特表 2023-548989 アイソレータリングクランプおよびそれを組み込んだ物理的気相堆積チャンバ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-11-22

(54)【発明の名称】アイソレータリングクランプおよびそれを組み込んだ物理的気相堆積チャンバ

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/34 20060101AFI20231115BHJP

【ＦＩ】

C23C14/34 C

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2022542680

(86)(22)【出願日】2021-10-23

(85)【翻訳文提出日】2022-09-02

(86)【国際出願番号】 US2021056368

(87)【国際公開番号】W WO2022103567

(87)【国際公開日】2022-05-19

(31)【優先権主張番号】17/098,254

(32)【優先日】2020-11-13

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】100094569

【弁理士】

【氏名又は名称】田中 伸一郎

(74)【代理人】

【識別番号】100103610

【弁理士】

【氏名又は名称】▲吉▼田 和彦

(74)【代理人】

【識別番号】100109070

【弁理士】

【氏名又は名称】須田 洋之

(74)【代理人】

【識別番号】100067013

【弁理士】

【氏名又は名称】大塚 文昭

(74)【代理人】

【識別番号】100086771

【弁理士】

【氏名又は名称】西島 孝喜

(74)【代理人】

【識別番号】100109335

【弁理士】

【氏名又は名称】上杉 浩

(74)【代理人】

【識別番号】100120525

【弁理士】

【氏名又は名称】近藤 直樹

(74)【代理人】

【識別番号】100139712

【弁理士】

【氏名又は名称】那須 威夫

(74)【代理人】

【識別番号】100141553

【弁理士】

【氏名又は名称】鈴木 信彦

(72)【発明者】

【氏名】ラヴィツキー イリア

(72)【発明者】

【氏名】ミラー キース エイ

【テーマコード（参考）】

4K029

【Ｆターム（参考）】

4K029CA05

4K029DA10

4K029DC03

4K029DC05

4K029DC45

4K029JA01

(57)【要約】

物理的気相堆積のための装置が本明細書で提供される。いくつかの実施形態において、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバで使用するためのクランプは、クランプ本体と、クランプ本体から延びる外向き突出棚とを含み、外向き突出棚は、アイソレータリングをＰＶＤチャンバのチャンバ本体にクランプするように構成されたクランプ面を含み、外向き突出棚の高さは、クランプ本体の高さの約１５パーセント～約４０パーセントであり、クランプ本体は、その中に締め具を保持するように構成された中央開口を含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバで使用するためのクランプであって、
前記クランプが、クランプ本体と、前記クランプ本体から延びる外向き突出棚とを含み、
前記外向き突出棚が、アイソレータリングを前記ＰＶＤチャンバのチャンバ本体にクランプするように構成されたクランプ面を含み、前記外向き突出棚の高さが、前記クランプ本体の高さの約１５パーセント～約４０パーセントであり、前記クランプ本体が、その中に締め具を保持するように構成された中央開口を含む、クランプ。

【請求項2】

前記クランプ本体が、前記クランプ本体の上面から延びる垂直スロットを含む、請求項１に記載のクランプ。

【請求項3】

前記垂直スロットが、上部部分および下部部分を含み、前記上部部分が、前記下部部分よりも広い、請求項２に記載のクランプ。

【請求項4】

前記クランプ本体が、前記クランプ本体の第１の側面から前記中央開口まで延びる水平スロットを含む、請求項１に記載のクランプ。

【請求項5】

前記クランプが、高分子材料で製作される、請求項１に記載のクランプ。

【請求項6】

前記外向き突出棚が、傾斜するターゲット対向面を含む、請求項１～５のいずれかに記載のクランプ。

【請求項7】

前記ターゲット対向面が、約４５度～約８５度の角度で傾斜している、請求項６に記載のクランプ。

【請求項8】

前記ターゲット対向面が、第１の傾斜を有する上部部分と、第２の傾斜を有する下部部分とを含み、前記第２の傾斜が前記第１の傾斜と異なる、請求項６に記載のクランプ。

【請求項9】

前記ターゲット対向面が、一定の角度で傾斜している、請求項６に記載のクランプ。

【請求項10】

前記クランプ本体が、前記外向き突出棚の反対側において前記クランプ本体の側面に斜め側壁を含む、請求項１～５のいずれかに記載のクランプ。

【請求項11】

前記外向き突出棚が、前記クランプ本体から約０．０４～約０．１４インチ延びる、請求項１～５のいずれかに記載のクランプ。

【請求項12】

前記クランプ本体が、約０．７５インチ～約１．５インチの高さを有する、請求項１１に記載のクランプ。

【請求項13】

前記クランプ本体が、約０．７５インチ～約１．５インチの高さを有する、請求項１～５のいずれかに記載のクランプ。

【請求項14】

内部容積部を中に画定するチャンバ本体の上に配設されたチャンバリッドであり、前記チャンバリッドがターゲットアセンブリを含み、前記チャンバ本体が上部チャンバアダプタを含む、チャンバリッドと、
前記上部チャンバアダプタ上に配設されたアイソレータリングであり、前記ターゲットアセンブリが、前記アイソレータリング上に支持される、アイソレータリングと、
前記ターゲットアセンブリと前記アイソレータリングとの間に配設されたＯリングと、
前記アイソレータリングを前記上部チャンバアダプタにクランプするために、前記アイソレータリングのまわりに配設された１つまたは複数のアイソレータリングクランプと
を含む処理チャンバ。

【請求項15】

前記１つまたは複数のアイソレータリングクランプが、請求項１～５のいずれかに記載のものである、請求項１４に記載の処理チャンバ。

【請求項16】

前記１つまたは複数のアイソレータリングクランプが、前記アイソレータリングのまわりに一定間隔で配設された２つ以上のクランプを含む、請求項１４に記載の処理チャンバ。

【請求項17】

前記１つまたは複数のアイソレータリングクランプが、前記上部チャンバアダプタの上面に形成されたポケットに配設される、請求項１４に記載の処理チャンバ。

【請求項18】

前記１つまたは複数のアイソレータリングクランプが、中央開口を含み、締め具が、前記１つまたは複数のアイソレータリングクランプを前記上部チャンバアダプタに結合させるために前記中央開口に配設される、請求項１４に記載の処理チャンバ。

【請求項19】

前記ターゲットアセンブリが、ターゲットおよびターゲットバッキング板を含む、請求項１４に記載の処理チャンバ。

【請求項20】

前記ターゲットアセンブリが、面取りされた周辺エッジを含む、請求項１４に記載の処理チャンバ。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、一般に、物理的気相堆積処理機器に関する。

【背景技術】

【0002】

いくつかの物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバは、多くの場合、ＰＶＤチャンバの導電性構成要素間に配設されたセラミックアイソレータリングを含む。例えば、セラミックアイソレータリングは、ＰＶＤ供給源（例えば、スパッタターゲット）を供給源アダプタ（アノード）から電気的に絶縁する。アイソレータリングはＰＶＤ真空チャンバの境界である。発明者らは、アイソレータリングが、チャンバの開放中にターゲットのＯリングにくっつくことがあり、そして、落下する、壊れる、および／または、そうでなければ損傷することがあり、またはＰＶＤチャンバ内のプロセスキットおよび／またはＰＶＤチャンバの供給源アダプタを損傷することがあることを観察した。前述の部品または構成要素への損傷は、非常に高価となり、適切なＰＶＤチャンバ性能にとって重大である。

【0003】

したがって、発明者らは、ＰＶＤ処理のための改善された装置を提供した。

【発明の概要】

【0004】

アイソレータリングをクランプするための装置およびそれを組み込んだＰＶＤチャンバが、本明細書で提供される。いくつかの実施形態において、ＰＶＤチャンバで使用するためのクランプは、クランプ本体と、クランプ本体から延びる外向き突出棚（ｏｕｔｗａｒｄｌｙ ｅｘｔｅｎｄｉｎｇ ｓｈｅｌｆ）とを含み、外向き突出棚は、アイソレータリングをＰＶＤチャンバのチャンバ本体にクランプするように構成されたクランプ面を含み、外向き突出棚の高さは、クランプ本体の高さの約１５パーセント～約４０パーセントであり、クランプ本体は、その中に締め具を保持するように構成された中央開口を含む。

【0005】

いくつかの実施形態において、処理チャンバで使用するためのクランプは、クランプ本体と、クランプ本体から延びる外向き突出棚とを含み、外向き突出棚は、アイソレータリングを処理チャンバのチャンバ本体にクランプするように構成されたクランプ面を含み、外向き突出棚は、約３０度～約８５度の角度で傾斜するターゲット対向面を含み、クランプ本体は、その中に締め具を保持するように構成された中央開口を含む。

【0006】

いくつかの実施形態において、処理チャンバは、内部容積部を中に画定するチャンバ本体の上に配設されたチャンバリッドであり、チャンバリッドがターゲットアセンブリを含み、チャンバ本体が上部チャンバアダプタを含む、チャンバリッドと、上部チャンバアダプタ上に配設されたアイソレータリングであり、ターゲットアセンブリが、アイソレータリング上に支持される、アイソレータリングと、ターゲットアセンブリとアイソレータリングとの間に配設されたＯリングと、アイソレータリングを上部チャンバアダプタにクランプするために、アイソレータリングのまわりに配設された１つまたは複数のアイソレータリングクランプとを含む。

【0007】

本開示の他のおよびさらなる実施形態が以下で説明される。

【0008】

上述で簡潔に要約し、以下でより詳細に論じる本開示の実施形態は、添付の図面に示される本開示の例示の実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、それゆえに、範囲を限定すると考えられるべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態を認めることができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本開示のいくつかの実施形態によるプロセスチャンバの概略断面図である。

【図2】本開示のいくつかの実施形態によるターゲットおよび周囲の構造の断面図である。

【図3A】本開示のいくつかの実施形態によるアイソレータリングクランプの上面図である。

【図3B】本開示のいくつかの実施形態によるアイソレータリングクランプの断面側面図である。

【図4】本開示のいくつかの実施形態によるターゲットおよび周囲の構造の断面図である。

【図5】本開示のいくつかの実施形態によるアイソレータリングクランプの等角図である。

【図6】本開示のいくつかの実施形態によるターゲットおよび周囲の構造の断面図である。

【図7】本開示のいくつかの実施形態によるアイソレータリングクランプの等角図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

理解を容易にするために、可能な場合、同一の参照番号が、図に共通する同一の要素を指定するために使用されている。図は、縮尺通りに描かれておらず、明確にするために簡単化されている場合がある。ある実施形態の要素および特徴は、さらなる詳述なしに、他の実施形態に有益に組み込むことができる。

【0011】

物理的気相堆積（ＰＶＤ）処理機器のための改善された装置の実施形態が、本明細書で提供される。アイソレータリングは、ターゲットアセンブリを上部チャンバアダプタ（アノード）から電気的に絶縁するために、ターゲットアセンブリと、ＰＶＤ処理機器の上部チャンバアダプタとの間に配設される。改善された装置は、ターゲットアセンブリが取り外されるかまたは取り替えられるとき、有利には、アイソレータリングがターゲットアセンブリにくっつかないようにするために、アイソレータリングを上部チャンバアダプタにクランプするように構成された１つまたは複数のクランプを含む。アイソレータリングがターゲットアセンブリにくっつくと、アイソレータリングが、壊れるか、または他のチャンバ部品を損傷することがある。いくつかの実施形態では、本明細書で説明するように、本発明の装置は、ターゲットアセンブリから接地までの高電圧沿面距離を増加させるために、面取りされた上部周辺エッジを有するターゲットアセンブリを含む。面取りされた上部周辺エッジは、有利には、ターゲットアセンブリとチャンバ本体との間に配設されたアイソレータリングのレッジを露出させる。１つまたは複数のクランプを使用して、アイソレータリングを、レッジを介して、上部チャンバアダプタにクランプすることができる。

【0012】

図１は、本開示のいくつかの実施形態による物理的気相堆積チャンバ、または処理チャンバ１００の概略断面図を示す。いくつかの実施形態では、処理チャンバ１００は、内部容積部１４８を中に画定するチャンバ本体１３６の上に配設されたチャンバリッド１３５を有する。いくつかの実施形態では、チャンバリッド１３５は、ターゲットアセンブリ１３８を含む。いくつかの実施形態では、ターゲットアセンブリ１３８は、ターゲット１０６およびターゲットバッキング板１４６を含む。ターゲット１０６は、スパッタリング中に基板１０４上に堆積されるべき材料、例えば、金属または金属酸化物などを含む。いくつかの実施形態では、ターゲット材料は、ケイ素、酸化ケイ素、または酸化アルミニウムなどの誘電体材料である。いくつかの実施形態では、ターゲットバッキング板１４６は、ＲＦおよびＤＣ電力がターゲットバッキング板１４６を介してターゲット１０６に結合され得るように、銅－亜鉛、銅－クロム、またはターゲットと同じ材料などの導電性材料を含むことができる。代替として、ターゲットバッキング板１４６は、非導電性とすることができ、電気フィードスルーなどのような導体性要素（図示せず）を含むことができる。

【0013】

処理チャンバ１００は、基板１０４を受け取るための基板支持ペデスタル１０２を含む。基板支持ペデスタル１０２は、チャンバ壁（図示のような）または接地されたシールドとすることができる接地されたエンクロージャ壁１０８内に配置することができる。基板支持ペデスタル１０２は、ターゲット１０６の主面に対向する材料受け面を有し、ターゲット１０６の主面の反対側の平面位置で、スパッタ被覆されるべき基板１０４を支持する。基板支持ペデスタル１０２は、処理チャンバ１００の内部容積部１４８内で基板１０４を支持することができる。

【0014】

処理チャンバ１００は、プロセスシールド１７４をさらに含む。プロセスシールド１７４は、一般に、ターゲット１０６および基板支持ペデスタル１０２の少なくとも一部のまわりに配設された環状本体を含む。いくつかの実施形態では、プロセスシールド１７４は、チャンバ本体１３６の上部チャンバアダプタ１４２のレッジ１７６に接続される。ターゲットアセンブリ１３８は、プロセスシールド１７４の上のアイソレータリング１８０上に支持される。アイソレータリング１８０は、セラミック材料または他の非導電性材料で製作することができる。プロセスシールド１７４は、アルミニウム合金、ステンレス鋼などのような導電性材料から製造される。プロセスシールド１７４は、他のチャンバ部品を、プロセスからの損傷および／または汚染から保護するのに役立つ。

【0015】

１つまたは複数のアイソレータリングクランプ１４４が、アイソレータリング１８０を上部チャンバアダプタ１４２にクランプするために、アイソレータリング１８０のまわりに配設される。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ１４４が、アイソレータリング１８０のまわりに間隔を置いて配置される。１つまたは複数のアイソレータリングクランプ１４４は、一般に、非導電性材料、例えば、高分子材料またはセラミック材料で製作される。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ１４４は、約０．７５インチ～約１．５インチの高さを有する。

【0016】

いくつかの実施形態では、ヒータ１６６が、処理チャンバ１００に結合され、プロセスシールド１７４を対流加熱するように構成される。いくつかの実施形態では、プロセスシールド１７４は、摂氏約４０～摂氏約７０度の温度に加熱される。発明者らは、プロセスシールド１７４を加熱すると、プロセスシールド１７４の温度勾配が減少し、その結果、プロセスシールド１７４から剥離する粒子が少なくなることを観察した。

【0017】

プロセスシールド１７４は、下向きに延び、概して一定の直径を有する概して管状の部分を含むことができる。プロセスシールド１７４は、上部チャンバアダプタ１４２および接地されたエンクロージャ壁１０８の壁に沿って、基板支持ペデスタル１０２の上面の下まで下向きに延び、そして、基板支持ペデスタル１０２の上面に達するまで上向きに戻る。基板支持ペデスタル１０２が下位のローディング位置にあるとき、カバーリング１８６が、プロセスシールド１７４の上向きに延びる内側部分１８８の上部に載っているが、基板支持ペデスタル１０２が上位の堆積位置にあるとき、基板支持ペデスタル１０２をスパッタ堆積から保護するために、基板支持ペデスタル１０２の外周に載る。追加の堆積リング（図示せず）を使用して、基板１０４の周囲を堆積から遮蔽することができる。

【0018】

処理チャンバは、ＲＦおよびＤＣエネルギーをターゲット１０６に結合させるための給電構造１１０を含む。給電構造は、例えば、本明細書で説明するように、ＲＦエネルギーおよびオプションとしてＤＣエネルギーをターゲットに、またはターゲットを含むアセンブリに結合させるための装置である。給電構造１１０は、第１の端部１１４と、第１の端部１１４の反対側の第２の端部１１６とを有する本体１１２を含む。いくつかの実施形態では、本体１１２は、第１の端部１１４から第２の端部１１６まで本体１１２を貫いて配設された中央開口１１５をさらに含む。

【0019】

給電構造１１０の第１の端部１１４は、ＲＦ電源１１８およびオプションとしてＤＣ電源１２０に結合され得、それらは、それぞれ、ＲＦエネルギーおよびＤＣエネルギーをターゲット１０６に供給するために利用することができる。例えば、ＤＣ電源１２０は、ターゲット１０６に負電圧またはバイアスを印加するために利用することができる。いくつかの実施形態では、ＲＦ電源１１８によって供給されるＲＦエネルギーは、約２ＭＨｚ～約６０ＭＨｚの周波数の範囲とすることができ、または、例えば、２ＭＨｚ、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、もしくは６０ＭＨｚなどの非限定の周波数が使用されてもよい。いくつかの実施形態では、複数のＲＦ電源（すなわち、２つ以上）を設けて、複数の上述の周波数でＲＦエネルギーを供給してもよい。給電構造１１０は、ＲＦ電源１１８およびＤＣ電源１２０からのＲＦエネルギーおよびＤＣエネルギーを伝導するために、適切な導電性材料から製造することができる。

【0020】

本体１１２の第２の端部１１６は、供給源分配プレート１２２に結合される。供給源分配プレートには、供給源分配プレート１２２を貫いて配設され、本体１１２の中央開口１１５と位置合わせされた孔１２４が含まれる。供給源分配プレート１２２は、給電構造１１０からのＲＦおよびＤＣエネルギーを伝導するために、適切な導電性材料から製造することができる。

【0021】

供給源分配プレート１２２は、導電性部材１２５を介してターゲット１０６に結合され得る。導電性部材１２５は、供給源分配プレート１２２の周辺エッジに隣接して供給源分配プレート１２２のターゲット対向面１２８に結合される第１の端部１２６を有する管状部材とすることができる。導電性部材１２５は、ターゲット１０６の周辺エッジに隣接してターゲット１０６の供給源分配プレート対向面１３２に（またはターゲット１０６のターゲットバッキング板１４６に）結合される第２の端部１３０をさらに含む。

【0022】

空洞１３４が、導電性部材１２５の内部対向壁、供給源分配プレート１２２のターゲット対向面１２８、およびターゲット１０６の供給源分配プレート対向面１３２によって画定され得る。空洞１３４は、供給源分配プレート１２２の孔１２４を介して本体１１２の中央開口１１５に流体結合される。空洞１３４と、本体１１２の中央開口１１５とは、図１に示されるように、回転可能なマグネトロンアセンブリ１３６の１つまたは複数の部分を少なくとも部分的に収容するために利用され得る。いくつかの実施形態では、空洞１３４は、水（Ｈ₂Ｏ）などのような冷却流体で少なくとも部分的に充填され得る。

【0023】

接地シールド１４０が、処理チャンバ１００のリッドの外面を覆うように設けられ得る。接地シールド１４０は、例えば、チャンバ本体１３６の接地接続を介して接地に結合され得る。接地シールド１４０は、中央開口を有し、それにより、給電構造１１０は、接地シールド１４０を通り抜けて、供給源分配プレート１２２に結合することが可能である。接地シールド１４０は、アルミニウム、銅などのような任意の適切な導電性材料を含むことができる。絶縁間隙１３９が、接地シールド１４０と、供給源分配プレート１２２、導電性部材１２５、およびターゲット１０６（および／またはターゲットバッキング板１４６）の外面との間に設けられて、ＲＦおよびＤＣエネルギーが直接接地に送られることが防止される。絶縁間隙は、空気、またはセラミック、プラスチックなどのような何か他の適切な誘電体材料で充填することができる。

【0024】

図２は、本開示のいくつかの実施形態によるターゲットアセンブリおよび周囲の構造の断面図を示す。いくつかの実施形態では、ターゲットアセンブリ１３８は、面取りされた周辺エッジ２５２を含む。いくつかの実施形態では、面取りされた周辺エッジ２５２は、アイソレータリング１８０の上部周囲領域でレッジ２５０を露出する。

【0025】

いくつかの実施形態では、ターゲットアセンブリ１３８は、その下部周辺エッジにＯリング溝２０４を含む。Ｏリング２１０が、ターゲットアセンブリ１３８とアイソレータリング１８０との間のシールを形成するためにＯリング溝２０４に配設される。いくつかの実施形態では、上部チャンバアダプタ１４２は、そのシール面２２４に第２のＯリング溝２０６を含む。第２のＯリング２１８は、上部チャンバアダプタ１４２とアイソレータリング１８０との間にシールを形成するために第２のＯリング溝２０６に配設され得る。

【0026】

使用中、Ｏリング２１０は、アイソレータリング１８０をターゲットアセンブリ１３８にくっつかせることができる。処理チャンバ１００は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０を含む。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０は、図１の１つまたは複数のアイソレータリングクランプ１４４である。１つまたは複数のアイソレータリングクランプ１４４は、アイソレータリング１８０を上部チャンバアダプタ１４２にクランプして、有利には、ターゲットアセンブリ１３８が上昇されたとき、アイソレータリング１８０がターゲットアセンブリ１３８にくっつくことが防止される。第２のＯリング２１８は、上部チャンバアダプタ１４２をアイソレータリング１８０にくっつかせることができる。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０の各々の下面２００は、アイソレータリング１８０の下面２１４と同一平面上にあり、有利には、アイソレータリング１８０と上部チャンバアダプタ１４２との間にツールが入り、２つの構成要素を分離することが可能になる。

【0027】

いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０の各々は、上部チャンバアダプタ１４２の上面２３８上に形成されたポケット２６２に配設される。いくつかの実施形態では、ポケット２６２は、上部チャンバアダプタ１４２の内面から半径方向外向きに延びる。いくつかの実施形態では、ポケット２６２の下面２２６は、上部チャンバアダプタ１４２のシール面２２４と同一平面上にある。

【0028】

いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０は、２つのクランプを含む。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０は、アイソレータリング１８０のまわりに一定間隔で配列された２つ以上のクランプを含む。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０は、アイソレータリング１８０のまわりで直径方向に対向する。

【0029】

いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０は、クランプ本体２６４と、クランプ本体２６４から延びる外向き突出棚２３６を含む。いくつかの実施形態では、外向き突出棚２３６の高さは、クランプ本体２６４の高さの約１５パーセント～約４０パーセントである。外向き突出棚２３６は、アイソレータリング１８０をクランプするように構成されたクランプ面２５４を含む。いくつかの実施形態では、クランプ面２５４は、外向き突出棚２３６の下面である。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０は、中央開口２３２を含む。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０の各々の中央開口２３２を通って上部チャンバアダプタ１４２内に延びる１つまたは複数の締め具２４０を介して上部チャンバアダプタ１４２に結合される。いくつかの実施形態では、ワッシャ２４２が、１つまたは複数の締め具２４０の各々と、中央開口２３２に形成された座面２４６との間に配設される。

【0030】

図３Ａは、本開示のいくつかの実施形態による１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０のクランプの上面図を示す。図３Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０のクランプの断面側面図を示す。１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０の各々は、一般に、第１の側面３０６における外向き突出棚２３６と、反対側の第２の側面３０８とを含む。いくつかの実施形態では、第２の側面３０８、または外向き突出棚２３６の反対側の側面は、斜め側壁３１０Ａ、３１０Ｂを含む。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０は、ポケット２６２の形状に対応する形状を有する。

【0031】

いくつかの実施形態では、中央開口２３２の下部部分３２０は、中央開口２３２の上部部分３２２よりも小さい直径を有し、上部部分３２２と下部部分３２０との間の界面は、座面２４６を画定する。いくつかの実施形態では、外向き突出棚２３６は、傾斜するターゲット対向面３１６を含む。いくつかの実施形態では、ターゲット対向面３１６は、実質的に一定の角度で下向きおよび外向きに延びる。いくつかの実施形態では、一定の角度は、約４５度～約８５度である。いくつかの実施形態では、外向き突出棚２３６は、クランプ本体２６４から約０．０４～約０．１４インチ延びる。いくつかの実施形態では、ターゲット対向面３１６は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０の各々の上面３０２から下向きに延びる。

【0032】

図４は、本開示のいくつかの実施形態によるターゲットアセンブリ１３８および周囲の構造の断面図を示す。図５は、本開示のいくつかの実施形態による１つまたは複数のアイソレータリングクランプ４３０のクランプの等角図を示す。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ４３０は、図１の１つまたは複数のアイソレータリングクランプ１４４である。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ４３０は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ４３０が、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ４３０の第１の側面４０６から１つまたは複数のアイソレータリングクランプ４３０の中央開口４３２まで延びる水平スロット４１０を有することを除いて、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ２３０と同様である。いくつかの実施形態において、水平スロット４１０は、アイソレータリングクランプ４３０の第１の側面４０６から少なくともアイソレータリングクランプ４３０の反対側の第２の側面まで延びる。水平スロットは、第２の側面内に延びることができるが、第２の側面を完全に通り抜けて延びるわけではない。水平スロット４１０の幅よりもわずかに大きい直径で形成された孔などの応力緩和半径を水平スロット４１０の端部に設けて、クランプの繰り返しサイクルに由来するクランプの応力と亀裂または破損の可能性とを低減することができる。１つまたは複数のアイソレータリングクランプ４３０は、外向き突出棚４３６を含み、それは、外向き突出棚２３６と同様にクランプ本体４６４から延びる。クランプ本体４６４を通って延びる水平スロット４１０は、有利には、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ４３０に柔軟性を与え、外向き突出棚４３６をアイソレータリング１８０上に押しつける（すなわち、自己クランピング機能）。いくつかの実施形態では、自己クランピング機能は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ４３０が、面取りされていないかまたはより小さい面取りを有する周辺エッジ２５２を有するターゲットアセンブリ１３８とともに使用されるのを容易にすることができる。

【0033】

図６は、本開示のいくつかの実施形態によるターゲットおよび周囲の構造の断面図を示す。図７は、本開示のいくつかの実施形態による１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０のクランプの等角図を示す。いくつかの実施形態では、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０に柔軟性を与えるために垂直スロット６１０を含む。垂直スロット６１０は、外向き突出棚６３６を有する前壁７１４を部分的に画定する。

【0034】

前壁７１４は、アイソレータリング１８０が設置されるとき、または１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０がアイソレータリング１８０の後に設置されるとき、棚６３６を邪魔にならないところに押し進める（すなわち、後退させる）ことができるように、屈曲部またはばねとして働く。前壁７１４が後退させられるとき、垂直スロット６１０は、有利には、前壁７１４が通常の直立位置から後退させられるかまたは押し離されるための空間を提供し、それにより、通常の直立位置または非後退位置に向かう付勢力を提供する。付勢力は、外向き突出棚６３６がアイソレータリング１８０のエッジ上に延びるように、前壁７１４をアイソレータリング１８０の方に押しつける（すなわち、自己クランピング機能）。いくつかの実施形態では、自己クランピング機能は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０が、図２に示されるように面取りされているか、図６に示されるように少なく面取りされているか、または面取りされていない周辺エッジ２５２を有するターゲットアセンブリ１３８とともに使用されるのを容易にすることができる。

【0035】

１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０は、クランプ本体６６４と、クランプ本体６６４から延びる外向き突出棚６３６とを含む。外向き突出棚６３６は、傾斜するターゲット対向面６１２を含む。いくつかの実施形態では、ターゲット対向面６１２は、第１の傾斜を有する上部部分６２０を含む。いくつかの実施形態では、ターゲット対向面６１２は、第２の傾斜を有する下部部分６２２を含む。いくつかの実施形態では、第２の傾斜は第１の傾斜と異なる。いくつかの実施形態では、第１の傾斜は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０の上面７０２から下向きおよび外向きに約４５度～約８５度である。いくつかの実施形態では、第２の傾斜は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０の上面７０２から下向きおよび外向きに約３０度～約５０度である。いくつかの実施形態では、第２の傾斜は、有利には、ターゲットアセンブリ１３８とアイソレータリング１８０との間に延びるように第１の傾斜よりも小さい。いくつかの実施形態では、下部部分６２２は、約０．０２～約０．０５インチの垂直高さを有する。

【0036】

いくつかの実施形態では、垂直スロット６１０は、上部部分６４０および下部部分６５０を含む。いくつかの実施形態では、垂直スロット６１０の上部部分６４０は、有利には、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０の柔軟性を高めるために下部部分６５０よりも広い。上部部分６４０は、１つまたは複数のアイソレータリングクランプ６３０の外向き突出棚６３６と中央開口６３２との間に延びる。いくつかの実施形態では、垂直スロット６１０は、中央開口６３２の座面６４６を通りすぎて延びる。いくつかの実施形態では、上部部分６４０の幅は、１対の第１の表面７１６と、対向する第２の表面７１８との間に画定される。いくつかの実施形態では、１対の第１の表面７１６は、下向きに第２の表面７１８に向かってテーパ状になる。

【0037】

前述は本開示の実施形態に関するが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のおよびさらなる実施形態を考案することができる。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【国際調査報告】