(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-10-04
(54)【発明の名称】磁気液浸電子銃
(51)【国際特許分類】
H01J 37/07 20060101AFI20230927BHJP
H01J 37/06 20060101ALI20230927BHJP
H01J 37/063 20060101ALI20230927BHJP
H01J 37/065 20060101ALI20230927BHJP
H01J 1/15 20060101ALI20230927BHJP
H01J 1/18 20060101ALI20230927BHJP
【ＦＩ】
H01J37/07
H01J37/06 A
H01J37/063
H01J37/065
H01J1/15
H01J1/18
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023515327
(86)(22)【出願日】2021-09-07
(85)【翻訳文提出日】2023-03-28
(86)【国際出願番号】 US2021049189
(87)【国際公開番号】W WO2022055831
(87)【国際公開日】2022-03-17
(31)【優先権主張番号】63/075,832
(32)【優先日】2020-09-09
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】17/465,068
(32)【優先日】2021-09-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】500049141
【氏名又は名称】ケーエルエー コーポレイション
(74)【代理人】
【識別番号】110001210
【氏名又は名称】弁理士法人ＹＫＩ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】チュブン ニコライ
(72)【発明者】
【氏名】ブリューチェ マルティン
(72)【発明者】
【氏名】ホードン ローレンス エス
【テーマコード（参考）】
5C101
【Ｆターム（参考）】
5C101BB04
5C101DD08
5C101DD14
5C101DD15
5C101DD18
5C101DD27
5C101DD30
5C101FF02
(57)【要約】
本開示は、磁気液浸電子銃および磁気液浸電子銃を用いて電子ビームを生成する方法を提供する。電子銃は、磁場を形成する磁気レンズと、磁場内に配置されたカソード先端と、カソード先端を直接加熱して磁気レンズを通して電子を放出するように構成されたマルチフィラメントヒータとを含む。マルチフィラメントヒータは、各端部において電源の第1および第2の正端子に接続された第1のフィラメントと、各端部において電源の第1および第2の負端子に接続された第2のフィラメントとを含む。第1の正端子、第2の正端子、第1の負端子、および第2の負端子は、第1のフィラメントおよび第2のフィラメントがカソード先端において交差し、カソード先端に印加される結果として生じる磁力が低減されるように、カソード先端の周囲に交互に配列される。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
磁気液浸電子銃であって、磁場を形成する磁気レンズと、
前記磁場内に配置されたカソード先端と、
前記カソード先端を直接加熱して、前記磁気レンズを通して電子を放出するように構成されるマルチフィラメントヒータと、
を備え、前記マルチフィラメントヒータは、
各端部において電源の第１の正端子および第２の正端子に接続される第１のフィラメントと、
電源の第１の負端子および第２の負端子に各端部で接続される第２のフィラメントと、
を備え、
前記第１の正端子、前記第２の正端子、前記第１の負端子、および前記第２の負端子は、前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントが前記カソード先端において交差し、前記磁場によって前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントに印加される磁力が相殺され、前記カソード先端に印加される結果として生じる磁力を低減させるように、前記カソード先端の周囲に交互に配列される磁気液浸電子銃。
【請求項2】
前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントは、同じ断面を有し、同じ材料から作製され、同じ電流を流す請求項１に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項3】
前記材料は、最大２７％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金である請求項２に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項4】
前記第１のフィラメントは、第１の材料から構成され、前記第２のフィラメントは、前記第１の材料とは異なる第２の材料から構成され、前記第１のフィラメントの断面および前記第２のフィラメントの断面は、前記第１の材料の比抵抗および前記第２の材料の比抵抗に反比例する請求項１に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項5】
前記第１の材料は、最大５％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金であり、前記第２の材料は、２０～２７％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金である請求項４に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項6】
前記第１のフィラメント及び前記第２のフィラメントは直交している請求項１に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項7】
前記マルチフィラメントヒータは、前記カソード先端を１６００Ｋ～１９００Ｋの温度に直接加熱するように構成される請求項１に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項8】
前記磁場は、１００ガウス～１０００ガウスの磁束密度を有する請求項１に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項9】
磁気液浸電子銃であって、磁場を形成する磁気レンズと、
前記磁場内に配置されたカソード先端と、
カソード先端を直接加熱して、磁気レンズを通して電子を放出するように構成されるマルチフィラメントヒータと、
を備え、前記マルチフィラメントヒータは、電源の正端子および負端子に各端部で接続された第１のフィラメントおよび第２のフィラメントを備え、前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントは、カソード先端で交差する磁気液浸電子銃。
【請求項10】
前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントは、同じ断面を有し、同じ材料から作製され、同じ電流を流す請求項９に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項11】
前記材料は、最大２７％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金である請求項１０に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項12】
前記第１のフィラメント及び前記第２のフィラメントは鋭角で交差する請求項９に記載の磁気浸漬電子銃。
【請求項13】
磁気液浸電子銃を用いて電子ビームを発生させる方法であって、電源からマルチフィラメントヒータの第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに電流を印加するステップであって、前記第１のフィラメントは、各端部において電源の第１の正端子および第２の正端子に接続され、前記第２のフィラメントは、各端部において電源の第１の負端子および第２の負端子に接続される、ステップと、
前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントを用いてカソード先端を加熱するステップであって、前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントは、前記カソード先端において交差し、前記第１の正端子、前記第２の正端子、前記第１の負端子、および前記第２の負端子は、前記カソード先端の周囲に交互に配列される、ステップと、
前記カソード先端から磁気レンズを介してターゲットに向けて電子を放出し、前記カソード先端は、前記磁気レンズによって形成される磁場内に配置され、前記磁場によって前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントに加えられる磁力は相殺され、前記カソード先端に加えられる合磁力が低減されるステップと、
を備える方法。
【請求項14】
前記電源から前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントに電流を印加するステップは、前記第１のフィラメントに第１の電流を印加するステップと、
前記第２のフィラメントに第２の電流を印加するステップと、
を備え、前記第１の電流は前記第２の電流に等しい請求項１３に記載の方法。
【請求項15】
前記第１のフィラメント及び前記第２のフィラメントは、最大２７％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金から構成される請求項１３に記載の方法。
【請求項16】
前記第１のフィラメントは、第１の材料から構成され、前記第２のフィラメントは、前記第１の材料とは異なる第２の材料から構成され、前記第１のフィラメントの断面および前記第２のフィラメントの断面は、前記第１の材料の比抵抗および前記第２の材料の比抵抗に反比例する請求項１３に記載の方法。
【請求項17】
前記第１の材料は、最大５％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金であり、前記第２の材料は、２０～２７％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金である請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
前記第１のフィラメント及び前記第２のフィラメントは直交している請求項１３に記載の方法。
【請求項19】
前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントを使用する前に前記カソード先端を加熱するステップは、前記第１のフィラメントおよび前記第２のフィラメントを使用する前に前記カソード先端を１６００Ｋ～１９００Ｋの温度に加熱するステップを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項20】
前記磁場は、１００ガウス～１０００ガウスの磁束密度を有する請求項１３に記載の方法。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、電子ビームシステム用の電子銃に関し、より詳細には、磁気レンズを備えた電子銃に関する。
【背景技術】
【0002】
関連出願の参照
本出願は、２０２０年９月９日に出願され譲渡された米国仮特許出願６３／０７５，８３２号に対する優先権を主張し、その開示は参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０２０年９月９日に出願され譲渡された米国仮特許出願６３／０７５，８３２号に対する優先権を主張し、その開示は参照により本明細書に組み込まれる。
【0003】
半導体製造産業の進化は、歩留まり管理に、特に計測および検査システムに、より大きな要求を課している。臨界寸法は縮小し続けるが、産業界は、高収率、高価値生産を達成するための時間を短縮する必要がある。歩留まり問題を検出してからそれを固定するまでの総時間を最小限に抑えることは、半導体製造業者の投資に対する収益を決定する。
【0004】
論理デバイスおよびメモリデバイスなどの半導体デバイスを製造することは、典型的には、半導体デバイスの様々な特徴および複数のレベルを形成するために、多数の製造プロセスを使用して半導体ウェハまたはＥＵＶマスクを処理することを含む。例えば、リソグラフィは、レチクルから半導体ウェハ上に配置されたフォトレジストにパターンを転写することを含む半導体製造プロセスである。半導体製造プロセスのさらなる例は、化学機械研磨（ＣＭＰ）、エッチング、堆積、およびイオン注入を含むが、これらに限定されない。複数の半導体デバイスは、個々の半導体デバイスに分離される単一の半導体ウェハ上に配置で製造され得る。
【0005】
検査プロセスは、製造プロセスにおけるより高い歩留りを促進し、したがってより高い利益を促進するために、ウェハ上の欠陥を検出するために半導体製造中の様々なステップで使用される。検査は、集積回路（ＩＣ）などの半導体デバイスを製造する上で常に重要な部分であったが、半導体デバイスの寸法が減少するにつれて、より小さい欠陥がデバイスを故障させる可能性があるので、検査は、許容可能な半導体デバイスの製造の成功にとってさらに重要になる。例えば、半導体デバイスの寸法が縮小するにつれて、比較的小さい欠陥でさえも半導体デバイスにおいて望ましくない収差を引き起こし得るため、縮小サイズの欠陥の検出が必要になった。
【0006】
検査プロセスに使用される１つのデバイスは、電子ビームシステムである。電子ビームシステムでは、電子は、ターゲット上に集束された電子銃のカソード先端から放出される。カソード先端は、通電ヘアピンフィラメントヒータを用いて加熱され、電子を発生させる。磁気レンズは、電子をターゲット上に電子ビームに集束させるために使用される。特に、磁気レンズは、カソード先端からターゲットに向かって電子を引き寄せる磁場を生成する。
【0007】
以前の設計では、磁場は、ヒータの通電フィラメントに磁力を印加し得る。この磁力は、カソード先端の即座の偏向を引き起こし得る。例えば、即時偏向は、カソード先端を数ミクロン変位させ得る。加えて、カソード先端は、高温クリーピングを経験し得、これは、カソード先端を、経時的な即時偏向と同じ方向にゆっくりと移動させ得る。例えば、高温クリープは、カソード先端を１年にわたり４０ミクロンまで変位させ得る。変位が２ミクロンを超える場合、カソードの再整列が必要とされる。カソード先端の繰り返しの再整列は、ツールの利用可能性を低減し、サービスコストを増加させる。電子銃の耐用年数は減少し、より頻繁な交換を必要とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】欧州特許第２１７４３４０号
【特許文献2】欧州特許第２４９２９４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
したがって、磁気偏向および高温クリープによって引き起こされる変位の影響を受けにくい電子銃が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本開示の実施形態は、磁気浸漬電子銃を提供する。電子銃は、磁場を形成する磁気レンズと、磁場内に配置されたカソード先端と、カソード先端を直接加熱して磁気レンズを通して電子を放出するように構成されたマルチフィラメントヒータとを備えてもよい。マルチフィラメントヒータは、電源の第１の正端子および第２の正端子に各端部で接続された第１のフィラメントと、電源の第１の負端子および第２の負端子に各端部で接続された第２のフィラメントとを備えることができる。第１の正端子、第２の正端子、第１の負端子、および第２の負端子は、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントがカソード先端において交差し、磁場によって第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに印加される磁力が相殺され、カソード先端に印加される合成磁力を低減させるように、カソード先端の周囲に交互に配列されてもよい。
【0011】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、同じ断面を有してもよく、同じ材料から作製されてもよく、同じ電流を搬送してもよい。材料は、最大２７％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金であってもよい。
【0012】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメントは、第１の材料から構成されてもよく、第２のフィラメントは、第１の材料とは異なる第２の材料から構成されてもよく、第１のフィラメントの断面および第２のフィラメントの断面は、第１の材料の比抵抗および第２の材料の比抵抗に反比例してもよい。第１の材料は、最大５％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金であってもよく、第２の材料は、２０～２７％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金であってもよい。
【0013】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは直交していてもよい。
【0014】
本開示の実施形態によれば、マルチフィラメントヒータは、カソード先端を１６００Ｋ～１９００Ｋの温度に直接加熱するように構成することができる。
【0015】
本開示の実施形態によれば、磁場は、１００ガウス～１０００ガウスの磁束密度を有し得る。
【0016】
本開示の別の実施形態は、磁気浸漬電子銃を提供する。電子銃は、磁場を形成する磁気レンズと、磁場内に配置されたカソード先端と、カソード先端を直接加熱して磁気レンズを通して電子を放出するように構成されたマルチフィラメントヒータとを備えてもよい。マルチフィラメントヒータは、電源の正端子および負端子に各端部で接続された第１のフィラメントおよび第２のフィラメントを備えてもよく、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、カソード先端において交差してもよい。
【0017】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは鋭角で交差し得る。
【0018】
本開示の実施形態は、磁気液浸電子銃を使用して電子ビームを生成する方法を提供する。本方法は、電源からの電流をマルチフィラメントヒータの第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに印加するステップを含んでもよい。第１のフィラメントは、各端部において電源の第１の正端子および第２の正端子に接続されてもよく、第２のフィラメントは、各端部において電源の第１の負端子および第２の負端子に接続されてもよい。
【0019】
本方法はさらに、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントを使用して、カソード先端を加熱するステップを含んでもよい。第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、カソード先端において交差してもよく、第１の正端子、第２の正端子、第１の負端子、および第２の負端子は、カソード先端の周囲に交互に配列されてもよい。
【0020】
本方法は、カソード先端から磁気レンズを通してターゲットに向かって電子を放出するステップをさらに含んでもよい。カソード先端は、磁気レンズによって形成される磁場内に配置されてもよく、磁場によって第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに印加される磁力は、相殺され、カソード先端に印加される合成磁力を低減してもよい。
【0021】
本開示の実施形態によれば、電源から第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに電流を印加することは、第１のフィラメントに第１の電流を印加することと、第２のフィラメントに第２の電流を印加することとを含み得る。第１の電流は、第２の電流と等しくてもよい。
【0022】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントを使用する前にカソード先端を加熱することは、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントを使用する前にカソード先端を１６００Ｋ～１９００Ｋの温度に加熱することを含み得る。
【図面の簡単な説明】
【0023】
本開示の性質および目的をより完全に理解するために、添付の図面と併せて以下の詳細な説明を参照されたい。
【図1A】本開示の一実施形態による磁気浸漬電子銃の概略図である。
【図2A】本開示の別の実施形態による磁気浸漬電子銃の概略図である。
【図2B】本開示の実施形態による磁気液浸電子銃の磁気レンズの概略図である。
【図3A】本開示の一実施形態による、磁気液浸電子銃を使用して電子ビームを生成する方法のフローチャートである。
【図4A】本開示の別の実施形態による、磁気液浸電子銃を使用して電子ビームを生成する方法のフローチャートである。
【図5】本開示の実施形態による検査システムの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【0024】
特許請求される主題は、ある実施形態に関して説明されるが、本明細書に記載される利益および特徴の全てを提供しない実施形態を含む、他の実施形態もまた、本開示の範囲内である。様々な構造的、論理的、プロセスステップ、および電子的変更が、本開示の範囲から逸脱することなく行われ得る。したがって、開示の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照することによってのみ定義される。
【0025】
本開示の実施形態は、図１Ａに示すように、磁気浸漬電子銃１００を提供する。電子銃１００は、磁気レンズ１１０を含んでもよい。図２Ｂに示されるように、磁気レンズ１１０は、反対極性を有する一対の極片１１２から成ってもよい。磁気レンズ１１０は、開口１１４を画定する環状形状を有し得る。開口１１４は、１ｍｍ未満の直径を有してもよい。例えば、開口１１４は、５０～１００ミクロンの直径を有することができる。磁極片１１２は、図２Ｂの紙面から出てくるように示されている開口１１４内に磁場１１６を形成することができる。磁場１１６は、１００ガウス～１０００ガウス以上の磁束密度を有し得る。例えば、磁場１１６は、６００ガウスの磁束密度を有し得る。
【0026】
図１Ａに戻って参照すると、電子銃１００は、カソード先端（チップ）１２０をさらに備えてもよい。カソード先端１２０は、タングステン単結晶から構成されてもよい。カソード先端１２０は、長さ約２ｍｍ、直径１２０μｍの鋭利な針であってもよい。カソード先端部１２０の端部は、１ミクロン未満であってもよい。カソード先端部１２０は、磁場１１６内に配置することができる。例えば、カソード先端１２０は、磁気レンズ１１０の開口１１４に配置されてもよい。
【0027】
電子銃１００は、マルチフィラメントヒータ１３０をさらに含み得る。ヒータ１３０は、カソード先端１２０を直接加熱するように構成されてもよい。ヒータ１３０は、カソード先端１２０を１６００Ｋ～１９００Ｋの温度に加熱することができる。例えば、ヒータ１３０は、カソード先端１２０を１８００Ｋの温度に加熱することができる。ヒータ１３０を用いてカソード先端１２０を直接加熱することによって、カソード先端１２０は、磁気レンズ１１０を通して電子を放出することができる。磁場１１６は、電子を集束させ、電子をターゲットに向けることができる。
【0028】
マルチフィラメントヒータ１３０は、第１のフィラメント１３１を含んでもよい。第１のフィラメント１３１の両端は電源１４０の第１正極端子１４１ａ及び第２正極端子１４１ｂに接続される。例えば、第１のフィラメント１３１の第１端部１３１ａは電源１４０の第１正端子１４１ａに接続され、第１のフィラメント１３１の第２端部１３１ｂは電源１４０の第２正端子１４１ｂに接続される。
【0029】
マルチフィラメントヒータ１３０は、第２のフィラメント１３２をさらに備えることができる。第２のフィラメント１３２は、各端部において、第１の負端子１４２ａおよび第２の負端子１４２ｂに接続され得る。例えば、第２のフィラメント１３２の第１端部１３２ａは電源１４０の第１負端子１４２ａに接続され、第２のフィラメント１３２の第２端部１３２ｂは電源１４０の第２負端子１４２ｂに接続される。
【0030】
本開示の実施形態によれば、電源１４０の第１の正端子１４１ａ、第２の正端子１４１ｂ、第１の負端子１４２ａ、および第２の負端子１４２ｂは、カソード先端１２０の周囲に交互に配置され得る。例えば、第１のフィラメント１３１および第２のフィラメント１３２は、カソード先端１２０において交差してもよい。第１のフィラメント１３１および第２のフィラメント１３２は、０度（すなわち、接触しているが交差していない）と９０度との間の角度αで交差し得る。例えば、第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２は直交してもよく、すなわち、角度αは約９０度であってもよい。このようにして、電源１４０からの電流は、第１のフィラメント１３１および第２のフィラメント１３２を通って移動して、カソード先端部１２０を直接加熱することができる。
【0031】
磁場１１６は、電源１４０からの電流によって生成される残留磁場に起因して、第１のフィラメント１３１および第２のフィラメント１３２に磁力を印加し得ることが理解され得る。以前の設計では、この磁力は、カソード先端１２０の即時偏向を引き起こし得る。例えば、即時偏向は、カソード先端１２０に、磁場１１６に垂直な方向に数ミクロン変位させ得る。加えて、カソード先端１２０は、高温クリーピングを経験し得、これは、カソード先端１２０を、経時的な即時偏向と同じ方向にゆっくりと移動させ得る。例えば、高温クリープは、カソード先端１２０を１年にわたり４０ミクロンまで変位させ得る。変位が２ミクロンを超える場合、カソードの再整列が必要となり得る。しかし、本発明の電子銃１００によれば、磁力によるカソード先端１２０の変位を低減することができる。例えば、電源１４０の第１の正端子１４１ａ、第２の正端子１４１ｂ、第１の負端子１４２ａ及び第２の負端子１４２ｂの交互配置に基づいて、磁場１１６によって第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２に加えられる磁力を相殺することができる。したがって、カソード先端１２０に加えられる結果として生じる磁力は、２０％（すなわち、８０％以上の減少）未満または１０％（すなわち、９０％以上の減少）未満に低減され得る。これによりクリープを回避することができる。
【0032】
図１ｂを参照すると、電源１４０からの電流は、第１の負端子１４２ａおよび第２の負端子１４２ｂからカソード先端１２０に流れるように示され、電流は、カソード先端１２０から電源１４０の第１の正端子１３１ａおよび第２の正端子１３１ｂに流れる。磁気レンズ１１０によって生成された磁場１１６は、紙面から出るように示されている。磁場１１６は、第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２に矢印で示す方向に磁力Ｆを印加する。このように、電源１４０の第１の正端子１４１ａ、第２の正端子１４１ｂ、第１の負端子１４２ａ及び第２の負端子１４２ｂが交互に配置されることによって、第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２に印加される磁力Ｆが相殺される。
【0033】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２は、同じ断面を有し得る。例えば、第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２の直径は、３０～２５０μｍであってもよい。特定の実施形態では、第１のフィラメント１３１および第２のフィラメントは、５０～１５０μｍの直径を有し得る。第１のフィラメント１３１および第２のフィラメント１３２は、同じ材料から作製され得る。例えば、第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２は、タングステン－レニウム合金であってもよい。タングステン－レニウム合金は、最大２７％のレニウムを含み得る。例えば、タングステン－レニウム合金は、１％、３％、５％、１３％、もしくは２０％のレニウム、または他の一般的に入手可能なタングステン－レニウム合金を含んでもよい。他のタングステン合金を使用してもよい。第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２は、同じ電流を流すことができる。例えば、電流は、１Ａから２Ａの間であってもよいが、特定の設計およびシステム条件に応じて、他の電流が印加されてもよい。第１のフィラメント１３１および第２のフィラメント１３２のパラメータの類似性は、磁場１１６によって反対方向に印加される同様の磁力をもたらし得ることを理解されたい。したがって、第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２に印加された磁力は、カソード先端１２０の変位を相殺して減少させることができる。
【0034】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２は、異なる材料で作製されてもよい。例えば、第１のフィラメント１３１は第１の材料から構成されてもよく、第２のフィラメント１３２は第２の材料から構成されてもよい。第１の材料は、最大５％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金であってもよい。第２の材料は、２０％～２７％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金であってもよい。タングステン合金の他の組み合わせを使用してもよい。第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２は、互いに異なる断面を有することができる。例えば、第１のフィラメント１３１の断面及び第２のフィラメント１３２の断面は、第１材料の比抵抗及び第２材料の比抵抗に反比例する。特定の実施形態では、第１のフィラメント１３１は、７０～８０ミクロンの直径を有してもよく、第２のフィラメント１３２は、１１０～１２０ミクロンの直径を有してもよい。第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２は、異なる電流を流すことができる。第１のフィラメント１３１および第２のフィラメント１３２の特定のパラメータは異なっていてもよいが、それらは、磁場１１６によって反対方向に印加される同様の磁力を依然として生じ得ることを理解されたい。したがって、第１のフィラメント１３１及び第２のフィラメント１３２に印加された磁力は、カソード先端の変位を相殺して減少させることができる。
【0035】
本開示の別の実施形態は、図２Ａに示すように、磁気浸漬電子銃２００を提供する。電子銃２００は、磁気レンズ２１０を含んでもよい。図２Ｂに示されるように、磁気レンズ２１０は、反対極性を有する一対の極片２１２から成ってもよい。磁気レンズ２１０は、開口２１４を画定する環状形状を有し得る。開口２１４は、１ｍｍ未満の直径を有してもよい。例えば、開口２１４は、５０～１００ミクロンの直径を有することができる。磁極片２１２は、図２Ｂの紙面から出てくるように示されている開口２１４内に磁場２１６を形成することができる。磁場２１６は、１００ガウス～１０００ガウス以上の磁束密度を有し得る。例えば、磁場２１６は、６００ガウスの磁束密度を有し得る。
【0036】
再び図２Ａを参照すると、電子銃２００は、カソード先端２２０をさらに備えることができる。カソード先端２２０は、タングステン単結晶から構成されてもよい。カソード先端２２０は、長さ約２ｍｍ、直径１２０μｍの鋭利な針であってもよい。カソード先端２２０の端部は、１ミクロン未満であってもよい。カソード先端２２０は、磁場２１６内に配置されうる。例えば、カソード先端２２０は、磁気レンズ１１０の開口１１４に配置されてもよい。
【0037】
電子銃２００は、マルチフィラメントヒータ２３０をさらに備えてもよい。ヒータ２３０は、カソード先端２２０を直接加熱するように構成されてもよい。ヒータ２３０は、カソード先端２２０を１６００Ｋ～１９００Ｋの温度に加熱することができる。例えば、ヒータ２３０は、カソード先端２２０を１８００Ｋの温度に加熱することができる。ヒータ２３０を用いてカソード先端２２０を直接加熱することにより、カソード先端２２０は、磁気レンズ２１０を介して電子を放出することができる。磁場２１６は、電子を集束させ、電子をターゲットに向けることができる。
【0038】
マルチフィラメントヒータ２３０は、第１のフィラメント２３１および第２のフィラメント２３２を含んでもよい。第１のフィラメント２３１および第２のフィラメント２３２は、電源２４０の正端子２４１および負端子２４２に各端部で接続され得る。例えば、第１のフィラメント２３１の第１の端部２３１ａ及び第２のフィラメント２３２の第１の端部２３２ａは、電源２４０の正端子２４１に接続されてもよく、第１のフィラメント２３１の第２の端部２３１ｂ及び第２のフィラメント２３２の第２の端部２３２ｂは、電源２４０の負端子２４２に接続されてもよい。
【0039】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメント２３１および第２のフィラメント２３２は、カソード先端２２０において交差し得る。例えば、第１のフィラメント２３１及び第２のフィラメント２３２は鋭角で交差してもよい。このようにして、電源２４０からの電流は、第１のフィラメント２３１および第２のフィラメント２３２を通って移動して、カソード先端２２０を直接加熱することができる。
【0040】
磁場２１６は、電源２４０からの電流によって生成される残留磁場に起因して、第１のフィラメント２３１および第２のフィラメント２３２に磁力を印加し得ることが理解され得る。以前の設計では、この磁力は、カソード先端２２０の即座の偏向を引き起こし得る。例えば、即時偏向は、カソード先端２２０を磁場２１６に垂直な方向に数ミクロン変位させ得る。加えて、カソード先端２２０は、高温クリーピングを経験し得、これは、カソード先端２２０を、経時的な即時偏向と同じ方向にゆっくりと移動させ得る。例えば、高温クリープは、カソード先端２２０を１年間にわたり４０ミクロンまで変位させ得る。変位が２ミクロンを超える場合、カソードの再整列が必要となり得る。しかし、本発明の電子銃２００によれば、磁力によるカソード先端２２０の変位を低減することができる。例えば、第１のフィラメント２３１と第２のフィラメント２３２との交差配置に基づいて、ヒータ２３０は、以前の設計よりも剛性であり得、したがって、磁場２１６によって印加される磁力によって引き起こされる変位が低減され得る。ヒータ２３０は、以前の設計よりも６～１２倍剛性であり得る。
【0041】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメント２３１及び第２のフィラメント２３２は、同じ断面を有し得る。例えば、第１のフィラメント２３１及び第２のフィラメント２３２の直径は、３０～２５０μｍであってもよい。特定の実施形態では、第１のフィラメント２３１および第２のフィラメント２３２は、５０～１５０μｍの直径を有し得る。第１のフィラメント２３１および第２のフィラメント２３２は、同じ材料から作製され得る。例えば、第１のフィラメント２３１及び第２のフィラメント２３２は、タングステン－レニウム合金であってもよい。タングステン－レニウム合金は、最大２７％のレニウムを含み得る。例えば、タングステン－レニウム合金は、１％、３％、５％、１３％、もしくは２０％のレニウム、または他の一般的に入手可能なタングステン－レニウム合金を含んでもよい。他のタングステン合金を使用してもよい。第１のフィラメント２３１及び第２のフィラメント２３２は、同じ電流を搬送することができる。例えば、電流は、１Ａから２Ａの間であってもよいが、特定の設計およびシステム条件に応じて、他の電流が印加されてもよい。第１のフィラメント２３１及び第２のフィラメント２３２のパラメータの類似性は、ヒータ２３０において均一な剛性をもたらし得ることが理解され得る。したがって、第１のフィラメント２３１および第２のフィラメント２３２に印加される磁力は、電子銃２００の剛性に起因して、従来技術の設計と比較して、カソード先端２２０の変位の低減をもたらし得る。
【0042】
本開示の実施形態は、磁気液浸電子銃を使用して電子ビームを生成する方法３００を提供する。方法３００は、本開示の電子銃１００に適用されてもよい。図３Ａに示すように、方法３００は、以下のステップを含むことができる。
【0043】
ステップ３１０において、電源からの電流をマルチフィラメントヒータの第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに印加する。第１のフィラメントは、各端部において電源の第１の正端子および第２の正端子に接続されてもよく、第２のフィラメントは、各端部において電源の第１の負端子および第２の負端子に接続されてもよい。例えば、第１のフィラメントの第１の端部は、電源の第１の正端子に接続されてもよく、第１のフィラメントの第２の端部は、電源の第２の正端子に接続されてもよい。第２のフィラメントの第１の端部は、電源の第１の負端子に接続されてもよく、第２のフィラメントの第２の端部は、電源の第２の負端子に接続されてもよい。この例を図１Ａ～１Ｂに示す。
【0044】
ステップ３２０において、カソード先端は、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントを使用して加熱される。カソード先端は、タングステン単結晶から構成されてもよい。カソード先端は、長さ約２ｍｍ、直径１２０μｍの鋭利な針であってもよい。カソード先端の端部は、１ミクロン未満であってもよい。ヒータは、カソード先端を１６００Ｋ～１９００Ｋの温度に加熱することができる。例えば、ヒータは、カソード先端を１８００Ｋの温度に加熱することができる。電源の第１の正端子、第２の正端子、第１の負端子、および第２の負端子は、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントがカソード先端において交差するように、カソード先端の周囲に交互に配置されてもよい。第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、０度（すなわち、接触しているが交差していない）と９０度との間の角度で交差してもよい。例えば、第１のフィラメント及び第２のフィラメントは直交していてもよい。このように、電源からの電流は、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントを通って移動し、カソード先端を直接加熱してもよい。
【0045】
ステップ３３０において、電子は、カソード先端から磁気レンズを通してターゲットに向かって放出される。磁気レンズは、開口を画定する環状形状を有してもよい。開口は、１ｍｍ未満の直径を有してもよい。例えば、開口は、５０～１００μｍの直径を有し得る。磁極片は、開口内に磁場を形成することができる。磁場は、１００ガウス～１０００ガウス、またはそれ以上の磁束密度を有し得る。例えば、磁場は、６００ガウスの磁束密度を有し得る。カソード先端は、磁気レンズによって形成される磁場内に配置されてもよい。例えば、カソード先端は、開口内に配置されてもよい。磁場によって第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに加えられる磁力は相殺され得、その結果、カソード先端に加えられる結果として生じる磁力は、２０％（すなわち、８０％以上の減少）未満または１０％（すなわち、９０％以上の減少）未満に低減され得る。これによりクリープを回避することができる。
【0046】
磁場は、電源からの電流によって生成される残留磁場に起因して、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに磁力を印加し得ることが理解され得る。先行技術の方法では、この磁力は、カソード先端の即座の偏向を引き起こし得る。例えば、即時偏向は、カソード先端を磁場に垂直な方向に数ミクロン変位させ得る。加えて、カソード先端は、高温クリーピングを経験し得、これは、カソード先端を、経時的な即時偏向と同じ方向にゆっくりと移動させ得る。例えば、高温クリープは、カソード先端を１年にわたり４０ミクロンまで変位させ得る。変位が２ミクロンを超える場合、カソードの再整列が必要とされる。しかしながら、本開示の方法３００では、磁力によるカソード先端の変位が低減され得る。例えば、電源の第１の正端子、第２の正端子、第１の負端子及び第２の負端子の交互配置に基づいて、磁場によって第１のフィラメント及び第２のフィラメントに印加される磁力を相殺することができる。
【0047】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、同じ断面を有してもよい。例えば、前記第１のフィラメント及び前記第２のフィラメントの直径は、３０～２５０μｍであってもよい。特定の実施形態では、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、５０～１５０μｍの直径を有し得る。第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、同じ材料から作製されてもよい。例えば、第１のフィラメント及び第２のフィラメントは、タングステン－レニウム合金であってもよい。タングステン－レニウム合金は、最大２７％のレニウムを含み得る。例えば、タングステン－レニウム合金は、１％、３％、５％、１３％、もしくは２０％のレニウム、または他の一般的に入手可能なタングステン－レニウム合金を含んでもよい。他のタングステン合金を使用してもよい。
【0048】
第１のフィラメント及び第２のフィラメントは、同じ電流を流すことができる。例えば、ステップ３１０は、図３Ｂに示すように、以下のステップを含んでもよい。ステップ３１２において、第１の電流が第１のフィラメントに印加される。ステップ３１４において、第２の電流が第２のフィラメントに印加される。例えば、第１の電流および第２の電流は、１Ａ～２Ａであってもよいが、特定の設計およびシステム条件に応じて、他の電流が印加されてもよい。
【0049】
第１のフィラメントおよび第２のフィラメントのパラメータの類似性は、磁場によって反対方向に印加される同様の磁力をもたらし得ることを理解されたい。したがって、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに加えられる磁力は、相殺し、カソード先端の変位を低減し得る。
【0050】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、異なる材料から作製され得る。例えば、第１のフィラメントは、第１の材料から構成されてもよく、第２のフィラメントは、第２の材料から構成されてもよい。第１の材料は、最大５％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金であってもよい。第２の材料は、２０％～２７％のレニウムを含むタングステン－レニウム合金であってもよい。タングステン合金の他の組み合わせを使用してもよい。第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、異なる断面を有してもよい。例えば、第１のフィラメントの断面および第２のフィラメントの断面は、第１材料の比抵抗および第２材料の比抵抗に反比例してもよい。特定の実施形態では、第１のフィラメントは、７０～８０ミクロンの直径を有してもよく、第２のフィラメントは、１１０～１２０ミクロンの直径を有してもよい。第１のフィラメント及び第２のフィラメントは、異なる電流を流すことができる。第１のフィラメントおよび第２のフィラメントの特定のパラメータは異なっていてもよいが、それらは、磁場によって反対方向に印加される同様の磁力を依然として生じ得ることを理解されたい。したがって、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに加えられる磁力は、相殺し、カソード先端の変位を低減し得る。
【0051】
本開示の実施形態は、磁気液浸電子銃を使用して電子ビームを生成する方法４００を提供する。方法４００は、本開示の電子銃２００に適用されてもよい。図４Ａに示すように、方法４００は、以下のステップを含むことができる。
【0052】
ステップ４１０において、電源からの電流がマルチフィラメントヒータの第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに印加される。第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、各端部において、電源への正端子および負端子に接続されてもよい。例えば、第１のフィラメントの第１の端部および第２のフィラメントの第１の端部は、電源の正端子に接続されてもよく、第１のフィラメントの第２の端部および第２のフィラメントの第２の端部は、電源の負端子に接続されてもよい。一例を図２Ａに示す。
【0053】
ステップ４２０において、カソード先端は、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントを使用して加熱される。カソード先端は、長さ約２ｍｍ、直径１２０μｍの鋭利な針であってもよい。カソード先端の端部は、１ミクロン未満であってもよい。ヒータは、カソード先端を１６００Ｋ～１９００Ｋの温度に加熱することができる。例えば、ヒータは、カソード先端を１８００Ｋの温度に加熱することができる。第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、カソード先端において交差してもよい。第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、０度（すなわち、接触しているが交差していない）と９０度との間の角度で交差してもよい。例えば、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、鋭角で交差してもよい。このように、電源からの電流は、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントを通って移動し、カソード先端を直接加熱してもよい。
【0054】
ステップ４３０では、電子は、カソード先端から磁気レンズを通してターゲットに向かって放出される。カソード先端は、磁気レンズによって形成される磁場内に配置されてもよい。磁気レンズは、開口を画定する環状形状を有してもよい。開口は、１ｍｍ未満の直径を有してもよい。例えば、開口は、５０～１００ミクロンの直径を有し得る。磁場は、１００ガウス～１０００ガウス、またはそれ以上の磁束密度を有し得る。例えば、磁場は、６００ガウスの磁束密度を有し得る。ヒータの剛性は、磁場によって第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに印加される磁力によって引き起こされるカソード先端の変位を低減させ得る。例えば、ヒータは、以前の設計よりも６～１２倍剛性であり得る。
【0055】
本開示の実施形態によれば、第１のフィラメント及び第２のフィラメントは、同じ断面を有してもよく、例えば、第１のフィラメント及び第２のフィラメントは、３０～２５０μｍの直径を有してもよい。特定の実施形態では、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、５０～１５０μｍの直径を有し得る。第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、同じ材料から作製されてもよい。例えば、第１のフィラメント及び第２のフィラメントは、タングステン－レニウム合金であってもよい。タングステン－レニウム合金は、最大２７％のレニウムを含み得る。例えば、タングステン－レニウム合金は、１％、３％、５％、１３％、もしくは２０％のレニウム、または他の一般的に入手可能なタングステン－レニウム合金を含んでもよい。他のタングステン合金を使用してもよい。
【0056】
第１のフィラメントおよび第２のフィラメントは、同じ電流を流すことができる。例えば、ステップ４１０は、図４Ｂに示すように、以下のステップを含んでもよい。ステップ４１２において、第１の電流が第１のフィラメントに印加される。ステップ４１４において、第２の電流が第２のフィラメントに印加される。例えば、第１の電流および第２の電流は、１Ａと２Ａとの間であってもよいが、特定の設計およびシステム条件に応じて、他の電流が印加されてもよい。
【0057】
第１のフィラメント及び第２のフィラメントのパラメータの類似性は、ヒータにおいて均一な剛性をもたらし得ることが理解され得る。したがって、第１のフィラメントおよび第２のフィラメントに印加される磁力は、電子銃２００の剛性に起因して、従来技術の設計と比較して、カソード先端の変位の低減をもたらし得る。
【0058】
図５は、システム５００の実施形態のブロック図である。システム５００は、ウェハ５０４の画像を生成するように構成されたウェハ検査ツール（電子コラム５０１を含む）を含む。
【0059】
ウェハ検査ツールは、少なくともエネルギー源および検出器を含む出力取得サブシステムを含む。出力取得サブシステムは、電子ビームベースの出力取得サブシステムであってもよい。例えば、一実施形態では、ウェハ５０４に向けられたエネルギーは電子を含み、ウェハ５０４から検出されたエネルギーは電子を含む。このようにして、エネルギー源は電子ビーム源とすることができる。図５に示される１つのそのような実施形態では、出力取得サブシステムは、コンピュータサブシステム５０２に結合される電子カラム５０１を含む。ステージ５１０は、ウェハ５０４を保持することができる。
【0060】
また図５に示すように、電子カラム５０１は、１つまたは複数の要素５０５によってウェハ５０４に集束される電子を生成するように構成された電子ビーム源を含む。電子ビーム源５０３は、例えば、本開示の電子銃１００または電子銃２００を含むカソード源またはエミッタ先端を含み得る。１つまたは複数の要素５０５は、たとえば、磁気レンズ１１０（または磁気レンズ２１０）、ガンレンズ、アノード、ビーム制限アパーチャ、ゲートバルブ、ビーム電流選択アパーチャ、対物レンズ、および走査サブシステムを含むことができ、これらのすべては、当技術分野で知られている任意のそのような好適な要素を含むことができる。
【0061】
ウェハ５０４から戻された電子（例えば、二次電子）は、１つ以上の要素５０６によって検出器５０７に集束されてもよい。１つまたは複数の要素５０６は、たとえば、要素５０５に含まれるのと同じ走査サブシステムであり得る走査サブシステムを含み得る。
【0062】
電子カラム５０１はまた、当技術分野で公知の任意の他の好適な要素を含んでもよい。
【0063】
電子カラム５０１は、電子が斜めの入射角でウェハ５０４に向けられ、別の斜めの角度でウェハ５０４から散乱されるように構成されるものとして図５に示されているが、電子ビームは、任意の適切な角度でウェハ５０４に向けられ、そこから散乱されてもよい。さらに、電子ビームベースの出力取得サブシステムは、ウェハ５０４の画像（例えば、異なる照明角度、集光角度などを有する。）を生成するために複数のモードを使用するように構成することができる。電子ビームベースの出力取得サブシステムの複数のモードは、出力取得サブシステムの任意の画像生成パラメータにおいて異なり得る。
【0064】
コンピュータサブシステム５０２は、上述のように検出器５０７に結合することができる。検出器５０７は、ウェハ５０４の表面から戻ってきた電子を検出し、それによってウェハ５０４の電子ビーム画像を形成することができる。電子ビーム画像は、任意の適切な電子ビーム画像を含み得る。コンピュータサブシステム５０２は、検出器５０７の出力および／または電子ビーム画像を使用して、本明細書に説明される機能のうちのいずれかを行うように構成されてもよい。コンピュータサブシステム５０２は、本明細書に記載される任意の追加のステップを実行するように構成され得る。図５に示される出力取得サブシステムを含むシステム５００は、本明細書に記載されるようにさらに構成され得る。
【0065】
図５は、本明細書で説明される実施形態で使用され得る電子ビームベースの出力取得サブシステムの構成を概略的に図示するために本明細書で提供されることに留意されたい。本明細書で説明される電子ビームベースの出力取得サブシステム構成は、商業的出力取得システムを設計するときに通常行われるように、出力取得サブシステムの性能を最適化するように変更されてもよい。加えて、本明細書で説明されるシステムは、既存のシステム（たとえば、本明細書で説明する機能を既存のシステムに追加することによって、）を使用して実装され得る。いくつかのそのようなシステムに関して、本明細書で説明される方法は、システムの随意の機能性（例えば、システムの他の機能に加えて、）として提供されてもよい。代替として、本明細書に説明されるシステムは、完全に新しいシステムとして設計されてもよい。
【0066】
出力取得サブシステムは、電子ビームベースの出力取得サブシステムとして上述されているが、出力取得サブシステムは、イオンビームベースの出力取得サブシステムであってもよい。そのような出力取得サブシステムは、電子ビーム源が当技術分野で公知の任意の好適なイオンビーム源と置換され得ることを除いて、図５に示されるように構成され得る。加えて、出力取得サブシステムは、市販の集束イオンビーム（ＦＩＢ）システム、ヘリウムイオン顕微鏡（ＨＩＭ）システム、および二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）システムに含まれるもの等の任意の他の好適なイオンビームベースの出力取得サブシステムであってもよい。
【0067】
コンピュータサブシステム５０２は、プロセッサ５０８および電子データ記憶ユニット５０９を含む。プロセッサ５０８は、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、または他のデバイスを含み得る。
【0068】
コンピュータサブシステム５０２は、プロセッサ５０８が出力を受信することができるように、任意の適切な様式（例えば、有線および／または無線伝送媒体を含むことができる１つまたは複数の伝送媒体を介する）でシステム５００の構成要素に結合され得る。プロセッサ５０８は、出力を使用していくつかの機能を実行するように構成され得る。ウェハ検査ツールは、プロセッサ５０８から命令又は他の情報を受信することができる。プロセッサ５０８および／または電子データ記憶ユニット５０９は、任意選択で、別のウェハ検査ツール、ウェハ計測ツール、またはウェハレビューツール（図示せず）と電子通信して、追加の情報を受信するか、または命令を送信することができる。
【0069】
プロセッサ５０８は、検出器５０７などのウェハ検査ツールと電子通信する。プロセッサ５０８は、検出器５０７からの測定値を使用して生成された画像を処理するように構成され得る。たとえば、プロセッサは、方法３００または方法４００の実施形態を実行することができる。
【0070】
コンピュータサブシステム５０２、他のシステム、または本明細書で説明される他のサブシステムは、パーソナルコンピュータシステム、画像コンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、ネットワークアプライアンス、インターネットアプライアンス、または他のデバイスを含む、種々のシステムの一部であってもよい。サブシステムまたはシステムは、並列プロセッサなど、当技術分野で知られている任意の適切なプロセッサも含み得る。加えて、サブシステムまたはシステムは、スタンドアロンツールまたはネットワークツールのいずれかとして、高速処理およびソフトウェアを有するプラットフォームを含んでもよい。
【0071】
プロセッサ５０８および電子データ記憶ユニット５０９は、システム５００または別のデバイスの中に配置されるか、または別様にその一部であり得る。ある例では、プロセッサ５０８および電子データ記憶ユニット５０９は、独立型制御ユニットの一部であってもよく、または集中型品質制御ユニットであってもよい。複数のプロセッサ５０８または電子データ記憶ユニット５０９が使用され得る。
【0072】
プロセッサ５０８は、実際には、ハードウェア、ソフトウェア、およびファームウェアの任意の組合せによって実装され得る。また、本明細書で説明されるようなその機能は、１つのユニットによって実行されてもよく、または異なる構成要素の間で分割されてもよく、その各々は、ハードウェア、ソフトウェア、およびファームウェアの任意の組み合わせによって順に実装されてもよい。プロセッサ５０８が様々な方法および機能を実装するためのプログラムコードまたは命令は、電子データ記憶ユニット５０９内のメモリまたは他のメモリなどの可読記憶媒体に記憶され得る。
【0073】
システム５００が複数のコンピュータサブシステム５０２を含む場合、画像、データ、情報、命令などをサブシステム間で送信できるように、異なるサブシステムを互いに結合することができる。たとえば、１つのサブシステムは、当技術分野で知られている任意の適切な有線および／または無線伝送媒体を含み得る任意の適切な伝送媒体によって追加のサブシステムに結合され得る。そのようなサブシステムのうちの２つ以上はまた、共有コンピュータ可読記憶媒体（図示せず）によって効果的に結合されてもよい。
【0074】
プロセッサ５０８は、システム５００の出力または他の出力を使用して、いくつかの機能を実行するように構成され得る。たとえば、プロセッサ５０８は、出力を電子データ記憶ユニット５０９または別の記憶媒体に送るように構成され得る。プロセッサ５０８は、本明細書で説明するようにさらに構成され得る。
【0075】
プロセッサ５０８またはコンピュータサブシステム５０２は、欠陥レビューシステム、検査システム、計測システム、または何らかの他のタイプのシステムの一部であってもよい。したがって、本明細書で開示される実施形態は、異なる用途に多かれ少なかれ適している異なる能力を有するシステムのためにいくつかの方法で調整され得るいくつかの構成を説明する。
【0076】
プロセッサ５０８は、本明細書で説明される実施形態のいずれかに従って構成され得る。プロセッサ５０８はまた、システム５００の出力を使用して、または他のソースからの画像もしくはデータを使用して、他の機能または追加のステップを行うように構成されてもよい。例えば、プロセッサ５０８は、電子ビーム源５０３への電流を調整することができる。
【0077】
プロセッサ５０８は、当技術分野で知られている任意の方法で、システム５００の様々な構成要素またはサブシステムのいずれかに通信可能に結合され得る。さらに、プロセッサ５０８は、有線および／または無線部分を含み得る伝送媒体によって、他のシステム（例えば、レビューツールなどの検査システムからの検査結果、設計データを含むリモートデータベースなど）からデータまたは情報を受信および／または取得するように構成され得る。このようにして、伝送媒体は、プロセッサ５０８とシステム５００の他のサブシステムまたはシステム５００の外部のシステムとの間のデータリンクとして機能し得る。
【0078】
システム５００および本明細書で開示される方法の様々なステップ、機能、および／または動作は、以下のうちの１つまたは複数によって実行される：電子回路、論理ゲート、マルチプレクサ、プログラマブル論理デバイス、ＡＳＩＣ、アナログもしくはデジタル制御／スイッチ、マイクロコントローラ、またはコンピューティングシステム。本明細書で説明されるもの等の方法を実装するプログラム命令は、キャリア媒体を介して伝送されるか、またはキャリア媒体上に記憶されてもよい。キャリア媒体は、読取り専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、磁気または光ディスク、不揮発性メモリ、ソリッドステートメモリ、磁気テープなどの記憶媒体を含み得る。キャリア媒体は、ワイヤ、ケーブル、またはワイヤレス伝送リンクなどの伝送媒体を含み得る。例えば、本開示全体にわたって説明される様々なステップは、単一のプロセッサ５０８（またはコンピュータサブシステム５０２）、または代替として、複数のプロセッサ５０８（または複数のコンピュータサブシステム５０２）によって実行され得る。さらに、システム５００の異なるサブシステムは、１つ以上のコンピューティングまたは論理システムを含んでもよい。したがって、上記の説明は、本開示に対する限定として解釈されるべきではなく、単なる例示として解釈されるべきである。
【0079】
本開示は、１つ以上の特定の実施形態に関して説明されたが、本開示の他の実施形態が、本開示の範囲から逸脱することなく行われ得ることが理解されるであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びその妥当な解釈によってのみ限定されると見なされる。
【図1A】
【図1B】
【図2A】
【図2B】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5】
【国際調査報告】