▶ サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニーの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-10-12
(54)【発明の名称】レーザチャンバの封止機構のための電磁シールド
(51)【国際特許分類】
H01S 3/032 20060101AFI20231004BHJP
H01S 3/038 20060101ALI20231004BHJP
【ＦＩ】
H01S3/032
H01S3/038
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023513985
(86)(22)【出願日】2021-08-27
(85)【翻訳文提出日】2023-04-26
(86)【国際出願番号】 US2021047881
(87)【国際公開番号】W WO2022072088
(87)【国際公開日】2022-04-07
(31)【優先権主張番号】63/084,746
(32)【優先日】2020-09-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】513192029
【氏名又は名称】サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】カーメチ，モハマド，アミン
【テーマコード（参考）】
5F071
【Ｆターム（参考）】
5F071AA06
5F071CC10
5F071DD02
5F071FF06
5F071FF09
5F071JJ10
(57)【要約】
光源用の装置は、チャネルを画定する電気絶縁体と、電気絶縁体の少なくとも一部を包囲するガスケットと、チャネルとガスケットとの間のシールドと、を含む。チャネルは、電気導体を受容するように構成されている。ガスケットは、非金属性材料を含む。
【選択図】図４
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光源用の装置であって、チャネルを画定する電気絶縁体であって、前記チャネルは電気導体を受容するように構成されている、電気絶縁体と、
前記電気絶縁体の少なくとも一部を包囲するガスケットであって、非金属性材料を備える、ガスケットと、
前記チャネルと前記ガスケットとの間のシールドと、
を備える、装置。
【請求項2】
前記シールドは、前記電気導体内の電流によって生成される磁場を低減するように構成されている、請求項１の装置。
【請求項3】
前記シールドは、前記ガスケットの近くに実質的に電場が存在しないように、前記磁場を遮断するように構成されている、請求項２の装置。
【請求項4】
前記シールド、磁性金属を備える、請求項１の装置。
【請求項5】
前記シールドは、ミューメタルを備える、請求項１の装置。
【請求項6】
前記ガスケットは、エラストマ材料を備える、請求項１の装置。
【請求項7】
前記電気絶縁体は、基部と、前記基部から延在するステム部と、を備え、前記チャネルは、前記ステム部及び前記基部を貫通する、請求項１の装置。
【請求項8】
前記シールドは、前記ステム部の外側の一部を包囲する、請求項７の装置。
【請求項9】
前記ステム部は、円筒であり、前記チャネルは、前記円筒を貫通し、
前記基部は、前記ステム部から直交方向に延在する、請求項７の装置。
【請求項10】
前記チャネルは、前記円筒と同心であり、前記基部は、前記円筒と同心である、請求項９の装置。
【請求項11】
前記電気絶縁体は、実質的に円筒体であり、前記シールドは、前記円筒体の外側の一部を包囲する、請求項１の装置。
【請求項12】
前記シールドは、フェライト又は鉄合金を備える、請求項１の装置。
【請求項13】
ハウジングと、前記ハウジング内の電極と、
前記ハウジングを貫通する、前記電極に電気的に接続された電気導体と、
前記電気導体の一部を包囲する電気絶縁体と、
前記電気絶縁体を包囲するガスケットと、
前記電気絶縁体の周囲のシールドであって、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、シールドと、
を備える、放電チャンバ。
【請求項14】
前記シールドは、前記電気絶縁体と前記ガスケットとの間に配設されている、請求項１３の放電チャンバ。
【請求項15】
前記ガスケットは、電気絶縁材料を備える、請求項１３の放電チャンバ。
【請求項16】
前記電気絶縁材料は、エラストマを備える、請求項１５の放電チャンバ。
【請求項17】
前記ガスケットは、Ｏリングを備える、請求項１５の放電チャンバ。
【請求項18】
前記ハウジングは、内壁を備え、前記内壁は、導電性材料を備える、請求項１３の放電チャンバ。
【請求項19】
前記ハウジング内に第２の電極を更に備える、請求項１３の放電チャンバ。
【請求項20】
前記ハウジングは、ガス状利得媒質を含有する、請求項１９の放電チャンバ。
【請求項21】
前記ガス状利得媒質は、フッ素を備える、請求項２０の放電チャンバ。
【請求項22】
前記ガスケットは、フッ素化材料を備える、請求項２１の放電チャンバ。
【請求項23】
前記シールドは、電気導体を流れる時変電流によって生成される過渡磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、請求項１３の放電チャンバ。
【請求項24】
前記放電チャンバは、Ｎ個の電気絶縁体と、
Ｎ個のガスケットと、
Ｎ個の電気導体と、を備えており、
Ｎは、１よりも大きい整数であり、
前記Ｎ個の電気絶縁体の各々は、前記電気導体のうちの１つを包囲し、
前記Ｎ個のガスケットの各々は、前記Ｎ個の電気絶縁体のうちの１つを包囲し、
前記Ｎ個のガスケットのうち少なくとも１つは、全体が金属性である、請求項１３の放電チャンバ。
【請求項25】
前記放電チャンバは、深紫外（ＤＵＶ）光源において使用されるように構成されている、請求項１３の放電チャンバ。
【請求項26】
前記ガスケットは、溝内にあり、前記シールドは、前記電気絶縁体と前記溝との間にある、請求項１３の放電チャンバ。
【請求項27】
深紫外（ＤＵＶ）光源であって、第１のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第１のチャンバを備えており、
前記第１のチャンバは、
第１のハウジングと、
前記第１のハウジング内の第１の電極アセンブリと、
第１の電気導体を受容するように構成された第１のチャネルを備える第１の絶縁体であって、前記第１の電気導体は前記第１の電極アセンブリに電気的に接続するように構成されている、第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の一部を包囲する第１のガスケットと、
前記第１のチャネルの一部を包囲する第１のシールドであって、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、第１のシールドと、
を有する、ＤＵＶ光源。
【請求項28】
第２のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第２のチャンバを更に備え、前記第２のチャンバは、
第２のハウジングと、
前記第２のハウジング内の第２の電極アセンブリと、
第２の電気導体を受容するように構成された第２のチャネルを備える第２の絶縁体であって、前記第２の電気導体は前記第２の電極アセンブリに電気的に接続するように構成されている、第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体の一部を包囲する第２のガスケットと、
前記第２のチャネルの一部を包囲する第２のシールドであって、前記第１のシールドは磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、第２のシールドと、
を有する、請求項２７のＤＵＶ光源。
【請求項29】
前記第１のシールドは、前記第１のガスケットと同心であり、前記第２のシールドは、前記第２のガスケットと同心である、請求項２８のＤＵＶ光源。
【請求項30】
前記第１のパルス光ビームは、シード光ビームを備え、前記第２のチャンバは、前記シード光ビームを受けるように位置決めされ、
前記第２のパルス光ビームは、前記シード光ビームに基づいている、請求項２８のＤＵＶ光源。
【請求項31】
前記第１のパルス光ビーム及び前記第２のパルス光ビームは、共通のビームコンバイナに向けて放出される、請求項２８のＤＵＶ光源。
【請求項32】
前記第１ガスケット及び前記第２のガスケットは、エラストマ材料を備える、請求項３０のＤＵＶ光源。
【請求項33】
前記第１の電極アセンブリは、第１のアノード及び第１のカソードを備え、前記第１の電気導体は、前記第１のカソードに電気的に接続するように構成されている、請求項２８のＤＵＶ光源。
【請求項34】
前記第１の電極アセンブリは、第１のアノード及び第１のカソードを備え、前記第１の電気導体は、前記第１のカソードに電気的に接続するように構成されており、
前記第２の電極アセンブリは、第２のアノード及び第２のカソードを備え、
前記第２の電気導体は、前記第２のカソードに電気的に接続するように構成されている、請求項３０のＤＵＶ光源。
【請求項35】
前記第１のハウジングの外部に電源を更に備え、前記電源は、前記電気導体に電気的に接続するように構成されており、
動作使用時には、前記電源は、高電圧励起パルスを前記電気導体に提供する、請求項２７のＤＵＶ光源。
【請求項36】
前記第１のシールドは、前記第１のガスケットと前記第１の絶縁体との間に同心に配設され、前記第２のシールドは、前記第２のガスケットと前記第１の絶縁体との間に同心に配設される、請求項２８のＤＵＶ光源。
【請求項37】
レーザを動作させる方法であって、絶縁体と構成要素との間にシールドを提供することであって、前記絶縁体は前記レーザの放電チャンバの壁を貫通し、前記絶縁体はチャネルを画定することと、
前記チャネル内に電気導体を設置することと、
前記レーザの前記放電チャンバ内の電極を充電するために前記電気導体に時変電流を伝導することと、を含み、
前記シールドは、前記構成要素の近くに実質的に電場が存在しないように、前記電気導体の周囲に形成される磁場を遮断する、方法。
【請求項38】
前記構成要素は、エラストマガスケットを備える、請求項３７の方法。
【請求項39】
ガス状利得媒質を前記放電チャンバに提供することを更に備え、前記構成要素は、前記チャンバを封止して前記ガス状利得媒質が前記チャンバから漏出することを防止するように構成されたガスケットであり、
前記シールドは、前記構成要素の近くに実質的に電場が存在しないように、及び前記構成要素において実質的に前記ガス状利得媒質のプラズマが形成されないように、前記電気導体の周囲に形成される磁場を遮断する、請求項３７の方法。
【請求項40】
放電チャンバと、前記放電チャンバ内の電極と、
電気絶縁構造であって、
前記放電チャンバ内の基部であって、前記電極と前記放電チャンバの外壁との間に延在する、基部と、
前記基部から前記放電チャンバの前記外壁を通って延在する複数のステム部であって、各ステム部は前記ステム部及び前記基部を貫通するチャネルを備え、各チャネルは前記電極に電気的に接続する電気導体を受容するように構成されている、ステム部と、
を有する、電気絶縁構造と、
複数のガスケットであって、各ガスケットは前記ステム部のうち１つを包囲し、前記ガスケットのうち少なくとも１つは前記ステム部のそれぞれを包囲する非金属性材料を備える、複数のガスケットと、
前記少なくとも１つの非金属性ガスケットの各々と前記ステム部の前記それぞれとの間に配設されたシールドと、
を備える、光源。
【請求項41】
前記複数のガスケットは、少なくとも１つの金属性ガスケットを備え、前記少なくとも１つの金属性ガスケットの各々は、前記金属性ガスケットと前記ステム部の前記それぞれとの間のシールドなしで前記ステム部のそれぞれを包囲する、請求項４０の光源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本願は２０２０年９月２９日に提出された「ELECTROMAGNETIC SHIELD FOR A SEALING MECHANISM OF A LASER CHAMBER」と題された米国出願第６３／０８４，７４６号の優先権を主張するものであり、同出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本願は２０２０年９月２９日に提出された「ELECTROMAGNETIC SHIELD FOR A SEALING MECHANISM OF A LASER CHAMBER」と題された米国出願第６３／０８４，７４６号の優先権を主張するものであり、同出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本開示は、レーザチャンバの封止機構の電磁シールドに関する。レーザチャンバは、エキシマレーザ、例えば深紫外（ＤＵＶ）光学システムで使用されるエキシマレーザの一部であり得る。
【背景技術】
【0003】
[0003] フォトリソグラフィとは、半導体回路をシリコンウェーハなどの基板上にパターニングするプロセスである。フォトリソグラフィ光学源（又は光源）が、ウェーハ上のフォトレジストを露光させるために用いられる深紫外（ＤＵＶ）光を提供する。フォトリソグラフィにおいて用いられるガス放電光源の１つの種類は、エキシマ光源又はレーザとして知られている。エキシマ光源は、典型的には、アルゴン、クリプトン、又はキセノンなど１つ以上の貴ガスとフッ素又は塩素などの反応性との組み合わせを使用する。エキシマ光源は、（供給される）電気刺激（エネルギ）及び高圧（のガス混合物）の適正条件下では、通電状態においてのみ存在し紫外域の増幅光のもとになるエキシマと呼ばれる擬似分子が作り出されるという事実からその名を得ている。エキシマ光源は深紫外（ＤＵＶ）域に波長を有する光ビームを生成し、この光ビームがフォトリソグラフィ装置内で半導体基板（又はウェーハ）をパターニングするために用いられる。エキシマ光源は、単一のガス放電チャンバを用いて又は複数のガス放電チャンバを用いて構築することができる。
【発明の概要】
【0004】
[0004] 一態様においては、光源用の装置は、チャネルを画定する電気絶縁体と、電気絶縁体の少なくとも一部を包囲するガスケットと、チャネルとガスケットとの間のシールドと、を含む。チャネルは、電気導体を受容するように構成されている。ガスケットは、非金属性材料を含む。
【0005】
[0005] 実施例は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。
【0006】
[0006] シールドは、電気導体内の電流によって生成される磁場を低減するように構成され得る。シールドは、ガスケットの近くに実質的に電場が存在しないように、磁場を遮断するように構成され得る。
【0007】
[0007] シールドは、磁性金属を含み得る。
【0008】
[0008] シールドは、ミューメタルを含み得る。
【0009】
[0009] ガスケットは、エラストマ材料を含み得る。
【0010】
[0010] 電気絶縁体は、基部と、基部から延在するステム部と、を含んでいてもよく、チャネルは、ステム部及び基部を貫通し得る。シールドは、ステム部の外側の一部を包囲し得る。ステム部は円筒であり得、チャネルは円筒を貫通していてもよく、基部はステム部から直交方向に延在し得る。チャネルは円筒と同心であってもよく、基部は円筒と同心であってもよい。
【0011】
[0011] 電気絶縁体は実質的に円筒体であり得、シールドは円筒体の外側の一部を包囲し得る。
【0012】
[0012] シールドは、フェライト又は鉄合金を含み得る。
【0013】
[0013] 別の一態様においては、放電チャンバは、ハウジングと、ハウジング内の電極と、ハウジングを貫通する、電極に電気的に接続された電気導体と、電気導体の一部を包囲する電気絶縁体と、電気絶縁体を包囲するガスケットと、電気絶縁体の周囲のシールドと、を含む。シールドは、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている。
【0014】
[0014] 実施例は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。
【0015】
[0015] シールドは、電気絶縁体とガスケットとの間に配設され得る。
【0016】
[0016] ガスケットは、電気絶縁材料を含み得る。電気絶縁材料は、エラストマを含み得る。ガスケットは、Ｏリングを含み得る。
【0017】
[0017] ハウジングは内壁を含んでいてもよく、内壁は導電性材料を含み得る。
【0018】
[0018] 放電チャンバは、ハウジング内に第２の電極を更に含み得る。ハウジングは、ガス状利得媒質を含有するように構成され得る。ガス状利得媒質は、フッ素を含み得る。ガスケットは、フッ素化材料を含み得る。
【0019】
[0019] シールドは、電気導体を流れる時変電流によって生成される過渡磁場を遮断するように又は減衰させるように構成され得る。
【0020】
[0020] 放電チャンバは、Ｎ個の電気絶縁体と、Ｎ個のガスケットと、Ｎ個の電気導体と、を含み得る。ただし、Ｎは１よりも大きい整数である。Ｎ個の電気絶縁体の各々が電気導体のうちの１つを包囲してもよく、Ｎ個のガスケットの各々がＮ個の電気絶縁体のうちの１つを包囲してもよく、Ｎ個のガスケットのうち少なくとも１つは全体が金属性であり得る。
【0021】
[0021] 放電チャンバは、深紫外（ＤＵＶ）光源において使用されるように構成され得る。
【0022】
[0022] いくつかの実施例においては、ガスケットは溝内にあり、シールドは電気絶縁体と溝との間にある。
【0023】
[0023] 別の一態様においては、深紫外（ＤＵＶ）光源は、第１のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第１のチャンバを含む。第１のチャンバは、第１のハウジングと、第１のハウジング内の第１の電極アセンブリと、第１の電気導体を受容するように構成された第１のチャネルを含む第１の絶縁体と、第１の絶縁体の一部を包囲する第１のガスケットと、第１のチャネルの一部を包囲する第１のシールドと、を含む。第１の電気導体は、第１の電極アセンブリに電気的に接続するように構成されている。第１のシールドは、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている。
【0024】
[0024] 実施例は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。
【0025】
[0025] ＤＵＶ光源は、第２のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第２のチャンバを更に含み得る。第２のチャンバは、第２のハウジングと、第２のハウジング内の第２の電極アセンブリと、第２の電気導体を受容するように構成された第２のチャネルを含む第２の絶縁体と、第２の絶縁体の一部を包囲する第２のガスケットと、第２のチャネルの一部を包囲する第２のシールドと、を含み得る。第２の電気導体は、第２の電極アセンブリに電気的に接続するように構成され得る。第１のシールドは、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成され得る。第１のシールドは第１のガスケットと同心であり得、第２のシールドは第２のガスケットと同心であり得る。第１のパルス光ビームはシード光ビームを含んでいてもよく、第２のチャンバはシード光ビームを受けるように位置決めされてもよく、第２のパルス光ビームはシード光ビームに基づいていてもよい。第１のパルス光ビーム及び第２のパルス光ビームは共通のビームコンバイナに向けて放出され得る。第１のガスケット及び第２のガスケットは、エラストマ材料を含み得る。第１の電極アセンブリは第１のアノード及び第１のカソードを含んでいてもよく、第１の電気導体は第１のカソードに電気的に接続するように構成され得る。第２の電極アセンブリは第２のアノード及び第２のカソードを含んでいてもよく、第２の電気導体は第２のカソードに電気的に接続するように構成され得る。
【0026】
[0026] ＤＵＶ光源は更に、第１のハウジングの外部に電源を含み得る。電源は、電気導体に電気的に接続するように構成されていてもよく、動作使用時には、電源は、高電圧励起パルスを電気導体に提供し得る。
【0027】
[0027] いくつかの実施例においては、第１のシールドは、第１のガスケットと第１の絶縁体との間に同心に配設され、第２のシールドは、第２のガスケットと第１の絶縁体との間に同心に配設される。
【0028】
[0028] 別の一態様においては、レーザを動作させる方法は、絶縁体と構成要素との間にシールドを提供することであって、絶縁体はレーザの放電チャンバの壁を貫通しチャネルを画定することと、チャネル内に電気導体を設置することと、レーザの放電チャンバ内の電極を充電するために電気導体に時変電流を伝導することと、を含む。シールドは、構成要素の近くに実質的に電場が存在しないように、電気導体の周囲に形成される磁場を遮断する。
【0029】
[0029] 実施例は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。
【0030】
[0030] 構成要素は、エラストマガスケットを含み得る。
【0031】
[0031] 方法は、ガス状利得媒質を放電チャンバに提供することを更に含み得る。構成要素は、チャンバを封止してガス状利得媒質がチャンバから漏出することを防止するように構成されたガスケットであってもよい。シールドは、構成要素の近くに実質的に電場が存在しないように、及び構成要素において実質的にガス状利得媒質のプラズマが形成されないように、電気導体の周囲に形成される磁場を遮断し得る。
【0032】
[0032] 別の一態様においては、光源は、放電チャンバと、放電チャンバ内の電極と、電気絶縁構造であって、電極と放電チャンバの外壁との間に延在する放電チャンバ内の基部と、基部から放電チャンバの外壁を貫通して延在する複数のステム部と、を含む、電気絶縁構造と、複数のガスケットであって、各ガスケットがステム部のうち１つを包囲し、ガスケットのうち少なくとも１つがステム部のそれぞれを包囲する非金属性材料を含む、複数のガスケットと、少なくとも１つの非金属性ガスケットの各々とステム部のそれぞれとの間に配設されたシールドと、を含む。各ステム部は、ステム部及び基部を貫通するチャネルを含み、各チャネルは、電極に電気的に接続する電気導体を受容するように構成されている。
【0033】
[0033] 実施例は、以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。
【0034】
[0034] 複数のガスケットは、少なくとも１つの金属性ガスケットを含んでいてもよく、少なくとも１つの金属性ガスケットの各々は、金属性ガスケットとステム部のそれぞれとの間のシールドなしでステム部のそれぞれを包囲し得る。
【0035】
[0035] 上述した技術のうちいずれの実施例も、システム、方法、プロセス、デバイス、又は装置を含み得る。１つ以上の実施例の詳細を、添付の図面及び以下の説明に記載する。他の特徴は、説明及び図面から、並びに特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0036】
【図1A】[0036] シールドを備える装置の一例を含む光源の側部断面ブロック図である。
【図1D】[0039] シールドを備える装置の一例を含む光源の別の一例の側部断面ブロック図である。
【図2A】[0040] 装置の別の一例の斜視ブロック図である。
【図3A】[0043] 装置の別の一例の側部断面ブロック図である。
【図4】[0046] 光源の別の一例の側部断面ブロック図である。
【図5A】[0047] リソグラフィシステムの一例のブロック図である。
【図5B】[0048] 投影装置の一例のブロック図である。
【図6】[0049] リソグラフィシステムの別の一例のブロック図である。
【図7】[0050] 光源を動作させるプロセスの一例のフローチャートである。
【0037】
[0051] 以下では様々な実施例が図面を参照して説明される。以下の説明においては、その様々な実施例の理解を促すために、具体的な詳細が記載される。後述の実施例はいずれも、その具体的な詳細なしに実用され得る。
【発明を実施するための形態】
【0038】
[0052] 図１Ａは、光源１１０と、光源１１０のための装置１３０とを含むシステム１００の側部断面ブロック図である。図１Ｂは、図１Ａの線１Ｂ－１Ｂ’に沿った装置１３０の断面図である。装置１３０は、ガスケット１３３を劣化から保護するシールド１３５を含む。
【0039】
[0053] 装置１３０は、光源１１０内の電極１１３ａに電流を伝達する導体１５１を受容する。装置１３０は、絶縁体１３１（ドットのシェーディングで示される）と、ガスケット１３３（交差線のシェーディングで示される）と、シールド１３５（濃い灰色のシェーディングで示される）と、を含む。シールド１３５は、電流の伝達から生じる過渡磁場又は時変磁場を遮断するか又は減衰させる。光源１１０は、ガス混合物１１９を含有する放電チャンバ１１５を含む。ガスケット１３３は、ガス混合物１１９が放電チャンバ１１５内に留まるように、放電チャンバ１１５を封止する。
【0040】
[0054] ガスケット１３３は、任意の種類の封止機構であり、例えばＯリング又はＣリングであってもよい。ガスケット１３３は非金属性材料を含む。非金属性材料は、金属性でない任意の種類の材料である。例えば、ガスケット１３３は、例えばデラウェア州ウィルミントンのＤｕＰｏｎｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能なＶＩＴＯＮ（商標）などのゴム材料又はエラストマ材料で作製され得る。ガスケット１３３は、製造中にガスケット１３３を形成する非金属性材料に導入される他の化合物又は材料を含み得る。例えば、ガスケット１３３は、フッ素ゴムなどのフッ素化材料であってもよい。ガスケット１３３は非金属性材料を含むが、ガスケット１３３は金属も含み得る。例えば、ガスケット１３３は、導電性材料でコーティングされた概ね電気絶縁性の材料であってもよい。これらの実施例では、ガスケット１３３は、金属の薄層でコーティングされたゴムガスケットであってもよい。ガスケット１３３の非金属性材料は、ガスケットに典型的に使用される金属よりも機械的に柔軟である。
【0041】
[0055] 非金属性材料の相対的な柔軟性により、ガスケット１３３は、金属ガスケットと比較して、熱応力に曝されたときに、より堅牢で且つより順応性のあるものになる。しかしながら非磁性材料は、プラズマ損傷をより受けやすくもある。伝達される電流によって生成される過渡磁場は、ガス混合物１１９からプラズマを形成し得る誘導性電場を作り出す。金属性ガスケットには概してこのプラズマからの腐食に対する耐性があるが、ガスケット１３３の非金属性材料にはそれほど耐性がなく、プラズマへの曝露によって損傷及び劣化し得る。ガスケット１３３が故障又は劣化すれば、ガス混合物１１９は放電チャンバ１１５から漏出し得る。ガス混合物１１９は、大気中に通常見られる酸素などのガスの存在下で危険な又はそうでなければ好ましくない条件を生成する成分（例えばフッ素）を含み得る。また、ガス混合物１１９が大気中に通常見られるガスの存在下で好ましくない条件を引き起こす成分を含まない場合であっても、ガス混合物１１９の喪失は、光源１１０の性能を低下させる。
【0042】
[0056] シールド１３５は、導体１５１に電流を伝導することから生じる過渡磁場を、遮断するか又は減衰させる。過渡磁場を遮断すること又は減衰させることによって、シールド１３５はガスケット１３３を保護し、それによって光源１１０の安全且つ効率的な動作を保証すると共に、光源１１０の全体的な性能を改善する。
【0043】
[0057] より詳細には、放電チャンバ１１５は、電極１１３ａと、電極１１３ｂと、ガス混合物１１９と、を封入する。ガス混合物１１９は、例えば貴ガスとハロゲンガスとから形成された利得媒質を含む。装置１３０は、放電チャンバ１１５の壁１１４の開口１１２を貫通する電気絶縁体１３１を含む。壁１１４は機械的に堅牢な材料で作製される。例えば、壁は、例えばアルミニウム、ニッケルでコーティングされたアルミニウム、もしくは別の金属性材料でコーティングされたアルミニウムなどの機械的に堅牢な金属材料、高耐久性ポリマ、又は高耐久性ポリマの外部を備える機械的に堅牢な金属材料で作製され得る。開口１１２は、溝１１８内に着座したガスケット１３３で封止される。溝１１８は、ガスケット１３３を収容する凹部、スロット、又は他の開口領域である。溝１１８は任意の手法で形成され得る。例えば、溝１１８は、壁１１４の金属性内部分１１４ａに形成され得る。別の一例では、溝１１８は、内部分１１４ａとは別個の及び壁１１４とは別個の固体金属性壁から形成され得る。ガスケット１３３の少なくとも一部は放電チャンバ１１５の内側にあり、ガスケット１３３は電気絶縁体１３１を包囲する。絶縁体１３１は、任意の種類の電気絶縁材料で作製される。例えば、絶縁体１３１は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で作製され得る。
【0044】
[0058] 電気絶縁体１３１は、電気絶縁体１３１を貫通し導体１５１を収容するチャネル１３２を画定する。導体１５１は、電源１９７及び電極１１３ａに電気的に接続されている。電極１１３ａ及び１１３ｂは、例えば、金属又は金属合金などの導電性材料で作製される。例えば、電極１１３ａ及び１１３ｂは、銅と亜鉛との合金で作製され得る。電極１１３ａ及び電極１１３ｂの一方はアノードであり、電極１１３ａ及び電極１１３ｂの他方はカソードである。図１Ａの例では、電極１１３ａがカソードであり、電極１１３ｂがアノードである。他の実施例においては、電極１１３ａがアノードであり、電極１１３ｂがカソードである。
【0045】
[0059] 光源１１０の動作使用時には、電源１９７が、導体１５１を介して電極１１３ａに時変電流を提供する。電極１１３ｂは定電圧に保持される（例えば、電極１１３ｂは接地され得る）。よって、電極１１３ａを充電すると、電極１１３ａと１１３ｂとの間に電位差及び電場が作り出される。
【0046】
[0060] 図１Ｃは、パルス出力光ビーム１１６の光の単一のパルスを生成する充電サイクルにわたる電極１１３ａと１１３ｂとの間の電位差の一例のプロットである。時刻ｔ０とｔ１との間では、電流が電極１１３ａに提供されておらず、電極１１３ａと１１３ｂとの間の電圧差は０ボルト（Ｖ）である。時刻ｔ１と時刻ｔ２との間では、電源１９７が大量の電流（例えば、数百又は数千アンペア）を電極１１３ａに供給する。電極１１３ａ上の電荷は蓄積し、電極１１３ａと電極１１３ｂとの間の電圧差は０ＶからＶ１に変化する。時刻ｔ２において電圧差がＶ１に達すると、電極１１３ａと１１３ｂとの間の電場は、ガス混合物１１９の利得媒質において反転分布を引き起こすのに十分になり、光のパルスが生成される。電源１９７は電流の供給を停止し、電極１１３ａと１１３ｂとの間の電圧差はＶ１から０Ｖへ減少し、時刻ｔ３において再び０Ｖとなる。電極１１３ａと１１３ｂとの間の電位差は、時刻ｔ３と時刻ｔ４との間では０Ｖのままである。充電サイクルを繰り返すと、別の光のパルスが生成される。充電サイクルを多数繰り返すことによって、時間的に互いに分離された光のパルスが形成され、パルス光ビーム１１６が発生する。
【0047】
[0061] 電極１１３ａ上の電荷は、（マクスウェルの式の１つである）式１によって示されるように、電極１１３ａとチャンバ１１５の壁１１４の金属性内部分１１４ａとの間に容量性電場を作り出す。
【0048】
【数1】
【0049】
ここで、Ｅは電場を表し、ρは電極１１３ａ上の単位体積あたりの総電荷であり、ε０は自由空間の誘電率である。容量性電場に加えて、誘導性電場が、導体１５１を介した電極１１３ａへの電流の伝達から生じる。充電サイクル中、電流は、非常に短い時間だけ導体１５１を流れる。例えば、図１Ｃに示される充電サイクルにおいては、電流は、時刻ｔ１とｔ２との間だけ導体１５１を流れる。時刻ｔ１とｔ２との間の時間量は比較的小さい（例えば数ナノ秒又は数十ナノ秒）。充電サイクルの残りの間は、電流は導体１５１を流れない。よって、電流は、充電サイクル全体を通して一定なのではなく、時変電流である。したがって、電流は時変磁場を生成する。
【0050】
[0062] 時変磁場は、（マクスウェルの式の別の１つである）式２に示されるように、誘導性電場を生成する。
【0051】
【数2】
【0052】
ここで、Ｅは電場を表し、Ｂは磁場を表す。また、式（２）に見られる磁場のカールは、（マクスウェルの式の別の１つである）式３に示される電場に関係している。
【0053】
【数3】
【0054】
ここで、μ０は自由空間の透磁率、ｃは光の速さ、Ｊは単位面積あたりの総電流、Ｅは電場である。例えば、１０００アンペア（Ａ）の電流が数ナノ秒にわたって電極１１３ａに提供されるのであれば、生成される電場は１メートル（ｍ）あたり数百から数千ボルト（Ｖ）となり、ガスケット１３３における磁場は約５００ガウス（Ｇ）となる。（過渡磁場によって引き起こされる）誘導性電場は、ガス混合物１１９をイオン化させ又はプラズマを形成させ、これがガスケット１３３を損傷し得る。
【0055】
[0063] 溝１１８が形成される材料は、ガスケット１３３を時変磁場から完全には遮蔽しない、又はガスケット１３３を時変磁場から全く遮蔽しない、機械的に堅牢な材料（アルミニウムなど）である。一方、装置１３０は、導体１５１を包囲すると共に時変磁場を抑えるか又は排除するシールド１３５を含む。時変磁場を抑えること又は排除することによって、シールド１３５は、誘導性電場も低減又は排除し、ガスケット１３３を損傷し得るプラズマの生成も低減又は排除する。
【0056】
[0064] シールド１３５は、磁気遮蔽を提供することのできる任意の種類の材料で作製される。例えば、シールド１３５は、高透磁率金属で作製され得る。透磁率（μ）とは、磁場の形成に対する材料の抵抗の尺度又は印加される磁場に応答して材料が得る磁化の程度である。シールド１３５は、比較的小さな表皮深さを有する金属材料で作製され得る。表皮深さとは、入射電磁波が１／ｅだけ低減される深さである。透磁率が高い材料には、小さな表皮深さを有する傾向もある。シールド１３５に小さい表皮深さを有する材料を使用すると、シールドのサイズが縮小される。シールドに使用され得る材料の例は、例えば、（ニッケルと鉄との合金である）ミューメタル、コバルトと鉄とで作製された合金、シリコンと鉄とで作製された合金、純鉄、鋼４１０、パーマロイ、及びＭｅｔｇｌａｓ２７１４Ａ（焼きなまし済み）を含む。
【0057】
[0065] また、シールド１３５は、溝１１８が形成される材料ほど必ずしも機械的に堅牢ではない材料で作製される要素である。高い透磁率を有し最大の磁気遮蔽を提供する多くの材料は、機械的に堅牢ではなく、溝１１８又は壁１１４としての使用に適さないであろう。したがって、シールド１３５は、溝１１８及び壁１１４が機械的に堅牢な材料で作製されることを可能にすると同時に、ガスケット１３３に磁気遮蔽を提供する。
【0058】
[0066] シールド１３５は、溝１１８に追加の要素であり、溝１１８が形成される材料とは異なる材料で作製されるが、シールド１３５は様々な形態をとり得る。例えば、シールド１３５は、三次元オブジェクトとして形成され、その後、光源１１０の組み立ての際に又は光源１１０アップグレードもしくは追加導入の際に溝１１８内に着座される、別個の構造であってもよい。図２Ｄ及び図３Ｃは、そのような三次元オブジェクトの例を示す。他の実施例では、シールド１３５の材料は、ガスケット１３３と絶縁体１３１との間にある溝１１８の一部分にコーティングされる。
【0059】
[0067] また、溝１１８は他の形態をとり得、シールド１３５は図１Ａに示される以外の構成で設置され得る。例えば、シールド１３５は、溝１１８の外側だが依然として導体１５１とガスケット１３３との間にあってもよい。図１Ｄは、そのような構成の一例を示す。さらに、光源１１０には溝１１８がなくてもよい。これらの実施例では、ガスケット１３３は、溝１１８のような溝内に着座されることなく、内部分１１４ａに直接接合され得る。図４は、そのような実施例の一例である。
【0060】
[0068] 図１Ｄを参照すると、システム１００Ｄが示されている。システム１００Ｄは、光源１１０Ｄを含む。光源１１０Ｄは放電チャンバ１１５Ｄを含み、これは、放電チャンバ１１５Ｄが第１の部分１１４ｅ及び第２の部分１１４ｄを含む点を除いて、放電チャンバ１１５（図１Ａ）に類似している。電極１１３ａ及び１１３ｂは、チャンバ１１５の内側の、第２の部分１１４ｄにある。放電チャンバ１１５Ｄは、第１の部分１１４ｅと第２の部分１１４ｄとの間で概ねＸ－Ｚ平面内に延在する表面１１４ｂを含む。第１の部分１１４ｅは、例えば、アルミニウムなどの金属の板又はブロックであってもよい。図１Ｄに示される実施例においては、ガスケット１３３は溝１１８Ｄ内にある。溝１１８Ｄは、表面１１４ｂからＹ方向に延在する壁によって包囲された開口領域である。溝１１８Ｄはその開口領域内にガスケット１３３を収容する。シールド１３５は溝１１８Ｄの開口領域内にはない。しかしながら、シールド１３５はガスケット１３３と導体１３２との間にあり、シールド１３５はまた絶縁体１３１を包囲する。よって、溝１１８Ｄに対するシールド１３５の位置にかかわらず、シールド１３５は、光源１１０Ｄの使用中に発生し得る磁場を遮断するか又は減衰させる。
【0061】
[0069] 溝１１８及び溝１１８Ｄは他の実施例が可能であり、図１Ａ、図１Ｄ、及び図４に示される構成は例として提示されている。例えば、シールド１３５は溝１１８Ｄ内に設置されてもよく、又は溝１１８Ｄはシールド１３５に使用される材料でコーティングされてもよい。
【0062】
[0070] 図２Ａは装置２３０の斜視図である。装置２３０は、装置１３０（図１Ａ及び図１Ｂ）の実施例の一例である。装置２３０は、光源１１０と共に、又は図５Ａもしくは６に示されるようなＤＵＶ光源と共に使用され得る。図２Ｂは、Ｙ－Ｚ平面での装置２３０の断面図である。図２Ｃは、図２Ｂの線２Ｃ－２Ｃ’に沿った装置２３０の断面図である。
【0063】
[0071] 装置２３０は、電気絶縁体２３１（図２Ｂ及び図２Ｃにおいてドットのシェーディングで示される）と、ガスケット２３３（図２Ｂ及び図２Ｃにおいて交差線のシェーディングで示される）と、シールド２３５（図２Ｂ及び図２Ｃにおいてべた塗りの灰色のシェーディングで示される）と、を含む。電気絶縁体２３１は、基部２３６ａと、基部２３６ａからＹ方向に延在するステム部２３６ｂと、を含む。ステム部２３６ｂは形状が実質的に円筒形である。ステム部２３６ｂは、外壁２３７ａ及び内壁２３７ｂを含む。内壁２７３ｂは、電気絶縁体２３１を貫通するチャネル２３２を画定する。動作使用においては、チャネル２３２は、電気導体１５１（図１Ａ）などの電気導体を受容する。図２Ａから図２Ｃの例では、チャネル２３２は、Ｘ－Ｚ平面において円形断面を有する。
【0064】
[0072] 基部２３６ａは、環状であり、概ねＸ－Ｚ平面内に延在する。基部２３６ａは、第１の面２３８ａと、第１の面２３８ａに対向する第２の面２３８ｂと、を含む。シールド２３５の斜視図である図２Ｄも参照すると、シールド２３５は、第１の端部２４０ａから第２の端部２４０ｂまでＹ方向に延在する円筒形状の側壁２３９を含む。側壁２３９は、通路２４３を画定する内壁２４１を含む。通路２４３は、Ｙ方向の範囲２４５を有する。（図２Ａから図２Ｃに示されるように）装置２３０が組み立てられると、シールド２３５の内壁２４１はステム部２３６ｂの外壁２３７ａを包囲し、端部２４０ａは基部２３６ａの第１の面２３８ａ上に載置される。
【0065】
[0073] シールド２３５は、磁場を抑制又は遮断する材料で作製される。例えば、シールド２３５は、ミューメタル、鉄、又は鉄合金などの磁性金属又は鉄金属で作製され得る。シールド２３５の側壁２３９は、厚さ２４４を有する。厚さ２４４は、内壁２４１と外壁２４２との間の半径方向距離である。厚さ２４４は、少なくともシールド２３５の材料の表皮深さに等しい。いくつかの実施例においては、シールドの範囲２４５は、通路２４３の直径の少なくとも２倍である。
【0066】
[0074] 装置２３０はガスケット２３３も含む。ガスケット２３３は、ゴム材料又はエラストマ材料で作製され得る。ガスケット２３３は、環状の形状を有しており、例えばＯリング又はＣリングであってもよい。ガスケット２３３は、基部２３６ａの第１の面２３８ａ上に載置される。シールド２３５は、ガスケット２３３とステム部２３６ｂとの間にある。ガスケット２３３は、Ｙ方向の範囲２４６を有する。図２Ｃに示される例においては、シールド２３５は、チャネル２３２と同心であり、ステム部２３６ｂとも同心である。また、ガスケット２３３は、環状の形状を有しており、チャネル２３２、ステム部２３６ｂ、及びシールド２３５と同心である。
【0067】
[0075] 動作使用においては、装置２３０は、図１Ａに示されるような光源に据え付けられる。ガスケット２３３はシールとして作用し、シールド２３５は、光源の動作中に作り出されるプラズマ及び／又は電磁場からガスケット２３３を保護する。図２Ａに示される例においては、ガスケット２３３の範囲２４６は、シールドの範囲２４５よりも小さい。このような構成は、シールド２３５が磁場をより完全に消滅させるか又は遮断することを可能にする。もっとも、他の実施例が可能である。例えば、シールド２３５の範囲２４５は、範囲２４６と等しくてもよいし、又は範囲２４６より小さくてもよい。また、より大きな範囲２４５を有するシールド２３５は動作使用中に生成される磁場のより多くを排除し得るが、シールド２３５の範囲２４５は、シールド２３５が電流を搬送する金属性オブジェクトと接触しないように又はアーク放電のリスクを呈するほど十分にそのような金属性オブジェクトに接近しないように、制限される。
【0068】
[0076] 図３Ａは、装置３３０及び電極３１３ａの断面図である。装置３３０は、装置１３０（図１Ａ）の実施例の別の一例である。装置３３０は、光源１１０（図１Ａ）と共に、又は図５Ａ及び図６に示されるもののような別の光源と共に、使用され得る。
【0069】
[0077] 装置３３０は、絶縁体３３１（ドットのシェーディングで示される）と、ガスケット３３３（交差線のシェーディングで示される）と、絶縁体３３１とガスケット３３３との間のシールド３３５（べた塗りの灰色のシェーディングで示される）と、を含む。絶縁体３３１は、基部３３６ａと、基部３３６ａからＹ方向に延在するステム部３３６ｂと、基部３３６ａから－Ｙ方向に延在する側部３３６ｃと、を含む。図３Ｂも参照すると、同図はＸ－Ｚ平面における絶縁体３３１を示しており、基部３３６ａはＸ－Ｚ平面において環状の形状を有する。
【0070】
[0078] ステム部３３６ｂは、外壁３３７ａ及び内壁３３７ｂを含む。内壁３３７ｂは、チャネル３３２を画定する。外壁３３７ａは、Ｘ－Ｚ平面においてステム部３３６ｂを一周するリッジ３５４を含む。リッジ３５４は、リッジ３５４がない実施例と比較して、Ｙ方向のステム部３３６ｂの外壁３３７ａの表面距離を増加させる。表面距離又は表面経路の増加は、より良好な電気絶縁を提供すると共に、表面トラッキングを妨げる。表面トラッキングとは、高電圧への曝露に起因して生じ得る表面浸食による、絶縁体３３１の表面にわたる連続的な導電経路の形成を指す。
【0071】
[0079] 側部３３６ｃは、基部３３６ａから－Ｙ方向に延在し、電極３１３ａの端部３１７ａ及び３１７ｂと、電極３１３ａを封入する放電チャンバ（図１Ａのチャンバ１１５など）の内壁と、の間の絶縁を提供する。側部３３６ｃは、Ｘ－Ｚ平面においては任意の形状を有し得る。例えば、側部３３６ｃは、円形の形状、楕円形の形状、又は矩形の形状を有し得る。電極３１３ａ及び側部３３６ｃはＸ－Ｚ平面において同じ形状を有していてもよく、側部３３６ｃは電極３１３ａを包囲するのに十分なほど大きい。
【0072】
[0080] 図３Ｃはシールド３３５の斜視図である。シールド３３５は、第１の端部３４０ａから第２の端部３４０ｂまでＹ方向に延在する円筒形状の側壁３３９と、Ｘ－Ｚ平面内で第１の端部３４０ａから半径方向外側に延在するフランジ３４８と、を含む。側壁３３９は厚さ３４４を有する。フランジ３４８は第１の端部３４０ａを包囲する。図３Ａ及び図３Ｃの例においては、フランジ３４８はＸ－Ｚ平面において円形である。フランジ３４８はＹ方向の範囲を有し、その範囲は、シールド３３５に使用される材料の表皮深さ以上であり得る。シールド３３５は、磁場を抑えるか又は遮断する任意の種類の材料で作製される。例えば、シールド３３５は、ミューメタル又は鉄合金で作製され得る。
【0073】
[0081] （図３Ａに示されるように）装置３３０が組み立てられると、フランジ３４８は、絶縁体３３１の基部３３６ａの第１の面３３８ａとガスケット３３３との間にある。シールド３３５の側壁３３９は、ステム部３３６ｂの外壁３３７ａとガスケット３３３との間にある。フランジ３４８は、シールド３３５が遮断することができる磁場の量を増加させ得る。
【0074】
[0082] 図４は、放電チャンバ４１５及び装置４３０の断面図である。放電チャンバ４１５は、電極４１３ａ及び電極４１３ｂを封入するハウジング４１４を含む。ハウジング４１４は、利得媒質を含むガス混合物４１９も含有する。電極４１３ａはカソードであり得、電極４１３ｂはアノードであり得る。放電チャンバ４１５は、金属性内壁４１４ａを有するハウジング４１４を含む。すなわち、壁４１４ａは導電性材料で形成される。
【0075】
[0083] 装置４３０は、絶縁体４３１（ドットのシェーディングで示される）を含む。絶縁体４３１は、電極４１３ａと内壁４１４ａの頂部４１４ｂとの間でＸ－Ｚ平面内に延在する基部４３６ａを含む。絶縁体４３１は、基部４３６ａからＹ方向に延在する複数のステム部４３６ｂ＿１，４３６ｂ＿２，４３６ｂ＿３も含む。ステム部４３６ｂ＿１，４３６ｂ＿２，４３６ｂ＿３は、頂部４１４ｂのそれぞれの開口４１２＿１，４１２＿２，４１２＿３を貫通する。ガスケット４３３＿１，４３３＿２，４３３＿３は、それぞれのステム部４３６ｂ＿１，４３６ｂ＿２，４３６ｂ＿３を包囲する。ガスケット４３３＿１，４３３＿２，４３３＿３は、それぞれ開口４１２＿１，４１２＿２，４１２＿３を封止する。
【0076】
[0084] ガスケット４３３＿１及び４３３＿３（交差線のシェーディングで示される）は、ゴムなどの一般に導電性でない材料を含む。ガスケット４３３＿２は、金属材料で作製される。ステム部４３６ｂ＿１はシールド４３５＿１によって包囲されており、ステム部４３６ｂ＿３はシールド４３５＿３によって包囲されている。シールド４３５＿１及び４３５＿３は、濃い灰色のシェーディングで示されている。ステム部４３６ｂ＿１から４３６ｂ＿３の各々は、それぞれの電気導体４５１＿１，４５１＿２，４５１＿３を包囲するチャネルを画定する。電気導体４５１＿１，４５１＿２，４５１＿３の各々は、電極４１３ａに電気的に接続される。
【0077】
[0085] 動作使用においては、電気導体４５１＿１，４５１＿２，４５１＿３は、電荷の短パルス（例えば１～１００ナノ秒）を電極４１３ａに経時的に繰り返し伝達し、ガス混合物４１９中の利得媒質を繰り返し励起してパルス光ビームを生成する。電荷の伝達は、ハウジング４１４、絶縁体４３１、ガスケット４３３＿１，４３３＿２，４３３＿３、及び電極４１３ａ，４１３ｂの温度を変化させる。これらの要素は、異なる材料で作製され、異なる熱特性を有しており、異なる熱膨張量を経験する。様々な実施形態において、チャンバ４１５の中央部分は、最小量の熱膨張を経験する。チャンバ４１５の中央部分における相対的に少ない量の熱膨張は、ガスケット４３３＿２が金属材料であることを可能にする。
【0078】
[0086] 熱膨張の量はチャンバ４１５の両端部でより大きくなり得、ガスケット４３３＿１及び４３３＿３は、大きな熱膨張量を経験しない、例えばゴムなどの非金属性材料を含む。しかしながら、ガスケット４３３＿１及び４３３＿３はプラズマによって損傷を受け得るので、ガスケット４３３＿１及び４３３＿３の各々は、それぞれのシールド４３５＿１及び４３５＿３によって保護される。シールド４３５＿１及び４３５＿３は、高誘電率を有する材料で作製される。シールド４３５＿１及び４３５＿３は、形状がシールド２３５又はシールド３３５に類似し得る。
【0079】
[0087] 図５Ａ及び図６は深紫外（ＤＵＶ）光学システムの例を示し、装置１３０，２３０，３３０，又は４３０はこれらと共に使用され得る。図５Ａ及び図６は装置１３０と共に図示されているが、装置２３０，３３０，及び４３０のいずれを使用してもよい。図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、システム５００は、露光ビーム（又は出力光ビーム）５１６をスキャナ装置５８０に提供する光発生モジュール５１０を含む。制御システム５５０も、光発生モジュール５１０と、光発生モジュール５１０に関連付けられた様々な構成要素と、に結合されている。
【0080】
[0088] 光発生モジュール５１０は、光発振器５１２を含む。光発振器５１２は出力光ビーム５１６を発生させる。光発振器５１２は、カソード５１３－ａ及びアノード５１３－ｂを封入する放電チャンバ５１５を含む。放電チャンバ５１５はガス状利得媒質５１９（図５Ａにおいて薄いドットのシェーディングで示される）も含有する。カソード５１３－ａとアノード５１３－ｂとの間の電位差がガス状利得媒質５１９中に電場を形成する。電位差は、カソード５１３－ａに電流を提供するように電源５９７を制御することによって発生する。電場は、反転分布を引き起こすと共に誘導放出を介して光のパルスの発生を可能にするのに十分なエネルギを利得媒質５１９に提供する。そのような電位差を繰り返し作り出すことによって、光ビーム５１６として放出されるパルスの列が形成される。パルス光ビーム５１６の反復率は、電圧が電極５１３－ａ及び５１３－ｂに印加される率によって決定される。パルスの反復率は、例えば、約５００乃至６，０００Ｈｚに及び得る。いくつかの実施例においては、反復率は６，０００Ｈｚより大きくてもよく、例えば１２，０００Ｈｚ以上であってもよい。光発振器５１２から放出される各パルスは、例えば、およそ１ミリジュール（ｍＪ）のパルスエネルギを有し得る。
【0081】
[0089] ガス状利得媒質５１９は、用途に必要な波長、エネルギ、及び帯域幅の光ビームを生成するのに適当な任意のガスであり得る。ガス状利得媒質５１９は１つよりも多くの種類のガスを含んでいてもよく、様々なガスがガス成分として参照される。エキシマ光源の場合には、ガス状利得媒質５１９は、例えばアルゴン又はクリプトンのような貴ガス（希ガス）、あるいは例えばフッ素又は塩素のようなハロゲンを含有し得る。ハロゲンが利得媒質である実施例においては、利得媒質は、ヘリウムなどのバッファガスの他に、微量のキセノンも含む。
【0082】
[0090] ガス状利得媒質５１９は深紫外（ＤＵＶ）域の光を放出する利得媒質であり得る。ＤＵＶ光は、例えば、約１００ナノメートル（ｎｍ）から約４００ｎｍまでの波長を含み得る。ガス状利得媒質５１９の具体例は、約１９３ｎｍの波長の光を放出するフッ化アルゴン（ＡｒＦ）、約２４８ｎｍの波長の光を放出するフッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は約３５１ｎｍの波長の光を放出する塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を含む。
【0083】
[0091] 放電チャンバ５１５の一方の側の分光調整装置５９５と放電チャンバ５１５の第２の側の出力カプラ５９６との間には共振器が形成される。分光調整装置５９５は、例えば格子及び／又はプリズムなど、放電チャンバ５１５の分光出力を微調整する回折光学素子を含み得る。回折光学素子は反射型又は屈折型であり得る。いくつかの実施例においては、分光調整装置５９５は複数の回折光学要素を含む。例えば、分光調整装置５９５は４つのプリズムを含んでいてもよく、そのうちのいくつかは光ビーム５１６の中心波長を制御するように構成され、そのうちの他のものは光ビーム５１６の分光帯域幅を制御するように構成されている。
【0084】
[0092] 光ビーム５１６の分光特性は他の手法で調整されてもよい。例えば、光ビーム５１６の分光帯域幅及び中心波長などの分光特性は、チャンバ５１５のガス状利得媒質の圧力及び／又はガス濃度を制御することによって調整され得る。光発生モジュール５１０がエキシマ光源である実施例については、光ビーム５１６の分光特性（例えば分光帯域幅又は中心波長）は、例えば、チャンバ５１５内のフッ素、塩素、アルゴン、クリプトン、キセノン、及び／又はヘリウムの圧力及び／又は濃度を制御することによって調整され得る。
【0085】
[0093] ガス状利得媒質５１９の圧力及び／又は濃度はガス供給システム５９０によって制御可能である。ガス供給システム５９０は、流体導管５８９を介して放電チャンバ５１５の内部に流体結合される。流体導管５８９は、ガス又は他の流体を、その流体の損失無しに又は最小の損失で輸送することができる、任意の導管である。例えば、流体導管５８９は、流体導管５８９で輸送される１つ又は複数の流体と反応しない材料で作製又はコーティングされたパイプであり得る。ガス供給システム５９０は、利得媒質５１９において用いられる１つ又は複数のガスを含有する及び／又はその供給を受けるように構成されたチャンバ５９１を含む。ガス供給システム５９０は、ガス供給システム５９０が放電チャンバ５１５からガスを除去すること又は同チャンバ内にガスを噴射することを可能にするデバイス（ポンプ、バルブ、及び／又は流体スイッチなど）も含む。ガス供給システム５９０は制御システム２５０に結合されている。
【0086】
[0094] 光発振器５１２は分光分析装置５９８も含む。分光分析装置５９８は、光ビーム５１６の波長を測定又は監視するために用いられ得る測定システムである。図５Ａに示される例においては、分光分析装置５９８は出力カプラ５９６から光を受ける。
【0087】
[0095] 光発生モジュール５１０は他の構成要素及びシステムを含んでいてもよい。例えば、光発生モジュール５１０はビーム準備システム５９９を含み得る。ビーム準備システム５９９はパルスストレッチャを含んでいてもよく、これは時間的にパルスストレッチャと相互作用する各パルスを拡張する。ビーム準備システムは、例えば反射及び／又は屈折光学要素（例えばレンズ及びミラーなど）、及び／又はフィルタなど、光に対して作用することのできる他の構成要素も含み得る。図示される例においては、ビーム準備システム５９９は露光ビーム５１６の経路に位置している。しかしながら、ビーム準備システム５９９はシステム５００内の他の場所に設置されてもよい。
【0088】
[0096] システム５００はスキャナ装置５８０も含む。スキャナ装置５８０はウェーハ５８２を整形された露光ビーム５１６Ａで露光する。整形された露光ビーム５１６Ａは、露光ビーム５１６に投影光学システム５８１を通過させることによって形成される。スキャナ装置５８０は液浸システム又は乾式システムであり得る。スキャナ装置５８０は、ウェーハ５８２に到達する前に露光ビーム５１６が通過する投影光学システム５８１と、センサシステム又はメトロロジシステム５７０と、を含む。ウェーハ５８２はウェーハホルダ５８３上に保持又は受容される。スキャナ装置５８０は、例えば、（空調デバイス及び／又は加熱デバイスなどの）温度制御デバイス、及び／又は様々な電気部品のための電源も含み得る。
【0089】
[0097] メトロロジシステム５７０はセンサ５７１を含む。センサ５７１は、例えば帯域幅、エネルギ、パルス長、及び／又は波長など、整形された露光ビーム５１６Ａの特性を測定するように構成され得る。センサ５７１は、例えば、ウェーハ５８２における整形された露光ビーム５１６Ａの像を捕捉することのできるカメラ又は他のデバイス、あるいは、ウェーハ５８２におけるｘ－ｙ平面内の光エネルギの量を記述するデータを捕捉することのできるエネルギ検出器であり得る。
【0090】
[0098] 図５Ｂも参照すると、投影光学システム５８１は、スリット５８４と、マスク５８５と、レンズシステム５８６を含む投影対物システムと、を含む。レンズシステム５８６は１つ以上の光学要素を含む。露光ビーム５１６はスキャナ装置５８０に進入してスリット５８４に衝突し、出力光ビーム５１６の少なくともいくらかがスリット５８４を通過して整形された露光ビーム５１６Ａを形成する。図５Ａ及び図５Ｂの例においては、スリット５８４は矩形であり、露光ビーム５１６を細長の矩形形状の光ビームに整形し、これが整形された露光ビーム５１６Ａとなる。マスク５８５は、整形された光ビームのどの部分がマスク５８５によって透過されどの部分がマスク５８５によって遮断されるのかを決定するパターンを含む。ウェーハ５８２上には、ウェーハ５８２上の放射感応性フォトレジスト材料の層を露光ビーム５１６Ａで露光することによって、マイクロ電子フィーチャが形成される。マスク上のパターンの設計は、所望される具体的なマイクロ電子回路フィーチャによって決定される。
【0091】
[0099] 図５Ａに示される構成は、ＤＵＶシステム用の構成の一例である。他の実施例が可能である。例えば、光発生モジュール５１０は、Ｎ個の光発振器５１２を含み得る。ただし、Ｎは１よりも大きい整数である。これらの実施例では、各光発振器５１２は、露光ビーム５１６を形成するビームコンバイナに向けてそれぞれの光ビームを放出するように構成されている。
【0092】
[0100] 図６は、ＤＵＶシステムの別の一構成例を示す。図６は、スキャナ装置５８０に提供されるパルス光ビーム６１６を生成する光発生モジュール６１０を含むフォトリソグラフィシステム６００のブロック図である。光発生モジュール６１０は装置１３０と共に図示されているが、装置２３０，３３０，又は４３０と共に使用されてもよい。制御システム５５０は、システム６００の様々な動作を制御するために、光発生モジュール６１０及びスキャナ装置６８０の様々な構成要素に結合される。
【0093】
[0101] 光発生モジュール６１０は、シード光ビーム６１８をパワー増幅器（ＰＡ）６１２＿２に提供する主発振器（ＭＯ）６１２＿１を含む２ステージレーザシステムである。ＰＡ６１２＿２は、ＭＯ６１２＿１からシード光ビーム６１８を受けてそのシード光ビーム６１８を増幅し、スキャナ装置５８０で使用される光ビーム６１６を発生させる。例えば、いくつかの実施例においては、ＭＯ６１２＿１は、毎パルスおよそ１ミリジュール（ｍＪ）のシードパルスエネルギを有するパルスシード光ビームを放出し得、これらのシードパルスはＰＡ６１２＿２によって約６から１５ｍＪに増幅され得るが、他の例においては他のエネルギが使用されてもよい。
【0094】
[0102] ＭＯ６１２＿１は、２つの細長い電極６１３ａ＿１及び６１３ｂ＿１と、ガス混合物である利得媒質６１９＿１（図６において薄いドットのシェーディングで示される）と、ガス混合物を電極６１３ａ＿１，６１３ｂ＿１間で循環させるための送風機（図示しない）とを有する放電チャンバ６１５＿１を含む。放電チャンバ６１５＿１の一方の側のライン狭隘化モジュール６９５と放電チャンバ６１５＿１の第２の側の出力カプラ６９６との間には共振器が形成される。
【0095】
[0103] 放電チャンバ６１５＿１は、第１のチャンバ窓６６３＿１及び第２のチャンバ窓６６４＿１を含む。第１及び第２のチャンバ窓６６３＿１及び６６４＿１は、放電チャンバ６１５＿１の対向する側部にある。第１及び第２のチャンバ窓６６３＿１及び６６４＿１は、ＤＵＶ範囲の光を透過させると共に、ＤＵＶ光が放電チャンバ６１５＿１に出入りすることを可能にする。
【0096】
[0104] ライン狭隘化モジュール６９５は、放電チャンバ６１５＿１のスペクトル出力を微調整する格子などの回折光学素子を含み得る。光発生モジュール６１０は、出力カプラ６９６及びビーム結合光学システム６６９から出力光ビームを受ける線中心分析モジュール６６８も含む。線中心分析モジュール６６８は、シード光ビーム６１８の波長を測定又は監視するために用いられ得る測定システムである。線中心分析モジュール６６８は、光発生モジュール６１０内の他の場所に設置されてもよいし、又は光発生モジュール６１０の出力に設置されてもよい。
【0097】
[0105] 利得媒質６１９＿１であるガス混合物は、用途に必要とされる波長及び帯域幅の光ビームを生成するのに適当な任意のガスであり得る。エキシマ光源の場合には、ガス混合物は、例えばアルゴン又はクリプトンのような貴ガス（希ガス）、例えばフッ素又は塩素のようなハロゲン、及びヘリウムのようなバッファガスを除く少量のキセノンを含有していてもよい。ガス混合物の具体例は、約１９３ｎｍの波長の光を放出するフッ化アルゴン（ＡｒＦ）、約２４８ｎｍの波長の光を放出するフッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は約３５１ｎｍの波長の光を放出する塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を含む。よって、光ビーム６１６及び６１８は、この実施例ではＤＵＶ範囲内の波長を含む。エキシマ利得媒質（ガス混合物）は、細長い電極６１３ａ＿１，６１３ｂ＿１への電圧の印加によって、高電圧放電における短い（例えばナノ秒）電流パルスでポンピングされる。
【0098】
[0106] ＰＡ６１２＿２は、ＭＯ６１２＿１からシード光ビーム６１８を受けそのシード光ビーム６１８を放電チャンバ６１５＿２を通じてビーム折り返し光学素子６９２へと誘導するビーム結合光学システム６６９を含み、ビーム折り返し光学素子は、シード光ビーム６１８の方向を、放電チャンバ６１５＿２内へと送り返されるように修正又は変更する。ビーム折り返し光学素子６９２及びビーム結合光学システム６６９は循環閉ループ光経路を形成し、その経路内ではリング増幅器への入力がビーム結合光学システム６６９でリング増幅器の出力と交差する。
【0099】
[0107] 放電チャンバ６１５＿２は、１対の細長い電極６１３ａ＿２及び６１３ｂ＿２と、利得媒質６１９＿２（図６において薄いドットのシェーディングで示される）と、利得媒質６１９＿２を電極６１３ａ＿２，６１３ｂ＿２間で循環させるための送風機（図示しない）と、を含む。利得媒質６１９＿２を形成するガス混合物は、利得媒質６１９＿１を形成するガス混合物と同一であってもよい。
【0100】
[0108] 放電チャンバ６１５＿２は、第１のチャンバ窓６６３＿２及び第２のチャンバ窓６６４＿２を含む。第１及び第２のチャンバ窓６６３＿２及び６６４＿２は、放電チャンバ６１５＿２の対向する側部にある。第１及び第２のチャンバ窓６６３＿２及び６６４＿２は、ＤＵＶ範囲の光を透過させると共に、ＤＵＶ光が放電チャンバ６１５＿２に出入りすることを可能にする。
【0101】
[0109] 利得媒質６１９＿１又は６１９＿２が、電極６１３ａ＿１，６１３ｂ＿１又は６１３ａ＿２，６１３ｂ＿２間にそれぞれ電位差を作り出すことによってポンピングされるとき、利得媒質６１９＿１及び／又は６１９＿２は光を放出する。パルスの反復率は、様々な用途に関して約５００乃至６，０００Ｈｚに及ぶであろう。いくつかの実施例においては、反復率は６，０００Ｈｚより大きくてもよく、例えば１２，０００Ｈｚ以上であり得るが、他の実施例においては他の反復率が使用されてもよい。
【0102】
[0110] 出力光ビーム６１６は、スキャナ装置５８０に到達する前に、ビーム準備システム６９９を通って誘導され得る。ビーム準備システム６９９は、ビーム６１６の様々なパラメータ（帯域幅又は波長など）を測定する帯域幅分析モジュールを含み得る。ビーム準備システム６９９は、出力光ビーム６１６の各パルスを時間的に拡張するパルスストレッチャも含み得る。ビーム準備システム６９９は、例えば反射及び／又は屈折光学要素（例えばレンズ及びミラーなど）、フィルタ、並びに光学的開口（自動シャッタを含む）など、ビーム６１６に対して作用することのできる他の構成要素も含み得る。
【0103】
[0111] ＤＵＶ光発生モジュール６１０は、ＤＵＶ光発生モジュール６１０の内部６７８と流体連通するガス管理システム６９０も含む。
【0104】
[0112] 図７はプロセス７００のフローチャートである。プロセス７００は、光源内の構成要素を保護する方法及び光源を動作させる方法の一例である。プロセス７００は、装置１３０，２３０，３３０，及び４３０のうち１つ以上を含む任意の光源を使用して実施され得る。例えば、プロセス７００は、光源１１０、光発生モジュール５１０、又は光発生装置６１０を使って実施され得る。プロセス７００について、光源１１０（図１Ａ）に関して述べる。
【0105】
[0113] シールド１３５が、絶縁体１３１と遮蔽されるべき構成要素との間に提供される（７１０）。例えば、遮蔽されるべき構成要素はガスケット１３３であり得る。シールド１３５は、磁場を抑制又は遮断する材料で作製される。絶縁体１３１は、絶縁体１３１を貫通するチャネル１３２を画定する。
【0106】
[0114] 電気導体１５１がチャネル１３２内に設置される（７２０）。電気導体１５１は、電極１１３ａに及び電源１９７に電気的に接続されている。電気導体１５１は、電流を搬送することができる任意の種類のデバイス又は構造である。例えば、電気導体１５１は、ケーブル又は太い銅線であってもよい。
【0107】
[0115] ガス混合物１１９がチャンバ１１５の内部に提供される。例えば、光源１１０は、ガス供給部（図５Ａのガス供給５９０など）に流体結合され得る。電極１１３ａ及び１１３ｂ、絶縁体１３１の少なくとも一部、及びガスケット１３３も、チャンバ１１５の内部にある。
【0108】
[0116] 電源１９７が電気導体１５１に時変電流を提供し、電極１１３ａが充電される（７３０）。上述のように、時変電流は時変磁場を生成する。しかしながら、シールド１３５が導体１５１及び絶縁体１３１を包囲して、時変磁場を遮断するか又は減衰させる。その結果、ガスケット１３３並びにガス混合物１１９及び／又はガス混合物１１９中の利得媒質の近傍には電場が全く又はほとんど存在せず、ガスケット１３３はガス混合物１１９のプラズマ及び／又は利得媒質のプラズマに曝露されない。
【0109】
[0117] 実施例は更に、以下の条項を用いて記載することができる。
１．光源用の装置であって、
チャネルを画定する電気絶縁体であって、チャネルは電気導体を受容するように構成されている、電気絶縁体と、
電気絶縁体の少なくとも一部を包囲するガスケットであって、非金属性材料を備える、ガスケットと、
チャネルとガスケットとの間のシールドと、
を備える、装置。
２．シールドは、電気導体内の電流によって生成される磁場を低減するように構成されている、条項１の装置。
３．シールドは、ガスケットの近くに実質的に電場が存在しないように、磁場を遮断するように構成されている、条項２の装置。
４．シールドは、磁性金属を備える、条項１の装置。
５．シールドは、ミューメタルを備える、条項１の装置。
６．ガスケットは、エラストマ材料を備える、条項１の装置。
７．電気絶縁体は、基部と、基部から延在するステム部と、を備え、
チャネルは、ステム部及び基部を貫通する、条項１の装置。
８．シールドは、ステム部の外側の一部を包囲する、条項７の装置。
９．ステム部は円筒であり、チャネルは円筒を貫通し、基部はステム部から直交方向に延在する、条項７の装置。
１０．チャネルは円筒と同心であり、基部は円筒と同心である、条項９の装置。
１１．電気絶縁体は実質的に円筒体であり、シールドは円筒体の外側の一部を包囲する、条項１の装置。
１２．シールドは、フェライト又は鉄合金を備える、条項１の装置。
１３．ハウジングと、
ハウジング内の電極と、
ハウジングを貫通する、電極に電気的に接続された電気導体と、
電気導体の一部を包囲する電気絶縁体と、
電気絶縁体を包囲するガスケットと、
電気絶縁体の周囲のシールドであって、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、シールドと、
を備える、放電チャンバ。
１４．シールドは、電気絶縁体とガスケットとの間に配設されている、条項１３の放電チャンバ。
１５．ガスケットは、電気絶縁材料を備える、条項１３の放電チャンバ。
１６．電気絶縁材料は、エラストマを備える、条項１５の放電チャンバ。
１７．ガスケットは、Ｏリングを備える、条項１５の放電チャンバ。
１８．ハウジングは内壁を備え、内壁は導電性材料を備える、条項１３の放電チャンバ。
１９．ハウジング内に第２の電極を更に備える、条項１３の放電チャンバ。
２０．ハウジングは、ガス状利得媒質を含有する、条項１９の放電チャンバ。
２１．ガス状利得媒質は、フッ素を備える、条項２０の放電チャンバ。
２２．ガスケットは、フッ素化材料を備える、条項２１の放電チャンバ。
２３．シールドは、電気導体を流れる時変電流によって生成される過渡磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、条項１３の放電チャンバ。
２４．放電チャンバは、
Ｎ個の電気絶縁体と、
Ｎ個のガスケットと、
Ｎ個の電気導体と、を備えており、
Ｎは、１よりも大きい整数であり、
Ｎ個の電気絶縁体の各々が電気導体のうちの１つを包囲し、Ｎ個のガスケットの各々がＮ個の電気絶縁体のうちの１つを包囲し、
Ｎ個のガスケットのうち少なくとも１つは全体が金属性である、条項１３の放電チャンバ。
２５．放電チャンバは、深紫外（ＤＵＶ）光源において使用されるように構成されている、条項１３の放電チャンバ。
２６．ガスケットは溝内にあり、シールドは電気絶縁体と溝との間にある、条項１３の放電チャンバ。
２７．深紫外（ＤＵＶ）光源であって、
第１のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第１のチャンバを備えており、
第１のチャンバは、
第１のハウジングと、
第１のハウジング内の第１の電極アセンブリと、
第１の電気導体を受容するように構成された第１のチャネルを備える第１の絶縁体であって、第１の電気導体は第１の電極アセンブリに電気的に接続するように構成されている、第１の絶縁体と、
第１の絶縁体の一部を包囲する第１のガスケットと、
第１のチャネルの一部を包囲する第１のシールドであって、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている第１のシールドと、
を備える、ＤＵＶ光源。
２８．第２のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第２のチャンバを更に備え、
第２のチャンバは、
第２のハウジングと、
第２のハウジング内の第２の電極アセンブリと、
第２の電気導体を受容するように構成された第２のチャネルを備える第２の絶縁体であって、第２の電気導体は第２の電極アセンブリに電気的に接続するように構成されている、第２の絶縁体と、
第２の絶縁体の一部を包囲する第２のガスケットと、
第２のチャネルの一部を包囲する第２のシールドであって、第１のシールドは磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、第２のシールドと、
を備える、条項２７のＤＵＶ光源。
２９．第１のシールドは第１のガスケットと同心であり、第２のシールドは第２のガスケットと同心である、条項２８のＤＵＶ光源。
３０．第１のパルス光ビームはシード光ビームを備え、第２のチャンバはシード光ビームを受けるように位置決めされ、第２のパルス光ビームはシード光ビームに基づいている、条項２８のＤＵＶ光源。
３１．第１のパルス光ビーム及び第２のパルス光ビームは、共通のビームコンバイナに向けて放出される、条項２８のＤＵＶ光源。
３２．第１ガスケット及び第２のガスケットは、エラストマ材料を備える、条項３０のＤＵＶ光源。
３３．第１の電極アセンブリは第１のアノード及び第１のカソードを備え、第１の電気導体は第１のカソードに電気的に接続するように構成されている、条項２８のＤＵＶ光源。
３４．第１の電極アセンブリは第１のアノード及び第１のカソードを備え、第１の電気導体は第１のカソードに電気的に接続するように構成されており、
第２の電極アセンブリは第２のアノード及び第２のカソードを備え、第２の電気導体は第２のカソードに電気的に接続するように構成されている、条項３０のＤＵＶ光源。
３５．第１のハウジングの外部に電源を更に備え、
電源は、電気導体に電気的に接続するように構成されており、動作使用時には、電源は、高電圧励起パルスを電気導体に提供する、条項２７のＤＵＶ光源。
３６．第１のシールドは第１のガスケットと第１の絶縁体との間に同心に配設され、第２のシールドは第２のガスケットと第１の絶縁体との間に同心に配設される、条項２８のＤＵＶ光源。
３７．レーザを動作させる方法であって、
絶縁体と構成要素との間にシールドを提供することであって、絶縁体はレーザの放電チャンバの壁を貫通し、絶縁体はチャネルを画定することと、
チャネル内に電気導体を設置することと、
レーザの放電チャンバ内の電極を充電するために電気導体に時変電流を伝導することと、を含み、
シールドは、構成要素の近くに実質的に電場が存在しないように、電気導体の周囲に形成される磁場を遮断する、方法。
３８．構成要素は、エラストマガスケットを備える、条項３７の方法。
３９．ガス状利得媒質を放電チャンバに提供することを更に備え、
構成要素は、チャンバを封止してガス状利得媒質がチャンバから漏出することを防止するように構成されたガスケットであり、
シールドは、構成要素の近くに実質的に電場が存在しないように、及び構成要素において実質的にガス状利得媒質のプラズマが形成されないように、電気導体の周囲に形成される磁場を遮断する、条項３７の方法。
４０．放電チャンバと、
放電チャンバ内の電極と、
電気絶縁構造であって、
放電チャンバ内の基部であって、電極と放電チャンバの外壁との間に延在する、基部と、
基部から放電チャンバの外壁を通って延在する複数のステム部であって、各ステム部はステム部及び基部を貫通するチャネルを備え、各チャネルは電極に電気的に接続する電気導体を受容するように構成されている、ステム部と、
を備える、電気絶縁構造と、
複数のガスケットであって、各ガスケットはステム部のうち１つを包囲し、ガスケットのうち少なくとも１つはステム部のそれぞれを包囲する非金属性材料を備える、複数のガスケットと、
少なくとも１つの非金属性ガスケットの各々とステム部のそれぞれとの間に配設されたシールドと、
を備える、光源。
４１．複数のガスケットは少なくとも１つの金属性ガスケットを備え、少なくとも１つの金属性ガスケットの各々は、金属性ガスケットとステム部のそれぞれとの間のシールドなしでステム部のそれぞれを包囲する、条項４０の光源。
１．光源用の装置であって、
チャネルを画定する電気絶縁体であって、チャネルは電気導体を受容するように構成されている、電気絶縁体と、
電気絶縁体の少なくとも一部を包囲するガスケットであって、非金属性材料を備える、ガスケットと、
チャネルとガスケットとの間のシールドと、
を備える、装置。
２．シールドは、電気導体内の電流によって生成される磁場を低減するように構成されている、条項１の装置。
３．シールドは、ガスケットの近くに実質的に電場が存在しないように、磁場を遮断するように構成されている、条項２の装置。
４．シールドは、磁性金属を備える、条項１の装置。
５．シールドは、ミューメタルを備える、条項１の装置。
６．ガスケットは、エラストマ材料を備える、条項１の装置。
７．電気絶縁体は、基部と、基部から延在するステム部と、を備え、
チャネルは、ステム部及び基部を貫通する、条項１の装置。
８．シールドは、ステム部の外側の一部を包囲する、条項７の装置。
９．ステム部は円筒であり、チャネルは円筒を貫通し、基部はステム部から直交方向に延在する、条項７の装置。
１０．チャネルは円筒と同心であり、基部は円筒と同心である、条項９の装置。
１１．電気絶縁体は実質的に円筒体であり、シールドは円筒体の外側の一部を包囲する、条項１の装置。
１２．シールドは、フェライト又は鉄合金を備える、条項１の装置。
１３．ハウジングと、
ハウジング内の電極と、
ハウジングを貫通する、電極に電気的に接続された電気導体と、
電気導体の一部を包囲する電気絶縁体と、
電気絶縁体を包囲するガスケットと、
電気絶縁体の周囲のシールドであって、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、シールドと、
を備える、放電チャンバ。
１４．シールドは、電気絶縁体とガスケットとの間に配設されている、条項１３の放電チャンバ。
１５．ガスケットは、電気絶縁材料を備える、条項１３の放電チャンバ。
１６．電気絶縁材料は、エラストマを備える、条項１５の放電チャンバ。
１７．ガスケットは、Ｏリングを備える、条項１５の放電チャンバ。
１８．ハウジングは内壁を備え、内壁は導電性材料を備える、条項１３の放電チャンバ。
１９．ハウジング内に第２の電極を更に備える、条項１３の放電チャンバ。
２０．ハウジングは、ガス状利得媒質を含有する、条項１９の放電チャンバ。
２１．ガス状利得媒質は、フッ素を備える、条項２０の放電チャンバ。
２２．ガスケットは、フッ素化材料を備える、条項２１の放電チャンバ。
２３．シールドは、電気導体を流れる時変電流によって生成される過渡磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、条項１３の放電チャンバ。
２４．放電チャンバは、
Ｎ個の電気絶縁体と、
Ｎ個のガスケットと、
Ｎ個の電気導体と、を備えており、
Ｎは、１よりも大きい整数であり、
Ｎ個の電気絶縁体の各々が電気導体のうちの１つを包囲し、Ｎ個のガスケットの各々がＮ個の電気絶縁体のうちの１つを包囲し、
Ｎ個のガスケットのうち少なくとも１つは全体が金属性である、条項１３の放電チャンバ。
２５．放電チャンバは、深紫外（ＤＵＶ）光源において使用されるように構成されている、条項１３の放電チャンバ。
２６．ガスケットは溝内にあり、シールドは電気絶縁体と溝との間にある、条項１３の放電チャンバ。
２７．深紫外（ＤＵＶ）光源であって、
第１のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第１のチャンバを備えており、
第１のチャンバは、
第１のハウジングと、
第１のハウジング内の第１の電極アセンブリと、
第１の電気導体を受容するように構成された第１のチャネルを備える第１の絶縁体であって、第１の電気導体は第１の電極アセンブリに電気的に接続するように構成されている、第１の絶縁体と、
第１の絶縁体の一部を包囲する第１のガスケットと、
第１のチャネルの一部を包囲する第１のシールドであって、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている第１のシールドと、
を備える、ＤＵＶ光源。
２８．第２のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第２のチャンバを更に備え、
第２のチャンバは、
第２のハウジングと、
第２のハウジング内の第２の電極アセンブリと、
第２の電気導体を受容するように構成された第２のチャネルを備える第２の絶縁体であって、第２の電気導体は第２の電極アセンブリに電気的に接続するように構成されている、第２の絶縁体と、
第２の絶縁体の一部を包囲する第２のガスケットと、
第２のチャネルの一部を包囲する第２のシールドであって、第１のシールドは磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、第２のシールドと、
を備える、条項２７のＤＵＶ光源。
２９．第１のシールドは第１のガスケットと同心であり、第２のシールドは第２のガスケットと同心である、条項２８のＤＵＶ光源。
３０．第１のパルス光ビームはシード光ビームを備え、第２のチャンバはシード光ビームを受けるように位置決めされ、第２のパルス光ビームはシード光ビームに基づいている、条項２８のＤＵＶ光源。
３１．第１のパルス光ビーム及び第２のパルス光ビームは、共通のビームコンバイナに向けて放出される、条項２８のＤＵＶ光源。
３２．第１ガスケット及び第２のガスケットは、エラストマ材料を備える、条項３０のＤＵＶ光源。
３３．第１の電極アセンブリは第１のアノード及び第１のカソードを備え、第１の電気導体は第１のカソードに電気的に接続するように構成されている、条項２８のＤＵＶ光源。
３４．第１の電極アセンブリは第１のアノード及び第１のカソードを備え、第１の電気導体は第１のカソードに電気的に接続するように構成されており、
第２の電極アセンブリは第２のアノード及び第２のカソードを備え、第２の電気導体は第２のカソードに電気的に接続するように構成されている、条項３０のＤＵＶ光源。
３５．第１のハウジングの外部に電源を更に備え、
電源は、電気導体に電気的に接続するように構成されており、動作使用時には、電源は、高電圧励起パルスを電気導体に提供する、条項２７のＤＵＶ光源。
３６．第１のシールドは第１のガスケットと第１の絶縁体との間に同心に配設され、第２のシールドは第２のガスケットと第１の絶縁体との間に同心に配設される、条項２８のＤＵＶ光源。
３７．レーザを動作させる方法であって、
絶縁体と構成要素との間にシールドを提供することであって、絶縁体はレーザの放電チャンバの壁を貫通し、絶縁体はチャネルを画定することと、
チャネル内に電気導体を設置することと、
レーザの放電チャンバ内の電極を充電するために電気導体に時変電流を伝導することと、を含み、
シールドは、構成要素の近くに実質的に電場が存在しないように、電気導体の周囲に形成される磁場を遮断する、方法。
３８．構成要素は、エラストマガスケットを備える、条項３７の方法。
３９．ガス状利得媒質を放電チャンバに提供することを更に備え、
構成要素は、チャンバを封止してガス状利得媒質がチャンバから漏出することを防止するように構成されたガスケットであり、
シールドは、構成要素の近くに実質的に電場が存在しないように、及び構成要素において実質的にガス状利得媒質のプラズマが形成されないように、電気導体の周囲に形成される磁場を遮断する、条項３７の方法。
４０．放電チャンバと、
放電チャンバ内の電極と、
電気絶縁構造であって、
放電チャンバ内の基部であって、電極と放電チャンバの外壁との間に延在する、基部と、
基部から放電チャンバの外壁を通って延在する複数のステム部であって、各ステム部はステム部及び基部を貫通するチャネルを備え、各チャネルは電極に電気的に接続する電気導体を受容するように構成されている、ステム部と、
を備える、電気絶縁構造と、
複数のガスケットであって、各ガスケットはステム部のうち１つを包囲し、ガスケットのうち少なくとも１つはステム部のそれぞれを包囲する非金属性材料を備える、複数のガスケットと、
少なくとも１つの非金属性ガスケットの各々とステム部のそれぞれとの間に配設されたシールドと、
を備える、光源。
４１．複数のガスケットは少なくとも１つの金属性ガスケットを備え、少なくとも１つの金属性ガスケットの各々は、金属性ガスケットとステム部のそれぞれとの間のシールドなしでステム部のそれぞれを包囲する、条項４０の光源。
【0110】
[0118] これら及び他の実施例は特許請求の範囲内にある。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【手続補正書】
【提出日】2023-04-26
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光源用の装置であって、電気導体を受容するように構成されているチャネルを画定する電気絶縁体と、
前記電気絶縁体の少なくとも一部を包囲し、非金属性材料を備えるガスケットと、
前記チャネルと前記ガスケットとの間のシールドと、
を備える、装置。
【請求項2】
前記シールドは、前記電気導体内の電流によって生成される磁場を低減するように構成されている、請求項１の装置。
【請求項3】
前記シールド、磁性金属を備える、請求項１の装置。
【請求項4】
前記シールドは、ミューメタルを備え、
前記ガスケットは、エラストマ材料を備える、請求項１の装置。
【請求項5】
前記電気絶縁体は、基部と、前記基部から延在するステム部と、を備え、前記チャネルは、前記ステム部及び前記基部を貫通し、
前記シールドは、前記ステム部の外側の一部を包囲する、請求項１の装置。
【請求項6】
前記シールドは、フェライト又は鉄合金を備える、請求項１の装置。
【請求項7】
ハウジングと、前記ハウジング内の電極と、
前記ハウジングを貫通する、前記電極に電気的に接続された電気導体と、
前記電気導体の一部を包囲する電気絶縁体と、
前記電気絶縁体を包囲するガスケットと、
前記電気絶縁体の周囲のシールドであって、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、シールドと、
を備える、放電チャンバ。
【請求項8】
前記シールドは、前記電気絶縁体と前記ガスケットとの間に配設されている、請求項７の放電チャンバ。
【請求項9】
前記ガスケットは、電気絶縁材料を備える、請求項７の放電チャンバ。
【請求項10】
前記ハウジングは、内壁を備え、前記内壁は、導電性材料を備える、請求項７の放電チャンバ。
【請求項11】
前記ハウジング内に第２の電極を更に備え、
前記ハウジングは、ガス状利得媒質を含有する、請求項７の放電チャンバ。
【請求項12】
前記ガス状利得媒質は、フッ素を備え、
前記ガスケットは、フッ素化材料を備える、請求項１１の放電チャンバ。
【請求項13】
前記放電チャンバは、Ｎ個の電気絶縁体と、Ｎ個のガスケットと、Ｎ個の電気導体と、を備えており、Ｎは、１よりも大きい整数であり、
前記Ｎ個の電気絶縁体の各々は、前記電気導体のうちの１つを包囲し、
前記Ｎ個のガスケットの各々は、前記Ｎ個の電気絶縁体のうちの１つを包囲し、
前記Ｎ個のガスケットのうち少なくとも１つは、全体が金属性である、請求項７の放電チャンバ。
【請求項14】
前記ガスケットは、溝内にあり、前記シールドは、前記電気絶縁体と前記溝との間にある、請求項７の放電チャンバ。
【請求項15】
深紫外（ＤＵＶ）光源であって、第１のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第１のチャンバを備えており、
前記第１のチャンバは、
第１のハウジングと、
前記第１のハウジング内の第１の電極アセンブリと、
第１の電気導体を受容するように構成された第１のチャネルを備える第１の絶縁体であって、前記第１の電気導体は前記第１の電極アセンブリに電気的に接続するように構成されている、第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体の一部を包囲する第１のガスケットと、
前記第１のチャネルの一部を包囲する第１のシールドであって、磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、第１のシールドと、
を有する、ＤＵＶ光源。
【請求項16】
第２のパルスＤＵＶ光ビームを生成するように構成された第２のチャンバを更に備え、前記第２のチャンバは、
第２のハウジングと、
前記第２のハウジング内の第２の電極アセンブリと、
第２の電気導体を受容するように構成された第２のチャネルを備える第２の絶縁体であって、前記第２の電気導体は前記第２の電極アセンブリに電気的に接続するように構成されている、第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体の一部を包囲する第２のガスケットと、
前記第２のチャネルの一部を包囲する第２のシールドであって、前記第１のシールドは磁場を遮断するように又は減衰させるように構成されている、第２のシールドと、
を有する、請求項１５のＤＵＶ光源。
【請求項17】
前記第１のパルス光ビームは、シード光ビームを備え、前記第２のチャンバは、前記シード光ビームを受けるように位置決めされ、
前記第２のパルス光ビームは、前記シード光ビームに基づいている、請求項１６のＤＵＶ光源。
【請求項18】
前記第１のパルス光ビーム及び前記第２のパルス光ビームは、共通のビームコンバイナに向けて放出される、請求項１６のＤＵＶ光源。
【請求項19】
前記第１の電極アセンブリは、第１のアノード及び第１のカソードを備え、前記第１の電気導体は、前記第１のカソードに電気的に接続するように構成されている、請求項１６のＤＵＶ光源。
【請求項20】
前記第１のシールドは、前記第１のガスケットと前記第１の絶縁体との間に同心に配設され、前記第２のシールドは、前記第２のガスケットと前記第１の絶縁体との間に同心に配設される、請求項１６のＤＵＶ光源。
【請求項21】
放電チャンバと、前記放電チャンバ内の電極と、
電気絶縁構造であって、
前記放電チャンバ内の基部であって、前記電極と前記放電チャンバの外壁との間に延在する、基部と、
前記基部から前記放電チャンバの前記外壁を通って延在する複数のステム部であって、各ステム部は前記ステム部及び前記基部を貫通するチャネルを備え、各チャネルは前記電極に電気的に接続する電気導体を受容するように構成されている、ステム部と、
を有する、電気絶縁構造と、
複数のガスケットであって、各ガスケットは前記ステム部のうち１つを包囲し、前記ガスケットのうち少なくとも１つは前記ステム部のそれぞれを包囲する非金属性材料を備える、複数のガスケットと、
前記少なくとも１つの非金属性ガスケットの各々と前記ステム部の前記それぞれとの間に配設されたシールドと、を備え、
前記複数のガスケットは、少なくとも１つの金属性ガスケットを備え、
前記少なくとも１つの金属性ガスケットの各々は、前記金属性ガスケットと前記ステム部の前記それぞれとの間のシールドなしで前記ステム部のそれぞれを包囲する、
光源。
【国際調査報告】