特表 2023-550787 半導体プロセス機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2023-12-05

(54)【発明の名称】半導体プロセス機器

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20231128BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20231128BHJP

   C23C 16/455 20060101ALI20231128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 B

H01L21/68 N

C23C16/455

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023531592

(86)(22)【出願日】2021-11-17

(11)【特許番号】

(45)【特許公報発行日】2023-10-27

(85)【翻訳文提出日】2023-05-24

(86)【国際出願番号】 CN2021131149

(87)【国際公開番号】W WO2022111354

(87)【国際公開日】2022-06-02

(31)【優先権主張番号】202011340051.0

(32)【優先日】2020-11-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】510182294

【氏名又は名称】北京北方華創微電子装備有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＥＩＪＩＮＧ ＮＡＵＲＡ ＭＩＣＲＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＥＱＵＩＰＭＥＮＴ ＣＯ．， ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】ＮＯ．８ Ｗｅｎｃｈａｎｇ Ａｖｅｎｕｅ Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｅｃｏｎｏｍｉｃ－Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｒｅａ， Ｂｅｉｊｉｎｇ １００１７６， Ｃｈｉｎａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001771

【氏名又は名称】弁理士法人虎ノ門知的財産事務所

(72)【発明者】

【氏名】レン シァォイェン

(72)【発明者】

【氏名】ワン ヨンフェイ

(72)【発明者】

【氏名】シー シァォピン

(72)【発明者】

【氏名】ヂォン ブォ

(72)【発明者】

【氏名】ラン ユンフォン

(72)【発明者】

【氏名】チン ハイフォン

(72)【発明者】

【氏名】ヂャン ウェンチィアン

(72)【発明者】

【氏名】ワン ハオ

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

5F131

【Ｆターム（参考）】

4K030CA04

4K030CA12

4K030EA03

4K030EA04

4K030EA05

4K030EA06

4K030EA11

4K030GA01

4K030GA12

4K030HA01

4K030KA12

4K030LA15

5F045AA15

5F045BB08

5F045DP03

5F045DQ10

5F045EE17

5F045EG01

5F131AA02

5F131BA01

5F131CA32

5F131CA45

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA05

5F131EA23

5F131EB72

(57)【要約】

本願の実施例は半導体プロセス機器を提供し、該半導体プロセス機器はプロセスチャンバと、吸気装置と、ベースと、ガイド構造とを含み、プロセスチャンバの内部は上から下へプロセス領域及びウェハー搬送領域に分けられ、吸気装置はプロセスチャンバの頂部に設置され、プロセスガスをプロセス領域内に導入することに用いられ、ベースはウェハー搬送領域内に昇降可能に設置され、ウェハーを載置することに用いられ、ガイド構造はガス供給源に接続され、且つベースに固定設置され、ベースがプロセス位置にあるときに、ベースの外周面の外側にガスを吹き出して、ベースの外周面とプロセスチャンバの側壁の内周面との間にガスウォールを形成し、プロセス領域内のプロセスガスがウェハー搬送領域に入るのを遮断することを実現することに用いられ、プロセスチャンバの側壁に排気構造が設けられ、ベースがプロセス位置にあるときに、ガイド構造により吹き出されたガスを排出することに用いられる。本願の実施例は、プロセス領域とウェハー搬送領域との間の完全な分離を実現することができ、それによりプロセスチャンバのパージ時間を大幅に短縮し、機器の生産能力を向上させる。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体プロセス機器であって、プロセスチャンバと、吸気装置と、ベースと、ガイド構造とを含み、
前記プロセスチャンバの内部は上から下へプロセス領域及びウェハー搬送領域に分けられ、前記吸気装置は前記プロセスチャンバの頂部に設置され、プロセスガスを前記プロセス領域内に導入することに用いられ、
前記ベースは前記ウェハー搬送領域内に昇降可能に設置され、ウェハーを載置することに用いられ、
前記ガイド構造はガス供給源に接続され、且つ前記ベースに固定設置され、前記ベースがプロセス位置にあるときに、前記ベースの外周面の外側にガスを吹き出して、前記ベースの外周面と前記プロセスチャンバの側壁の内周面との間にガスウォールを形成し、前記プロセス領域内の前記プロセスガスが前記ウェハー搬送領域に入るのを遮断することを実現することに用いられ、
前記プロセスチャンバの側壁に排気構造が設けられ、前記ベースが前記プロセス位置にあるときに、前記ガイド構造により吹き出されたガスを排出することに用いられることを特徴とする半導体プロセス機器。

【請求項2】

前記ガイド構造は前記ベース内に設置されたガイドスリット及びガス流路を含み、前記ガイドスリットは環状であり、前記ベースの円周方向に延設され、且つ前記ガイドスリットの開口は前記ベースの外周面にあり、
前記ガス流路の両端はそれぞれ前記ガイドスリット及び前記ガス供給源に連通し、前記ガスを前記ガイドスリット内にガイドすることに用いられることを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセス機器。

【請求項3】

前記ベースはベース本体及び支持軸を含み、前記ベース本体は前記ウェハーを載置することに用いられ、前記ベース本体の外周面は前記ベースの外周面であり、前記支持軸は、一端が前記ベース本体に接続され、他端が前記プロセスチャンバの底壁を貫通して駆動源に接続され、前記駆動源の駆動下で前記ベース本体を昇降駆動し、
前記ガス流路は、前記ベース本体内に設置された水平部と、前記水平部から垂直下方に前記ベース本体及び前記支持軸を順に貫通する垂直部とを含み、前記水平部のガス放出端は前記ガイドスリットに連通し、前記垂直部の吸気端は前記ガス供給源に連通することを特徴とする請求項２に記載の半導体プロセス機器。

【請求項4】

前記ガス流路は複数本であり、複数本の前記ガス流路の前記水平部は前記ベース本体の円周方向に均等に配置され、且つ各本の前記ガス流路の前記水平部はいずれも前記ベース本体の半径方向に延び、複数本の前記ガス流路の前記垂直部は前記支持軸の軸線の周りに均等に配置されることを特徴とする請求項３に記載の半導体プロセス機器。

【請求項5】

前記ガイド構造は前記ベース内に設置された増圧キャビティをさらに含み、前記増圧キャビティは環状であり、前記ベースの軸線の周りに設置され、前記増圧キャビティはそれぞれ前記ガス流路のガス放出端及び前記ガイドスリットに連通し、前記増圧キャビティから排出された前記ガスの圧力を増加することに用いられることを特徴とする請求項２～４のいずれか１項に記載の半導体プロセス機器。

【請求項6】

前記排気構造は前記プロセスチャンバの側壁に設置された排気口、排気キャビティ及び第１排気チャンネルを含み、前記排気口は環状であり、前記プロセスチャンバの側壁の円周方向に延設され、前記排気口の吸気端は前記側壁の内周面にあり、且つ前記ベースがプロセス位置にあるときに、前記ガイドスリットの開口に対向し、
前記排気キャビティは環状であり、前記プロセスチャンバの側壁の円周方向に延設され、且つ前記排気キャビティはそれぞれ前記排気口のガス放出端及び前記第１排気チャンネルの吸気端に連通し、前記第１排気チャンネルのガス放出端は第１ガス抽出装置に連通することを特徴とする請求項２～４のいずれか１項に記載の半導体プロセス機器。

【請求項7】

前記プロセスチャンバの側壁又は底壁に設置された第２排気チャンネルをさらに含み、前記第２排気チャンネルの両端はそれぞれ前記ウェハー搬送領域及び前記第１ガス抽出装置に連通することを特徴とする請求項６に記載の半導体プロセス機器。

【請求項8】

プロセス排気構造をさらに含み、前記プロセス排気構造は前記プロセス領域に連通し、前記プロセス領域内のプロセスガスを排出することに用いられることを特徴とする請求項１に記載の半導体プロセス機器。

【請求項9】

前記プロセス排気構造は前記プロセスチャンバの側壁に設置された排気溝、排気グリッド及び第３排気チャンネルを含み、前記排気溝は環状であり、前記プロセスチャンバの側壁の円周方向に延設され、且つ前記排気溝の開口は前記プロセスチャンバの側壁の内周面にあり、
前記排気グリッドは環状であり、前記排気溝の開口の周りに設置され、
前記第３排気チャンネルの吸気端は前記排気溝に連通し、前記第３排気チャンネルのガス放出端は第２ガス抽出装置に連通することを特徴とする請求項８に記載の半導体プロセス機器。

【請求項10】

前記プロセスチャンバ内に仕切り板がさらに設置され、前記仕切り板は環状であり、前記プロセスチャンバの側壁の円周方向に延設され、前記仕切り板の外周縁は前記プロセスチャンバの内周面に接続され、且つ前記ベースが前記プロセス位置にあるときに、前記仕切り板の上面は前記ベースの上面と面一であることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載の半導体プロセス機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、半導体加工の技術分野に関し、具体的には、半導体プロセス機器に関する。

【背景技術】

【0002】

現在、集積回路技術が小型化、集積化、高性能化の方向に発展することに伴い、原子層成長（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、以下ＡＬＤと略称される）技術を用いる半導体プロセス機器は、フィルムの厚さが高度に制御でき、均一性に優れ、段差被覆率が高い等の様々な利点を有するため広く注目されており、且つ特定の分野で従来の化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，以下ＣＶＤと略称される）技術に取って代わり、ＡＬＤ技術は自体が層ごとに飽和吸着する特徴を有し、物質を単原子膜の形式でベースの表面に層ごとにメッキし、超薄で厚さが制御可能な膜層を形成することができる。

【0003】

ＡＬＤ機器にとって、２種の反応前駆体が遭遇しＣＶＤ反応が発生することを回避するために、如何に反応前駆体をプロセスチャンバ内から迅速に完全にパージし、次に別の反応前駆体を導入するかは、ＡＬＤ機器の大量生産における考慮に入れなければならない重要な問題である。２種の反応前駆体の遭遇は、原子レベルでのフィルムの成長速度の制御が不可能になることを引き起こし、また、２種の反応前駆体に反応が発生すると粒子が形成されることがある。従来の原子層成長技術では、通常、パージ時間を延長することにより反応前駆体を除去するが、半導体プロセス機器の生産能力が低減される。

【0004】

上記問題を解決するために、既存の１つの解決策では、分離板を追加することによりプロセスチャンバをプロセス領域及び搬送領域に分け、搬送領域に不活性ガスを導入することで、プロセス領域内のプロセスガスが搬送領域に入って粒子汚染を引き起こすことを回避し、仕切板とベースとの間に隙間があるため、該解決策はプロセスガスが搬送領域に拡散することを完全に回避することができず、反応前駆体を除去するには、依然として長いパージ時間が必要である。別の解決策の具体的な実現方法としては、ベースにボス構造を追加し、且つ該ボス構造と分離板との間に波形管、軟質材料、密封リング等の密封部材によって密封性接触を形成し、プロセス領域と搬送領域との完全な物理的分離を実現し、それによりプロセスガスが搬送領域に拡散することを完全に途絶することができ、ガスパージの時間を効果的に減少させる。しかしながら、該解決策に使用される物理的接触方法は、密封部位に粒子及び反応ガスが含まれやすいため、プロセスチャンバに粒子汚染をもたらし、また、密封部材は頻繁に移動し接触する必要があるため、その他の汚染及び移動部材の耐用年数の問題が存在する可能性があり、また、密封部材が低い温度範囲（例えば約２００℃以下）内しか使用できないため、高温プロセスのニーズを満たすことができない。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本願は、既存の方法の欠点に対して、半導体プロセス機器を提案することで、従来技術に存在しているパージ時間が長いためプロセスチャンバの生産能力が低いという技術的課題、及び密封部材の耐用年数が短く且つ適用性が低いという技術的課題を解決する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

第１態様によれば、本願の実施例は、プロセスチャンバと、吸気装置と、ベースと、ガイド構造とを含み、
前記プロセスチャンバの内部は上から下へプロセス領域及びウェハー搬送領域に分けられ、前記吸気装置は前記プロセスチャンバの頂部に設置され、プロセスガスを前記プロセス領域内に導入することに用いられ、
前記ベースは前記ウェハー搬送領域内に昇降可能に設置され、ウェハーを載置することに用いられ、
前記ガイド構造はガス供給源に接続され、且つ前記ベースに固定設置され、前記ベースがプロセス位置にあるときに、前記ベースの外周面の外側にガスを吹き出して、前記ベースの外周面と前記プロセスチャンバの側壁の内周面との間にガスウォールを形成し、前記プロセス領域内の前記プロセスガスが前記ウェハー搬送領域に入るのを遮断することを実現することに用いられ、
前記プロセスチャンバの側壁に排気構造が設けられ、前記ベースが前記プロセス位置にあるときに、前記ガイド構造により吹き出されたガスを排出することに用いられる半導体プロセス機器を提供する。

【0007】

本願の一実施例では、前記ガイド構造は前記ベース内に設置されたガイドスリット及びガス流路を含み、前記ガイドスリットは環状であり、前記ベースの円周方向に延設され、且つ前記ガイドスリットの開口は前記ベースの外周面にあり、
前記ガス流路の両端はそれぞれ前記ガイドスリット及び前記ガス供給源に連通し、前記ガスを前記ガイドスリット内にガイドすることに用いられる。

【0008】

本願の一実施例では、前記ベースはベース本体及び支持軸を含み、前記ベース本体は前記ウェハーを載置することに用いられ、前記ベース本体の外周面は前記ベースの外周面であり、前記支持軸は、一端が前記ベース本体に接続され、他端が前記プロセスチャンバの底壁を貫通して駆動源に接続され、前記駆動源の駆動下で前記ベース本体を昇降駆動し、
前記ガス流路は、前記ベース本体内に設置された水平部と、前記水平部から垂直下方に前記ベース本体及び前記支持軸を順に貫通する垂直部とを含み、前記水平部のガス放出端は前記ガイドスリットに連通し、前記垂直部の吸気端は前記ガス供給源に連通する。

【0009】

本願の一実施例では、前記ガス流路は複数本であり、複数本の前記ガス流路の前記水平部は前記ベース本体の円周方向に均等に配置され、且つ各本の前記ガス流路の前記水平部はいずれも前記ベース本体の半径方向に延び、複数本の前記ガス流路の前記垂直部は前記支持軸の軸線の周りに均等に配置される。

【0010】

本願の一実施例では、前記ガイド構造は前記ベース内に設置された増圧キャビティをさらに含み、前記増圧キャビティは環状であり、前記ベースの軸線の周りに設置され、前記増圧キャビティはそれぞれ前記ガス流路のガス放出端及び前記ガイドスリットに連通し、前記増圧キャビティから排出された前記ガスの圧力を増加することに用いられる。

【0011】

本願の一実施例では、前記排気構造は前記プロセスチャンバの側壁に設置された排気口、排気キャビティ及び第１排気チャンネルを含み、前記排気口は環状であり、前記プロセスチャンバの側壁の円周方向に延設され、前記排気口の吸気端は前記側壁の内周面にあり、且つ前記ベースがプロセス位置にあるときに、前記ガイドスリットの開口に対向し、
前記排気キャビティは環状であり、前記プロセスチャンバの側壁の円周方向に延設され、且つ前記排気キャビティはそれぞれ前記排気口のガス放出端及び前記第１排気チャンネルの吸気端に連通し、前記第１排気チャンネルのガス放出端は第１ガス抽出装置に連通する。

【0012】

本願の一実施例では、前記半導体プロセス機器は前記プロセスチャンバの側壁又は底壁に設置された第２排気チャンネルをさらに含み、前記第２排気チャンネルの両端はそれぞれ前記ウェハー搬送領域及び前記第１ガス抽出装置に連通する。

【0013】

本願の一実施例では、前記半導体プロセス機器はプロセス排気構造をさらに含み、前記プロセス排気構造は前記プロセス領域に連通し、前記プロセス領域内のプロセスガスを排出することに用いられる。

【0014】

本願の一実施例では、前記プロセス排気構造は前記プロセスチャンバの側壁に設置された排気溝、排気グリッド及び第３排気チャンネルを含み、前記排気溝は環状であり、前記プロセスチャンバの側壁の円周方向に延設され、且つ前記排気溝の開口は前記プロセスチャンバの側壁の内周面にあり、
前記排気グリッドは環状であり、前記排気溝の開口の周りに設置され、
前記第３排気チャンネルの吸気端は前記排気溝に連通し、前記第３排気チャンネルのガス放出端は第２ガス抽出装置に連通する。

【0015】

本願の一実施例では、前記プロセスチャンバ内に仕切り板がさらに設置され、前記仕切り板は環状であり、前記プロセスチャンバの側壁の円周方向に延設され、前記仕切り板の外周縁は前記プロセスチャンバの内周面に接続され、且つ前記ベースが前記プロセス位置にあるときに、前記仕切り板の上面は前記ベースの上面と面一である。

【0016】

本願の実施例に係る解決手段は、以下の有益な効果を有する。

【0017】

本願の実施例に係る半導体プロセス機器は、ベースに固定設置されたガイド構造を利用して、ベースがプロセス位置にあるときに、該ベースの外周面の外側にガスを吹き出し、ベースの外周面とプロセスチャンバの側壁の内周面との間にガスウォールを形成し、プロセス領域とウェハー搬送領域との間の完全な分離を実現することができ、それと同時に、排気構造はガイド構造により吹き出されたガスを排出することにより、プロセスガスが気流とともに排出でき、それによりプロセス領域内のプロセスガスがウェハー搬送領域に入るのを遮断し、ウェハー搬送領域がプロセスガスによって形成された粒子に汚染されるのを回避ことができ、さらにプロセスチャンバのパージ時間を大幅に短縮し、半導体プロセス機器の生産能力を向上させることができる。且つ、本願の実施例はガスウォールを利用してプロセスガスがウェハー搬送領域に入るのを遮断し、密封部材を設置する必要がなく、長期作業によるその他の汚染も発生せず、従って密封部材の損耗、破損、高温条件に適用できない等の問題が存在せず、それにより上記ガスウォールは、適用性及び適用範囲が広く、且つ密封部材の破損によるメンテナンス時間を節約することができ、それによりメンテナンスコストを削減し、機器の生産能力を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0018】

以下の図面を参照しつつ実施例を説明することにより、本願の上記及び／又は付加した点及び利点は明らかになり且つわかりやすくなる。

【図1】本願の第１実施例に係る半導体プロセス機器のベースがプロセス位置にある場合の概略的な断面図である。

【図2】本願の第１実施例に係る半導体プロセス機器のベースがウェハー搬送領域内に位置する概略的な断面図である。

【図3】本願の第１実施例に用いられたベースの横方向概略的な断面図である。

【図4】本願の第１実施例に用いられたベースの縦方向概略的な断面図である。

【図5】本願の第１実施例に係る半導体プロセス機器の一部の概略的な断面図である。

【図6】本願の第２実施例に係る半導体プロセス機器のベースがプロセス位置にある場合の概略的な断面図である。

【図7】本願の第２実施例に係る半導体プロセス機器の一部の概略的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下に本願を詳しく説明し、本願の実施例の例は図面に示され、終始同様又は類似の番号は同様又は類似の部材、或いは同様又は類似の機能を有する部材を示す。また、既知の技術の詳細な説明は示される本願の特徴にとって不必要なものであれば、省略する。以下に図面を参照しつつ説明した実施例は例示的なものであって、単に本願を解釈するためのものであるが、本願を制限しないものと解釈されるべきである。

【0020】

当業者であれば理解されるように、特に定義しない限り、ここに使用されるすべての用語（技術用語及び科学用語を含む）は、当業者が一般的に理解するものと同じ意味を有する。さらに理解されるように、汎用辞書に定義されたそれらの用語は従来技術のコンテクストにおける意味と一致する意味を有すると理解されるべきであり、且つここのように特に定義しない限り、理想化されたもの又は正式な意味で解釈することがない。

【0021】

以下に図面を参照しながら具体的な実施例によって本願の技術解決手段、及び本願の技術解決手段が上記技術的問題をどのように解決するかを詳しく説明する。

【0022】

第１実施例

【0023】

本実施例は半導体プロセス機器を提供し、該半導体プロセス機器の構造概略図は図１に示され、プロセスチャンバ１と、吸気装置２と、ベース３と、ガイド構造８とを含み、プロセスチャンバ１の内部は上から下へプロセス領域１１及びウェハー搬送領域１２に分けられ、吸気装置２はプロセスチャンバ１の頂部に設置され、プロセスガスをプロセス領域１１内に導入することに用いられ、ベース３はウェハー搬送領域１２内に昇降可能に設置され、ウェハー（図示せず）を載置することに用いられ、ガイド構造８はガス供給源に接続され、且つベース３に固定設置され、ベース３がプロセス位置（図１におけるベース３の位置）にあるときに、ベース３の外周面の外側にガスを吹き出して、ベース３の外周面とプロセスチャンバ１の側壁の内周面との間にガスウォールを形成し、プロセス領域１１内のプロセスガスがウェハー搬送領域１２に入るのを遮断することを実現することに用いられ、プロセスチャンバ１の側壁に排気構造１３が設けられ、ベース３がプロセス位置にあるときに、ガイド構造８により吹き出されたガスを排出することに用いられる。

【0024】

図１に示すように、該半導体プロセス機器は具体的にウェハーに対して原子層成長プロセスを実行することに用いられてもよく、該ウェハーは例えばシリコンウエハーであってもよいが、本願の実施例はこれに限定されない。プロセスチャンバ１は具体的に金属材質からなる円筒構造を用いてもよい。プロセスチャンバ１の内部は上から下にプロセス領域１１及びウェハー搬送領域１２に分けられもよい。吸気装置２は具体的にプロセスチャンバ１の頂部に設置されてもよく、プロセスガスをプロセス領域１１内に導入することに用いられる。ベース３は具体的にウェハー搬送領域１２内に設置されてもよく、ベース３の天面はウェハーを載置することに用いられてもよい。

【0025】

本願の一実施例では、上記ガス供給源は例えば不活性ガス供給源であってもよいが、本願の実施例はこれに限定されない。

【0026】

本願の一実施例では、排気構造１３の位置は、ベース３がプロセス位置まで上昇するときに、ガイド構造８が排気構造１３と大まかに位置合わせされ、それによりガイド構造８により吹き出されたガスを排出できることを満たすべきであり、排気構造１３の位置は具体的にウェハー搬送領域１２の頂部に位置することができる。

【0027】

ウェハーを搬送する必要があるときに、図２に示すように、ベース３はウェハー搬送領域１２内のウェハー搬送位置（図２におけるベース３の位置）にあり、この時、半導体プロセス機器のマニピュレーター（図示せず）はプロセスチャンバに入って、ウェハーをベース３に搬送することができる。その後、ベース３はウェハー搬送位置から図１に示されるプロセス位置に上昇でき、図１に示すように、プロセスチャンバ１はプロセス領域１１にウェハーに対して原子層成長プロセスを容易に実行するように、ベース３はウェハーを載置しながらプロセス領域１１に入ることができ、すなわちベース３の天面（すなわち、上面）はプロセス領域１１内にある。プロセス中、ガイド構造８はベース３の外周面の外側にガスを吹き出して、ベース３の外周面とプロセスチャンバ１の側壁の内周面との間にガスウォールを形成し、プロセス領域１１とウェハー搬送領域１２との完全な分離を実現し、それと同時に、排気構造１３はガイド構造８により吹き出されたガスを排出することができ、プロセスガスが気流とともに排出され得て、それによりプロセス領域１１内のプロセスガスがウェハー搬送領域１２に入るのを遮断することができる。

【0028】

本実施例に係る半導体プロセス機器は、上記ガイド構造８及び排気構造１３を利用することで、ウェハー搬送領域１２がプロセスガスによって形成された粒子に汚染されるのを回避ことができ、それにより、プロセスチャンバのパージ時間を大幅に短縮し、半導体プロセス機器の生産能力を向上させることができる。且つ、ガスウォールを利用してプロセスガスがウェハー搬送領域１２に入るのを遮断することにより、密封部材を設置する必要がなく、長期作業によるその他の汚染も発生せず、従って密封部材の損耗、破損、高温条件に適用できない等の問題が存在せず、それにより上記ガスウォールは、適用性及び適用範囲が広く、且つ密封部材の破損によるメンテナンス時間を節約することができ、それによりメンテナンスコストを削減し、機器の生産能力を向上させることができる。

【0029】

ただし、本願の実施例は、プロセスチャンバ１が具体的にどのプロセスを実行するかを限定せず、例えばプロセスチャンバ１は物理気相成長又は化学気相成長プロセスの実行に用いられてもよい。従って本願の実施例はこれに限定されず、当業者は実際の状況に応じて自ら調整して設定することができる。

【0030】

本願の一実施例では、図３及び図４に示すように、ガイド構造８はベース３内に設置されたガイドスリット８１及びガス流路８２を含み、ガイドスリット８１は環状であり、ベース３の円周方向に延設され、すなわちベース３の軸線の周りに設置され、且つガイドスリット８１の開口８１ａはベース３の外周面３１１にあり、ガス流路８２の両端はそれぞれガイドスリット８１及びガス供給源に連通し、ガスをガイドスリット８１内にガイドすることに用いられる。

【0031】

本願の一実施例では、図３及び図４に示すように、ガイドスリット８１内のガスが水平方向に吹き出されるように、ガイドスリット８１は水平に設置されてもよい。

【0032】

本願の一実施例では、図３及び図４に示すように、ガイド構造８はベース３内に設置された増圧キャビティ８３をさらに含み、該増圧キャビティ８３は環状であり、ベース３の軸線の周りに設置され、該増圧キャビティ８３はそれぞれガス流路８２のガス放出端及びガイドスリット８１に連通し、増圧キャビティ８３から排出されたガスの圧力を増加することに用いられる。

【0033】

ベース３の軸方向における増圧キャビティ８３の高さはベース３の軸方向におけるガイドスリット８１の高さよりもはるかに大きいため、ガスが増圧キャビティ８３を通ってガイドスリット８１に入る時に、ガイドスリット８１のガス放出の圧力が大きく、ガスの流速が増加し、ガスの流速の増加はプロセスガスが気流とともに排気構造１３によって排出されるのに寄与し、それによりプロセス領域１１とウェハー搬送領域１２との間の遮断効果をさらに向上させることができる。これと同時に、ガスがガス流路８２から増圧キャビティ８３内に入った後、増圧キャビティ８３内のガスは円周方向に拡散でき、それにより円周方向のガス分布の均一性を向上させることができ、最終的に、ガスをガイドスリット８１を通して均一に吹き出すようにでき、それによりベース３の周りに均一なガスウォールを形成し、円周方向のガスウォールの遮断効果の一致性を確保することができる。

【0034】

勿論、実際の応用では、具体的なニーズに応じて、ガイドスリット８１とガス流路８２とを直接連通してもよい。

【0035】

本願の一実施例では、図１～図４に示すように、ベース３はベース本体３１及び支持軸３２を含み、ベース本体３１はウェハーを載置することに用いられ、ベース本体３１の外周面は上記ベース３の外周面３１１であり、支持軸３２は、一端がベース本体３１に接続され、他端がプロセスチャンバ１の底壁を貫通して駆動源（図示せず）に接続され、該駆動源の駆動下でベース本体３１を昇降駆動し、図４に示すように、ガス流路８２は、ベース本体３１内に設置された水平部８２１と、該水平部８２１から垂直下方にベース本体３１及び支持軸３２を順に貫通する垂直部８２２とを含み、水平部８２１のガス放出端は増圧キャビティ８３に連通し、垂直部８２２の吸気端はガス供給源に連通する。上記水平部８２１及び垂直部８２２を設置することにより、ガス通路をベース本体３１の中央部に位置する支持軸３２からプロセスチャンバ１の外部に引き出し、ガス供給源に連通させることができ、このようなガス通路引出方法はベース３の内部にガス通路を設置し、ガイド構造の占有空間を小さくできるだけでなく、支持軸３２とプロセスチャンバ１の底壁との間の密封構造を利用してガス通路の密封を実現することができ、それにより、ガイド構造のために密封構造を単独で設計する必要がなくなり、さらに機器構造を簡略化し、設計の難しさを軽減してコストを削減する。

【0036】

図１～図４に示すように、ベース本体３１は具体的に金属材質からなる円盤状構造を用いてもよく、ベース本体３１の上面はウェハーを載置することに用いられる。支持軸３２は具体的にベース本体３１と同じ材質を用い且つ一体成形されてもよく、両者は分離式構造を用いてもよく、従って本願の実施例はこれに限定されない。支持軸３２の最上部はベース本体３１の底面の中央部にあり、支持軸３２の底端はプロセスチャンバ１の底壁を貫通した後に駆動源（図示せず）に接続され、駆動源は支持軸３２によってベース本体３１を駆動してプロセス位置まで上昇させ又はウェハー搬送位置まで降下させることに用いられる。駆動源は具体的にねじ機構又は伸縮シリンダー機構を用いてもよく、本願の実施例はこれに限定されない。

【0037】

本願の一実施例では、ガス流路８２は複数本であり、複数本のガス流路８２の水平部８２１はベース本体３１の円周方向に均等に配置され、且つ各本のガス流路８２の水平部８２１はいずれもベース本体３１の半径方向に延び、複数本のガス流路８２の垂直部８２２は支持軸３２の軸線の周りに均等に配置される。例えば、図３及び図４に示すように、複数のガス流路８２は３つ設置されてもよいが、本願の実施例はガス流路８２の具体的な数を限定せず、例えばガス流路８２の具体的な数は３つ以上であってもよい。従って本願の実施例はこれに限定されず、当業者は実際の状況に応じて自ら調整して設定することができる。上記設計を用いると、複数のガス流路８２がベース本体３１の円周方向に均等に配置されるため、ガスはガイドスリット８１により均一に流れ込み、それによりガイドスリット８１から吹き出されたガスはより均一になり、ガスウォールの遮断効果をさらに向上させる。

【0038】

本願の一実施例では、ベース本体３１は垂直方向に互いに重ね合わされた２つの円盤を用いてもよく、２つの円盤の互いに対向する表面、且つ縁部に接近する箇所には円環状の凹溝が対応して設置され、且つこの２つの表面には複数の溝が対応して開けられ、２つの円盤を重ね合わせた後、上記２つの表面上の円環状の凹溝は当接しガイドスリット８１を形成することができ、上記２つの表面上の各溝は当接してガス流路８２の水平部８２１を形成する。上記設計を用いると、ガス流路８２の加工の難しさを軽減できるだけでなく、応用及びメンテナンスコストを大幅に削減することができる。

【0039】

ただし、本願の実施例はベース３及びガイド構造８の具体的な実施形態を限定せず、例えば、ベース本体３１を一体構造とし該一体構造のベース本体３１にガイドスリット８１を加工してもよい。従って本願の実施例はこれに限定されず、当業者は実際の状況に応じて自ら調整して設定することができる。

【0040】

また、昇降ユニット（例えばウェバーを搬送するための突き上げピン装置）が設けられるベース３に対して、図３～図４に示すように、ベース本体３１内には突き上げピンが貫通するための貫通孔３３が設置され、この場合、ガス流路８２の位置と突き上げピンとの間の機械的干渉を回避するように、ガス流路８２の水平部８２１は貫通孔３３を避けて設置されるべきであり、それにより故障率を減らし耐用年数を延長する。

【0041】

本願の一実施例では、図１及び図５に示すように、排気構造１３はプロセスチャンバ１の側壁に設置された排気口１４、排気キャビティ１５及び第１排気チャンネル４１を含み、排気口１４は環状であり、プロセスチャンバ１の側壁の円周方向に延設され、排気口１４の吸気端１４ａはプロセスチャンバ１の側壁の内周面１１１にあり、且つベース３がプロセス位置にあるときに、ガイドスリット８１の開口８１ａに対向して、ガイドスリット８１の開口８１ａから流出したガスが反対側の排気口１４の吸気端１４ａから排気口１４に入ることができるようにする。排気キャビティ１５は環状であり、プロセスチャンバ１の側壁の円周方向に延設され、且つ排気キャビティ１５はそれぞれ排気口１４のガス放出端及び第１排気チャンネル４１の吸気端に連通し、第１排気チャンネル４１のガス放出端は第１ガス抽出装置５１に連通する。第１ガス抽出装置５１は第１排気チャンネル４１を介して排気キャビティ１５内のガスを抽出する。

【0042】

本願の一実施例では、軸方向における排気口１４の開口８１ａの高さは軸方向におけるガイドスリット８１の開口８１ａの高さよりも大きく、このようにして、ガスがより容易で、迅速に排気口１４に入り、排気口１４によって排気キャビティ１５内にガイドされるようにでき、それにより、ガスの排出速度を高めてガス乱流の発生を減少させることができる。

【0043】

本願の一実施例では、排気キャビティ１５は例えば軸方向横断面が矩形である空洞であってもよい。

【0044】

本願の一実施例では、第１排気チャンネル４１はプロセスチャンバ１の側壁に形成されてもよく、且つ第１排気チャンネル４１のガス放出端は外部パイプラインを介して第１ガス抽出装置５１に連通してもよい。又は、第１排気チャンネル４１はパイプライン内に形成され、且つ該パイプラインの少なくとも一部がプロセスチャンバ１の側壁内に設置され、他部がプロセスチャンバ１の外部に延び第１ガス抽出装置５１に連通してもよい。任意選択的に、パイプラインは例えば金属製パイプライン又はその他の耐腐食性材質からなるパイプラインを用いる。

【0045】

上記第１排気チャンネル４１と排気キャビティ１５を組み合わせて使用することにより、排気口１４から排出されたガスをプロセスチャンバ１に引き出すことができ、それと同時に、排気キャビティ１５により、排気流量を増加し、排気口１４内に滞留することなくガスをスムーズに排出するのを確保することができ、それにより排気効率を向上させガス乱流の発生を減少させることができる。また、排気口１４、排気キャビティ１５及び第１排気チャンネル４１を全てプロセスチャンバ１の側壁内に設置することにより、排気構造を簡略化し、占有空間を節約することができる。

【0046】

ただし、上記実施例では、排気口１４、排気キャビティ１５及び第１排気チャンネル４１は全てプロセスチャンバ１の側壁内に設置されるが、本願はこれに限定されず、実際の応用では、ガイド構造により吹き出されたガスを排出できる限り、排気口１４、排気キャビティ１５及び第１排気チャンネル４１は単独の部材として設置されてもよい。

【0047】

本願の一実施例では、図１及び図２に示すように、半導体プロセス機器はプロセスチャンバ１の側壁又は底壁に設置された第２排気チャンネル４２をさらに含み、該第２排気チャンネル４２の両端はそれぞれウェハー搬送領域１２及び上記第１ガス抽出装置５１に連通し、ウェハー搬送領域１２内のガスを排出することに用いられる。

【0048】

第１排気チャンネル４１と同様に、図１及び図２に示すように、第２排気チャンネル４２はプロセスチャンバ１の側壁又は底壁内に形成されてもよく、且つ第１排気チャンネル４１のガス放出端は外部パイプラインを介して第１ガス抽出装置５１に連通してもよい。又は、第１排気チャンネル４１はパイプライン内に形成され、且つ該パイプラインの少なくとも一部がプロセスチャンバ１の側壁又は底壁内に設置され、他部がプロセスチャンバ１の外部に延び第１ガス抽出装置５１に連通してもよい。任意選択的に、パイプラインは例えば金属製パイプライン又はその他の耐腐食性材質からなるパイプラインを用いる。

【0049】

第２排気チャンネル４２を利用して、ベース３がウェハー搬送領域１２内のウェハー搬送位置（例えば図２に示される位置）にあり、ウェバーを搬送する時に、プロセスチャンバ１内の全てのガスは第２排気チャンネル４２によって排出でき、ウェハー搬送領域１２の粒子がプロセス領域１１内に上昇しウェハーを汚染するのを回避することができ、それによりウェハーのプロセス歩留まりを大幅に向上させる。

【0050】

ただし、本願の実施例は第１排気チャンネル４１及び第２排気チャンネル４２の具体的な実施形態を限定せず、排気機能を実現すればよい。また、第１排気チャンネル４１及び第２排気チャンネル４２は異なるガス抽出装置に連通してもよい。従って本願の実施例はこれに限定されず、当業者は実際の状況に応じて自ら調整して設定することができる。

【0051】

本願の一実施例では、図１及び図２に示すように、半導体プロセス機器はプロセス排気構造をさらに含み、該プロセス排気構造はプロセス領域１１に連通し、プロセス領域１１内のプロセスガスを排出することに用いられる。いくつかの選択可能な実施例では、プロセス排気構造はプロセスチャンバ１の側壁に設置された排気溝７１、排気グリッド７２及び第３排気チャンネル４３を含み、排気溝７１は環状であり、プロセスチャンバ１の側壁の円周方向に延設され（すなわち、プロセスチャンバ１の軸線の周りに設置される）、且つ排気溝７１の開口はプロセスチャンバ１の側壁の内周面にあり、排気グリッド７２は環状であり、排気溝７１の上記開口の周りに設置され、第３排気チャンネル４３の吸気端は排気溝７１に連通し、第３排気チャンネル４３のガス放出端は第２ガス抽出装置５２に連通する。第２ガス抽出装置５２は第３排気チャンネル４３を介してプロセス領域１１内のプロセスガスを抽出する。

【0052】

本願の一実施例では、図１及び図２に示すように、排気溝７１は例えば軸方向横断面が矩形である空洞であってもよい。

【0053】

本願の一実施例では、排気グリッド７２が排気溝７１の開口を完全に被覆できるように、軸方向における排気グリッド７２の高さは軸方向における排気溝７１の開口の高さと同じである。

【0054】

本願の一実施例では、第３排気チャンネル４３はプロセスチャンバ１の側壁内に形成されてもよく、且つ第３排気チャンネル４３のガス放出端は外部パイプラインを介して第２ガス抽出装置５２に連通してもよい。又は、第３排気チャンネル４３はパイプライン内に形成され、且つ該パイプラインの少なくとも一部がプロセスチャンバ１の側壁内に設置され、他部がプロセスチャンバ１の外部に延び第２ガス抽出装置５２に連通してもよい。任意選択的に、パイプラインは、例えば一部がプロセスチャンバ１の側壁内に形成され、その他の部分が金属又はその他の耐腐食性材料からなるパイプラインを用いてもよい。

【0055】

プロセスの実行中に、上記プロセス排気構造を利用してプロセス領域１１内のプロセスガスを直接抽出することができ、プロセス領域１１内のプロセスガスがウェハー搬送領域１２内に拡散するのをさらに防止することができる。しかしながら、本願の実施例はプロセス排気構造の具体的な実施形態を限定せず、当業者は実際の状況に応じて自ら調整して設定することができる。

【0056】

本願の一実施例では、図１及び図２に示すように、第１排気チャンネル４１と第２排気チャンネル４２の両方にはバルブ６が設置され、該バルブ６は第１排気チャンネル４１及び第２排気チャンネル４２を開閉することに用いられ、第３排気チャンネル４３にはバルブ６が設置され、バルブ６は第１排気チャンネル４１、第２排気チャンネル４２を開閉することに用いられる。具体的には、バルブ６は具体的にソレノイドバルブを用い、半導体プロセス機器の上位コンピューターに接続されてもよく、上位コンピューターは実際のニーズに応じてバルブ６によって各排気パイプラインのオン／オフを制御することができる。例えば、本願の一実施例では、第３排気チャンネル４３上のバルブ６が開放されると、プロセスチャンバ１がこの時にプロセス状態にあることを意味し、従って上位コンピューターは第３排気チャンネル４３の状態に応じて、第１排気チャンネル４１及び第２排気チャンネル４２上のバルブを制御して開放させ、ベース３とプロセスチャンバ１の内壁との間にガスウォールを形成させることができ、第３排気チャンネル４３上のバルブ６が閉じられると、プロセスチャンバ１がこの時にウェバー搬送状態にあることを意味し、従って上位コンピューターは第３排気チャンネル４３の状態に応じて、第１排気チャンネル４１上のバルブ６を制御して閉じさせ、且つ第２排気チャンネル４２上のバルブ６を制御し開放させ、プロセスチャンバ１内の全てのガスを第２排気チャンネル４２によって排出することができ、それによりウェハー搬送領域１２内の粒子がプロセス領域に上昇することを回避し、さらにウェバーの汚染を防止する。上記設計を用いると、ウェハーの歩留まりを高めることができるだけでなく、本願の実施例の自動化制御レベルを大幅に向上させることができる。

【0057】

本願の一実施例では、図１及び図５に示すように、プロセスチャンバ１内に仕切り板１７がさらに設置され、該仕切り板１７は環状であり、プロセスチャンバ１の側壁の円周方向に延設され、仕切り板１７の外周縁はプロセスチャンバ１の内周面に接続され、プロセスチャンバ１をプロセス領域１１及びウェハー搬送領域１２に仕切りすることに用いられる。ベース３がプロセス位置にあるときに、仕切り板１７の上面はベース３の上面と面一である。具体的には、ベース３がプロセス位置にあるときに、ベース３の一部は仕切り板１７の内側にあり、仕切り板１７の上面はベース３の上面と面一である。仕切り板１７を利用して、ガスウォールと組み合わせて使用し、プロセス領域１１内のプロセスガスがウェハー搬送領域１２内に拡散するのをさらに防止することができる。

【0058】

具体的には、仕切り板１７は具体的に金属材質からなる環状板を用い、仕切り板１７の外周縁は例えば溶接でプロセスチャンバ１の内壁に接続されるが、本願の実施例は具体的な接続方法を限定しない。

【0059】

本願の一実施例では、ベース本体３１は本体部分と該本体部分の上方にあるボス部分とを含み、且つボス部分の外径は本体部分の外径よりも小さく、且つ該ボス部分は仕切り板１７の内側にあり、本体部分は仕切り板１７の下方にあり、該本体部分の外周面はベース３の外周面３１１である（図４参照）。且つ、ボス部分の上面は仕切り板１７の上面と面一である。

【0060】

本願の一実施例では、ベース本体３１のボス部分の外周面と仕切り板１７の内周面との間に隙間があり、ベース本体３１の本体部分の上面は仕切り板１７の下面に密着していてもよいし、隙間があってもよい。上記設計を用いると、ベース３と仕切り板１７との間の機械的干渉を回避することができ、それにより本願の実施例の故障率を減らす。

【0061】

実際の応用では、プロセスガスは吸気装置２から噴出されてプロセス領域１１内に入り、且つベース３上のウェハーに対してプロセスを実行し、次に第３排気チャンネル４３を介して排出される。プロセスの実行中に、少量のプロセスガスは仕切り板１７とベース３との間の隙間に沿ってウェハー搬送領域１２に拡散しようとし、このとき、ガイドスリット８１により吹き出されたガスが形成したガスウォールを利用して、プロセスガスがウェハー搬送領域１２内に拡散するのを防止することができ、且つガスウォールは、プロセスガスが排気口１４を介して第１排気チャンネル４１に入った後に排出されるように駆動し、プロセスガスがウェハー搬送領域１２に拡散するのを防止することができ、それにより、プロセス領域１１とウェハー搬送領域１２との完全な分離が実現され、プロセスガスの方向は具体的に図５を参照できる。

【0062】

第２実施例

【0063】

図６及び図７を参照して、本実施例は半導体プロセス機器を提供し、それは同様にプロセスチャンバ１と、吸気装置２と、ベース３と、ガイド構造８’とを含み、唯一の相違点は、ガイド構造８’がベース３の外部に設置されることである。

【0064】

具体的には、ガイド構造８’は、ベース３と同期して昇降できるようにベース３に固定設置されて、且つガイド構造８’はガス供給源に接続され、ベース３がプロセス位置（図６におけるベース３の位置）にあるときに、ベース３の外周面の外側にガスを吹き出して、ベース３の外周面とプロセスチャンバ１の側壁の内周面との間にガスウォールを形成し、プロセス領域１１内のプロセスガスがウェハー搬送領域１２に入るのを遮断することを実現することに用いられる。

【0065】

本願の一実施例では、図７に示すように、ガイド構造８’は、ガイド本体と、該ガイド本体内に設置されたガイドスリット８１’及びガス流路８２’とを含み、ガイドスリット８１’は環状であり、ベース３の円周方向にベース３の外周面に延設され、且つガイドスリット８１’の開口は排気口１４の吸気端に対向し、ガイドスリット８１’の開口から流出したガスは反対側の排気口１４の吸気端から排気口１４に入ることができるようにする。ガス流路８２’の両端はそれぞれガイドスリット８１’及びガス供給源に連通し、ガスをガイドスリット８１’内にガイドすることに用いられる。

【0066】

本願の一実施例では、図７に示すように、ガイド構造８’は上記ガイド本体内に設置された増圧キャビティ８３’をさらに含み、該増圧キャビティ８３’は環状であり、ベース３の軸線の周りに設置され、該増圧キャビティ８３’はそれぞれガス流路８２’のガス放出端及びガイドスリット８１’に連通し、増圧キャビティ８３’から排出されたガスの圧力を増加することに用いられる。

【0067】

勿論、実際の応用では、具体的なニーズに応じて、ガイドスリット８１とガス流路８２とを直接連通してもよい。

【0068】

本願の一実施例では、図６に示すように、ベース３はベース本体３１及び支持軸３２を含み、ベース本体３１はウェハーを載置することに用いられ、ベース本体３１の外周面は上記ベース３の外周面３１１であり、支持軸３２は、一端がベース本体３１に接続され、他端がプロセスチャンバ１の底壁を貫通して駆動源（図示せず）に接続され、該駆動源の駆動下でベース本体３１を昇降駆動する。この場合、ガス流路８２’は、ベース本体３１の底部に設置された水平部と、該水平部から支持軸３２の軸方向に沿って垂直下方に延びる垂直部とを含んでもよく、水平部のガス放出端は増圧キャビティ８３’に連通し、垂直部の吸気端はガス供給源に連通する。上記水平部及び垂直部を設置することにより、ガス通路をベース本体３１の中央部に位置する支持軸３２からプロセスチャンバ１の外部に引き出し、ガス供給源に連通させることができ、このようなガス通路引出方法はガイド本体をベース本体３１及び支持軸３２に近づけて設置し、ガイド構造の占有空間を小さくできるだけでなく、支持軸３２とプロセスチャンバ１の底壁との間の密封構造を利用してガス通路の密封を実現することができ、それにより、ガイド構造のために密封構造を単独で設計する必要がなくなり、さらに機器構造を簡略化し、設計の難しさを軽減してコストを削減する。

【0069】

本願の一実施例では、上記ガイド本体は、ガイドスリット８１’及び増圧キャビティ８３’を形成するための環状部分と、ガス流路８２’を形成するためのパイプライン部分とを含む。この場合、ガス流路８２’は複数本であると、上記ガイド本体のパイプライン部分は同様に複数であり、複数のガス流路８２’を一対一で対応して形成する。勿論、実際の応用では、上記ガイド本体の複数のパイプライン部分は一体構造であってもよい。

【0070】

本実施例に係る半導体プロセス機器のその他の構造及び機能は上記第１実施例と同じであり、上記第１実施例において詳細に説明されるため、ここでは繰り返し説明しない。

【0071】

本願の実施例を用いて、少なくとも以下の有益な効果を実現できる。

【0072】

本願の実施例に係る半導体プロセス機器は、ベースに固定設置されたガイド構造を利用して、ベースがプロセス位置にあるときに、該ベースの外周面の外側にガスを吹き出し、ベースの外周面とプロセスチャンバの側壁の内周面との間にガスウォールを形成し、プロセス領域とウェハー搬送領域との間の完全な分離を実現することができ、それと同時に、排気構造はガイド構造により吹き出されたガスを排出することにより、プロセスガスが気流とともに排出でき、それによりプロセス領域内のプロセスガスがウェハー搬送領域に入るのを遮断し、ウェハー搬送領域がプロセスガスによって形成された粒子に汚染されるのを回避ことができ、さらにプロセスチャンバのパージ時間を大幅に短縮し、半導体プロセス機器の生産能力を向上させることができる。且つ、本願の実施例はガスウォールを利用してプロセスガスがウェハー搬送領域に入るのを遮断し、密封部材を設置する必要がなく、長期作業によるその他の汚染も発生せず、従って密封部材の損耗、破損、高温条件に適用できない等の問題が存在せず、それにより上記ガスウォールは、適用性及び適用範囲が広く、且つ密封部材の破損によるメンテナンス時間を節約することができ、それによりメンテナンスコストを削減し、機器の生産能力を向上させることができる。

【0073】

理解されるように、以上の実施形態は単に本願の原理を説明するために用いた例示的な実施形態であるが、本願はこれに限定されるものではない。当業者であれば、本願の主旨及び本質を逸脱せずに、種々の変形及び改良を行うことができ、これらの変形及び改良も本願の保護範囲として見なされる。

【0074】

本願の説明において、理解されるように、用語「中心」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「鉛直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」などで示される方位又は位置関係は図面に示される方位又は位置関係に基づいたものであり、本願を説明しやすくし及び説明を簡素化するためのものに過ぎず、指す装置又は素子が必ず特定の方位を有し、特定の方位で構成及び操作しなければならないことを指示又は暗示するのではなく、従って、本願を制限するものではないと理解されるべきである。

【0075】

用語「第１」、「第２」は説明のためのものに過ぎず、相対重要性を指示又は暗示し、或いは指示する技術的特徴の数を暗示的に示すものではないと理解されるべきである。これにより、「第１」、「第２」で限定された特徴は１つ又は複数の該特徴を明示的又は暗示的に含んでもよい。本願の説明において、特に説明しない限り、「複数」の意味が２つ以上である。

【0076】

本願の説明において、なお、特に明確に規定及び限定しない限り、用語「取り付け」、「連結」、「接続」は広義に理解されるべきであり、例えば、固定接続、取り外し可能な接続又は一体接続であってもよく、直接連結、中間素子による間接連結、２つの素子の内部の連通であってもよい。当業者であれば、具体的な状況に応じて上記用語の本願における具体的な意味を理解することができる。

【0077】

本明細書の説明において、具体的な特徴、構造、材料又は特性はいずれか１つ又は複数の実施例又は例において適切な方式で組み合わせられてもよい。

【0078】

以上は単に本願の実施形態の一部であり、指摘すべきことは、当業者であれば、本願の原理を逸脱せずに、さらに種々の改良及び潤色を行うことができ、これらの改良及び潤色も本願の保護範囲として見なされるべきである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【国際調査報告】