスター処理チャンバと、ガス入口及びガスクラスター処理チャンバのガス出口に接続されたガスフローシステムであって、ガスクラスター処理チャンバ内でガスクラスターのフラックスを生成するように構成された、ガスフローシステムと、を含む第１のサブシステムを含む。このシステムは、プラズマ処理チャンバを含む第２のサブシステムと、プラズマ処理チャンバ内でプラズマに給電するための電源と、を含む。

【0007】

一実施形態によれば、基板を処理するためのシステムは、プレナムと、プレナムの外部に配置され、プラズマを維持するように構成された基板処理チャンバと、プレナムに結合された吸気アパーチャ及び基板処理チャンバに結合された排気アパーチャを有するノズルと、を含む。

【図面の簡単な説明】

【0008】

本発明及びその利点をより完全に理解するために、ここで、以下の説明が添付図面と併せて参照される。

【0009】

【図1A】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するための方法のフロー図である。

【図1B】２つの処理チャンバを利用する循環処理フローを使用する、図１Ａに示したガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた、基板を処理するための方法のフロー図である。

【図1C】１つの処理チャンバを利用する循環処理フローを使用する、図１Ａに示したガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた、基板を処理するための方法のフロー図である。

【図2A】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理の様々な中間段階における、基板の断面図を示す。

【図2B】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理の様々な中間段階における、基板の断面図を示す。

【図2C】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理の様々な中間段階における、基板の断面図を示す。

【図2D】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理の様々な中間段階における、基板の断面図を示す。

【図2E】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理の様々な中間段階における、基板の断面図を示す。

【図2F】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理の様々な中間段階における、基板の断面図を示す。

【図2G】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理の様々な中間段階における、基板の断面図を示す。

【図2H】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理の様々な中間段階における、基板の断面図を示す。

【図2I】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理の様々な中間段階における、基板の断面図を示す。

【図3A】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムのプレナム及びガスクラスター処理チャンバを備えたサブシステムの断面図を示す。

【図3B】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムのプラズマ処理チャンバを備えたサブシステムの断面図を示す。

【図4】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの断面図を示す。

【図5A】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの、様々なデザインタイプのノズルの断面図を示す。

【図5B】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの、様々なデザインタイプのノズルの断面図を示す。

【図5C】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの、様々なデザインタイプのノズルの断面図を示す。

【図5D】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの、様々なデザインタイプのノズルの断面図を示す。

【図6】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの断面図を示す。

【図7A】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの、埋め込み電極を備えたノズルシステムの上部平面図を示す。

【図7B】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの、埋め込み電極を備えたノズルシステムの底部平面図を示す。

【図7C】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの、埋め込み電極を備えたノズルシステムの断面図を示す。

【図7D】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの、埋め込み電極を備えたノズルシステムの断面図を示す。

【図7E】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの、埋め込み電極を備えたノズルシステムの分解図を示す。

【図8】一実施形態による、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いて基板を処理するためのシステムの断面図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0010】

本開示では、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理を用いた基板の処理について説明する。本明細書で様々な実施形態で説明されるガスクラスター補助異方性プラズマ処理技術は、ハイブリッドのガスクラスター及びプラズマ処理方法である。この方法の様々な実施形態では、ラジカルをガスクラスターのフラックスによってエッチング表面の付近に送達し、プラズマからの正に帯電したイオンを基板に向けて、エッチング表面から物質を取り除く。

【0011】

一般的に、異方性プラズマエッチング処理における中性のラジカルの速度は、広い角度分布になるが、正に帯電したイオンは、より容易に方向付けることができ、例えば、垂直電場によって基板に垂直に向けて、垂直の穴又はトレンチを形成することができる。従って、狭い開口部の空洞に進入するラジカルは、ほぼ垂直の速度で空洞に進入するイオンと比べると、側壁と衝突し、そこで吸着する可能性がより高くなる。この現象により、イオンに対するラジカルの比率が、空洞の深さと共に急速に低下することになり、更には、それぞれのエッチング処理によって達成可能な最大アスペクト比が制限されることにもなり得る。

【0012】

高い異方性のプラズマエッチング処理では、異方性を促進し、側壁のプロファイルを制御するために、垂直な側壁に沿って吸着した不動態化層を利用すると同時に、高度に方向付けられたイオンフラックスを底壁に衝突させることが多い。異方性化学プラズマエッチング処理は、吸着フラックスと脱着フラックスとの組み合わせを含み、揮発性の気体の反応副生成物として、基板物質の正味の除去を伴う。これらのフラックスは、混合層と呼ばれる、表面の幾つかの単層の反応体積内で同時に発生していると理解される。除去速度は、混合層の厚さが増すにつれ低下し、垂直側壁について上述したように、エネルギーイオンのフラックスがないと除去処理が止まることさえあり得る。基板に向けられたエネルギーイオンは、例えば、化学結合を断ち切ることにより、基板とエッチング反応物質との間の化学反応を促進するのに十分なエネルギーで、底壁にある混合層内に打ち込まれるものと解釈することができる。制御された異方性プラズマエッチング処理では、除去速度が入射イオンのフラックスに正比例する状態を実現することが望ましい。この状態は、Γ_ｒ／Γ_ｉ≫１である場合に概ね達成され、ここで、Γ_ｒはラジカルのフラックスを示し、Γ_ｉはイオンのフラックスを示す。Γ_ｒ／Γ_ｉの比率が小さすぎる場合、例えば、Γ_ｒ／Γ_ｉが１０を下回る場合、フッ素系のエッチング化学反応を生み出すことができないことがある。ラジカルは捕捉剤種としても利用されて、真空システムによって排出されるのに十分な蒸気圧を有する揮発性の気体副生成物を形成する。例えば、四フッ化炭素（ＣＦ_４）を使用してケイ素をエッチングするＲＩＥステップでは、少量の酸素を加えることにより、ＣＦ_４の解離からの炭素残留物を捕捉することができる。酸素ラジカルは炭素と反応して、炭素の揮発性の気体の酸化物（例えば、ＣＯ及びＣＯ_２）を形成する。上記で説明したように、狭く深い穴、例えば直径が３０ｎｍで深さが３ミクロンのビアなどの上部開口部を介して十分な供給量のラジカルを注入し、底部のエッチング表面の付近で大きな値のΓ_ｒ／Γ_ｉを達成することは困難である。

【0013】

本開示で説明するシステム及び方法は、高いアスペクト比の空洞の奥深くでのラジカルの密度を増加させるという利点を提供する。従って、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理技術を効果的に使用することがある目標用途とは、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）セル用の接点、ビア、及びトレンチキャパシタなどの半導体デバイス構造内に高いアスペクト比の開口部をエッチングすることである。本開示では、ＣＬＡＡＰＰと呼ばれるガスクラスター補助異方性プラズマ処理（ＣＬＡＡＰＰ）技術について、まず従来の異方性プラズマ技術（例えば、ＲＩＥ）を使用して層をパターニングして中程度のアスペクト比（例えば、約３０～約６０のアスペクト比）の狭い開口部を形成し、次いでＣＬＡＡＰＰ技術を使用してこの深さを拡張して、非常に高いアスペクト比のフィーチャを形成する、という文脈で説明する。例えば、本開示で説明するＣＬＡＡＰＰの実施形態を使用することにより、最大アスペクト比（ＡＲ）_ｍａｘを、約６０から約１００まで、更には１５０まで増加させることができる。

【0014】

まず、図１Ａのフロー図を使用して、一般的なＣＬＡＡＰＰ方法１００の説明を行う。一般的な方法１００の２つの実施形態を、図１Ｂ及び図１Ｃのフロー図に示す。図１Ｂはチャンバが２つのＣＬＡＡＰＰ方法１３０を示し、図１Ｃはチャンバが１つのＣＬＡＡＰＰ方法１４０を示す。次に、一般的なＣＬＡＡＰＰ方法１００の適用例について、図２Ａ～２Ｉの断面図を参照しながら説明する。これらの図は、層（例えば、酸化ケイ素などの誘電体層）内に高いアスペクト比の開口部（例えば、穴又はトレンチ）を形成する様子を示している。チャンバが２つのＣＬＡＡＰＰ方法１３０の２つのチャンバについては、図３Ａ及び図３Ｂに示す断面図及び概略図を用いて説明し、チャンバが１つのＣＬＡＡＰＰ方法１４０の単一のチャンバについては、図４を参照しながら説明する。ガスクラスター補助プラズマ処理システム（図３Ａ～図３Ｂ及び図４を参照して説明する）の設計の様々な態様について、図５Ａ～図５Ｄ、図６、図７Ａ～図７Ｅ、及び図８の図を使用して考察する。

【0015】

図１Ａは、一般的なＣＬＡＡＰＰ方法１００のフロー図を示す。まず、基板上にパターン付与された層を形成することにより、到来する基板（例えば、半導体基板）が準備される。ブロック１１０に示すように、このパターン付与された層は、当業者には知られているような、適切なフォトリソグラフィ及びエッチング技術を使用して形成された狭い開口部を含む。

【0016】

次いで、パターン付与された層は、ＣＬＡＡＰＰエッチング技術を使用して処理される。ブロック１２０によって示すように、ＣＬＡＡＰＰエッチングは、幾つかの部分、即ち、基板の上方でガスクラスターのフラックスを生成すること（ボックス１２２）、基板をガスクラスターのフラックスにさらすこと（ボックス１２４）、無線周波数（ＲＦ）電力を使用してプラズマを維持すること（ボックス１２６）、及びプラズマから抽出されたイオンの垂直に向けられたフラックスに基板をさらすこと（ボックス１２８）を含む。

【0017】

ガスクラスターは、ラジカル前駆体と呼ばれる、ラジカル源である凝縮性ガスから形成される。ラジカル前駆体の例としては、酸素、一酸化炭素、水素、塩素、四塩化炭素、四塩化ケイ素、三塩化ホウ素、フッ素、四フッ化炭素、三フッ化窒素、六フッ化硫黄、トリフルオロメタン、フルオロ炭素、ヒドロフルオロ炭素等が挙げられる。ガスクラスターは、凝縮性ガスをノズルを通して真空チャンバに注入することによって形成することができる。音速の数倍の速度でノズルを通して処理チャンバに注入されたラジカル前駆体ガスは、断熱膨張により冷却され凝縮して、緩やかに結合したガスクラスターを形成することができる。平均クラスターサイズは、ラジカル前駆体ガスの温度、ノズルのデザイン、及びノズルの吸気口と排気口との間の圧力勾配などの、処理及び機器の様々なパラメータに応じて、１つのクラスター当たり約１，０００～約１０，０００個の分子であり得る。処理チャンバにおいてこのように生成されたガスクラスターのフラックスは、下にある基板ホルダ上に配置された基板に向かって更に進むことができる。処理チャンバには、パターン付与された層内に開口部を備えた到来する基板が装填され、この処理チャンバは、真空システムを使用して低圧まで排気されることがある。クラスターは、基板に到達すると、マスキング層によってガスクラスターのフラックスにさらされている空洞に進入し、続いて、以下で更に詳細に説明するように、ＣＬＡＡＰＰエッチング処理に関与することができる。

【0018】

図１Ａのフロー図のブロック１２０に示すように、基板は、プラズマから抽出されたイオンにもさらされて、ＣＬＡＡＰＰエッチングが行われる。イオンは、開口部の底壁に垂直に向けられ、底壁に当たって表面と相互作用するときに、物質を除去することがある。

【0019】

図１Ｂは、チャンバが２つの方法１３０のフロー図を示す。チャンバが２つの方法１３０では、ＣＬＡＡＰＰ処理は、２つの別個の処理チャンバで実施される循環処理として実施される。チャンバが２つの循環的な方法１３０のフロー図では、この方法に固有のステップは、実線の矩形によって示されている。図１Ｂのボックス１２１に示すように、循環的なＣＬＡＡＰＰ処理は、ガスクラスターのフラックスが形成されるガスクラスター処理チャンバに到来する基板が装填された状態で開始する。基板がガスクラスターのフラックスにさらされた後（ボックス１２４）、図１Ｂのボックス１３１に示すように、基板は移送チャンバを介してプラズマ処理チャンバに移送される。移送チャンバは、それらの２つの処理チャンバ間での迅速な移送を容易にするために、小さな体積を有するように設計されることがある。プラズマチャンバでは、ＲＦ電源に結合された電極がプラズマを維持し、このプラズマからイオンが抽出される（ボックス１２６）。この循環的なＣＬＡＡＰＰ処理の１つのサイクルは、基板をイオンフラックスにさらすことにより完了する（ボックス１２８）。基板をイオンにさらした（ボックス１２８）後、基板をガスクラスター処理チャンバに戻して（ボックス１３２）、次のサイクルを実施することがある。高いアスペクト比のフィーチャの形成を完了するためには、複数のサイクルを実施することがある。

【0020】

幾つかの実施形態では、ＣＬＡＡＰＰ処理は、基板をガスクラスターのフラックス及び垂直に向けられたイオンフラックスのフラックスに同時にさらす方法によって、単一のチャンバで行われることがある。同時処理用の処理パラメータ空間（例えば、チャンバ圧力、基板温度、ガス流量、ＲＦ電力等）は、循環的な処理と比べるとより制限される。用途によっては、これにより、それぞれのＣＬＡＡＰＰ処理の能力が、非常に高いアスペクト比のフィーチャを形成するには制限されることがある。循環的なＣＬＡＡＰＰ処理を使用することにより、単一チャンバ実装における処理の柔軟性がより高くなる。

【0021】

図１Ｃは、チャンバが１つの方法１４０のフロー図を示しており、この方法では、基板をガスクラスターのフラックスにさらすこと及び基板をイオンにさらすことは、循環的なＣＬＡＡＰＰ処理の１サイクルの一部となっている。チャンバが１つの循環的な方法１４０に固有のステップは、実線の矩形によって示されている。図１Ｃのボックス１４１に示すように、基板をガスクラスターのフラックスにさらした（ボックス１２４）後、図１Ｃのボックス１４１に示すように、処理チャンバ内の圧力及び電極へのＲＦ電力は、基板の上方で安定なプラズマを得るように設定されることがある。基板をイオンフラックスにさらすこと（ボックス１２８）により、循環的なＣＬＡＡＰＰ処理の１サイクルが完了する。次いで、ボックス１４２に示すように、チャンバ圧力をリセットし、ＲＦ電力をリセットして、ガスクラスターの安定したフラックスを生成することにより、次のサイクルを実施するように処理チャンバを準備することがある。

【0022】

ここで、循環的なＣＬＡＡＰＰ処理を適用して、基板のターゲット層２１０に非常に高いアスペクト比の開口部を形成することについて、図２Ａ～図２Ｉに示す断面図を参照して説明する。

【0023】

図２Ａは、ターゲット層２１０の上にパターン付与されたマスク層２０２を示す。様々な実施形態では、ターゲット層２１０は、酸化ケイ素、オキシ窒化ケイ素、酸化ケイ素と窒化ケイ素の交互の層、ケイ素、ゲルマニウム、ケイ素－ゲルマニウム合金等を含むことがあり、一実施形態では、二酸化ケイ素を含むことがある。一実施形態では、マスク層２０２は、ＳＯＣの底部層、窒化ケイ素の中間層、及び金属酸化物フォトレジストの上部層を備えた、複数の層のスタックであり得る。別の実施形態では、マスク層２０２は、例えば、無機反射防止コーティング（ＡＲＣ）及び／又はハードマスク層に隣接した、上部有機フォトレジスト層のスタックを含むことがある。

【0024】

フォトレジストは、感光性有機ポリマー、有機溶媒に溶解したポリマー前駆体、又は小さな分子の周りを基礎とした分子系、例えば、ハフニウム・コア・ナノ粒子、金属酸化物、及び分子ガラスなど、であり得る。

【0025】

ハードマスクは、シリコン含有反射防止コーティング（ＳｉＡＲＣ）、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化チタン、窒化タンタル、ホウ化ケイ素、酸化ハフニウム、スピンオンカーボン（ＳＯＣ）などの有機層、又はそれらの組み合わせ、などの物質を含むことがある。

【0026】

図２Ａに示す１つの例示的な実施形態では、ターゲット層２１０は酸化ケイ素を含むことがあり、マスク層２０２は、ＳＯＣの底部層、窒化ケイ素の中間層、及び金属酸化物フォトレジストの上部層を備えたスタックであり得る。マスク層２０２内のターゲット層２１０の表面の一部を露出させる狭い開口部２３０（例えば、幅が約１０ｎｍ～約３０ｎｍのビア）が示されている。開口部２３０は、ＥＵＶリソグラフィ及び異方性プラズマエッチング技術などの、適切なフォトリソグラフィ及びエッチング技術を使用して、形成されることがある。様々な実施形態では、プラズマエッチング化学反応は、例えば、メタン、テトラフルオロメタン、トリフルオロメタン、三フッ化窒素、酸素、又は二酸化硫黄等、又はそれらの組み合わせを使用していることがある。気体混合物は、不活性ガス（例えば、アルゴン及びヘリウム）を含むことがある。幾つかの実施形態では、プラズマは、上部のディスク状電極に結合された例えば４０ＭＨｚの周波数で約３００Ｗ～約１ｋＷのＲＦソース電力、及び、プラズマ処理チャンバ内の基板ホルダに結合された、例えば１３．５６ＭＨｚの標準周波数で１００Ｗを超えない低ＲＦバイアス電力を使用して維持される、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）であり得る。別の実施形態では、ＲＦソース電力は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を維持するために螺旋共振器コイルに結合されることがある。

【0027】

図２Ｂは、例えば、フッ素化学反応を用いたＲＩＥなどの異方性プラズマエッチングを使用してターゲット層２１０をエッチングすることにより形成された最初のパターン付与済層２４０を示す。様々な実施形態では、プラズマは、例えば、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロシクロブテン、オクタフルオロシクロブタン、又は三フッ化窒素等を含む気体混合物を使用していることがある。他の気体には、酸素、及びアルゴン又はヘリウムなどの不活性ガスが含まれることがある。プラズマは、例えば、１３．５６ＭＨｚの標準周波数で約１０ｋＷ～約２０ｋＷのＲＦバイアス電力を使用して維持されることがある。もたらされるＲＦソース電力は、例えば４０ＭＨｚ又は６０ＭＨｚの周波数で約１ｋＷ～約５ｋＷであり得る。更に、約５００Ｖ～約１０００ＶのＤＣバイアスが存在することがある。幾つかの実施形態では、約１０％～約５０％のデューティサイクルを有するパルスＤＣバイアスが、１ｋＨｚ～１０ｋＨｚの範囲内、一実施形態では５ｋＨｚの低周波数で使用されることがある。チャンバ圧力は、様々な実施形態では１０ｍＴｏｒｒ～１００ｍＴｏｒｒ、一実施形態では２５ｍＴｏｒｒであることがあり、チャンバ温度は、８０°Ｃ～１００°Ｃの範囲内の温度に制御されることがある。

【0028】

図２Ｂでは、イオンの垂直フラックス２２０を使用して、ターゲット層２１０の露出した表面から二酸化ケイ素を異方的に除去して、開口部２３０の空洞を深さｄまで増大させている。様々な例示的な実施形態では、図２Ｂのパターン付与された層２４０内の開口部２３０のアスペクト比は、最小の幅のフィーチャについて約３０～約６０であることがあり、最小の幅は、約１０ｎｍ～約３０ｎｍであり得る。最初のパターン付与済層２４０の形成は、エッチングステップの完了時に完了する。複数の開口部２３０であって、各開口部はマスク層２０２及びターゲット層２１０にエッチングされた深さｄの空洞を有する複数の開口部２３０を備えたパターン付与済層２４０を有する基板が、循環ＣＬＡＡＰＰ処理のガスクラスターステップのための次の基板になる。

【0029】

図２Ｃ～図２Ｈは、例示的な循環的ＣＬＡＡＰＰエッチング処理の１つのサイクルを示す。即ち、図２Ｃ～図２Ｆはガスクラスターで表面を処理する様子を示し、図２Ｇ～図２Ｈは方向付けられたイオンを使用して空洞の深さを増大させる様子を示す。図２Ｉの断面図は、次のサイクルの開始時点の基板を示す。

【0030】

図２Ｃでは、到来した基板は、図１Ａを参照して上述したように、ラジカル前駆体ガスの凝縮によって生成されたガスクラスター２２２のフラックスにさらされる。ラジカル前駆体ガスは、フルオロ炭素、例えばテトラフルオロメタンであることがあり、ガスクラスター２２２は、様々なサイズのクラスターを含むことがある。様々な実施形態では、平均クラスターサイズは、約１，０００～約１０．０００分子である。図２Ｃに示すように、開口部２３０（例えば、穴又はトレンチ）の空洞に進入するガスクラスターは、空洞壁と衝突し、車のフロントガラスに飛び散る泥のようなより小さな粒子に分解する可能性が高い。このようにガスクラスターから放出されたラジカル（例えば、フッ素ラジカル）は、穴の空洞内に送達される。

【0031】

図２Ｄに概略的に示すように、分解したクラスターが数千ものラジカルを放出することがあるので、ラジカルの数、従って、開口部２３０の空洞の奥でのガスの局所的なモル密度は大幅に増加する。理想気体方程式によって示されるように、モル密度の増加には、比率（Ｐ／Ｔ）の比例増加が伴い、ここで、Ｐは圧力を表し、Ｔは絶対温度を表す。開口部２３０の側壁又は底壁との衝突によるガスクラスターの分解のプロセスは、概ね等温である、というのも、比較的に大きな熱容量により、基板がヒートシンクと同等になるからである。従って、空洞内の局所圧力が数桁増加することがある。

【0032】

図２Ｅは、放出されたラジカルの多くが、空洞内の増加した圧力によって促進された物理吸着によって又は化学吸着によって、開口部２３０の壁に吸着する様子を示している。ガスクラスターのフラックスにさらされている間、クラスターの分解及び吸着プロセスは、例えば二酸化ケイ素を含む開口部２３０の壁の表面をラジカル（例えば、フッ素ラジカル）の層で覆い続ける。

【0033】

図２Ｆに示すように、ガスクラスターの露光ステップが完了するまでに、開口部２３０の壁はラジカルで飽和されていることがある。

【0034】

図２Ｇに示すように、開口部２３０がラジカルで覆われた後、基板は、例えば、ほぼ等しい割合の不活性ガス（アルゴンなど）とフルオロ炭素（テトラフルオロメタン（ＣＦ_４）など）とに少量の酸素を加えた混合物などのガス混合物を使用して、基板の上方に維持されたまっすぐなプラズマから抽出されたイオンの垂直フラックス２３３にさらされることがある。例示的な実施形態では、プラズマは、コイル状の電極に結合された約１００Ｗ、様々な実施形態では５０Ｗ～２００ＷのＲＦソース電力によって維持されることがある。基板ホルダに結合されたＲＦバイアス電力は、例示的な実施形態では約５ｋＷ、他の様々な実施形態では１ｋＷ～１０ｋＷであり得る。ＲＦソース電力及びＲＦバイアス電力は、例えば、標準周波数が１３．５６ＭＨｚであり得る。チャンバ圧力は、０．１ｍＴｏｒｒ～約１０ｍＴｏｒｒの範囲内であり得る。

【0035】

図２Ｇに示した例示的な実施形態では、イオン２３３は、アルゴン（Ａｒ^＋）及びトリフルオロメチルカチオン（ＣＦ３^＋）を含むことがある。垂直方向に加速されたイオン２３３は、ターゲット層２１０の物質（例えば、二酸化ケイ素）と相互作用し、開口部２３０の底壁に当たったときに、例えばケイ素－酸素の結合を断ち切るのに十分なエネルギーを与える。このプロセスの間、表面付近の物質が除去されることがある。二酸化ケイ素から取り除かれたケイ素原子はフッ素ラジカルと反応してＳｉＦ_４ガスを形成し、断ち切られたＳｉ－Ｏ結合から放出された酸素原子は、ＣＦ_３ ^＋中に存在する炭素と反応してＣＯ及びＣＯ_２ガスを形成する。これらの揮発性ガスは、真空システムによって排出されることがある。イオンにさらすステップにより、図１Ｂに示したチャンバが２つのＣＬＡＡＰＰ方法１３０、又は図１Ｃに示したチャンバが１つのＣＬＡＡＰＰ方法１４０などの、循環的なＣＬＡＡＰＰエッチング処理フローの１サイクルが完了する。

【0036】

図２Ｈに示すように、サイクルの終了時には、基板を垂直方向に向けられたイオン２３３にさらすことにより、開口部２３０の底壁から物質（例えば、二酸化ケイ素）が異方的に除去され、量Δｄだけ最初の深さｄが拡張され、この除去に関連した化学反応により、開口部２３０内のラジカルの数がほとんどない状態になる。次いで、図２Ｉに示すように、基板はガスクラスターに再びさらされ、それによって、２番目のサイクルが開始する。このプロセスは、ガスクラスターステップとプラズマステップとを交互に繰り返し、開口部２３０の非常に高い目標アスペクト比を達成できるまで、所定のサイクル回数に渡って空洞の深さを拡張する。

【0037】

図１Ｂを参照して説明したチャンバが２つのＣＬＡＡＰＰ方法１３０を実施するために使用できるＣＬＡＡＰＰシステムの２つのサブシステムを、図３Ａ及び図３Ｂに断面図で示す。図３Ａは、ガスクラスターサブシステム３００を示し、図３Ｂはプラズマサブシステム３７０を示す。

【0038】

図３Ａのガスクラスターサブシステム３００は、第１の処理チャンバ３０３及びガスフローシステム３３０を備える。第１の処理チャンバ３０３は、プレナム３１０、ノズルアセンブリ３０８、及びガスクラスター処理チャンバ３２０を備え、基板３０１を処理することができる。ＣＬＡＡＰＰシステムのガス入口及び出口に接続されたガスフローシステム３３０は、プレナム３１０及びガスクラスター処理チャンバ３２０を通る様々なガスの流れを制御する。第１の処理チャンバ３０３は、プレナム３１０に結合されたオプションの冷却システム３４０も含むことがある。

【0039】

ラジカル前駆体ガスは、ガスクラスター処理中に、約１００Ｔｏｒｒ～約７６０という比較的に高い圧力のガス流中に含まれて、ガス入口３０２を通ってプレナム３１０に導入されることがある。その他の時には、逆流を止めるための最小のプレナム圧力が印加され、このプレナム圧力は、ガスクラスター処理チャンバ３２０内の圧力に応じて、０．１Ｔｏｒｒもの低い圧力であり得る。第１の処理チャンバ３０３内の様々なガス圧力は、ガスフローシステム３３０によって制御される。当業者には知られているように、ガスフローシステムは、高圧ガスキャニスター、バルブ（例えば、スロットルバルブ）、圧力センサ、ガス流量センサ、真空ポンプ、パイプ、及び電子的にプログラム可能なコントローラなどの様々な部品を備えることがある。図３Ａに示す例示的な実施形態では、ガス入口３０２は、プレナム３１０の上部カバー３０５に結合されている。別の実施形態では、ラジカル前駆体ガスは、プレナム３１０の側壁３０４に結合されたガス入口を通じて導入されることがある。

【0040】

プレナム３１０内の比較的に高い圧力により、ラジカル前駆体ガスがノズルアセンブリ３０８のノズル３０６のアレイの吸気アパーチャの中に流れ込み、ノズル３０６の排気アパーチャを通って流れ出る。図３Ａに示すように、ノズルアセンブリ３０８の吸気アパーチャはプレナム３１０内部の空洞に結合されている一方で、ノズルアセンブリ３０８の排気アパーチャは、反対側に配置された低圧のガスクラスター処理チャンバ３２０に結合されている。様々な実施形態では、ノズル３０６は、管、円錐台、プレナムに結合された茎部を有するじょうご、又は収束‐発散ラバールノズル(convergent-divergent de Laval nozzle)などの様々な形状のものであり得る。ノズルの幾何学的パラメータについては、図５Ａ～図５Ｄを参照して以下で更に詳細に考察する。

【0041】

図３Ａに示すように、ノズルアセンブリ３０８に隣接するガスクラスター処理チャンバ３２０は、基板ホルダ３１２及びガス出口３１８を備える。基板３０１は、基板ホルダ３１２に搭載されて示されている。ガスクラスター処理チャンバ３２０は、真空ポンプを使用するガスフローシステム３３０によって低圧に維持されることがある。上記で説明したように、ノズルアセンブリの端から端までの圧力の差は、断熱膨張によってラジカル前駆体ガスを急速に冷却してガスを凝縮させ、ファン・デル・ワールス力によって弱く結合したナノメートルスケールのガス分子のクラスターを形成するように設計される。様々な実施形態では、ガスクラスター処理チャンバ３２０内の目標圧力は、ＣＬＡＡＰＰ処理の目標ガス流量に応じて、約０．１ｍＴｏｒｒ～約１０ｍＴｏｒとなるように選択されることがある。ガスクラスターの形成中、ノズルアセンブリ３０８の各ノズル３０６の出口における圧力に対する入口における圧力の非率は高くなければならず、例えば、１０よりも大きくなければならず、典型的にはこの比率は１０００を上回る。

【0042】

図３Ｂのプラズマサブシステム３７０は、第２の処理チャンバ３７１及びガスフローシステム３３０を備える。第２の処理チャンバ３７１は、プラズマ処理チャンバ３５０と、プラズマ処理チャンバ３５０内のプラズマに電力を供給するためのソースＲＦ電源３５８及びＲＦバイアス電源３６４などの電源を含む電気システム３７２とを備える。電気システム３７２は、オプションのＤＣバイアス源３６８も含むことがある。図２Ｇ及び図２Ｈを参照して上述したように、プラズマサブシステム３７０は、方向付けられたイオンフラックスを使用して異方性エッチングを実施するように構成されることがある。プラズマ処理チャンバ３５０は、基板ホルダ３６２上に配置された基板３０１の真上でプラズマを維持することがある。プラズマエッチング用のイオンを生成するために使用される気体混合物は、ガス入口３５２を通してプラズマ処理チャンバ３５０内に導入されることがあり、気体の副生成物は、ガス出口３５９を通して排出されることがある。ガス流量及びチャンバ圧力は、ガス入口３５２及びガス出口３５９に結合されたガスフローシステム３３０によって制御される。ＲＦバイアス電源３６４からのバイアス電力及びＲＦ電源３５８からのＲＦソース電力は、プラズマ処理チャンバ３５０のそれぞれの電極に供給されることがある。図３Ｂに示す例示的な実施形態では、ＲＦバイアス電極は基板ホルダ３６２でもあり、ＲＦソース電力は、誘電性の側壁３５４の周りに渦巻き状に巻かれた螺旋共振器３５６に供給される。ＲＦバイアス電源３６４の代わりに、パルスＤＣバイアスも使用されることがある。オプションのＤＣバイアス源３６８も、基板ホルダ３６２に結合されて示されている。図３Ｂでは、ガス入口３５２は、導電性の上部プレート３５５に結合されており、ガス出口は、導電性の底部プレート３６６に結合されている。導電性の上部プレート３５５及び底部プレート３６６は、系統グラウンド（基準電位）に電気的に接続されていることがある。

【0043】

図３Ｂを参照して上述したプラズマサブシステム３７０の構成は、単なる例に過ぎない。代替の実施形態では、プラズマサブシステム３７０の様々な代替構成を使用することがある。例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）は、上部誘電性カバー上の平面コイルに結合されたＲＦソース電力と共に、又は、プラズマ処理チャンバ３５０内のディスク状の上部電極を使用して生成された容量結合プラズマ（ＣＣＰ）と共に使用されることがあり、ガス入口及び／又はガス出口は側壁に結合されていることがある、等である。幾つかの実施形態では、（連続波ＲＦ電源とは対照的に）パルスＲＦ電源及びパルスＤＣ電源も使用されることがある。様々な実施形態では、ＲＦ電力、チャンバ圧力、基板温度、ガス流量、及び他のプラズマ処理パラメータは、それぞれの処理レシピに従って選択されることがある。

【0044】

図４は、ガスクラスター補助異方性プラズマ処理システムを実装するための単一チャンバのＣＬＡＡＰＰシステム４００を示す。単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム４００は、図１Ｃのフロー図を参照して説明したようなチャンバが１つの循環的なＣＬＡＡＰＰ方法１４０を実行するために使用されることがある。チャンバが１つの循環的なＣＬＡＡＰＰ方法１４０では、基板（例えば、半導体基板３０１）は、ガスクラスターのフラックス及び方向付けられたイオンのフラックスに交互にさらされる。更に、単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム４００は、同時ＣＬＡＡＰＰ方法を可能にすることができ、ガスクラスター処理ステップとプラズマ処理ステップとの間で行われる時間のかかるチャンバリセットが省かれる。同時ＣＬＡＡＰＰ方法では、基板をガスクラスターのフラックスにさらすことと、基板をイオンにさらすこととは、単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム４００を使用して同時に実施されることがある。

【0045】

図４に示すように、単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム４００は、少しの調節により、（図３Ａ及び図３Ｂを参照して上述した）２つのサブシステム３００と３７０を統合している。単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム４００は、プレナム３１０及び基板処理チャンバ４５０を備えており、基板３０１は、ガスクラスターによる処理及びプラズマによる処理を施されることがある。更に、単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム４００は、ガスフローシステム３３０と、オプションの冷却システム３４０と、ＲＦバイアス電源３６４、ソースＲＦ電源３５８、及びオプションのＤＣバイアス源３６８などの１つ又は複数の電源を備えた電気システム３７２と、を含む。

【0046】

基板処理チャンバ４５０は、（図３Ａに示した）ガスクラスター処理チャンバ３２０と（図３Ｂに示した）プラズマ処理チャンバ３５０とを組み合わせたものとして説明されることがあり、ここで、基板処理チャンバ４５０は、プラズマ処理チャンバ３５０から変更されている。この変更には、プレナム３１０をノズルアセンブリ３０８を介して基板処理チャンバ４５０に結合することと、プラズマを生成するために使用することができる気体混合物を導入するための追加のガス入口４５２が含まれることと、が含まれる。これらの変更により、単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム４００は、（図１Ｃを参照して上述した）チャンバが１つの循環的なＣＬＡＡＰＰ方法１４０及び同時ＣＬＡＡＰＰ方法を実施することができる。

【0047】

チャンバが１つの循環的なＣＬＡＡＰＰ方法１４０の実行において、プレナム３１０及び基板処理チャンバ４５０に対して選択される処理パラメータは、２組の値の間で交互になる。基板３０１をガスクラスターのフラックスにさらしている間、様々な実施形態では、プレナム３１０内のガス圧力は、１００Ｔｏｒｒ～７６０Ｔｏｒｒの範囲内になるように選択され、基板処理チャンバ４５０内では０．１ｍＴｏｒｒ～１０ｍＴｏｒｒの間になるように選択される。しかしながら、基板３０１をイオンのフラックスにさらしている間、プレナム３１０内のガス圧力は低下するものの逆流を止めるのに十分な高さに維持されることがある。例えば、プレナムの圧力は、様々な実施形態では約０．１Ｔｏｒｒ～約１０Ｔｏｒｒであり、一実施形態では約１Ｔｏｒｒであり得る。様々な実施形態では、基板処理チャンバ４５０内の圧力は、プラズマエッチング処理の要件に応じて、０．１ｍＴｏｒｒ～１０ｍＴｏｒｒの間であり得る。

【0048】

同時処理の処理条件は、循環処理の処理条件よりも制約がある場合がある。例えば、ここでは基板処理チャンバ４５０と呼ばれる、組み合わされたガスクラスター及びプラズマ処理チャンバ内の圧力は、適度な平均クラスターサイズのガスクラスターを生成するための低圧制約に対応し、及び、プラズマ放電を通過し基板３０１に到達するガスクラスターの適度なフラックスを維持しなければならないことがある。同時に、この圧力は、それぞれのプラズマエッチング処理を実施するのに必要なウィンドウ内に制御されなければならない。様々な実施形態では、同時ＣＬＡＡＰＰ方法を実施する場合、基板処理チャンバ４５０内の圧力は、概ね１０ｍＴｏｒｒ以下で及び０．１ｍＴｏｒｒ以上に維持されることがある。プレナム３１０の圧力は、様々な実施形態では１００Ｔｏｒｒ～７６０Ｔｏｒｒの範囲内、一実施形態では約３８０Ｔｏｒｒに維持されることがある。ガスクラスター形成プロセスは、冷却システム３４０を使用してプレナム３１０を１００Ｋ～３１０Ｋの範囲内の温度に予冷することにより、促進されることがある。比較的に低いプレナム圧力、例えば、３８０Ｔｏｒｒ以下の圧力を選択することが望ましい場合に、プレナム３１０内の温度を低くすると有利であることがある。

【0049】

ファン・デル・ワールス結合した分子ガスクラスターを形成するプロセスは、ノズルの吸気口でのガスの絶対温度Ｔ_０に非常に敏感であることが知られている。クラスター内の平均分子数（Ｎ_ｃ）は、ハジェナの式（Ｈａｇｅｎａ’ｓ ｆｏｒｍｕｌａ）と呼ばれる半経験的なスケーリング法則から推定することができる。関心のもたれる圧力範囲内で、ハジェナの式は、Ｎ_ｃ∝（Γ^＊）^２．３５であることを予測し、ここで、ハジェナのパラメータΓ^＊∝Ｔ_０ ^{－２．２９}であり、それによってＮ_ｃ∝Ｔ_０ ^{－５．３８}になる。ハジェナの式によると、室温から１００°Ｃだけガスを予冷すると（Ｔ_０＝３００ＫからＴ_０＝２００Ｋへ）、クラスターサイズ（Ｎ_ｃ）がほぼ１桁増加するか、又は、プレナム圧力の半分の圧力で同じ平均クラスターサイズがもたらされる。これらの推定値は概算であるが、幾つかの実施形態では、コスト及び複雑さが増すにも関わらす冷却システム３４０を含めることが有利であり得ることを示している。様々な実施形態では、プレナム内のガスの温度は、１００Ｋ以上で及び３１０Ｋ以下の目標値に制御されるように選択されることがある。

【0050】

図５Ａ～図５Ｄは、上述したガスクラスター補助プラズマ処理システムの様々な実施形態においてガスクラスターを生成するために使用されることがある様々なデザインタイプのノズル、例えば、図３Ａ及び図４に示したシステムのノズルアセンブリ３０８内のノズル３０６の断面図を示す。管５００、円錐台５３０、茎部を有するじょうご５６０、及び収束‐発散ラバールノズル５９０のような形状をしたノズルを、それぞれ図５ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、及び図５Ｄの断面図に示す。ノズルの構造は、基材５４０内に形成された穴であり、この穴は、吸気アパーチャ５１０及び排気アパーチャ５２０を有する。幾つかの実施形態では、基材５４０は誘電体（例えば、セラミック）を含むことがあり、他の幾つかの実施形態では、基材５４０は金属（例えば、アルミニウム又は銅）を含むことがある。ノズルの最も狭い領域は、のど部と呼ばれ、図５Ａ～図５Ｄでは両方向の矢印によって示されている。管５００は、複数の両方向矢印によって示されるように、幅が均一である。図５Ａ～図５Ｄに示したノズルを表す幾何学的パラメータには、高さｈ、のど部の幅ｄ、ひろがり率ε、及び円錐半角α（ラバールノズル５９０の場合は、２つの円錐半角）が含まれる。のど部の面積に対する排気アパーチャの面積の比率として定義されるひろがり率εは、ノズルデザインの重要な設計パラメータである、というのも、ガスが排気アパーチャを通ってノズルから出ていく前に、断熱膨張させ冷却することが有利であるからである。一般的に、図５Ａ～図５Ｄに示したノズルデザインを含めて、ε≧１が使用される。しかしながら、αが大きい（排気アパーチャの幅が非常に広い）ノズルは望ましくないことがある、というのも、円錐状ノズルについてのハジェナの式によれば、Γ^＊∝（０．７４ｄ／ｔａｎ α）^０．８５であり、従って、クラスターサイズＮ_ｃが、所与ののど部の幅ｄに対して小さすぎるようになることがあるからである。様々な実施形態では、円錐半角は、約３０°以下であり、一実施形態では５°～３０°の間であり得る。

【0051】

デザインの流量及びプレナム圧力を所望の範囲内に位置付けるために、ノズル設計においてノズルの高さｈ及びのど部の幅ｄを調節することがある。予想されるように、ｄを低減すると又はｈを増加させると、プレナム内の所与の背圧Ｐ_０に対して流量が低下する。平均クラスターサイズＮ_ｃを１，０００未満に低減させることなく、プレナム圧力が１標準気圧を上回る必要がない場合、システム設定にとって有利である。Ｎｃ∝Ｐ_０ ^２．３５であることが、ハジェナの式から推定される。様々な実施形態では、約０．５ｍｍ～約１ｍｍののど部の幅ｄ及び約１ｃｍ～約５ｃｍのノズル高さｈを有する約２００個のノズルから約１０００個のノズルのアレイを用いて、約５０ｓｃｃｍ～約１０００ｓｃｃｍのガス流量が達成されることがある。

【0052】

様々なサイズのガスクラスターが、平行ビームと表現するには比較的に大きな立体角に渡って広がる噴霧となって、音速の数倍の出射速度で排気アパーチャから押し出される。上述したガスクラスター補助プラズマ処理システム及び方法の実施形態では、クラスターは、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システムで典型的に行われているように、イオン化され電磁場により加速されてはいない。しかしながら、同時処理方法では、クラスターの一部は、処理中に、組み合わされたガスクラスター及びプラズマ処理チャンバ４５０内で維持されるプラズマを通過する際に散乱され分解されることがあるので、単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム４００は、クラスターを基板に向けて加速させるように変更されることがある。この変更については、図６、図７Ａ～図７Ｅ、及び図８を参照して説明する。

【0053】

図６は、処理チャンバに結合された電子ビームイオン化装置６０１を備えた単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム６００の実施形態を示しており、この電子ビームイオン化装置は、組み合わされたガスクラスター及びプラズマ処理チャンバ６５０内でガスクラスターのフラックスを途中で捕えるようにエネルギー電子のビームを向けるように構成される。単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム６００の特徴は、（図４を参照して上述した）単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム４００の特徴と似ているが、電子ビームイオン化装置６０１が追加されている点が異なる。電子ビームイオン化装置６０１からのエネルギー電子は、ガスクラスターの一部をイオン化することができる。次いで、イオン化されたガスクラスターは、ＲＦバイアス電源３６４（若しくはパルスＤＣバイアス源）、又は基板ホルダ３６２に結合されたオプションのＤＣバイアス源３６８を使用して生成されたバイアス電場によって加速されることがある。

【0054】

図７Ａ～図７Ｅは、分極ノズル７００を示しており、導電性フィルム７１０及び７２０が、基材５４０に埋め込まれている。分極ノズル７００の基材５４０は、導電性フィルム７１０を導電性フィルム７２０から絶縁するのに十分な絶縁耐力を有する誘電物質（例えば、セラミック）である。埋め込まれた導電性フィルム７１０及び７２０を電極に接続するための接点を設けて、導電性フィルム７１０及び７２０をパルスＤＣバイアス源に電気的に結合することがある。図７Ａ～図７Ｅに示した実施形態では、分極ノズル７００は、図５Ｃに示した茎部を有するじょうご５６０と同じ形状をしている。他の実施形態では、他の形状が使用されることがある。図７Ａの上部平面図は、のど部の幅ｄと等しい幅を有する吸気アパーチャ５１０を示しており、図７Ｂの底部平面図は、分極ノズル７００の排気アパーチャ５２０を示している。これらのアパーチャは、セラミックなどの誘電体を含む基材５４０によって囲まれているのが分かる。破線７Ｃ及び７Ｄは、それぞれ図７Ｃ及び図７Ｄに示す断面図を得るために使用される切断面を示している。

【0055】

図７Ｃの断面図は、導電性フィルム７１０及び７２０がギャップを含むことを示している。誘電体の基材５４０によって横方向に囲まれているノズルの穴は、導電性フィルム７１０及び７２０内のこれらのギャップを通過する。図７Ｄの断面図は、導電性フィルム７１０及び７２０が、隣接するノズル穴の間の連続的な導電性領域を通じて電気的連続性を維持することを示している。図７Ｃ～図７Ｄの断面図と併せて図７Ａ～図７Ｂの平面図を参照して説明した分極ノズル７００の構造は、図７Ｅに示す分解図によって更に図示される。図７Ｅでは、４つの平面図が、互いに垂直に整列して示されている。２つの垂直な両方向矢印が、２つの隣接するノズル７００のノズル穴の中心を通過して示されている。図７Ｅの分解図を示す４つの平面の間の物質は、分かりやすくするために取り除かれている。なお、導電性フィルム７１０及び７２０は、誘電性基材５４０によって互いから電気的に絶縁されている。

【0056】

図８は、単一チャンバＣＬＡＡＰＰシステム８００の実施形態を示しており、分極ノズル７００が、ノズルアセンブリ８０８内で使用されている。埋め込まれた導電性フィルム７１０及び７２０は、２本の実線によって模式的に示されている。導電性フィルム７１０及び７２０を電極として使用するために、導電性フィルム７１０及び７２０への電気的接触が形成されることがある。図８では、導電性フィルム７１０及び７２０は、パルスＤＣバイアス源８０１に接続された電極として使用されているものとして模式的に示されている。

【0057】

分極可能な原子又は分子を含む中性ガスクラスターが、電磁理論の法則に従って、電場勾配によって加速されることがある。ノズルの穴が円錐形の幾何形状をしているので、埋め込まれた導電性フィルム７１０及び７２０に、ある電位差でバイアスをかけることによって、垂直方向の電場勾配が生じることがあることを理解されたい。従って、２つの埋め込まれた導電性フィルム７１０及び７２０にパルスＤＣ源が電気的に結合されることがあり、それによって、分極されたクラスターを垂直下方に加速させることができる。

【0058】

本開示では、ガスクラスターを使用して高いアスペクト比の穴又はトレンチの奥深くにラジカルを供給する方法について説明してきた。本明細書で説明した実施形態は、単一のフォトリソグラフィ・パターニング・ステップとそれに続く１つ又は複数のパターン転写エッチングステップを使用してエッチングされる接点／ビアホールの最大アスペクト比（ＡＲ）_ｍａｘの性能を、１００＜（ＡＲ）_ｍａｘ＜１５０まで拡張するという利点を提供する。ガスクラスター処理の助けがないと、高いアスペクト比（例えば、アスペクト比＞１００）の空洞の底壁において妥当なエッチング効率（例えば、＞１００ｎｍ／ｍｉｎ）を得ることは困難であり得る。同様に、（垂直方向に向けられたイオンフラックスに比べて）深さと共にラジカルフラックスが急激に減少すると、高いイオンフラックス対ラジカル比率、例えば、Γ_ｒ／Γ_ｉ＞１０という所望の比率を維持する能力が大幅に制限される。複雑な処理構成にも関わらず、約５を超えるΓ_ｒ／Γ_ｉを達成し、高いアスペクト比の狭いフィーチャ（例えば、幅が約２０ｎｍで深さが数ミクロンの穴又はトレンチ）の底部をエッチングするのに十分な運動エネルギー（例えば、＞１０ｋｅＶ）を有する十分なイオンを提供することは、非常に困難であることがある。

【0059】

対照的に、本開示で説明するガスクラスター補助プラズマ処理の実施形態を使用することにより、エッチング処理の能力を拡張して、約１０ｎｍ～約３０ｎｍの幅及び約１００～約１５０のアスペクト比を有する開口部を形成することが、単一のフォトリソグラフィ・パターニング・ステップ（例えば、ＥＵＶフォトリソグラフィ）と、それに続く比較的に単純なプラズマ処理条件を使用した異方性パターン転写エッチング処理を使用して可能になり、それによって処理コストが低減し、処理歩留まりが向上する。

【0060】

本出願の実施形態の様々な実施態様について、以下で考察する。

【0061】

例１．基板を処理するための方法は、パターン付与された層を基板上に形成することを含み、この層は開口部を含み、開口部の表面は側壁及び底壁を含む。この方法は、第１の処理チャンバ内で基板の上方でガスクラスターのフラックスを生成することにより異方性処理を用いてパターン付与された層を処理することであって、ガスクラスターはラジカル前駆体を含むことと、基板をガスクラスターのフラックスにさらすことと、を含む。この方法は、第２の処理チャンバ内でイオンを含むプラズマを維持することと、イオンを開口部の底壁に向けることにより基板をイオンにさらすことと、を含む。

【0062】

例２．第１の処理チャンバは、プレナム、ノズルアセンブリ、及びガスクラスター処理チャンバを更に含み、第２の処理チャンバは、プラズマ処理チャンバ、及びプラズマ処理チャンバ内でプラズマに給電するための電源を含む、例１に記載の方法。

【0063】

例３．ガスクラスターのフラックスを生成し、基板をガスクラスターのフラックスにさらすことは、基板をガスクラスター処理チャンバの中に装填することと、圧力下にあるガスを、プレナムのガス入口を通してプレナムの中に導入することと、プレナムに結合された吸気アパーチャ及びガスクラスター処理チャンバに結合された排気アパーチャを有するノズルを通じて、ガスをプレナムからガスクラスター処理チャンバまで流すことであって、ノズルは１以上のひろがり率を有し、ガスを流すことは、プレナム内に７６０Ｔｏｒｒ以下のガス圧力を印加することを含むことを含み、ガスを流すことにより、ガスが冷却されて、ガスクラスター処理チャンバ内でガスクラスター凝縮物が形成される、例１又は２の何れか１つに記載の方法。

【0064】

例４．第１の処理チャンバ及び第２の処理チャンバは、単一処理チャンバの一部として一体化されている、例１～３の何れか１つに記載の方法。

【0065】

例５．基板をガスクラスターのフラックスにさらすこと及び基板をイオンにさらすことは、複数のサイクルを含む循環的なエッチング処理の１サイクルの一部であり、複数のサイクルの各サイクルは、更に、基板をガスクラスターのフラックスにさらした後、プラズマを安定化させることであって、プラズマを安定化させることは、圧力下にあるガスをプレナムのガス入口を通してプレナムの中に導入すること、単一処理チャンバ内の圧力を設定すること、プレナム内の圧力を設定すること、及び処理チャンバの電極を無線周波数（ＲＦ）電源に結合することを含むことと、基板をイオンにさらした後、ガスクラスターのフラックスを安定化させることであって、ガスクラスターのフラックスを安定化させることは、単一処理チャンバ内の圧力をリセットすること、プレナム内の圧力をリセットすること、及び処理チャンバの電極に結合されたＲＦ電力をリセットすること、を含むことと、を含む、例１～４の何れか１つに記載の方法。

【0066】

例６．基板をガスクラスターのフラックスにさらすこと及び基板をイオンにさらすことを同時に実施することと、単一処理チャンバ内の圧力を１０ｍＴｏｒｒ以下で及び０．１ｍＴｏｒｒ以上に維持することと、を更に含む、例１～５の何れか１つに記載の方法。

【0067】

例７．基板をガスクラスターのフラックスにさらすこと及び基板をイオンにさらすことは、複数のサイクルを含む循環的なエッチング処理の１サイクルの一部であり、複数のサイクルの各サイクルは、更に、基板をガスクラスターのフラックスにさらした後、基板を第１の処理チャンバから第２の処理チャンバまで移送することと、基板をイオンにさらした後、基板を第２の処理チャンバから第１の処理チャンバまで移送することと、を含む、例１～６の何れか１つに記載の方法。

【0068】

例８．ガスクラスターは、酸素、一酸化炭素、水素、塩素、四塩化炭素、四塩化ケイ素、三塩化ホウ素、フッ素、四フッ化炭素、三フッ化窒素、六フッ化硫黄、トリフルオロメタン、ペルフルオロ炭素、ヒドロフルオロ炭素、又はそれらの任意の組み合わせ、又は不活性ガスとの組み合わせを含む、例１～７の何れか１つに記載の方法。

【0069】

例９．基板を処理するためのシステムは第１のサブシステムを含み、第１のサブシステムは、ガス入口を含むプレナムと、複数のノズルを含むノズルアセンブリであって、複数のノズルの各ノズルの吸気アパーチャはプレナムの内部に配置される、ノズルアセンブリと、ノズルアセンブリの複数のノズルを介してプレナムに接続されたガスクラスター処理チャンバと、ガス入口及びガスクラスター処理チャンバのガス出口に接続されたガスフローシステムであって、ガスクラスター処理チャンバ内でガスクラスターのフラックスを生成するように構成された、ガスフローシステムと、を含む。このシステムは、プラズマ処理チャンバを含む第２のサブシステムと、プラズマ処理チャンバ内でプラズマに給電するための電源と、を含む。

【0070】

例１０．複数のノズルの各ノズルの排気アパーチャは、プレナムの外部に配置され、複数のノズルの各ノズルは、管、円錐台、プレナムに結合された茎部を有するじょうご、又は鼓形ラバールノズルのような形状をしている、例９に記載のシステム。

【0071】

例１１．ノズルアセンブリの各ノズルは、１ｃｍ以上及び１０ｃｍ以下の長さ、０．５ｍｍ以上及び１ｍｍ以下ののど部の幅、及び１以上及び１０以下のひろがり率、を有する、例９又は１０の何れか１つに記載のシステム。

【0072】

例１２．第１のサブシステムは、プレナムに結合された冷却システムを更に含み、冷却システムは、プレナム内のガスの温度を１００Ｋ以上及び３１０Ｋ以下の目標値に制御するように構成される、例９～１１の何れか１つに記載のシステム。

【0073】

例１３．基板を処理するためのシステムは、プレナムと、プレナムの外部に配置され、プラズマを維持するように構成された基板処理チャンバと、プレナムに結合された吸気アパーチャ及び基板処理チャンバに結合された排気アパーチャを有するノズルと、を含む。

【0074】

例１４．ノズルは１以上のひろがり率を有し、ノズルは、管、円錐台、プレナムに結合した茎部を有するじょうご、又は収束‐発散ラバールノズルのような形状をしている、例１３に記載のシステム。

【0075】

例１５．ノズルは分極ノズルであり、この分極ノズルは更に、誘電性基材であって、この誘電性基材によって電気的に絶縁された２つの導電層が埋め込まれた誘電性基材を含み、この２つの導電層は、パルスＤＣバイアス源に電気的に結合されるように構成される、例１３又は例１４の何れか１つに記載のシステム。

【0076】

例１６．プレナムに結合された冷却システムを更に含み、この冷却システムは、プレナム内のガスの温度を１００Ｋ以上及び３１０Ｋ以下の目標値に制御するように構成される、例１３～１５の何れか１つに記載のシステム。

【0077】

例１７．前述のノズルに隣接して配置された複数のノズルを更に含み、前述のノズル及び複数のノズルは、プレナムを基板処理チャンバに接続するノズルアセンブリを形成する、例１３～１６の何れか１つに記載のシステム。

【0078】

例１８．プレナムは第１のガス入口を含み、基板処理チャンバは、第２のガス入口と、基板ホルダと、ガス出口と、を含み、このシステムは更に、第１のガス入口、第２のガス入口、及びガス出口に接続されたガスフローシステムを含み、ガスフローは、基板処理チャンバ内でガスクラスターのフラックスを生成する、例１３～１７の何れか１つに記載のシステム。

【0079】

例１９．基板ホルダは、パルスＤＣバイアス源又は無線周波数（ＲＦ）バイアス電源に結合されている、例１３～１８の何れか１つに記載のシステム。

【0080】

例２０．無線周波数（ＲＦ）電源に結合された電極を更に含み、電極は、基板処理チャンバの外部に配置されたコイルのような形状をしており、電極は、基板処理チャンバ内部で誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を維持するように構成される、例１３～１９の何れか１つに記載のシステム。

【0081】

例２１．処理チャンバに結合された電子ビームイオン化装置を更に含み、電子ビームイオン化装置は、処理チャンバ内でガスクラスターのフラックスを途中で捕えるようにエネルギー電子のビームを向けるように構成される、例１３～２０の何れか１つに記載のシステム。

【0082】

本発明は、例示的実施形態を参照して説明されているが、本明細書は、限定的な意味で解釈されることを意図するものではない。当業者であれば、本明細書を参照することにより、それらの例示的実施形態の様々な修正形態及び組み合わせ並びに本発明の別の実施形態が明らかになるであろう。従って、添付の特許請求の範囲は、そのようなあらゆる修正形態又は実施形態を包含することが意図されている。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】

【図2I】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図8】

【国際調査報告】