特表 2023-545166 処理するガラス表面の割合を判定するプロセス及び関連するモバイルアプリケーション

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-10-26

(54)【発明の名称】処理するガラス表面の割合を判定するプロセス及び関連するモバイルアプリケーション

(51)【国際特許分類】

   H04B 3/48 20150101AFI20231019BHJP

   C03C 17/06 20060101ALI20231019BHJP

【ＦＩ】

H04B3/48

C03C17/06 Z

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023522770

(86)(22)【出願日】2021-10-15

(85)【翻訳文提出日】2023-05-26

(86)【国際出願番号】 EP2021078577

(87)【国際公開番号】W WO2022079225

(87)【国際公開日】2022-04-21

(31)【優先権主張番号】20202380.0

(32)【優先日】2020-10-16

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510191919

【氏名又は名称】エージーシー グラス ユーロップ

【氏名又は名称原語表記】ＡＧＣ ＧＬＡＳＳ ＥＵＲＯＰＥ

【住所又は居所原語表記】Ａｖｅｎｕｅ Ｊｅａｎ Ｍｏｎｎｅｔ ４， １３４８ Ｌｏｕｖａｉｎ－ｌａ－Ｎｅｕｖｅ， Ｂｅｌｇｉｑｕｅ

(71)【出願人】

【識別番号】000000044

【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】507090421

【氏名又は名称】エージーシー フラット グラス ノース アメリカ，インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＧＣ ＦＬＡＴ ＧＬＡＳＳ ＮＯＲＴＨ ＡＭＥＲＩＣＡ，ＩＮＣ．

【住所又は居所原語表記】１１１７５ Ｃｉｃｅｒｏ Ｄｒ． Ｓｕｉｔｅ ４００， Ａｌｐｈａｒｅｔｔａ， ＧＡ ３００２２， Ｕ．Ｓ．Ａ．

(71)【出願人】

【識別番号】518428303

【氏名又は名称】エージーシー ビードロス ド ブラジル エルティーディーエー

(74)【代理人】

【識別番号】100103816

【弁理士】

【氏名又は名称】風早 信昭

(74)【代理人】

【識別番号】100120927

【弁理士】

【氏名又は名称】浅野 典子

(72)【発明者】

【氏名】ラドゥ， ザビエル

(72)【発明者】

【氏名】ブルスカグリア， ミカエル

【テーマコード（参考）】

4G059

【Ｆターム（参考）】

4G059AA01

4G059AB07

4G059AC11

4G059DA00

(57)【要約】

本発明は、データベース（１４）を使用して、所定の周波数（Ｆｏ）で所定の電磁受信及び／又は送信レベル（Ｌａ）に到達するように、定義された密閉空間内でのデコーティングプロセスで処理するガラス表面の割合（Ｄｓ）を判定するプロセスに関する。前記プロセスは、内側及び／又は外側電磁信号振幅（Ｓｏ）を計測するステップ（１０１）、予測減衰レベル（Ｔａ）を算出するステップ（１０４）、対応する基準減衰レベルが前記予測減衰レベル（Ｔａ）以下である、処理された表面の基準割合（Ｄｓ＿ｒｅｆ）を前記データベース（１４）内で識別するステップ（１０５）、対応する基準減衰レベルが最小である、処理された表面の識別された基準割合（Ｄｓ＿ｒｅｆ）に対応する、前記定義された密閉空間内で処理するガラス表面の割合（Ｄｓ）を判定するステップ（１０６）を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

処理するガラス表面の割合（Ｄｓ）を判定するプロセスであって、前記処理は、データベース（１４）を使用して、所定の周波数（Ｆｏ）で所定の電磁受信及び／又は送信レベル（Ｌａ）に到達するように、定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）内において現場又は工場で行われることができ、
前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）は、全表面（Ｓｔｏｔ）の外部パーティションを含み、
前記データベース（１４）は、処理された表面の異なる基準割合（Ｄｓ＿ｒｅｆ）について、前記所定の周波数（Ｆｏ）で計測された基準減衰レベル（Ｔ＿ｒｅｆ）を含み、
前記プロセスは、
－ 前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）の内側及び／又は外側の少なくとも１つの位置（Ｉ１～Ｉ８、Ｅ１～Ｅ６）で前記所定の周波数（Ｆｏ）における内側及び／又は外側電磁信号振幅（Ｓｏ、Ｓｉ）を計測するステップ（１０１、１０２）、
－ 前記内側及び／又は外側電磁信号振幅（Ｓｏ、Ｓｉ）並びに前記所定の電磁受信及び／又は送信レベル（Ｌａ）の関数として、前記所定の周波数（Ｆｏ）における前記密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）の内側の予測減衰レベル（Ｔａ）を算出するステップ（１０４）、
－ 処理された表面の基準割合（Ｄｓ＿ｒｅｆ）を前記データベース（１４）内で識別するステップ（１０５）、ただし対応する前記基準減衰レベル（Ｔ＿ｒｅｆ）が前記予測減衰レベル（Ｔａ）以下である、及び
－ 前記処理された表面の識別された基準割合（Ｄｓ＿ｒｅｆ）に対応する、前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）内で処理するガラス表面の割合（Ｄｓ）を判定するステップ（１０６）、ただし対応する前記基準減衰レベル（Ｔ＿ｒｅｆ）が最小である、
を含む、プロセス。

【請求項2】

前記処理するガラス表面の割合（Ｄｓ）及び前記処理された表面の基準割合（Ｄｓ＿ｒｅｆ）は、前記外部パーティションの全表面（Ｓｔｏｔ、Ｓｔｏｔ＿ｒｅｆ）によって表面（Ｓ、Ｓｒｅｆ）を正規化することによって算出される、請求項１に記載の判定プロセス。

【請求項3】

前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）は、前記全表面（Ｓｔｏｔ）以下である全ガラス表面（Ｓｇｔｏｔ）の外部パーティションを含み、前記判定ステップ（１０６）後、前記プロセスは、前記処理するガラス表面の判定された割合（Ｄｓ）が最大割合値（Ｄｓ＿ｍａｘ）未満であるかどうかを確認し、前記最大割合値（Ｄｓ＿ｍａｘ）は、前記全ガラス表面（Ｓｇｔｏｔ）を前記全表面（Ｓｔｏｔ）によって除算したものに対応する、請求項１又は２に記載の判定プロセス。

【請求項4】

－ 前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）は、あるタイプのガラス（Ｔｇ）を有する外部パーティションを含み、かつ
－ 前記データベース（１４）は、あるタイプのガラス（Ｔｇ＿ｒｅｆ）の外部パーティションを有する基準密閉空間（Ｏ＿ｉｄ）を含み、基準減衰レベル（Ｔ＿ｒｅｆ）は、処理された表面の異なる基準割合（Ｄｓ＿ｒｅｆ）について、前記所定の周波数（Ｆｏ）で計測されたものであり、かつ
－ 前記識別（１０５、１０６）ステップは、前記基準密閉空間（Ｏ＿ｉｄ）タイプのガラス（Ｔｇ）と同じタイプのガラス（Ｔｇ＿ｒｅｆ）を有する基準密閉空間（Ｏ＿ｉｄ）を前記データベース（１４）内で選択することを更に含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の判定プロセス。

【請求項5】

－ 前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）の外側の少なくとも１つの位置（Ｅ１～Ｅ６）で前記所定の周波数（Ｆｏ）における前記外側電磁信号振幅（Ｓｉ）を計測するステップ（１０１）、
－ 前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）の内側の少なくとも１つの位置（Ｉ１～Ｉ８）で前記所定の周波数（Ｆｏ）における前記内側電磁信号振幅（Ｓｉ）を計測するステップ（１０２）、
－ 前記内側（Ｓｉ）電磁信号振幅と前記外側電磁信号振幅（Ｓｏ）との間の差を使用して、前記所定の周波数（Ｆｏ）における初期減衰レベル（Ｔ＿ｉｎｉｔ）を判定するステップ（１０３）、及び
－ 前記処理された表面の識別された基準割合（Ｄｓ＿ｒｅｆ）の前記基準減衰レベル（Ｔｒｅｆ）と、前記初期減衰レベル（Ｔ＿ｉｎｉｔ）との間の差に等しい予測利得（Ｇａ）を算出するステップ（１０７）
を更に含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の判定プロセス。

【請求項6】

前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）は、複数の外側計測位置（Ｅ１～Ｅ６）を含み、前記初期減衰レベル（Ｔ＿ｉｎｉｔ）は、内側計測位置（Ｉ１～Ｉ８）と、最も近接した外側計測位置（Ｅ１～Ｅ６）との間で判定される（１０３）、請求項１～５のいずれか一項に記載の判定プロセス。

【請求項7】

前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）は、複数の屋内計測位置（Ｉ１～Ｉ８）を含み、前記初期減衰レベル（Ｔ＿ｉｎｉｔ）は、前記複数の屋内計測位置（Ｉ１～Ｉ８）について算出された減衰レベルを平均することによって判定される（１０３）、請求項１～６のいずれか一項に記載の判定プロセス。

【請求項8】

－ 前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）内において、前記割合の処理するガラス表面を処理するステップ（１１０）、
－ 前記処理（１１０）後、前記定義された密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）の内側及び／又は外側の前記少なくとも１つの位置（Ｉ１～Ｉ８、Ｅ１～Ｅ６）において、前記所定の周波数（Ｆｏ）における前記内側及び／又は外側電磁信号振幅（Ｓｏ、Ｓｉ）の第２の計測を行うステップ（１１１、１１２）、
－ 前記内側及び／又は外側電磁信号振幅（Ｓｏ、Ｓｉ）を使用して、前記所定の周波数（Ｆｏ）における最終的な減衰レベル（Ｔ＿ｅｎｄ）を判定するステップ（１１３）、及び
－ 前記最終的な減衰レベル（Ｔ＿ｅｎｄ）と前記初期減衰レベル（Ｔ＿ｉｎｉｔ）との間の差に等しい実際の利得（Ｇｒ）を算出するステップ（１１４）
を更に含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の判定プロセス。

【請求項9】

前記予測利得（Ｇａ）と前記実際の利得（Ｇｒ）との間の差を算出するステップ（１１５）を更に含む、請求項８に記載の判定プロセス。

【請求項10】

前記データベース（１４）は、前記判定された初期減衰レベル（Ｔ＿ｉｎｉｔ）及び処理後に算出された前記最終的な減衰レベル（Ｔ＿ｅｎｄ）で完成される、請求項１～９のいずれか一項に記載の判定プロセス。

【請求項11】

前記外側電磁信号振幅（Ｓｏ）の前記計測（１０１）は、前記外部パーティションの開口部から１ｍ未満の距離で前記密閉空間（Ｏ１～Ｏ３）の内側において実現される、請求項９又は１０に記載の判定プロセス。

【請求項12】

請求項１～１１のいずれか一項に記載のプロセスを実行するように構成されたアプリケーション。

【請求項13】

前記計測ステップ（１０１、１０２；１１１、１１２）は、通信事業者に対応する所定の周波数（Ｆｏ）の範囲を試験するために、前記通信事業者のネットワークを使用して実現される、請求項１２に記載のモバイルアプリケーション。

【請求項14】

それぞれが異なる通信事業者のネットワークを使用する複数のスマートフォン又はタブレット間で共有される、請求項１２又は１３に記載のモバイルアプリケーション。

【請求項15】

複数の通信事業者ネットワークを試験することができる装置によって使用される、請求項１３又は１４に記載のモバイルアプリケーション。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、建物、列車、自動車、ボートなどの密閉空間内における電磁波受信及び／又は送信の改善の分野に関する。

【0002】

より詳細には、本発明は、所定の電磁受信及び／又は送信レベルに到達するように、定義された密閉空間内で処理するガラス表面の割合を判定するプロセスを対象とする。ガラス表面のこのような処理は、ガラス表面上におけるフィルム、整合層若しくは同様のものの適用、ガラスパネルの適用、厚さ、組成などのガラスの構造の適合及び／又はデコーティングプロセスであり得る。このような処理は、予め又は後に現場又は工場で行われることができる。

【0003】

有利には、本発明は、ユーザーが、任意の建設、改造又はリノベーション作業を行う前に、自らが得ること希望し得る可能なネットワーク受信及び／又は受信の改善を予見することを可能にする。

【背景技術】

【0004】

他の建物及びインターネットサービスプロバイダのアンテナの位置に対する建物の位置に応じて、電磁受信及び／又は送信レベルは、建物、部屋又は場合により部屋内の位置ごとに大幅に変化し得る。同様に、Ｗｉ－Ｆｉルーターの位置も建物のいくつかのエリア内で不良な受信及び／又は送信をもたらし得る。

【0005】

不良なレベルの受信及び／又は送信は、多くの場合、高減衰ファサードと組み合わされた建物内のガラス表面の存在に起因する。例えば、ガラスは、一般に、窓のため又は建物の内側で部屋を分離するためのいずれかで使用される。しかし、いくつかのタイプのガラスは、電磁波が部屋に進入するか又はそれから離脱することを妨げ、それにより不良な受信及び／又は送信をもたらすファラデーケージとして機能する金属層を含む。

【0006】

受信及び／又は送信の電磁レベルを改善し得る、本出願人によって提案された異なる解決策が存在する。

【0007】

所定の電磁受信及び／又は送信レベルに到達するためのこのような解決策は、ガラス表面上におけるフィルム、整合層若しくは同様のものの適用、ガラスパネルの適用、厚さ、組成などのガラスの構造の適合及び／又はデコーティングプロセスであり得る。処理は、予め又は後に現場又は工場で行われることができる。

【0008】

デコーティングプロセスを有する第１の解決策は、無線信号（３５０ＭＨｚ～７０ＧＨｚ）に対してほとんど透明であり、且つ本出願人によって販売されているＷａｖｅＴｈｒｕ（商標）解決策などの良好な断熱特性を維持しつつ、建物内の内側から外側への且つ／又は外側から内側への通信を大幅に改善し得る「ウェーブスルーガラス」を設置するか、又はガラス表面の一部分をそれに変更するステップを含む。

【0009】

デコーティングプロセスを有する第２の解決策は、ガラス表面を覆う金属層の小さい部分をデコーティングするステップを含む。金属層は、多層ガラス表面を構成するガラスパネルの表面上に適用された非常に薄い金属層又は太陽への曝露を低減するためにガラス表面の前面に設置された金属メッシュのいずれかであり得る。

【0010】

薄い金属層をデコーティングするために、国際公開第２０１５／０５０７６２号パンフレットからのデコーティング装置を使用することができる。デコーティング装置は、レーザー光源と、デコーティングするために窓の金属層上で前記レーザー光源を合焦するように構成されたレンズアレイとを含む。このような装置は、吸着盤を窓の上部に固定するように吸着盤上に取り付けられる。このタイプの装置は、Ｘ及びＹ軸に沿ってレールに沿ってレーザーを移動させるように構成された２つのモーターも含む。この結果、レーザーは、窓の電磁受信及び／又は送信を改善するために金属層上にグリッド形状を刻むことができる。

【0011】

しかし、ガラス表面の設置、変更又はデコーティングは、高価であり、且つ密閉空間が適切に使用され得ない多くの時間を必要とする。更に、電磁受信及び／又は送信レベルに対するガラス表面の設置、変更又はデコーティングの影響を予見することは、困難であり、なぜなら、これは、多くの異なるパラメータに依存するためである。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0012】

従って、解決されるべき技術的課題は、所定の電磁受信及び／又は送信レベルに到達するように、定義された密閉空間内で処理するガラス表面の最適な割合を識別する方法である。

【課題を解決するための手段】

【0013】

この技術的課題を解決するために、本発明は、電磁受信及び／又は送信レベルに対するガラス表面の処理の効果を正確に予見するプロセスを提案する。より正確には、プロセスは、要求される受信及び／又は送信レベルを得るために、外部パーティションが生成するべきである減衰レベルを算出することを提案する。換言すれば、プロセスは、要求される受信及び／又は送信レベルを得るために、処理する外部パーティション表面の割合を判定する。この目的のために、減衰レベルの関数としての処理されたガラス表面の割合の少なくとも１つの表又は曲線を含むデータベースが使用される。

【0014】

所定の電磁受信及び／又は送信レベルは、３Ｇ、４Ｇ及び／若しくは５Ｇの場合のＲＳＳｉ並びに／又は３Ｇ信号の場合のＲＳＣＰ、４Ｇの場合のＲＳＲＰ、５Ｇ信号の場合のｓｓ－ＲＳＲＰ並びに／或いは３Ｇ信号の場合のＥｃ／Ｎｏ、４Ｇの場合のＲＳＲＱ及び５Ｇ信号の場合のｓｓ－ＲＳＲＱなどの信号品質であることを理解されたい。

【0015】

後続する処理は、以下の通りであり得る。

【0016】

密閉空間内におけるウェーブスルーガラスパネルに対するガラス表面の割合の変更、即ち工場におけるデコーティングされたガラス表面による設置されたガラス表面の置換。

【0017】

設置された任意のガラス表面を依然として有しない、密閉空間内におけるある割合の特定のタイプのガラス表面の設置、即ち工場でデコーティングされたガラス表面の使用。

【0018】

及び／又は、密閉空間内におけるガラス表面の割合の原位置におけるデコーティング。

【0019】

換言すれば、第１の態様によれば、本発明は、デコーティングプロセスによって処理するガラス表面の割合を判定するプロセスに関し、このようなデコーティングプロセスは、データベースを使用して、所定の周波数で所定の電磁受信及び／又は送信レベルに到達するように、定義された空間内において現場又は工場で行われることができる。

【0020】

前記定義された密閉空間は、全表面の外部パーティションを含む。

【0021】

前記データベースは、処理された表面の異なる基準割合について、前記所定の周波数で計測された基準減衰レベルを含む。

【0022】

前記プロセスは、以下のステップを含む。

【0023】

前記定義された密閉空間の内側及び／又は外側の少なくとも１つの位置で前記所定の周波数における内側及び／又は外側電磁信号振幅を計測するステップ。

【0024】

内側及び／又は外側電磁信号振幅並びに前記所定の電磁受信及び／又は送信レベルの関数として、前記所定の周波数における前記密閉空間の内側の予測減衰レベルを算出するステップ。

【0025】

処理された表面の基準割合を前記データベース内で識別するステップ。ただし、対応する基準減衰レベルが前記予測減衰レベル以下である。

【0026】

及び、処理された表面の識別された基準割合に対応する、前記定義された密閉空間内で処理するガラス表面の割合を判定するステップ。ただし、対応する基準減衰レベルが最小である。このことは、このステップが、最小許容可能減衰レベルをもたらすガラス表面の最小割合を判定することを意味する。

【0027】

本発明によれば、「外部パーティション」は、密閉空間の外側から内側を分離する前記密閉空間の境界に対応する。外部パーティションは、現実のもの又は仮想的なもののいずれかであり得、且つ少なくとも壁を含む。例えば、特にＩｏＴ通信の場合、密閉空間が建物内の部屋であるとき、この部屋の「外部パーティション」は、建物の外部に開放した１つ又は複数のもの及び部屋、階段の吹き抜きなどの他の密閉空間に開放した１つ又は複数のものを含む、部屋の壁に対応する。外部パーティションは、木材又は金属などのいくつかの材料から構成され得、且つガラスを含み得る。

【0028】

減衰レベルは、以下として理解することができる。

【0029】

例えば、インターネットプロバイダアンテナから到来する無線周波数の減衰に対応する、密閉空間の外側から内側に到来する電磁波の減衰。

【0030】

又は、例えばＷｉ－Ｆｉルーターを収容する部屋の外側のＷｉ－Ｆｉ信号など、部屋の外側の無線信号の減衰に対応する、密閉空間の内側から外側に到来する電磁波の減衰。

【0031】

減衰レベルがどのように計測されるかとは独立して、減衰レベルの絶対値は、データベース内に保存された他の減衰レベルとの比較のために使用される。

【0032】

従って、本発明は、所定の電磁受信及び／又は送信レベルに到達するように、定義された密閉空間内で処理するガラス表面の最適な割合を見出すことを可能にする。

【0033】

有利には、処理するガラス表面の割合及び処理された表面の基準割合は、外部パーティションの全表面によって表面を正規化することによって算出される。

【0034】

正規化された値は、比較のためにより良好である。実際に、データベースは、外部パーティションの寸法及び形状が非常に異なる多くの異なるタイプの基準密閉空間を含み得る。ガラス表面と、外部パーティションの全表面との間の比率が類似する限り、適切な比較が可能である。

【0035】

本発明の一実施形態では、前記定義された密閉空間は、前記全表面以下である全ガラス表面の外部パーティションを含み、判定ステップ後、前記プロセスは、前記処理するガラス表面の判定された割合が最大割合値未満であるかどうかを確認し、前記最大割合値は、全ガラス表面を全表面によって除算したものに対応する。

【0036】

換言すれば、この機能は、検討される外部パーティション内に既に存在するガラス表面が、要求される受信及び／又は送信レベルを得るために十分であるかどうかをユーザーに示す。処理するガラス表面の判定された割合が最大割合値未満である場合、これは、既存のガラス表面が、要求される受信及び／又は送信レベルを得るために十分であることを意味する。従って、リノベーション又は建設作業を実行することができる。

【0037】

しかし、処理するガラス表面の判定された割合が最大割合値を超える場合、既存のガラス表面は、要求される受信及び／又は送信レベルを得るために十分ではない。従って、新しいガラスパネルのための新しい自由空間を開放するために、密閉空間の青写真を変更しなければならない。この機能は、作業の費用を推定するための優れた方法である。

【0038】

本発明の別の実施形態では、以下の通りである。

【0039】

前記定義された密閉空間は、あるタイプのガラスを有する外部パーティションを含む。

【0040】

前記データベースは、あるタイプのガラスの外部パーティションを有する基準密閉空間を含み、基準減衰レベルは、処理された表面の異なる基準割合について、前記所定の周波数で計測されたものである。

【0041】

及び、識別ステップは、前記基準密閉空間タイプのガラスと同じタイプのガラスを有する基準密閉空間を前記データベース内で選択することを更に含む。

【0042】

この実施形態では、データベースは、計測された減衰レベルの関数としての処理されたガラス表面の割合のいくつかの表又は曲線を含む。それぞれの表又は曲線は、特定のタイプのガラスを有する密閉空間の異なる形状に対応する。この実施形態は、最も近接した基準密閉空間の選択及び誤り率の極小化を可能にする。

【0043】

本発明の別の実施形態では、プロセスは、以下のステップを更に含む。

【0044】

前記定義された密閉空間の外側の少なくとも１つの位置で前記所定の周波数における外側電磁信号振幅を計測するステップ。

【0045】

前記定義された密閉空間の内側の少なくとも１つの位置で前記所定の周波数における内側電磁信号振幅を計測するステップ。

【0046】

前記内側電磁信号振幅と前記外側電磁信号振幅との間の差を使用して、前記所定の周波数における初期減衰レベルを判定するステップ。

【0047】

及び、処理された表面の前記識別された基準割合の基準減衰レベルと、前記初期減衰レベルとの間の差に等しい予測利得を算出するステップ。

【0048】

具体的には、この実施形態は、任意の作業が実行される前にベース基準として初期減衰レベルを計測する。好ましくは、外側電磁信号が４Ｇ信号について－１００ｄＢｍ未満である場合、クライアントは、受信及び／又は送信の内側レベルを大幅に改善するために作業を実行することが不可能であることを知るべきであり、なぜなら、建物によって受け取られた信号が既に低過ぎるためである。

【0049】

プロセスの品質を更に改善し、且つ誤り率を低減するために、内側及び外側電磁信号の複数回の計測を実施することができる。この実施形態では、前記定義された密閉空間は、複数の外側計測位置を含み、前記初期減衰レベルは、内側計測位置と、最も近接した外側計測位置との間で判定される。

【0050】

同様に、前記定義された密閉空間も複数の屋内計測位置を含み得、前記初期減衰レベルは、複数の屋内計測位置について算出された減衰レベルを平均することによって判定される。

【0051】

更に、外側電磁信号振幅の前記計測は、外部パーティションの開口部から１ｍ未満の距離で前記密閉空間の内側において実現され得る。

【0052】

本発明によれば、開口部は、窓開口部、ドア開口部又は密閉空間の内側と外側との間のアクセスを可能にする任意の開口部のいずれかであり得る。

【0053】

別の実施形態では、プロセスは、以下のステップを更に含む。

【0054】

前記定義された密閉空間内において、前記割合の処理するガラス表面を処理するステップ。

【0055】

処理後、前記定義された密閉空間の内側及び／又は外側の前記少なくとも１つの位置において、前記所定の周波数における内側及び／又は外側電磁信号振幅の第２の計測を行うステップ。

【0056】

前記屋内電磁信号振幅と前記屋外電磁信号振幅との間の比率を使用して、前記所定の周波数における最終的な減衰レベルを判定するステップ。

【0057】

及び、前記最終的な減衰レベルと前記初期減衰レベルとの間の差に等しい実際の利得を算出するステップ。

【0058】

任意選択により、前記プロセスは、予測利得と実際の利得との間の差を算出するステップを更に含む。

【0059】

この初期減衰レベル及び最終的な減衰レベルは、受信及び／又は送信の改善を推定するために比較される。これは、受信及び／又は送信が向上した程度を数値によって示すための良好な指標である。この指標は、受信及び／又は送信の改善の予測におけるプロセスの信頼性を推定するために、予測利得と実際の利得との比較で完成される。

【0060】

プロセスを実行した後、データベースは、判定された初期減衰レベル及び処理後に算出された最終的な減衰レベルで完成され得る。この機能は、データベースが完成されるのに伴ってより多くの基準を得ること及び誤り率を引き下げることを可能にする。

【0061】

処理のタイプに応じて、プロセスを適合させることができる。従って、プロセスが、デコーティングするガラス表面の割合の判定に関係する場合、プロセスは、以下のステップを含む。

【0062】

デコーティング装置構成を取得するステップ。

【0063】

装置によってデコーティングされ得る、前記定義された密閉空間内のガラス表面のエリアを識別するステップ。

【0064】

及び、デコーティングするガラス表面の識別されたエリア及び割合を考慮することにより、デコーティングする表面を判定するステップ。

【0065】

プロセスが、置換するガラス表面の割合の判定に関係する場合、プロセスは、以下のステップを含む。

【0066】

前記定義された密閉空間内の窓形状を識別するステップ。

【0067】

及び、置換する窓の可能な組合せにおける、置換する窓又は窓の組合せを判定するステップであって、ガラス表面の対応する割合は、置換するガラス表面の判定された割合を超え、且つそれに最も近接する、ステップ。

【0068】

プロセスが、設置するガラス表面の割合の判定に関係する場合、プロセスは、以下のステップを含む。

【0069】

密閉空間の青写真上で窓形状を識別するステップ。

【0070】

及び、設置する窓の可能な組合せにおける、設置する窓又は窓の組合せを判定するステップであって、ガラス表面の対応する割合は、設置するガラス表面の判定された割合を超え、且つそれに最も近接する、ステップ。

【0071】

第２の態様によれば、本発明は、第１の態様によるプロセスを実行するように構成されたアプリケーションにも関する。

【0072】

モバイルアプリケーションを使用して、第３の態様に従い、通信事業者のネットワークを使用して、前記通信事業者に対応する所定の周波数の範囲を試験するために計測ステップを実現することができる。

【0073】

更に、前記モバイルアプリケーションは、それぞれ異なる通信事業者のネットワークを使用する複数のスマートフォン又はタブレット間で共有され得る。代わりに、前記モバイルアプリケーションは、複数の通信事業者ネットワークを試験することができる装置によって使用され得る。

【0074】

本発明は、請求項又は記述される実施形態で記述される特徴のすべての可能な組合せに関する点に留意されたい。

【0075】

以下の説明は、建物用途に関するが、本発明は、自動車又は輸送用途などの他の分野にも適用可能であり得ることを理解されたい。

【図面の簡単な説明】

【0076】

以下では、限定ではなく、例示として提供される本発明の様々な例示的実施形態を示す添付図面を参照して、本発明のこの及び他の態様について更に詳細に説明する。図面は、概略表現であり、その縮尺は、正確ではない。図面は、決して本発明を限定するものではない。更なる利点について例によって説明する。

【0077】

以下では、限定ではなく、例示として提供される本発明の様々な例示的実施形態を示す添付図面を参照して、本発明の異なる態様について更に詳細に説明する。図面は、概略表現であり、その縮尺は、正確ではない。図面は、決して本発明を限定するものではない。更なる利点について例によって説明する。

【0078】

【図1】本発明の第１の実施形態によるプロセスのブロック図である。

【0079】

【図2】図１からの実施形態のデータベース内に含まれる情報を提示する表である。

【0080】

【図3】図１からの実施形態のデータベース内に含まれる情報の別の表現である、処理されたガラス表面の基準表面比率の関数としての減衰の曲線である。

【0081】

【図4】本発明の第２の実施形態によるプロセスのブロック図である。

【0082】

【図5】図４からの実施形態のデータベース内に含まれる情報を表す表である。

【0083】

【図6】建物フロアの外側電磁信号振幅計測の概略表現である。

【0084】

【図7】建物フロアの内側及び外側電磁信号振幅計測の概略表現である。

【0085】

【図8】建物フロアの減衰レベル計算の概略表現である。

【発明を実施するための形態】

【0086】

よりよい理解のため、図面におけるそれぞれのコンポーネントの縮尺は、実際の縮尺と異なり得る。図１は、本発明の第１の実施形態によるプロセスの主要なステップを提示するブロック図である。プロセスは、ユーザーが自らの電話機又はタブレット上にインストールし得るアプリケーションによってホストされる。しかし、専用の装置を使用することもできる。

【0087】

プロセスを使用する前に、ユーザーは、いくつかのパラメータを定義しなければならない。

【0088】

定義する第１のパラメータは、プロセスが実施される密閉空間Ｏｉである。密閉空間Ｏｉは、建物内の部屋、列車の貨車、パティオ又はテラスのいずれかであり得る。一般に、この密閉空間Ｏｉは、受信及び／又は送信の内側レベルＬａが可もなく不可もないために識別されるか、又は建築プロジェクトの場合、この特定の密閉空間が良好な受信及び／又は送信レベルＬａを必要とするために識別される。例えば、建物内のカフェテリア又は休憩室は、良好な受信及び／又は送信レベルＬａを必要とし、なぜなら、多くの人々は、電話するか又は無線ネットワークを使用してインターネットをブラウジングするために自らの電話機を同時に使用するためである。密閉空間Ｏｉはまた、隣接する部屋にも供給するように想定されるが、これらの隣接する部屋内における受信及び送信レベルＬａが低いＷｉ－Ｆｉルーターを収容することために識別され得る。

【0089】

定義された密閉空間Ｏｉは、全表面Ｓｔｏｔの外部パーティションによって境界を定められる。この外部パーティションは、実際のもの又は仮想的なもののいずれかである。両方の場合、外部パーティションは、密閉空間Ｏｉの外側からの内側の区別を可能にする。一般に、外部パーティションは、部分的又は全体的にガラスから製造され、且つ何らかの金属を含む少なくとも壁を含む。金属は、ファラデーケージとして機能し、且つ任意の電磁受信及び／又は送信を遮断する。外部パーティションの全表面Ｓｔｏｔは、ユーザーによって手動で計測され得るか、又はそれは、外部パーティションの青写真上で推定され得る。

【0090】

プロセスを使用する前に、ユーザーは、その受信及び／又は送信の改善が必要とされる周波数範囲Ｆｏも定義しなければならない。例えば、課題がＷｉ－Ｆｉネットワークに由来する場合、検討しなければならない周波数範囲Ｆｏは、２．４５ＧＨｚ及び５ＧＨｚの範囲である。課題が特定のネットワークプロバイダの４Ｇ受信及び／又は送信に由来する場合、検討しなければならない周波数範囲Ｆｏは、その特定のネットワークプロバイダに割り当てられたものである。いくつかの周波数範囲Ｆｏの試験が明らかに可能であるが、それぞれの定義された周波数範囲Ｆｏごとに全体プロセスを連続的又は同時に実行しなければならない。

【0091】

最終的に、ユーザーは、少なくとも密閉空間Ｏｉの内側の処理後にユーザーが到達すると予測する受信及び／又は送信レベルに対応する所定の電磁受信及び／又は送信レベルＬａも定義しなければならない。

【0092】

プロセスの第１のステップ１０１は、所定の周波数範囲Ｆｏにおける内側及び／又は外側電磁信号Ｓｏ、Ｓｉを計測するためのものである。

【0093】

内側電磁信号Ｓｉの計測は、前記開口部が閉鎖されているとき、開口部（例えば、ドア又は窓）の前面の密閉空間Ｏｉの内側で実現される。

【0094】

外側信号Ｓｏは、前記開口部が開放されているとき、開口部の前面における密閉空間Ｏｉの外側又は密閉空間Ｏｉの内側のいずれかで計測され得る。計測は、好ましくは、いくつかの位置で実現され、且つ平均される。

【0095】

計測は、ユーザーによって識別された周波数範囲Ｆｏを受け取るために、少なくともアンテナを装備した装置によって実行される。電話機又はタブレットの場合、電話機のｓｉｍカード又はｅカードが特定のネットワーク事業者の周波数範囲Ｆｏに対してチューニングされる。従って、ユーザーは、存在する試験する事業者周波数範囲Ｆｏと同数の電話機／タブレット及び関連するｓｉｍカード／ｅカードを必要とする。いくつかの周波数範囲を連続的又は同時に試験するために、いくつかのアンテナを含む専用の装置を使用することもできる。

【0096】

プロセスの第２のステップ１０４は、予測減衰レベルＴａを算出することであり、これは、所定の電磁受信及び／又は送信レベルＬａに到達するために外部パーティションが有するべきである減衰に対応する。

【0097】

予測減衰レベルＴａは、所定の電磁受信及び／又は送信レベルＬａ並びに内側及び／又は外側電磁信号Ｓｉ、Ｓｏの計測の関数として算出される。

【0098】

例えば、外側電磁信号Ｓｏのみを利用し、外側電磁信号Ｓｏが－９５ｄＢｍに等しく、且つ予測される電磁受信及び／又は送信レベルＬａが－１１０ｄＢｍに等しいとする。この結果、予測減衰レベルＴａは、所定の電磁受信及び／又は送信レベルＬａ値と、外側電磁信号Ｓｏ値との間の差を取得することによって算出され、－９５－（－１１０）＝１５ｄＢである。

【0099】

全ガラス表面Ｓｇｔｏｔの初期減衰レベルを知ることにより、内側電磁信号Ｓｉのみを使用することもできる。内側電磁信号Ｓｉが－１３０ｄＢｍに等しく、且つ所定の電磁受信及び／又は送信レベルＬａが－１１０ｄＢｍに等しい場合、ガラス表面を変更することによって２０ｄＢの内側電磁信号Ｓｉの改善が予測される。

【0100】

図１を再び参照すると、プロセスの第３のステップ１０５は、対応する基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆが前記予測減衰レベルＴａ以下である、処理された表面の基準割合Ｄｓ＿ｒｅｆをデータベース１４内で識別することである。

【0101】

図２及び図３は、データベース１４内に含まれ得るものの一例を示す。実際に、データベース１４は、所定の周波数範囲Ｆｏにおける基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆの関数として基準の処理されたガラス表面の割合Ｄｓ＿ｒｅｆの基準表又は曲線のいずれかを含む。この実施形態では、表又は曲線は、一般的なものであり、且つその減衰レベルＴａの推定が必要とされるすべての新しい密閉空間Ｏｉに適用することができる。

【0102】

より詳細には、図２は、基準密閉空間の全表面Ｓｔｏｔ＿ｒｅｆの割合で表現された基準の処理されたガラス表面のＤｓ＿ｒｅｆを含む第１の列を含む表を示す。従って、基準の処理されたガラス表面のＤｓ＿ｒｅｆは、基準の処理された表面のＳｒｅｆを基準密閉空間の全表面Ｓｔｏｔ＿ｒｅｆによって除算したものに等しい。表の第２の列は、こちらも割合で表現された基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆを含む。

【0103】

図２は、双曲線形状を有する曲線を示す。ｙ軸は、ｄＢで表現された基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆを表し、ｘ軸は、割合で表現され、且つ上述のように算出された基準の処理されたガラス表面のＤｓ＿ｒｅｆを表す。

【0104】

図２の表が、基準の処理されたガラス表面の割合Ｄｓ＿ｒｅｆを判定するために使用される場合、予測減衰レベルＴａは、上述のように算出されて７ｄＢに等しいものとなり得る。薄い灰色で強調表示された行は、第３のステップ１０５でプロセスによって選択されたものである。これらは、減衰レベルＴ＿ｒｅｆが７ｄＢ以下である行に対応する。

【0105】

図３の表が、処理されたガラス表面の割合Ｄｓ＿ｒｅｆを判定するために使用される場合、予測減衰レベルＴａは、上述のように算出されて２０ｄＢに等しいものとなり得る。プロセスは、第３のステップ１０５において、薄い灰色で強調表示された曲線の部分を選択する。選択される値は、減衰レベルＴ＿ｒｅｆが２０ｄＢ以下である値に対応する。

【0106】

再び図１を参照すると、第４のステップ１０６は、最大基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆに対応する選択された行／値のうち、処理するガラス表面の基準割合Ｄｓ＿ｒｅｆを判定するステップを含む。この処理するガラス表面の基準割合Ｄｓ＿ｒｅｆは、密閉空間Ｏｉ内の処理するガラス表面の割合Ｄｓとなる。

【0107】

図２の表では、識別された基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆが最大である行は、濃い灰色で強調表示される。この行は、２３ｄＢの基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆを得るには、少なくとも４０％の処理するガラス表面の基準割合Ｄｓ＿ｒｅｆが処理される必要があることを示す。従って、検討される密閉空間Ｏｉ内で２３ｄＢ以下の予測減衰レベルＴａを得るために、少なくとも４０％のガラス表面の割合Ｄｓが処理される必要がある。

【0108】

図３の曲線では、識別された基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆが最大である値Ｄｓが点線によって強調表示される。２０ｄＢｍの基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆを得るために、２６．４％の処理するガラス表面の基準割合Ｄｓ＿ｒｅｆが処理される必要がある。従って、検討される密閉空間Ｏｉ内で２０ｄＢ以下の予測減衰レベルＴａを得るために、２６．４％のガラス表面の割合Ｄｓが処理される必要がある。この表現は、曲線が連続的であることから、無限数の解決策を有するという利点を提示する。

【0109】

図４には、より完全なプロセスが提示されている。上述のように、ユーザーは、密閉空間Ｏｉと、自らがこの密閉空間Ｏｉの内側で必要とする受信及び／又は送信レベルＬａと、この密閉空間の外部パーティションの全表面Ｓｔｏｔとを予め判定しなければならない。この実施形態では、ユーザーは、外部パーティションの全ガラス表面Ｓｇｔｏｔ及び使用されるガラスのタイプＴｇを判定する必要もある。これらの２つの情報は、ユーザー自身によって計測若しくは判定され得るか、又はこれらは、密閉空間Ｏｉの青写真上に見出され得る。

【0110】

プロセスの第１のステップ１０１、１０２、１０３は、初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔを得るステップを含む。この値は、任意の処理の前の密閉空間Ｏｉの状態の良好な指標である。

【0111】

既に構築された密閉空間Ｏｉの場合、初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔを得るための最も簡単な方法は、外側電磁信号Ｓｏを計測し１０１、且つ内側電磁信号Ｓｉを計測し１０２、及び初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔを得るためにこれらの２つの値を減算する１０３ことである。

【0112】

両方の計測は、開口部（例えば、ドア又は窓）の前面における密閉空間Ｏｉの内側でも実現され得る。この場合、外側信号Ｓｏは、ドア／窓が開放されているときに計測され得、及び内側信号Ｓｉは、ドア／窓が閉鎖されているときに計測され得る。計測は、好ましくは、いくつかの位置Ｅ１－Ｅ６、Ｉ１－Ｉ８で実現される。図６～図８は、ステップ１０１～１０３の実現の一例を示す。

【0113】

この例では、プロセスは、３つの主な部屋Ｏ１～Ｏ３を収容する建物の全体フロアに適用される。所定の周波数の範囲Ｆｏにおける建物ファサードの減衰を推定するために、すべての部屋Ｏ１～Ｏ３を試験する必要がある。図６では、外側電磁信号Ｓｏは、建物の周りを取り囲むように６つの異なる位置Ｅ１～Ｅ６で計測される。外側電磁信号Ｓｏの第１の推定は、外側電磁信号Ｓｏレベルが－１００ｄＢｍ未満である位置Ｅ２、Ｅ６を、外側電磁信号Ｓｏレベルが－１００ｄＢｍ超である位置Ｅ１、Ｅ３、Ｅ４、Ｅ５から区別することによって実施される。

【0114】

外側電磁信号Ｓｏの計測値の大部分が－１００ｄＢｍ未満である場合、本出願人は、任意の建設、改造又はリノベーション作業の実施を推奨せず、なぜなら、外側電磁信号Ｓｏは、良好な受信及び／又は送信レベルを得るには既に小さ過ぎるためである。

【0115】

図７では、内側電磁信号Ｓｉは、部屋Ｏ１～Ｏ３の周りを取り囲むように８つの異なる位置Ｉ１～Ｉ８で計測される。

【0116】

２つの最も近接した外側及び内側位置Ｅ１～Ｅ６、Ｉ１～Ｉ８の内側電磁信号Ｓｉ及び外側電磁信号Ｓｏを減算することにより、いくつかの減衰レベルｔ１～ｔ７が算出される。例えば、図８に示されるように、減衰レベルｔ３は、位置Ｅ３で計測された外側電磁信号Ｓｏから、位置Ｉ４で計測された内側電磁信号Ｓｉを減算したものに等しい。

【0117】

このステップ後、いくつかの減衰レベルｔ１～ｔ７は、同じ部屋Ｏ１～Ｏ３に対応し得る。例えば、ｔ２及びｔ３の両方が部屋Ｏ２に対応する。この場合、部屋Ｏ２の初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔは、これらの２つの値を平均することによって得られる。

【0118】

しかし、多くの場合、外側信号Ｓｏを計測することは、不可能であり、なぜなら、例えば窓が開放され得ないからである。この場合、データベース１４からのデータを使用して初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔを推定する必要がある。同様に、依然として構築されていない密閉空間の場合、内側電磁信号Ｓｉを計測することが不可能である。従って、初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔもデータベース１４からのデータを使用して推定する必要がある。

【0119】

初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔを見出すために、ユーザーは、図２、図３及び図５の表又は曲線を判読することが可能であり、且つ０％に等しい処理されたガラス表面の基準割合Ｄｓ＿ｒｅｆを探すことができる。対応する減衰レベルＴ＿ｒｅｆは、表／曲線上で判読することができる。この減衰レベルＴ＿ｒｅｆは、初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔである。これらのステップは、明らかにプロセスで自動化することができる。

【0120】

ステップ１０４は、図３について記述されるものと同様に実行される。しかし、ステップ１０５は、より完全な、即ち図５に表されるデータベース１４に依存するために異なる。このデータベースは、異なる基準密閉空間Ｏ＿ｉｄ１、Ｏ＿ｉｄ２における所定の周波数範囲Ｆｏにおける減衰レベルの関数として処理されたガラス表面の割合に関するデータを含む副表によって充填される。これらの基準密閉空間Ｏ＿ｉｄ１、Ｏ＿ｉｄ２は、ガラス表面について使用されるガラスのタイプＴｇ＿ｒｅｆによって異なる。例えば、ガラス表面は、単純多層ガラス表面、二重ｄＶ多層ガラス表面又は三重ｔＶ多層ガラス表面のいずれかであり得る。

【0121】

従って、ステップ１０５は、まず、処理する密閉空間Ｏｉに対して最も近接したガラスのタイプを有する基準密閉空間Ｏ＿ｉｄ１、Ｏ＿ｉｄ２を識別する必要がある。この基準密閉空間Ｏ＿ｉｄ１、Ｏ＿ｉｄ２が識別されると、処理する基準ガラス表面Ｄｓ＿ｒｅｆを上述のように選択することが可能であり１０５、且つ処理するガラス表面Ｄｓを更に同様に見出することができる１０６。

【0122】

図４のプロセスは、ステップ１０５で識別された基準減衰レベルＴ＿ｒｅｆと、初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔとの間の差に対応する予測利得Ｇａを判定するステップ１０７によって完了される。次いで、処理する表面の処理Ｄｓがステップ１１０で実行される。

【0123】

その後、プロセスの品質を制御するために、ステップ１１１、１１２及び１１３は、内側及び／又は外側信号Ｓｏ、Ｓｉを再び計測又は推定するステップと、最終的な減衰レベルＴ＿ｅｎｄを算出するステップとを含む。プロセスは、ステップ１１３で識別された最終的な減衰レベルＴ＿ｅｎｄと、ステップ１０３で識別された初期減衰レベルＴ＿ｉｎｉｔとの間の差に対応する実際の利得Ｇｒを判定するステップ１１４によって完了される。両方の利得Ｇａ及びＧｒを比較することにより、ユーザーは、プロセスがどの程度良好に密閉空間Ｏｉ内の受信及び／又は送信を予測したかを理解することができる。

【0124】

更に、両方の減衰レベルは、データベース１４内に保存され得る。

【0125】

結論として、本発明は、所定の電磁受信及び／又は送信レベルに到達するように、定義された密閉空間内で処理するガラス表面の最適な割合を識別することができるプロセスを開示する。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【国際調査報告】