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特表2023-547044プラズマエッチングウエハの単一化プロセス用シャドーリングキット
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-11-09
(54)【発明の名称】プラズマエッチングウエハの単一化プロセス用シャドーリングキット
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20231101BHJP
B23K 26/364 20140101ALI20231101BHJP
B23K 26/402 20140101ALI20231101BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20231101BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 S
B23K26/364
B23K26/402
H01L21/68 N
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023520400
(86)(22)【出願日】2021-09-16
(85)【翻訳文提出日】2023-05-29
(86)【国際出願番号】 US2021050744
(87)【国際公開番号】W WO2022076144
(87)【国際公開日】2022-04-14
(31)【優先権主張番号】17/064,470
(32)【優先日】2020-10-06
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】エルマライ， カルシック
(72)【発明者】
【氏名】ペー， エン シェン
(72)【発明者】
【氏名】ソレンセン， マイケル
(72)【発明者】
【氏名】ティルナヴカラス， シリスカンタラジャ
(72)【発明者】
【氏名】タッティ， アルンクマール
【テーマコード（参考）】
4E168
5F063
5F131
【Ｆターム（参考）】
4E168AD01
4E168AD17
4E168AD18
4E168CB07
4E168DA02
4E168DA03
4E168DA04
4E168DA32
4E168DA37
4E168DA40
4E168DA47
4E168GA01
4E168JA17
5F063CB06
5F063CB27
5F063CC21
5F063DD26
5F063DD31
5F063DD37
5F063DD42
5F063DD46
5F063DD51
5F063DF19
5F063DF20
5F063FF13
5F131AA02
5F131AA03
5F131BA19
5F131BA52
5F131CA32
5F131EA03
5F131EB11
5F131EB72
5F131EB82
(57)【要約】
シャドーリングキット及び半導体ウエハをダイシングする方法が記載されている。一実施例では、エッチング装置は、チャンバと、チャンバ内の又はチャンバに結合されたプラズマ源とを含む。静電チャックは、チャンバ内にあり、静電チャックは、第１の直径を有するウエハを支持する大きさの基板キャリアを支持するための導電性ペデスタルを含む。シャドーリングアセンブリは、プラズマ源と静電チャックとの間にあり、シャドーリングアセンブリは、第１の直径よりも小さい第２の直径を有するウエハを処理する大きさである。
【選択図】図４
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
エッチング装置であって、チャンバと、
前記チャンバ内の又は前記チャンバに結合されたプラズマ源と、
前記チャンバ内の静電チャックであって、第１の直径を有するウエハを支持する大きさの基板キャリアを支持するための導電性ペデスタルを含む静電チャックと、
前記プラズマ源と前記静電チャックとの間のシャドーリングアセンブリであって、前記第１の直径よりも小さい第２の直径を有するウエハを処理する大きさのシャドーリングアセンブリと
を備えるエッチング装置。
【請求項2】
前記第１の直径は約３００ｍｍであり、前記第２の直径は約２００ｍｍである、請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項3】
前記シャドーリングアセンブリは、熱シールド、インサートリング、及びキャリアを含む、請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項4】
前記熱シールド、前記インサートリング、及び前記キャリアは、固体アルミナを含む、請求項３に記載のエッチング装置。
【請求項5】
前記熱シールドは、前記インサートリングと接触せずに前記インサートリングを収容するためのポケットをその中に含む、請求項３に記載のエッチング装置。
【請求項6】
前記導電性ペデスタルは、それを貫通する複数の孔を有し、前記エッチング装置は更に、複数の孔のうちの１つに対応する複数のリフトピンであって、前記ウエハの下の前記基板キャリアに接触するように配置された複数のリフトピン
を備える、請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項7】
前記導電性ペデスタルは、その周囲エッジに複数のノッチを有し、前記エッチング装置は更に、前記複数のノッチのうちの１つに対応する複数のリフトピンであって、前記基板キャリアのフレームに接触するように配置された複数のリフトピン
を備える、請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項8】
複数の集積回路を含む半導体ウエハをダイシングする方法であって、前記半導体ウエハの上にマスクを形成することであって、前記マスクは、前記集積回路を覆い保護する層を含み、前記半導体ウエハは、第１の直径を有するウエハを支持する大きさの基板キャリアによって支持される、前記半導体ウエハの上にマスクを形成することと、
前記集積回路間の前記半導体ウエハの領域を露出させる間隙を有するパターニングされたマスクを提供するために、レーザスクライビングプロセスで前記マスクをパターニングすることと、
前記半導体ウエハが前記基板キャリアによって支持されている間、及び前記基板キャリアが前記第１の直径よりも小さい第２の直径を有する前記半導体ウエハを処理する大きさのシャドーリングアセンブリによって部分的に覆われている間に、前記集積回路を単一化するために、前記パターニングされたマスクの前記間隙を通して前記半導体ウエハをエッチングすることと
を含む方法。
【請求項9】
前記シャドーリングアセンブリは、熱シールド、インサートリング、及びキャリアを含み、前記熱シールドは、エッチング中の熱接触を避けるために前記インサートリングに接触せずに前記インサートリングを収容するためのポケットをその中に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記第１の直径は約３００ｍｍであり、前記第２の直径は約２００ｍｍである、請求項８に記載の方法。
【請求項11】
複数の集積回路を含む半導体ウエハをダイシングするためのシステムであって、ファクトリインターフェースと、
前記ファクトリインターフェースに結合され、レーザを含むレーザスクライブ装置と、
前記ファクトリインターフェースに結合されたエッチング装置であって、チャンバと、前記チャンバ内の又は前記チャンバに結合されたプラズマ源と、前記チャンバ内の静電チャックであって、第１の直径を有するウエハを支持する大きさの基板キャリアを支持するための導電性ペデスタルと、前記プラズマ源と前記静電チャックとの間のシャドーリングアセンブリであって、前記第１の直径よりも小さい第２の直径を有するウエハを処理する大きさのシャドーリングアセンブリとを含む静電チャックとを含むエッチング装置と
を備えるシステム。
【請求項12】
前記第１の直径は約３００ｍｍであり、前記第２の直径は約２００ｍｍである、請求項１１に記載のシステム。
【請求項13】
前記エッチング装置の前記シャドーリングアセンブリは、熱シールド、インサートリング、及びキャリアを含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項14】
前記熱シールド、前記インサートリング、及び前記キャリアは、固体アルミナを含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項15】
前記熱シールドは、前記インサートリングに接触することなく前記インサートリングを収容するためのポケットをその中に含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項16】
前記インサートリングは、約１９７ｍｍの直径を有する内側開口部を有する、請求項１３に記載のシステム。
【請求項17】
前記レーザスクライブ装置は、半導体ウエハの集積回路間のストリートのレーザアブレーションを実行するように構成され、前記エッチング装置は、前記レーザアブレーションに続いて前記集積回路を単一化するために、前記半導体ウエハをエッチングするように構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項18】
前記エッチング装置は、前記ファクトリインターフェースに結合されたクラスタツール上に収納され、前記クラスタツールは更に、前記半導体ウエハの前記集積回路の上にマスク層を形成するように構成された堆積チャンバ
を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項19】
前記エッチング装置は、前記ファクトリインターフェースに結合されたクラスタツール上に収納され、前記クラスタツールは更にレーザアブレーション又はエッチングに続いて前記半導体ウエハを洗浄するように構成されたウェット／ドライステーション
を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項20】
前記レーザスクライブ装置は、フェムト秒ベースのレーザを含む、請求項１１に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
本出願は、２０２０年１０月０６日に出願の米国非仮出願第１７／０６４，４７０号の優先権を主張するものであり、その内容を全て、参照により本明細書に援用する。
本出願は、２０２０年１０月０６日に出願の米国非仮出願第１７／０６４，４７０号の優先権を主張するものであり、その内容を全て、参照により本明細書に援用する。
【0002】
本開示の実施形態は、半導体処理の分野に関し、特に、各ウエハがその上に複数の集積回路を有する半導体ウエハをダイシングするための装置及び方法に関する。
【背景技術】
【0003】
半導体ウエハ処理では、シリコン、又は他の半導体材料で構成されるウエハ（基板とも呼ばれる）上に集積回路を形成する。一般に、集積回路を形成するために、半導電性、導電性、絶縁性のいずれかの様々な材料の層が利用される。これらの材料は、周知の様々なプロセスを用いてドープ、堆積、及びエッチングされ、集積回路が形成される。各ウエハは、ダイスと呼ばれる集積回路を含む多数の個別領域を形成するために処理される。
【0004】
集積回路形成プロセスの後、ウエハは「ダイシング」され、パッケージングのために又はより大きい回路内でパッケージされていない形態で使用するために、個々のダイを互いに分離させる。ウエハダイシングに用いられる２つの主な技法は、スクライビングと鋸引きである。スクライビングでは、ダイヤモンドチップのスクライブを、予め形成されたスクライブラインに沿ってウエハ表面全体を移動させる。このスクライブラインは、ダイス間の空間に沿って延在する。この空間は一般に「ストリート」と呼ばれる。ダイヤモンドスクライブは、ストリートに沿ってウエハ表面に浅いスクラッチを形成する。
【0005】
ローラ等で圧力をかけると、スクライブラインに沿ってウエハが切り離される。このとき、ウエハの割れ目は、ウエハ基板の結晶格子構造をたどっている。スクライビングは、厚さ約１０ミル（１０００分の１インチ）以下のウエハに使用することができる。より厚いウエハの場合、ダイシングに好ましい方法は現在では鋸引きである。
【0006】
鋸引きでは、高回転数で回転するダイヤモンドチップの鋸をウエハ表面に接触させ、ストリートに沿ってウエハを鋸で切断する。フィルムフレームに張られた接着フィルム等の支持部材にウエハを装着し、垂直方向と水平方向の両方のストリートに繰り返し鋸を当てる。スクライビングと鋸引きのいずれにも伴う問題は、ダイスの切断されたエッジに沿って切屑及び溝が形成される可能性があることである。更に、クラックが形成され、ダイスのエッジから基板に伝播し、集積回路が動作不能になることがある。
【0007】
特にスクライビングでは、正方形又は長方形のダイの一面しか結晶構造の＜１１０＞方向にスクライビングできないため、切屑及びクラックが問題となる。
【0008】
その結果、ダイの他方の面を割ると、分離線がギザギザになる。切屑及びクラックのために、集積回路への損傷を防ぐのにウエハ上のダイス間に追加の間隔が必要となり、例えば、切屑及びクラックが実際の集積回路から距離を置いて維持される。この間隔要件のため、標準サイズのウエハに形成できるダイスの数は少なく、回路に使用できるはずのウエハ領域が無駄になる。鋸の使用は、半導体ウエハ領域の無駄を更に悪化させる。鋸刃の厚さは約１５から６０ミクロンである。そのため、ノコギリによってできた切断部周囲のクラック及び他の損傷が集積回路に悪影響を及ぼさないようにするためには、６０ミクロンから３００～５００ミクロン程度で各ダイスの回路を分離させなければならないことが多い。
【0009】
更に、切断後、各ダイは、鋸引きプロセスから発生する粒子及び他の汚染物質を除去するために大幅な洗浄を必要とする。
【0010】
プラズマダイシングも使用されているが、同様に制限がある場合がある。例えば、プラズマダイシングの実装を妨げる１つの制限は、コストであり得る。レジストをパターニングするための標準的なリソグラフィ工程では、実装のコストが高くつく可能性がある。プラズマダイシングの実装を妨げ得る別の制限は、ストリートに沿ったダイシングで一般的に遭遇する金属（例えば、銅）のプラズマエッチングが、生産上の問題又はスループット制限を引き起こす可能性があることである。
【発明の概要】
【0011】
本開示の実施形態は、半導体ウエハをダイシングする方法、及びそのための装置を含む。
【0012】
実施形態では、エッチング装置は、チャンバと、チャンバ内の又はチャンバに結合されたプラズマ源とを含む。静電チャックは、チャンバ内にあり、静電チャックは、第１の直径を有するウエハを支持する大きさの基板キャリアを支持するための導電性ペデスタルを含む。シャドーリングアセンブリは、プラズマ源と静電チャックとの間にあり、シャドーリングアセンブリは、第１の直径よりも小さい第２の直径を有するウエハを処理する大きさである。
【0013】
別の実施形態では、複数の集積回路を有する半導体ウエハをダイシングする方法は、半導体ウエハの上にマスクを形成することを含み、マスクは、集積回路を覆い保護する層であり、又はそれを含み、半導体ウエハは、第１の直径を有するウエハを支持する大きさの基板キャリアによって支持される。本方法はまた、集積回路間の半導体ウエハの領域を露出させる間隙を有するパターニングされたマスクを提供するために、レーザスクライビングプロセスでマスクをパターニングすることを含む。本方法はまた、半導体ウエハが基板キャリアによって支持されている間、及び基板キャリアが第１の直径よりも小さい第２の直径を有する半導体ウエハを処理する大きさのシャドーリングアセンブリによって部分的に覆われている間に、集積回路を単一化するために、パターニングされたマスクの間隙を通して半導体ウエハをエッチングすることを含む。
【0014】
別の実施形態では、複数の集積回路を有する半導体ウエハをダイシングするためのシステムは、ファクトリインターフェースを含む。レーザスクライブ装置は、ファクトリインターフェースに結合され、レーザを含む。エッチング装置は、ファクトリインターフェースに結合され、エッチング装置は、チャンバと、チャンバ内の又はチャンバに結合されたプラズマ源と、チャンバ内の静電チャックであって、第１の直径を有するウエハを支持する大きさの基板キャリアを支持するための導電性ペデスタルと、プラズマ源と静電チャックとの間のシャドーリングアセンブリであって、第１の直径よりも小さい第２の直径を有するウエハを処理する大きさのシャドーリングアセンブリとを含む静電チャックとを含む。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1A】本開示の実施形態に係るシャドーリングキットの構成要素を示す斜視図である。
【図1B】本開示の実施形態に係る上昇位置及び着座位置にあるシャドーリングキットを含むチャックを示す断面図と、基板キャリアを示す斜視図である。
【図1C】本開示の実施形態に係るシャドーリングキットを含むチャックを示す斜視図及び断面図、ならびにシャドーリングキットを示す断面図である。
【図1D】本開示の実施形態に係る２００ｍｍウエハを収容するためのシャドーリングアセンブリの一部を示す断面図である。
【図1E】本開示の実施形態に係る２００ｍｍウエハを収容するためのシャドーリングアセンブリの一部を示す断面図である。
【図1F】本開示の実施形態に係るリフトフープアセンブリ及び支持されたシャドーリングアセンブリを含むアセンブリを示す斜視図である。
【図2A】本開示の実施形態に係る静電チャックを示す斜視断面図である。
【図2B】本開示の実施形態に係る単一化プロセス中に薄いウエハを支持するのに適した基板キャリアを示す平面図である。
【図2C】本開示の実施形態に係る静電チャックの様々な態様及び部分を示す斜視図である。
【図3A】本開示の実施形態に係る静電チャックの様々な態様及び部分を示す平面図である。
【図3B】本開示の実施形態に係る静電チャックの様々な態様及び部分を示す断面図である。
【図3C】本開示の実施形態に係る静電チャックの様々な態様及び部分を示す斜視図である。
【図4】本開示の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示す断面図である。
【図5】本開示の実施形態に係るウエハ又は基板のレーザ及びプラズマダイシングのためのツールレイアウトを示すブロック図である。
【図6】Ａ～Ｃは、本開示の実施形態に係る半導体ウエハをダイシングする方法の様々な工程を表す断面図である。
【図7】本開示の実施形態に係る半導体ウエハ又は基板のストリート領域で使用され得る材料のスタックを示す断面図である。
【図8A-B】本開示の実施形態に係る半導体ウエハをダイシングする方法における様々な工程を示す断面図である。
【図8C-D】本開示の実施形態に係る半導体ウエハをダイシングする方法における様々な工程を示す断面図である。
【図9】本開示の実施形態に係る例示的なコンピュータシステムを示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
半導体ウエハをダイシングする方法、及びそのための装置について説明する。以下の説明では、本開示の実施形態の完全な理解を提供するために、静電チャック構成、レーザスクライビング条件、並びにプラズマエッチング条件及び材料レジーム等の多数の特定の詳細が記載される。本開示の実施形態が、これらの特定の詳細なしに実践され得ることは、当業者には明らかであろう。他の場合には、集積回路製造等の周知の態様は、本開示の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、詳細には説明していない。更に、図に示す様々な実施形態は例示的な表現であり、必ずしも縮尺通りに描かれているわけではないことを理解されたい。
【0017】
１又は複数の実施形態は、特に２００ｍｍウエハプラズマダイシングのシャドーリングキットを対象としたものである。実施形態は、３００ｍｍ用エッチングチャンバで２００ｍｍウエハを処理するためのシャドーリングキットを用いたプラズマダイシングに適している場合がある。実施形態は、レーザ及びエッチングウエハのダイシングアプローチ、及び電子デバイスウエハの単一化又はダイシングのためのツーリングに適用可能である。
【0018】
状況を説明するために、現在、２００ｍｍウエハは、２００ｍｍ用エッチングチャンバを用いた２００ｍｍウエハマウントテープフレームを使用して処理されている。本明細書に記載の実施形態は、約４００ｍｍウエハマウントフレームに２００ｍｍウエハを装着し、３００ｍｍ用エッチングプラズマダイシングチャンバを用いて２００ｍｍウエハを処理できるように実装可能である。更に、本明細書に記載のシャドーリングキットは、更なるプロセスの強化及び歩留まりの向上のために、異なる厚さのウエハに対応するようにカスタマイズすることができる。
【0019】
１又は複数の実施形態は、３００ｍｍエッチングプラズマダイシングチャンバを用いて、３００ｍｍウエハを支持する大きさのテープフレームに装着された２００ｍｍウエハを処理できるシャドーリングプロセスキット設計を対象としたものである。本明細書に記載の実施形態は、３００ｍｍプラズマダイシングエッチングチャンバで２００ｍｍウエハを処理することを可能にするために実装され得る。本明細書に記載の実施形態は、専用の２００ｍｍエッチングチャンバを必要としないことによって、コスト及び設置面積を削減するために実装可能である。本明細書に記載の実施形態は、２００ｍｍ及び３００ｍｍウエハダイシング及び／又は処理の両方に「標準４００ｍｍテープフレーム」を使用する柔軟性を提供するために実装可能である。実施形態では、処理における３００ｍｍウエハと２００ｍｍウエハとの間の切り替えは、最小限の設定変更及びツールダウンタイムで容易になる。
【0020】
更に詳しく説明すると、ウエハを個々のダイに単一化する際に、ウエハはダイ間のダイシングストリートに沿って切断又は区分化される。従来、ダイシングは機械的な鋸で行われてきた。モバイル機器及びその他の技術操縦者は、クラック、剥離、切屑の欠陥を減らすために、より高度な単一化アプローチを必要とし得る。レーザ及びエッチングウエハダイシングアプローチでは、基板に水溶性保護コーティングを施し、レーザスクライビングで除去されたストリート領域の全てのデバイステスト層を除去し、通常シリコン（Ｓｉ）である下の基板材料を露出させることを伴い得る。次に、露出したＳｉをその全厚さを通してプラズマエッチングし、ウエハを個々のダイに単一化する。保護コーティングは、脱イオン水（ＤＩ）ベースの洗浄工程で除去される。水溶性保護コーティングは、環境への配慮及び処理のしやすさから、望ましい場合がある。
【0021】
このような水溶性コーティングは、主にプラズマエッチングステップ中のエッチングマスクとして、また、レーザスクライビング中に発生する全ての破片を回収する層として使用され得る。
【0022】
また更に詳しく説明すると、フェムト秒レーザは、プロセスのレーザスクライビング部分において好まれる場合がある。ナノ秒及び他の長パルスレーザとは異なり、フェムト秒レーザは、関連する超短パルスのため、熱影響がほとんどない。フェムト秒レーザのもう一つの利点は、吸収性材料、反射性材料、透明材料を含むほとんどの材料を除去する能力であり得る。典型的なウエハには、反射性及び吸収性である金属、透明な誘電体、レーザ光のほとんどを吸収するシリコン基板が存在する。水溶性保護コーティングは、全体又は大部分が透明であってよい、又は例えば、染料添加物を含む場合、部分的に吸収し得る。記載したこれらの材料は、フェムト秒レーザでアブレーションが可能である。以下に説明する多くの実施形態はフェムト秒レーザスクライビングに関連しているが、他の実施形態では、他のレーザビームタイプによるレーザスクライビングも、本明細書に記載のマスキング材料に適合し得ることを理解されたい。また、以下に説明する多くの実施形態は、金属化された特徴を有するスクライビングストリートと関連しているが、他の実施形態では、金属を含まないスクライビングストリートも考えられ得ることを理解されたい。また、以下に説明する多くの実施形態は、水溶性ダイシングマスクに関連しているが、他の実施形態では、他のマスク材料も考えられ得ることも理解されたい。
【0023】
本開示の１又は複数の実施形態によれば、３００ｍｍウエハマウントフレームは、２００ｍｍウエハを装着し、既存の３００ｍｍ用エッチングプラズマダイシングチャンバで処理するために使用される。実施形態は、最小の設定時間で２００ｍｍウエハと３００ｍｍウエハとの間の切り替えを可能にするように実装され得る。実施形態では、シャドーリングキットは、キャリアと、インサートリングと、熱シールドとを含む。本明細書に記載されるようなシャドーリングキットは、エッチングプロセス中のテープ加熱及び燃焼の防止に役立つように使用され得る。インサートリングは、ウエハ処理中にキャリア及び熱シールドに触れることなく（例えば、処理されるウエハ又は基板の最も外側の部分によって支持されることによって）、独立した「浮遊」部品として機能し得る。この配置は、ウエハからキャリアへの熱伝達を防止し得る。熱シールドは、処理中にキャリアへの熱伝達を防止するのに役立ち得る。実施形態では、インサートリング及び熱シールドのプロファイルにより、エッチング処理中はウエハ上のエッジが除外される。
【0024】
例示的なアセンブリとして、図１Ａに、本開示の実施形態に係るシャドーリングキット１００の構成要素の斜視図を示す。
【0025】
図１Ａを参照すると、シャドーリングキットは、熱シールド１０２と、インサートリング１０４と、キャリア１０６とを含む。実施形態では、熱シールド１０２、インサートリング１０４、及びキャリア１０６は、すべて固体アルミナで構成されている。実施形態では、熱シールド１０２は、例えば熱接触を避けるために、インサートリング１０４に接触することなくインサートリング１０４を収容するためのポケットをその中に含む。実施形態では、インサートリング１０４は、２００ｍｍウエハを収容する大きさである。上記のような一実施形態では、インサートリング１０４は、２００ｍｍウエハの最外周辺部の約１．５ｍｍがインサートリング１０４によって覆われたままになるように、約１９７ｍｍの直径を有する内側開口部を有する。上記のような一実施形態では、インサートリング１０４は、インサートリング１０４によって覆われた２００ｍｍウエハの約１．５ｍｍの周辺部に静止する。
【0026】
図１Ｂは、本開示の実施形態に係る上昇位置及び着座位置にあるシャドーリングキットを含むチャックを示す断面図、及び基板キャリアを示す斜視図である。
【0027】
図１Ｂの部分（ｉ）を参照すると、チャックアセンブリ１１０Ａは、上昇位置にあるシャドーリングキット１１２を含む。一実施形態では、シャドーリングキット１１２は、上述したシャドーリングキット１００等のアセンブリである。シャドーリングキット１００は、２００ｍｍウエハを支持するテープフレームを含み得る基板キャリアアセンブリ１１４の上にある。基板キャリアアセンブリ１１４は、典型的には３００ｍｍウエハ又は３００ｍｍウエハの基板キャリアを支持する大きさのＥＳＣ等の静電チャック（ＥＳＣ）により支持される。チャックアセンブリ１１０Ａはまた、リフトフープアセンブリ１１８を含む。図１Ｂの部分（ｉｉ）を参照すると、チャックアセンブリ１１０Ｂは、着座位置にあるシャドーリングキット１１２を含む。図１Ｂの部分（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を参照すると、位置１１０Ａ及び１１０Ｂの間で上下に持ち上げるために、釘頭リフトピン１１９が含まれる。
【0028】
図１Ｂの部分（ｉｉｉ）を参照すると、ウエハテープフレーム１１４Ａ（３００ｍｍウエハを収容する大きさであり得る）、ダイシングテープ１１４Ｂ、及び２００ｍｍウエハ（例えば、３００ｍｍウエハが通常着座するであろう位置にある）を含む例示的な基板キャリアアセンブリ１１４が示されている。
【0029】
【0030】
図１Ｃを参照すると、静電チャックアセンブリ１２２は、静電チャック（ＥＳＣ）１２１を含む。シャドーリングアセンブリは、静電チャックアセンブリ１２２のＥＳＣ１２１の上にある。シャドーリングアセンブリは、熱シールド１０２と、インサートリング１０４と、キャリア１０６とを含む。実施形態では、処理のための位置にあるとき、インサートリング１０４は、図示したように、熱シールド１０２に接触することなく、熱シールド１０２のポケット内に収容される。実施形態では、インサートリング１０４は、図示したように、キャリア１０６と連結する。
【0031】
第１の具体例では、図１Ｄは、本開示の実施形態に係る２００ｍｍウエハを収容するためのシャドーリングアセンブリの一部を示す断面図である。
【0032】
図１Ｄを参照すると、シャドーリングアセンブリ１３０Ａは、熱シールド１０２Ａ、インサートリング１０４Ａ、及びキャリア１０６Ａを含む。実施形態では、処理のための位置にあるとき、インサートリング１０４Ａは、図示したように、熱シールド１０２Ａに接触することなく、熱シールド１０２Ａのポケット内に収容される。一実施形態では、インサートリング１０４Ａは、図示したように、キャリア１０６Ａと連結する。
【0033】
第２の具体例では、図１Ｅは、本開示の実施形態に係る２００ｍｍウエハを収容するためのシャドーリングアセンブリの一部を示す断面図である。
【0034】
図１Ｅを参照すると、シャドーリングアセンブリ１３０Ｂは、熱シールド１０２Ｂと、インサートリング１０４Ｂと、キャリア１０６Ｂとを含む。実施形態では、処理のための位置にあるとき、インサートリング１０４Ｂは、図示したように、熱シールド１０２Ｂに接触することなく、熱シールド１０２Ｂのポケット内に収容される。一実施形態では、インサートリング１０４Ｂは、図示したように、キャリア１０６Ｂと連結する。シャドーリングアセンブリ１３０Ａのキャリア１０６Ａと比較して、シャドーリングアセンブリ１３０Ｂのキャリア１０６Ｂの形状は、キャリア１０６Ｂと基板キャリアのダイシングテープとの間により大きな間隙を提供し、テープがくっつく問題を回避するのに役立ち得る。
【0035】
例示的な支持及び／又は移動機構として、図１Ｆは、本開示の実施形態に係るリフトフープアセンブリ及び支持されたシャドーリングアセンブリを含むアセンブリ１４０を示す斜視図である。
【0036】
図１Ｆを参照すると、リフトフープアセンブリ１４２は、リフトフープ１４４、リフトピン１４６、及びサーボモータ１４８を含む。支持されたシャドーリングアセンブリは、図１Ａに関連して説明したような、熱シールド１０２、インサートリング（この図では見えない）、及びキャリア１０６を含む。
【0037】
【0038】
図２Ａを参照すると、静電チャックアセンブリ２００は、シャドーリング又は熱シールド２０２と、関連するシャドーリングインサート２０４と、シャドーリングキャリア２０６とを含む。図示したシャドーリング又は熱シールド２０２と、関連するシャドーリングインサート２０４と、シャドーリングキャリア２０６とは、３００ｍｍウエハ処理に対応する大きさであることを理解されたい。しかしながら、他の実施形態では、２００ｍｍウエハ処理に対応するために、図１Ａで説明したようなシャドーリング又は熱シールド１０２と、関連するシャドーリングインサート１０４と、シャドーリングキャリア１０６とが代わりに含まれる。一実施形態では、シャドーリング又は熱シールド２０２、シャドーリングインサート２０４及びシャドーリングキャリア２０６は全て、アルミナ等のセラミック材料で構成されている。図２Ａに示すように、基板キャリア上の基板がシャドーリングの下に含まれていてよく、基板キャリアのテープフレーム２０８が、熱シールドの下に含まれていてよい。テープフレーム２０８は、ステンレス鋼で構成されていてよい。シャドーリングを持ち上げるための調整可能なリフトピン２０７が含まれ、アルミニウムで構成されていてよい。
【0039】
静電チャックアセンブリ２００は更に、導電性ペデスタル２１２の周りにエッジ絶縁体リング２１０を含む。導電性ペデスタル２１２の下には、底部絶縁体リング２１８がある。エッジ絶縁体リング２１０及び底部絶縁体リング２１８は、アルミナ等のセラミック材料で構成され、導電性ペデスタル２１２はアルミニウムで構成されていてよい。導電性ペデスタル２１２は、グラウンド及び／又はＤＣ電圧に電気的に結合され得る。
【0040】
静電チャックアセンブリ２００は更に、プラズマスクリーンセグメント２１４及びプラズマスクリーンバスケット２１６を含み、これらは両方ともアルミニウムで構成され得る。静電チャックアセンブリ２００は更に、カソード絶縁体２２０、設備絶縁体２２２、及びカソードライナ２２４を含む。カソード絶縁体２２０は二酸化ケイ素で構成されていてよく、カソードライナ２２４はアルミニウムで構成されていてよい。静電チャックアセンブリ２００は更に、支持ペデスタル２２６と、ヘリウムフィードスルー等のガスフィードスルー２２８とを含む。
【0041】
リフトピン２３０及びリフトピンフィンガ２３２は、静電チャックアセンブリ２００に含まれる。リフトピン２３０はアルミナで構成されていてよく、リフトピンフィンガ２３２はアルミニウムで構成されていてよい。このような複数のリフトピン２３０が静電チャックアセンブリ２００に含まれ得ることを理解されたい。実施形態では、上記複数のリフトピン２３０は、導電性ペデスタル２１２の処理領域の周辺部の外側に位置する。上記の一実施形態では、複数のリフトピン２３０は、基板キャリアのテープフレーム２０８に接触するように配置される。
【0042】
実施形態では、導電性ペデスタル２１２の露出面２６０及び被覆面２７０は、アルミナ等のセラミック材料でコーティングされる。実施形態では、各リフトピン２３０は、開口部２５０に含まれる。上記の一実施形態では、開口部２５０は、図２Ａに示し、図２Ｃに関連して以下により詳細に説明するように、導電性ペデスタル２１２に含まれる孔である。この孔は、セラミック材料でコーティングされていない場合があり、静電チャックアセンブリからの電流漏れの影響を受けやすい場所であり得る。上記の別の実施形態では、開口部２５０は、図３Ａ～図３Ｃに関連して以下により詳細に説明するように、導電性ペデスタルの周囲エッジに含まれるノッチである。図３Ａ～図３Ｃの実施形態のノッチは、セラミック材料でコーティングされていてよく、図２Ａ～図２Ｃの実施形態の孔と比較して、静電チャックアセンブリからの電流漏れが軽減され得る。
【0043】
本開示の態様では、薄い基板（例えば、約１００ミクロン以下の厚さを有する）が、ハイブリッドレーザアブレーション及びプラズマエッチング単一化プロセスで処理される。上記の一実施形態では、薄い基板は、基板キャリア上に支持される。例えば、図２Ｂは、本開示の実施形態に係る単一化プロセス中に薄いウエハを支持するのに適した基板キャリアを示す平面図である。
【0044】
図２Ｂを参照すると、基板キャリア２８０は、テープリング又はフレーム２８４によって囲まれたバッキングテープ２８２の層を含む。薄いウエハ又は基板等のウエハ又は基板２８６は、基板キャリア２８０のバッキングテープ２８２によって支持される。一実施形態では、ウエハ又は基板２８６は、ダイ取付フィルムによってバッキングテープ２８２に取り付けられる。実線で示すように、ウエハ又は基板２８６は、３００ｍｍウエハであり、すなわち、基板キャリア２８０は、３００ｍｍウエハを収容する大きさである。しかしながら、本開示の一実施形態によれば、基板キャリア２８０が３００ｍｍウエハ用の大きさであっても、２００ｍｍウエハ（点線２８７）が基板キャリア２８０によって支持される。一実施形態では、テープリング又はフレーム２８４は、ステンレス鋼で構成されている。実施形態では、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、図２Ｃ又は図３Ａ～図３Ｃに関連して説明した静電チャックが、基板キャリア２８０等のアセンブリを収容する。
【0045】
実施形態では、基板キャリア２８０等の基板キャリアを受け入れるような大きさのシステムにおいて、単一化プロセスに対応することができる。上記の一実施形態では、以下に説明するシステム４００又は５００等のシステムは、基板キャリアによって支持されていない基板又はウエハを収容するような他の大きさであるシステムの設置面積に影響を与えずに、薄いウエハフレームを収容することができる。一実施形態では、システム４００又は５００は、３００ミリメートルの直径のウエハ又は基板を収容するような大きさであるが、実施形態では、２００ミリメートルのウエハがその中で処理される。同じシステムは、図２Ｂに示すように、幅約３８０ミリメートル×長さ約３８０ミリメートルのウエハキャリアを収容することができる。
【0046】
図２Ｃは、本開示の実施形態に係る静電チャックの様々な態様及び部分を示す斜視図２９０である。図２Ａからの同じ番号は、図２Ａに関連して上述した通りである。静電チャックは、図１Ａ、図１Ｄ及び図１Ｅに関連して説明したようなシャドーリングアセンブリと対になり得る。
【0047】
図２Ｃを参照すると、静電チャックは、その周囲エッジ付近に複数の孔２９４を有する導電性ペデスタル２１２を含む。静電チャックは、複数の孔２９４のうちの１つに対応する複数のリフトピンを収容し得る。実施形態では、導電性ペデスタル２１２はアルミナ等のセラミック材料でコーティングされているが、複数の孔の各々の内面はセラミック材料でコーティングされていない。
【0048】
実施形態では、静電チャックは更に、導電性ペデスタル２１２の周囲横方向にエッジ絶縁体リング２１０を含む。実施形態では、静電チャックは更に、導電性ペデスタル２１２の下に底部絶縁体リング２１８を含み、底部絶縁体リング２１８は、複数のリフトピンのうちの１つに対応する図２Ｃの複数の開口部２９６を有する。
【0049】
実施形態では、複数のリフトピンは、導電性ペデスタル２１２の処理領域２９２の周辺部の外側に位置し、複数のリフトピンは、基板キャリアに接触するように配置される。実施形態では、静電チャックは、図１Ａ～図１Ｆに関連して説明するように、複数のリフトピンの上に位置決めされたシャドーリング、シャドーリングアセンブリ、又はシャドーリングキットと共に、プロセスチャンバに含まれる。上記の一実施形態では、シャドーリング、シャドーリングアセンブリ、又はシャドーリングキットは、２００ｍｍウエハをエッチングするための大きさである。
【0050】
図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、本開示の別の実施形態に係る静電チャックの様々な態様及び部分をそれぞれ示す平面図３００、断面図３２０、及び斜視図３４０である。図２Ａからの同じ番号は、図２Ａに関連して上述した通りである。静電チャックは、図１Ａ、図１Ｄ及び図１Ｅに関連して説明したようなシャドーリングアセンブリと対になり得る。
【0051】
図３Ａ～図３Ｃを参照すると、静電チャックは、その周囲エッジに複数のノッチ３０２を有する導電性ペデスタル３１２を含む。静電チャックはまた、複数のノッチ３０２のうちの１つに対応する複数のリフトピン２３０を含む。実施形態では、導電性ペデスタル３１２及び複数のノッチ３０２の表面は、セラミック材料でコーティングされている。上記の一実施形態では、セラミック材料はアルミナである、又はアルミナを含む。
【0052】
実施形態では、静電チャックは更に、導電性ペデスタル３１２の周囲横方向にエッジ絶縁体リング３１０を含む。エッジ絶縁体リング３１０は、複数のノッチ３０２のうちの１つに対応する複数の内側突出部３６２を有する。複数の内側突出部３６２の各々は、複数のリフトピン２３０の対応する１つを収容するために、それを貫通する開口部を有する。
【0053】
実施形態では、静電チャックは更に、導電性ペデスタル３１２の下に底部絶縁体リング３１８を含む。底部絶縁体リング３１８は、複数のリフトピンのうちの１つに対応する複数の開口部（図３Ｂの３２２、及び図３Ｃの３４６）を有する。
【0054】
実施形態では、エッジ絶縁体リング３１０及び底部絶縁体リング３１８は、アルミナ等のセラミック材料で構成され、導電性ペデスタル３１２は、アルミニウムで構成されている。導電性ペデスタル３１２は、グラウンド及び／又はＤＣ電圧に電気的に結合され得る。
【0055】
実施形態では、複数のリフトピン２３０は、導電性ペデスタル３１２の処理領域３４２の周辺部の外側に配置される。上記の一実施形態では、複数のリフトピン２３０は、基板キャリアに接触するように配置される。実施形態では、静電チャックは更に、図２Ａに関連して説明したように、複数のリフトピン２３０の上に位置決めされたシャドーリング又はシャドーリングアセンブリを含む。
【0056】
本開示の一態様では、基板キャリアは、単一化プロセス中はエッチングチャンバに収容されている。実施形態では、基板キャリア上に薄いウエハ又は基板を含むアセンブリは、フィルムフレーム（例えば、テープリング又はフレーム２８４）及びフィルム（例えば、バッキングテープ２８２）に影響を与える（例えば、エッチングする）ことなく、プラズマエッチング装置に供される。更に、本開示の態様は、エッチングプロセス中に、組み合わせフィルム及びフィルムフレーム（基板キャリア）によって支持されたウエハ又は基板を移送及び支持することに対処する。特に、エッチング装置は、基板キャリアによって支持された薄いウエハ又は基板のエッチングに対応するように構成され得る。例えば、図４は、本開示の実施形態に係るエッチング装置を示す断面図である。
【0057】
図４を参照すると、エッチング装置４００は、チャンバ４０２を含む。基板キャリア４０６をチャンバ４０２の内外へ移送するために、エンドエフェクタ４０４が含まれる。チャンバ４０２の上に、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源４０８が位置決めされる。チャンバ４０２には更に、スロットルバルブ４１０及びターボ分子ポンプ４１２が設けられる。実施形態では、エッチング装置４００は、上述した静電チャック等の静電チャックアセンブリ４１４も含む。実施形態では、エッチング装置４００は、図示したように、リフトピンアクチュエータ４１６及び／又はシャドーマスクもしくはリングアクチュエータ１４１８も含む。
【0058】
単一のプロセスツールが、ハイブリッドレーザアブレーション及びプラズマエッチング単一化プロセスにおける工程の多く又は全てを実行するように構成され得る。例えば、図５は、本開示の実施形態に係るウエハ又は基板のレーザ及びプラズマダイシングのためのツールレイアウトを示すブロック図である。以下の開示に照らして、他の実施形態では、その代わりに、コーティング／焼成／洗浄（ＣＢＣ）処理チャンバが、別のツール上に、又は別のツールとして含まれ得ることを理解されたい。他の実施形態では、プラズマエッチングチャンバ及びレーザスクライブ装置は、単体ツールである。
【0059】
図５を参照すると、プロセスツール５００は、それに結合された複数のロードロック５０４を有するファクトリインターフェース５０２（ＦＩ）を含む。クラスタツール５０６は、ファクトリインターフェース５０２に結合される。クラスタツール５０６は、プラズマエッチングチャンバ５０８等の１又は複数のプラズマエッチングチャンバを含む。レーザスクライブ装置５１０も、ファクトリインターフェース５０２に結合される。プロセスツール５００の全体的な設置面積は、一実施形態では、図５に示すように、約３５００ミリメートル（３．５メートル）×約３８００ミリメートル（３．８メートル）であってよい。実施形態では、レーザスクライブ装置５１０は、半導体ウエハの集積回路間のストリートのレーザアブレーションを実行するように構成され、プラズマエッチングチャンバ５０８は、レーザアブレーションに続いて集積回路を単一化するために半導体ウエハをエッチングするように構成される。
【0060】
実施形態では、レーザスクライブ装置５１０は、フェムト秒ベースのレーザビームを提供するように構成されたレーザアセンブリを収納する。上記の一実施形態では、フェムト秒ベースのレーザは、約５３０ナノメートル以下の波長を有し、約４００フェムト秒以下のレーザパルス幅を有する。実施形態では、レーザは、以下に説明するレーザアブレーションプロセス等の、ハイブリッドレーザ及びエッチング単一化プロセスのレーザアブレーション部分を実行するのに適している。一実施形態では、可動ステージもレーザスクライブ装置５１０に含まれ、可動ステージは、ウエハ又は基板（又はそのキャリア）をレーザに対して移動させるように構成される。具体的な実施形態では、レーザも移動可能である。レーザスクライブ装置５１０の全体的な設置面積は、一実施形態では、図５に示すように、約２２４０ミリメートル×約１２７０ミリメートルであってよい。
【0061】
実施形態では、１又は複数のプラズマエッチングチャンバ５０８は、複数の集積回路を単一化するために、パターニングされたマスクの間隙を通してウエハ又は基板をエッチングするように構成される。上記の一実施形態では、１又は複数のプラズマエッチングチャンバ５０８は、ディープシリコンエッチングプロセスを実行するように構成される。具体的な実施形態では、１又は複数のプラズマエッチングチャンバ５０８は、米国カリフォルニア州サニーベールのアプライドマテリアルズ社から入手可能なＡｐｐｌｉｅｄ Ｃｅｎｔｕｒａ（登録商標）Ｓｉｌｖｉａ（商標）Ｅｔｃｈシステムである。エッチングチャンバは、単結晶シリコン基板又はウエハ上に、又はその中に収納された単一化集積回路を作製するために使用されるディープシリコンエッチング用に特に設計され得る。実施形態では、高密度プラズマ源がプラズマエッチングチャンバ５０８に含まれ（又は結合され）、高いシリコンエッチング速度を促進する。実施形態では、複数のエッチングチャンバが、プロセスツール５００のクラスタツール５０６部分に含まれ、単一化又はダイシングプロセスの高い製造スループットを可能にする。
【0062】
プラズマエッチングチャンバ５０８は、その中に静電チャックを含み得る。実施形態では、静電チャックは、上述のように、その周囲エッジに複数のノッチを有する導電性ペデスタルと、複数のノッチのうちの１つに対応する複数のリフトピンとを含む。一実施形態では、静電チャックの導電性ペデスタル及び複数のノッチの表面は、セラミック材料でコーティングされる。一実施形態では、静電チャックは更に、導電性ペデスタル（例えば、３１２）の周囲横方向にエッジ絶縁体リング（例えば、３１０）を含み、エッジ絶縁体リングは、複数のノッチ（例えば、３０２）のうちの１つに対応する複数の内側突出部（例えば、３６２）を有し、複数の内側突出部は各々、複数のリフトピンのうちの対応する１つを収容するためにそれを貫通する開口部を有する。一実施形態では、静電チャックは更に、導電性ペデスタル（例えば、３１２）の下に底部絶縁体リング（例えば、３１８）を含み、底部絶縁体リングは、複数のリフトピンのうちの１つに対応する複数の開口部（例えば、３４６）を有する。一実施形態では、プラズマエッチングチャンバ５０８の静電チャックの複数のリフトピンは、導電性ペデスタル（例えば、３１２）の処理領域（例えば、３４２）の周辺部の外側に位置し、複数のリフトピンは、基板キャリアに接触する（例えば、図２Ｂと関連して説明した基板キャリアアセンブリ２８０のテープリング又はフレーム２８４に接触する）ように配置される。
【0063】
ファクトリインターフェース５０２は、レーザスクライブ装置５１０を有する外部の製造施設とクラスタツール５０６との間のインターフェースに適した大気ポートであってよい。ファクトリインターフェース５０２は、ウエハ（又はそのキャリア）をストレージユニット（前方開口型統一ポッド等）からクラスタツール５０６又はレーザスクライブ装置５１０のいずれか、又は両方に移送するためのアーム又はブレードを有するロボットを含み得る。
【0064】
クラスタツール５０６は、単一化の方法において機能を実行するのに適した他のチャンバを含み得る。例えば、一実施形態では、堆積及び／又は焼成チャンバ５１２が含まれる。堆積及び／又は焼成チャンバ５１２は、ウエハ又は基板のレーザスクライビングの前に、ウエハ又は基板のデバイス層上に又はその上にマスク堆積するように構成され得る。上記マスク材料は、上述したように、ダイシングプロセスの前に焼成され得る。上記マスク材料はまた、以下に説明するように、水溶性であってよい。
【0065】
実施形態では、図５を再び参照すると、ウェットステーション５１４が含まれる。ウェットステーションは、基板又はウエハのレーザスクライブ及びプラズマエッチングの単一化プロセスに続いて、又はレーザスクライブのみの単一化プロセスに続いて、後述するように、水溶性マスクを除去するための室温又は高温水性処理を実行する洗浄に適している場合がある。実施形態では、図示していないが、計測ステーションもプロセスツール５００の構成要素として含まれる。洗浄チャンバは、洗浄プロセスに物理的構成要素を追加し、マスクの溶解速度を高める霧化ミスト及び／又はメガソニックノズルのハードウェアを含み得る。
【0066】
【0067】
図６Ａを参照すると、マスク６０２が半導体ウエハ又は基板６０４の上に形成されている。マスク６０２は、半導体ウエハ６０４の表面上に形成された集積回路６０６を覆い、保護する。マスク６０２は、各集積回路６０６間に形成された介在ストリート６０７も覆う。
【0068】
実施形態では、マスク６０２の形成中、半導体ウエハ又は基板６０４は、基板キャリア（図２Ｂに関連して説明した基板キャリア等）により支持される。実施形態では、半導体ウエハ６０４の上にマスク６０２を形成することは、半導体ウエハ６０４上にマスク６０２をスピンコートすることを含む。具体的な実施形態では、コーティングの前に、ウエハのより良い濡れ性及びコーティングを可能にするために、プラズマ又は化学的前処理が実行される。
【0069】
実施形態では、マスク６０２は、水性媒体中に容易に溶解可能であるという点で、水溶性マスクである。例えば、一実施形態では、堆積された状態の水溶性マスク６０２は、アルカリ性溶液、酸性溶液、又は脱イオン水のうちの１又は複数に溶解する材料で構成される。具体的な実施形態では、堆積された状態の水溶性マスク６０２は、約１から１５ミクロン／分の範囲の水溶液中でのエッチング又は除去速度を有する。一実施形態では、マスク６０２は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）ベースの水溶性マスクである。
【0070】
実施形態では、半導体ウエハ又は基板６０４は、製造プロセスに耐えるのに適した材料で構成され、その上に半導体処理層が好適に配置され得る。例えば、一実施形態では、半導体ウエハ又は基板６０４は、結晶シリコン、ゲルマニウム又はシリコン／ゲルマニウム等のＩＶ族ベースの材料で構成されるが、これらに限定されない。具体的な実施形態では、半導体ウエハ６０４を提供することは、単結晶シリコン基板を提供することを含む。特定の実施形態では、単結晶シリコン基板は、不純物原子がドープされる。別の実施形態では、半導体ウエハ又は基板６０４は、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造に使用されるＩＩＩ－Ｖ材料基板等のＩＩＩ－Ｖ材料で構成されている。
【0071】
実施形態では、集積回路６０６の一部として、半導体ウエハ又は基板６０４の上又は中に、半導体デバイスのアレイが配置される。このような半導体デバイスの例としては、シリコン基板に作製され、誘電体層に覆われたメモリデバイス又は相補型金属－酸化膜－半導体（ＣＭＯＳ）トランジスタが挙げられるが、これらに限定されない。複数の金属相互接続部が、デバイス又はトランジスタの上、及び周囲の誘電体層に形成されていてよく、デバイス又はトランジスタを電気的に結合して集積回路６０６を形成するために使用され得る。ストリート６０７を構成する材料は、集積回路６０６を形成するために使用される材料と同様のものであってよい、又は同じであってよい。例えば、ストリート６０７は、誘電体材料、半導体材料、及びメタライゼーションの層で構成され得る。一実施形態では、ストリート６０７の１又は複数は、集積回路６０６の実際のデバイスと同様のテストデバイスを含む。
【0072】
オプションの実施形態では、マスク６０２は、マスクのレーザパターニングの前に焼成される。実施形態では、マスク６０２は、マスク６０２のエッチング耐性を高めるために焼成される。具体的な実施形態では、マスク６０２は、約５０から１３０℃の範囲の比較的高い温度で焼成される。このような高い温度の焼成は、マスク６０２の架橋を引き起こし、エッチング抵抗を著しく増加させる可能性がある。一実施形態では、焼成は、ホットプレート技法又はウエハ前面（例えば、基板キャリアを使用する場合、テープが装着されていない側）から適用される熱（光）放射、又は他の適切な技法を使用して実行される。
【0073】
図６Ｂを参照すると、マスク６０２がレーザスクライビングプロセスでパターニングされて、間隙６１０を有するパターニングされたマスク６０８ができ、集積回路６０６間の半導体ウエハ又は基板６０４の領域を露出させる。このように、レーザスクライビングプロセスは、集積回路６０６間に元々形成されているストリート６０７の材料を除去するために使用される。本開示の実施形態によれば、レーザスクライビングプロセスでマスク６０２をパターニングすることは更に、図６Ｂにも図示したように、集積回路６０６間の半導体ウエハ６０４の領域内に部分的にトレンチ６１２を形成することを含む。実施形態では、半導体ウエハ又は基板６０４は、レーザスクライビングプロセス中は、基板キャリア（図２Ｂに関連して説明した基板キャリア等）により支持される。
【0074】
実施形態では、マスク６０２はガウシアンレーザビームでパターニングされるが、非ガウシアンビームも使用することが可能である。更に、ビームは、静止していてよい、又は回転していてよい。実施形態では、フェムト秒ベースのレーザが、レーザスクライビングプロセスの供給源として使用される。例えば、実施形態では、可視スペクトル＋紫外線（ＵＶ）及び赤外線（ＩＲ）範囲（合計で広帯域光スペクトル）の波長を有するレーザが、フェムト秒ベースのレーザ、すなわち、フェムト秒オーダー（１０－１５秒）のパルス幅を有するレーザを提供するために使用される。一実施形態では、アブレーションは波長依存性がない、又は本質的に波長依存性がないため、マスク６０２のフィルム、ストリート６０７、及び場合によっては半導体ウエハ又は基板６０４の一部等の複雑なフィルムに適している。
【0075】
フェムト秒の範囲からの寄与を有するレーザビームプロファイルを使用することによって、より長いパルス幅（例えば、ナノ秒処理）に対して熱損傷の問題が緩和又は排除されることを理解されたい。レーザスクライビング中の損傷の排除又は軽減は、低エネルギー再結合又は熱平衡の欠如によるものであり得る。また、ビームプロファイル等のレーザパラメータ選択は、きれいなレーザスクライブカットを達成するために、切屑、マイクロクラック及び剥離を最小限に抑える良好なレーザスクライビング及びダイシングプロセスを開発するために重要であり得ることを理解されたい。レーザスクライブカットがきれいであればあるほど、最終的なダイ単一化に実行され得るエッチングプロセスがスムーズになる。半導体デバイスのウエハでは、異なる材料タイプ（例えば、導体、絶縁体、半導体）及び厚さの多くの機能層が、通常その上に配置される。そのような材料は、ポリマー等の有機材料、金属、又は二酸化ケイ素や窒化ケイ素等の無機誘電体を含み得るが、これらに限定されない。
【0076】
ウエハ又は基板上に配置された個々の集積回路間のストリートは、集積回路自体と同様の層又は同じ層を含み得る。例えば、図７は、本開示の実施形態に係る半導体ウエハ又は基板のストリート領域で使用され得る材料のスタックを示す断面図である。
【0077】
図７を参照すると、ストリート領域７００は、シリコン基板の上部７０２、第１の二酸化ケイ素層７０４、第１のエッチング停止層７０６、第１の低誘電率誘電体層７０８（例えば、二酸化ケイ素の４.０の誘電率未満の誘電率を有する）、第２のエッチング停止層７１０、第２の低誘電率誘電体層７１２、第３のエッチング停止層７１４、ドープされていないシリカガラス（ＵＳＧ）層７１６、第２の二酸化ケイ素層７１８、及びスクライビング及び／又はエッチングマスク７２０（マスク６０２に関連して上述したマスク等）を含む。銅メタライゼーション７２２は、第１及び第３のエッチング停止層７０６及び７１４の間に、第２のエッチング停止層７１０を貫通して配置される。具体的な実施形態では、第１、第２及び第３のエッチング停止層７０６、７１０及び７１４は窒化ケイ素で構成され、低誘電率誘電体層７０８及び７１２は炭素がドープされた酸化ケイ素材料で構成される。
【0078】
従来のレーザ照射（ナノ秒ベースの照射等）の下では、ストリート７００の材料は、光吸収及びアブレーション機構の点で全く異なる挙動をする。例えば、二酸化ケイ素等の誘電体層は、通常の条件下では、すべての市販のレーザ波長に対して本質的に透明である。対照的に、金属、有機物（例えば、低誘電率材料）及びシリコンは、特にナノ秒ベースの照射に応答して、非常に容易に光子を結合することができる。実施形態では、フェムト秒ベースのレーザスクライビングプロセスを使用して、二酸化ケイ素の層、低誘電率材料の層、及び銅の層を、低誘電率材料の層及び銅の層をアブレーションする前に二酸化ケイ素の層をアブレーションすることによってパターニングする。
【0079】
フェムト秒ベースのレーザビームの場合、実施形態では、好適なフェムト秒ベースのレーザプロセスは、通常、様々な材料における非線形相互作用をもたらす高いピーク強度（放射照度）によって特徴付けられる。上記の一実施形態では、フェムト秒レーザ源は、約１０フェムト秒から５００フェムト秒の範囲のパルス幅を有するが、好ましくは１００フェムト秒から４００フェムト秒の範囲である。一実施形態では、フェムト秒レーザ源は、約１５７０ナノメートルから２００ナノメートルの範囲の波長を有するが、好ましくは５４０ナノメートルから２５０ナノメートルの範囲である。一実施形態では、レーザ及び対応する光学系は、作業面において、約３ミクロンから１５ミクロンの範囲であるが、好ましくは約５ミクロンから１０ミクロンの範囲又は１０から１５ミクロンの焦点を提供する。
【0080】
実施形態では、レーザ源は、約２００ｋＨｚから１０ＭＨｚの範囲であるが、好ましくは５００ｋＨｚから５ＭＨｚの範囲のパルス反復速度を有する。実施形態では、レーザ源は、作業面において、約０．５ｕＪから１００ｕＪの範囲であるが、好ましくは１ｕＪから５ｕＪの範囲のパルスエネルギーを供給する。実施形態では、レーザスクライビングプロセスは、ワークピース表面に沿って、約５００ｍｍ／秒から５ｍ／秒の範囲であるが、好ましくは約６００ｍｍ／秒から２ｍ／秒の範囲の速度で進む。
【0081】
スクライビングプロセスは、単一パスのみで実行され得る、又は複数パスで実行され得るが、実施形態では、好ましくは１から２パスである。一実施形態では、ワークピースにおけるスクライビング深さは、約５ミクロンから５０ミクロンの範囲の深さ、好ましくは約１０ミクロンから２０ミクロンの範囲の深さである。実施形態では、生成されるレーザビームのカーフ幅は、デバイス／シリコン接合面で測定して、シリコンウエハスクライビング／ダイシングでは、約２ミクロンから１５ミクロンの範囲であるが、好ましくは約６ミクロンから１０ミクロンの範囲である。
【0082】
レーザパラメータは、無機誘電体（例えば、二酸化ケイ素）のイオン化を達成するために十分に高いレーザ強度を提供する、無機誘電体の直接アブレーションの前に下層の損傷によって引き起こされる剥離及び切屑を最小限に抑える等の利点及び長所を考慮して選択され得る。また、パラメータは、アブレーション幅（例えば、カーフ幅）及び深さを正確に制御して、産業用途に有意義なプロセススループットを提供するように選択され得る。
【0083】
オプションの実施形態では、レーザスクライビングプロセスに続いて、プラズマエッチング単一化プロセスの前に、中間のマスク開口後の洗浄工程が実行される。実施形態では、マスク開口後の洗浄工程は、プラズマベースの洗浄プロセスである。一実施例では、以下に説明するように、プラズマベースの洗浄プロセスは、間隙６１０によって露出した基板６０４のトレンチ６１２に対して非反応性である。
【0084】
一実施形態によれば、プラズマベースの洗浄プロセスは、洗浄プロセス中に露出した領域がエッチングされない、又は無視できる程度しかエッチングされないという点で、基板６０４の露出した領域に対して非反応性である。上記の一実施形態では、非反応性ガスプラズマ洗浄のみが使用される。例えば、Ａｒ又は別の非反応性ガス（又はその混合）を使用して、マスク凝縮とスクライブ開口部の洗浄の両方のための高バイアスプラズマ処理が実行される。このアプローチは、マスク６０２等の水溶性マスクに適している場合がある。別のこのような実施形態では、マスク凝縮（表面層の高密度化）及びスクライブされたトレンチの洗浄工程が別々に行われ、例えば、マスク凝縮のためのＡｒ又は非反応性ガス（又はその混合）の高バイアスプラズマ処理を最初に実行し、次に、レーザスクライブされたトレンチのＡｒ＋ＳＦ６プラズマ洗浄を実行する。本実施形態は、マスク材料が厚すぎるためにＡｒ洗浄ではトレンチ洗浄が十分でない場合に好適であり得る。この場合、マスクの金属塩が、ＳＦ６を含むプラズマ洗浄工程中にエッチング耐性を提供し得る。
【0085】
図６Ｃを参照すると、半導体ウエハ６０４は、集積回路６０６を単一化するために、パターニングされたマスク６０８の間隙６１０を通してエッチングされる。本開示の実施形態によれば、半導体ウエハ６０４をエッチングすることは、レーザスクライビングプロセスで最初に形成されたトレンチ６１２をエッチングすることによって、図６Ｃに示すように、半導体ウエハ６０４を完全に貫通して最終的にエッチングすることを含む。プラズマエッチング中、パターニングされたマスク６０８が集積回路を保護する。
【0086】
実施形態では、プラズマエッチングプロセス中、半導体ウエハ又は基板６０２は、基板キャリア（図２Ｂに関連して説明した基板キャリア等）により支持される。上記の一実施形態では、基板キャリアは、図３Ａ～図３Ｃに関連して上述したように、その周囲エッジに複数のノッチを有する導電性ペデスタルを有する静電チャックによって支持される。上記の一実施形態では、導電性ペデスタル及び複数のノッチの表面は、セラミック材料でコーティングされ、セラミック材料は、エッチング中に静電チャックから電流が漏れることを防止する。
【0087】
実施形態では、レーザスクライビングプロセスでマスク６０２をパターニングすることは、集積回路間の半導体ウエハの領域にトレンチを形成することを含み、半導体ウエハをプラズマエッチングすることは、トレンチを拡張して対応するトレンチ拡張部を形成することを含む。上記の一実施形態では、各トレンチは幅を有し、対応するトレンチ拡張部は各々、その幅を有する。
【0088】
実施形態では、半導体ウエハ６０４をエッチングすることは、プラズマエッチングプロセスを用いることを含む。一実施形態では、Ｓｉ貫通電極タイプのエッチングプロセスが使用される。例えば、具体的な実施形態では、半導体ウエハ６０４の材料のエッチング速度は、毎分１０ミクロンより大きい。ダイ単一化プロセスのプラズマエッチング部分には、超高密度プラズマ源が使用され得る。上記プラズマエッチングプロセスを行うのに適したプロセスチャンバの一例は、米国カリフォルニア州サニーベールのアプライドマテリアルズ社から入手可能なＡｐｐｌｉｅｄ Ｃｅｎｔｕｒａ（登録商標）Ｓｉｌｖｉａ（商標）Ｅｔｃｈシステムである。Ａｐｐｌｉｅｄ Ｃｅｎｔｕｒａ（登録商標）Ｓｉｌｖｉａ（商標）Ｅｔｃｈシステムは、容量結合ＲＦと誘導結合ＲＦとを組み合わせたもので、磁気強化によって改善した場合でも容量結合のみでは不可能だったイオン密度とイオンエネルギーのより高い独立制御を可能にする。この組み合わせにより、イオンエネルギーからイオン密度を効果的に切り離すことができ、非常に低い圧力でも、潜在的に有害な高いＤＣバイアスレベルなしで、比較的高密度のプラズマを実現することができる。その結果、非常に広いプロセスウィンドウが得られる。しかしながら、シリコンをエッチングすることができる任意のプラズマエッチングチャンバを使用することが可能である。例示的な実施形態では、ディープシリコンエッチングが、本質的に正確なプロファイル制御及び実質的にスカラップのない側壁を維持しながら、従来のシリコンのエッチング速度の約４０％を超えるエッチング速度で単結晶シリコン基板又はウエハ６０４をエッチングするために使用される。具体的な実施形態では、Ｓｉ貫通電極タイプのエッチングプロセスが使用される。このエッチングプロセスは、一般に、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＨＦ３、ＸｅＦ２等のフッ素系ガスである反応性ガス、又は比較的速いエッチング速度でシリコンをエッチングできる他の任意の反応ガスから発生するプラズマに基づく。別の実施形態では、図６Ｃに関連して説明したプラズマエッチング工程は、基板６０４を貫通してエッチングするために、従来のボッシュタイプの堆積／エッチング／堆積プロセスを採用する。一般に、ボッシュ型プロセスは、シリコンが完全にエッチングされるまで多くの反復（サイクル）を通して実行される堆積、指向性衝突エッチング、及び等方性化学エッチングの３つの副工程から構成される。
【0089】
上述のように、実施形態では、半導体ウエハ又は基板６０２は、プラズマエッチングプロセス中に基板キャリア（図２Ｂに関連して説明した基板キャリア等）によって支持され、基板キャリアは、その周囲エッジに複数のノッチを有する導電性ペデスタルを有する静電チャックによって支持される。上記の具体的な実施形態では、エッチングに続いて、基板キャリアは、導電性ペデスタルの複数のノッチのうちの１つに対応する複数のリフトピンを用いて導電性ペデスタルから取り外される。
【0090】
実施形態では、単一化プロセスに続いて、パターニングされたマスク６０８が除去される。実施形態では、パターニングされたマスク６０８は、パターニングされた水溶性マスクである。一実施形態では、パターニングされたマスク６０８は、水溶液を使用して除去される。上記の一実施形態では、パターニングされたマスク６０８は、高温水処理等の熱水処理によって除去される。具体的な実施形態では、パターニングされたマスク６０８は、約４０から１００℃の範囲の温度で熱水処理で除去される。特定の実施形態では、パターニングされたマスク６０８は、約８０から９０℃の範囲の温度で熱水処理で除去される。水の温度が高ければ高いほど、熱水処理に必要な時間が短くてよいことが理解されよう。本開示の実施形態によれば、プラズマ洗浄プロセスは、パターニングされたマスク６０８の除去を支援するためにエッチング後に実行され得る。
【0091】
他の状況では、より低い水処理温度が有益であり得ることを理解されたい。例えば、ダイシング用ウエハが、より高い温度の水処理によって（例えば、接着力の低下を通して）影響を受ける可能性のあるダイシングテープ上に支持されている場合、比較的高い水処理温度よりも長い持続期間にはなるが、比較的低い水処理温度を採用することができる。上記の一実施形態では、水処理は、室温（すなわち、水は加熱されていない）の間であり、約４０℃未満の温度である。上記の特定の実施形態では、パターニングされたマスク６０８は、約３５から４０℃の範囲の温度で温水処理で除去される。
【0092】
図６Ａ～図６Ｃを再び参照すると、ウエハダイシングは、マスクを貫通し、ウエハストリート（メタライゼーションを含む）を貫通し、部分的にシリコン基板内までアブレーションする最初のアブレーションによって行われ得る。その後、シリコン貫通ディーププラズマエッチングにより、ダイ単一化が完了し得る。ダイシングのための材料スタックの具体例を、本開示の実施形態により、図８Ａ～図８Ｄと関連づけて以下に説明する。
【0093】
図８Ａを参照すると、ハイブリッドレーザアブレーション及びプラズマエッチングダイシングのための材料スタックは、マスク８０２、デバイス層８０４、及び基板８０６を含む。マスク層８０２、デバイス層８０４、及び基板８０６は、バッキングテープ８１０に貼り付けられたダイ取付フィルム８０８の上に配置される。他の実施形態では、標準的なダイシングテープへの直接結合が使用される。実施形態では、マスク８０２は、マスク６０２に関連して上述したようなマスクである。デバイス層８０４は、１又は複数の金属層（銅層等）及び１又は複数の低誘電率誘電体層（炭素がドープされた酸化物層等）の上に配置された無機誘電体層（二酸化ケイ素等）を含む。デバイス層８０４は、集積回路間に配置されたストリートも含み、ストリートは、集積回路と同じ又は同様の層を含む。基板８０６は、バルク単結晶シリコン基板である。実施形態では、マスク８０２は、上述したような熱処理又は焼成８９９を使用して作製される。実施形態では、マスク８０２は、水マスクである。
【0094】
実施形態では、ダイ取付フィルム８０８に貼り付ける前に、バルク単結晶シリコン基板８０６を裏側から薄くする。薄化は、裏側研磨プロセスにより行うことができる。一実施形態では、バルク単結晶シリコン基板８０６は、約３０から２００ミクロンの範囲の厚さに薄化される。実施形態では、薄化は、レーザアブレーション及びプラズマエッチングダイシングプロセスの前に実行されることに留意されたい。実施形態では、マスク８０２は、約３から１００ミクロンの範囲の厚さを有し、デバイス層８０４は、約２から２０ミクロンの範囲の厚さを有する。実施形態では、ダイ取付フィルム８０８（又は、上部接着層とベースフィルムとで構成されるダイシングテープ等の、薄化された又は薄いウエハ又は基板をバッキングテープ８１０に結合させることができる任意の適切な代替物）は、約１０から２００ミクロンの範囲の厚さを有する。
【0095】
図８Ｂを参照すると、マスク８０２、デバイス層８０４及び基板８０６の一部が、レーザスクライビングプロセス８１２でパターニングされて、基板８０６にトレンチ８１４が形成される。
【0096】
図８Ｃを参照すると、シリコン貫通ディーププラズマエッチングプロセス８１６を使用してトレンチ８１４がダイ取付フィルム８０８まで拡張され、ダイ取付フィルム８０８の上部が露出して、シリコン基板８０６が単一化される。デバイス層８０４は、シリコン貫通ディーププラズマエッチングプロセス８１６の間、マスク８０２によって保護される。
【0097】
図８Ｄを参照すると、単一化プロセスは、ダイ取付フィルム８０８をパターニングし、バッキングテープ８１０の上部を露出させて、ダイ取付フィルム８０８を単一化することを更に含み得る。実施形態では、ダイ取付フィルムは、レーザプロセスによって、又はエッチングプロセスによって単一化される。更なる実施形態は、その後、基板８０６の単一化された部分を（例えば、個々の集積回路として）バッキングテープ８１０から取り外すことを含み得る。一実施形態では、単一化されたダイ取付フィルム８０８は、基板８０６の単一化された部分の裏側に保持される。代替実施形態では、基板８０６が約５０ミクロンよりも薄い場合、追加のプラズマプロセスを使用せずに、レーザスクライビングプロセス８１２を使用して基板８０６を完全に単一化する。実施形態は、デバイス層８０４からマスク８０２を除去することを更に含み得る。マスク８０２の除去は、パターニングされたマスク６０８の除去について上述したように行われ得る。
【0098】
本開示の実施形態は、本開示の実施形態に係るプロセスを実行するコンピュータシステム（又は他の電子デバイス）をプログラムするために使用され得る命令をその上に記憶した機械可読媒体を含み得るコンピュータプログラム製品、又はソフトウェアとして提供され得る。一実施形態では、コンピュータシステムは、図５と関連して説明したプロセスツール５００、又は図４と関連して説明したエッチングチャンバ４００に結合される。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピュータ）によって読み取り可能な形態で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含む。例えば、機械可読（例えば、コンピュータ可読）媒体は、機械（例えば、コンピュータ）可読記憶媒体（例えば、読取り専用メモリ（「ＲＯＭ」）、ランダムアクセスメモリ（「ＲＡＭ」）、磁気ディスク記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリ装置等）、機械（例えば、コンピュータ）可読伝送媒体（電気、光学、音響又は他の形態の伝播信号（例えば、赤外線信号、デジタル信号等））を含む。
【0099】
図９は、本明細書に記載の方法論のいずれか１又は複数を機械に実行させるための命令のセットが実行され得るコンピュータシステム９００の例示的な形態におけるマシンを示す図式的表現である。代替実施形態では、マシンは、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、イントラネット、エクストラネット、又はインターネットにおいて他のマシンに接続（例えば、ネットワーク化）され得る。マシンは、クライアントサーバネットワーク環境におけるサーバ又はクライアントマシンの能力で、又はピアツーピア（又は分散）ネットワーク環境におけるピアマシンとして動作し得る。マシンは、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、タブレットＰＣ、セットトップボックス（ＳＴＢ）、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、携帯電話、ウェブアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチ又はブリッジ、又はそのマシンが取るべき動作を指定する命令のセット（順次又はその他）を実行することができる任意のマシンであり得る。更に、単一のマシンのみを図示したが、用語「マシン」は、本明細書に記載の方法論のいずれか１又は複数を実行するための命令のセット（又は複数のセット）を個別に又は共同で実行するマシン（例えば、コンピュータ）の任意の集合体も含むように解釈されるものとする。
【0100】
例示的なコンピュータシステム９００は、バス９３０を介して互いに通信する、プロセッサ９０２、メインメモリ９０４（例えば、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、同期ＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）又はラムバスＤＲＡＭ（ＲＤＲＡＭ）等のダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、スタティックメモリ９０６（例えば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）等）及び二次メモリ９１８（データストレージ装置等）を含む。
【0101】
プロセッサ９０２は、マイクロプロセッサ、中央処理装置等の１又は複数の汎用処理装置を表す。より詳細には、プロセッサ９０２は、複雑な命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、他の命令セットを実装するプロセッサ、又は命令セットの組み合わせを実装するプロセッサであってよい。プロセッサ９０２はまた、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサ等の１又は複数の特殊目的処理装置であってよい。プロセッサ９０２は、本明細書に記載の工程を実行するための処理ロジック９２６を実行するように構成される。
【0102】
コンピュータシステム９００は、ネットワークインターフェース装置９０８を更に含み得る。また、コンピュータシステム９００は、映像表示装置９１０（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤ）、又は陰極線管（ＣＲＴ））、英数字入力装置９１２（例えば、キーボード）、カーソル制御装置９１４（例えば、マウス）、及び信号発生装置９１６（例えば、スピーカ）を含み得る。
【0103】
二次メモリ９１８は、本明細書に記載の方法論又は機能のいずれか１又は複数を具現化する１又は複数の命令のセット（例えば、ソフトウェア９２２）がその上に記憶された機械アクセス可能な記憶媒体（又はより具体的にはコンピュータ可読記憶媒体）９３２を含み得る。ソフトウェア９２２はまた、コンピュータシステム９００によるその実行中に、完全に又は少なくとも部分的に、メインメモリ９０４内及び／又はプロセッサ９０２内に常在していてよく、メインメモリ９０４及びプロセッサ９０２も機械可読記憶媒体を構成する。ソフトウェア９２２は更に、ネットワークインターフェース装置９０８を介してネットワーク９２０上で送信又は受信することができる。
【0104】
機械アクセス可能な記憶媒体９３２は、例示的な実施形態では単一の媒体として図示したが、用語「機械可読記憶媒体」は、１又は複数の命令のセットを記憶する単一の媒体又は複数の媒体（例えば、集中型又は分散型データベース、及び／又は関連キャッシュ及びサーバ）を含むと解釈されるべきである。用語「機械可読記憶媒体」はまた、機械による実行のための命令のセットを記憶又は符号化することができ、本開示の方法論のいずれか１又は複数を機械に実行させる、任意の媒体を含むと解釈されるべきである。用語「機械可読記憶媒体」は、従って、固体メモリ、ならびに光学及び磁気媒体を含むと解釈されるが、これらに限定されない。
【0105】
本開示の実施形態によれば、機械アクセス可能な記憶媒体は、データ処理システムに、本明細書に記載の方法の１又は複数等の、複数の集積回路を有する半導体ウエハをダイシングする方法を実行させる命令がその上に記憶されている。
【0106】
このように、シャドーリングキットを実装したレーザスクライビングプロセス及びプラズマエッチングプロセスを用いたハイブリッドウエハダイシングアプローチが開示されている。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8A-B】
【図8C-D】
【図9】
【国際調査報告】