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特表2023-552977半導体パターニングアプリケーションのための酸化スズおよび炭化スズ材料
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-12-20
(54)【発明の名称】半導体パターニングアプリケーションのための酸化スズおよび炭化スズ材料
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20231213BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 105A
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023530170
(86)(22)【出願日】2021-11-23
(85)【翻訳文提出日】2023-07-13
(86)【国際出願番号】 US2021060531
(87)【国際公開番号】W WO2022132413
(87)【国際公開日】2022-06-23
(31)【優先権主張番号】63/125,576
(32)【優先日】2020-12-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】リン， ユンチェン
(72)【発明者】
【氏名】ラン， チ－イ
(72)【発明者】
【氏名】ファン， ホユン
【テーマコード（参考）】
5F004
【Ｆターム（参考）】
5F004DA00
5F004DA04
5F004DA11
5F004DA15
5F004DA16
5F004DA17
5F004DA25
5F004DA26
5F004DA28
5F004DA29
5F004DB13
5F004EA04
5F004EA06
5F004EA07
5F004EA12
(57)【要約】
マンドレル材料、ハードマスク材料、およびライナー材料としてスズベースの材料を使用して半導体材料をパターニングするための方法および装置が提供される。本開示の１つまたは複数の実装形態は、様々なパターニングアプリケーション中に、ハードマスク材料、マンドレル材料、および／またはライナー材料として酸化スズおよび／または炭化スズ材料を使用する。酸化スズまたは炭化スズ材料は、限界寸法に影響を及ぼすことと、欠陥を発生させることとを回避するために、金属酸化物（たとえば、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３）のような他の高選択性材料と比較して、剥離することが容易である。さらに、酸化スズおよび炭化スズは、低い屈折率（ｋ－値）を有し、リソグラフィオーバーレイの場合は６６３ｎｍ未満で透明である。
【選択図】図２
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板上にフィーチャを形成する方法であって、基板上に、炭化スズ層または酸化スズ層であるマンドレル層を形成することと、
前記マンドレル層をパターニングすることと、
パターニングされた前記マンドレル層上にスペーサ層を共形に形成することと、
前記スペーサ層をパターニングすることと
を含む、基板上にフィーチャを形成する方法。
【請求項2】
パターニングされた前記スペーサ層からパターニングされた前記マンドレル層を選択的に除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記マンドレル層をパターニングすることが、ハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第１の混合ガスを供給することと、
前記第１の混合ガス中に第１のＲＦソース電力設定を適用することと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記スペーサ層が、前記マンドレル層の材料とは異なる材料を含み、酸化ケイ素、窒化ケイ素、金属酸化物、またはポリシリコンから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記マンドレル層が、該マンドレル層の上に形成されたハードマスク層を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
前記ハードマスク層が、ポリシリコン、ナノ結晶性シリコン、アモルファスシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、アモルファスカーボン、ダイヤモンド様炭素、窒化チタン、酸化チタン、チタンオキシナイトライド、窒化タンタル、酸化タンタル、タンタルオキシナイトライド、または任意の他の好適な材料、またはそれらの組合せから選択される材料を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
前記基板が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項8】
基板上にフィーチャを形成する方法であって、基板の上に形成された膜スタック上に、酸化スズまたは炭化スズを含むハードマスク層を形成することと、
前記基板に第１のエッチング混合ガスを供給することと、
パターニングされたハードマスク層を形成するために前記ハードマスク層をエッチングすることと
を含む方法。
【請求項9】
前記基板に第２のエッチング混合ガスを供給することと、パターニングされた前記ハードマスク層によって露出させられた前記膜スタックをエッチングすることと
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項10】
前記ハードマスク層を選択的に除去することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項11】
前記第１のエッチング混合ガスがハロゲン含有ガスを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項12】
前記ハロゲン含有ガスが、Ｃｌ２ガス、ＨＢｒガス、またはそれらの組合せから選択される、請求項３または請求項１１に記載の方法。
【請求項13】
前記第１のエッチング混合ガスが、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯＳ、ＳＯ２、またはそれらの組合せから選択されるパッシベーションガスをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項14】
基板上にフィーチャを形成する方法であって、基板の上に形成された膜スタック上に、炭素を含むパターニングされたハードマスク層を形成することと、
前記基板に第１のエッチング混合ガスを供給することと、
パターニングされた膜スタックを形成するために、前記ハードマスク層によって露出させられた前記膜スタックをエッチングすることと、
パターニングされた前記ハードマスク層とパターニングされた前記膜スタックとの上に、酸化スズまたは炭化スズを含むライナー層を形成することと
を含む、基板上にフィーチャを形成する方法。
【請求項15】
前記ライナー層がＡＬＤプロセスによって形成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項16】
前記ライナー層を除去するために前記ライナー層をウェットケミストリーまたはドライプラズマにさらすことをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項17】
パターニングされた前記ハードマスク層が、アモルファスカーボン、ダイヤモンド様炭素、またはそれらの組合せを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項18】
前記膜スタックが複数の誘電体層を含む、請求項９または請求項１４に記載の方法。
【請求項19】
前記膜スタックが酸化物窒化物酸化物（ＯＮＯ）層を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項20】
前記膜スタックがシリコンとシリコンゲルマニウムとの交互層を含む、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書で説明する実装形態は、一般に、膜スタックと、パターニングプロセスに対する高い選択性および良好なプロファイル制御を伴う、膜スタックをエッチングするためのエッチングプロセスとに関する。
【背景技術】
【0002】
超大規模集積（ＶＬＳＩ）および超超大規模集積（ＵＬＳＩ）半導体デバイスの製造は、サブミクロンフィーチャおよびサブミクロンよりも小さいフィーチャを確実に製造することを伴う。しかしながら、回路技術の微細化の継続に伴って、相互接続部などの回路フィーチャのサイズおよびピッチの寸法は処理能力に対する需要をさらに課した。デバイスおよび相互接続密度をさらに高めるために、この技術の中心にあるマルチレベル相互接続は、ビアおよび他の相互接続構造など、高アスペクト比フィーチャの高精度撮像および配置を伴う。さらに、レジストおよびハードマスク材料など、中間材料の浪費を低減しながらサブミクロンサイズのフィーチャおよび相互接続部を形成することが求められる。
【0003】
フィーチャサイズがより小さくなったのに伴い、フィーチャの深さとフィーチャの幅との比として定義される、より高いアスペクト比に対する要求は１０：１、さらにはそれを超えるまでに着実に高まった。そのような高いアスペクト比をもつフィーチャを確実に形成することが可能である、膜スタックおよびエッチングプロセスを開発することはかなりの課題を提起する。リソグラフィ露光および現像プロセスの不正確な制御または低い解像度は、膜スタックにフィーチャを転写するために利用される様々な層の限界寸法の不良につながり、容認できない線幅粗さ（ｌｉｎｅ ｗｉｄｔｈ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）（ＬＷＲ）を生じ得る。大きい線幅粗さ（ＬＷＲ）および不要なウィグリング（ｗｉｇｇｌｉｎｇ）プロファイルは膜スタックへの不正確なフィーチャ転写を引き起こし、したがって、最終的にデバイス故障および収率損失につながることがある。
【0004】
さらに、そのような膜スタックのエッチング中に、エッチングプロセス中に生成された副生成物または他の材料の再堆積または蓄積は、エッチングされているフィーチャの上部および／または側壁に蓄積し、したがって、望ましくないことに、材料層中に形成されているフィーチャの開口をふさぐことがある。膜スタックのために選択される材料が異なると、膜スタック中に再堆積する副生成物の量またはプロファイルが異なることがある。さらに、エッチングされたフィーチャの開口は材料の蓄積された再堆積によって狭くなり、および／または密封されるので、反応性エッチャントがフィーチャの下面に到達することがなくなり、したがって得られ得るアスペクト比が限定される。さらに、再堆積材料または副生成物の蓄積は、エッチングされているフィーチャの上面および／または側壁にランダムにおよび／または不規則に付着することがあり、得られた不規則なプロファイルおよび再堆積材料の増大は反応性エッチャントの流路を変更することがあり、その結果、材料層中に形成されるフィーチャの曲がりプロファイルまたはねじれプロファイルが生じる。不正確なプロファイルまたは構造寸法はデバイス構造の崩壊を生じ、最終的にデバイス故障および低い製品収率につながることがある。さらに、膜スタック中に含まれる材料に対するエッチング選択性が不十分であると、望ましくないことに、プロファイルが不正確になり、したがって、最終的にデバイス故障につながることがある。
【0005】
したがって、適切な膜スタックと、膜スタック中のターゲットにされたプロファイルと小さい寸法とをもつフィーチャをエッチングするためのエッチング方法が当技術分野では必要である。
【発明の概要】
【0006】
本明細書で説明する実装形態は、一般に、膜スタックと、パターニングプロセスに対する高い選択性および良好なプロファイル制御とを伴う、膜スタックをエッチングするためのエッチングプロセスとに関する。
【0007】
一態様では、基板上にフィーチャを形成する方法が提供される。本方法は、基板上にマンドレル層を形成することを含み、マンドレル層は炭化スズ層または酸化スズ層である。本方法は、マンドレル層をパターニングすることをさらに含む。本方法は、パターニングされたマンドレル層上にスペーサ層を共形に形成することをさらに含む。本方法は、スペーサ層をパターニングすることをさらに含む。
【0008】
実装形態は以下のうちの１つまたは複数を含み得る。パターニングされたマンドレル層は、パターニングされたスペーサ層から選択的に除去される。基板上にマンドレル層を形成することは、物理的気相堆積（ＰＶＤ）プロセス、化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセス、または原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを使用してマンドレル層を堆積することを含む。マンドレル層をパターニングすることは、ハロゲン含有ガスと酸素ガスとを含む第１の混合ガスを供給することと、第１の混合ガス中に第１のＲＦソース電力設定を適用することとを含む。ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ２ガス、ＨＢｒガス、またはそれらの組合せから選択される。第１の混合ガスは、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯＳ、ＳＯ２、またはそれらの組合せから選択されるパッシベーションガスをさらに含む。スペーサ層は、マンドレル層の材料とは異なり、酸化ケイ素、窒化ケイ素、金属酸化物、またはポリシリコンから選択される、材料を含む。マンドレルは、その上に形成されたハードマスク層を有する。ハードマスク層は、ポリシリコン、ナノ結晶性シリコン、アモルファスシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、アモルファスカーボン、ダイヤモンド様炭素、窒化チタン、酸化チタン、チタンオキシナイトライド、窒化タンタル、酸化タンタル、タンタルオキシナイトライド、または任意の他の好適な材料、またはそれらの組合せから選択される材料を含む。基板は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、またはそれらの組合せを含む。
【0009】
別の態様では、基板上にフィーチャを形成する方法が提供される。本方法は、基板の上に形成された膜スタック上にハードマスク層を形成することを含み、ハードマスク層は酸化スズまたは炭化スズを含む。本方法は、基板に第１のエッチング混合ガスを供給することと、パターニングされたハードマスク層を形成するためにハードマスク層をエッチングすることとをさらに含む。
【0010】
実装形態は以下のうちの１つまたは複数を含み得る。本方法は、基板に第２のエッチング混合ガスを供給することと、パターニングされたハードマスク層によって露出させられた膜スタックをエッチングすることとをさらに含む。膜スタックは複数の誘電体層を含む。膜スタックは酸化物窒化物酸化物（ＯＮＯ）層を含む。膜スタックはシリコンとシリコンゲルマニウムとの交互層を含む。ハードマスク層は選択的に除去される。第１のエッチング混合ガスはハロゲン含有ガスを含む。ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ２ガス、ＨＢｒガス、またはそれらの組合せから選択される。第１のエッチング混合ガスは、Ｎ２、Ｏ２、ＣＯＳ、ＳＯ２、またはそれらの組合せから選択されるパッシベーションガスをさらに含む。
【0011】
また別の態様では、基板上にフィーチャを形成する方法が提供される。本方法は、基板の上に形成された膜スタック上にパターニングされたハードマスク層を形成することを含み、パターニングされたハードマスク層は炭素を含む。本方法は、基板に第１のエッチング混合ガスを供給することをさらに含む。本方法は、パターニングされた膜スタックを形成するために、ハードマスク層によって露出させられた膜スタックをエッチングすることをさらに含む。本方法は、パターニングされたハードマスク層とパターニングされた膜スタックとの上にライナー層を形成することを含み、ライナー層は酸化スズまたは炭化スズをさらに含む。
【0012】
実装形態は以下のうちの１つまたは複数を含み得る。ライナー層はＡＬＤプロセスによって形成される。ライナー層は、ライナー層を除去するためにウェットケミストリーまたはドライプラズマにさらされる。パターニングされたハードマスク層は、アモルファスカーボン、ダイヤモンド様炭素、またはそれらの組合せを含む。膜スタックは複数の誘電体層を含む。膜スタックは酸化物窒化物酸化物（ＯＮＯ）層を含む。膜スタックはシリコンとシリコンゲルマニウムとの交互層を含む。
【0013】
別の態様では、非一時的コンピュータ可読媒体は、プロセッサによって実行されたときに、プロセスに上記装置および／または方法の動作を実行させる命令をその上に記憶している。
【0014】
実装形態を参照することによって、本開示の上記の特徴が詳細に理解され得るように、それらのうちのいくつかが添付の図面に示されている上記で手短に要約した実装形態のより詳細な説明が得られ得る。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実装形態のみを示し、本開示は他の等しく効果的な実装形態も許容し得るので、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なされるべきではないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本開示の１つまたは複数の実装形態による、エッチングプロセスを実行するために利用され得るプラズマ処理チャンバの１つの例の断面図を示す図である。
【図2】は、本開示の１つまたは複数の実装形態による、高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスを実行するための方法の流れ図を示す図である。
【図3A-3D】本開示の１つまたは複数の実装形態による、高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスの様々な段階を示す図である。
【図4】本開示の１つまたは複数の実装形態による、高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスを実行するための別の方法の流れ図を示す図である。
【図5A-5D】本開示の１つまたは複数の実装形態による、高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスの様々な段階を示す図である。
【図6】本開示の１つまたは複数の実装形態による、高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスを実行するための別の方法の流れ図を示す図である。
【図7A-7D】本開示の１つまたは複数の実装形態による、高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスの様々な段階を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
理解を容易にするために、可能な場合、図に共通である同等の要素を示すために同等の参照番号が使用されている。さらなる具陳なしに、１つの実装形態の要素および特徴が他の実装形態に有利に組み込まれ得ることが企図される。
【0017】
以下の開示では、高アスペクト比フィーチャの形成について説明する。本開示の様々な実装形態の完全な理解を与えるために、いくつかの詳細が以下の説明および図１～図７Ｄに記載されている。様々な実装形態の説明を不必要に不明瞭にすることを回避するために、以下の開示では、しばしば高アスペクト比フィーチャの形成に関連するよく知られている構造およびシステムについて説明する他の詳細は記載されてない。さらに、本明細書で説明する装置説明は例示的なものであり、本明細書で説明する実装形態の範囲を限定するとして解釈または理解されるべきでない。
【0018】
図に示された詳細、動作、寸法、角度および他の特徴の多くは特定の実装形態を示すものにすぎない。したがって、他の実装形態は、本開示の趣旨または範囲から逸脱することなく、他の詳細、構成要素、寸法、角度および特徴を有することができる。さらに、以下で説明するいくつかの詳細なしに本開示のさらなる実装形態を実施することができる。
【0019】
本明細書で説明する実装形態は、一般に、膜スタックと、パターニングプロセスに対する高い選択性および良好なプロファイル制御とを伴う、膜スタックをエッチングするためのエッチングプロセスに関する。本開示の１つまたは複数の実装形態は、有利には、酸化スズ（たとえば、ＳｎＯ、ＳｎＯ２）材料または炭化スズ（たとえば、ＳｎＣ）材料を使用することによって、高アスペクト比フィーチャにおける材料選択性の改善を可能にする。本開示の１つまたは複数の実装形態は、様々なパターニングアプリケーション中に、ハードマスク材料、マンドレル材料、および／またはライナー材料として、酸化スズおよび／または炭化スズ材料を使用する。本開示のいくつかの実装形態は、酸化スズと炭化スズと不揮発性エッチング副生成物（たとえば、ＳｎＦ４）との高いヤング係数により、メモリアプリケーションのための材料、たとえば、酸化ケイ素または窒化ケイ素のキャパシタエッチング中の、炭素、高密度炭素、およびダイヤモンド様炭素材料の不十分な選択性を改善する。酸化スズまたは炭化スズ材料は、限界寸法に影響を及ぼすことと、欠陥を発生させることとを回避するために、金属酸化物（たとえば、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３）のような他の高選択性材料と比較して、剥離することが容易である。炭素に勝る高い選択性を与える可能性により、酸化スズおよび炭化スズ材料は、メモリアプリケーションにおけるディープエッチハードマスクのために使用され得る。さらに、酸化スズおよび炭化スズは低い屈折率（ｋ－値）を有し、リソグラフィオーバーレイの場合は６６３ｎｍ未満で透明である。さらに、炭素、スズおよびＳｎＯｘ（空気中の酸化）をドライプラズマエッチングまたはウェットエッチャントによって容易に除去することができ、それはマルチパターニングのための正確な限界寸法制御を行うことを助ける。スズおよび酸化スズは、製造プロセスにおける欠陥を低減するためにチャンバ洗浄中に容易に除去することができ、チャンバ生産性を高めることもできる。
【0020】
本明細書で説明する実装形態が実施され得る個々の装置は限定されないが、カリフォルニア州サンタクララのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社が販売しているＳＹＭ３（Ｒ）エッチングシステムにおける実装形態を実施することが特に有益である。さらに、他の利用可能なエッチングシステムも、本明細書で説明する実装形態から利益を得ることができる。
【0021】
本明細書で使用する「基板」は、作製プロセス中に膜処理がそれの上で実行される材料の表面、または表面もしくは材料の一部分を指す。たとえば、処理がそれの上で実行され得る基板表面は、アプリケーションに応じて、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素ドープ酸化ケイ素、アモルファスシリコン、ドープシリコン、ドープアモルファスシリコン、ポリシリコン、ドープポリシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガラス、サファイアなどの材料、ならびに、金属、金属窒化物、金属合金、および他の導電性材料などの任意の他の材料を含む。基板は、限定はしないが、半導体ウエハを含む。基板自体の表面上への直接の膜処理に加えて、本開示では、以下により詳細に開示するように、開示された膜処理ステップのいずれも、基板上に形成された下層（ｕｎｄｅｒ－ｌａｙｅｒ）上で実行され得、「基板表面」という用語は、文脈が示すそのような下層を含むものである。したがって、たとえば、膜／層または部分的な膜／層が基板表面上に堆積されている場合、新たに堆積された膜／層の露出させられた表面が基板表面になる。
【0022】
基板は、それの上に堆積された誘電体材料、導電性材料、または半導電性材料などの材料の１つまたは複数の層を有するウエハを含む、シリコンウエハ、たとえば、２００ｍｍウエハ、３００ｍｍウエハ、または４５０ｍｍウエハであり得る。パターニングされた基板は、狭い開口および／またはリエントラント（ｒｅ－ｅｎｔｒａｎｔ）開口と、フィーチャ内の収縮と、高いアスペクト比とのうちの１つまたは複数を特徴とし得る、ビア、開口、またはコンタクトホールなどの「フィーチャ」を有することができる。フィーチャは、上記で説明した層のうちの１つまたは複数の中に形成され得る。フィーチャの１つの例は半導体基板または基板上の層の中のホールもしくはビアである。別の例は基板または層の溝である。いくつかの実装形態では、フィーチャは、バリア層または接着層など、下層を有することができる。下層の非限定的な例としては、誘電体層および導電層、たとえば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、金属酸化物、金属窒化物、金属カーバイド、および金属層がある。
【0023】
いくつかの実装形態では、開示される実施形態を実行することから作製される基板のタイプは、開示される実施形態を実行する前の基板上のフィーチャのアスペクト比に依存し得る。アスペクト比は、フィーチャの限界寸法（たとえば、幅／直径）に対するフィーチャの深さの比較である。いくつかの実装形態では、基板上のフィーチャは、少なくとも約２：１、少なくとも約３：１、少なくとも約４：１、少なくとも約６：１、少なくとも約１０：１、少なくとも約２０：１、またはより高いアスペクト比を有することができる。フィーチャはまた、開口に近い寸法、たとえば、約５ｎｍと５００ｎｍとの間、たとえば約２５ｎｍと約３００ｎｍとの間の開口直径またはライン幅を有することができる。
【0024】
本開示の１つまたは複数の実装形態は、一般に、メモリ構造中に実装され得るような誘電体材料をパターニングすることによって形成される、高アスペクト比構造を含む構造を提供する。例として、本開示の実装形態に従って形成される高アスペクト比フィーチャは、ＮＡＮＤタイプメモリデバイスなど、メモリタイプ半導体デバイスであり得る。
【0025】
図１は、材料層をパターニングすること、ならびにプラズマ処理チャンバ１００中で基板１０２上に配設された材料層を形成することのために好適なプラズマ処理チャンバ１００の一例の簡略化した破断図である。プラズマ処理チャンバ１００は、本明細書で説明するエッチングプロセスを実行するために好適である。本開示から利益を得るように適応され得るプラズマ処理チャンバ１００の一例は、カリフォルニア州サンタクララに所在するＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ社から入手可能なＣＥＮＴＲＩＳ（Ｒ）ＳＹＭ３（Ｒ）処理チャンバである。他の製造業者からのプロセスチャンバを含む他のプロセスチャンバを、本開示の実装形態を実施するように適応させることができることが企図される。
【0026】
プラズマ処理チャンバ１００は、それの中に画定された処理容積１０１を有するチャンバ本体１０５を含む。チャンバ本体１０５は、接地１２６に結合された、側壁１１２と底部１１８とを有する。側壁１１２は、側壁１１２を保護し、プラズマ処理チャンバ１００の保守サイクル間の時間を延ばすためのライナー１１５を有する。チャンバ本体１０５の寸法およびプラズマ処理チャンバ１００の関係する構成要素の寸法は限定されず、それの中で処理されるべき基板１０２のサイズよりも比例的に大きくなり得る。基板サイズの例としては、とりわけ、直径２００ｍｍ、直径２５０ｍｍ、直径３００ｍｍおよび直径４５０ｍｍがある。
【0027】
チャンバ本体１０５は、処理容積１０１を密閉するためにチャンバリッドアセンブリ１１０を支持する。チャンバ本体１０５はアルミニウムまたは他の好適な材料から作製され得る。基板アクセスポート１１３は、チャンバ本体１０５の側壁１１２を通って形成され、プラズマ処理チャンバ１００中へのおよびプラズマ処理チャンバ１００からの基板１０２の移送を促進する。基板アクセスポート１１３は、基板処理システム（図示せず）の移送チャンバおよび／または他のチャンバに結合され得る。
【0028】
ポンピングポート１４５がチャンバ本体１０５中に画定され、処理容積１０１に接続される。ポンピングデバイス（図示せず）は、処理容積１０１を排気し、処理容積１０１の圧力を制御するために、ポンピングポート１４５を通って処理容積１０１に結合される。ポンピングデバイスは１つまたは複数のポンプとスロットルバルブとを含むことができる。
【0029】
処理容積１０１中にプロセスガスを供給するために、ガスパネル１６０がガスライン１６７によってチャンバ本体１０５に結合される。ガスパネル１６０は、１つまたは複数のプロセスガスソース１６１、１６２、１６３、１６４を含むことができ、さらに、不活性ガス、非反応性ガス、および反応ガスを含むことができる。ガスパネル１６０によって与えられ得るプロセスガスの例としては、限定はしないが、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２を含む酸素含有ガス、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＨＦ、Ｆ２、Ｂｒ２、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＳＦ６、ＮＦ３を含むハロゲン含有ガス、窒素（Ｎ２）とカルボニル硫化物（ＣＯＳ）と硫黄ジオキシド（ＳＯ２）をと含むパッシベーションガス、およびアルゴン、ヘリウムを含む不活性ガスがある。さらに、プロセスガスは、とりわけ、ＢＣｌ３、Ｃ２Ｆ４、Ｃ４Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＮＦ３、ＮＨ３、ＣＯ２、ＳＯ２、ＣＯ、Ｎ２、ＮＯ２、Ｎ２ＯおよびＨ２など、窒素、塩素、フッ素、酸素および水素含有ガスを含むことができる。
【0030】
バルブ１６６は、ガスパネル１６０からソース１６１、１６２、１６３、１６４からのプロセスガスのフローを制御し、システムコントローラ１６５によって管理される。ガスパネル１６０からチャンバ本体１０５に供給されるガスのフローはガスの組合せを含むことができる。
【0031】
チャンバリッドアセンブリ１１０はノズル１１４を含むことができる。ノズル１１４は、ガスパネル１６０のソース１６１、１６２、１６４、１６３からのプロセスガスを処理容積１０１中に導入するための１つまたは複数のポートを有する。プロセスガスがプラズマ処理チャンバ１００中に導入された後に、ガスは、プラズマを形成するために活性化される。１つまたは複数のインダクタコイルなど、アンテナ１４８がプラズマ処理チャンバ１００に隣接して与えられ得る。プラズマ処理チャンバ１００の処理容積１０１中のプロセスガスから形成されたプラズマを維持するために、ＲＦエネルギーなど、エネルギーをプロセスガスに誘導結合するために、アンテナ電源１４２は整合回路１４１を通してアンテナ１４８に電力供給することができる。代替的に、またはアンテナ電源１４２に加えて、処理容積１０１内のプラズマを維持するためにＲＦ電力をプロセスガスに容量結合するために、基板１０２の下方および／または基板１０２の上方のプロセス電極を使用することができる。アンテナ電源１４２の動作は、プラズマ処理チャンバ１００中の他の構成要素の動作をも制御する、システムコントローラ１６５など、コントローラによって制御され得る。
【0032】
処理中に基板１０２を支持するために、基板支持ペデスタル１３５が処理容積１０１中に配設される。基板支持ペデスタル１３５は、処理中に基板１０２を保持するための静電チャック（ＥＳＣ）１２２を含むことができる。ＥＳＣ１２２は、基板１０２を基板支持ペデスタル１３５に対して保持するために静電気引力を使用する。ＥＳＣ１２２は、整合回路１２４と一体化されたＲＦ電源１２５によって電力供給される。ＥＳＣ１２２は、誘電体内に埋め込まれた電極１２１を含む。電極１２１は、ＲＦ電源１２５に結合され、処理容積１０１中のプロセスガスによって形成されたプラズマイオンをＥＳＣ１２２とそれの上に配置された基板１０２とに引き付けるバイアスを与える。ＲＦ電源１２５は、基板１０２の処理中に周期的にオンおよびオフするか、またはパルス発振することができる。ＥＳＣ１２２は、ＥＳＣ１２２の保守ライフサイクルを延長するために、ＥＳＣ１２２の側壁がプラズマにあまり引き付けられないようにする目的でアイソレータ１２８を有する。さらに、基板支持ペデスタル１３５は、基板支持ペデスタル１３５の側壁をプラズマガスから守るために、およびプラズマ処理チャンバ１００の保守間の時間を延ばすためにカソードライナー１３６を有することができる。
【0033】
さらに、電極１２１は電源１５０に結合される。電源１５０は、約２００ボルト～約２０００ボルトのチャッキング電圧を電極１２１に与える。電源１５０はまた、基板１０２をチャッキングおよびチャッキング解除するために電極１２１にＤＣ電流を導くことによって電極１２１の動作を制御するためのシステムコントローラ、たとえば、システムコントローラ１６５を含むことができる。
【0034】
ＥＳＣ１２２は、基板を加熱するために、それの中に配設され、電源（図示せず）に接続された加熱器を含むことができるが、ＥＳＣ１２２を支持する冷却ベース１２９は、ＥＳＣ１２２およびそれの上に配設された基板１０２の温度を維持するために熱伝達流体を循環させるためのコンジットを含むことができる。ＥＳＣ１２２は、基板１０２上で作製されているデバイスのサーマルバジェット（ｔｈｅｒｍａｌ ｂｕｄｇｅｔ）によって規定される温度範囲内で動作するように構成される。たとえば、ＥＳＣ１２２は、基板１０２をセ氏－５０度～セ氏約２５０度、たとえば、セ氏約２５度からセ氏約１５０度までの温度に維持するように構成され得る。
【0035】
冷却ベース１２９は、基板１０２の温度を制御することを助けるために与えられる。プロセスドリフトおよびプロセス時間を軽減するために、基板１０２の温度は、基板１０２がプラズマ処理チャンバ１００中にある時間全体にわたって、冷却ベース１２９によって実質的に一定に維持され得る。一実装形態では、基板１０２の温度は、エッチングプロセス全体にわたってセ氏－５０度～セ氏約２５０度、たとえば、セ氏約２５度からセ氏約１５０度までに維持される。
【0036】
カバーリング１３０がＥＳＣ１２２上におよび基板支持ペデスタル１３５の周囲に沿って配設される。カバーリング１３０は、基板支持ペデスタル１３５の上面をプラズマ処理チャンバ１００の内側のプラズマ環境から遮蔽しながら、エッチングガスを基板１０２の露出させられた上面のターゲットにされた部分に閉じ込めるように構成される。移送ロボット（図示せず）または他の好適な移送機構による基板１０２へのアクセスを容易にするために、基板１０２を基板支持ペデスタル１３５の上方に持ち上げるために、リフトピン（図示せず）が基板支持ペデスタル１３５を通して選択的に移動される。
【0037】
システムコントローラ１６５は、プロセスシーケンスを制御し、それにより、ガスパネル１６０からプラズマ処理チャンバ１００中へのガスフローと他のプロセスパラメータとを調整するために利用され得る。ソフトウェアルーチンは、ＣＰＵによって実行されたときに、ＣＰＵを、プロセスが本開示に従って実行されるようにプラズマ処理チャンバ１００を制御する特殊目的コンピュータ（コントローラ）に変換する。ソフトウェアルーチンはまた、プラズマ処理チャンバ１００とともに配列された第２のコントローラ（図示せず）によって記憶および／または実行され得る。
【0038】
図２は、本開示の１つまたは複数の実装形態による、スズベースのマンドレル材料を利用する高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスを実行するための方法２００の流れ図を示す。図３Ａ～図３Ｄは、方法２００による、高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスの様々な段階における膜スタック３００の断面図を示す。マンドレル材料は、酸化スズ（たとえば、ＳｎＯ、ＳｎＯ２）材料または炭化スズ（たとえば、ＳｎＣ）材料を含む。方法２００は、必要に応じて、論理デバイスまたはメモリデバイスのための、コンタクト構造、ゲート構造、ＮＡＮＤ構造、または相互接続構造など、ターゲットにされた限界寸法とプロファイルとをもつフィーチャを形成するために利用され得る。代替的に、方法２００は、他のタイプの構造をパターニングするために有利に利用され得る。
【0039】
方法２００は、図３Ａに示されているように、動作２１０において、基板３１０上に配設されたパターニングされたマンドレル層３２０上に配設されたパターニングされたハードマスク層３３０を有する膜スタック３００を与えることによって開始する。パターニングされたハードマスク層３３０は、画定された開口を有するパターニングされたフォトレジスト層（図示せず）を使用してパターニングされ、それにより、エッチングのためにハードマスク層の一部分が露出し得る。
【0040】
動作２２０中に、パターニングされたハードマスク層３３０は、次いで、パターニングされたマンドレル層３２０を形成するために使用される。動作２２０のマンドレルパターニングプロセスは、プラズマ処理チャンバ、たとえば、図１に示されたプラズマ処理チャンバ１００中で実行され得る。マンドレルパターニングプロセスは、パターニングされたマンドレル層３２０の側壁３２４を形成するために、パターニングされたハードマスク層３３０の材料よりも高いレートで選択的にマンドレル層の材料を選択的に除去する第１の混合ガスを供給することによって実行される。マンドレルパターニングプロセス中に供給される第１の混合ガスは、炭化スズまたは酸化スズ材料をエッチングするために利用される反応性エッチャントを含む。
【0041】
第１の混合ガスはハロゲン含有ガスを含むことができる。ハロゲン含有ガスは、ＨＢｒ、塩素ガス（Ｃｌ２）、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８などの炭素およびフッ素含有ガス、またはそれらの組合せのグループから選択され得る。第１の混合ガスは酸素含有ガスまたはＨ２をさらに含むことができる。酸素含有ガスは、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ、またはそれらの組合せのグループから選択され得る。第１の混合ガスはパッシベーションガスをさらに含むことができる。パッシベーションガスは、窒素（Ｎ２）、硫黄ジオキシド（ＳＯ２）、カルボニル硫化物（ＣＯＳ）、またはそれらの組合せのグループから選択され得る。第１の混合ガスは、パターニングされたマンドレル層３２０の側壁３２４を形成するために、マンドレル層から材料を除去するように構成される。理論によって束縛されるべきでないが、パッシベーションガスの含有は側壁３２４の垂直エッチプロファイルを達成することを助けると考えられる。１つの特定の例では、第１の混合ガスは、Ｏ２／ＨＢｒおよび塩素ガス（Ｃｌ２）のうちの少なくとも１つ／Ｎ２、ＣＯＳ、およびＳＯ２のうちの少なくとも１つを含む。
【0042】
第１の混合ガスがプラズマ処理チャンバ、たとえば、図１に示されたプラズマ処理チャンバ１００中に供給されている間に、いくつかのプロセスパラメータが調整される。一実装形態では、第１の混合ガスの存在下のチャンバ圧力が調整される。一例では、エッチチャンバ中のプロセス圧力は、約１ミリトールから約８０ミリトールまで、たとえば、約３ミリトールから約６０ミリトールまでに調整される。第１の混合ガスから形成されたプラズマを維持するために、ＲＦソースおよびバイアス電力が適用され得る。たとえば、プラズマ処理チャンバの内側のプラズマを維持するために、約１００ワットから約３０００ワットまで（約２００ワットから約１５００ワットまで、約２００ワットから約１，０００ワットまで、または約５００ワットから約３，０００ワットまで）のＲＦソース電力が誘導結合アンテナソースに適用され得る。第１の混合ガスを供給している間に、約１５００ワット未満の（約４０ワットから４００ワットまで、約１５０ワットから約４００ワットまで、または約５００ワットから約１、５００ワットまでの）ＲＦバイアス電力が適用され得る。第１の混合ガスは約５０ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍまでの流量でチャンバ中に流され得る。基板の温度は、セ氏約－５０度からセ氏約２５０度まで、たとえば、セ氏約－２０度からセ氏約８０度までに維持され得る。
【0043】
第１の混合ガスを供給している間に、主にマンドレル層のいくつかの部分を除去することを促進するために、ＲＦソースおよびバイアス電力範囲は変動させられ得る。たとえば、第１の混合ガスを供給している間に、必要に応じて、ＲＦソース電力は、たとえば、第１のＲＦソース電力設定から第２のＲＦソース電力設定に上げられ得るが、ＲＦバイアス電力は、たとえば、第１のＲＦバイアス電力設定から第２のＲＦバイアス電力設定に下げられ得る。一例では、第１のＲＦソースおよびバイアス電力設定が約５秒から約２０秒までの時間期間の間実行された後に、第１のＲＦソース電力設定およびバイアス電力設定は、パターニングプロセスを継続するために第２のＲＦソースおよびバイアス電力設定に移行され得る。一例では、第２のＲＦソース電力設定は第１のＲＦソース電力設定よりも約３０％から約８０％高い。第２のバイアス電力設定は第１のバイアス電力設定よりも約３０パーセントから約７０パーセント少なくなり得る。
【0044】
１つの特定の例では、第１のＲＦソース電力設定は約５００ワットから約６００ワットまでであり、第１のＲＦバイアス電力設定は約５０ワットから約１５０ワットまでである。第２のＲＦソース電力設定は約７００ワットから約９００ワットまでであり、第２のＲＦバイアス電力設定は約２０ワットから約１００ワットまでである。
【0045】
いくつかの実装形態では、パターニングされたハードマスク層３３０は、ポリシリコン、ナノ結晶性シリコン、アモルファスシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、アモルファスカーボン、ダイヤモンド様炭素、窒化チタン、酸化チタン、チタンオキシナイトライド、窒化タンタル、酸化タンタル、タンタルオキシナイトライド、または任意の他の好適な材料のグループから選択される第１のタイプの誘電体層であり得る。１つの特定の例では、パターニングされたハードマスク層３３０を形成するために選択される第１のタイプの誘電体層の第１のタイプは、アモルファスカーボン、ダイヤモンド様炭素、ＳｉＯＣなど、炭素含有層である。マンドレル材料が酸化スズであるいくつかの実装形態では、ハードマスク層３３０は、炭素ベース膜（たとえば、スピンオンカーボン膜、アモルファスカーボン膜、炭素ベースフォトレジスト、極紫外線（「ＥＵＶ」）レジスト材料、誘電体材料（たとえば、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、またはＳｉＯＣ）、およびシリコン含有膜（たとえば、シリコンまたはポリシリコン膜）を含むことができる。マンドレル材料が炭化スズであるいくつかの実装形態では、ハードマスク層３３０は、パターニングされた誘電体（たとえば、ＳｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣＮ、またはＳｉＯＣ）またはシリコン含有膜（たとえば、シリコンまたはポリシリコン膜）を含む。
【0046】
パターニングされたマンドレル層３２０は、パターニングされたハードマスク層３３０とは異なる材料を含む。パターニングされたマンドレル層３２０はスズ含有材料である。一例では、パターニングされたマンドレル層３２０は酸化スズ層（たとえば、ＳｎＯｘ、ＳｎＯ、またはＳｎＯ２）である。別の例では、パターニングされたマンドレル層３２０は、炭化スズ層（たとえば、Ｓｎ－Ｃ、あるいはＳｎ－Ｓｎ、Ｓｎ－Ｃ、および／またはＣ－Ｃの結合を含有するＳｎ（Ｃ））である。理論によって束縛されるべきでないが、Ｓｎ－Ｃの強い結合は、パターニングされたマンドレル層３２０の側壁３２４の垂直プロファイルを維持することを助けると考えられる。パターニングされたマンドレル層３２０は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、ＡＬＤ、または他の好適な堆積技法など、任意の好適な堆積プロセスによって形成され得る。パターニングされたマンドレル層３２０は、後で堆積されるスペーサ材料をパターニングするために使用される。一例では、パターニングされたマンドレル層３２０は、約５ｎｍと約２００ｎｍとの間、たとえば、約４０ｎｍから約１００ｎｍまでの厚さを有する。
【0047】
いくつかの実装形態では、図３Ｂに示されているように、パターニングされたハードマスク層３３０は、パターニングされたマンドレル層３２０を形成した後に除去される。いくつかの実装形態では、パターニングされたハードマスク層３３０は、パターニングされたマンドレル層３２０上に残り、後で除去され得る。いくつかの実装形態では、パターニングされたハードマスク層３３０は、パターニングされたマンドレル層３２０をパターニングしている間に使い果たされる。
【0048】
いくつかの実装形態では、基板３１０は、コンタクト層を形成するために利用される誘電体層、デュアルダマシン構造、または任意の好適な材料を含むことができる。誘電体層の好適な例としては、炭素含有酸化ケイ素（ＳｉＯＣ）、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、熱酸化ケイ素、ポリアミドなどポリマー材料、ＳＯＧ、ＵＳＧ、酸化ケイ素、窒化ケイ素（たとえば、ＳｉＮｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ケイ素炭素－窒化物（ＳｉＣＮ）、オキシ炭化ケイ素、窒化ホウ素（ＢＮ）、たとえば、酸化ハフニウム（たとえば、ＨｆＯｘ、ＨｆＯ２）を含む高ｋ誘電体、酸化アルミニウム（たとえば、ＡｌｘＯｙ、Ａｌ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化チタン、またはそれらの組合せがある。一例では、基板３１０は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、またはそれらの組合せを含む。
【0049】
動作２３０において、図３Ｂに示されているように、基板３１０とパターニングされたマンドレル層３２０との上にスペーサ層３４０が形成される。スペーサ層３４０は、パターニングされたマンドレル層３２０および基板３１０の材料とは異なる材料から形成される。いくつかの実装形態では、スペーサ層３４０は、パターニングされたマンドレル層３２０の材料とは異なり、酸化ケイ素、窒化ケイ素、金属酸化物、またはポリシリコンから選択される材料を含む。一例では、スペーサ層３４０は、ホウ素ドープシリコン材料、リンドープシリコン、または他の好適なＩＩＩ族、ＩＶ族またはＶ族ドープシリコン材料など、ドープシリコン含有層である。一例では、スペーサ層３４０はホウ素ドープシリコン層である。
【0050】
いくつかの実装形態では、スペーサ層３４０はＣＶＤプロセスによって形成される。スペーサ層３４０は、ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相堆積）、ＡＬＤ、ＳＡＣＶＤ、ＨＤＰＣＶＤ、スピンオンコーティングまたは他の好適な堆積技法など、任意の好適な堆積プロセスによって形成され得ることに留意されたい。一例では、スペーサ層３４０は約５ｎｍから約２５ｎｍまでの厚さを有する。
【0051】
一例では、スペーサ層３４０は、パターニングされたマンドレル層３２０上に共形に形成され、パターニングされたマンドレル層３２０の上面３２２と側壁３２４との上に共形にライニングする。パターニングプロセス後のスペーサ層３４０の良好なプロファイルが必要に応じて得られ得るように、スペーサ層３４０は後のパターニングプロセス中に良好なエッチング選択性を与えることができると考えられる。
【0052】
動作２４０において、スペーサ層３４０は、図３Ｃに示されているようにパターニングされる。動作２４０のスペーサパターニングプロセスは、プラズマ処理チャンバ、たとえば、図１に示されたプラズマ処理チャンバ１００中で実行され得る。スペーサ構造３５０を形成するために、ターゲットにされたプロファイルをもつ基板３１０上にスペーサ層３４０のいくつかの部分（たとえば、側壁３４２）が残ることができるように、パターニングプロセスは、ターゲットにされた指向性を用いてスペーサ層３４０の部分を選択的に除去することができる第２の混合ガスを供給することによって実行される。一例では、スペーサパターニングプロセス中に供給される第２の混合ガスは、特に、ドープシリコン含有材料を異方性エッチングするために、スペーサ層３４０からのシリコン含有材料の異方性エッチングのために利用される反応性エッチャントを含むことができる。
【0053】
いくつかの実装形態では、第２の混合ガスは、ＨＢｒ、塩素ガス（Ｃｌ２）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、三フッ化窒素（ＮＦ３）、六フッ化硫黄ガス（ＳＦ６）、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８など、炭素およびフッ素含有ガス、またはそれらの組合せなどのグループから選択されるハロゲン含有ガスを含む。一例では、第２の混合ガスは、スペーサ層３４０をエッチングするために利用されるＨＢｒおよび塩素ガス（Ｃｌ２）を含む。第２の混合ガスは、スペーサ層３４０の側壁３４２を著しく腐食することなしにスペーサ層３４０の上部部分と底部部分とを除去するように構成される。一例では、スペーサ層３４０のエッチングによりスペーサ構造３５０の上面は実質的に正方形になる。
【0054】
第２の混合ガスがプラズマ処理チャンバ中に供給されている間に、いくつかのプロセスパラメータが調整される。一実装形態では、第２の混合ガスの存在下のチャンバ圧力が調整される。一例では、プラズマ処理チャンバ中のプロセス圧力は、約１ミリトールから約８０ミリトールまで、たとえば、約３ミリトールから約６０ミリトールまでに調整される。第２の混合ガスから形成されたプラズマを維持するために、ＲＦソースおよびバイアス電力が適用され得る。たとえば、プラズマ処理チャンバの内側のプラズマを維持するために、約１００ワットから約３０００ワットまで（約２００ワットから約１５００ワットまで、約２００ワットから約１，０００ワットまで、または約５００ワットから約３０００ワットまで）のＲＦソース電力が誘導結合アンテナソースに適用され得る。第２の混合ガスを供給している間に、約１５００ワット未満の（約４０ワットから４００ワットまで、約１５０ワットから約４００ワットまで、または約５００ワットから約１，５００ワットまでの）ＲＦバイアス電力が適用され得る。第２の混合ガスは約５０ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍまでの流量でチャンバ中に流され得る。基板の温度は、セ氏約－５０度からセ氏約２５０度まで、たとえば、セ氏約－２０度からセ氏約８０度までに維持され得る。
【0055】
第２の混合ガスを供給している間に、主にスペーサ層３４０のいくつかの部分を除去することを促進するために、ＲＦソースおよびバイアス電力範囲は変動させられ得る。たとえば、第２の混合ガスを供給している間に、必要に応じて、ＲＦソース電力は、たとえば、第１のＲＦソース電力設定から第２のＲＦソース電力設定に上げられ得るが、ＲＦバイアス電力は、（たとえば、第１のＲＦバイアス電力設定から第２のＲＦバイアス電力設定に）下げられ得る。一例では、第１のＲＦソースおよびバイアス電力設定が約５秒と約２０秒との間の時間期間の間実行された後に、第１のＲＦソース電力設定およびバイアス電力設定は、スペーサパターニングプロセスを継続するために第２のＲＦソースおよびバイアス電力設定に移行され得る。一例では、第２のＲＦソース電力設定は第１のＲＦソース電力設定よりも約３０％から約８０％高い。第２のバイアス電力設定は第１のバイアス電力設定よりも約３０パーセントから約７０パーセント少ない。
【0056】
一例では、第１のＲＦソース電力設定は約５００ワットから約６００ワットまでであり、第１のＲＦバイアス電力設定は約５０ワットから約１５０ワットまでである。第２のＲＦソース電力設定は約７００ワットから約９００ワットまでであり、第２のＲＦバイアス電力設定は約２０ワットから約１００ワットまでである。
【0057】
動作２５０において、図３Ｄに示されているように、スペーサ構造３５０を形成するために、パターニングされたマンドレル層３２０が除去される。パターニングされたマンドレル層３２０の除去のために選択されるエッチケミストリーは、パターニングされたマンドレル層３２０とスペーサ層３４０とを形成するために使用された材料に基づいて選択され得る。
【0058】
一例では、スペーサパターニングプロセスは１つまたは複数の処理段を含むことができる。たとえば、主にスペーサ層３４０の上部部分と底部部分とを除去するために第２の混合ガスが供給された後に、主にパターニングされたマンドレル層３２０を除去するために、第３の混合ガスが供給される。第３の混合ガスは、Ｏ２、Ｈ２、Ｈ２／Ｎ２、Ｃｌ２、ＨＢｒ、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、またはそれらの組合せ、および／またはＮ２、Ｈｅ、Ａｒなど、キャリアガスなどを含むことができる。第３の混合ガスは、酸素含有混合ガス、および／または、Ｎ２、Ｈｅ、Ａｒなど、キャリアガスなどを含むことができる。一例では、必要に応じて、ＣＨ２Ｆ２、ＣＦ４など、炭素およびフッ素含有ガスも利用され得る。一例では、第２の混合ガスは、Ｏ２およびＮ２、またはＯ２とＮ２とＣＨ２Ｆ２とを含む。
【0059】
第３の混合ガスがプラズマ処理チャンバ中に供給されている間に、いくつかのプロセスパラメータが調整され得る。一実装形態では、第３の混合ガスの存在下のチャンバ圧力が調整される。一例では、プラズマ処理チャンバ中のプロセス圧力は、約１ミリトールから約８０ミリトールまで、たとえば、約３ミリトールから約６０ミリトールまでに調整される。第３の混合ガスから形成されたプラズマを維持するために、ＲＦソースおよびバイアス電力が適用され得る。たとえば、プラズマ処理チャンバの内側のプラズマを維持するために、約１００ワットから約３０００ワットまで（約２００ワットから約１５００ワットまで、約２００ワットから約１，０００ワットまで、または約５００ワットから約３，０００ワットまで）のＲＦソース電力が誘導結合アンテナソースに適用され得る。第３の混合ガスを供給している間に、約１５００ワット未満の（約４０ワットから４００ワットまで、約１５０ワットから約４００ワットまで、または約５００ワットから約１、５００ワットまでの）ＲＦバイアス電力が適用され得る。第３の混合ガスは約５０ｓｃｃｍから約１，０００ｓｃｃｍまでの流量でチャンバ中に流され得る。基板の温度は、セ氏約－５０度からセ氏約２５０度まで、たとえば、セ氏約－２０度からセ氏約８０度までに維持され得る。スペーサ構造３５０はさらなる処理にかけられ得る。
【0060】
スズベースのマンドレルを使用する実装形態は以下の潜在的な利点のうちの１つまたは複数を含むことができる。Ｓｎ－Ｃの強い結合により、Ｓｎ－Ｃマンドレルは小さい寸法（たとえば、＜１０ｎｍ）においてさえ垂直プロファイルを維持する。炭素、ＳｎまたはＳｎＯｘ（空気中の酸化）をドライプラズマエッチングまたはウェットエッチャントによって容易に除去することができ、それはマルチパターニングのための正確な限界寸法制御を行う。
【0061】
図４は、スズベースのハードマスク層５３０を有する膜スタック５００をエッチングするための別の方法４００の流れ図を示す。図５Ａ～図５Ｄは、方法４００による、高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスの様々な段階における膜スタック５００の断面図を示す。方法４００は、必要に応じて、論理デバイスまたはメモリデバイスのための、コンタクト構造、ゲート構造、ＮＡＮＤ構造、または相互接続構造など、ターゲットにされた限界寸法とプロファイルとをもつフィーチャを形成するために利用され得る。代替的に、方法４００は、他のタイプの構造をエッチングするために有利に利用され得る。
【0062】
方法４００は、図５Ａに示されているように、動作４１０において、基板５１０の上に複数の層５２０上に配設されたハードマスク層５３０を有する膜スタック５００を与えることによって開始する。
【0063】
ハードマスク層５３０は、本明細書で説明するように酸化スズ（ＳｎＯ、ＳｎＯ２）または炭化スズ（ＳｎＣ）を含む。いくつかの実装形態では、複数の層５２０は複数の誘電体層を含む。一例では、複数の誘電体層は、交互に重なる酸化物窒化物酸化物（ＯＮＯ）層を含む。別の実装形態では、複数の層５２０は、交互に重なるシリコン層とシリコンゲルマニウム層とを含む。
【0064】
いくつかの実装形態では、図５Ａに示されているように、ハードマスク層５３０は、それの上に配設されたパターニングされたフォトレジスト層５４０を有する。パターニングされたフォトレジスト層５４０は、化学的に増幅された反応を受けることが可能なポジティブトーンフォトレジストおよび／またはネガティブトーンフォトレジストであり得る。一例では、パターニングされたフォトレジスト層５４０はＥＵＶリソグラフィプロセスのために好適なポリマー有機材料である。１つまたは複数の例では、パターニングされたフォトレジスト層５４０は、Ｓｎ、Ｔａ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｚｎ、それらの任意の合金、またはそれらの任意の組合せのうちの少なくとも１つから選択される少なくとも１つの金属元素を含む。パターニングされたフォトレジスト層５４０中に含まれる金属元素は、必要に応じて、リソグラフィ露光プロセス中に光吸収効率を変更することができる。
【0065】
パターニングされたフォトレジスト層５４０はハードマスク層５３０上に配設される。いくつかの実装形態では、ハードマスク層５３０は、追加の層、たとえば、底面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）層および／または有機層（図示せず）上に配設される。有機層は、有機材料、または有機材料と無機材料との混合物のいずれかを含むことができる。
【0066】
膜スタック５００中に形成されるべきハードマスク層５３０は酸化スズまたは炭化スズ材料を含む。ハードマスク層５３０は単一の層または複数の層を含むことができる。図５Ａに示されている例では、ハードマスク層５３０は、酸化スズ、炭化スズ、またはそれらの組合せを含有するか、または酸化スズ、炭化スズ、またはそれらの組合せから形成される、単一の層である。１つまたは複数の例では、ハードマスク層５３０は、約１０Åから約５００Åまで、たとえば、約２０Å～約２００Å、たとえば、約５０Åから約１００Åまでの厚さを有する。
【0067】
ハードマスク層５３０は任意の好適な堆積技法によって形成され得る。いくつかの実装形態では、ハードマスク層５３０は、ＣＶＤ、ＡＬＤ、ＰＶＤ、または他の好適な堆積プロセスによって形成される。
【0068】
いくつかの実装形態では、ハードマスク層５３０はＣＶＤまたはＰＶＤプロセスによって形成され、ハードマスク層５３０のプラズマ堆積プロセス中に、ＸｅまたはＫｒなど、比較的高い原子量をもつキャリアガスおよび／または不活性ガスが使用され得る。ハードマスク層５３０の形成中に制御される基板温度はセ氏約－５０度からセ氏約２５０度までに制御され得る。理論によって束縛されるべきでないが、ハードマスク層５３０を形成している間の、たとえば、セ氏２５０度未満の比較的低い基板温度制御は、比較的遅い堆積レートでハードマスク層５３０を形成することを助け、比較的滑らかな表面をもつ膜表面を与えることができると考えられる。
【0069】
基板５１０は、半導体基板、シリコンウエハ、ガラス基板などのうちのいずれか１つであり得る。基板５１０は、結晶シリコン（たとえば、Ｓｉ＜１００＞またはＳｉ＜１１１＞）、酸化ケイ素、ストレインドシリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、ドープポリシリコンまたは非ドープポリシリコン、ドープシリコンウエハまたは非ドープシリコンウエハおよびパターニングされたまたはパターニングされていないウエハ、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）、炭素ドープ酸化ケイ素、窒化ケイ素、ドープシリコン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガラス、またはサファイアなどの材料であり得る。基板５１０は、２００ｍｍ、３００ｍｍ、４５０ｍｍまたは他の直径などの様々な寸法を有することができ、ならびに、長方形または正方形のパネルであり得る。別段に記載されていない限り、本明細書で説明する例は、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍ、または直径４５０ｍｍをもつ基板に関して行われる。
【0070】
動作４２０中に、図５Ｂに示されているように、パターニングされたハードマスク層５５０を形成するために、ハードマスク層５３０をパターニングするためにエッチングプロセスが実行される。ハードマスク層５３０は、画定された開口５４２を有するパターニングされたフォトレジスト層５４０を使用してパターニングされ、それにより、エッチングのためにハードマスク層５３０の表面の一部分が露出し得る。パターニングされたハードマスク層５５０は画定された開口またはフィーチャ５５２を有し、複数の層５２０の表面の一部分を露出させる。パターニングされたフォトレジスト層５４０によって画定された開口５４２の寸法は小さい、たとえば、１００ｎｍ未満であるので、下にある複数の層５２０に損傷を与えることなしに、良好なプロファイル制御を伴ってハードマスク層５３０をエッチングするために、ハードマスク層５３０をエッチングするための混合ガスならびにプロセスパラメータは慎重に選択される。
【0071】
１つまたは複数の例では、動作４２０のエッチングプロセスは、基板支持ペデスタル１３５の温度を室温（たとえば、セ氏約２３度）からセ氏約１５０度までに維持しながら、プラズマ処理チャンバ中に第１のエッチング混合ガスを供給することによって実行される。
【0072】
いくつかの実装形態では、第１のエッチング混合ガスは少なくとも１つのハロゲン含有ガスを含む。ハロゲン含有ガスは、フッ素含有ガス、塩素含有ガス、臭素含有ガス、またはそれらの組合せを含むことができる。ハロゲン含有ガスの好適な例としては、ＳＦ６、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｃｌ６、ＮＦ３、ＨＢｒ、Ｂｒ２、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ、Ｃ４Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、ＨＣｌ、Ｃ４Ｆ８、Ｃｌ２、ＨＦ、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２、およびＣＨ３Ｃｌがある。いくつかの例では、シリコン含有ガスも第１のエッチング混合ガス中に供給され得る。シリコン含有ガスの好適な例としては、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｃｌ６、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６などがある。さらに、特に、塩素含有ガスの例としては、ＨＣｌ、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３、ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＨ３Ｃｌ、ＳｉＣｌ４、Ｓｉ２Ｃｌ６などがあり、臭素含有ガスの例としては、ＨＢｒ、Ｂｒ２などがある。たとえば、Ｏ２、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏなど、酸素含有ガスまたは窒素含有ガスなど、反応性ガスなども、必要に応じて第１のエッチング混合ガス中に供給され得る。
【0073】
いくつかの実装形態では、ハードマスク層５３０をエッチングするために使用されるハロゲン含有ガスは塩素含有ガスまたは臭素含有ガスを含む。プラズマ処理チャンバ中に第１のエッチング混合ガスを供給している間に、必要に応じて、プロファイル制御を助けるために不活性ガスがエッチング混合ガス中に供給され得る。混合ガス中に供給される不活性ガスの例としては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどがある。
【0074】
一例では、酸化スズまたは炭化スズなど、ハードマスク層５３０をエッチングするために利用される第１のエッチング混合ガスは、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ａｒ、Ｈｅ、またはそれらの組合せを含む。
【0075】
動作４２０中に、第１のエッチング混合ガスのチャンバ圧力も調整される。いくつかの実装形態では、プラズマ処理チャンバ中のプロセス圧力は、約６ミリトールなど、約２ミリトールから約１００ミリトールまで、たとえば、約３ミリトールから約２０トールまでに調整される。第１のエッチング混合ガスの存在下で、必要に応じて、連続モードまたはパルスモードから形成されるプラズマを維持するために、ＲＦソースまたはバイアス電力が適用され得る。たとえば、プラズマ処理チャンバの内側のプラズマを維持するために、約１３．５６ＭＨｚの周波数をもつＲＦソース電力が、約５００ワットからなど、約２００ワットから約１，０００ワットまでのエネルギーレベルで誘導結合アンテナソースに適用され得る。さらに、約２ＭＨｚから約１３．５６ＭＨｚまでの周波数をもつＲＦバイアス電力が、約１５０ワットなど、約０ワットから約４５０ワットまでなど、５００ワット未満で適用され得る。
【0076】
いくつかの実装形態では、動作４２０のエッチング中に、ＲＦバイアス電力およびＲＦソース電力はプラズマ処理チャンバ中にパルス発振され得る。ＲＦバイアス電力およびＲＦソース電力はプラズマ処理チャンバ中に同期または非同期パルス発振され得る。いくつかの例では、ＲＦバイアス電力およびＲＦソース電力はプラズマ処理チャンバ中に非同期パルス発振される。たとえば、ＲＦソース電力は、ＲＦバイアス電力をパルス発振する前に処理チャンバにパルス発振され得る。たとえば、ＲＦバイアス電力は、ＲＦソース電力と同期した、またはＲＦソース電力に対する時間遅延を伴う、パルスモードであり得る。いくつかの例では、ＲＦソース電力およびＲＦバイアス電力は各デューティサイクルの約５％と約７５％との間でパルス発振される。たとえば各時間単位間の、各デューティサイクルは約０．１ミリ秒（ｍｓ）から約１０ｍｓまでである。
【0077】
一例では、動作２２０において供給される第１のエッチング混合ガスは、約０ｓｃｃｍから約５０ｓｃｃｍまでの流量でチャンバ中に供給されるＯ２ガスを含む。第１のエッチング混合ガスは、約１００ｓｃｃｍなど、約２５ｓｃｃｍから約２５０ｓｃｃｍまでの流量で供給される、ＨＢｒなど、ハロゲン含有ガスをさらに含む。一例では、ハロゲン含有ガスはフッ素含有ガスを含む。フッ素ベースのエッチングケミストリーは、誘電体エッチング中に選択性を改善するために不揮発性であるＳｎＦ４を形成する。ＳｎＦ４またはＳｎＯ２は、ＳｎＨ４ベースプラズマまたはハロゲンベースプラズマ（たとえば、Ｃｌ２／ＨＢｒ）を形成するために水素プラズマによって除去され得る。
【0078】
ハードマスク層５３０中にフィーチャ５５２が形成された後に、残りのパターニングされたフォトレジスト層５４０を除去するために、デスカム（ｄｅ－ｓｃｕｍ）プロセスまたは剥離プロセスが実行され得る。
【0079】
動作４３０において、図５Ｃに示されているように、それの中に形成されたフィーチャ５６２を有するパターニングされた複数の層５６０を形成するために、複数の層５２０中にフィーチャ５５２を転写することを継続するために、さらなるエッチングまたはパターニングが実行され得る。いくつかの実装形態では、動作４３０のエッチングまたはパターニングは、動作４２０の第１の混合ガスを使用して実行される。他の実装形態では、動作４３０のエッチングまたはパターニングは、動作４２０中に使用される第１の混合ガスとは異なる第２の混合ガスを使用して実行される。第２の混合ガスは、パターニングされたハードマスク５５０を形成するために使用される材料のタイプと、複数の層５２０を形成するために使用される材料のタイプとに基づいて選択され得る。
【0080】
動作４４０において、図５Ｄに示されているように、パターニングされた複数の層５６０からパターニングされたハードマスク５５０を除去するために、ハードマスク除去プロセスが実行され得る。動作４４０の剥離プロセスは酸化ケイ素および窒化ケイ素に対して極めて選択的であり得、それは、パターニングされた複数の層５２０の限界寸法が変化しないことにつながり得る。
【0081】
スズベースのハードマスクを使用する実装形態は以下の潜在的な利点のうちの１つまたは複数を含むことができる。フッ素ベースのエッチングケミストリーは、誘電体エッチング中に選択性を改善するために不揮発性であるＳｎＦ４を形成する。ＳｎＦ４またはＳｎＯ２は、ＳｎＨ４ベースのプラズマまたはハロゲンベースのプラズマ（たとえばＣｌ２／ＨＢｒ）を形成するためにＨ２プラズマによって除去され得る。スズベースのハードマスク膜の剥離プロセスは、酸化ケイ素および窒化ケイ素に対して極めて選択的であり得る（ＯＮＯ構造ポストエッチ、限界寸法変化なし）。スズ酸化はまた、ウェットケミストリー（たとえば、ＨＣｌ、ＨＮＯ３、またはＨ２ＳＯ４）によって選択的に除去され得る。
【0082】
図６は、本開示の１つまたは複数の実装形態による、スズベースのライナー材料を利用する高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスを実行するための方法６００の流れ図を示す。図７Ａ～図７Ｄは、方法６００による、高アスペクト比フィーチャパターニングプロセスの様々な段階における膜スタック７００の断面図を示す。方法６００は、必要に応じて、論理デバイスまたはメモリデバイスのための、コンタクト構造、ゲート構造、ＮＡＮＤ構造、または相互接続構造など、ターゲットにされた限界寸法とプロファイルとをもつフィーチャを形成するために利用され得る。代替的に、方法６００は、他のタイプの構造をエッチングするために有利に利用され得る。
【0083】
方法６００は、動作６１０において、図７Ａに示されているように、基板７１０上に配設された複数の層７２０上に配設されたパターニングされたハードマスク層７３０を有する膜スタック７００を与えることによって開始する。パターニングされたハードマスク層７３０は、画定された開口を有するパターニングされたフォトレジスト層（図示せず）を使用してパターニングされ、それにより、エッチングのためにハードマスク層の一部分が露出し得る。パターニングされたハードマスク層７３０は画定された開口またはフィーチャ７３２を有し、複数の層７２０の表面の一部分を露出させる。
【0084】
一例では、パターニングされたハードマスク層７３０は、ポリシリコン、ナノ結晶性シリコン、アモルファスシリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、アモルファス炭素、ダイヤモンド様炭素、窒化チタン、酸化チタン、チタンオキシナイトライド、窒化タンタル、酸化タンタル、タンタルオキシナイトライド、または任意の他の好適な材料のグループから選択される、第１のタイプの誘電体層であり得る。１つの特定の例では、パターニングされたハードマスク層７３０を形成するために選択される第１のタイプの誘電体層は、アモルファス炭素、ダイヤモンド様炭素、ＳｉＯＣなど、炭素含有層である。
【0085】
パターニングされたハードマスク層７３０は、任意の好適なパターニングプロセスを使用して形成され得る。
【0086】
動作６２０において、図７Ｂに示されているように、それの中に形成されたフィーチャ７４２を有するパターニングされた複数の層７４０を形成するために、フィーチャ７３２を複数の層７２０に転写することを継続するために、さらなるエッチングまたはパターニングが実行され得る。フィーチャ７４２は、フィーチャの深さを、パターニングされた複数の層７４０の上面７４４からフィーチャ７４２の底面７４６まで拡大する。フィーチャ７４２は、少なくとも１つの側壁７４８によって画定された幅を有する。
【0087】
パターニングされた複数の層７４０を形成するために、任意の好適なエッチングまたはパターニングプロセスが実行され得る。動作６２０のエッチングまたはパターニングは、パターニングされたハードマスク層７３０を形成するために使用される材料のタイプと、複数の層７２０を形成するために使用される材料のタイプとに基づいて選択される混合ガスを使用して実行され得る。いくつかの実装形態では、動作６２０のエッチングまたはパターニングは、動作４２０の第１の混合ガスおよびエッチング条件と同様の混合ガスおよびエッチング条件を使用して実行される。他の実装形態では、動作６２０のエッチングまたはパターニングは、動作４２０中に使用される第１の混合ガスおよびエッチング条件とは異なる混合ガスおよび処理条件を使用して実行される。
【0088】
動作６３０において、図７Ｃに示されているように、（存在する場合）パターニングされたハードマスク層７３０と、パターニングされた複数の層７４０との上にライナー層７６０が形成される。ライナー層７６０はスズベースのライナー層である。ライナー層７６０は、酸化スズ、炭化スズ、またはそれらの組合せを含む。ライナー層７６０は、必要に応じて、低減された寸法でそれらの間に画定された開口７４２の寸法を低減することを助ける別のスペーサ層として見ることができる（たとえば、スペーサオンスペーサ方式）。ライナー層７６０は、ＣＶＤ、ＡＬＤ、または任意の他の好適な堆積技法によって形成され得る。一例では、ライナー層７６０は、ＡＬＤプロセスによって形成される酸化スズ層または炭化スズ層である。図７Ｃに示されているライナー層７６０は、パターニングされたハードマスク層７３０とパターニングされた複数の層７４０との上に共形に形成され、それにより、パターニングされたハードマスク層７３０の上面７３４とパターニングされた複数の層７４０の側壁７４８とを共形にライニングすることに留意されたい。ライナー層７６０は、側壁７４８間に画定されたフィーチャ７４２の寸法をさらに低減し、それは、さらに、必要に応じて、低減された小さい寸法で、パターニングされた複数の層７４０の下層またはパターニングされていない部分にフィーチャを転写するためにマスク層として利用され得る。一例では、ライナー層７６０は、約１ｎｍから約１０ｎｍまで、たとえば、約２ｎｍから約５ｎｍまでの厚さを有する。
【0089】
動作６４０において、図７Ｄに示されているように、必要に応じて、低減された小さい寸法をもつフィーチャ７５２を形成するために、パターニングされた複数の層７４０の下層またはパターニングされていない部分にフィーチャ７４２を転写するために、別のパターニングプロセスが実行される。動作６４０中に、ライナー層７６０の一部分、たとえば、パターニングされたハードマスク層７３０の上面７３４上に形成されたライナー層７６０が除去され得る。ライナー層７６０、およびパターニングされた複数の層７４０のパターニングされていない部分は、フィーチャ７５２が形成されるまで異方性エッチングまたはパターニングを受ける。動作６４０のパターニングプロセスは、動作２４０において実行されるパターニングプロセスと同様であり得る。いくつかの実装形態では、動作６４０により基板７１０の上面が露出する。
【0090】
スズベースのライナーを使用する実装形態は以下の潜在的な利点のうちの１つまたは複数を含むことができる。スズベースのライナーは、誘電体ビアホールが限界寸法において反ることを低減または防ぐことができる。スズベースのライナーは、フィーチャの限界寸法を損なうことなしに、ウェットプラズマまたはドライプラズマ中で容易に除去され得る。
【0091】
本明細書で説明する実装形態およびすべての機能的動作は、デジタル電子回路において、または、本明細書で開示されている構造的手段およびそれの構造的等価物を含む、コンピュータソフトウェア、ファームウェア、またはハードウェアにおいて、またはそれらの組合せにおいて実装され得る。本明細書で説明する実装形態は、データ処理装置、たとえば、プログラマブルプロセッサ、コンピュータ、または複数のプロセッサもしくはコンピュータによる実行のために、またはそのようなデータ処理装置の動作を制御するために、機械可読記憶デバイス中に有形に実施される１つまたは複数のコンピュータプログラムなど、１つまたは複数の非一時的コンピュータプログラム製品として実装され得る。
【0092】
本明細書で説明するプロセスおよび論理フローは、入力データを操作することと、出力を生成することとによって機能を実行するために１つまたは複数のコンピュータプログラムを実行する１つまたは複数のプログラマブルプロセッサによって実行され得る。プロセスおよび論理フローは、専用論理回路、たとえば、ＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）またはＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）によっても実行され得、装置は、専用論理回路、たとえば、ＦＰＧＡ（フィールドプログラマブルゲートアレイ）またはＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）としても実装され得る。
【0093】
「データ処理装置」という用語は、例として、プログラマブルプロセッサ、コンピュータ、または複数のプロセッサもしくはコンピュータを含む、データを処理するためのすべての装置、デバイスおよび機械を包含する。装置は、ハードウェアに加えて、当該のコンピュータプログラムのための実行環境を作成するコード、たとえば、プロセッサファームウェア、プロトコルスタック、データベース管理システム、オペレーティングシステム、またはそれらのうちの１つまたは複数の組合せを構成するコードを含むことができる。コンピュータプログラムの実行のために好適なプロセッサは、例として、汎用マイクロプロセッサと専用マイクロプロセッサの両方、および、任意の種類のデジタルコンピュータの任意の１つまたは複数のプロセッサを含む。
【0094】
コンピュータプログラム命令とデータとを記憶するための好適なコンピュータ可読媒体は、例として、半導体メモリデバイス、たとえば、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、およびフラッシュメモリデバイス、磁気ディスク、たとえば、内蔵ハードディスクまたはリムーバブルディスク、光磁気ディスク、ならびにＣＤ ＲＯＭディスクおよびＤＶＤ－ＲＯＭディスクを含む、すべての形態の不揮発性メモリ、媒体およびメモリデバイスを含む。プロセッサおよびメモリは、専用論理回路によって補完されるか、または専用論理回路に組み込まれ得る。
【0095】
本開示の要素またはそれの例示的な態様または実装形態を紹介するとき、冠詞「ａ」、「ａｎ」、「ｔｈｅ」および「前記（ｓａｉｄ）」は、その要素が１つまたは複数があることを意味するものである。
【0096】
「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」および「有する（ｈａｖｉｎｇ）」という用語は包含的なものであり、記載された要素以外の追加の要素があり得ることを意味する。
【0097】
上記は本開示の実装形態を対象とするが、本開示の他のおよびさらなる実装形態が本開示の基本的範囲から逸脱することなく考案され得、本開示の範囲は以下の特許請求の範囲によって決定される。
【図1】
【図2】
【図3A-3D】
【図4】
【図5A-5B】
【図5C-5D】
【図6】
【図7A-7B】
【図7C-7D】
【国際調査報告】