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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-11-10
(54)【発明の名称】処理チャンバをシーズニングする方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/205 20060101AFI20231102BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20231102BHJP
C23C 16/26 20060101ALI20231102BHJP
【ＦＩ】
H01L21/205
C23C16/44 J
C23C16/26
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023524594
(86)(22)【出願日】2021-10-14
(85)【翻訳文提出日】2023-06-15
(86)【国際出願番号】 US2021055029
(87)【国際公開番号】W WO2022086788
(87)【国際公開日】2022-04-28
(31)【優先権主張番号】17/075,801
(32)【優先日】2020-10-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ハサン， ヴィナイアーク ヴィシュワナス
(72)【発明者】
【氏名】クマール， バスカー
(72)【発明者】
【氏名】シン， アナップ クマール
【テーマコード（参考）】
4K030
5F045
【Ｆターム（参考）】
4K030AA09
4K030AA16
4K030BA27
4K030CA04
4K030CA12
4K030DA06
4K030FA01
4K030JA05
4K030JA09
4K030JA10
4K030JA12
4K030JA16
4K030KA18
4K030LA15
5F045AA08
5F045AB07
5F045AC00
5F045AC12
5F045AC17
5F045BB15
5F045CB06
5F045DA69
5F045EB03
5F045EB05
5F045EB11
5F045EE12
5F045EE20
5F045EF05
5F045EH18
5F045EH20
(57)【要約】
本開示の実施形態は半導体処理に関する。より詳細には、本開示の実施形態は、処理チャンバの１つ以上の部品をシーズニングする方法に関する。少なくとも一実施形態では、処理チャンバをシーズニングする方法は、処理チャンバの部品の上にシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積することを含む。該方法は、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することを含む。少なくとも一実施形態では、方法は、窒素含有ガスをシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することを含む。シーズニング膜への窒素含有ガスの導入は、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行われる。
【選択図】図１
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理チャンバをシーズニングする方法であって、前記処理チャンバの部品の上にシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積させること、並びに
前記シーズニング膜の上に堆積膜を堆積させること
を含む、方法。
【請求項2】
前記温度が約１００℃から約２００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記シーズニング膜を堆積させることが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを前記処理チャンバ中に流すことを含み、かつ前記堆積膜を堆積させることが、第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを前記処理チャンバ中に流すことを含み、ここで、前記第２の炭素含有前駆体ガスが、前記第１の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、前記第２の不活性前駆体ガスが、前記第１の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっている、
請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記第１の炭素含有前駆体ガス及び前記第２の炭素含有前駆体ガスがアセチレンを含み、かつ前記第１の不活性前駆体ガス及び前記第２の不活性前駆体ガスがヘリウムを含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項5】
前記部品の上に前記シーズニング膜を堆積させることが、前記第１の炭素含有前駆体ガス及び前記第１の不活性前駆体ガスを前記第１の炭素含有前駆体ガスと前記第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すこと、及び
前記第１の流量比を前記第１の炭素含有前駆体ガスと前記第１の不活性前駆体ガスとの第２の流量比に調整すること
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項6】
前記第１の流量比が約１：１から約１：２である、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
前記第１の流量比を前記第２の流量比に調整することが、約１ｓｃｃｍ／秒から約２０ｓｃｃｍ／秒の速度で行われる、請求項５に記載の方法。
【請求項8】
前記部品の上に前記シーズニング膜を堆積させることが、第１のＲＦ電力を前記チャンバに供給すること、及び
前記第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整すること
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項9】
前記第１のＲＦ電力を前記第２のＲＦ電力に調整することが、約２０Ｗ／秒から約５００Ｗ／秒の速度で行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記第１のＲＦ電力が約１ｋＷから約４ｋＷであり、前記第２のＲＦ電力が約４ｋＷから約６ｋＷである、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
処理チャンバをシーズニングする方法であって、前記処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積させること、
前記第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積させること、並びに
前記第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積させること
を含み、ここで、
前記第１のシーズニング膜を堆積させることが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを前記処理チャンバに流すことを含む、
方法。
【請求項12】
前記部品の上に前記第１のシーズニング膜を堆積させることが、前記第１の炭素含有前駆体ガス及び前記第１の不活性前駆体ガスを、前記第１の炭素含有前駆体ガスと前記第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含み、かつ前記第１のシーズニング膜の上に前記第２のシーズニング膜を堆積させることが、前記第１の炭素含有前駆体ガスと前記第１の不活性前駆体ガスとの前記第１の流量比を第２の流量比に調整することを含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記第１の流量比を前記第２の流量比に調整することが、約１秒以下の速度で行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
前記部品の上に前記第１のシーズニング膜を堆積させることが、第１のＲＦ電力を前記チャンバに供給することを含み、かつ前記第１のシーズニング膜の上に前記第２のシーズニング膜を堆積させることが、前記第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することを含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項15】
前記第１のＲＦ電力を前記第２のＲＦ電力に調整することが、約１秒以下の速度で行われる、請求項１４に記載の方法。
【請求項16】
処理チャンバをシーズニングする方法であって、前記処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積させること、
前記第１のシーズニング膜の上に複数の追加のシーズニング膜を堆積させること、及び
前記複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積させること
を含み、ここで、
前記第１のシーズニング膜を堆積させることが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを前記処理チャンバに流すことを含む、
方法。
【請求項17】
前記複数の追加のシーズニング膜を堆積させることが、第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを前記処理チャンバに流すことによって、前記第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積させること、
第３の炭素含有前駆体ガス及び第３の不活性前駆体ガスを前記処理チャンバに流すことによって、前記第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積させること、
第４の炭素含有前駆体ガス及び第４の不活性前駆体ガスを前記処理チャンバに流すことによって、前記第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積させること
を含み、ここで、
前記第２、第３、及び第４の炭素含有前駆体ガスが、独立して、互いに同じであるか、又は異なっており、かつ
前記第２、第３、及び第４の不活性前駆体ガスが、独立して、互いに同じであるか、又は異なっている、
請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
前記部品の上に前記第１のシーズニング膜を堆積させることが、前記第１の炭素含有前駆体ガス及び前記第１の不活性前駆体ガスを前記第１の炭素含有前駆体ガスと前記第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含み、前記第１のシーズニング膜の上に前記第２のシーズニング膜を堆積させることが、前記第１の炭素含有前駆体ガスと前記第１の不活性前駆体ガスとの前記第１の流量比を第２の流量比に調整することを含み、
前記第２のシーズニング膜の上に前記第３のシーズニング膜を堆積させることが、前記第２の炭素含有前駆体ガスと前記第２の不活性前駆体ガスとの前記第２の流量比を第３の流量比に調整することを含み、かつ
前記第３のシーズニング膜の上に前記第４のシーズニング膜を堆積させることが、前記第３の炭素含有前駆体ガスと前記第３の不活性前駆体ガスとの前記第３の流量比を第４の流量比に調整することを含む、
請求項１７に記載の方法。
【請求項19】
前記第１の流量比及び前記第３の流量比が、独立して、約１：１から約１：２である、請求項１８に記載の方法。
【請求項20】
前記部品の上に前記第１のシーズニング膜を堆積させることが、第１のＲＦ電力を前記チャンバに供給することを含み、前記第１のシーズニング膜の上に前記第２のシーズニング膜を堆積させることが、前記第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することを含み、
前記第２のシーズニング膜の上に前記第３のシーズニング膜を堆積させることが、前記第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に調整することを含み、かつ
前記第３のシーズニング膜の上に前記第４のシーズニング膜を堆積させることが、前記第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に調整することを含む、
請求項１７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の実施形態は半導体処理に関する。より詳細には、本開示の実施形態は、処理チャンバの１つ以上の部品をシーズニングする方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体処理は、基板上に小さい集積回路が生成される、多くの異なる化学的及び物理的プロセスを含む。集積回路を構成する材料の層は、化学気相堆積、物理気相堆積、エピタキシャル成長、化学的処理、電気化学的プロセスなどによって生成される。
【0003】
典型的な半導体処理チャンバは、処理ゾーンを画定するチャンバ本体と、ガス供給から処理ゾーンにガスを供給するように適合されたガス分配アセンブリと、処理ガスを励起して基板支持アセンブリの上に位置付けられた基板を処理するために利用される、プラズマ発生装置などのガスエナジャイザーと、ガス排気とを含む。プラズマ処理中、励起されたガスは、多くの場合、イオン、ラジカル、及び／又は、処理チャンバ部品、例えば処理中に基板を保持する静電チャックなどの露出部分をエッチング及び侵食する他の高度に反応性の種で構成されている。加えて、処理副生成物がチャンバ部品上に堆積することが多く、通常は反応性の高いフッ素を使用して定期的に洗浄する必要がある。したがって、処理チャンバの清浄度を維持するために、処理チャンバから副生成物を除去するための定期的な洗浄プロセスが行われる。処理中及び洗浄中の反応種による攻撃は、チャンバ部品の寿命を短縮し、保守頻度を増加させる。加えて、チャンバ部品の侵食された部分からのフッ化アルミニウム（ＡｌＦ）などのフレークが、基板処理中の微粒子の汚染源になりうる。さらには、洗浄プロセス中に比較的高温の部品表面に形成されたＡｌＦ３は、昇華するが、後に、洗浄プロセスの後にシャワーヘッドなどの比較的低温のチャンバ部品表面に堆積する可能性がある。この残留堆積物により、チャンバ部品が早期に故障し、チャンバのメンテナンスが頻繁に行われる可能性がある。
【0004】
１つ以上の処理チャンバ部品上に保護材料（例えば、層）を堆積することによって、チャンバ部品を保護（「シーズニング」）する試みがなされてきた。しかしながら、従来のシーズニング方法は、低圧（及び／又は低温）で動作するＣＶＤチャンバでは機能しない。このような低圧／低温ＣＶＤチャンバは、ハードマスク膜、例えばアモルファスカーボンハードマスク膜などの高度なパターニング膜を基板上に堆積するために有利に使用されうる。このようなチャンバに用いられる低圧、低温、及び／又はより大きい処理容積の理由から、（チャンバ部品の）従来のシーズニング方法では、剥離しやすく、処理チャンバの（一又は複数の）部品への接着性が劣る材料（例えば、層）が提供される。このような剥離、及び接着性の低下により、処理中の基板の汚染が促進される可能性がある。
【0005】
したがって、処理チャンバの清浄性及びチャンバ部品の完全性を維持し、チャンバ部品の寿命を延ばし、高品質の処理済みウエハを提供するための処理の改善が必要とされている。
【発明の概要】
【0006】
本開示の実施形態は半導体処理に関する。より詳細には、本開示の実施形態は、処理チャンバの１つ以上の部品をシーズニングする方法に関する。
【0007】
少なくとも一実施形態では、処理チャンバをシーズニングする方法は、処理チャンバの部品の上にシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積することを含む。該方法は、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することを含む。
【0008】
少なくとも一実施形態では、方法は、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含む、部品の上にシーズニング膜を堆積することを含む。該方法は、第１の流量比を第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第２の流量比に調整することを含む。
【0009】
少なくとも一実施形態では、処理チャンバをシーズニングする方法は、処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積することを含む。該方法は、第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することを含む。該方法は、第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することを含む。第１のシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含む。
【0010】
少なくとも一実施形態では、処理チャンバをシーズニングする方法は、処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積することを含む。該方法は、第１のシーズニング膜の上に複数の追加のシーズニング膜を堆積することを含む。該方法は、複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することを含む。第１のシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含む。
【0011】
本開示の上記特徴を詳細に理解することができるように、その一部が添付の図面に示されている実施形態を参照することにより、上に簡単に要約されている本開示のより詳細な説明を得ることができる。しかしながら、添付の図面は例示的な実施形態を示しているにすぎず、したがって、その範囲を限定するとみなすべきではなく、他の等しく有効な実施形態も許容されうることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本開示の一態様による、処理チャンバをシーズニングするプロセスのプロセスフロー図
【図2】本開示の一態様による、処理チャンバの概略的な側面断面図
【図3A】本開示の一態様による、導管に連結されたリッドの一部の概略的な側面断面図
【発明を実施するための形態】
【0013】
理解を容易にするため、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を示すために同一の参照番号が用いられる。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる記載がなくとも、他の実施形態に有益に組み込むことができることが想定されている。
【0014】
本開示の実施形態は半導体処理に関する。より詳細には、本開示の実施形態は、処理チャンバの１つ以上の部品をシーズニングする方法に関する。
【0015】
本開示の方法は、堆積膜とチャンバ部品との間に配置されたシーズニング膜を提供することにより、保護材料（堆積膜）の剥離を低減し、チャンバ部品に対する堆積膜の接着性を改善することができる。例えば、堆積膜は、約１００ＭＰａから約３００ＭＰａ（圧縮）など、約４００ＭＰａ以下（圧縮）の内在応力を有しうるのに対し、チャンバ部品（例えば、アルミニウム含有部品）は、約９００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ（圧縮）など、約８００ＭＰａ以上（圧縮）の内在応力を有しうる。追加的又は代替的に、チャンバ部品は、約２００ＭＰａから約５００ＭＰａ（引張）など、約１００ＭＰａ以上（引張）の内在応力を有していてもよい。堆積膜とチャンバ部品との内在応力のこのような不整合は、堆積膜とチャンバ部品との剥離及び接着不良を促進する。しかしながら、本発明者らは、シーズニング膜の内在応力を制御することによって、シーズニング膜の一方の側で堆積膜に有益に接着し、シーズニング膜の反対の側でチャンバ部品に接着するように、シーズニング膜を調整できることを見出した。本発明者らは、このような改善を達成するための多くの手法を見出した。本開示の目的のため、チャンバ部品に試験片を貼り付け、試験片上に測定する膜を堆積し、膜が堆積した試験片を除去し、任意の適切な任意選択的な光学分光法技法を使用して膜を分析することによって、内在応力を決定することができる。本開示の例示的な態様から利益を得るように適合されうる処理チャンバの例は、米国カリフォルニア州サンタクララ所在のＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から市販されるＰＩＯＮＥＥＲ（商標）ＰＥＣＶＤシステムである。他の製造業者からのものを含む、他の処理チャンバ及び／又は処理プラットフォームも、本開示の態様から利益を得るように適合されうることが企図されている。
【0016】
幾つかの実施形態では、図１に示されるように、処理チャンバ（例えば、処理チャンバの１つ以上の部品）をシーズニングする方法１００は、処理チャンバの部品の上にシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積すること１０２を含む。該方法は、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積すること１０４を含みうる。少なくとも一実施形態では、温度が約１００℃から約２００℃である。あるいは、温度は、約２５０℃から約３５０℃など、約２００℃から約４００℃でありうる。温度が高いほど、（より低い温度を使用するプロセスと比較して）向上した膜の品質、接着力、及び／又はより低い内在応力を提供することができる。例えば、（１）シーズニング膜と堆積膜、及び／又は（２）シーズニング膜とチャンバ部品は、（より低い温度を使用するプロセスと比較して）ある程度相互に良好に拡散できるため、密着性を向上させることができる。しかしながら、より高い温度を使用すると、方法を実施するコストが増加する。
【0017】
シーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含みうる。堆積膜を堆積することは、第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含みうる。第２の炭素含有前駆体ガスは、第１の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、第２の不活性前駆体ガスは、第１の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっている。幾つかの実施形態では、第１の炭素含有前駆体ガス及び／又は第２の炭素含有前駆体ガスはアセチレンである。幾つかの実施形態では、第１の不活性前駆体ガス及び／又は第２の不活性前駆体ガスはヘリウムである。
【0018】
第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことは、第１の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すこと、及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すことを含みうる。これらの流量は、３００ｍｍのウエハを処理するように設計されたチャンバに基づいている。
【0019】
堆積膜はアモルファスカーボン含有膜でありうる。幾つかの実施形態では、堆積膜は、約１００ＭＰａから約３００ＭＰａ（圧縮）など、約４００ＭＰａ以下（圧縮）の内在応力を有する。チャンバ部品は、アルミニウム又はアルミニウム合金などの金属含有部品である。チャンバ部品は、約９００ＭＰａから約１，２００ＭＰａ（圧縮）など、約８００ＭＰａ以上（圧縮）の内在応力を有しうる。追加的又は代替的に、チャンバ部品は、約２００ＭＰａから約５００ＭＰａ（引張）など、約１００ＭＰａ以上（引張）の内在応力を有しうる。
【0020】
シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる。シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することは、第２の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約２００ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍの流量で流すことによって行われる。幾つかの実施形態では、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することは、約１ｋＷから約６ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む。
【0021】
方法は、窒素含有ガスをシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含みうる。窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することは、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行うことができる。
【0022】
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び／又は約２００℃未満の温度で実施することができる。窒素含有ガスは、アンモニアなどの任意の適切な窒素含有ガスを含みうる。窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することは、窒素含有ガスを処理チャンバに、約５０ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍなど、約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含みうる。窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することは、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給して、窒素含有ガスを活性化することを含みうる。
【0023】
本開示の（一又は複数の）シーズニング膜に窒素含有ガスを導入することにより、堆積膜の核形成部位を提供する窒素終端表面を提供することができ、堆積膜への向上した接着性をもたらし、堆積膜の制御された結合構造をもたらす（例えば、堆積層の低い内在応力）。（一又は複数の）シーズニング膜に窒素含有ガスを導入することは、低温及び／又は低圧で実施することができるため、窒素処理は主に（一又は複数の）シーズニング膜の表面で行われ、堆積膜への結合及び核生成を促進することができる。加えて、低温及び／又は低圧で堆積膜を堆積することができることから、堆積層は低い窒素含有量を有することができ、堆積膜の内在応力及び剥離を低減することができる。
【0024】
処理チャンバの部品は、チャンバの壁、スペーサ、基板支持体（例えばエッジリング）などの任意の適切な部品でありうる。少なくとも一実施形態では、部品は、例えば半導体ウエハではないなど、ウエハではない。例えば、プロセスは、チャンバのペデスタル上に不活性基板を置くこと、及びシーズニング方法を実施することを含みうる。幾つかの実施形態では、処理チャンバの部品は処理チャンバの内壁である。内壁は、Ｐｉｏｎｅｅｒ（商標）処理チャンバの壁など、従来のＣＶＤチャンバの壁よりも大きくすることができる。従来、大きい壁を適切にシーズニングすることは非常に困難であり、本開示の方法はこのような制限を克服することができる。
【0025】
段階的シーズニング膜
他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、部品の上にシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含む。方法は、第１の流量比を、第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第２の流量比に調整することを含む。第１の流量比を第２の流量比に調整することにより、シーズニング膜の表面の結合構造（例えば、ｓｐ２対ｓｐ３炭素含有量）の制御を提供することができる。例えば、第１の流量比を第２の流量比へとゆっくりと調整することにより、部品上に配置されたシーズニング膜の側から堆積膜が配置されたシーズニング膜の側へと結合構造が漸進的に変化する、段階的シーズニング膜を提供することができる。シーズニング膜の表面のハイブリッド化は、チャンバ部品及び堆積層へのシーズニングフィルムの表面の接着性に影響を与える可能性がある。ｓｐ２特性が高くなると、内在応力の増加をもたらす。例えば、第１の流量比は、チャンバ部品への有益な接着性のために（シーズニング膜の第１の表面の）高い内在応力を促進することができ、一方、第２の流量比は、従来のシーズニング方法の材料と比較して、（シーズニングの第２の側）の低い内在応力をもたらすことができ、堆積膜及び／又はシーズニング膜の剥離の低減をもたらすことができる。
他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、部品の上にシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含む。方法は、第１の流量比を、第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第２の流量比に調整することを含む。第１の流量比を第２の流量比に調整することにより、シーズニング膜の表面の結合構造（例えば、ｓｐ２対ｓｐ３炭素含有量）の制御を提供することができる。例えば、第１の流量比を第２の流量比へとゆっくりと調整することにより、部品上に配置されたシーズニング膜の側から堆積膜が配置されたシーズニング膜の側へと結合構造が漸進的に変化する、段階的シーズニング膜を提供することができる。シーズニング膜の表面のハイブリッド化は、チャンバ部品及び堆積層へのシーズニングフィルムの表面の接着性に影響を与える可能性がある。ｓｐ２特性が高くなると、内在応力の増加をもたらす。例えば、第１の流量比は、チャンバ部品への有益な接着性のために（シーズニング膜の第１の表面の）高い内在応力を促進することができ、一方、第２の流量比は、従来のシーズニング方法の材料と比較して、（シーズニングの第２の側）の低い内在応力をもたらすことができ、堆積膜及び／又はシーズニング膜の剥離の低減をもたらすことができる。
【0026】
幾つかの実施形態では、シーズニング膜はアモルファスカーボン含有膜である。幾つかの実施形態では、シーズニング膜は、約３００ＭＰａから約８００ＭＰａ（圧縮）の内在応力を有する。シーズニング膜は、第１の側での約３００ＭＰａから約５５０ＭＰａ（圧縮）までから、第２の側での約５５０ＭＰａから約８００ＭＰａ（圧縮）へと進行することができる。シーズニング膜の内在応力の勾配は、（高温／高圧のＣＶＤチャンバの従来のシーズニング膜と比較して）改善された接着性及び低減された剥離をもたらす。
【0027】
少なくとも一実施形態では、第１の流量比は約１：１から約１：２である。幾つかの実施形態では、第２の流量比は、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である。例えば、アセチレンのヘリウムに対する高い比は、（低い比と比較して）より高い内在応力をもたらすことができる。アセチレンがより多く希釈されると（例えば、１：１０の比）、より低い内在応力を有する材料が形成されるであろう。
【0028】
第１の流量比を第２の流量比に調整することは、約１ｓｃｃｍ／秒から約２０ｓｃｃｍ／秒の速度で行うことができる。
【0029】
部品の上にシーズニング膜を堆積することは、第１のＲＦ電力をチャンバに供給すること（例えば、チャンバ（例えば、ペデスタル）の底部電極から供給される）、及び第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することを含みうる。第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することにより、シーズニング膜の表面の結合構造（例えば、ｓｐ２対ｓｐ３炭素含有量）の制御を提供することができる。例えば、第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力へとゆっくりと調整することにより、部品上に配置されたシーズニング膜の側から堆積膜が配置されたシーズニング膜の側へと結合構造が漸進的に変化する、段階的シーズニング膜を提供することができる。例えば、第１のＲＦ電力は、チャンバ部品への有益な接着性のために（シーズニング膜の第１の表面の）高い内在応力を促進することができ、一方、第２のＲＦ電力は、堆積層への有益な接着性のために（シーズニング膜の第２の側の）低い内在応力を提供することができる。有益な接着性は、従来のシーズニング方法の材料と比較して、堆積膜及び／又はシーズニング膜の剥離の低減をもたらす。
【0030】
幾つかの実施形態では、方法は、第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に約２０Ｗ／秒から約５００Ｗ／秒の速度で調整することを含む。少なくとも一実施形態では、第１のＲＦ電力及び第２のＲＦ電力は、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである。例えば、第１のＲＦ電力は約１ｋＷから約４ｋＷであってよく、第２のＲＦ電力は約４ｋＷから約６ｋＷでありうる。低いＲＦ電力は高い内在応力を有する材料を提供するのに対し、高いＲＦ電力は低い内在応力を有する材料を提供する。
【0031】
幾つかの実施形態では、シーズニング膜は約１００ｎｍから約７００ｎｍの厚さを有しうる。堆積膜は、約５００ｎｍから約３ミクロンの厚さを有しうる。
【0032】
方法は、窒素含有ガスをシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含みうる。窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することは、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行うことができる。幾つかの実施形態では、窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる。窒素含有ガスは、アンモニアなどの任意の適切な窒素含有ガスを含みうる。
【0033】
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することは、窒素含有ガスを処理チャンバに、約５０ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍなど、約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含みうる。幾つかの実施形態では、窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することは、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む。
【0034】
二層シーズニング膜
幾つかの実施形態では、処理チャンバをシーズニングする方法は、処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満、又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積することを含む。幾つかの実施形態では、温度は約１００℃から約２００℃である。あるいは、幾つかの実施形態では、温度は、約２５０℃から約３００℃など、約２００℃から約４００℃である。第１のシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含む。該方法は、第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することを含む。
幾つかの実施形態では、処理チャンバをシーズニングする方法は、処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満、又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積することを含む。幾つかの実施形態では、温度は約１００℃から約２００℃である。あるいは、幾つかの実施形態では、温度は、約２５０℃から約３００℃など、約２００℃から約４００℃である。第１のシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含む。該方法は、第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することを含む。
【0035】
幾つかの実施形態では、第１のシーズニング膜及び／又は第２のシーズニング膜はアモルファスカーボン含有膜である。幾つかの実施形態では、第１のシーズニング膜及び／又は第２のシーズニング膜は、独立して約３００ＭＰａから約８００ＭＰａ（圧縮）の内在応力を有する。幾つかの実施形態では、第１のシーズニング膜は、約５５０ＭＰａから約８００ＭＰａ（圧縮）の内在応力を有する。少なくとも一実施形態では、第２のシーズニング膜は、約３００ＭＰａから約５５０ＭＰａ（圧縮）の内在応力を有する。
【0036】
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で実施することができる。第２のシーズニング膜を堆積することは、第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含みうる。
【0037】
方法は、第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することをさらに含みうる。堆積膜を堆積することは、第３の炭素含有前駆体ガス及び第３の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含みうる。第２の炭素含有前駆体ガスは、第１又は第３の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、第２の不活性前駆体ガスは、第１又は第３の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっている。同様に、第３の炭素含有前駆体ガスは、第１又は第２の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、第３の不活性前駆体ガスは、第１又は第２の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっている。幾つかの実施形態では、第１の炭素含有前駆体ガス及び／又は第２の炭素含有前駆体ガスはアセチレンを含む。幾つかの実施形態では、第１の不活性前駆体ガス及び／又は第２の不活性前駆体ガスはヘリウムを含む。
【0038】
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含みうる。第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比を第２の流量比に調整することを含みうる。第１の流量比を第２の流量比に調整することにより、シーズニング膜の表面の結合構造（例えば、ｓｐ２対ｓｐ３炭素含有量）の制御を提供することができる。例えば、第１の流量比を第２の流量比に迅速に調整することにより、部品上に配置された第１のシーズニング膜の側からその上に堆積膜が配置された第２のシーズニング膜の側への結合構造の変化を有する、二層シーズニング膜を提供することができる。例えば、第１の流量比は、チャンバ部品への有益な接着性のために（第１のシーズニング膜の）高い内在応力を促進することができ、一方、第２の流量比は、堆積層への有益な接着性のために（第２のシーズニング膜の）低い内在応力を提供することができる。有益な接着性は、従来のシーズニング方法の材料と比較して、堆積膜及び／又はシーズニング膜の剥離の低減をもたらす。
【0039】
幾つかの実施形態では、第１の流量比は約１：１から約１：２である。少なくとも一実施形態では、第２の流量比は、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である。
【0040】
第１の流量比を第２の流量比に調整することは、約０．５秒以下など、約１秒以下の速度で行うことができる。
【0041】
幾つかの実施形態では、部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することは、第１のＲＦ電力をチャンバに供給することを含む。第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することは、第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することを含みうる。第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することは、約０．５秒以下など、約１秒以下の速度で行うことができる。
【0042】
第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で実施することができる。第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することは、第３の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約２００ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍの流量で流すことによって行うことができる。
【0043】
幾つかの実施形態では、第１の炭素含有前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、及び／又は第３の炭素含有前駆体ガスは、アセチレンを含む。幾つかの実施形態では、第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、及び／又は第３の不活性前駆体ガスは、ヘリウムを含む。第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することは、約１ｋＷから約６ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含みうる。
【0044】
少なくとも一実施形態では、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことは、第１の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すこと、及び／又は第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すことを含みうる。第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことは、第２の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すことを含みうる。第２の炭素含有前駆体ガスの流量は、第１の炭素含有前駆体ガスの流量とは異なりうる。第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことは、約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で行うことができる。第２の不活性前駆体ガスの流量は、第１の不活性前駆体ガスの流量とは異なりうる。
【0045】
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することは、第１のＲＦ電力をチャンバに供給することを含みうる。第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することは、第２のＲＦ電力をチャンバに提供することを含むことができ、ここで、第２のＲＦ電力は第１のＲＦ電力とは異なる。第１のＲＦ電力は、第２のＲＦ電力へと調整することができる。第１のＲＦ電力とは異なる第２のＲＦ電力を提供することにより、シーズニング膜の表面の結合構造（例えば、ｓｐ２対ｓｐ３炭素含有量）の制御を提供することができる。例えば、第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力へと迅速に調整することにより、部品上に配置されたシーズニング膜の側からその上に堆積膜が配置されたシーズニング膜の側へと結合構造が変化する、段階的シーズニング膜を提供することができる。例えば、第１のＲＦ電力は、チャンバ部品への有益な接着性のために（第１のシーズニング膜の）高い内在応力を促進することができ、一方、第２のＲＦ電力は、堆積層への有益な接着性のために（第２のシーズニング膜の）低い内在応力を提供することができる。有益な接着性は、従来のシーズニング方法の材料と比較して、堆積膜及び／又はシーズニング膜の剥離の低減をもたらす。
【0046】
幾つかの実施形態では、第１のＲＦ電力及び第２のＲＦ電力は、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである。少なくとも一実施形態では、第１のＲＦ電力は約１ｋＷから約３ｋＷであり、第２のＲＦ電力は約３ｋＷから約６ｋＷである。
【0047】
幾つかの実施形態では、第１のシーズニング膜及び第２のシーズニング膜は、合わせて約１００ｎｍから約７００ｎｍの厚さを有しうる。第１のシーズニング膜の第２のシーズニング膜に対する厚さの比は、約１：１など、約２：１から約１：１０でありうる。堆積膜は、約５００ｎｍから約３ミクロンの厚さを有しうる。
【0048】
方法は、窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含みうる。窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することは、第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行うことができる。幾つかの実施形態では、窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる。窒素含有ガスは、アンモニアなどの任意の適切な窒素含有ガスを含みうる。
【0049】
窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することは、窒素含有ガスを処理チャンバに、約５０ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍなど、約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含みうる。幾つかの実施形態では、窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することは、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む。
【0050】
多層シーズニング膜
本開示の方法は、処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積することを含みうる。温度は、約１００℃から約２００℃でありうる。あるいは、温度は、約２５０℃から約３００℃など、約２００℃から約４００℃でありうる。方法は、第１のシーズニング膜の上に複数の追加のシーズニング膜を堆積することを含む。方法は、複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することを含みうる。
本開示の方法は、処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積することを含みうる。温度は、約１００℃から約２００℃でありうる。あるいは、温度は、約２５０℃から約３００℃など、約２００℃から約４００℃でありうる。方法は、第１のシーズニング膜の上に複数の追加のシーズニング膜を堆積することを含む。方法は、複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することを含みうる。
【0051】
幾つかの実施形態では、第１のシーズニング膜及び／又は複数の追加のシーズニング膜のうちの１つ以上の膜は、アモルファスカーボン含有膜である。幾つかの実施形態では、第１のシーズニング膜及び／又は複数の追加のシーズニング膜のうちの１つ以上の膜は、独立して約３００ＭＰａから約８００ＭＰａ（圧縮）の内在応力を有する。幾つかの実施形態では、第１のシーズニング膜は、約５５０ＭＰａから約８００ＭＰａ（圧縮）の内在応力を有する。少なくとも一実施形態では、複数の追加のシーズニング膜のうちの１つ以上の膜は、独立して約３００ＭＰａから約５５０ＭＰａ（圧縮）の内在応力を有する。
【0052】
第１のシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含みうる。
【0053】
複数の追加のシーズニング膜は、例えば、約４枚の追加のシーズニング膜から約１０枚の追加のシーズニング膜、約４枚の追加のシーズニング膜から約８枚の追加のシーズニング膜など、約３枚の追加のシーズニング膜から約１４枚の追加のシーズニング膜でありうる。幾つかの実施形態では、複数の追加のシーズニング膜を堆積することは、第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することを含む。複数の追加のシーズニング膜を堆積することは、第３の炭素含有前駆体ガス及び第３の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積することを含みうる。複数の追加のシーズニング膜を堆積することは、第４の炭素含有前駆体ガス及び第４の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積することを含みうる。第２、第３、及び第４の炭素含有前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっている。幾つかの実施形態では、第１の炭素含有前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、及び／又は第４の炭素含有前駆体ガスは、アセチレンを含む。第２、第３、及び第４の不活性前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっている。幾つかの実施形態では、第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、及び／又は第４の不活性前駆体ガスは、ヘリウムを含む。
【0054】
幾つかの実施形態では、複数の追加のシーズニング膜を堆積することは、第５の炭素含有前駆体ガス及び第５の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第４のシーズニング膜の上に第５のシーズニング膜を堆積することを含む。方法は、第６の炭素含有前駆体ガス及び第６の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第５のシーズニング膜の上に第６のシーズニング膜を堆積することを含みうる。方法は、第７の炭素含有前駆体ガス及び第７の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第６のシーズニング膜の上に第７のシーズニング膜を堆積することを含みうる。方法は、第８の炭素含有前駆体ガス及び第８の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第７のシーズニング膜の上に第８のシーズニング膜を堆積することを含みうる。第５、第６、第７、及び第８の炭素含有前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっている。幾つかの実施形態では、第１の炭素含有前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、第４の炭素含有前駆体ガス、第５の炭素含有前駆体ガス、第６の炭素含有前駆体ガス、第７の炭素含有前駆体ガス、及び／又は第８の炭素含有前駆体ガスは、アセチレンを含む。第５、第６、第７、及び第８の不活性前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっている。幾つかの実施形態では、第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、第４の不活性前駆体ガス、第５の不活性前駆体ガス、第６の不活性前駆体ガス、第７の不活性前駆体ガス、及び／又は第８の不活性前駆体ガスは、ヘリウムを含む。
【0055】
幾つかの実施形態では、複数の追加のシーズニング膜のうちの１つ以上のシーズニング膜を堆積することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び／又は約２００℃未満の温度で行われる。少なくとも一実施形態では、複数の追加のシーズニング膜の各シーズニング膜を堆積することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる。
【0056】
幾つかの実施形態では、複数の追加のシーズニング膜の各シーズニング膜は、複数の追加のシーズニング膜の隣接したシーズニング膜とは異なる内在応力を有する。例えば、第３のシーズニング膜は、第２のシーズニング膜及び第４のシーズニング膜とは異なる内在応力を有する。同様に、幾つかの実施形態では、第２のシーズニング膜は、第１のシーズニング膜及び第３のシーズニング膜とは異なる内在応力を有する。幾つかの実施形態では、第１のシーズニング膜は、実質的に、第３のシーズニング膜、第５のシーズニング膜、及び／又は第７のシーズニング膜と同じ内在応力を有する。少なくとも一実施形態では、第２のシーズニング膜は、実質的に、第４のシーズニング膜、第６のシーズニング膜、及び／又は第８のシーズニング膜と同じ内在応力を有する。
【0057】
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含みうる。第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することは、第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比を第２の流量比に調整することを含む。第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積することは、第２の炭素含有前駆体ガスと第２の不活性前駆体ガスとの第２の流量比を第３の流量比に調整することを含みうる。第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積することは、第３の炭素含有前駆体ガスと第３の不活性前駆体ガスとの第３の流量比を第４の流量比に調整することを含みうる。幾つかの実施形態では、第１の流量比及び第３の流量比は、独立して、約１：１から約１：２である。第２の流量比及び第４の流量比は、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０でありうる。
【0058】
第１の流量比を第２の流量比に、第２の流量比を第３の流量比に、及び／又は第３の流量比を第４の流量比に調整することは、独立して、約０．５秒以下など、約１秒以下の速度で行うことができる。
【0059】
第４のシーズニング膜の上に第５のシーズニング膜を堆積することは、第５の炭素含有前駆体ガス及び第５の不活性前駆体ガスを第５の炭素含有前駆体ガスと第５の不活性前駆体ガスとの第５の流量比で流すことを含みうる。第５のシーズニング膜の上に第６のシーズニング膜を堆積することは、第５の炭素含有前駆体ガスと第５の不活性前駆体ガスとの第５の流量比を第６の流量比に調整することを含む。第６のシーズニング膜の上に第７のシーズニング膜を堆積することは、第６の炭素含有前駆体ガスと第６の不活性前駆体ガスとの第６の流量比を第７の流量比に調整することを含みうる。第７のシーズニング膜の上に第８のシーズニング膜を堆積することは、第７の炭素含有前駆体ガスと第７の不活性前駆体ガスとの第７の流量比を第８の流量比に調整することを含みうる。幾つかの実施形態では、第５の流量比及び第７の流量比は、独立して、約１：１から約１：２である。第６の流量比及び第８の流量比は、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０でありうる。
【0060】
第１の流量比を第２の流量比に、第２の流量比を第３の流量比に、第３の流量比を第４の流量比に、第４の流量比を第５の流量比に、第５の流量比を第６の流量比に、第６の流量比を第７の流量比に、及び／又は第７の流量比を第８の流量比に調整することは、独立して、約０．５秒以下など、約１秒以下の速度で行うことができる。
【0061】
第１の流量比を第２の流量比、第２の流量比を第３の流量比、第３の流量比を第４の流量比などに調整することにより、シーズニング膜構造全体の表面の結合構造（例えば、ｓｐ２対ｓｐ３炭素含有量）の制御を提供する。例えば、ある流量比を別の流量比へと迅速に調整すること（例えば、流量比を、１から２へ、３（例えば、１と同じ）へ、４（例えば、２と同じ）へなど、交互に変えること）により、あるシーズニング膜から隣接したシーズニング膜へと結合構造が交互に変化する、交互シーズニング膜構造を提供することができる。シーズニング膜（シーズニング膜構造全体）の表面のハイブリッド化は、チャンバ部品及び堆積層へのシーズニング膜構造の表面の接着性に影響を与えうる。ｓｐ２特性が高くなると、内在応力の増加をもたらす。例えば、第１の流量比、第３の流量比、第５の流量比、及び／又は第７の流量比は、チャンバ部品への有益な接着性のための（シーズニング膜の表面の）高い内在応力を提供することができ、一方、第２の流量比、第４の流量比、第６の流量比、及び／又は第８の流量比は、堆積層への有益な接着性のための（シーズニング膜構造全体の）低い内在応力を提供することができる。交互の堆積膜は、シーズニング膜構造全体の低い内在応力（及び、各膜の厚さに起因する、個々の膜での低い内在応力）をもたらし、これが、隣接した部品（チャンバ部品及び堆積膜など）に対する接着を促進する。有益な接着性は、従来のシーズニング方法の材料と比較して、堆積膜及び／又はシーズニング膜の剥離の低減をもたらす。
【0062】
方法は、第１のＲＦ電力をチャンバに供給することによって、部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することを含みうる。第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することは、第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することを含みうる。第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積することは、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に調整することを含みうる。第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積することは、第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に調整することを含みうる。第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に、及び／又は第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に調整することは、独立して、約０．５秒以下など、約１秒以下の速度で行うことができる。幾つかの実施形態では、第１のＲＦ電力、第２のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、及び／又は第４のＲＦ電力は、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである。幾つかの実施形態では、第１のＲＦ電力及び／又は第３のＲＦ電力は、独立して、約１ｋＷから約３ｋＷである。少なくとも一実施形態では、第２のＲＦ電力及び／又は第４のＲＦ電力は、独立して、約３ｋＷから約６ｋＷである。
【0063】
幾つかの実施形態では、第４のシーズニング膜の上に第５のシーズニング膜を堆積することは、第４のＲＦ電力を第５のＲＦ電力に調整することを含む。第５のシーズニング膜の上に第６のシーズニング膜を堆積することは、第５のＲＦ電力を第６のＲＦ電力に調整することを含みうる。第６のシーズニング膜の上に第７のシーズニング膜を堆積することは、第６のＲＦ電力を第７のＲＦ電力に調整することを含みうる。第７のシーズニング膜の上に第８のシーズニング膜を堆積することは、第７のＲＦ電力を第８のＲＦ電力に調整することを含む。第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に、第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に、第４のＲＦ電力を第５のＲＦ電力に、第５のＲＦ電力を第６のＲＦ電力に、第６のＲＦ電力を第７のＲＦ電力に、及び／又は第７のＲＦ電力を第８のＲＦ電力に調整することは、独立して、約０．５秒以下など、約１秒以下の速度で行うことができる。幾つかの実施形態では、第１のＲＦ電力、第２のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、第４のＲＦ電力、第５のＲＦ電力、第６のＲＦ電力、第７のＲＦ電力、及び／又は第８のＲＦ電力は、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである。少なくとも一実施形態では、第１のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、第５のＲＦ電力、及び／又は第７のＲＦ電力は、独立して、約１ｋＷから約３ｋＷである。第２のＲＦ電力、第４のＲＦ電力、第６のＲＦ電力、及び／又は第８のＲＦ電力は、独立して、約３ｋＷから約６ｋＷでありうる。
【0064】
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に、第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力などに調整することにより、シーズニング膜構造全体の表面の結合構造（例えば、ｓｐ２対ｓｐ３炭素含有量）を提供する。例えば、あるＲＦ電力を別のＲＦ電力へと迅速に調整すること（例えば、ＲＦ電力を、１から２へ、３（例えば、１と同じ）へ、４（例えば、２と同じ）へなど、交互に変えること）により、あるシーズニング膜から隣接したシーズニング膜へと結合構造が交互に変化する、交互シーズニング膜構造を提供することができる。シーズニング膜（シーズニング膜構造全体）の表面のハイブリッド化は、チャンバ部品及び堆積層へのシーズニング膜構造の表面の接着性に影響を与える可能性がある。ｓｐ２特性が高くなると、内在応力の増加をもたらす。例えば、第１のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、第５のＲＦ電力、及び／又は第７のＲＦ電力は、チャンバ部品への有益な接着性のための（シーズニング膜の表面の）高い内在応力を提供することができ、一方、第２のＲＦ電力、第４のＲＦ電力、第６のＲＦ電力、及び／又は第８のＲＦ電力は、堆積層への有益な接着性のための（シーズニング膜構造全体の第２の側の）低い内在応力を提供することができる。交互の堆積膜は、シーズニング膜構造全体の低い内在応力をもたらし、これが、隣接した部品（チャンバ部品及び堆積膜など）に対する接着を促進する。有益な接着性は、従来のシーズニング方法の材料と比較して、堆積膜及び／又はシーズニング膜の剥離の低減をもたらす。
【0065】
幾つかの実施形態では、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことは、第１の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すこと、及び／又は第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すことを含む。
【0066】
幾つかの実施形態では、第１の不活性前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、及び／又は第４の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに流すことは、独立して、約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で行われる。第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、及び第４の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことは、独立して、約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で行うことができる。
【0067】
幾つかの実施形態では、第１の不活性前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、第４の炭素含有前駆体ガス、第５の炭素含有前駆体ガス、第６の炭素含有前駆体ガス、第７の炭素含有前駆体ガス、及び／又は第８の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに流すことは、独立して、約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で行われる。第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、第４の不活性前駆体ガス、第５の不活性前駆体ガス、第６の不活性前駆体ガス、第７の不活性前駆体ガス、及び／又は第８の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことは、独立して、約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で行うことができる。
【0068】
第１のシーズニング膜及び複数の追加のシーズニング膜は、合わせて約１００ｎｍから約７００ｎｍの厚さを有する。例えば、第１のシーズニング膜は、約１０ｎｍから約１００ｎｍの厚さを有しうる。複数の追加のシーズニング膜のうちの１つ以上の膜は、独立して、約１０ｎｍから約１００ｎｍの厚さを有しうる。堆積膜は、約５００ｎｍから約３ミクロンの厚さを有しうる。
【0069】
幾つかの実施形態では、複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる。複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することは、炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約２００ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍの流量で流すことによって行うことができる。複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することは、約１ｋＷから約６ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含みうる。
【0070】
方法は、複数の追加のシーズニング膜のうちの１つ以上の膜に窒素含有ガスを導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含みうる。例えば、複数の膜のうちのある膜は、内部チャンバ容積に曝露された表面を有することができ、例えば、その膜は、堆積膜がその上に堆積された、ある膜／その膜（ａ ｆｉｌｍ／ｔｈｅ ｆｉｌｍ）でありうる。複数の追加のシーズニング膜のうちのその膜に窒素含有ガスを導入することは、複数の追加のシーズニング膜のうちのその膜の上に堆積膜を堆積する前に行うことができる。幾つかの実施形態では、その膜に窒素含有ガスを導入することは、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる。窒素含有ガスは、アンモニアなどの任意の適切な窒素含有ガスを含みうる。
【0071】
膜に窒素含有ガスを導入することは、窒素含有ガスを処理チャンバに、約５０ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍなど、約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含みうる。幾つかの実施形態では、窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することは、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む。
【0072】
チャンバハードウェア
本開示の方法は、電子デバイスの製造における基板処理に利用される基板処理チャンバ内で実施することができる。基板処理には、堆積プロセス、エッチングプロセス、並びに基板上に電子デバイスを製造するために用いられる他の低圧プロセス、プラズマプロセス、及び熱プロセスが含まれる。
本開示の方法は、電子デバイスの製造における基板処理に利用される基板処理チャンバ内で実施することができる。基板処理には、堆積プロセス、エッチングプロセス、並びに基板上に電子デバイスを製造するために用いられる他の低圧プロセス、プラズマプロセス、及び熱プロセスが含まれる。
【0073】
図２は、シーズニングプロセスを実施するのに適した例示的な処理チャンバ２００の概略的な側面断面図である。一実施形態では、処理チャンバ２００は、ハードマスク膜、例えばアモルファスカーボンのハードマスク膜などの高度なパターニング膜を基板上に堆積するように構成することができる。処理チャンバ２００は、リッド３００、チャンバ本体２９２上に配置されたスペーサ２１０、基板支持体２１５、及び可変圧力システム２２０を含む。処理容積２６０は、リッド３００及び基板支持体２１５との間のスペーサ２１０の内側に存在する。
【0074】
リッド３００は第１の処理ガス源２４０に連結される。第１の処理ガス源２４０は、基板支持体２１５上に支持された基板２１８上に膜を形成するための前駆体ガスなどの処理ガスを含みうる。一例として、前駆体ガスは炭素含有ガスを含みうる。一例として、前駆体ガスは、不活性ガスを含みうる。一例として、前駆体ガスはヘリウムを含みうる。一例として、前駆体ガスは、１つ以上の他のガスを含みうる。一例として、前駆体ガスはガスの組合せを含みうる。幾つかの実施形態では、前駆体ガスはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）を含む。
【0075】
第２の処理ガス源２４２は、スペーサ２１０を通って配置された入口２４４を介して処理容積２６０に流体的に連結される。一例として、第２の処理ガス源２４２は、前駆体ガスなどの処理ガスを含みうる。一例として、前駆体ガスは炭素含有ガスを含みうる。一例として、前駆体ガスは、不活性ガスを含みうる。一例として、前駆体ガスはヘリウムを含みうる。一例として、前駆体ガスは、１つ以上の他のガスを含みうる。一例として、前駆体ガスはガスの組合せを含みうる。幾つかの実施形態では、前駆体ガスはＣ２Ｈ２を含む。
【0076】
幾つかの実施形態では、ウエハなどの基板上への堆積のため、処理容積２６０への前駆体ガスの総流量は、約２００ｓｃｃｍから約２ｓｌｍでありうる。幾つかの実施形態では、第２の処理ガス源２４２から処理容積１６０への前駆体ガスの流量は、合わされた前駆体ガスが処理容積２６０内に均一に分布するように、第１の処理ガス源２４０から処理容積２６０への前駆体ガスの流量を調節することができる。スペーサ２１０の周りで円周方向に、複数の入口２４４が分散されている。一例では、入口２４４の各々へのガス流は、処理容積２６０内の前駆体ガスの均一な分布をさらに促進するために、個別に制御することができる。
【0077】
リッド３００はプレート３０２を含む。プレート３０２は、ライザ２０５を介してスペーサ２１０に連結されるが、ライザ２０５は省略されてもよく、プレート３０２がスペーサ２１０に直接連結されてもよいことが企図されている。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、ライザ２０５はプレート３０２と一体化されていてもよい。リッド３００は熱交換器２２４を含む。熱交換器２２４は、プレート３０２に取り付けることができ、又はプレート３０２と一体化されていてもよい。熱交換器２２４は、入口２２６及び出口２２８を含む。熱交換器２２４がプレート３０２と一体化されている実施形態では、熱交換流体は、入口２２６からプレート３０２に形成されたチャネル２３０を通り、出口２２８の外へと流れうる。
【0078】
プレート３０２は、マニホールド２４６に結合されるか、又はマニホールド２４６と一体化される。プレート３０２は、導管２５０を通るプラズマの流れを容易にする軸方向の貫通孔２５２を有する、混合アンプルなどの導管２５０によって遠隔プラズマ源２６２に連結される。導管２５０はマニホールド２４６に連結されたものとして示されているが、マニホールド２４６は、導管２５０がプレート３０２に直接連結することができるように、導管２５０と一体化されうることが企図されている。マニホールド２４６は、第１の処理ガス源２４０及びパージガス源２５６に連結される。第１の処理ガス源２４０及びパージガス源２５６の両方が、バルブ（図示せず）によってマニホールド２４６に連結されうる。
【0079】
リッド３００は遠隔プラズマ源２６２に連結されうるが、幾つかの実施形態では、遠隔プラズマ源２６２は省略されてもよい。存在する場合、遠隔プラズマ源２６２は、処理容積２６０に洗浄ガスを提供するための供給ラインを介して洗浄ガス源２６６に連結されうる。遠隔プラズマ源２６２が存在しない場合、洗浄ガス源２６６は導管２５０に直接連結されてもよい。遠隔プラズマ源２６２が存在しない場合、洗浄ガス源２６６は導管２５０に間接的に連結されうる。洗浄ガスは導管２５０を通じて供給されうる。加えて又は代替的に、幾つかの実施形態では、洗浄ガスは、前駆体ガスを処理容積２６０内にも運ぶ、チャネルを通じて提供される。一例として、洗浄ガスは、分子酸素（Ｏ２）及び／又はオゾン（Ｏ３）などの酸素含有ガスを含みうる。一例として、洗浄ガスは、ＮＦ３などのフッ素含有ガスを含みうる。一例として、洗浄ガスは、１つ以上の他のガスを含みうる。一例として、洗浄ガスは、ガスの組合せを含みうる。
【0080】
基板支持体２１５はＲＦ電源２７０に連結される。ＲＦ電源２７０は、低周波ＲＦ電源（例えば、約２ＭＨｚから約１３．５６ＭＨｚ）でありうる。他の周波数も想定されていることに留意されたい。幾つかの実装形態では、ＲＦ電源２７０は、高周波電力及び低周波電力の両方を提供する、混合周波ＲＦ電源である。二周波ＲＦ電源の利用により、膜の堆積が向上する。一例では、ＲＦ電源２７０の利用により、二周波電力が供給される。約２ＭＨｚから約１３．５６ＭＨｚの第１の周波数は、堆積された膜への化学種の注入を改善し、一方、約１３．５６ＭＨｚから約１２０ＭＨｚの第２の周波数は、イオン化及び膜の堆積速度を増加させる。
【0081】
ＲＦ電源２７０は、処理容積２６０内にプラズマを生成又は維持する際に利用することができる。例えば、ＲＦ電源２７０は、堆積プロセス中に利用することができる。堆積又はエッチングプロセス中、ＲＦ電源２７０は、前駆体ガスのイオン化を促進するために、処理容積２６０内に約１００ワット（Ｗ）から約２０，０００Ｗの電力を供給する。本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、ＲＦ電源２７０はパルス化される。本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができる別の実施形態では、堆積のための前駆体ガスは、ヘリウム及びアセチレンを含む。本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、堆積のため、アセチレンが約１０ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で供給され、ヘリウムが約５０ｓｃｃｍから約１０，０００ｓｃｃｍの流量で供給される。
【0082】
基板支持体２１５は、そのＺ方向への移動をもたらすアクチュエータ２７２（すなわち、リフトアクチュエータ）に連結される。基板支持体２１５はまた、第２のＲＦ電源２７０並びに他の電力及び流体接続との通信を維持しつつ、基板支持体２１５の垂直移動を可能にする、可撓性の設備ケーブル２７８に結合される。スペーサ２１０はチャンバ本体２９２上に配置される。スペーサ２１０の高さは、処理容積２６０内で基板支持体２１５の垂直方向の移動を可能にする。処理容積２６０は、チャンバの内径を画成する。幾つかの実施形態では、チャンバの内径は、約１５インチから約２０インチなど、約１０インチから約２５インチである。スペーサ２１０の高さは、約０．５インチから約２０インチ、例えば約３インチから約２０インチ、例えば約５インチから約１５インチ、例えば約７インチから約１０インチなどでありうる。一例では、基板支持体２１５は、リッド３００に対して（例えば、プレート３０２のデータム２８０に対して）第１の距離２７４から第２の距離２７６まで移動可能である。他の実施形態と組み合わせることができる一実施形態では、第２の距離２７６は第１の距離２７４の約３分の２である。例えば、第１の距離２７４と第２の距離との間の差は、約５インチから約６インチでありうる。したがって、図１に示される位置から、基板支持体２１５は、プレート３０２のデータム２８０に対して約５インチから約６インチ移動可能である。別の例では、基板支持体２１５は、第１の距離２７４及び第２の距離２７６の一方に固定される。
【0083】
従来のプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスとは対照的に、スペーサ２１０は、基板支持体２１５とリッドアセンブリ３００との間の距離（したがって、その間の容積）を大幅に増加させる。基板支持体２１５とリッド３００との間の距離が増加すると、処理容積２６０内でのイオン化された核種の衝突が減少し、その結果、内在応力が少ない膜の堆積をもたらす。より少ない内在応力で堆積された膜は、膜が形成される基板の平坦性の改善（例えば、より少ない反り）を促進する。基板の反りが低減されると、下流のパターニング動作の精度の向上をもたらす。
【0084】
可変圧力システム２２０は、第１のポンプ２８２及び第２のポンプ２８４を含む。第１のポンプ２８２は、洗浄プロセス及び／又は基板移送プロセス中に利用することができる粗引きポンプである。粗引きポンプは、概して、より高い体積流量を移動させるため、及び／又は比較的高い（が、まだ大気圧未満である）圧力を動作させるために構成される。一例では、第１のポンプ２８２は、洗浄プロセス中、処理チャンバ２００内の圧力を５０ｍＴｏｒｒ未満に維持する。別の例では、第１のポンプ２８２は、処理チャンバ２００内の圧力を約０．５ｍＴｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒに維持する。洗浄動作中の粗引きポンプの利用は、（堆積動作と比較して）洗浄ガスの比較的高い圧力及び／又は体積流量を容易にする。洗浄動作中の比較的高い圧力及び／又は体積流量は、チャンバ表面の洗浄を改善する。
【0085】
第２のポンプ２８４は、ターボポンプ又はクライオゼニックポンプでありうる。第２のポンプ２８４は堆積プロセス中に利用される。第２のポンプ２８４は、概して、比較的低い体積流量及び／又は圧力を動作させるように構成される。例えば、第２のポンプ２８４は、処理チャンバの処理容積２６０を約５０ｍＴｏｒｒ未満の圧力に維持するように構成される。別の例では、第２のポンプ２８４は、処理チャンバ内の圧力を約０．５ｍＴｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒに維持する。堆積中に維持される処理容積２６０の減圧は、炭素ベースのハードマスクを堆積するときに、中立応力が低減した、及び／又はｓｐ２－ｓｐ３変換が増加した膜の堆積を促進する。したがって、処理チャンバ２００は、堆積又はシーズニングを改善するための比較的低い圧力と、洗浄を改善するための比較的高い圧力の両方を利用するように構成される。
【0086】
本明細書に記載される他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、処理チャンバの処理容積２６０を約５０ｍＴｏｒｒｒ未満の圧力に維持するために、第１のポンプ２８２及び第２のポンプ２８４の両方が堆積プロセス中に利用される。他の実施形態では、第１のポンプ２８２及び第２のポンプ２８４は、処理容積２６０を約０．５ｍＴｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒの圧力で維持する。第１のポンプ２８２及び第２のポンプ２８４の一方又は両方へのコンダクタンス経路を制御するために、バルブ２８６が利用される。バルブ２８６はまた、処理容積２６０からの対称的なポンピングを提供する。
【0087】
処理チャンバ２００はまた、基板移送ポート２８５も含む。基板移送ポート２８５は、内部ドア２９０及び／又は外部ドア２９１によって選択的に密封される。ドア２９０及び２９１の各々は、アクチュエータ２８８（すなわち、ドアアクチュエータ）に連結される。ドア２９０及び２９１は、処理容積２６０の減圧密封を促進する。ドア９０及び２９１はまた、処理容積２６０内に対称的なＲＦ適用及び／又はプラズマ対称性も提供する。一例では、少なくとも内部ドア２９０は、ステンレス鋼、アルミニウム、又はそれらの合金など、ＲＦ電力のコンダクタンスを促進する材料で形成される。スペーサ２１０とチャンバ本体２９２とのインターフェースに配置されたＯリングなどのシール２９３は、処理容積２６０をさらに密封する。コントローラ２９４は、処理中、処理チャンバ２００の態様を制御するように構成される。
【0088】
コントローラ２９４は、プロセッサベースのシステムコントローラでありうる。例えば、コントローラ２９４は、処理チャンバ２００の部品及び処理パラメータを制御するように構成することができる。コントローラ２９４は、プロセスの制御を容易にするように処理チャンバ２００のさまざまな部品に連結された、メモリ及び大容量記憶装置とともに動作可能であるプログラム可能な中央処理装置（ＣＰＵ）、入力制御ユニット、表示ユニット、電源、クロック、キャッシュ、入出力（Ｉ／Ｏ）回路などを含むことができる。
【0089】
図３Ａは、幾つかの実施形態のリッド３００の部分断面図である。図３Ａに示されるように、バッフル２５８は省略されてもよい。リッド３００はプレート３０２を含む。プレート３０２は、第１の表面３０４、及び第１の表面３０４とは反対側の第２の表面３０６を有する。幾つかの実施形態では、プレート３０２の第２の表面３０６は、形状化又は輪郭付けされていてもよい。プレート３０２は、第１の表面３０４に凹部３０８を有しうる。凹部３０８は、開口部３１０と、該開口部３１０からプレート３０２内の床３１６まで延在する側壁３１２とを有する。幾つかの実施形態では、開口部３１０は円を画成する。以下の幾何学的説明の目的で、プレート３０２は、第１の表面３０４に対してほぼ垂直であり、したがって第１の表面３０４と第２の表面３０６との間に延びる、軸３１４を有しうる。
【0090】
図３Ａに示されるように、側壁３１２は、開口部３１０から床３１６まで、軸３１４に平行な基準線３１４’に対して鋭角３１８に延在する。したがって、側壁３１２は、開口部３１０から床３１６まで、軸３１４に対して鋭角３１８に延在する。しかしながら、側壁３１２は、開口部３１０から床３１６まで、軸３１４とほぼ平行に延在しうることが企図されている。鋭角３１８は、０から８０度の間、例えば０から７０度の間、例えば０から６０度の間、例えば０から５０度の間、例えば０から４０度の間、例えば０から３０度、例えば０から２０度の間、例えば０から１０度の間でありうる。幾つかの実施形態では、図３Ａに示されるように、側壁３１２は、開口部３１０の断面積が床３１６の断面積よりも小さくなるように開口部３１０から床３１６まで延在して、円錐台形状を画成することができる。
【0091】
孔３２２のアレイ３２０は、凹部３０８からプレート３０２を通って第２の表面３０６まで延びる。各孔３２２は、凹部３０８の対応する入口３２４から 第２の表面３０６の対応する出口３２６まで延びる。各入口３２４は凹部３０８の床３１６に位置する。しかしながら、各入口３２４は凹部３０８の側壁３１２に位置していてもよく、又は各入口３２４は凹部３０８の側壁３１２と床３１６との交点に位置してもよいことが企図されている。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、孔３２２のアレイ３２０の１つ以上の孔３２２の入口３２４は、床３１６、側壁３１２、又は床３１６と側壁３１２との交点のうちの１つに位置してもよく、孔３２２のアレイ３２０の１つ以上の他の孔３２２の入口３２４は、床３１６、側壁３１２、又は床３１６と側壁３１２との交点のうちの別の場所に位置してもよい。言い換えれば、アレイ３２０は、各々が入口３２４を有する複数の孔３２２を有しており、ここで、入口３２４は、独立して、床３１６、側壁３１２、又は床３１６と側壁３１２との交点のうちの１つに位置する。
【0092】
各孔３２２は、軸３１４に対して鋭角３２８でプレート３０２を通って延びる軌道を有する。鋭角３２８は、０から８０度、例えば０から７０度、例えば０から６０度、例えば０から５０度、例えば０から４０度、例えば０から３０度、例えば０から２０度、例えば０から１０度である。しかしながら、少なくとも１つの孔３２２は、軸３１４に平行な軌道を有してもよいことが企図されている。さらには、各孔３２２は、軸３１４に平行な軌道を有してもよいことが企図されている。
【0093】
図３Ａに示されるように、第２の表面３０６は突出部３３０を含む。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、各出口３２６は、突出部３３０に位置しうる。しかしながら、他の構成も企図されている。例えば、各出口３２６は突出部３３０に位置していなくてもよく、又は各出口３２６は突出部３３０の基部に位置していてもよい。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、孔３２２のアレイ３２０の１つ以上の孔３２２の出口３２６は、突出部３３０、突出部３３０の基部、又は突出部３３０から離れた第２の表面３０６の一部のうちの１つに位置してもよく、孔３２２のアレイ３２０の１つ以上の他の孔３２２の出口３２６は、突出部３３０、突出部３３０の基部、又は突出部３３０から離れた第２の表面３０６の一部のうちの別の場所に位置してもよい。言い換えれば、アレイ３２０は、各々が出口３２６を有する複数の孔３２２を有しており、ここで、各出口３２６は、独立して、突出部３３０、突出部３３０の基部、又は突出部３３０から離れた第２の表面３０６の一部に位置する。
【0094】
突出部３３０は、側面３３２と端面３３４とを有する円錐台の形状をしているが、他の構成も企図されている。幾つかの実施形態では、突出部３３０は、球、楕円体、又は円柱の一部のような形状でありうる。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、各出口３２６は側面３３２に位置していてもよく、又は各出口３２６は端面３３４に位置していてもよく、あるいは、各出口３２６は側面３３２と端面３３４との交点２に位置していてもよい。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、孔３２２のアレイ３２０の１つ以上の孔３２２の出口３２６は、側面３３２、端面３３４、又は側面３３２と端面３３４との交点のうちの１つに位置してもよく、孔３２２のアレイ３２０の１つ以上の他の孔３２２の出口３２６は、側面３３２、端面３３４、及び側面３３２と端面３３４との交点のうちの別の場所に位置してもよい。言い換えれば、アレイ３２０は、各々が、独立して、側面３３２、端面３３４、又は側面３３２と端面３３４との交点のうちの１つに位置する出口３２６を有する、複数の孔３２２を有する。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、出口３２６が側面３３２に位置する各孔３２２の軌道が側面３３２と交差する角度３３６は、ほぼ９０度でありうる。
【0095】
プレート３０２は、突出部３３０（存在する場合）と孔３２２のアレイ３２０とを含む、中央に位置したシャワーヘッド３４０を含む。図３Ａに示されるように、シャワーヘッド３４０はプレート３０２と一体化している。しかしながら、シャワーヘッド３４０は、プレート３０２に永久的に取り付けられてもよく、又はプレート３０２に取り外し可能に取り付けられてもよいことが企図されている。シャワーヘッド３４０及びプレート３０２の配置は、特にシャワーヘッド３４０がプレート３０２と一体化している実施形態では、処理容積２６０の筐体全体（プレート３０２、ライザ２０５（存在する場合）、及びスペーサ２１０を含む）が、使用中に完全に接地することを容易にし、それによって寄生プラズマの生成を抑制する。
【0096】
孔３２２のアレイ３２０は、孔３２２の単一のリングとして、又は孔３２２の複数のリングに配置されうる。孔３２２のアレイ３２０の孔３２２は、リング状に実質的に均一な間隔で配置することができる。孔３２２のアレイ３２０の孔３２２は、リング状に不均一な間隔で配置することができる。孔３２２の複数のリングを利用する場合、孔３２２の複数のリングは、同心であっても、非同心であってもよく、又はクラスタとして配置されてもよい。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、孔３２２の複数のリングのうちの幾つかのリングは、同心、非同心、及びクラスタ状のうちの１つとして配置されてよく、孔３２２の複数のリングの他のリングは、同心、非同心、及びクラスタ状のうちの別のものとして配置されうる。
【0097】
孔３２２の他の配置もまた企図されている。例えば、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の少なくとも幾つかは、線、三角形、四角形、五角形、六角形などの他の幾何学的パターンへと配置されてもよい。加えて又は代替的に、孔３２２のアレイ３２０の少なくとも幾つかの孔３２２は、隣接した孔３２２の対の間に１つ以上の均一な間隔寸法を表示するパターンなど、規則的なパターンを画成する孔３２２のクラスタとして配置されてもよい。加えて又は代替的に、孔３２２のアレイ３２０の少なくとも幾つかの孔３２２は、隣接した孔３２２の対の間に不均一な間隔寸法を表示するパターンなど、不規則的なパターンを画成する孔３２２のクラスタとして配置されてもよい。
【0098】
図３Ｂに示されるように、孔３２２のアレイ３２０は、孔３２２の２つのリングである、第１のリング３４２及び第２のリング３４８として配置される。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、孔３２２のアレイ３２０の各孔３２２の軌道の角度３２８は、例えば互いに１度以内で、実質的に同じでありうる。しかしながら、孔３２２のアレイ３２０の幾つかの孔３２２の軌道の角度３２８は、孔３２２のアレイ３２０の他の孔３２２の軌道の角度３２８とは異なっていてもよいことが企図されている。
【0099】
孔３２２のアレイ３２０の各孔３２２の直径は、標準製造公差によって決定して、各他の孔３２２の直径とほぼ同じでありうる。しかしながら、孔３２２のアレイ３２０の直径は、孔３２２のアレイ３２０の他の孔３２２の直径とは異なっていてもよいことが企図されている。例えば、第１の直径を有する孔３２２は、第１のクラスタ又は幾何学形状又はパターンへと配置されてよく、第１の直径とは異なる第２の直径を有する孔３２２は、第２のクラスタ又は幾何学形状又はパターンへと配置されうる。このような例では、第１のクラスタ又は幾何学形状又はパターンは、第２のクラスタ又は幾何学形状又はパターンのサイズ、形状、及び／又はパターンと同様のサイズ、形状、及び／又はパターンを有しうる。加えて又は代替的に、第１のクラスタ又は幾何学形状又はパターンは、第２のクラスタ又は幾何学形状又はパターンのサイズ、形状、及び／又はパターンとは異なるサイズ、形状、及び／又はパターンを有しうる。
【0100】
他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、孔３２２のアレイ３２０の各孔３２２の直径は、実質的に均一でありうる。幾つかの実施形態では、孔３２２のアレイ３２０の各孔３２２の直径は、実質的に不均一でありうる。例えば、各孔３２２の直径は、各入口３２４におけるより大きい直径から各出口３２６におけるより小さい直径へとテーパ状になっていてもよい。あるいは、各孔３２２の直径は、各入口３２４におけるより小さい直径から各出口３２６におけるより大きい直径へとテーパ状になっていてもよい。あるいは、各孔３２２の直径は、各孔３２２の長さの一部に沿って均一であってもよく、入口３２４における各孔３２２の直径が出口３２６における各孔３２２の直径より大きく又は小さくなりうるように、異なる直径へと移行してもよい。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、孔３２２のアレイ３２０の幾つかの孔３２２の直径は、実質的に均一であってよく、孔３２２のアレイ３２０の他の孔３２２の直径は実質的に不均一であってもよい。
【0101】
孔３２２のアレイ３２０の各孔３２２のサイジングは、孔３２２の長さ、孔３２２の直径、孔３２２の長さに沿った孔３２２の直径の変化、又は各孔３２２の軌道のうちのいずれか１つ以上を決定することによって選択することができる。他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数及び／又はサイジングは、１つ以上の所定の動作パラメータ又は制約に従って選択することができる。例えば、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数及び／又はサイジングは、１つ以上の所定の動作パラメータ又は制約の値の１つ以上の範囲に従って選択することができる。例となる動作パラメータ又は制約は、動作中に生成されるプラズマのシースの厚さ、各孔３２２の入口３２４におけるガスの圧力、各孔３２２の出口３２６におけるガスの圧力、各孔３２２を通るガスの平均速度、各孔３２２の入口３２４における各孔３２２内のガスの速度、各孔３２２の出口３２６における各孔３２２内のガスの速度、孔３２２を通るガスの総体積流量、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の群を通るガスの総体積流量などのうちのいずれか１つ以上を含みうるが、これらに限定されない。
【0102】
孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の孔３２２及び／又はサイジングの数は、約０．０１Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒ、例えば約０．０１Ｔｏｒｒから約５Ｔｏｒｒ、例えば約０．０１Ｔｏｒｒから約３Ｔｏｒｒ、例えば約０．１Ｔｏｒｒから約３Ｔｏｒｒ、例えば約１Ｔｏｒｒから約３Ｔｏｒｒである、各孔３２２の入口３２４におけるガスの圧力に従って選択することができる。
【0103】
孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の孔３２２及び／又はサイジングの数は、約１ｍＴｏｒｒから約１Ｔｏｒｒ、例えば約１ｍＴｏｒｒから約０．５Ｔｏｒｒ、例えば約１ｍＴｏｒｒから約０．１Ｔｏｒｒ、例えば約１ｍＴｏｒｒから約５０ｍＴｏｒｒ、例えば約１ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒである、各孔３２２の出口３２６におけるガスの圧力に従って選択することができる。
【0104】
さらに、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数は、１つ以上の所定の動作パラメータ又は制約に従って選択することができ、孔３２２のサイジングは、１つ以上の他の所定の動作パラメータ又は制約に従って選択することができることが企図されている。例えば、各孔３２２の直径は、動作中に生成されるプラズマのシースの厚さ、各孔３２２の入口３２４におけるガスの圧力、各孔３２２の出口３２６におけるガスの圧力、各孔３２２を通るガスの平均速度、各孔３２２の入口３２４における各孔３２２内のガスの速度、各孔３２２の出口３２６における各孔３２２内のガスの速度などのうちのいずれか１つ以上に従って選択することができ；かつ、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数は、各孔３２２の入口３２４におけるガスの圧力、各孔３２２の出口３２６におけるガスの圧力、各孔３２２を通るガスの平均速度、各孔３２２の入口３２４における各孔３２２内のガスの速度、各孔３２２の出口３２６における各孔３２２内のガスの速度、孔３２２を通るガスの総体積流量、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の１つの群を通るガスの総体積流量などのうちのいずれか１つ以上の別のものに従って選択することができる。
【0105】
他の実施形態と組み合わせることができる幾つかの実施形態では、孔３２２のアレイ３２０の各孔３２２は、動作中に生成されるプラズマのシースの厚さの５倍以下、例えば動作中に生成されるプラズマのシースの厚さの４倍以下、例えば動作中に生成されるプラズマのシースの厚さの３倍以下、例えば動作中に生成されるプラズマのシースの厚さの２倍以下、例えば動作中に生成されるプラズマのシースの厚さ以下の直径を有するようにサイズ調整されうる。
【0106】
さらに、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数及び／又は直径は、各孔３２２の出口３２６における各孔３２２内のガスの速度がマッハ１未満未満であるがマッハ１の半分以上になるように選択されうることが企図されている。さらに、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数及び／又は直径は、各孔３２２の出口３２６における各孔３２２内のガスの速度が実質的にマッハ１に等しくなるように選択されうることが企図されている。さらに、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数及び／又は直径は、各孔３２２の出口３２６における各孔３２２内のガスの速度がマッハ１より大きく、マッハ２以下になるように選択されうることが企図されている。
【0107】
さらに、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数及び／又は直径は、各孔３２２の入口３２４における各孔３２２内のガスの速度がマッハ１未満になるように選択されうることが企図されている。さらに、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数及び／又は直径は、各孔３２２の入口３２４における各孔３２２内のガスの速度度が実質的にマッハ１に等しくなるように選択されうることが企図されている。さらに、孔３２２のアレイ３２０の孔３２２の数及び／又は直径は、各孔３２２の入口３２４における各孔３２２内のガスの速度がマッハ１より大きく、マッハ２以下になるように選択されうることが企図されている。
【0108】
図３Ａに示されるように、アセンブリの一部は、リッド３００のプレート３０２を含む。導管２５０がプレート３０２の第１の表面３０４に取り付けられる。導管２５０は、凹部３０８と実質的に位置合わせされた貫通孔２５２を有する。導管２５０は、１つ以上の締め具３５８によってプレート３０２の第１の表面３０４に取り付けられる。図示されるように、プレート３０２の第１の表面３０４は、ボルト、ネジ、スタッド、ダウエルピンなどの対応する締め具３５８を受け入れるための１つ以上の開口部３６２を含む。加えて又は代替的に、第１の表面３０４は、プレート３０２を導管２５０に接続するための１つ以上の突出部を含むことができ、該突出部はねじ付きであってよいことが企図されている。プレート３０２の第１の表面３０４のシール溝３６４が１つ以上の締め具３５８と凹部３０８との間に位置し、凹部３０８への開口部３１０を取り囲む。複数の締め具３５８を利用する場合、締め具３５８がシール溝３６４を取り囲むことが企図されている。図３Ａに示されるように、Ｏリングなどのシール部材３６６がシール溝３６４に取り付けられ、それによって、プレート３０２と導管２５０との間のインターフェースが密封される。シール部材３６６は、導管２５０の一部又はフランジ、又はマニホールド２４６などの導管２５０に関連する他の構造と接触しうるこことが企図されている。
【0109】
導管２５０は、遠隔プラズマ源２６２に結合されて示されており、その一部が図３Ａに示されている。貫通孔２５２は、遠隔プラズマ源２６２の出口３６８と実質的に位置合わせされうる。貫通孔２５２は、遠隔プラズマ源２６２の出口３６８からプレート３０２の第１の表面３０４へと導管２５０の長さに沿って実質的に均一な内径を有していてもよいが、しかしながら、図３Ａの例に示されるように、貫通孔２５２は、導管２５０ ｆｒｏｍ 遠隔プラズマ源２６２の出口３６８からプレート３０２の第１の表面３０４へと導管２５０の長さに沿って途中に制限部３７０を含むことができることが企図されている。
【0110】
図３Ａに示されるように、導管２５０にはマニホールド２４６が組み込まれる。マニホールド２４６は、バルブ３７２を介して第１の処理ガス源２４０に連結される。幾つかの実施形態では、マニホールド２４６は、導管２５０への処理ガスの単一の入口点を提供してもよいが、しかしながら、マニホールド２４６は、導管２５０への処理ガスの複数の入口点を提供することができることが企図されている。幾つかの実施形態では、マニホールド２４６はパージガス源２５６に連結することができるが、しかしながら、導管２５０は、マニホールド２４６以外の導管２５０の位置でパージガス源２５６に連結されてもよいことが企図されている。例えば、導管２５０は、該導管２５０の上端又はその近くの位置でパージガス源２５６に連結されてもよい。図３Ａに示されるように、導管２５０は、熱交換流体を運ぶように構成されたチューブなどの熱交換器３７４を含む。しかしながら、熱交換器３７４を省略してもよいことが企図されている。
【0111】
動作中、パージガス源２５６からのパージガス（（一又は複数の）不活性ガス）は、導管２５０に入り、第１の処理ガス源２４０からのガスと混合される。合わされたガスは、導管２５０から流出し、プレート３０２の孔３２２を通って処理容積２６０に流入する。動作の洗浄サイクルには、導管２５０を通ってプレート３０２の孔３２２を通過し、処理容積２６０に流入する洗浄ガスが含まれる。合わされたガスがプレート３０２の孔３２２を通って処理容積２６０に流入する前に、洗浄ガスが導管２５０内でパージガスと混合されうることが企図されている。さらに、合わされたプラズマ及びガス流がプレート３０２の孔３２２を通って処理容積２６０に流入する前に、遠隔プラズマ源２６２からのプラズマが導管２５０に入り、導管２５０内でパージガスと混合されうることが企図されている。
【0112】
本開示の実施形態は、ある特定の望ましくない影響の低減又は排除など、処理チャンバ２００の動作に多くの利益を提供する。望ましくない影響の例は、リッド３００の上流にある部品を通過するための経路を提供するプレート３０２に関する。例えば、ＲＦは、導管２５０、遠隔プラズマ源２６２を通り、洗浄ガス源２６６から遠隔プラズマ源２６２につながる供給ラインに入りうる。これは定在波プラズマの確立につながる可能性があり、それによって導管２５０、遠隔プラズマ源２６２、及び供給ライン内に堆積を引き起こしうる。
【0113】
本開示の実施形態によって軽減される別の望ましくない影響は、導管２５０、遠隔プラズマ源２６２、及び供給ラインへのラジカルの逆拡散を引き起こす、処理容積２６０の低い動作圧力及び低いガス速度に関する。このようなラジカルの逆拡散は、導管２５０、遠隔プラズマ源２６２、及び供給ライン内での堆積を引き起こすか、又は堆積に寄与する可能性がある。
【0114】
さらには、上記の望ましくない影響は、リッド３００上、スペーサ２１０上、及び／又は基板２１８上及び基板２１８に堆積された膜上など、処理容積２６０内に浮遊堆積を引き起こす程度まで、処理チャンバ２００の動作に影響を与える可能性がある。このような浮遊堆積は、基板２１８及び該基板２１８上に堆積された膜に欠陥をもたらす可能性がある。
【0115】
シャワーヘッド３４０及びプレート３０２の配置は、特にシャワーヘッド３４０がプレート３０２と一体化している実施形態では、処理容積２６０の筐体全体（プレート３０２、ライザ２０５（存在する場合）、及びスペーサ２１０を含む）が、使用中に完全に接地することを容易にし、それによって寄生プラズマの生成を抑制する。したがって、本開示の実施形態は、上流への不要なＲＦの縦走を抑制し、それによって定在波プラズマの生成を妨げ、寄生堆積を阻止することができる。
【0116】
加えて、本開示の実施形態は、リッド３００を通って処理容積２６０に入るガスの速度を、ラジカルの逆拡散を抑制するのに十分な大きさに促進することができる。したがって、本開示の実施形態は、上流の浮遊堆積を阻止することができる。さらには、リッド３００を通って処理容積２６０に入るガスの速度は、処理容積２６０内での浮遊堆積を抑制するのに十分な大きさにすることができ、それによって、基板２１８及び該基板２１８上に堆積された膜における欠陥の発生率及び規模を低減することができる。
【0117】
追加の態様
本開示は、とりわけ、以下の態様を提供し、各態様は、任意の代替的な態様を任意選択的に含むものとみなすことができる。
本開示は、とりわけ、以下の態様を提供し、各態様は、任意の代替的な態様を任意選択的に含むものとみなすことができる。
【0118】
第１項
処理チャンバをシーズニングする方法であって、
処理チャンバの部品の上にシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積すること、並びに
シーズニング膜の上に堆積膜を堆積すること
を含む、方法。
処理チャンバをシーズニングする方法であって、
処理チャンバの部品の上にシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積すること、並びに
シーズニング膜の上に堆積膜を堆積すること
を含む、方法。
【0119】
第２項
温度が約１００℃から約２００℃である、第１項に記載の方法。
温度が約１００℃から約２００℃である、第１項に記載の方法。
【0120】
第３項
温度が約２５０℃から約３００℃である、第１項又は第２項に記載の方法。
温度が約２５０℃から約３００℃である、第１項又は第２項に記載の方法。
【0121】
第４項
シーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含み、かつ
堆積膜を堆積することが、第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含み、ここで、第２の炭素含有前駆体ガスは、第１の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、第２の不活性前駆体ガスは、第１の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっている、
第１項から第３項のいずれかに記載の方法。
シーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含み、かつ
堆積膜を堆積することが、第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含み、ここで、第２の炭素含有前駆体ガスは、第１の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、第２の不活性前駆体ガスは、第１の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっている、
第１項から第３項のいずれかに記載の方法。
【0122】
第５項
シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第１項から第４項のいずれかに記載の方法。
シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第１項から第４項のいずれかに記載の方法。
【0123】
第６項
シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、第２の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約２００ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍの流量で流すことによって行われる、第１項から第５項のいずれかに記載の方法。
シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、第２の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約２００ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍの流量で流すことによって行われる、第１項から第５項のいずれかに記載の方法。
【0124】
第７項
シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約１ｋＷから約６ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第１項から第６項のいずれかに記載の方法。
シーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約１ｋＷから約６ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第１項から第６項のいずれかに記載の方法。
【0125】
第８項
第１の炭素含有前駆体ガス及び第２の炭素含有前駆体ガスがアセチレンを含む、第１項から第７項のいずれかに記載の方法。
第１の炭素含有前駆体ガス及び第２の炭素含有前駆体ガスがアセチレンを含む、第１項から第７項のいずれかに記載の方法。
【0126】
第９項
第１の不活性前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスがヘリウムを含む、第１項から第８項のいずれかに記載の方法。
第１の不活性前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスがヘリウムを含む、第１項から第８項のいずれかに記載の方法。
【0127】
第１０項
第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、
第１の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すこと、及び
第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すこと
を含む、第１項から第９項のいずれかに記載の方法。
第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、
第１の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すこと、及び
第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すこと
を含む、第１項から第９項のいずれかに記載の方法。
【0128】
第１１項
部品の上にシーズニング膜を堆積することが、
第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すこと、及び
第１の流量比を第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第２の流量比に調整すること
を含む、第１項から第１０項のいずれかに記載の方法。
部品の上にシーズニング膜を堆積することが、
第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すこと、及び
第１の流量比を第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第２の流量比に調整すること
を含む、第１項から第１０項のいずれかに記載の方法。
【0129】
第１２項
第１の流量比が約１：１から約１：２である、第１項から第１１項のいずれかに記載の方法。
第１の流量比が約１：１から約１：２である、第１項から第１１項のいずれかに記載の方法。
【0130】
第１３項
第２の流量比が、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である、第１項から第１２項のいずれかに記載の方法。
第２の流量比が、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である、第１項から第１２項のいずれかに記載の方法。
【0131】
第１４項
第１の流量比を第２の流量比に調整することが、約１ｓｃｃｍ／秒から約２０ｓｃｃｍ／秒の速度で行われる、第１項から第１３項のいずれかに記載の方法。
第１の流量比を第２の流量比に調整することが、約１ｓｃｃｍ／秒から約２０ｓｃｃｍ／秒の速度で行われる、第１項から第１３項のいずれかに記載の方法。
【0132】
第１５項
部品の上にシーズニング膜を堆積することが、
第１のＲＦ電力をチャンバに供給すること、及び
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整すること
を含む、第１項から第１４項のいずれかに記載の方法。
部品の上にシーズニング膜を堆積することが、
第１のＲＦ電力をチャンバに供給すること、及び
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整すること
を含む、第１項から第１４項のいずれかに記載の方法。
【0133】
第１６項
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することが、約２０Ｗ／秒から約５００Ｗ／秒の速度で行われる、第１項から第１５項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することが、約２０Ｗ／秒から約５００Ｗ／秒の速度で行われる、第１項から第１５項のいずれかに記載の方法。
【0134】
第１７項
第１のＲＦ電力及び第２のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第１項から第１６項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力及び第２のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第１項から第１６項のいずれかに記載の方法。
【0135】
第１８項
第１のＲＦ電力が約１ｋＷから約４ｋＷであり、第２のＲＦ電力が約４ｋＷから約６ｋＷである、第１項から第１７項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力が約１ｋＷから約４ｋＷであり、第２のＲＦ電力が約４ｋＷから約６ｋＷである、第１項から第１７項のいずれかに記載の方法。
【0136】
第１９項
部品の上にシーズニング膜を堆積することが、
第１のＲＦ電力をチャンバに供給すること、及び
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整すること
を含む、第１項から第１８項のいずれかに記載の方法。
部品の上にシーズニング膜を堆積することが、
第１のＲＦ電力をチャンバに供給すること、及び
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整すること
を含む、第１項から第１８項のいずれかに記載の方法。
【0137】
第２０項
第１のＲＦ電力及び第２のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第１項から第１９項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力及び第２のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第１項から第１９項のいずれかに記載の方法。
【0138】
第２１項
シーズニング膜が約１００ｎｍから約７００ｎｍの厚さを有し、堆積膜が約５００ｎｍから約３ミクロンの厚さを有する、第１項から第２０項のいずれかに記載の方法。
シーズニング膜が約１００ｎｍから約７００ｎｍの厚さを有し、堆積膜が約５００ｎｍから約３ミクロンの厚さを有する、第１項から第２０項のいずれかに記載の方法。
【0139】
第２２項
処理チャンバの部品がウエハではない、第１項から第２１項のいずれかに記載の方法。
処理チャンバの部品がウエハではない、第１項から第２１項のいずれかに記載の方法。
【0140】
第２３項
処理チャンバの部品が処理チャンバの壁である、第１項から第２２項のいずれかに記載の方法。
処理チャンバの部品が処理チャンバの壁である、第１項から第２２項のいずれかに記載の方法。
【0141】
第２４項
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含み、ここで、窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行われる、第１項から第２３項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含み、ここで、窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行われる、第１項から第２３項のいずれかに記載の方法。
【0142】
第２５項
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第１項から第２４項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第１項から第２４項のいずれかに記載の方法。
【0143】
第２６項
窒素含有ガスがアンモニアを含む、第１項から第２５項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスがアンモニアを含む、第１項から第２５項のいずれかに記載の方法。
【0144】
第２７項
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、窒素含有ガスを処理チャンバに約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含む、第１項から第２６項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、窒素含有ガスを処理チャンバに約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含む、第１項から第２６項のいずれかに記載の方法。
【0145】
第２８項
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第１項から第２７項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第１項から第２７項のいずれかに記載の方法。
【0146】
第２９項
窒素ガスがアンモニアを含む、第１項から第２８項のいずれかに記載の方法。
窒素ガスがアンモニアを含む、第１項から第２８項のいずれかに記載の方法。
【0147】
第３０項
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含み、ここで、窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行われる、第１項から第２９項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含み、ここで、窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、シーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行われる、第１項から第２９項のいずれかに記載の方法。
【0148】
第３１項
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第１項から第３０項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第１項から第３０項のいずれかに記載の方法。
【0149】
第３２項
窒素含有ガスがアンモニアを含む、第１項から第３１項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスがアンモニアを含む、第１項から第３１項のいずれかに記載の方法。
【0150】
第３３項
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、窒素含有ガスを処理チャンバに約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含む、第１項から第３２項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、窒素含有ガスを処理チャンバに約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含む、第１項から第３２項のいずれかに記載の方法。
【0151】
第３４項
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第１項から第３３項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスをシーズニング膜に導入することが、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第１項から第３３項のいずれかに記載の方法。
【0152】
第３５項
窒素ガスがアンモニアを含む、第１項から第３４項のいずれかに記載の方法。
窒素ガスがアンモニアを含む、第１項から第３４項のいずれかに記載の方法。
【0153】
第３６項
処理チャンバをシーズニングする方法であって、
処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積すること、
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積すること、及び
第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積すること
を含み、ここで、
第１のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含む、
方法。
処理チャンバをシーズニングする方法であって、
処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積すること、
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積すること、及び
第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積すること
を含み、ここで、
第１のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含む、
方法。
【0154】
第３７項
温度が約１００℃から約２００℃である、第３６項に記載の方法。
温度が約１００℃から約２００℃である、第３６項に記載の方法。
【0155】
第３８項
温度が約２５０℃から約３００℃である、第３６項又は第３７項に記載の方法。
温度が約２５０℃から約３００℃である、第３６項又は第３７項に記載の方法。
【0156】
第３９項
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第３６項から第３８項のいずれかに記載の方法。
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第３６項から第３８項のいずれかに記載の方法。
【0157】
第４０項
第２のシーズニング膜を堆積することが、第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含み、かつ
堆積膜を堆積することが、第３の炭素含有前駆体ガス及び第３の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含み、
ここで、
第２の炭素含有前駆体ガスは、第１又は第３の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、第２の不活性前駆体ガスは、第１又は第３の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、かつ
第３の炭素含有前駆体ガスは、第１又は第２の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、第３の不活性前駆体ガスは、第１又は第２の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっている、
第３６項から第３９項のいずれかに記載の方法。
第２のシーズニング膜を堆積することが、第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含み、かつ
堆積膜を堆積することが、第３の炭素含有前駆体ガス及び第３の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含み、
ここで、
第２の炭素含有前駆体ガスは、第１又は第３の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、第２の不活性前駆体ガスは、第１又は第３の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、かつ
第３の炭素含有前駆体ガスは、第１又は第２の炭素含有前駆体ガスと同じであるか、又は異なっており、第３の不活性前駆体ガスは、第１又は第２の不活性前駆体ガスと同じであるか、又は異なっている、
第３６項から第３９項のいずれかに記載の方法。
【0158】
第４１項
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含み、かつ
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比を第２の流量比に調整することを含む、
第３６項から第４０項のいずれかに記載の方法。
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含み、かつ
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比を第２の流量比に調整することを含む、
第３６項から第４０項のいずれかに記載の方法。
【0159】
第４２項
第１の流量比が約１：１から約１：２である、第３６項から第４１項のいずれかに記載の方法。
第１の流量比が約１：１から約１：２である、第３６項から第４１項のいずれかに記載の方法。
【0160】
第４３項
第２の流量比が約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である、第３６項から第４２項のいずれかに記載の方法。
第２の流量比が約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である、第３６項から第４２項のいずれかに記載の方法。
【0161】
第４４項
第１の流量比を第２の流量比に調整することが、約１秒以下の速度で行われる、第３６項から第４３項のいずれかに記載の方法。
第１の流量比を第２の流量比に調整することが、約１秒以下の速度で行われる、第３６項から第４３項のいずれかに記載の方法。
【0162】
第４５項
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力をチャンバに供給することを含み、かつ
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することを含む、
第３６項から第４４項のいずれかに記載の方法。
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力をチャンバに供給することを含み、かつ
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することを含む、
第３６項から第４４項のいずれかに記載の方法。
【0163】
第４６項
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することが、約１秒以下の速度で行われる、第３６項から第４５項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することが、約１秒以下の速度で行われる、第３６項から第４５項のいずれかに記載の方法。
【0164】
第４７項
第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第３６項から第４６項のいずれかに記載の方法。
第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第３６項から第４６項のいずれかに記載の方法。
【0165】
第４８項
第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、第３の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約２００ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍの流量で流すことによって行われる、第３６項から第４７項のいずれかに記載の方法。
第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、第３の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約２００ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍの流量で流すことによって行われる、第３６項から第４７項のいずれかに記載の方法。
【0166】
第４９項
第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約１ｋＷから約６ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第３６項から第４８項のいずれかに記載の方法。
第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約１ｋＷから約６ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第３６項から第４８項のいずれかに記載の方法。
【0167】
第５０項
第１の炭素含有前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、及び第３の炭素含有前駆体ガスがアセチレンを含む、第３６項から第４９項のいずれかに記載の方法。
第１の炭素含有前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、及び第３の炭素含有前駆体ガスがアセチレンを含む、第３６項から第４９項のいずれかに記載の方法。
【0168】
第５１項
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、及び第３の不活性前駆体ガスがヘリウムを含む、第３６項から第５０項のいずれかに記載の方法。
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、及び第３の不活性前駆体ガスがヘリウムを含む、第３６項から第５０項のいずれかに記載の方法。
【0169】
第５２項
第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、
第１の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すこと、及び
第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すこと
を含む、第３６項から第５１項のいずれかに記載の方法。
第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、
第１の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すこと、及び
第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すこと
を含む、第３６項から第５１項のいずれかに記載の方法。
【0170】
第５３項
第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、
第２の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すことであって、第２の炭素含有前駆体ガスの流量が第１の炭素含有前駆体ガスの流量とは異なる、第２の炭素含有前駆体ガスを流すこと、及び
第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すことであって、第２の不活性前駆体ガスの流量が第１の不活性前駆体ガスの流量とは異なる、第２の不活性前駆体ガスを流すこと
を含む、第３６項から第５２項のいずれかに記載の方法。
第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、
第２の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すことであって、第２の炭素含有前駆体ガスの流量が第１の炭素含有前駆体ガスの流量とは異なる、第２の炭素含有前駆体ガスを流すこと、及び
第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すことであって、第２の不活性前駆体ガスの流量が第１の不活性前駆体ガスの流量とは異なる、第２の不活性前駆体ガスを流すこと
を含む、第３６項から第５２項のいずれかに記載の方法。
【0171】
第５４項
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力をチャンバに供給することを含み、かつ
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第２のＲＦ電力をチャンバに提供することを含み、ここで、第２のＲＦ電力が第１のＲＦ電力とは異なる、
第３６項から第５３項のいずれかに記載の方法。
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力をチャンバに供給することを含み、かつ
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第２のＲＦ電力をチャンバに提供することを含み、ここで、第２のＲＦ電力が第１のＲＦ電力とは異なる、
第３６項から第５３項のいずれかに記載の方法。
【0172】
第５５項
第１のＲＦ電力及び第２のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第３６項から第５４項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力及び第２のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第３６項から第５４項のいずれかに記載の方法。
【0173】
第５６項
第１のＲＦ電力が約１ｋＷから約３ｋＷであり、第２のＲＦ電力が約３ｋＷから約６ｋＷである、第３６項から第５５項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力が約１ｋＷから約３ｋＷであり、第２のＲＦ電力が約３ｋＷから約６ｋＷである、第３６項から第５５項のいずれかに記載の方法。
【0174】
第５７項
第１のシーズニング膜及び第２のシーズニング膜が合わせて約１００ｎｍから約７００ｎｍの厚さを有し、堆積膜が約５００ｎｍから約３ミクロンの厚さを有する、第３６項から第５６項のいずれかに記載の方法。
第１のシーズニング膜及び第２のシーズニング膜が合わせて約１００ｎｍから約７００ｎｍの厚さを有し、堆積膜が約５００ｎｍから約３ミクロンの厚さを有する、第３６項から第５６項のいずれかに記載の方法。
【0175】
第５８項
処理チャンバの部品がウエハではない、第３６項から第５７項のいずれかに記載の方法。
処理チャンバの部品がウエハではない、第３６項から第５７項のいずれかに記載の方法。
【0176】
第５９項
処理チャンバの部品が処理チャンバの壁である、第３６項から第５８項のいずれかに記載の方法。
処理チャンバの部品が処理チャンバの壁である、第３６項から第５８項のいずれかに記載の方法。
【0177】
第６０項
窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含み、ここで、窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することが、第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行われる、第３６項から第５９項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含み、ここで、窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することが、第２のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行われる、第３６項から第５９項のいずれかに記載の方法。
【0178】
第６１項
窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第３６項から第６０項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第３６項から第６０項のいずれかに記載の方法。
【0179】
第６２項
窒素含有ガスがアンモニアを含む、第３６項から第６１項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスがアンモニアを含む、第３６項から第６１項のいずれかに記載の方法。
【0180】
第６３項
窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することが、窒素含有ガスを処理チャンバに約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含む、第３６項から第６２項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することが、窒素含有ガスを処理チャンバに約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含む、第３６項から第６２項のいずれかに記載の方法。
【0181】
第６４項
窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することが、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第３６項から第６３項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスを第２のシーズニング膜に導入することが、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第３６項から第６３項のいずれかに記載の方法。
【0182】
第６５項
窒素ガスがアンモニアを含む、第３６項から第６４項のいずれかに記載の方法。
窒素ガスがアンモニアを含む、第３６項から第６４項のいずれかに記載の方法。
【0183】
第６６項
処理チャンバをシーズニングする方法であって、
処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積すること、
第１のシーズニング膜の上に複数の追加のシーズニング膜を堆積すること、並びに
複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積すること
を含み、ここで、
第１のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含む、
方法。
処理チャンバをシーズニングする方法であって、
処理チャンバの部品の上に第１のシーズニング膜を、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満又は約２００℃から約４００℃の温度で堆積すること、
第１のシーズニング膜の上に複数の追加のシーズニング膜を堆積すること、並びに
複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積すること
を含み、ここで、
第１のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことを含む、
方法。
【0184】
第６７項
温度が約１００℃から約２００℃である、第６６項に記載の方法。
温度が約１００℃から約２００℃である、第６６項に記載の方法。
【0185】
第６８項温度が約２５０℃から約３００℃である、第６６項又は第６７項に記載の方法。
【0186】
第６９項
複数の追加のシーズニング膜を堆積することが、
第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積すること、
第３の炭素含有前駆体ガス及び第３の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積すること、
第４の炭素含有前駆体ガス及び第４の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積すること
を含み、ここで、
第２、第３、及び第４の炭素含有前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっており、かつ
第２、第３、及び第４の不活性前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっている、
第６６項から第６８項のいずれかに記載の方法。
複数の追加のシーズニング膜を堆積することが、
第２の炭素含有前駆体ガス及び第２の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積すること、
第３の炭素含有前駆体ガス及び第３の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積すること、
第４の炭素含有前駆体ガス及び第４の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積すること
を含み、ここで、
第２、第３、及び第４の炭素含有前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっており、かつ
第２、第３、及び第４の不活性前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっている、
第６６項から第６８項のいずれかに記載の方法。
【0187】
第７０項
複数の追加のシーズニング膜を堆積することが、
第５の炭素含有前駆体ガス及び第５の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第４のシーズニング膜の上に第５のシーズニング膜を堆積すること、
第６の炭素含有前駆体ガス及び第６の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第５のシーズニング膜の上に第６のシーズニング膜を堆積すること、
第７の炭素含有前駆体ガス及び第７の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第６のシーズニング膜の上に第７のシーズニング膜を堆積すること、並びに
第８の炭素含有前駆体ガス及び第８の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第７のシーズニング膜の上に第８のシーズニング膜を堆積すること
を含み、ここで、
第５、第６，第７、及び第８の炭素含有前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっており、かつ
第５、第６，第７、及び第８の不活性前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっている、
第６６項から第６９項のいずれかに記載の方法。
複数の追加のシーズニング膜を堆積することが、
第５の炭素含有前駆体ガス及び第５の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第４のシーズニング膜の上に第５のシーズニング膜を堆積すること、
第６の炭素含有前駆体ガス及び第６の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第５のシーズニング膜の上に第６のシーズニング膜を堆積すること、
第７の炭素含有前駆体ガス及び第７の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第６のシーズニング膜の上に第７のシーズニング膜を堆積すること、並びに
第８の炭素含有前駆体ガス及び第８の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことによって、第７のシーズニング膜の上に第８のシーズニング膜を堆積すること
を含み、ここで、
第５、第６，第７、及び第８の炭素含有前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっており、かつ
第５、第６，第７、及び第８の不活性前駆体ガスは、独立して、互いに同じであるか、又は互いに異なっている、
第６６項から第６９項のいずれかに記載の方法。
【0188】
第７１項
複数の追加のシーズニング膜の各シーズニング膜は、複数の追加のシーズニング膜の隣接したシーズニング膜とは異なる内在応力を有する、第６６項から第７０項のいずれかに記載の方法。
複数の追加のシーズニング膜の各シーズニング膜は、複数の追加のシーズニング膜の隣接したシーズニング膜とは異なる内在応力を有する、第６６項から第７０項のいずれかに記載の方法。
【0189】
第７２項
複数の追加のシーズニング膜のうちの１つ以上のシーズニング膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第６６項から第７１項のいずれかに記載の方法。
複数の追加のシーズニング膜のうちの１つ以上のシーズニング膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第６６項から第７１項のいずれかに記載の方法。
【0190】
第７３項
複数の追加のシーズニング膜の各シーズニング膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第６６項から第７２項のいずれかに記載の方法。
複数の追加のシーズニング膜の各シーズニング膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第６６項から第７２項のいずれかに記載の方法。
【0191】
第７４項
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含み、
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比を第２の流量比に調整することを含み、
第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積することが、第２の炭素含有前駆体ガスと第２の不活性前駆体ガスとの第２の流量比を第３の流量比に調整することを含み、かつ
第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積することが、第３の炭素含有前駆体ガスと第３の不活性前駆体ガスとの第３の流量比を第４の流量比に調整することを含む、
第６６項から第７３項のいずれかに記載の方法。
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比で流すことを含み、
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第１の炭素含有前駆体ガスと第１の不活性前駆体ガスとの第１の流量比を第２の流量比に調整することを含み、
第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積することが、第２の炭素含有前駆体ガスと第２の不活性前駆体ガスとの第２の流量比を第３の流量比に調整することを含み、かつ
第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積することが、第３の炭素含有前駆体ガスと第３の不活性前駆体ガスとの第３の流量比を第４の流量比に調整することを含む、
第６６項から第７３項のいずれかに記載の方法。
【0192】
第７５項
第１の流量比及び第３の流量比が、独立して、約１：１から約１：２である、第６６項から第７４項のいずれかに記載の方法。
第１の流量比及び第３の流量比が、独立して、約１：１から約１：２である、第６６項から第７４項のいずれかに記載の方法。
【0193】
第７６項
第２の流量比及び第４の流量比が、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である、第６６項から第７５項のいずれかに記載の方法。
第２の流量比及び第４の流量比が、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である、第６６項から第７５項のいずれかに記載の方法。
【0194】
第７７項
第１の流量比を第２の流量比に、第２の流量比を第３の流量比に、及び第３の流量比を第４の流量比に調整することが、独立して約１秒以下の速度で行われる、第６６項から第７６項のいずれかに記載の方法。
第１の流量比を第２の流量比に、第２の流量比を第３の流量比に、及び第３の流量比を第４の流量比に調整することが、独立して約１秒以下の速度で行われる、第６６項から第７６項のいずれかに記載の方法。
【0195】
第７８項
第４のシーズニング膜の上に第５のシーズニング膜を堆積することが、第５の炭素含有前駆体ガス及び第５の不活性前駆体ガスを第５の炭素含有前駆体ガスと第５の不活性前駆体ガスとの第５の流量比で流すことを含み、
第５のシーズニング膜の上に第６のシーズニング膜を堆積することが、第５の炭素含有前駆体ガスと第５の不活性前駆体ガスとの第５の流量比を第６の流量比に調整することを含み、
第６のシーズニング膜の上に第７のシーズニング膜を堆積することが、第６の炭素含有前駆体ガスと第６の不活性前駆体ガスとの第６の流量比を第７の流量比に調整することを含み、かつ
第７のシーズニング膜の上に第８のシーズニング膜を堆積することが、第７の炭素含有前駆体ガスと第７の不活性前駆体ガスとの第７の流量比を第８の流量比に調整することを含む、
第６６項から第７７項のいずれかに記載の方法。
第４のシーズニング膜の上に第５のシーズニング膜を堆積することが、第５の炭素含有前駆体ガス及び第５の不活性前駆体ガスを第５の炭素含有前駆体ガスと第５の不活性前駆体ガスとの第５の流量比で流すことを含み、
第５のシーズニング膜の上に第６のシーズニング膜を堆積することが、第５の炭素含有前駆体ガスと第５の不活性前駆体ガスとの第５の流量比を第６の流量比に調整することを含み、
第６のシーズニング膜の上に第７のシーズニング膜を堆積することが、第６の炭素含有前駆体ガスと第６の不活性前駆体ガスとの第６の流量比を第７の流量比に調整することを含み、かつ
第７のシーズニング膜の上に第８のシーズニング膜を堆積することが、第７の炭素含有前駆体ガスと第７の不活性前駆体ガスとの第７の流量比を第８の流量比に調整することを含む、
第６６項から第７７項のいずれかに記載の方法。
【0196】
第７９項
第５の流量比及び第７の流量比が、独立して、約１：１から約１：２である、第６６項から第７８項のいずれかに記載の方法。
第５の流量比及び第７の流量比が、独立して、約１：１から約１：２である、第６６項から第７８項のいずれかに記載の方法。
【0197】
第８０項
第６の流量比及び第８の流量比が、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である、第６６項から第７９項のいずれかに記載の方法。
第６の流量比及び第８の流量比が、約１０：１から約１：１、又は約１：２から約１：１０である、第６６項から第７９項のいずれかに記載の方法。
【0198】
第８１項
第１の流量比を第２の流量比に、第２の流量比を第３の流量比に、第３の流量比を第４の流量比に、第４の流量比を第５の流量比に、第５の流量比を第６の流量比に、第６の流量比を第７の流量比に、かつ第７の流量比を第８の流量比に調整することが、独立して約１秒以下の速度で行われる、第６６項から第８０項のいずれかに記載の方法。
第１の流量比を第２の流量比に、第２の流量比を第３の流量比に、第３の流量比を第４の流量比に、第４の流量比を第５の流量比に、第５の流量比を第６の流量比に、第６の流量比を第７の流量比に、かつ第７の流量比を第８の流量比に調整することが、独立して約１秒以下の速度で行われる、第６６項から第８０項のいずれかに記載の方法。
【0199】
第８２項
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力をチャンバに供給することを含み、
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することを含み、
第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積することが、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に調整することを含み、かつ
第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積することが、第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に調整することを含む、
第６６項から第８１項のいずれかに記載の方法。
部品の上に第１のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力をチャンバに供給することを含み、
第１のシーズニング膜の上に第２のシーズニング膜を堆積することが、第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に調整することを含み、
第２のシーズニング膜の上に第３のシーズニング膜を堆積することが、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に調整することを含み、かつ
第３のシーズニング膜の上に第４のシーズニング膜を堆積することが、第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に調整することを含む、
第６６項から第８１項のいずれかに記載の方法。
【0200】
第８３項
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に、及び第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に調整することが、独立して、約１秒以下の速度で行われる、第６６項から第８２項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に、及び第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に調整することが、独立して、約１秒以下の速度で行われる、第６６項から第８２項のいずれかに記載の方法。
【0201】
第８４項
第１のＲＦ電力、第２のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、及び第４のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第６６項から第８３項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力、第２のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、及び第４のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第６６項から第８３項のいずれかに記載の方法。
【0202】
第８５項
第１のＲＦ電力及び第３のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約３ｋＷであり、かつ
第２のＲＦ電力及び第４のＲＦ電力が、独立して、約３ｋＷから約６ｋＷである、
第６６項から第８４項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力及び第３のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約３ｋＷであり、かつ
第２のＲＦ電力及び第４のＲＦ電力が、独立して、約３ｋＷから約６ｋＷである、
第６６項から第８４項のいずれかに記載の方法。
【0203】
第８６項
第４のシーズニング膜の上に第５のシーズニング膜を堆積することが、第４のＲＦ電力を第５のＲＦ電力に調整することを含み、
第５のシーズニング膜の上に第６のシーズニング膜を堆積することが、第５のＲＦ電力を第６のＲＦ電力に調整することを含み、
第６のシーズニング膜の上に第７のシーズニング膜を堆積することが、第６のＲＦ電力を第７のＲＦ電力に調整することを含み、かつ
第７のシーズニング膜の上に第８のシーズニング膜を堆積することが、第７のＲＦ電力を第８のＲＦ電力に調整することを含む、
第６６項から第８５項のいずれかに記載の方法。
第４のシーズニング膜の上に第５のシーズニング膜を堆積することが、第４のＲＦ電力を第５のＲＦ電力に調整することを含み、
第５のシーズニング膜の上に第６のシーズニング膜を堆積することが、第５のＲＦ電力を第６のＲＦ電力に調整することを含み、
第６のシーズニング膜の上に第７のシーズニング膜を堆積することが、第６のＲＦ電力を第７のＲＦ電力に調整することを含み、かつ
第７のシーズニング膜の上に第８のシーズニング膜を堆積することが、第７のＲＦ電力を第８のＲＦ電力に調整することを含む、
第６６項から第８５項のいずれかに記載の方法。
【0204】
第８７項
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に、第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に、第４のＲＦ電力を第５のＲＦ電力に、第５のＲＦ電力を第６のＲＦ電力に、第６のＲＦ電力を第７のＲＦ電力に、及び第７のＲＦ電力を第８のＲＦ電力に調整することが、独立して、約１秒以下の速度で行われる、第６６項から第８６項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力を第２のＲＦ電力に、第２のＲＦ電力を第３のＲＦ電力に、第３のＲＦ電力を第４のＲＦ電力に、第４のＲＦ電力を第５のＲＦ電力に、第５のＲＦ電力を第６のＲＦ電力に、第６のＲＦ電力を第７のＲＦ電力に、及び第７のＲＦ電力を第８のＲＦ電力に調整することが、独立して、約１秒以下の速度で行われる、第６６項から第８６項のいずれかに記載の方法。
【0205】
第８８項
第１のＲＦ電力、第２のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、第４のＲＦ電力、第５のＲＦ電力、第６のＲＦ電力、第７のＲＦ電力、及び第８のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第６６項から第８７項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力、第２のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、第４のＲＦ電力、第５のＲＦ電力、第６のＲＦ電力、第７のＲＦ電力、及び第８のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約６ｋＷである、第６６項から第８７項のいずれかに記載の方法。
【0206】
第８９項
第１のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、第５のＲＦ電力、及び第７のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約３ｋＷであり、かつ
第２のＲＦ電力、第４のＲＦ電力、第６のＲＦ電力、及び第８のＲＦ電力が、独立して、約３ｋＷから約６ｋＷである、
第６６項から第８８項のいずれかに記載の方法。
第１のＲＦ電力、第３のＲＦ電力、第５のＲＦ電力、及び第７のＲＦ電力が、独立して、約１ｋＷから約３ｋＷであり、かつ
第２のＲＦ電力、第４のＲＦ電力、第６のＲＦ電力、及び第８のＲＦ電力が、独立して、約３ｋＷから約６ｋＷである、
第６６項から第８８項のいずれかに記載の方法。
【0207】
第９０項
第１の炭素含有前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、及び第４の炭素含有前駆体ガスがアセチレンを含む、第６６項から第８９項のいずれかに記載の方法。
第１の炭素含有前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、及び第４の炭素含有前駆体ガスがアセチレンを含む、第６６項から第８９項のいずれかに記載の方法。
【0208】
第９１項
第１の炭素含有前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、第４の炭素含有前駆体ガス、第５の炭素含有前駆体ガス、第６の炭素含有前駆体ガス、第７の炭素含有前駆体ガス、及び第８の炭素含有前駆体ガスが、アセチレンを含む、第６６項から第９０項のいずれかに記載の方法。
第１の炭素含有前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、第４の炭素含有前駆体ガス、第５の炭素含有前駆体ガス、第６の炭素含有前駆体ガス、第７の炭素含有前駆体ガス、及び第８の炭素含有前駆体ガスが、アセチレンを含む、第６６項から第９０項のいずれかに記載の方法。
【0209】
第９２項
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、及び第４の不活性前駆体ガスが、ヘリウムを含む、第６６項から第９１項のいずれかに記載の方法。
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、及び第４の不活性前駆体ガスが、ヘリウムを含む、第６６項から第９１項のいずれかに記載の方法。
【0210】
第９３項
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、第４の不活性前駆体ガス、第５の不活性前駆体ガス、第６の不活性前駆体ガス、第７の不活性前駆体ガス、及び第８の不活性前駆体ガスが、ヘリウムを含む、第６６項から第９２項のいずれかに記載の方法。
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、第４の不活性前駆体ガス、第５の不活性前駆体ガス、第６の不活性前駆体ガス、第７の不活性前駆体ガス、及び第８の不活性前駆体ガスが、ヘリウムを含む、第６６項から第９２項のいずれかに記載の方法。
【0211】
第９４項
第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、
第１の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すこと、及び
第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すこと
を含む、第６６項から第９３項のいずれかに記載の方法。
第１の炭素含有前駆体ガス及び第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、
第１の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で流すこと、及び
第１の不活性前駆体ガスを処理チャンバに約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で流すこと
を含む、第６６項から第９３項のいずれかに記載の方法。
【0212】
第９５項
第１の不活性前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、及び第４の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、独立して、約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で行われ、かつ
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、及び第４の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、独立して、約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で行われる、
第６６項から第９４項のいずれかに記載の方法。
第１の不活性前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、及び第４の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、独立して、約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で行われ、かつ
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、及び第４の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、独立して、約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で行われる、
第６６項から第９４項のいずれかに記載の方法。
【0213】
第９６項
第１の不活性前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、第４の炭素含有前駆体ガス、第５の炭素含有前駆体ガス、第６の炭素含有前駆体ガス、第７の炭素含有前駆体ガス、及び第８の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、独立して、約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で行われ、かつ
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、第４の不活性前駆体ガス、第５の不活性前駆体ガス、第６の不活性前駆体ガス、第７の不活性前駆体ガス、及び第８の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、独立して、約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で行われる、
第６６項から第９５項のいずれかに記載の方法。
第１の不活性前駆体ガス、第２の炭素含有前駆体ガス、第３の炭素含有前駆体ガス、第４の炭素含有前駆体ガス、第５の炭素含有前駆体ガス、第６の炭素含有前駆体ガス、第７の炭素含有前駆体ガス、及び第８の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、独立して、約１００ｓｃｃｍから約６００ｓｃｃｍの流量で行われ、かつ
第１の不活性前駆体ガス、第２の不活性前駆体ガス、第３の不活性前駆体ガス、第４の不活性前駆体ガス、第５の不活性前駆体ガス、第６の不活性前駆体ガス、第７の不活性前駆体ガス、及び第８の不活性前駆体ガスを処理チャンバに流すことが、独立して、約１５０ｓｃｃｍから約８００ｓｃｃｍの流量で行われる、
第６６項から第９５項のいずれかに記載の方法。
【0214】
第９７項
第１のシーズニング膜及び複数の追加のシーズニング膜が合わせて約１００ｎｍから約７００ｎｍの厚さを有し、堆積膜が約５００ｎｍから約３ミクロンの厚さを有する、第６６項から第９６項のいずれかに記載の方法。
第１のシーズニング膜及び複数の追加のシーズニング膜が合わせて約１００ｎｍから約７００ｎｍの厚さを有し、堆積膜が約５００ｎｍから約３ミクロンの厚さを有する、第６６項から第９６項のいずれかに記載の方法。
【0215】
第９８項
複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第６６項から第９７項のいずれかに記載の方法。
複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第６６項から第９７項のいずれかに記載の方法。
【0216】
第９９項
複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、第３の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約２００ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍの流量で流すことによって行われる、第６６項から第９８項のいずれかに記載の方法。
複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、第３の炭素含有前駆体ガスを処理チャンバに約２００ｓｃｃｍから約４００ｓｃｃｍの流量で流すことによって行われる、第６６項から第９８項のいずれかに記載の方法。
【0217】
第１００項
複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約１ｋＷから約６ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第６６項から第９９項のいずれかに記載の方法。
複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積することが、約１ｋＷから約６ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第６６項から第９９項のいずれかに記載の方法。
【0218】
第１０１項
処理チャンバの部品がウエハではない、第６６項から第１００項のいずれかに記載の方法。
処理チャンバの部品がウエハではない、第６６項から第１００項のいずれかに記載の方法。
【0219】
第１０２項
処理チャンバの部品が処理チャンバの壁である、第６６項から第１０１項のいずれかに記載の方法。
処理チャンバの部品が処理チャンバの壁である、第６６項から第１０１項のいずれかに記載の方法。
【0220】
第１０３項
窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜のうちのある膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含み、ここで、窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜のうちのある膜に導入することが、複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行われる、第６６項から第１０２項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜のうちのある膜に導入して、窒素処理されたシーズニング膜を形成することをさらに含み、ここで、窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜のうちのある膜に導入することが、複数の追加のシーズニング膜の上に堆積膜を堆積する前に行われる、第６６項から第１０２項のいずれかに記載の方法。
【0221】
第１０４項
窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜に導入することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第６６項から第１０３項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜に導入することが、約４ｍＴｏｒｒから約２０ｍＴｏｒｒのチャンバ圧力、及び約２００℃未満の温度で行われる、第６６項から第１０３項のいずれかに記載の方法。
【0222】
第１０５項
窒素含有ガスがアンモニアを含む、第６６項から第１０４項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスがアンモニアを含む、第６６項から第１０４項のいずれかに記載の方法。
【0223】
第１０６項
窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜に導入することが、窒素含有ガスを処理チャンバに約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含む、第６６項から第１０５項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜に導入することが、窒素含有ガスを処理チャンバに約２５ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍの流量で流すことを含む、第６６項から第１０５項のいずれかに記載の方法。
【0224】
第１０７項
窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜に導入することが、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第６６項から第１０６項のいずれかに記載の方法。
窒素含有ガスを複数の追加のシーズニング膜に導入することが、約１００ｋＷから約４，０００ｋＷのＲＦ電力を処理チャンバに供給することを含む、第６６項から第１０６項のいずれかに記載の方法。
【0225】
第１０８項
窒素ガスがアンモニアを含む、第６６項から第１０７項のいずれかに記載の方法。
窒素ガスがアンモニアを含む、第６６項から第１０７項のいずれかに記載の方法。
【0226】
全体として、本開示の方法は、堆積膜とチャンバ部品との間に配置されたシーズニング膜を提供することにより、保護材料（堆積膜）の剥離の低減、及びチャンバ部品に対する堆積膜の接着性の改善を提供することができる。例えば、堆積膜は、約３００ＭＰａ以下（圧縮）の内在応力を有しうるのに対し、チャンバ部品（例えば、アルミニウム含有部品）は、約８００ＭＰａ以上（圧縮）の内在応力を有しうる。堆積膜とチャンバ部品との内在応力のこのような不整合は、堆積膜とチャンバ部品との剥離及び接着不良を促進する。しかしながら、本発明者らは、シーズニング膜の内在応力を制御することによって、シーズニング膜の一方の側で堆積膜に有益に接着し、シーズニング膜の反対の側でチャンバ部品に接着するように、シーズニング膜を調整できることを見出した。本発明者らは、このような改善を達成するための多くの手法を見出した。
【0227】
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく、本開示の他の実施形態及びさらなる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【国際調査報告】