特表 2023-549672 面内歪みの解析

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-11-29

(54)【発明の名称】面内歪みの解析

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20231121BHJP

   H01L 21/02 20060101ALI20231121BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 N

H01L21/02 Z

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023525988

(86)(22)【出願日】2021-11-02

(85)【翻訳文提出日】2023-06-26

(86)【国際出願番号】 US2021057776

(87)【国際公開番号】W WO2022098674

(87)【国際公開日】2022-05-12

(31)【優先権主張番号】17/087,976

(32)【優先日】2020-11-03

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】ワン， ウェンジャオ

(72)【発明者】

【氏名】マヘル， ジョシュア

(72)【発明者】

【氏名】ハン， シンハイ

(72)【発明者】

【氏名】パディ， ディーネッシュ

(72)【発明者】

【氏名】グン， ツァ－ジン

【テーマコード（参考）】

4M106

【Ｆターム（参考）】

4M106AA01

4M106CA47

4M106DJ20

4M106DJ38

(57)【要約】

修正措置のための評価マップを生成するための方法、システム、及び非一時的なコンピュータ可読媒体が説明される。方法が、第１の組のベクトルを含む第１のベクトルマップを受け取ることを含む。第１の組のベクトルは、各々、基板上の複数の位置のうちの特定の１つの位置の歪みを示す。該方法は、第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成することを更に含む。該方法は、第２の組のベクトル内のベクトル及び第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいて、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを生成することを更に含む。該方法は、第３の組のベクトルの各ベクトルを第１の組のベクトル内の対応するベクトルから減算することによって、第４のベクトルマップを生成することを更に含む。第４のベクトルマップは、第１のベクトルマップの平面成分を示している。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

メモリ、並びに
前記メモリに結合された処理デバイスを備える、システムであって、前記処理デバイスは、
基板の製造パラメータに関連付けられた第１のベクトルマップを受け取ることであって、前記第１のベクトルマップは、第１の組のベクトルを含み、前記第１の組のベクトルは、各々、前記基板上の複数の位置のうちの特定の１つの位置の歪みを示す、第１のベクトルマップを受け取ること、
前記第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成することであって、前記第２の組のベクトルは、各々、前記基板上の前記特定の１つの位置の前記歪みの大きさの方向における変化を示す、第２のベクトルマップを生成すること、
前記第２の組のベクトル内のベクトル及び前記第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいて、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを生成することであって、前記第３の組のベクトルは、前記基板上の前記複数の位置にわたる歪みの低減されたノイズを反映する、第３のベクトルマップを生成すること、並びに
前記第３の組のベクトルの各ベクトルを前記第１の組のベクトル内の対応するベクトルから減算することによって、第４のベクトルマップを生成することであって、前記第４のベクトルマップは、前記第１のベクトルマップの平面成分を示す、第４のベクトルマップを生成することを実行する、システム。

【請求項2】

前記第１のベクトルマップは、面内歪みマップを含む、請求項１に記載のシステム。

【請求項3】

前記処理デバイスは、更に、
前記第４のベクトルマップのｘ軸成分についての３シグマ値を生成すること、及び
前記第４のベクトルマップのｙ軸成分についての３シグマ値を生成することを実行する、請求項１に記載のシステム。

【請求項4】

前記処理デバイスは、更に、
前記第４のベクトルマップに基づいて、修正措置を推奨する、請求項１に記載のシステム。

【請求項5】

前記処理デバイスは、更に、
前記第４のベクトルマップに基づいて、修正措置を自動的に実行する、請求項１に記載のシステム。

【請求項6】

メモリ、並びに
前記メモリに結合された処理デバイスを備える、システムであって、前記処理デバイスは、
基板の製造パラメータに関連付けられた第１のベクトルマップを受け取ることであって、前記第１のベクトルマップは、第１の組のベクトルを含み、前記第１の組のベクトルは、各々、前記基板上の複数の位置のうちの特定の１つの位置の歪みを示す、第１のベクトルマップを受け取ること、
前記第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成することであって、前記第２の組のベクトルは、各々、前記基板上の前記特定の１つの位置の前記歪みの大きさの方向における変化を示す、第２のベクトルマップを生成すること、
前記第２の組のベクトル内のベクトル及び前記第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいて、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを生成することであって、前記第３の組のベクトルは、前記基板上の前記複数の位置にわたる歪みの低減されたノイズを反映する、第３のベクトルマップを生成すること、
前記第３の組のベクトル内の各ベクトル成分の方向成分を径方向に投影することによって、第４の組のベクトルを含む第４のベクトルマップを生成すること、並びに
前記第４の組のベクトルのうちの前記ベクトルを群化し、ベクトルの各群に関連付けられた大きさを特定することによって、第５の組のベクトルを含む第５のベクトルマップを生成することであって、前記第５のベクトルマップは、前記基板が示す応力又は歪みのうちの少なくとも一方を示す、第５のベクトルマップを生成することを実行する、システム。

【請求項7】

前記処理デバイスは、更に、
前記第５の組のベクトル内の各ベクトルを前記第１の組のベクトル内の対応するベクトルから減算することによって、第６の組のベクトルを含む第６のベクトルマップを生成する、請求項６に記載のシステム。

【請求項8】

前記第１のベクトルマップは、面内歪みマップを含む、請求項６に記載のシステム。

【請求項9】

前記処理デバイスは、更に、
前記第５のベクトルマップのｘ軸成分についての３シグマ値を生成すること、及び
前記第５のベクトルマップのｙ軸成分についての３シグマ値を生成することを実行する、請求項６に記載のシステム。

【請求項10】

前記処理デバイスは、更に、
前記第５のベクトルマップに基づいて、修正措置を推奨する、請求項６に記載のシステム。

【請求項11】

前記処理デバイスは、更に、
前記第５のベクトルマップに基づいて、修正措置を自動的に実行する、請求項６に記載のシステム。

【請求項12】

前記処理デバイスは、更に、
前記第６のベクトルマップのｘ軸成分についての３シグマ値を生成すること、及び
前記第６のベクトルマップのｙ軸成分についての３シグマ値を生成することを実行する、請求項７に記載のシステム。

【請求項13】

前記処理デバイスは、更に、
前記第６のベクトルマップに基づいて、修正措置を推奨する、請求項７に記載のシステム。

【請求項14】

前記処理デバイスは、更に、
前記第６のベクトルマップに基づいて、修正措置を自動的に実行する、請求項７に記載のシステム。

【請求項15】

前記第６のベクトルマップは、前記基板上の１以上の異常を示す、請求項７に記載のシステム。

【請求項16】

基板の製造パラメータに関連付けられた第１のベクトルマップを受け取ることであって、前記第１のベクトルマップは、第１の組のベクトルを含み、前記第１の組のベクトルは、各々、前記基板上の複数の位置のうちの特定の１つの位置の歪みを示す、第１のベクトルマップを受け取ること、
前記第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成することであって、前記第２の組のベクトルは、各々、前記基板上の前記特定の１つの位置の前記歪みの大きさの方向における変化を示す、第２のベクトルマップを生成すること、
前記第２の組のベクトル内のベクトル及び前記第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいて、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを生成することであって、前記第３の組のベクトルは、前記基板上の前記複数の位置にわたる歪みの低減されたノイズを反映する、第３のベクトルマップを生成すること、並びに
前記第３の組のベクトルの各ベクトルを前記第１の組のベクトル内の対応するベクトルから減算することによって、第４のベクトルマップを生成することであって、前記第４のベクトルマップは、前記第１のベクトルマップの平面成分を示す、第４のベクトルマップを生成することを含む、方法。

【請求項17】

前記第１のベクトルマップは、面内歪みマップを含む、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

前記第４のベクトルマップのｘ軸成分についての３シグマ値を生成すること、及び
前記第４のベクトルマップのｙ軸成分についての３シグマ値を生成することを更に含む、請求項１６に記載の方法。

【請求項19】

前記第４のベクトルマップに基づいて、修正措置を推奨することを更に含む、請求項１６に記載の方法。

【請求項20】

前記第４のベクトルマップに基づいて、修正措置を自動的に実行することを更に含む、請求項１６に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

[0001] 本開示は、データ統合に関し、特に、面内歪み（in-plane distortion）の解析に関する。

【背景技術】

【0002】

[0002] 製品は、製造設備を使用して１以上の製造プロセスを実行することによって製造されてよい。例えば、半導体製造設備は、半導体製造プロセスを介してウエハを製造するために使用されてよい。センサを使用して、製造プロセス中に製造設備の製造パラメータを特定することができる。計測設備を使用して、製造設備によって製造された製品の特性データを特定することができる。

【発明の概要】

【0003】

[0003] 以下に示しているのは、本開示の幾つかの態様の基本的な理解を提供するための、本開示の簡略化された概要である。この概要は、本開示の網羅的な要約ではない。これは、本開示の主要点又は重要要素を特定するためのものでも、本開示の特定の実施態様の何らかの範囲又は特許請求の何らかの範囲を規定するためのものでもない。この概要の唯一の目的は、本開示の概念の一部を、後述するより詳細な説明の導入部として、簡略化した形態で提示することである。

【0004】

[0004] 本開示の一態様では、方法が、第１の組のベクトルを含む第１のベクトルマップを受け取ることを含んでよい。第１の組のベクトルは、各々、基板上の複数の位置のうちの特定の１つの位置の歪みを示している。該方法は、第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成することを更に含む。該方法は、第２の組のベクトル内のベクトル及び第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいて、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを生成することを更に含む。該方法は、第３の組のベクトルの各ベクトルを第１の組のベクトル内の対応するベクトルから減算することによって、第４のベクトルマップを生成することを更に含む。第４のベクトルマップは、第１のベクトルマップの平面成分を示している。

【0005】

[0005] 本開示の別の一態様では、方法が、第１の組のベクトルを含む第１のベクトルマップを受け取ることを含んでよい。第１の組のベクトルは、各々、基板上の複数の位置のうちの特定の１つの位置の歪みを示している。該方法は、第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成することを更に含む。該方法は、第２の組のベクトル内のベクトル及び第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいて、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを生成することを更に含む。該方法は、第３の組のベクトル内の各ベクトルの方向成分を径方向に投影することによって、第４の組のベクトルを含む第４のベクトルマップを生成することを更に含む。該方法は、第４の組のベクトルのベクトルを群化し、ベクトルの各群に関連付けられた大きさを特定することによって、第５の組のベクトルを有する第５のベクトルマップを生成することを更に含んでよい。第５のベクトルマップは、径方向マップであってよく、基板が示す応力又は歪みのうちの少なくとも一方を示してよい。

【0006】

[0006] 本開示の別の一態様では、方法が、第５の組のベクトル内の各ベクトルを第１の組のベクトル内の対応するベクトルから減算することによって、第６の組のベクトルを含む第６のベクトルマップを生成してよい。第６のベクトルマップは、残留マップ（residue map）であってよく、基板内の異常を示してよい。

【0007】

[0007] 本開示は、添付図面の図において、限定としてではなく例として示されている。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】[0008] 特定の実施形態による例示的なシステムアーキテクチャを示すブロック図である。

【図2】[0009] 特定の実施形態による評価マップの生成を示すブロック図である。

【図3】[00010] 特定の実施形態による平面マップを生成する方法のフロー図である。

【図4】[00011] 特定の実施形態による径方向マップ及び残留マップを生成する方法のフロー図である。

【図5A】[00012] 図５Ａ～図５Ｅは、特定の実施形態によるIPDマップ及び評価マップを示すグラフである。

【図5B】図５Ａ～図５Ｅは、特定の実施形態によるIPDマップ及び評価マップを示すグラフである。

【図5C】図５Ａ～図５Ｅは、特定の実施形態によるIPDマップ及び評価マップを示すグラフである。

【図5D】図５Ａ～図５Ｅは、特定の実施形態によるIPDマップ及び評価マップを示すグラフである。

【図5E】図５Ａ～図５Ｅは、特定の実施形態によるIPDマップ及び評価マップを示すグラフである。

【図6】[00013] 特定の実施形態によるコンピュータシステムを示すブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

[00014] 面内歪みの解析を対象とする技術が、本明細書で説明される。垂直NAND（V-NAND）又は3D NANDメモリは、典型的には、メモリセルを垂直に積み重ね、チャージトラップフラッシュアーキテクチャ（charge trap flash architecture）を使用する。構築するために、導電性膜と絶縁性膜の交互層が、ウエハ基板上に積み重ねられる。複数の層を重ねることで、より高いストレージ密度を生み出す。費用を削減するよう高いスループットを実現するために、製造業者は、典型的には、リアクタへの高いエネルギー密度及びガス供給を可能にする。しかし、積層膜のための層の厚さ及び数が増えると、不十分なエネルギー供給及び不均一なガス流が、積み重ねられた3D NAND膜内の均一性の欠如をもたらす。したがって、均一性の欠如は、高い面内歪み（IPD）をもたらす。これは、3D NANDメモリの性能低下問題を招く可能性がある。

【0010】

[00015] IPDは、ウエハ基板上のオーバーレイベクトルマップによって描写されてよい。ウエハ上の位置及び／又は各論理ユニット（すなわち、ダイ）に対して、IPDは、x軸成分及びy軸成分を有するベクトルを含んでよい。ベクトルは、ウエハ上のある位置における歪みの大きさ及び方向を示してよい。歪みは、製造プロセス中に生じることがある、不適切なエネルギー分布、ガス流の不均一性、ハードウェア問題、設計問題、又は他の問題に起因して生じる可能性がある。オーバーレイベクトル分布の不均一性は、その３シグマ値によって特徴付けられてよい。３シグマは、確率を計算するために使用される統計ツールである。３シグマ値は、IPD分布が産業界の要件を満たす（例えば、良好な歩留まりを達成するためのリソグラフィステップに従う）かどうかについての基準として使用されてよい。しかし、３シグマ値は、どの（１以上の）エリアが面内歪みを減らすために改善及び／又は最適化される必要があるかに関して限られたデータしか与えない。更に、３シグマ値は、プロセス又はハードウェアの変更によるIPD不均一性への影響を測定することができない。

【0011】

[00016] 本明細書で開示されるデバイス、システム、及び方法は、計測データを使用して、ウエハ基板に関連付けられたIPDマップから評価マップを生成する。具体的には、本明細書で開示されるデバイス、システム、及び方法が、IPDマップに関連する種々の態様を解析及び分解してよい。第１の実施例では、本開示のシステムが、IPDマップの平面成分を特定するために、平面マップを生成してよい。平面成分は、製造設備のハードウェアの構成又は製造プロセス（例えば、プラズマとガス流分布との間の相互作用）のいずれかにおける、製造プロセスの潜在的な非対称性に起因する歪みを示してよい。平面マップは、平面成分の大きさを示してよい。

【0012】

[00017] 平面マップを生成するために、該システムは、先ず、基板の製造パラメータに関連付けられた第１のベクトルマップを受け取ってよい。第１のベクトルマップは、第１の組のベクトルを含んでよい。第１の組のベクトルは、各々、基板上の特定の１つの位置の歪みを示している。第１のベクトルマップは、IPDマップであってよい。次いで、該システムは、第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成してよい。第２の組のベクトルは、各々、基板上の特定の１つの位置の歪みの大きさの方向における変化を示してよい。次いで、該システムは、第２の組のベクトル内のベクトル及び第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいて、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを生成してよい。第３の組のベクトルは、基板上の位置にわたる歪みの低減されたノイズを反映してよい。次いで、該システムは、第３の組のベクトルの各ベクトルを第１の組のベクトル内の対応するベクトルから減算することによって、第４のベクトルマップを生成してよい。第４のベクトルマップは、第１のベクトルマップの平面成分を示してよい。

【0013】

[00018] 別の一実施例では、該システムが、IPDマップの径方向成分を特定するために、径方向マップを生成してよい。径方向成分は、ウエハにわたり加えられる引張応力及び圧縮応力に起因する歪みを示してよい。径方向マップの方向及び３シグマ値によって、製造設備の製造プロセス及びハードウェア部品が、基板の径方向IPDに対してどのような影響を有するかを測ることができる。

【0014】

[00019] 径方向マップを生成するために、該システムは、基板の製造パラメータに関連付けられた第１のベクトルマップを受け取ってよい。第１のベクトルマップは、第１の組のベクトルを含んでよい。第１の組のベクトルは、各々、基板上の複数の位置のうちの特定の１つの位置の歪みを示している。次いで、該システムは、第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成してよい。第２の組のベクトルは、各々、基板上の特定の１つの位置の歪みの大きさの方向における変化を示してよい。次いで、該システムは、第２の組のベクトル内のベクトル及び第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいて、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを更に生成してよい。第３の組のベクトルは、基板上の複数の位置にわたる歪みの低減されたノイズを反映してよい。該システムは、第３の組のベクトル内の各ベクトルの方向成分を径方向に投影することによって、第４の組のベクトルを含む第４のベクトルマップを更に生成してよい。該システムは、更に、第４の組のベクトルのベクトルを群化し、ベクトルの各群に関連付けられた大きさを特定することによって、第５の組のベクトルを有する第５のベクトルマップを生成してよい。第５のベクトルマップは、径方向マップを含んでよく、基板が示す応力及び／又は歪みを示してよい。

【0015】

[00020] 別の一実施例では、該システムが、IPDマップの残留成分を特定するために、残留マップを生成してよい。残留成分は、ハードウェア故障、プロセスの不安定性、ハードウェア設計の欠陥などに起因する局所的な不備を示してよい。残留マップを生成するために、該システムは、第５の組のベクトル内の各ベクトルを第１の組のベクトル内の対応するベクトルから減算することによって、第６の組のベクトルを含む第６のベクトルマップを生成してよい。

【0016】

[00021] 本開示の複数の態様は、エネルギー消費、製品の欠陥、性能問題、プロセッサオーバヘッドなどの大幅な低減という技術的な利点をもたらす。幾つか実施形態では、製造設備によって製造される各ウエハについての評価マップを生成することから、それらの技術的な利点が得られる。評価マップは、IPDマップの平面成分を詳述する平面マップ、IPDマップの径方向成分を詳述する径方向マップ、及びIPDの残留成分を詳述する残留マップを含んでよい。評価マップにより、ユーザ又はシステムは、欠陥のある又は不良な製品をもたらし得る製造ハードウェア及びプロセス問題を特定することが可能になる。更に、評価マップにより、ユーザ又は該システムは、製造プロセスを最適化又は改善する方法を特定することが可能になり、したがって、従来のアプローチと比較したときに、より少ないエネルギー消費、より少ない欠陥製品、及び改善されたIPDをもたらしてよい。

【0017】

[00022] 図１は、特定の実施形態による例示的なシステムアーキテクチャ１００を示すブロック図である。システムアーキテクチャ１００は、クライアントデバイス１０６、評価マップ生成システム１１０、センサシステム１２０、計測システム１３０、及びデータストア１４０を含む。評価マップ生成システム１１０は、平面マップ１６２を生成する平面マップ生成器１１２、径方向マップ１６４を生成する径方向マップ生成器１１４、及び残留マップ１６６を生成する残留マップ生成器１１６を含んでよい。センサシステム１２０は、センササーバ１２２（例えば、製造施設におけるフィールドサービスサーバ（FSS））、製造設備１２４、センサ１２６、及びセンサ識別子リーダ１２８（例えば、センサシステム１２０用の前方開口型統一ポッド（FOUP）無線周波数識別（RFID）リーダ）を含んでよい。計測システム１３０は、計測サーバ１３２（例えば、計測データベースや計測フォルダなど）、計測設備１３４、計測識別子リーダ１３６（例えば、計測システム１３０用のFOUP RFIDリーダ）、及び面内歪みマップ生成器１３８を含んでよい。

【0018】

[00023] センサ１２６は、製造設備１２４によって対応する製品（例えば、基板又はウエハ）を製造することに関連付けられたセンサ値１４４（例えば、製造パラメータ）を提供してよい。センサ値１４４は、温度（例えば、ヒータ温度）、間隔（SP）、圧力、高周波無線周波数（HFRF）、静電チャック（ESC）の電圧、電流、流れ、電力、電圧、プラズマ及び／又はガス流、エネルギー分布などのうちの１以上の値を含んでよい。センサ値１４４は、製造設備のハードウェアパラメータ（例えば、製造設備１２４の設定若しくは構成要素（例えば、サイズや種類など））、又は製造設備のプロセスパラメータ（例えば、流量）などの製造パラメータに関連付けられ、或いはそれらを示してよい。センサ値１４４は、製造設備１２４が製造プロセスを実行している間に提供されてよい（例えば、ウエハを処理しているときの設備読み取り値）。センサ値１４４は、各製品（例えば、各ウエハ）に対して異なる場合がある。

【0019】

[00024] センサ識別子リーダ１２８（例えば、センサシステム１２０用のFOUP RFIDリーダ）は、センサキャリア識別子（例えば、FOUP識別子、ウエハキャリア識別子、スロット識別子など）を提供してよい。センササーバ１２２は、センサキャリア識別子やタイムスタンプ（例えば、日付や時刻など）を含む、センサデータ識別子１４６を生成してよい。センサキャリア識別子は、センサシステム１２０によって（例えば、センサ識別子リーダ１２８を介して）特定されるキャリア識別子（例えば、FOUP識別子など）であってよい。センササーバ１２２は、センサ値１４４及びセンサデータ識別子１４６を含む、センサデータ１４２を生成してよい。幾つかの実施形態では、センサデータ１４２（例えば、センサデータ識別子１４６）が、製品識別子１４８を更に含む。例えば、複数の製品（例えば、２５枚のウエハ）が、同じセンサキャリア識別子に関連付けられてよく、各製品識別子１４８が、製品の順序（例えば、ウエハキャリア内の第１のウエハや第２のウエハなど）を示してよい。

【0020】

[00025] 計測設備１３４は、製造設備１２４によって製造された製品（例えば、ウエハ）に関連付けられた計測値１５２（例えば、ウエハの特性データ）を提供してよい。計測値１５２は、膜特性データ（例えば、ウエハの空間膜特性）、寸法（例えば、厚さや高さなど）、面内歪み及び／又は均一性、誘電率、ドーパント濃度、密度、欠陥などのうちの１以上の値を含んでよい。計測値１５２は、完成品又は途中まで仕上げられた製品のものであってよい。計測値１５２は、各製品（例えば、各ウエハ）に対して異なる場合がある。

【0021】

[00026] 計測識別子リーダ１３６（例えば、計測システム１３０用のFOUP RFIDリーダ）は、計測キャリア識別子（例えば、FOUP識別子、ウエハキャリア識別子、スロット識別子など）を提供してよい。計測キャリア識別子は、計測システム１３０によって（例えば、計測識別子リーダ１３６を介して）特定されるキャリア識別子（例えば、FOUP識別子など）であってよい。同じ製品（例えば、同じウエハ）に対応する計測キャリア識別子とセンサキャリア識別子は、同じキャリア識別子（例えば、同じFOUP ID）であってよく、同じキャリア（例えば、同じFOUP）に対応するものであってよい。計測サーバ１３２は、計測キャリア識別子やタイムスタンプ（例えば、日付や時刻など）を含む、計測データ識別子１５４を生成してよい。計測サーバ１３２は、計測値１５２及び計測データ識別子１５４を含む、計測データ１５０を生成してよい。幾つかの実施形態では、計測データ１５０が、製品識別子１５６を更に含む。例えば、複数の製品（例えば、２５枚のウエハ）が、同じ計測データ識別子１５４（例えば、ウエハキャリア識別子）に関連付けられてよく、各製品識別子１５６が、製品の順序（例えば、ウエハキャリア内の第１のウエハや第２のウエハなど）を示してよい。

【0022】

[00027] 幾つかの実施形態では、製品キャリア（例えば、FOUPやウエハキャリア）が、製品を製造設備１２４から計測設備１３４に移送してよい。製品は、センサシステム１２０内及び計測システム１３０内の同じ順序（例えば、FOUP又はウエハキャリア内の同じ位置）を維持してよい。例えば、ウエハは、（計測システム１３０を介して計測データ１５０を提供するために）それらが計測設備１３４の内外にロードされたのと同じ順序で、（ウエハの処理のため及びセンササーバ１２２を介してセンサデータ１４２を提供するために）製造設備１２４の内外にロードされてよい。幾つかの実施形態では、同じ製品に対応する、センサキャリア識別子（例えば、センサシステム１２０に関連付けられたFOUP ID）及び（例えば、計測システム１３０に関連付けられたFOUP ID）が、同じ製品キャリア（例えば、同じFOUP）及び／又はキャリア識別子に関連付けられている（例えば、センサキャリア識別子と計測キャリア識別子が同じである）。

【0023】

[00028] IPDマップ生成器１３８は、計測値１５２からIPDマップ１５８を生成してよい。IPDマップ１５８は、ウエハ上の複数の位置の各々における歪みベクトル、及びウエハ上のダイの座標を含む、オーバーレイベクトルマップであってよい。ベクトルマップ上の各ベクトルは、ｘ軸成分及びｙ軸成分を含んでよい。製造設備１２４によって製造された各ウエハは、その計測値１５２に基づいて生成されたIPDマップ１５８を有してよい。各ベクトルは、ウエハ上の１つの位置に、又はウエハ上のダイ（例えば、論理ユニット）に関連付けられてよい。図５Ａは、例示的なIPDマップを示しているグラフである。具体的には、図５Ａが、ナノメートルで測定された複数の位置におけるベクトルを有するIPDマップを示している。各IPDマップ１５８は、x軸成分及びｙ軸成分についての３シグマ値を含んでよい。

【0024】

[00029] ３シグマは、確率を計算するために使用される統計ツールである。IPDマップ生成器１３８は、IPDマップ上のｘ軸成分の標準偏差を先ず計算することによってｘ軸成分についての３シグマ値を特定し得、IPDマップ上のｙ軸成分の標準偏差を先ず計算することによってｙ軸成分についての３シグマ値を特定し得る。各標準偏差に３が乗じられ、その積を平均値（ｘ軸成分の平均値及びｙ軸成分の平均値）から減算してよい。結果として生じる３シグマ値は、他のベクトルが３シグマ値よりも低い値（例えば、大きさ）を有するであろう確率が高い（例えば、９９．７３％）ことを示す。
図５Ａで示されているようにｘ軸成分についての３シグマ値は１２．３ナノメートルであり、ｙ軸成分についての３シグマ値は１１．９ナノメートルである。３シグマ値は、ベクトルマップの種類ごとに特定されてよい。例えば、平面マップ生成器１１２は、平面マップ１６２について３シグマ値を特定してよく、径方向マップ生成器１１４は径方向マップ１６４について３シグマ値を特定してよく、及び、残留マップ生成器１１６は残留マップ１６６について３シグマ値を特定してよい。更に、平面マップ１６２、径方向マップ１６４、及び残留マップ１６６を生成するプロセス中に生成される中間ベクトルマップについて、評価マップ生成システム１１０によって、３シグマ値が特定されてよい。以下、より詳しく説明することとなる。

【0025】

[00030] 図１に戻って参照すると、クライアントデバイス１０６、評価マップ生成システム１１０、センサシステム１２０（例えば、センササーバ１２２、製造設備１２４、センサ１２６、センサ識別子リーダ１２８など）、計測システム１３０（例えば、計測サーバ１３２、計測設備１３４、計測識別子リーダ１３６、IPDマップ生成器など）、並びにデータストア１４０が、解析構成要素１０８による修正措置を実行するために、平面マップ１６２、径方向マップ１６４、及び残留マップ１６６を生成するようネットワーク１７０を介して互いと結合されてよい。修正措置は、相関データベース１６８からのデータに基づいてよい。相関データベース１６８は、IPDマップ１５８、平面マップ１６２、径方向マップ１６４、及び／又は残留マップのうちの１以上から特定された１以上の種類の変形又は欠陥を、その変形及び／又は欠陥の１以上の原因に関連付けてよい。

【0026】

[00031] 幾つかの実施形態では、ネットワーク１７０が、公共ネットワークである。その公共ネットワークは、クライアントデバイス１０６に、評価マップ生成システム１１０、データストア１４０、及び他の公的に利用可能な計算デバイスへのアクセスを提供する。幾つかの実施形態では、ネットワーク１７０が、私的ネットワークである。その私的ネットワークは、評価マップ生成システム１１０に、センサシステム１２０、計測システム１３０、データストア１４０、及び他の私的に利用可能な計算デバイスへのアクセスを提供し、クライアントデバイス１０６に、マップ生成システム１１０、データストア１４０、及び他の私的に利用可能な計算デバイスへのアクセスを提供する。ネットワーク１７０は、１以上のワイドエリアネットワーク（WAN）、ローカルエリアネットワーク（LAN）、有線ネットワーク（例えば、イーサネットネットワーク）、無線ネットワーク（例えば、802.11ネットワーク若しくはWi-Fiネットワーク）、セルラーネットワーク（例えば、ロングタームエボリューション（LTE）ネットワーク）、ルータ、ハブ、スイッチ、サーバコンピュータ、クラウドコンピューティングネットワーク、及び／又はこれらの組み合わせを含んでよい。

【0027】

[00032] クライアントデバイス１０６は、パーソナルコンピュータ（PC）、ラップトップ、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ネットブックコンピュータ、ネットワーク接続テレビ（「スマートテレビ」）、ネットワーク接続メディアプレーヤー（例えば、ブルーレイプレーヤー）、セットトップボックス、オーバーザトップ（OTT）ストリーミングデバイス、オペレータボックスなどの計算デバイスを含んでよい。クライアントデバイス１０６は、製造設備１２４によって製造された製品（例えば、基板、ウエハ、ダイなど）に関連付けられた計測データ（データストア１４０からの、計測システム１３０からの、など）を取得することができ、評価マップ生成システム１１０によって生成される１以上の評価マップ１６０をリクエストするユーザ入力を受け取ってよく、リクエストされた評価マップを受け取ってよく、製造設備１２４に関連付けられたセンサデータ（例えば、データストア１４０からの、センサシステム１２０からの、など）を取得することができ、及び、評価マップに基づいて、修正措置（例えば、製造設備１２４の製造パラメータの調整）を行うことができる。各クライアントデバイス１０６は、ユーザが、データ（例えば、製造設備１２４に関連付けられた表示や製造設備１２４に関連付けられた修正措置など）を生成すること、視認すること、又は編集することのうちの１以上を行うことを可能にする、オペレーティングシステムを含んでよい。幾つかの実施形態では、計測データ１５０が、（例えば、センサデータ１４２に関連付けられた製造パラメータを使用して製造された）製品の履歴特性データに対応する。

【0028】

[00033] 欠陥のある製品をもたらす製造プロセスを実行することによって、欠陥のある製品を作製するために用いられる時間、エネルギー、及び製造設備１２４、並びに、欠陥を特定し、欠陥のある製品を捨てる費用などにおいて、出費がかさみ得る。現在のセンサデータ及び／又は計測データを入力すること、評価マップ１６０の出力を受け取ること、及び評価マップ１６０に基づいて修正措置をとることによって、システム１００は、欠陥のある製品の製造、特定、及び廃棄の出費を回避するという技術的な利点を有し得る。

【0029】

[00034] 製造パラメータは、資源（例えば、エネルギー、冷却剤、ガスなど）の消費の増加、製品を製造するための時間量の増加、構成要素故障の増加、欠陥のある製品の量の増加などの、費用がかかる結果を有する場合がある製品を製造することにおいて、最適ではない可能性がある。評価マップ１６０を生成すること及び評価マップ１６０内で示された結果（例えば、平面性、変形、応力、歪み、異常など）を解析すること、並びに、製造設備１２４の製造パラメータを調整することによって、システム１００は、最適ではない製造パラメータの出費がかさむ結果を回避するために、最適な製造パラメータ（例えば、ハードウェアパラメータ、プロセスパラメータ、最適な設計）を使用する、技術的な利点を有し得る。

【0030】

[00035] 修正措置は、計算処理制御（CPC）、統計処理制御（SPC）、自動処理制御（APC）、予防的動作保守、設計最適化、製造パラメータの更新、フィードバック制御、機械学習改修、製造構成要素の交換又は修理など、のうちの１以上に関連付けられてよい。

【0031】

[00036] センサデータ１４２は、製造設備１２４の製造プロセスに関連付けられてよく、計測データ１５０は、製造プロセスによって製造される完成品の特性に関連付けられてよい。別の一実施例では、製造設備が膜材料ディスペンサであってよく、製造プロセスがウエハの上に膜の層を分配してよい。センサデータ１４２は、ガス流分布や流量などを示してよい。計測データ１５０は、膜の厚さや歪みなどを示してよい。計測データ１５０は、IPDマップ（例えば、IPDマップ１５８）上の面内歪みを更に示してよい。

【0032】

[00037] 評価マップ生成構成要素１１０は、IPDマップ１５８を使用して、評価マップ１６０を生成することができる。評価マップ１６０は、IPDマップを評価してよく、IPDマップの変形特性を示してよい。例えば、評価マップ生成構成要素１１０は、１以上の平面マップ１６２、１以上の径方向マップ１６４、及び１以上の残留マップ１６６を生成してよい。平面マップは、ウエハの平面性の方向を示してよい。具体的には、平面マップが、ウエハ上の積層膜によって生じる傾斜効果の方向を示してよい。径方向マップは、ウエハにわたる応力及び／又は歪み（例えば、圧縮応力や引張応力など）を示してよい。残留マップは、ウエハ上の異常を示してよい。評価マップ１６０の各々は、３シグマ値を含んでよい。評価マップ１６０の各々上のベクトルの３シグマ値、大きさ、及び／又は方向は、歪み、応力、異常などの深刻度を示してよい。評価マップ１６０に基づいて、クライアントデバイス１０６は、（例えば、解析構成要素１０８を介して）修正措置を推奨してよく又は修正措置を実行させてよい。それらのいずれも、ユーザ入力によるものか又は自動で行われる。

【0033】

[00038] 製造パラメータは、ハードウェアパラメータ（例えば、構成要素の交換や特定の構成要素の使用など）及び／又はプロセスパラメータ（例えば、温度、圧力、流量など）を含んでよい。幾つかの実施形態では、修正措置が、予防的動作保守（例えば、製造設備１２４の構成要素の交換、処理、洗浄など）をもたらす。幾つかの実施形態では、修正措置が、設計最適化（例えば、最適化される製品のための製造パラメータ、製造プロセス、製造設備１２４などの更新）をもたらす。一実施例では、平面マップのベクトルの大きさ、ベクトルの方向、及び／又は３シグマ値（閾値と比較したとき）に基づいて、ハードウェア構成問題又はプラズマとガス流分布との間の望ましくない相互作用が示されてよい。別の一実施例では、径方向マップのベクトルの大きさ、方向、及び／又は３シグマ値に基づいて、エネルギー分布及びガス流問題が示され得る。更に別の実施例では、残留マップのベクトルの大きさ、方向、及び／又は３シグマ値に基づいて、ハードウェア設計の欠陥（例えば、電極上のアーク放電スポット）が示され得る。

【0034】

[00039] クライアントデバイス１０６は、解析構成要素１０８を含んでよい。解析構成要素１０８は、評価マップ用のリクエストのユーザ入力（例えば、クライアントデバイス１０６を介して表示されるGUIを介して）を受け取ってよい。幾つかの実施形態では、解析構成要素１０８が、そのリクエストを評価マップ生成システム１１０に送信し、評価マップ生成システム１１０からの出力（例えば、評価マップ１６０）を受け取り、解析用に評価マップ１６０を表示する。幾つかの実施形態では、解析構成要素１０８が、出力に基づいて修正措置を特定する。幾つかの実施形態では、解析構成要素１０８が、修正措置を自動的に又はユーザ入力を受け取ると実施させる（例えば、製造パラメータを変更する）。

【0035】

[00040] センササーバ１２２及び計測サーバ１３２は、各々、ラックマウントサーバ、ルータコンピュータ、サーバコンピュータ、パーソナルコンピュータ、メインフレームコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ、デスクトップコンピュータ、グラフィック処理ユニット（GPU）、アクセラレータ―特定用途向け集積回路（ASIC）（例えば、テンソルプロセッシングユニット（TPU））などの、１以上の計算デバイスを含んでよい。

【0036】

[00041] データストア１４０は、メモリ（例えば、ランダムアクセスメモリ）、ドライブ（例えば、ハードドライブやフラッシュドライブ）、データベースシステム、又はデータを記憶することができる別の種類の構成要素若しくはデバイスであってよい。データストア１４０は、複数の計算デバイス（例えば、複数のサーバコンピュータ）に跨ってよい複数のストレージ構成要素（例えば、複数のドライブ又は複数のデータベース）を含んでよい。データストア１４０は、センサデータ１４２、計測データ１５０、及び評価マップ１６０を記憶してよい。

【0037】

[00042] センサデータ１４２は、センサ値、センサデータ識別子１４６、及び製品識別子１４８を含んでよい。計測データ１５０は、計測値１５２、計測データ識別子１５４、製品識別子１５６、及びIPDマップ１５８を含んでよい。センサデータ１４２の各インスタンス（例えば、組）は、対応する製品キャリア（例えば、センサデータ識別子１４６に関連付けられた）、対応するタイムスタンプ（例えば、センサデータ識別子１４６に関連付けられた）、及び／又は対応する製品（例えば、製品識別子１４８に関連付けられた）に対応してよい。計測データ１５０の各インスタンス（例えば、組）は、対応する製品キャリア（例えば、計測データ識別子１５４に関連付けられた）、対応するタイムスタンプ（例えば、計測データ識別子１５４に関連付けられた）、及び／又は対応する製品（例えば、製品識別子１５６に関連付けられた）に対応してよい。

【0038】

[00043] 幾つかの実施形態では、クライアントデバイス１０６と、評価マップ生成システム１１０と、センササーバ１２２と、計測サーバ１３２の機能が、より少ない数の機械によって提供されてよい。幾つかの実施形態では、評価マップ生成システム１１０、センササーバ１２２、及び計測サーバ１３２が、単一の機械に統合されてよい。

【0039】

[00044] クライアントデバイス１０６と、センササーバ１２２と、計測サーバ１３２によって実行される、一実施形態で説明される機能がまた、適切であれば、他の複数の実施形態において評価マップ生成システム１１０でも実行され得ることに留意されたい。加えて、特定の構成要素に帰属する機能性は、異なる又は複数の構成要素が共に動作することによって実行され得る。評価マップ生成システム１１０は、適切なアプリケーションプログラミングインターフェース（API）を介して他のシステム又はデバイスに提供されるサービスとしてアクセスされてよい。

【0040】

[00045] 複数の実施形態では、「ユーザ」が、１人の個人として表されてよい。しかし、本開示の他の実施形態は、「ユーザ」が、複数のユーザ及び／又は自動化されたソースによって制御されるエンティティであることを包含する。例えば、管理者の群として連合する個々のユーザの組は、「ユーザ」とみなされてよい。

【0041】

[00046] 本開示の実施形態は、製造設備（例えば、半導体製造設備）において修正措置を実行するために評価マップ１６０を生成するという観点で説明されるが、複数の実施形態はまた、概して、措置を実行するために複数の種類のデータを集約することにも適用されてよい。複数の実施形態は、概して、異なる種類のデータを統合することに適用されてよい。例えば、センサデータは、構成要素の寿命を予測するために、対応する構成要素の故障データと集約されてよい。別の一実施例では、複数の画像の画像分類を予測するために、画像が、対応する画像分類と集約されてよい。

【0042】

[00047] 図２は、特定の複数の実施形態による、IPDマップ２５８（例えば、図１のIPDマップ１５８）を使用して評価マップ（例えば、図１の評価マップ１６０）を生成するためのシステム２００を例示するブロック図である。図２のシステムは、データ入力２０５、評価マップ生成システム２１０、及びデータ出力２２０を示している。

【0043】

[00048] 幾つかの実施形態では、評価マップ生成システム２１０が、１以上のデータ入力２０５（例えば、１以上のIPDマップ２５８）を受け取ってよい。１以上のデータ入力２０５は、自動的に又はユーザ入力（例えば、リクエスト）によって、評価マップ生成システム２１０に送られてよい。幾つかの実施形態では、平面マップ生成器２１２（例えば、図１の平面マップ生成器１１２）が、１以上の平面マップ２６２を生成してよい。平面マップを生成するプロセスは、図３でより詳細に説明されることとなる。幾つかの実施形態では、径方向マップ生成器２１４（例えば、図１の径方向マップ生成器１１４）が、１以上の径方向マップ２６４を生成してよい。径方向マップを生成するプロセスは、図４でより詳細に説明されることとなる。幾つかの実施形態では、残留マップ生成器２１６（例えば、図１の残留マップ生成器１１６）が、１以上の残留マップ２６６を生成してよい。残留マップを生成するプロセスは、図４でより詳細に説明されることとなる。

【0044】

[00049] 図３は、特定の複数の実施形態による、平面マップ（例えば、図１の平面マップ１６２）を生成するための方法３００のフロー図である。方法３００は、ハードウェア（例えば、回路、専用ロジック、プログラマブルロジック、マイクロコード、処理デバイスなど）、ソフトウェア（処理デバイス、汎用コンピュータシステム、又は専用マシンで実行される指示命令など）、ファームウェア、マイクロコード、又はこれらの組み合わせを含んでよい、処理ロジックによって実行されてよい。一実施形態では、方法３００が、部分的に、評価マップ生成システム１１０（例えば、平面マップ生成器１１２）によって実行されてよい。幾つかの実施形態では、非一時的なストレージ媒体が、指示命令を記憶する。該指示命令は、処理デバイス（例えば、評価マップ生成システム１１０の）によって実行されると、処理デバイスに方法３００を実行させる。

【0045】

[00050] 説明を単純にするために、方法３００は、一連の動作として描かれ、説明される。しかし、本開示に従った複数の動作は、様々な順序で及び／又は同時に行われ、本明細書で提示も説明もされていない別の動作と共に行われ得る。更に、開示される主題に従って方法３００を実施するために、必ずしも全ての図示された動作が実行されるわけではない。加えて、当業者は、方法３００が、代替的に、状態図又は事象を介して一連の相互に関連する状態として表され得ることを理解し、把握するであろう。

【0046】

[00051] 製造設備１２４のハードウェアの構成か又は製造プロセス（例えば、プラズマとガス流分布との相互作用）かのいずれかで、製造プロセスの潜在的な非対称性に起因として、IPDマップは、高い面内歪みをもたらし得る平面成分を有することがある。方法３００の動作は、平面成分の大きさを示す平面マップを生成する。

【0047】

[00052] 図３を参照すると、ブロック３０２で、処理ロジックは、基板（例えば、ウエハ）の製造パラメータに関連付けられた第１のベクトルマップを受け取る。
第１のベクトルマップは、IPDマップ（例えば、IPDマップ１５８）であってよく、以下では、IPDマップと呼ばれることになる。IPDマップは、第１の組のベクトルを含んでよい。その場合、各ベクトルは、ウエハ上の特定の１つの位置の歪みを示している。IPDマップの各ベクトルは、方向及び大きさを示すｘ軸成分及びｙ軸成分を有してよい。IPDマップは、計測システム１３０からの計測データを使用して生成されてよく、データストア（例えば、図１のデータストア１４０）内に記憶されてよく、処理ロジックは、データストアからIPDマップを取得して（例えば、読み出して）よい。一実施例として、IPDマップは、基板の表面勾配の変化に基づいて算出されてよい。

【0048】

[00053] ブロック３０４で、処理ロジックは、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成する。処理ロジックは、第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって第２のベクトルマップを生成してよい。一実施例として、第２の組のベクトル内の各ベクトルは、近似的に又は正確に１８０度だけ回転される。第２の組のベクトルは、各々、基板上の特定の１つの位置の歪みの大きさの方向における変化を示してよい。第２のベクトルマップは、評価マップ生成システム１１０のキャッシュ若しくはメモリ構成要素内又はデータストア１４０内に記憶されてよい。第２のベクトルマップは、方法３００が実行されている間、一時的に、又は永久に記憶されてよい。

【0049】

[00054] ブロック３０６で、処理ロジックは、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを生成する。第３の組のベクトルは、第２の組のベクトル内のベクトル及び第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいてよい。一実施例では、処理ロジックが、第３のベクトルマップを生成するために、第１の組のベクトル上のベクトルを第２のベクトルマップ上のそれらのそれぞれの位置に追加する。次いで、各位置における合計は、２で除算されて、第３の組のベクトルを生成することができる。第３の組のベクトルは、基板上の位置にわたる歪みの低減されたノイズを反映してよい。処理ロジックは、第３のベクトルマップのｘ軸成分について及びｙ軸成分についての３シグマ値を生成してよい。図５Ｂは、第３の組のベクトルを含む、第３のベクトルマップの一実施例を示しているグラフである。図５Ｂで示されている第３のベクトルマップは、方法３００の上述のステップを図５Ａで示されているIPDマップに適用することによって生成される。図５Ｂの第３のベクトルマップのｘ軸についての３シグマ値は５．６nmであり、ｙ軸成分についての３シグマ値は５．１nmである。

【0050】

[00055] 図３に戻って参照すると、ブロック３０８で、処理ロジックは、第４の組のベクトルを含む第４のベクトルマップを生成する。第４のベクトルマップは、平面マップ（例えば、平面マップ１６２）であってよく、以下では、平面マップと呼ばれることになる。一実施例では、処理ロジックが、第３の組のベクトルの各ベクトルを第１の組のベクトル内の対応するベクトル成分から減算することによって、平面マップを生成する。平面マップは、IPDマップの平面成分を示している。第４の組のベクトルの方向及び大きさに基づいて、処理ロジックは、平面成分の方向を特定してよい。処理ロジックは、平面マップのｘ軸成分について及びｙ軸成分についての３シグマ値を生成してよい。図５Ｃは、平面マップの一実施例を示しているグラフである。図５Ｃのグラフのｘ軸についての３シグマ値は１０．７nmであり、ｙ軸成分についての３シグマ値は１０．６nmである。平面方向が、矢印５３０によって示されている。平面マップは、ハードウェア構成要素及び製造プロセスからの平面IPDに対する影響の定量化（例えば、大きさ及び方向を介した）を可能にする。解析構成要素１０８は、相関データベースを使用して、平面マップの変形又は欠陥セクションを、１以上の原因（例えば、製造設備のハードウェアの構成、製造プロセスパラメータ、例えば、プラズマとガス流分布との間の相互作用、など）に関連付けることができる。解析構成要素１０８は、平面マップに基づいて推奨を生成してよい。一実施例として、解析構成要素１０８は、平面成分を最小化するために、設計最適化、製造部品の交換、及び／又は製造プロセスの調整を推奨してよい。別の一実施例では、解析構成要素１０８は、平面マップに基づいて修正措置を自動的に実行してよく、例えば、ガス流分布を調整し、ペデスタルヒータのレベリングを実行して、平面性への寄与を修正するなどしてよい。

【0051】

[00056] 図４は、特定の複数の実施形態による、径方向マップ（例えば、図１の径方向マップ１６４）及び残留マップ（例えば、図１の残留マップ１６６）を生成するための方法４００のフロー図である。方法４００は、ハードウェア（例えば、回路、専用ロジック、プログラマブルロジック、マイクロコード、処理デバイスなど）、ソフトウェア（処理デバイス、汎用コンピュータシステム、又は専用マシンで実行される指示命令など）、ファームウェア、マイクロコード、又はこれらの組み合わせを含んでよい、処理ロジックによって実行されてよい。一実施形態では、方法４００が、部分的に、評価マップ生成システム１１０（例えば、径方向マップ生成器１１４及び／又は残留マップ生成器１１６）によって実行されてよい。幾つかの実施形態では、非一時的なストレージ媒体が、指示命令を記憶する。該指示命令は、処理デバイス（例えば、ベクトルマップ生成システム１１０の）によって実行されると、処理デバイスに方法４００を実行させる。

【0052】

[00057] 説明を単純にするために、方法４００は、一連の動作として描かれ、説明される。しかし、本開示に従った複数の動作は、様々な順序で及び／又は同時に行われ、本明細書で提示も説明もされていない別の動作と共に行われ得る。更に、開示される主題に従って方法４００を実施するために、必ずしも全ての図示された動作が実行されるわけではない。加えて、当業者は、方法４００が、代替的に、状態図又は事象を介して一連の相互に関連する状態として表され得ることを理解し、把握するであろう。方法４００の部分は、図３の方法３００のブロックと同様又は同じであってよい。

【0053】

[00058] 図４を参照すると、ブロック４０２で、処理ロジックは、基板（例えば、ウエハ）の製造パラメータに関連付けられた第１のベクトルマップを受け取る。第１のベクトルマップは、IPDマップ（例えば、IPDマップ１５８）であってよく、以下では、IPDマップと呼ばれることになる。IPDマップは、第１の組のベクトルを含んでよい。その場合、各ベクトルは、ウエハ上の特定の位置の歪みを示している。各ベクトルは、ｘ軸成分及びｙ軸成分を含んでよい。IPDマップは、データストア（例えば、図１のデータストア１４０）から取得（例えば、読み出）されてよい。

【0054】

[00059] ブロック４０４で、処理ロジックは、第２の組のベクトルを含む第２のベクトルマップを生成する。処理ロジックは、第１の組のベクトル内の各ベクトルのポジションを回転させることによって第２のベクトルマップを生成してよい。一実施例として、第２の組のベクトル内の各ベクトルは、近似的に又は正確に１８０度だけ回転される。第２の組のベクトルは、各々、基板上の特定の１つの位置の歪みの大きさの方向における変化を示してよい。第２のベクトルマップは、ベクトルマップ生成システム１１０のキャッシュ若しくはメモリ構成要素内又はデータストア１４０内に記憶されてよい。第２のベクトルマップは、方法４００が実行されている間、一時的に、又は永久に記憶されてよい。

【0055】

[00060] ブロック４０６で、処理ロジックは、第３の組のベクトルを含む第３のベクトルマップを生成する。第３の組のベクトルは、第２の組のベクトル内のベクトル及び第１の組のベクトル内の対応するベクトルに基づいてよい。一実施例では、処理ロジックが、第１の組のベクトル上のベクトルを第２のベクトルマップ上のそれらのそれぞれの位置に追加することによって、第３のベクトルマップを生成する。次いで、各位置における合計は、２で除算されて、第３の組のベクトルを生成することができる。第３の組のベクトルは、基板上の位置にわたる歪みの低減されたノイズを反映してよい。

【0056】

[00061] ブロック４０８で、処理ロジックは、第４の組のベクトルを含む第４のベクトルマップを生成する。一実施例では、処理ロジックが、第３の組のベクトル内の各ベクトルの方向成分を径方向に投影することによって、第４のベクトルマップを生成する。

【0057】

[00062] ブロック４１０で、処理ロジックは、第５の組のベクトルを含む第５のベクトルマップを生成する。第５のベクトルマップは、径方向マップ（例えば、径方向マップ１６４）であってよく、以下では、径方向マップと呼ばれることになる。一実施例では、処理ロジックが、第４の組のベクトルを群化してよく、ベクトルの各群（又は範囲）に関連付けられた平均的な大きさを特定してよい。ベクトルの方向は変更されないままであってよい。径方向マップは、基板全体が示す応力及び／又は歪みを示してよい。特に、径方向マップ内の各群において、全てのベクトルは同じ大きさ（例えば、径方向ベクトル）を有してよく、中心に向かっているか又は中心から遠ざかっているかのいずれかであってよい。中心に向かう方向は、その群の応力及び／又は歪みが圧縮的であることを示してよく、エネルギー密度が高いことを示してよい。中心から離れる方向は、引張局所応力及び／又は歪みを示してよく、エネルギー密度が相対的に低いことを示してよい。一実施例として、各径方向ベクトルは、双方向であってよいので、処理ロジックは、径方向ベクトルの方向に基づいて、正及び負の符号を各径方向ベクトルに割り当ててよい。例えば、中心に向かう方向の径方向ベクトル（圧縮応力を示す）には、正の符号が割り当てられてよく、中心から遠ざかる方向の径方向ベクトル（引張応力を示す）には、負の符号が割り当てられてよい。別の一実施例では、各径方向ベクトルには、その方向及び大きさに基づいて、色が割り当てられてよい。更に別の一実施例では、符号と色の任意の組み合わせが使用されて、第５のベクトルマップ上で応力及び／又は大きさを示すことができる。処理ロジックは、径方向マップのｘ軸成分について及びｙ軸成分についての３シグマ値を生成してよい。

【0058】

[00063] 図５Ｄは、例示的な径方向マップを示しているグラフである。図５Ｄのグラフのｘ軸についての３シグマ値は５．３nmであり、ｙ軸成分についての３シグマ値は５．３nmである。見られるように、径方向マップは、径方向ベクトルを含む複数の群を表示してよい。異なる色合いが各群（又は範囲）に関連付けられ、その色合いは、その群が圧縮性であるか（及びその大きさ）又はその群が引張性であるか（及びその大きさ）を示している。

【0059】

[00064] 径方向マップの方向及び３シグマ値によって、ユーザ又は解析構成要素１０８は、製造設備の製造プロセス及びハードウェア部品が、基板の径方向IPDに対してどのような影響を有するかを測ることができる。解析構成要素１０８は、径方向マップに基づいて、推奨を生成してよい。一実施例では、解析構成要素１０８が、径方向成分を最小化する（例えば、基板が受ける応力及び／又は歪みを最小化する）ために、設計最適化、製造部品の交換、及び／又は製造プロセスの調整を推奨してよい。別の一実施例では、解析構成要素１０８が、径方向マップに基づいて、修正措置を自動的に実行してよい。

【0060】

[00065] 図４に戻って参照すると、ブロック４１２で、処理ロジックは、第６の組のベクトルを含む第６のベクトルマップを生成する。第６のベクトルマップは、残留マップ（例えば、残留マップ１６４）であってよく、以下では、残留マップと呼ばれることになる。処理ロジックは、第５の組のベクトル内の各ベクトルを第１の組のベクトル内の対応するベクトルから減算することによって、残留マップを生成してよい。処理ロジックは、残留マップのｘ軸成分について及びｙ軸成分についての３シグマ値を生成してよい。残留マップの第６の組のベクトルは、方向及び大きさがばらばらであってよい。残留マップのある場所の大きさが高い場合、それは、ハードウェアの故障、プロセスの不安定性、又は局所的な欠陥を引き起こす任意の他のハードウェア若しくは製造プロセスを示してよい。例えば、特定の場所でパターンが出現することがあり、それは、ハードウェア設計の欠陥を示してよい。これに応じて、解析構成要素１０８は、ハードウェア構成要素を変更するための推奨、又はプロセスの安定性を改善するための新しい設計を生成する推奨を発行してよい。

【0061】

[00066] 図５Ｅは、例示的な残留マップを示しているグラフである。図５Ｅの残留マップのｘ軸についての３シグマ値は０．７nmであり、ｙ軸成分のついての３シグマ値は１．２nmである。見られるように、残留マップは小さな大きさの値及び小さな３シグマ値を表示し、それは、IPDマップ内に局所的な異常が存在しないことを示してよい。

【0062】

[00067] 解析構成要素１０８は、残留マップに基づいて、修正データベース１６８を使用して、推奨を生成してよい。一実施例として、解析構成要素１０８は、残留成分を最小化又は排除するために、設計最適化、製造部品の交換、及び／又は製造プロセスの調整を推奨してよい。別の一実施例では、解析構成要素１０８が、残留マップに基づいて、修正措置を自動的に実行してよい。

【0063】

[00068] 図６は、特定の複数の実施形態によるコンピュータシステム６００を示しているブロック図である。幾つかの実施形態では、コンピュータシステム６００が、他のコンピュータシステムに（例えば、ローカルエリアネットワーク（LAN）、イントラネット、エクストラネット、又はインターネットなどのようなネットワークを介して）接続されてよい。コンピュータシステム６００は、クライアントサーバネットワーク環境内でサーバ又はクライアントマシンの役割で、或いは、ピアツーピア（又は分散）ネットワーク環境内でピアマシンとして動作してよい。コンピュータシステム６００は、パーソナルコンピュータ（PC：personal computer）、タブレットPC、セットトップボックス（STB：set-top box）、パーソナルデジタルアシスタント（PDA：Personal Digital Assistant）、携帯電話、ウェブアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチ若しくはブリッジ、又は、そのマシンによって行われる動作を特定する（連続した又は別様な）一組の指示命令を実行可能な任意のマシンであってよい。更に、「コンピュータ」という用語は、本明細書で説明される方法のうちの任意の１以上を実行するために、一組（又は複数の組）の指示命令を個別に又は共同で実行するコンピュータの任意の集合を含むものとする。

【0064】

[00069] 更なる一態様では、コンピュータシステム６００が、処理デバイス６０２、揮発性メモリ６０４（例えば、ランダムアクセスメモリ（RAM））、不揮発性メモリ６０６（例えば、読み出し専用メモリ（ROM）又は電気的消去可能プログラマブルROM （EEPROM））、及びバス６０８を介して互いに通信することができるデータ記憶デバイス６１６を含んでよい。

【0065】

[00070] 処理デバイス６０２は、汎用プロセッサ（例えば、CISC（complex instruction set computing）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（RISC）マイクロプロセッサ、非常に長い命令ワード（VLIW）マイクロプロセッサ、他の種類の命令セットの組み合わせを実装するマイクロプロセッサ、又は特殊なプロセッサ（例えば、特定用途向け集積回路（ASIC）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）、デジタルシグナルプロセッサ（DSP）、ネットワークプロセッサ）など）などの１以上のプロセッサによって提供されてもよい。

【0066】

[00071] コンピュータシステム６００は、ネットワークインターフェースデバイス６２２を更に含んでよい。コンピュータシステム６００はまた、ビデオディスプレイユニット６１０（例えば、LCD）、英数字入力デバイス６１２（例えば、キーボード）、カーソル制御デバイス６１４（例えば、マウス）、及び信号生成デバイス６２０を含んでもよい。

【0067】

[00072] 幾つかの実施態様では、データストレージデバイス６１６が、図１の構成要素（例えば、評価マップ生成システム１１０や解析構成要素１０８など）を符号化する及び本明細書で説明される方法を実施するための指示命令を含む、本明細書で説明される方法又は機能のうちの任意の１以上を符号化する指示命令６２６を記憶してよい、非一時的なコンピュータ可読ストレージ媒体６２４を含んでよい。

【0068】

[00073] 指示命令６２６はまた、コンピュータシステム６００による実行中に、揮発性メモリ６０４内及び／又は処理デバイス６０２内に、完全に又は部分的に存在してもよく、したがって、揮発性メモリ６０４及び処理デバイス６０２はまた、機械可読ストレージ媒体を構成してもよい。

【0069】

[00074] コンピュータ可読ストレージ媒体６２４は、単一媒体として実施例に示されているが、「コンピュータ可読ストレージ媒体」という用語は、１以上の組の実行可能な指示命令を記憶する単一媒体又は複数の媒体（例えば、集中型若しくは分散型データベース、並びに／又は関連するキャッシュ及びサーバ）を含むものとする。用語、「コンピュータ可読ストレージ媒体」はまた、コンピュータに、本明細書で説明される方法のうちの任意の１以上を実行させる、コンピュータによる実行のための一組の指示命令を記憶又は符号化することが可能な任意の有形媒体を含むものとする。用語、「コンピュータ可読ストレージ媒体」は、ソリッドステートメモリ、光学媒体、及び磁気媒体を含むが、これらに限定されない。

【0070】

[00075] 本明細書で説明される方法、構成要素、及び特徴は、個別のハードウェア構成要素によって実装されてもよく、又はASICS、FPGA、DSP、若しくは同様のデバイスなどの他のハードウェア構成要素の機能に統合されてもよい。更に、方法、構成要素、及び特徴は、ハードウェアデバイス内のファームウェアモジュール又は機能回路によって実装され得る。更に、方法、構成要素、及び特徴は、ハードウェア装置及びコンピュータプログラム構成要素の任意の組み合わせで、又はコンピュータプログラムで実施することができる。

【0071】

[00076] 特に明記しない限り、「受け取る」、「特定する」、「生成する」、「記憶する」、「もたらす」、「訓練する」、「中断する」、「選択する」、「提供する」、「表示する」などの用語は、コンピュータシステムレジスタ及びメモリ内の物理（電子）量として表されるデータを、コンピュータシステムメモリ若しくはレジスタ又は他のそのような情報ストレージ、伝送、若しくは表示デバイス内の物理量として同様に表される他のデータに操作及び変換する、コンピュータシステムによって実行又は実装される動作及びプロセスを指す。また、本明細書で使用される用語「第１の」、「第２の」、「第３の」、「第４の」などは、異なる要素間を区別するためのラベルを意味し、それらの数字の指定に従う順序的な意味を有さないことがある。

【0072】

[00077] 本明細書で説明される実施例は、本明細書で説明される方法を実行するための装置にも関する。この装置は、本明細書に記載された方法を実行するために特別に構成されてもよく、又はコンピュータシステムに記憶されたコンピュータプログラムによって選択的にプログラムされた汎用コンピュータシステムを含んでもよい。このようなコンピュータプログラムは、コンピュータ読み取り可能な有形記憶媒体に記憶することができる。

【0073】

[00078] 本明細書で説明される方法及び例示的な実施例は、本質的に、任意の特定のコンピュータ又は他の装置に関連するものではない。様々な汎用システムが、本明細書で説明される教示に従って使用されてもよく、或いは、本明細書で説明される方法、及び／又はそれらの個々の機能、ルーチン、サブルーチン、又は動作のそれぞれを実行するために、より特殊化された装置を構築することが便利であることが分かる場合がある。様々なこれらのシステムのための構造の実施例は、上記の説明に記載されている。

【0074】

[00079] 上記の説明は、例示を意図したものであり、限定を意図したものではない。本開示は、特定の例示的な実施例及び実施態様を参照して説明されてきたが、本開示は、説明された実施例及び実施態様に限定されないことが認識されるであろう。したがって、本開示の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照し、そのような特許請求の範囲が権利を有する均等物の全範囲と共に規定されるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図5D】

【図5E】

【図6】

【国際調査報告】