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特表2023-551428不動態化されたナノ粒子を有するインプリント組成物及び材料、並びにこれらの製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-12-08
(54)【発明の名称】不動態化されたナノ粒子を有するインプリント組成物及び材料、並びにこれらの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20231201BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 502D
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023529979
(86)(22)【出願日】2021-11-16
(85)【翻訳文提出日】2023-07-13
(86)【国際出願番号】 US2021059508
(87)【国際公開番号】W WO2022108922
(87)【国際公開日】2022-05-27
(31)【優先権主張番号】63/115,440
(32)【優先日】2020-11-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ジョシ， アミタ
(72)【発明者】
【氏名】セバリョス， アンドリュー
(72)【発明者】
【氏名】大野 賢一
(72)【発明者】
【氏名】ハウラニ， ラミ
(72)【発明者】
【氏名】ゴデット， ルドヴィーク
【テーマコード（参考）】
5F146
【Ｆターム（参考）】
5F146AA31
5F146AA33
(57)【要約】
本開示の実施形態は一般的に、インプリント組成物及びインプリント材料、並びにナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）に有用な関連する方法に関する。１又は複数の実施形態では、インプリント組成物が提供され、当該組成物は、不動態化された複数のナノ粒子、１又は複数の溶媒、表面リガンド、添加剤及びアクリレートを含むものである。不動態化されたナノ粒子は、コア及び１又は複数のシェルを有し、ここで当該コアは、１又は複数の金属酸化物を含有し、当該シェルは、１又は複数の不動態化材料を含有する。シェルの不動態化材料は、１若しくは複数の原子層堆積（ＡＬＤ）材料、１若しくは複数のブロックコポリマー、又は１若しくは複数のケイ素含有化合物を含む。
【選択図】図１Ａ
【選択図】図１Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
インプリント組成物であって、不動態化された複数のナノ粒子であって、不動態化された各ナノ粒子が、コア及びシェルを備え、前記コアが金属酸化物を含み、前記シェルが不動態化材料を含む、不動態化された複数のナノ粒子、
１又は複数の溶媒、
表面リガンド、
添加剤、並びに
アクリレート
を含む、インプリント組成物。
【請求項2】
前記コアが、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項１に記載のインプリント組成物。
【請求項3】
前記シェルの前記不動態化材料が、原子層堆積（ＡＬＤ）材料を含む、請求項１に記載のインプリント組成物。
【請求項4】
前記ＡＬＤ材料が、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ハフニウムジルコニウム、酸化ハフニウムチタン、酸化チタンジルコニウム、酸化ケイ素チタン、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化アルミニウムチタン、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせから選択され、前記コア及び前記シェルが異なる材料を含む、請求項３に記載のインプリント組成物。
【請求項5】
前記シェルの前記不動態化材料が、ブロックコポリマーを含む、請求項１に記載のインプリント組成物。
【請求項6】
前記ブロックコポリマーが、ポリスチレン－ブロック－ポリ（４－ビニルピリジン）（ＰＳ－ｂ－Ｐ４ＶＰ）、ポリスチレン ｂ－ポリエチレンオキシド（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）、ポリスチレン－ｂ－ポリブタジエン（ＰＳ－ｂ－ＰＢ）、ポリスチレン ｂ－ポリメチルメタクリレート（ＰＳ－ｂ－ＰＭＭＡ）、ポリスチレン－ブロック－ポリブタジエン－ブロック－ポリスチレン、ポロキサマー、ポリ（イソプレン－ブロック－ジメチルアミノエチルメタクリレート）（ＰＩ－ｂ－ＰＤＭＡＥＭＡ）、ポリ（エチレンオキシド）－ポリ（プロピレンオキシド）－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）、これらのポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項５に記載のインプリント組成物。
【請求項7】
前記シェルの前記不動態化材料が、ケイ素含有化合物を含み、該ケイ素含有化合物が、シラン、シラノール、シロキサン、シリコーン、又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項１に記載のインプリント組成物。
【請求項8】
前記ケイ素含有化合物が、（３－アセトアミドプロピル）トリメトキシシラン、オクテイルトリエトキシシラン、オクテイルトリメトキシシラン、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、プロピルトリエトキシシラン、（３－アクリルオキシプロピル）トリス（トリメチルシロキシ）シラン、ジメチルジエトキシシラン、ポリジメチルシロキサン、γ－グリシドオキシプロピルトリメトキシ－シラン（ＧＰＭＳ）、ポリジフェニルシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、アミノプロピルトリエトキシシラン、これらの錯体、又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項７に記載のインプリント組成物。
【請求項9】
前記コアが、約２ｎｍ～約５０ｎｍの直径を有する、請求項１に記載のインプリント組成物。
【請求項10】
前記シェルが、約０．１ｎｍ～約４０ｎｍの厚さを有する、請求項９に記載のインプリント組成物。
【請求項11】
インプリント組成物であって、不動態化された複数のナノ粒子であって、
不動態化された各ナノ粒子が、コア及びシェルを備え、
前記コアが金属酸化物を含み、
前記シェルが不動態化材料を含み、
前記不動態化材料が、原子層堆積（ＡＬＤ）材料、ブロックコポリマー、又はケイ素含有化合物を含む、不動態化された複数のナノ粒子、
１又は複数の溶媒、
表面リガンド、
添加剤、並びに
アクリレート
を含む、インプリント組成物。
【請求項12】
ナノインプリント膜を形成する方法であって、不動態化された複数のナノ粒子を含むインプリント組成物を、基板上に配置することであって、
不動態化された各ナノ粒子がコア及びシェルを備え、
前記コアが金属酸化物を含み、
前記シェルが不動態化材料を含み、
前記不動態化材料が、原子層堆積（ＡＬＤ）材料、ブロックコポリマー、又はケイ素含有化合物を含み、該ケイ素含有化合物が、シラン、シラノール、シロキサン、シリコーン、シロキサン、これらの誘導体又はこれらの任意の組み合わせを含む、不動態化された複数のナノ粒子を含むインプリント組成物を、基板上に配置すること、
前記インプリント組成物を、パターンを有するスタンプと接触させること、
前記インプリント組成物を、多孔質ナノインプリント膜に変換すること、並びに
前記スタンプを、前記多孔質ナノインプリント膜から除去すること、
を含む、方法。
【請求項13】
前記インプリント組成物を前記インプリント材料に変換することが、前記インプリント組成物を、約３００ｎｍ～約３６５ｎｍの波長を有する光源に曝露することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
前記インプリント組成物を前記インプリント材料に変換することが、前記インプリント組成物を、約１分から約１５分の時間にわたり約５０℃～約６０℃の温度に加熱することをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項15】
前記コアが、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項16】
前記シェルの前記不動態化材料が、ＡＬＤ材料を含み、該ＡＬＤ材料が、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ハフニウムジルコニウム、酸化ハフニウムチタン、酸化チタンジルコニウム、酸化ケイ素チタン、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化アルミニウムチタン、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせから選択され、前記コア及び前記シェルが異なる材料を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項17】
前記シェルの前記不動態化材料が、ブロックコポリマーを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項18】
前記ブロックコポリマーが、ポリスチレン－ブロック－ポリ（４－ビニルピリジン）（ＰＳ－ｂ－Ｐ４ＶＰ）、ポリスチレン ｂ－ポリエチレンオキシド（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）、ポリスチレン－ｂ－ポリブタジエン（ＰＳ－ｂ－ＰＢ）、ポリスチレン ｂ－ポリメチルメタクリレート（ＰＳ－ｂ－ＰＭＭＡ）、ポリスチレン－ブロック－ポリブタジエン－ブロック－ポリスチレン、ポロキサマー、ポリ（イソプレン－ブロック－ジメチルアミノエチルメタクリレート）（ＰＩ－ｂ－ＰＤＭＡＥＭＡ）、ポリ（エチレンオキシド）－ポリ（プロピレンオキシド）－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）、これらのポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項19】
前記シェルの前記不動態化材料が、ケイ素含有化合物を含み、該ケイ素含有化合物が、（３－アセトアミドプロピル）トリメトキシシラン、オクテイルトリエトキシシラン、オクテイルトリメトキシシラン、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、プロピルトリエトキシシラン、（３－アクリルオキシプロピル）トリス（トリメチルシロキシ）シラン、ジメチルジエトキシシラン、ポリジメチルシロキサン、γ－グリシドオキシプロピルトリメトキシ－シラン（ＧＰＭＳ）、ポリジフェニルシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、アミノプロピルトリエトキシシラン、これらの錯体、又はこれらの任意の組み合わせを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項20】
前記コアが、約２ｎｍ～約５０ｎｍの直径を有し、前記シェルが、約０．１ｎｍ～約４０ｎｍの厚さを有する、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［０００１］本開示の実施形態は一般的に、マイクロ電子処理に関し、より具体的には、ナノインプリントリソグラフィー（ＮＬ）に有用なインプリント組成物及び材料、並びにこれらに関連する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
［０００２］ナノ粒子インプリントのナノパターニング及びマイクロパターニングにより、ナノ材料ベースのエレクトロニクス、エネルギーデバイス、センサー、及びナノメートルスケールの解像度を有する他のタイプのデバイスを開発する機会がもたらされる。現在入手可能なインプリント材料は、有機材料（高インデックスポリマー）又は無機－有機ハイブリッド材料（ゾル－ゲル）のいずれかを含む。インプリント材料の多くは屈折率が低く（＜１．７）、可視領域での光学的透明性、光学的解像度、加工性、インプリントされたフィーチャの収縮率の高さ、及びコスト効率に関連する複数の問題を伴う。
【0003】
［０００３］そこで、改良されたインプリント組成物及び材料、並びに関連する方法が必要とされている。
【発明の概要】
【0004】
［０００４］本開示の実施形態は一般に、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）に有用なインプリント組成物及び材料、並びにこれらに関連する方法に関する。１又は複数の実施形態では、インプリント組成物が提供され、当該インプリント組成物は、複数の不動態化されたナノ粒子、１又は複数の溶媒、表面リガンド、添加剤及びアクリレートを含むものである。不動態化された各ナノ粒子は、コア及び１又は複数のシェルを含み、ここでコアは、１又は複数の金属酸化物を含み、シェルは、１又は複数の不動態化材料を含む。
【0005】
［０００５］いくつかの実施形態では、シェルの不動態化材料が、１若しくは複数の原子層堆積（ＡＬＤ）材料、１若しくは複数のブロックコポリマー、又は１若しくは複数のケイ素含有化合物を含む。１又は複数の例では、ケイ素含有化合物が、1若しくは複数のシラン、1若しくは複数のシラノール、1若しくは複数のシロキサン、1若しくは複数のシリコーン、これらの誘導体、又はこれらの任意の組み合わせを含む。
【0006】
［０００６］他の実施形態では、インプリントされた表面を製造する方法が、不動態化された複数のナノ粒子を含むインプリント組成物を基板上に配置、コーティング又はその他の方法で配置することと、インプリント組成物を、パターンを有するスタンプと接触させることと、インプリント組成物を多孔質ナノインプリント膜に変換することと、多孔質ナノインプリント膜からスタンプを除去することと、を含む。
【0007】
［０００７］本開示の上述の特徴が詳細に理解され得るように、先に簡単に要約された本開示のより具体的な説明については、実施形態（添付図面にその一部を図示）を参照することができる。しかしながら添付図面は、例示的な実施形態のみを示すものに過ぎず、その範囲を限定するものとはみなされることはなく、他の同様に有効な実施形態を認めることができることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1A-1F】本明細書に記載され、論じられる１又は複数の実施形態に従って、不動態化されたナノ粒子を含むナノインプリント膜を製造する間に、複数の操作を通じて処理されるワークピースの断面図を示す。
【図2】本明細書に記載され、論じられる１又は複数の実施形態による光学デバイスの正面図を示す。
【0009】
［００１０］理解を容易にするために、可能な限り、図面に共通する同一の要素を指し示すためには、同一の参照番号を使用してある。１又は複数の実施形態の要素及び特徴は、他の実施形態に有利に組み込み可能なことが考慮される。
【発明を実施するための形態】
【0010】
［００１１］本開示の実施形態は一般に、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）に有用なインプリント組成物及び材料に関する。インプリント組成物は、熱及び／又は１若しくは複数の種類の放射線（例えば光若しくはマイクロ波）を適用することによって、インプリント材料に変換することができる。１又は複数の実施形態では、インプリント組成物が、１又は複数の種類の不動態化されたナノ粒子、１又は複数の溶媒、１又は複数の表面リガンド、１又は複数の添加剤、及び１又は複数のアクリレートを含む。
【0011】
［００１２］不動態化された各ナノ粒子（ＮＰ）は、コーティングされた粒子であってよく、例えば、コアの周囲に配置された１つ、２つ、又はそれより多いシェルであり得る。いくつかの例では、不動態化されたナノ粒子が、不動態化されたナノ粒子（例えば配位結合された（ligated）ＮＰ又は安定化されたＮＰ）の外表面に結合した１又は複数の種類の表面リガンドを含むことができる。不動態化されたナノ粒子は、１又は複数の異なる形状又は幾何学的形状（例えば、球状、楕円状、棒状、立方体、ワイヤ状、円筒状、直方体、又はこれらの組み合わせ）を有することができる。
【0012】
［００１３］１又は複数の実施形態では、不動態化された各ナノ粒子が、コアと、当該コアを包含、カプセル化、さもなくばコーティングする１又は複数のシェルとを含む。コアは１又は複数の金属酸化物を含み、シェルは１又は複数の不動態化材料を含む。コア及びシェルは通常、異なる材料を含有する。コアは、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、これらのドーパント、又はこれらの組み合わせを含む。いくつかの例ではシェルが、コアとは異なる１若しくは複数の金属酸化物又は他の材料を含む。シェルに含まれる不動態化材料は、１若しくは複数の原子層堆積（ＡＬＤ）材料、１若しくは複数のブロックコポリマーを含むポリマー材料、又は１若しくは複数のケイ素含有化合物を含む不動態化材料であってよく、又はこれらを含むことができる。
【0013】
［００１４］シェルに含まれるＡＬＤ材料は、１又は複数のＡＬＤプロセスにより、コア又は外側シェル層に堆積させることができる。いくつかの例では、不動態化材料によりコーティングされる粒子が、コアである。他の例では、不動態化材料によりコーティングされる粒子が、コア上に配置された１又は複数のシェルを含むナノ粒子の最も外側のシェルである。ＡＬＤ材料は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、１又は複数の金属酸化物、１又は複数の金属窒化物、１又は複数の金属酸窒化物、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。例示的なＡＬＤ材料は、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ハフニウムジルコニウム、酸化ハフニウムチタン、酸化チタンジルコニウム、酸化ケイ素チタン、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化アルミニウムチタン、これらの１又は複数のドーパント、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。１又は複数の例では、コアが酸化チタンを含み、シェルが酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、又はこれらの任意の組み合わせを含む。例えば、コアが酸化チタンを含み、コアを覆う第１のシェルが酸化ケイ素を含み、第１のシェルを覆う第２のシェルが酸化ジルコニウムを含む。他の例では、コアが酸化ニオブを含み、シェルが酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、又はこれらの任意の組み合わせを含む。いくつかの例では、コアが酸化ジルコニウムを含み、シェルが酸化ケイ素を含む。
【0014】
［００１５］いくつかの実施形態では、コーティングされる粒子（例えば、１若しくは複数のシェルを含むコア粒子又はナノ粒子）が、ＡＬＤプロセス中に化学前駆体に順次曝露されながら、ドラム型チャンバ内で回転及び／又は振動される。他の実施形態では、コーティングされる粒子が、ＡＬＤプロセス中に化学前駆体に順次曝露されながら、基板上に配置又はその他の方法で位置決めされる。ＡＬＤプロセスは通常、粒子を第１の前駆体及び第２の前駆体に順次曝露して、二元化合物を堆積させることを含む。第１の前駆体は、ケイ素前駆体、ジルコニウム前駆体、ハフニウム前駆体、アルミニウム前駆体、タンタル前駆体、ニオブ前駆体、ニッケル前駆体、コバルト前駆体、タングステン前駆体、バナジウム前駆体、セリウム前駆体、スズ前駆体、インジウム前駆体、又はこれらの組み合わせのうち１若しくは複数であり得るか、又はこれらのうち１若しくは複数を含むことができる。第２の前駆体は、酸素前駆体（若しくは酸化剤）、窒素前駆体（若しくは窒化剤）、又はこれらの組み合わせの１又は複数であり得るか、又はこれらのうち１又は複数を含むことができる。他の例ではＡＬＤプロセスが、粒子を第１の前駆体、第２の前駆体、第３の前駆体、及び第２の前駆体に順次曝露して、三元又は三元系の化合物を堆積させることを含む。第３の前駆体は、第１の前駆体として挙げた前駆体のいずれでもよいが、第１の前駆体として用いた前駆体とは異なる。
【0015】
［００１６］いくつかの実施形態では、シェルの不動態化材料が、1又は複数のブロックコポリマーを含むポリマー材料である。例示的なブロックコポリマーは、ポリスチレン－ブロック－ポリ（４－ビニルピリジン）（ＰＳ－ｂ－Ｐ４ＶＰ）、ポリスチレン－ｂ－ポリエチレンオキシド（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）、ポリスチレン－ｂ－ポリブタジエン（ＰＳ－ｂ－ＰＢ）、ポリスチレン－ｂ－ポリメチルメタクリレート（ＰＳ－ｂ－ＰＭＭＡ）、ポリスチレン－ブロック－ポリブタジエン－ブロック－ポリスチレン、１若しくは複数のポロキサマー、ポリ（イソプレン－ブロック－ジメチルアミノエチルメタクリレート）（ＰＩ－ｂ－ＰＤＭＡＥＭＡ）、ポリ（エチレンオキシド）－ポリ（プロピレンオキシド）－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）、これらのポリマー、これらの誘導体、又はこれらの組み合わせであり得るか、又はこれらが含まれ得る。
【0016】
［００１７］１又は複数の例においてブロックコポリマーは、ＰＳの分子量（ＭＷ）が約４５ｋＤａ～約３２０ｋＤａであり、Ｐ４ＶＰの分子量（ＭＷ）が約２７ｋＤａ～約７０ｋＤａであるＰＳ－ｂ－Ｐ４ＶＰであり得るか、又はこのＰＳ－ｂ－Ｐ４ＶＰを含むことができる。いくつかの例では、ポロキサマーが、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）の２つの親水性ブロックに挟まれた（flank）ポリプロピレングリコールの疎水性中心ブロックを含むトリブロックコポリマーであり、これは例えば、BASF, SEから市販されているPluronic（登録商標）F127ポロキサマー（ＭＷは約１２ｋＤａ～約１５ｋＤａ）である。他の例ではポロキサマーが、ポリ（エチレングリコール）－ブロック－ポリ（プロピレングリコール）－ブロック－ポリ（エチレングリコール）、例えば、Croda International, PLCから市販されているSynperonic（登録商標）F108ポロキサマー（ＭＷは約１４ｋＤａ～約１６ｋＤａ）である。
【0017】
［００１８］表面不動態化は、ナノ粒子の合成の間、又はベースのナノ粒子を製造した後に、行うことができる。１又は複数の例では、分散品質を維持するために、ナノ粒子が１又は複数の溶媒に分散される（溶媒に対してＮＰを約５ｗｔ％～約５０ｗｔ％）。ポリマー材料（例えば、ブロックコポリマー）は、ナノ粒子溶媒と混和性で相溶性の溶媒に、約２ｗｔ％～約１０ｗｔ％、溶解する。同相変性（in-phase modification）では、ポリマー材料が加水分解、エステル化又は水素結合を経て、ナノ粒子の表面に付着し得る。不動態化の密度は、ポリマー材料の濃度によって制御される。
【0018】
［００１９］他の実施形態では、シェルの不動態化材料が、１又は複数のケイ素含有化合物を含む。ケイ素含有化合物は、シラン、シラノール、シロキサン、シリコーン、他のケイ素含有化合物、これらの誘導体、又はこれらの任意の組み合わせのうち１又は複数であり得るか、又はこれらを含むことができる。例示的なケイ素含有化合物は、（３－アセトアミドプロピル）トリメトキシシラン、オクテイルトリエトキシシラン、オクテイルトリメトキシシラン、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、プロピルトリエトキシシラン、（３－アクリロキシプロピル）トリス（トリメチルシロキシ）シラン、ジメチルジエトキシシラン、ポリジメチルシロキサン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＧＰＭＳ）、ポリジフェニルシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、アミノプロピルトリエトキシシラン、これらの錯体、これらの誘導体、又はこれらの組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。
【0019】
［００２０］不活性化されたナノ粒子全体は、約２ｎｍ、約５ｎｍ、約８ｎｍ、約１０ｎｍ、約１２ｎｍ、約１５ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ又は約３５ｎｍから約４０ｎｍ、約５０ｎｍ、約６０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１５０ｎｍ又は約２００ｎｍの大きさ又は直径を有することができる。例えば、不動態化されたナノ粒子全体は、約２ｎｍ～約２００ｎｍ、約２ｎｍ～約１５０ｎｍ、約２ｎｍ～約１００ｎｍ、約２ｎｍ～約８０ｎｍ、約２ｎｍ～約６０ｎｍ、約２ｎｍ～約５０ｎｍ、約２ｎｍ～約４０ｎｍ、約２ｎｍ～約３０ｎｍ、約２ｎｍ～約２０ｎｍ、約２ｎｍ～約１５ｎｍ、約２ｎｍ～約１０ｎｍ、約１０ｎｍ～約２００ｎｍ、約１０ｎｍ～約１５０ｎｍ、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、約１０ｎｍ～約８０ｎｍ、約１０ｎｍ～約６０ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１０ｎｍ～約４０ｎｍ、約１０ｎｍ～約３０ｎｍ、約１０ｎｍ～約２０ｎｍ、約１０ｎｍ～約１５ｎｍ、約５０ｎｍ～約２００ｎｍ、約５０ｎｍ～約１５０ｎｍ、約５０ｎｍ～約１００ｎｍ、約５０ｎｍ～約８０ｎｍ、又は約５０ｎｍ～約６０ｎｍの大きさ又は直径を有することができる。
【0020】
［００２１］不動態化されたナノ粒子のコアは、１００ｎｍ未満、例えば８０ｎｍ未満又は５０ｎｍ未満、例えば約２ｎｍ、約３ｎｍ、約５ｎｍ、約８ｎｍ、約１０ｎｍ又は約１２ｎｍから約１５ｎｍ、約１８ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、約３５ｎｍ、約４０ｎｍ、約４５ｎｍ又は約５０ｎｍの直径を有する。コアは例えば、約２ｎｍ～約５０ｎｍ、約２ｎｍ～約４５ｎｍ、約２ｎｍ～約４０ｎｍ、約２ｎｍ～約３５ｎｍ、約２ｎｍ～約３０ｎｍ、約２ｎｍ～約２８ｎｍ、約２ｎｍ～約２５ｎｍ、約２ｎｍ～約２２ｎｍ、約２ｎｍ～約２０ｎｍ、約２ｎｍ～約１８ｎｍ、約２ｎｍ～約１５ｎｍ、約２ｎｍ～約１２ｎｍ、約２ｎｍ～約１０ｎｍ、約２ｎｍ～約８ｎｍ、約２ｎｍ～約５ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約４５ｎｍ、約５ｎｍ～約４０ｎｍ、約５ｎｍ～約３５ｎｍ、約５ｎｍ～約３０ｎｍ、約５ｎｍ～約２８ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２２ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１８ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約５ｎｍ～約１２ｎｍ、約５ｎｍ～約１０ｎｍ、約５ｎｍ～約８ｎｍ、約１０ｎｍ～約５０ｎｍ、約１０ｎｍ～約４５ｎｍ、約１０ｎｍ～約４０ｎｍ、約１０ｎｍ～約３５ｎｍ、約１０ｎｍ～約３０ｎｍ、約１０ｎｍ～約２８ｎｍ、約１０ｎｍ～約２５ｎｍ、約１０ｎｍ～約２２ｎｍ、約１０ｎｍ～約２０ｎｍ、約１０ｎｍ～約１８ｎｍ、約１０ｎｍ～約１５ｎｍ、又は約１０ｎｍ～約１２ｎｍの直径を有する。
【0021】
［００２２］不動態化されたナノ粒子のシェルは、約０．１ｎｍ、約０．２ｎｍ、約０．５ｎｍ、約０．８ｎｍ、約１ｎｍ、約１．５ｎｍ、約２ｎｍ、約３ｎｍ、約５ｎｍ、約８ｎｍ又は約１０ｎｍから約１２ｎｍ、約１５ｎｍ、約１８ｎｍ、約２０ｎｍ、約２５ｎｍ、約３０ｎｍ、約３５ｎｍ、約４０ｎｍ又は約５０ｎｍの厚さを有する。シェルは例えば、約０．１ｎｍ～約５０ｎｍ、約０．１ｎｍ～約４０ｎｍ、約０．１ｎｍ～約３０ｎｍ、約０．１ｎｍ～約２５ｎｍ、約０．１ｎｍ～約２０ｎｍ、約０．１ｎｍ～約１８ｎｍ、約０．１ｎｍ～約１５ｎｍ、約０．１ｎｍ～約１２ｎｍ、約０．１ｎｍ～約１０ｎｍ、約０．１ｎｍ～約８ｎｍ、約０．１ｎｍ～約５ｎｍ、約０．１ｎｍ～約３ｎｍ、約０．１ｎｍ～約２ｎｍ、約０．１ｎｍ～約１ｎｍ、約０．５ｎｍ～約４０ｎｍ、約０．５ｎｍ～約３０ｎｍ、約０．５ｎｍ～約２５ｎｍ、約０．５ｎｍ～約２０ｎｍ、約０．５ｎｍ～約１５ｎｍ、約０．５ｎｍ～約１０ｎｍ、約０．５ｎｍ～約８ｎｍ、約０．５ｎｍ～約５ｎｍ、約０．５ｎｍ～約３ｎｍ、約０．５ｎｍ～約２ｎｍ、約０．５ｎｍ～約１ｎｍ、約１ｎｍ～約４０ｎｍ、約１ｎｍ～約３０ｎｍ、約１ｎｍ～約２５ｎｍ、約１ｎｍ～約２０ｎｍ、約１ｎｍ～約１８ｎｍ、約１ｎｍ～約１５ｎｍ、約１ｎｍ～約１２ｎｍ、約１ｎｍ～約１０ｎｍ、約１ｎｍ～約８ｎｍ、約１ｎｍ～約５ｎｍ、約１ｎｍ～約３ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約４０ｎｍ、約５ｎｍ～約３０ｎｍ、約５ｎｍ～約２５ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約５ｎｍ～約１８ｎｍ、約５ｎｍ～約１５ｎｍ、約５ｎｍ～約１２ｎｍ、約５ｎｍ～約１０ｎｍ、又は約５ｎｍ～約８ｎｍの厚さを有する。
【0022】
［００２３］いくつかの実施形態では、コアが約２ｎｍ～約５０ｎｍの直径を有し、シェルが約０．１ｎｍ～約４０ｎｍの厚さを有する。別の実施形態では、コアが約５ｎｍ～約４０ｎｍの直径を有し、シェルが約０．５ｎｍ～約３０ｎｍの厚さを有する。いくつかの実施形態では、コアが約１０ｎｍ～約３０ｎｍの直径を有し、シェルが約１ｎｍ～約２０ｎｍの厚さを有する。
【0023】
［００２４］１又は複数の実施形態ではインプリント組成物が、不動態化されたナノ粒子を約０．１重量パーセント（ｗｔ％）、約０．５ｗｔ％、約１ｗｔ％、約２ｗｔ％、約３ｗｔ％、約５ｗｔ％、約６ｗｔ％、約８ｗｔ％又は約１０ｗｔ％から約１２ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約２０ｗｔ％、約２２ｗｔ％、約２４ｗｔ％、約２５ｗｔ％、約２８ｗｔ％、約３０ｗｔ％、約３２ｗｔ％、約３５ｗｔ％、約３８ｗｔ％又は約４０ｗｔ％の濃度で含む。インプリント組成物は例えば、不動態化されたナノ粒子を約０．１ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約３５ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約３２ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約３０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約２８ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約２５ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約２２ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１８ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１２ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約８ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約６ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約５ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約４ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約３ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約２ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１．５ｗｔ％、約０．５ｗｔ％～約１ｗｔ％、約２ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約２ｗｔ％～約３５ｗｔ％、約２ｗｔ％～約３２ｗｔ％、約２ｗｔ％～約３０ｗｔ％、約２ｗｔ％～約２８ｗｔ％、約２ｗｔ％～約２５ｗｔ％、約２ｗｔ％～約２２ｗｔ％、約２ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約２ｗｔ％～約１８ｗｔ％、約２ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約２ｗｔ％～約１２ｗｔ％、約２ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約２ｗｔ％～約８ｗｔ％、約２ｗｔ％～約６ｗｔ％、約２ｗｔ％～約５ｗｔ％、約２ｗｔ％～約４ｗｔ％、約２ｗｔ％～約３ｗｔ％、約５ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約３５ｗｔ％、約５ｗｔ％～約３２ｗｔ％、約５ｗｔ％～約３０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約２８ｗｔ％、約５ｗｔ％～約２５ｗｔ％、約５ｗｔ％～約２２ｗｔ％、約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１８ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１２ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約８ｗｔ％、又は約５ｗｔ％～約６ｗｔ％の濃度で含む。
【0024】
［００２５］別の実施形態では、インプリント組成物が、不動態化されたナノ粒子を約４０ｗｔ％、約５０ｗｔ％、約５５ｗｔ％、約６０ｗｔ％、約６２ｗｔ％又は約６５ｗｔ％から約６８ｗｔ％、約７０ｗｔ％、約７５ｗｔ％、約８０ｗｔ％、約８５ｗｔ％、約８８ｗｔ％、約９０ｗｔ％、約９２ｗｔ％、約９３ｗｔ％、約９４ｗｔ％、約９５ｗｔ％、約９６ｗｔ％、約９７ｗｔ％、約９８ｗｔ％の濃度、又はこれより高い濃度で含む。インプリント組成物は例えば、不動態化されたナノ粒子を、約４０ｗｔ％～約９８ｗｔ％、約５０ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約５０ｗｔ％～約９０ｗｔ％、約５０ｗｔ％～約８０ｗｔ％、約５０ｗｔ％～約７５ｗｔ％、約５０ｗｔ％～約７０ｗｔ％、約５０ｗｔ％～約６５ｗｔ％、約５０ｗｔ％～約６０ｗｔ％、約５０ｗｔ％～約５５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約９０ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約８０ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７０ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約６５ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約９０ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約８０ｗｔ％、又は約７０ｗｔ％～約７５ｗｔ％の濃度で含む。
【0025】
［００２６］表面リガンドは、１若しくは複数のカルボン酸、１若しくは複数のエステル、１若しくは複数のアミン、１若しくは複数のアルコール、１若しくは複数のシラン、これらの塩、これらの錯体、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。例示的な表面リガンドは、オレイン酸、ステアリン酸、プロピオン酸、安息香酸、パルミチン酸、ミリスチン酸、メチルアミン、オレイルアミン、ブチルアミン、ベンジルアルコール、オレイルアルコール、ブタノール、オクタノール、ドデカノール、オクテニルトリメトキシシラン、オクテニルトリエトキシシラン、オクテニルトリメトキシシラン、オクテニルトリエトキシシラン、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、プロピルトリエトキシシラン、これらの塩、これらのエステル、これらの錯体、若しくはそれらの組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。いくつかの例では表面リガンドが、不動態化されたナノ粒子の重量を基準として、約８ｗｔ％～約５０ｗｔ％の濃度である。
【0026】
［００２７］インプリント組成物は、表面リガンドを約０．５ｗｔ％、約１ｗｔ％、約２ｗｔ％、約３ｗｔ％、約５ｗｔ％、約７ｗｔ％、約８ｗｔ％又は約１０ｗｔ％から約１２ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約２０ｗｔ％、約２５ｗｔ％、約３０ｗｔ％、約３５ｗｔ％、約４０ｗｔ％、約４５ｗｔ％又は約５０ｗｔ％の濃度で含む。インプリント組成物は例えば、表面リガンドを約０．５ｗｔ％～約５０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約５０ｗｔ％、約３ｗｔ％～約５０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約５０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約３５ｗｔ％、約５ｗｔ％～約３０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約２５ｗｔ％、約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約５０ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約３５ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約３０ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約２５ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約１０ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約１５ｗｔ％～約５０ｗｔ％、約１５ｗｔ％～約４０ｗｔ％、約１５ｗｔ％～約３５ｗｔ％、約１５ｗｔ％～約３０ｗｔ％、約１５ｗｔ％～約２５ｗｔ％、又は約１５ｗｔ％～約２０ｗｔ％の濃度で含む。
【0027】
［００２８］溶媒は、１若しくは複数のナノ粒子分散溶媒、１若しくは複数のインプリント溶媒、他の種類の溶媒、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。ナノ粒子分散溶媒は、１若しくは複数のグリコールエーテル、アルコール、アセテート、これらのエステル、これらの塩、これらの誘導体、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。いくつかの例ではナノ粒子分散溶媒が、１若しくは複数のｐ－シリーズグリコールエーテル、１若しくは複数のｅ－シリーズグリコールエーテル、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。１又は複数の例ではナノ粒子分散溶媒が、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を含む。インプリント溶媒は、１若しくは複数のアルコール、１若しくは複数のエステル、これらの塩、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。１又は複数の例ではナノ粒子分散溶媒が、乳酸エチルを含む。
【0028】
［００２９］１又は複数の実施形態ではインプリント組成物が、１又は複数の溶媒を約５０ｗｔ％、約５５ｗｔ％、約６０ｗｔ％、約６２ｗｔ％、約６５ｗｔ％、約６８ｗｔ％、約７０ｗｔ％、約７２ｗｔ％、約７５ｗｔ％又は約８０ｗｔ％から約８３ｗｔ％、約８５ｗｔ％、約８７ｗｔ％、約８８ｗｔ％、約９０ｗｔ％、約９２ｗｔ％、約９４ｗｔ％、約９５ｗｔ％、約９７ｗｔ％又は約９８ｗｔ％の濃度で含む。インプリント組成物は例えば、１又は複数の溶媒を約５０ｗｔ％～約９８ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約９８ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約９０ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約８８ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約８５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約８３ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約８０ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７８ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７２ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７０ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約６８ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約６５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約６３ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約９８ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約９０ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約８８ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約８５ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約８３ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約８０ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約７８ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約７５ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約７２ｗｔ％、約８０ｗｔ％～約９８ｗｔ％、約８０ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約８０ｗｔ％～約９０ｗｔ％、約８０ｗｔ％～約８８ｗｔ％、約８０ｗｔ％～約８５ｗｔ％、約８０ｗｔ％～約８３ｗｔ％、又は約８０ｗｔ％～約８２ｗｔ％の濃度で含む。
【0029】
［００３０］いくつかの実施形態ではインプリント組成物が、ナノ粒子分散溶媒を約０．５ｗｔ％、約０．８ｗｔ％、約１ｗｔ％、約１．５ｗｔ％、約２ｗｔ％、約２．５ｗｔ％、約３ｗｔ％、約３．５ｗｔ％、約４ｗｔ％、約５ｗｔ％又は約６ｗｔ％から約７ｗｔ％、約８ｗｔ％、約１０ｗｔ％、約１２ｗｔ％、約１４ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１８ｗｔ％、約２０ｗｔ％又は約２５ｗｔ％の濃度で含む。インプリント組成物は例えば、ナノ粒子分散溶媒を約０．５ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１８ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１３ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１２ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１１ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約８ｗｔ％、約１ｗｔ％～約７ｗｔ％、約１ｗｔ％～約６ｗｔ％、約１ｗｔ％～約５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約４ｗｔ％、約１ｗｔ％～約３ｗｔ％、約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１８ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１３ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１２ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１１ｗｔ％、約５ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約５ｗｔ％～約８ｗｔ％、約５ｗｔ％～約７ｗｔ％、約５ｗｔ％～約６ｗｔ％、約８ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約８ｗｔ％～約１８ｗｔ％、約８ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約８ｗｔ％～約１３ｗｔ％、約８ｗｔ％～約１２ｗｔ％、約８ｗｔ％～約１１ｗｔ％、約８ｗｔ％～約１０ｗｔ％、又は約８ｗｔ％～約９ｗｔ％の濃度で含む。
【0030】
［００３１］他の実施形態ではインプリント組成物が、インプリント溶媒を約５０ｗｔ％、約５５ｗｔ％、約６０ｗｔ％、約６２ｗｔ％、約６５ｗｔ％、約６８ｗｔ％又は約７０ｗｔ％から約７２ｗｔ％、約７５ｗｔ％、約７８ｗｔ％、約８０ｗｔ％、約８２ｗｔ％、約８３ｗｔ％、約８５ｗｔ％、約８７ｗｔ％、約８８ｗｔ％、約９０ｗｔ％又は約９５ｗｔ％の濃度で含む。インプリント組成物は例えば、インプリント溶媒を約５０ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約９０ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約８８ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約８５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約８３ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約８０ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７８ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７２ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約７０ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約６８ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約６５ｗｔ％、約６０ｗｔ％～約６３ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約９８ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約９０ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約８８ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約８５ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約８３ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約８０ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約７８ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約７５ｗｔ％、約７０ｗｔ％～約７２ｗｔ％、約７５ｗｔ％～約９８ｗｔ％、約７５ｗｔ％～約９５ｗｔ％、約７５ｗｔ％～約９０ｗｔ％、約７５ｗｔ％～約８８ｗｔ％、約７５ｗｔ％～約８５ｗｔ％、約７５ｗｔ％～約８３ｗｔ％、約７５ｗｔ％～約８０ｗｔ％、又は約７５ｗｔ％～約７８ｗｔ％の濃度で含む。
【0031】
［００３２］添加剤は、１若しくは複数のパーフルオロアルキルエーテル、１若しくは複数のポリグリコール、１若しくは複数の脂肪酸、１若しくは複数のシラン、１若しくは複数のシロキサン、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。例示的な添加剤としては、フルオロ界面活性剤、フルオロ添加剤、及び／又はフルオロカーボン（例えばCAPSTONE（登録商標）FS-66若しくはFS-68フルオロ界面活性剤、DuPontから入手可能）、グリコール酸エトキシレートオレイルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ラウリン酸、ミリスチン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ジメチルジエトキシシラン、ポリジメチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、シラノール末端ポリジメチルシロキサン、ビニル末端ポリジメチルシロキサン、１，２－プロパンジオール、これらの塩、これらのエステル、これらの錯体、又はこれらの組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。添加剤は、１若しくは複数のジオール、３つ以上のアルコール基を有する１若しくは複数のアルコール、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。１又は複数の例では添加剤が、１，２－プロパンジオールを含む。いくつかの例では添加剤が、不動態化されたナノ粒子の重量を基準として、約０．０１ｗｔ％～約２．５ｗｔ％の濃度である。
【0032】
［００３３］インプリント組成物は添加剤を、約０．０１ｗｔ％、約０．０５ｗｔ％、約０．１ｗｔ％、約０．２ｗｔ％、約０．３ｗｔ％、約０．５ｗｔ％、約０．８ｗｔ％又は約１ｗｔ％から約１．２ｗｔ％、約１．５ｗｔ％、約１．８ｗｔ％、約２ｗｔ％、約２．５ｗｔ％、約３ｗｔ％、約３．５ｗｔ％、約４ｗｔ％、約５ｗｔ％、約６ｗｔ％、約８ｗｔ％又は約１０ｗｔ％の濃度で含む。インプリント組成物は例えば、添加剤を約０．０１ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％～約８ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％～約５ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％～約４ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％～約３ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％～約２ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％～約１ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％～約０．５ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％～約０．１ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％～約０．０５ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約８ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約５ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約４ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約３ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約２ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約１ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約０．５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約８ｗｔ％、約１ｗｔ％～約５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約４ｗｔ％、約１ｗｔ％～約３ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２ｗｔ％、又は約１ｗｔ％～約１．５ｗｔ％の濃度で含む。
【0033】
［００３４］アクリレートは、１若しくは複数のメタクリレート、１若しくは複数のエチルアクリレート、１若しくは複数のプロピルアクリレート、１若しくは複数のブチルアクリレート、１若しくは複数の単官能性アクリレート、１若しくは複数の二官能性アクリレート、１若しくは複数の三官能性アクリレート、他の多官能性アクリレート、又はこれらの任意の組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。例示的なアクリレートは、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート（３－ＭＰＳ）、３－（トリメトキシシリル）プロピルアクリレート、ジ（エチレングリコール）メチルエーテルメタクリレート、エチレングリコールメチルエーテルメタクリレート、２－エチルヘキシルメタクリレート、エチルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、メタクリル酸、ビニルメタクリレート、これらのモノマー、これらのポリマー、これらの塩、これらの錯体、若しくはこれらの組み合わせであり得るか、又はこれらを含むことができる。いくつかの例ではアクリレートが、不動態化されたナノ粒子の重量を基準として、約０．０５ｗｔ％～約１０ｗｔ％の濃度である。
【0034】
［００３５］インプリント組成物はアクリレートを、約０．１ｗｔ％、約０．２ｗｔ％、約０．３ｗｔ％、約０．５ｗｔ％、約０．８ｗｔ％、約１ｗｔ％から約１．２ｗｔ％、約１．５ｗｔ％、約１．８ｗｔ％又は約２ｗｔ％、約２．２ｗｔ％、約２．３ｗｔ％、約２．５ｗｔ％、約２．８ｗｔ％、約３ｗｔ％、約３．２ｗｔ％、約３．５ｗｔ％、約３．８ｗｔ％、約４ｗｔ％、約５ｗｔ％、約６ｗｔ％、約８ｗｔ％、約１０ｗｔ％、約１２ｗｔ％、約１５ｗｔ％、約１８ｗｔ％又は約２０ｗｔ％の濃度で含む。インプリント組成物は例えば、アクリレートを約０．１ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約８ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約５ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約４ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約３ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約２ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約１ｗｔ％、約０．１ｗｔ％～約０．５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約１ｗｔ％～約８ｗｔ％、約１ｗｔ％～約５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約４ｗｔ％、約１ｗｔ％～約３．５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約３．２ｗｔ％、約１ｗｔ％～約３ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２．８ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２．５ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２．３ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２．２ｗｔ％、約１ｗｔ％～約２ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１．８ｗｔ％、約１ｗｔ％～約１．５ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約２０ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約１５ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約１０ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約８ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約５ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約４ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約３．５ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約３．２ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約３ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約２．８ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約２．５ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約２．３ｗｔ％、約１．８ｗｔ％～約２．２ｗｔ％、又は約１．８ｗｔ％～約２ｗｔ％の濃度で含む。
【0035】
［００３６］１又は複数の例ではインプリント組成物が、不動態化されたナノ粒子を約０．５ｗｔ％～約４０ｗｔ％、１又は複数の溶媒を約５０ｗｔ％～約９０ｗｔ％、表面リガンドを約５ｗｔ％～約４０ｗｔ％、添加剤を約０．０１ｗｔ％～約５ｗｔ％、及びアクリレートを約０．１ｗｔ％～約１０ｗｔ％、含む。別の例ではインプリント組成物が、不動態化されたナノ粒子を約１ｗｔ％～約２５ｗｔ％、１又は複数の溶媒を約６０ｗｔ％～約８５ｗｔ％、表面リガンドを約６ｗｔ％～約３５ｗｔ％、添加剤を約０．０５ｗｔ％～約３ｗｔ％、及びアクリレートを約０．３ｗｔ％～約８ｗｔ％、含む。いくつかの例ではインプリント組成物が、不動態化されたナノ粒子を約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％、１又は複数の溶媒を約６５ｗｔ％～約８０ｗｔ％、表面リガンドを約７ｗｔ％～約３１ｗｔ％、添加剤を約０．０９ｗｔ％～約１．５ｗｔ％、及びアクリレートを約０．５ｗｔ％～約６ｗｔ％、含む。
【0036】
［００３７］インプリント組成物は、２３℃の温度で測定して、約１ｃＰ、約２ｃＰ、約３ｃＰ、約５ｃＰ、約８ｃＰ又は約１０ｃＰから約１２ｃＰ、約１５ｃＰ、約２０ｃＰ、約２５ｃＰ、約３０ｃＰ、約４０ｃＰ、約５０ｃＰ、又は約７０ｃＰの粘度を有することができる。インプリント組成物は例えば、２３℃の温度で測定して、約１ｃＰ～約７０ｃＰ、約１ｃＰ～約５０ｃＰ、約１ｃＰ～約４０ｃＰ、約１ｃＰ～約３０ｃＰ、約１ｃＰ～約２０ｃＰ、約１ｃＰ～約１０ｃＰ、約１ｃＰ～約５ｃＰ、約１０ｃＰ～約７０ｃＰ、約１０ｃＰ～約５０ｃＰ、約１０ｃＰ～約４０ｃＰ、約１０ｃＰ～約３０ｃＰ、約１０ｃＰ～約２０ｃＰ、約２０ｃＰ～約７０ｃＰ、約２０ｃＰ～約５０ｃＰ、約２０ｃＰ～約４０ｃＰ、約２０ｃＰ～約３０ｃＰ、又は約２０ｃＰ～約２５ｃＰの粘度を有することができる。
【0037】
インプリントされた表面の製造方法
［００３８］１又は複数の実施形態において、インプリントされた表面（例えばＮＩＬ膜）を作製する方法が提供される。インプリントされる表面は、本明細書で説明され、論じられるナノインプリント膜の1又は複数の露出表面である。この方法は、インプリント組成物を１若しくは複数の基板上に配置、コーティング、又はその他の方法で配置すること、インプリント組成物を、パターンを有するスタンプと接触させること、インプリント組成物をインプリント材料（例えば、ナノインプリント膜）に変換すること、及びスタンプをインプリント材料から除去することを含む。いくつかの例では、基板（例えば、ウェハ）が、ガラス、石英、酸化ケイ素（例えばガラス基板若しくはガラスウェハ）であり得るか、又はこれらを含むことができる。他の例では基板が、ケイ素、ケイ素－ゲルマニウム、プラスチック、及び／若しくは他の材料であり得るか、又はこれらを含むことができる。インプリント組成物は、約１．７～約２．０の屈折率を有することができる。スタンプ上のパターン及びインプリント表面に転写されるパターンは、１次元パターン、２次元パターン、又は３次元パターンであり得る。
［００３８］１又は複数の実施形態において、インプリントされた表面（例えばＮＩＬ膜）を作製する方法が提供される。インプリントされる表面は、本明細書で説明され、論じられるナノインプリント膜の1又は複数の露出表面である。この方法は、インプリント組成物を１若しくは複数の基板上に配置、コーティング、又はその他の方法で配置すること、インプリント組成物を、パターンを有するスタンプと接触させること、インプリント組成物をインプリント材料（例えば、ナノインプリント膜）に変換すること、及びスタンプをインプリント材料から除去することを含む。いくつかの例では、基板（例えば、ウェハ）が、ガラス、石英、酸化ケイ素（例えばガラス基板若しくはガラスウェハ）であり得るか、又はこれらを含むことができる。他の例では基板が、ケイ素、ケイ素－ゲルマニウム、プラスチック、及び／若しくは他の材料であり得るか、又はこれらを含むことができる。インプリント組成物は、約１．７～約２．０の屈折率を有することができる。スタンプ上のパターン及びインプリント表面に転写されるパターンは、１次元パターン、２次元パターン、又は３次元パターンであり得る。
【0038】
［００３９］図１Ａ～１Ｆは、不動態化されたナノ粒子を含むナノインプリント膜（例えば、本明細書に記載され、論じられる１又は複数の実施形態によるナノインプリント膜）を製造する間に、複数の操作を通じて処理されるワークピースの断面図を示す。ナノインプリント膜は、インプリントプロセスによって基板上に形成される。インプリントプロセスは、基板１０２上に不動態化されたナノ粒子を含むインプリント組成物１０４を配置し、インプリント組成物１０４の上方、又はこれに隣接してスタンプ１２０を位置合わせすることを含む（図１Ａ）。インプリント組成物１０４は、パターンを有するスタンプ１２０に押印又はその他の方法で接触される（図１Ｂ～１Ｃ）。インプリント組成物１０４は、ナノインプリント膜１０６に変換される（図１Ｄ）。いくつかの例では、インプリント組成物１０４をナノインプリント膜１０６に変換するために、熱及び／又は放射線（ＵＶ光）による硬化プロセスが使用される。スタンプ１２０は、基板１０２上に配置されたままのナノインプリント膜１０６から除去される（図１Ｅ～１Ｆ）
【0039】
［００４０］いくつかの例ではインプリント組成物が、スピンコーティング、ドロップキャスト、ブレードコーティング及び／又は他のコーティングプロセスにより基板上に配置される。インプリント組成物は、所定の厚さを有する膜又は層として、基板上に配置される。インプリント組成物の厚さは、約５０ｎｍ、約８０ｎｍ、約１００ｎｍ、約１２０ｎｍ、約１５０ｎｍ又は約２００ｎｍから約２５０ｎｍ、約３００ｎｍ、約４００ｎｍ、約５００ｎｍ、約６００ｎｍ、約８００ｎｍ、約１，０００ｎｍ、約１，２００ｎｍであるか、又はこれより厚い。インプリント組成物の厚さは例えば、約５０ｎｍ～約１，０００ｎｍ、約１００ｎｍ～約１，０００ｎｍ、約２００ｎｍ～約１，０００ｎｍ、約４００ｎｍ～約１，０００ｎｍ、約５００ｎｍ～約１，０００ｎｍ、約６００ｎｍ～約１，０００ｎｍ、約８００ｎｍ～約１，０００ｎｍ、約５０ｎｍ～約６００ｎｍ、約１００ｎｍ～約６００ｎｍ、約２００ｎｍ～約６００ｎｍ、約４００ｎｍ～約６００ｎｍ、約５００ｎｍ～約６００ｎｍ、約５０ｎｍ～約４００ｎｍ、約１００ｎｍ～約４００ｎｍ、約２００ｎｍ～約４００ｎｍ、又は約３００ｎｍ～約４００ｎｍである。
【0040】
［００４１］インプリント組成物は、熱、紫外線、赤外線、可視光線、マイクロ波放射、及び／又はこれらの任意の組み合わせにインプリント組成物を曝露することによって、インプリント材料に変換される。１又は複数の例では、インプリント組成物をインプリント材料に変換する際、インプリント組成物が、約３００ｎｍ～約３６５ｎｍの波長を有する光源に曝露される。他の例では、インプリント組成物をインプリント材料に変換する際、インプリント組成物を熱に曝露し、約３０℃～約１００℃の温度で約３０秒～約１時間の時間にわたり維持する。いくつかの例では、インプリント組成物が熱に曝露され、約５０℃～約６０℃の温度で約１分～約１５分間の時間にわたり、維持される。
【0041】
［００４２］１又は複数の実施形態では、インプリント組成物中の１又は複数のアクリレートを、インプリント材料を製造（例えば、硬化又は他の方法で変換）する間に重合及び／又はオリゴマー化することができる。
【0042】
［００４３］本明細書に記載され、論じられる１又は複数の実施形態では、インプリント材料が、無機酸化物ナノ粒子（約１ｗｔ％～約９５ｗｔ％）、メタクリレート若しくはアクリレート若しくはクロロ－アクリレートバインダー（約０．１ｗｔ％～約１０ｗｔ％）、高沸点成分、例えばジオール、脂肪酸、アミン（約０．１ｗｔ％～約５ｗｔ％）、及び最適粘度（約２３℃で約１ｃＰ～約５０ｃＰ）のエーテル若しくはアセテート溶媒（約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％）を含む、又は含有する。インプリント材料は、１．７を超える高い屈折率を示し、異なる重量割合（約１ｗｔ％～約５０ｗｔ％）において可視領域で９０％を超える光学的透明性を有し、約１％～約３０％（いくつかの例では１％未満）のフィーチャ収縮率で高解像度の大面積パターニングを可能にする。高屈折率材料と組み合わされたナノインプリント・リソグラフィーは、この機能性材料を直接インプリントすることにより、プリント可能なデバイスを作製するユニークなルートを提供する。パターン化された膜は、最終的に所望の光学的機能を有し、追加のエッチング工程は必要ない。このアプローチは、マイクロ／ナノ構造を高い制御性で作製するトップダウンのリソグラフィープロセスと、パターン化された膜の特性を設計及び調整するボトムアップの合成化学アプローチとの双方の利点を兼ね備えている。
【0043】
［００４４］本明細書に記載され、論じられる他の実施形態において、不動態化されたナノ粒子インプリント組成物が製造され、当該インプリント組成物は、約１ｃＰ～約５０ｃＰ（約２３℃で）の低粘度、高屈折率を有し、光学的に透明であり、容易に加工可能である。インプリント組成物は、約１ｗｔ％～約８０ｗｔ％の高沸点性エーテル又はアセテートがベースの溶媒中に配置された、本明細書に記載され、論じられるような不動態化されたナノ粒子を含むことができるか、又は含有することができる。インプリント組成物は、メタクリレート又はアクリレートバインダー（約０．１ｗｔ％～約１０ｗｔ％）、脂肪酸（約０．０５ｗｔ％～約５ｗｔ％）、アミン（約０．０５ｗｔ％～約５ｗｔ％）、ＰＥＧベースのモノマー（約０．１ｗｔ％～約１５ｗｔ％）、及び界面活性剤として作用するパーフルオロ若しくはシロキサン分散剤（約０．０５ｗｔ％～約５ｗｔ％）のうち１又は複数を含むことができるか、又は含有することができる。最終的なインプリント組成物は、室温（約２３℃）で６ヶ月超にわたり光学的に透明なままであり、濾過の有無にかかわらず使用できる。
【0044】
［００４５］一部の実施形態では、大面積のナノパターン化されたフィーチャ及び構造を生成するために、溶媒支援型のソフトでスケーラブルなＮＩＬ法（a scalable, solvent-assisted soft NIL method）を用いる。この形態のＮＩＬでは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）又は他のシリコーンスタンプが使用され、これらのうち多くは１つのシリコーンマスターから製造することができ、各スタンプは何度も再利用できるため、コストが最小限に抑えられる。よってインプリントされた構造の面積は、主に元のパターン化されたマスターのサイズによってのみ制限される。ＰＤＭＳを用いると、１００ｎｍ未満のフィーチャーサイズを複製することができる。簡潔に述べると、インプリント組成物は、濾過されて、又はそのままで基材の表面に分配される。この基板をスピンして、約１００ｎｍから約４００ｎｍの厚さの膜を製造する。ＰＤＭＳモールドをスパン・オン・フィルム（spun-on film）の表面に置き、その後、約５０℃から約６０℃で熱硬化させる。ＵＶ硬化は、波長約３００ｎｍ～約３６５ｎｍ、出力約１０Ｊｃｍ－２～約５０Ｊｃｍ－２の光源により行われる。インプリント組成物を硬化させてインプリント材料を製造した後、ＰＤＭＳスタンプを回折格子（grating）の方向又はその反対方向で除去する。取り外したスタンプは再び使用され、材料を高密度化するために、熱及び／又はＵＶプロセスによってインプリントをさらに硬化させることができる。
【0045】
［００４６］図２は、本明細書に記載され、論じられる１又は複数の実施形態による、ナノインプリント膜１０６（図１Ｆ参照）を含む光学デバイス２００の正面図を示す。以下に説明する光学デバイス２００は、例示的な光学デバイスであると理解されるべきである。１又は複数の実施形態では光学デバイス２００が、導波路コンバイナ、例えば拡張現実感導波路コンバイナである。他の実施形態では光学デバイス２００が、平坦な光学デバイス、例えばメタサーフェスである。光学デバイス２００は、複数のデバイス構造２０４を含む。デバイス構造２０４は、サブマイクロ寸法（例えば、１μｍ未満の臨界寸法のようなナノサイズ寸法）を有するナノ構造であり得る。１又は複数の実施形態では、デバイス構造２０４の領域が、１又は複数の回折格子２０２、例えば回折格子領域２０２ａ及び２０２ｂに対応する。１又は複数の実施形態では光学デバイス２００が、第１の回折格子領域２０２ａ及び第２の回折格子領域２０２ｂを含み、第１の回折格子領域２０２ａ及び２０２ｂがそれぞれ、複数のデバイス構造２０４を含む。
【0046】
［００４７］回折格子２０２の深さは、本明細書に記載される実施形態において、回折格子領域２０２ａ及び２０２ｂにわたって変化し得る。いくつかの実施形態では、回折格子２０２の深さが、第１の回折格子領域２０２ａにわたって、また第２の回折格子領域２０２ｂにわたって滑らかに変化し得る。１又は複数の例では、この深さが、回折格子領域のいずれかにわたって約１０ｎｍから約４００ｎｍの範囲であり得る。回折格子面積２０２ａは、いくつかの例では、所定の辺で約２０ｍｍから約５０ｍｍの範囲であり得る。よって、いくつかの例として、回折格子２０２の深さにおける変化の角度は、０．０００５度のオーダーであり得る。
【0047】
［００４８］本明細書で説明する実施形態では、デバイス構造２０４が、レーザーアブレーションを用いて作成され得る。本明細書で使用するレーザーアブレーションは、デバイス材料に三次元微細構造を作製するため、又は任意選択的に、可変深さ構造プロセスの一部としてデバイス材料に重なる犠牲層に可変深さ構造を形成するために使用される。光学構造２０４を作成するためにレーザーアブレーションを使用することにより、既存の方法よりも少ない処理操作及び高い可変深さ解像度が可能になる。
【0048】
［００４９］本開示の実施形態はさらに、以下の例１～２４の１又は複数に関する：
【0049】
［００５０］
例１
インプリント組成物であって：不動態化された複数のナノ粒子であって、不動態化された各ナノ粒子が、コア及びシェルを備え、コアが金属酸化物を含み、シェルが不動態化材料を含む、不動態化された複数のナノ粒子；１又は複数の溶媒；表面リガンド；添加剤；並びにアクリレートを含む、インプリント組成物。
例１
インプリント組成物であって：不動態化された複数のナノ粒子であって、不動態化された各ナノ粒子が、コア及びシェルを備え、コアが金属酸化物を含み、シェルが不動態化材料を含む、不動態化された複数のナノ粒子；１又は複数の溶媒；表面リガンド；添加剤；並びにアクリレートを含む、インプリント組成物。
【0050】
［００５１］
例２
インプリント組成物であって：不動態化された複数のナノ粒子であって、不動態化された各ナノ粒子が、コア及びシェルを備え、コアが金属酸化物を含み、シェルが不動態化材料を含み、不動態化材料が、原子層堆積（ＡＬＤ）材料、ブロックコポリマー、又はケイ素含有化合物を含む、不動態化された複数のナノ粒子；１又は複数の溶媒；表面リガンド；添加剤；並びにアクリレートを含む、インプリント組成物。
例２
インプリント組成物であって：不動態化された複数のナノ粒子であって、不動態化された各ナノ粒子が、コア及びシェルを備え、コアが金属酸化物を含み、シェルが不動態化材料を含み、不動態化材料が、原子層堆積（ＡＬＤ）材料、ブロックコポリマー、又はケイ素含有化合物を含む、不動態化された複数のナノ粒子；１又は複数の溶媒；表面リガンド；添加剤；並びにアクリレートを含む、インプリント組成物。
【0051】
［００５２］
例３
コアが、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１又は２に記載のインプリント組成物。
例３
コアが、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１又は２に記載のインプリント組成物。
【0052】
［００５３］
例４
シェルの不動態化材料が、ＡＬＤ材料を含む、例１から３のいずれかに記載のインプリント組成物。
例４
シェルの不動態化材料が、ＡＬＤ材料を含む、例１から３のいずれかに記載のインプリント組成物。
【0053】
［００５４］
例５
ＡＬＤ材料が、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ハフニウムジルコニウム、酸化ハフニウムチタン、酸化チタンジルコニウム、酸化ケイ素チタン、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化アルミニウムチタン、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせから選択され、コア及びシェルが異なる材料を含む、例１から４のいずれかに記載のインプリント組成物。
例５
ＡＬＤ材料が、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ハフニウムジルコニウム、酸化ハフニウムチタン、酸化チタンジルコニウム、酸化ケイ素チタン、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化アルミニウムチタン、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせから選択され、コア及びシェルが異なる材料を含む、例１から４のいずれかに記載のインプリント組成物。
【0054】
［００５５］
例６
シェルの不動態化材料が、ブロックコポリマーを含む、例１から５のいずれかに記載のインプリント組成物。
例６
シェルの不動態化材料が、ブロックコポリマーを含む、例１から５のいずれかに記載のインプリント組成物。
【0055】
［００５６］
例７
ブロックコポリマーが、ポリスチレン－ブロック－ポリ（４－ビニルピリジン）（ＰＳ－ｂ－Ｐ４ＶＰ）、ポリスチレン ｂ－ポリエチレンオキシド（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）、ポリスチレン－ｂ－ポリブタジエン（ＰＳ－ｂ－ＰＢ）、ポリスチレン ｂ－ポリメチルメタクリレート（ＰＳ－ｂ－ＰＭＭＡ）、ポリスチレン－ブロック－ポリブタジエン－ブロック－ポリスチレン、ポロキサマー、ポリ（イソプレン－ブロック－ジメチルアミノエチルメタクリレート）（ＰＩ－ｂ－ＰＤＭＡＥＭＡ）、ポリ（エチレンオキシド）－ポリ（プロピレンオキシド）－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）、これらのポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１から６のいずれかに記載のインプリント組成物。
例７
ブロックコポリマーが、ポリスチレン－ブロック－ポリ（４－ビニルピリジン）（ＰＳ－ｂ－Ｐ４ＶＰ）、ポリスチレン ｂ－ポリエチレンオキシド（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）、ポリスチレン－ｂ－ポリブタジエン（ＰＳ－ｂ－ＰＢ）、ポリスチレン ｂ－ポリメチルメタクリレート（ＰＳ－ｂ－ＰＭＭＡ）、ポリスチレン－ブロック－ポリブタジエン－ブロック－ポリスチレン、ポロキサマー、ポリ（イソプレン－ブロック－ジメチルアミノエチルメタクリレート）（ＰＩ－ｂ－ＰＤＭＡＥＭＡ）、ポリ（エチレンオキシド）－ポリ（プロピレンオキシド）－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）、これらのポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１から６のいずれかに記載のインプリント組成物。
【0056】
［００５７］
例８
シェルの不動態化材料が、ケイ素含有化合物を含み、ケイ素含有化合物が、シラン、シラノール、シロキサン、シリコーン、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１から７のいずれかに記載のインプリント組成物。
例８
シェルの不動態化材料が、ケイ素含有化合物を含み、ケイ素含有化合物が、シラン、シラノール、シロキサン、シリコーン、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１から７のいずれかに記載のインプリント組成物。
【0057】
［００５８］
例９
ケイ素含有化合物が、（３－アセトアミドプロピル）トリメトキシシラン、オクテイルトリエトキシシラン、オクテイルトリメトキシシラン、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、プロピルトリエトキシシラン、（３－アクリルオキシプロピル）トリス（トリメチルシロキシ）シラン、ジメチルジエトキシシラン、ポリジメチルシロキサン、γ－グリシドオキシプロピルトリメトキシ－シラン（ＧＰＭＳ）、ポリジフェニルシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、アミノプロピルトリエトキシシラン、これらの錯体、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１から８のいずれかに記載のインプリント組成物。
例９
ケイ素含有化合物が、（３－アセトアミドプロピル）トリメトキシシラン、オクテイルトリエトキシシラン、オクテイルトリメトキシシラン、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、プロピルトリエトキシシラン、（３－アクリルオキシプロピル）トリス（トリメチルシロキシ）シラン、ジメチルジエトキシシラン、ポリジメチルシロキサン、γ－グリシドオキシプロピルトリメトキシ－シラン（ＧＰＭＳ）、ポリジフェニルシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、アミノプロピルトリエトキシシラン、これらの錯体、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１から８のいずれかに記載のインプリント組成物。
【0058】
［００５９］
例１０
コアが、約２ｎｍ～約５０ｎｍの直径を有する、例１から９のいずれかに記載のインプリント組成物。
例１０
コアが、約２ｎｍ～約５０ｎｍの直径を有する、例１から９のいずれかに記載のインプリント組成物。
【0059】
［００６０］
例１１
シェルが、約０．１ｎｍ～約４０ｎｍの厚さを有する、例１から１０のいずれかに記載のインプリント組成物。
例１１
シェルが、約０．１ｎｍ～約４０ｎｍの厚さを有する、例１から１０のいずれかに記載のインプリント組成物。
【0060】
［００６１］
例１２
ナノインプリント膜を形成する方法であって：不動態化された複数のナノ粒子を含むインプリント組成物を、基板上に配置することであって、不動態化された各ナノ粒子がコア及びシェルを含み、コアが金属酸化物を含み、シェルが不動態化材料を含み、不動態化材料が、ＡＬＤ材料、ブロックコポリマー、又はケイ素含有化合物を含み、ケイ素含有化合物が、シラン、シラノール、シロキサン、シリコーン、シロキサン、これらの誘導体又はこれらの任意の組み合わせを含む、不動態化された複数のナノ粒子を含むインプリント組成物を、基板上に配置すること；インプリント組成物を、パターンを有するスタンプと接触させること；インプリント組成物を、多孔質ナノインプリント膜に変換すること；並びにスタンプを、多孔質ナノインプリント膜から除去することを含む、方法。
例１２
ナノインプリント膜を形成する方法であって：不動態化された複数のナノ粒子を含むインプリント組成物を、基板上に配置することであって、不動態化された各ナノ粒子がコア及びシェルを含み、コアが金属酸化物を含み、シェルが不動態化材料を含み、不動態化材料が、ＡＬＤ材料、ブロックコポリマー、又はケイ素含有化合物を含み、ケイ素含有化合物が、シラン、シラノール、シロキサン、シリコーン、シロキサン、これらの誘導体又はこれらの任意の組み合わせを含む、不動態化された複数のナノ粒子を含むインプリント組成物を、基板上に配置すること；インプリント組成物を、パターンを有するスタンプと接触させること；インプリント組成物を、多孔質ナノインプリント膜に変換すること；並びにスタンプを、多孔質ナノインプリント膜から除去することを含む、方法。
【0061】
［００６２］
例１３
コアが、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１２に記載の方法。
例１３
コアが、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１２に記載の方法。
【0062】
［００６３］
例１４
シェルの不動態化材料が、ＡＬＤ材料を含む、例１２又は１３に記載の方法。
例１４
シェルの不動態化材料が、ＡＬＤ材料を含む、例１２又は１３に記載の方法。
【0063】
［００６４］
例１５
ＡＬＤ材料が、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ハフニウムジルコニウム、酸化ハフニウムチタン、酸化チタンジルコニウム、酸化ケイ素チタン、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化アルミニウムチタン、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせから選択され、コア及びシェルが異なる材料を含む、例１２から１４のいずれかに記載の方法。
例１５
ＡＬＤ材料が、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化コバルト、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化セリウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ハフニウムジルコニウム、酸化ハフニウムチタン、酸化チタンジルコニウム、酸化ケイ素チタン、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化アルミニウムチタン、これらのドーパント、又はこれらの任意の組み合わせから選択され、コア及びシェルが異なる材料を含む、例１２から１４のいずれかに記載の方法。
【0064】
［００６５］
例１６
シェルの不動態化材料が、ブロックコポリマーを含む、例１２から１５のいずれかに記載の方法。
例１６
シェルの不動態化材料が、ブロックコポリマーを含む、例１２から１５のいずれかに記載の方法。
【0065】
［００６６］
例１７
ブロックコポリマーが、ポリスチレン－ブロック－ポリ（４－ビニルピリジン）（ＰＳ－ｂ－Ｐ４ＶＰ）、ポリスチレン ｂ－ポリエチレンオキシド（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）、ポリスチレン－ｂ－ポリブタジエン（ＰＳ－ｂ－ＰＢ）、ポリスチレン ｂ－ポリメチルメタクリレート（ＰＳ－ｂ－ＰＭＭＡ）、ポリスチレン－ブロック－ポリブタジエン－ブロック－ポリスチレン、ポロキサマー、ポリ（イソプレン－ブロック－ジメチルアミノエチルメタクリレート）（ＰＩ－ｂ－ＰＤＭＡＥＭＡ）、ポリ（エチレンオキシド）－ポリ（プロピレンオキシド）－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）、これらのポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１２から１６のいずれかに記載の方法。
例１７
ブロックコポリマーが、ポリスチレン－ブロック－ポリ（４－ビニルピリジン）（ＰＳ－ｂ－Ｐ４ＶＰ）、ポリスチレン ｂ－ポリエチレンオキシド（ＰＳ－ｂ－ＰＥＯ）、ポリスチレン－ｂ－ポリブタジエン（ＰＳ－ｂ－ＰＢ）、ポリスチレン ｂ－ポリメチルメタクリレート（ＰＳ－ｂ－ＰＭＭＡ）、ポリスチレン－ブロック－ポリブタジエン－ブロック－ポリスチレン、ポロキサマー、ポリ（イソプレン－ブロック－ジメチルアミノエチルメタクリレート）（ＰＩ－ｂ－ＰＤＭＡＥＭＡ）、ポリ（エチレンオキシド）－ポリ（プロピレンオキシド）－ポリ（エチレンオキシド）（ＰＥＯ－ＰＰＯ－ＰＥＯ）、これらのポリマー、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１２から１６のいずれかに記載の方法。
【0066】
［００６７］
例１８
シェルの不動態化材料が、ケイ素含有化合物を含む、例１２から１７のいずれかに記載の方法。
例１８
シェルの不動態化材料が、ケイ素含有化合物を含む、例１２から１７のいずれかに記載の方法。
【0067】
［００６８］
例１９
ケイ素含有化合物が、（３－アセトアミドプロピル）トリメトキシシラン、オクテイルトリエトキシシラン、オクテイルトリメトキシシラン、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、プロピルトリエトキシシラン、（３－アクリルオキシプロピル）トリス（トリメチルシロキシ）シラン、ジメチルジエトキシシラン、ポリジメチルシロキサン、γ－グリシドオキシプロピルトリメトキシ－シラン（ＧＰＭＳ）、ポリジフェニルシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、アミノプロピルトリエトキシシラン、これらの錯体、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１２から１８のいずれかに記載の方法。
例１９
ケイ素含有化合物が、（３－アセトアミドプロピル）トリメトキシシラン、オクテイルトリエトキシシラン、オクテイルトリメトキシシラン、３－（トリメトキシシリル）プロピルメタクリレート、プロピルトリエトキシシラン、（３－アクリルオキシプロピル）トリス（トリメチルシロキシ）シラン、ジメチルジエトキシシラン、ポリジメチルシロキサン、γ－グリシドオキシプロピルトリメトキシ－シラン（ＧＰＭＳ）、ポリジフェニルシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、アミノプロピルトリエトキシシラン、これらの錯体、又はこれらの任意の組み合わせを含む、例１２から１８のいずれかに記載の方法。
【0068】
［００６９］
例２０
コアが、約２ｎｍ～約５０ｎｍの直径を有する、例１２から１９のいずれかに記載の方法。
例２０
コアが、約２ｎｍ～約５０ｎｍの直径を有する、例１２から１９のいずれかに記載の方法。
【0069】
［００７０］
例２１
シェルが、約０．１ｎｍ～約４０ｎｍの厚さを有する、例１２から２０のいずれかに記載の方法。
例２１
シェルが、約０．１ｎｍ～約４０ｎｍの厚さを有する、例１２から２０のいずれかに記載の方法。
【0070】
［００７１］
例２２
インプリント組成物をインプリント材料に変換することが、インプリント組成物を、約３００ｎｍ～約３６５ｎｍの波長を有する光源に曝露することをさらに含む、例１２から２１のいずれかに記載の方法。
例２２
インプリント組成物をインプリント材料に変換することが、インプリント組成物を、約３００ｎｍ～約３６５ｎｍの波長を有する光源に曝露することをさらに含む、例１２から２１のいずれかに記載の方法。
【0071】
［００７２］
例２３
インプリント組成物をインプリント材料に変換することが、インプリント組成物を、約１分から約１５分の時間にわたり約５０℃～約６０℃の温度に加熱することをさらに含む、例１２から２２のいずれかに記載の方法。
例２３
インプリント組成物をインプリント材料に変換することが、インプリント組成物を、約１分から約１５分の時間にわたり約５０℃～約６０℃の温度に加熱することをさらに含む、例１２から２２のいずれかに記載の方法。
【0072】
［００７３］
例２４
例１２から２３のいずれかに記載の方法によって製造、作製、又はその他のやり方で形成された、インプリント組成物。
例２４
例１２から２３のいずれかに記載の方法によって製造、作製、又はその他のやり方で形成された、インプリント組成物。
【0073】
［００７４］上記は本開示の実施形態に向けられているが、他のさらなる実施形態は、その基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。本明細書に記載されているすべての文書（優先権文書及び／又は試験手順を含む）は、本テキストと矛盾しない限りにおいて、参照により本明細書に組み込まれる。本開示の形態が図示及び説明されている一方で、前述の一般的な説明及び特定の実施形態から明らかなように、本開示の思想及び範囲から逸脱することなく様々な変更を加えることができる。従って、本開示がこれにより限定されることを意図していない。同様に、「含む（comprising）」という用語は、米国法の目的上、「含有する（including）」という用語と同義であるとみなされる。同様に、組成、要素又は要素群が「含む（comprising）」という移行句に先行する場合は常に、「実質的にからなる」、「からなる」、「からなる群から選択される」又は「である」という移行句を備える同じ組成物、要素又は要素群が、組成又は１若しくは複数要素の記載に先行し、その逆も成り立つとみなされることが、理解される。
【0074】
［００７５］特定の実施形態及び特徴は、数値上限のセット及び数値下限のセットを使用して説明されている。特に断らない限り、任意の２つの値の組み合わせを含む範囲、例えば、任意の下限値と任意の上限値の組み合わせ、任意の２つの下限値の組み合わせ、及び／又は任意の２つの上限値の組み合わせが考慮されると評価すべきである。特定の下限、上限及び範囲は、以下の１又は複数の請求項に現れる。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図2】
【国際調査報告】