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特表2023-554281光学システム用のインピーダンス制御を有する磁気スイッチ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-12-27
(54)【発明の名称】光学システム用のインピーダンス制御を有する磁気スイッチ
(51)【国際特許分類】
H01S 3/0975 20060101AFI20231220BHJP
H01S 3/104 20060101ALI20231220BHJP
H01S 3/041 20060101ALI20231220BHJP
H01S 3/225 20060101ALI20231220BHJP
H01S 3/00 20060101ALN20231220BHJP
【ＦＩ】
H01S3/0975
H01S3/104
H01S3/041
H01S3/225
H01S3/00 B
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023534344
(86)(22)【出願日】2021-12-09
(85)【翻訳文提出日】2023-08-02
(86)【国際出願番号】 US2021062704
(87)【国際公開番号】W WO2022140073
(87)【国際公開日】2022-06-30
(31)【優先権主張番号】63/129,369
(32)【優先日】2020-12-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】513192029
【氏名又は名称】サイマー リミテッド ライアビリティ カンパニー
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ユ，チャンチー
(72)【発明者】
【氏名】メルチャー，ポール，クリストファー
(72)【発明者】
【氏名】ワン，ユダ
【テーマコード（参考）】
5F071
5F172
【Ｆターム（参考）】
5F071AA02
5F071AA06
5F071GG03
5F071GG05
5F071GG08
5F172AD02
5F172AD06
5F172EE22
5F172XX01
5F172ZA03
5F172ZA04
5F172ZZ01
(57)【要約】
電気量の１つ以上の特性は、レーザシステムを含む光学システムの１つ以上の動作特性に基づいて決定され、磁気切り替えネットワークの磁気コアのインピーダンスは、磁気コアに磁気的に結合されたコイルに電気量を提供することによって調整され、磁気コアのインピーダンスを調整した後、光のパルスが生成される。光のパルスを生成することは、電気パルスがレーザシステムの励起機構に提供されるように磁気コアを飽和させることを含む。
【選択図】 図２
【選択図】 図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パルスシード光ビームを生成するように構成された第１の光学サブシステムであって、第１のガス状利得媒質を保持するように構成された第１のチャンバと、
前記第１のチャンバ内の第１の励起機構と、
を備える第１の光学サブシステムと、
前記パルスシード光ビームに基づいてパルス出力光ビームを生成するように構成された第２の光学サブシステムであって、
第２のガス状利得媒質を保持するように構成された第２のチャンバと、
前記第２のチャンバ内の第２の励起機構と、
を備える第２の光学サブシステムと、
前記第１の励起機構を作動させるように構成された第１の磁気切り替えネットワークであって、前記第１の励起機構を作動させることは前記第１の光学サブシステムに前記パルスシード光ビームのパルスを生成させる、第１の磁気切り替えネットワークと、
前記第２の励起機構を作動させるように構成された第２の磁気切り替えネットワークであって、前記第２の励起機構を作動させることは前記第２の光学サブシステムに前記パルス出力光ビームのパルスを生成させる、第２の磁気切り替えネットワークと、
コントローラであって、
前記第１の光学サブシステム及び前記第１の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を備える第１の指標に基づいて、前記第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように、及び
前記第２の光学サブシステム及び前記第２の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を備える第２の指標に基づいて、前記第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されたコントローラと、
を備えるシステム。
【請求項2】
前記コントローラは、前記第１の励起機構を作動させる前に、前記第１の磁気切り替えネットワーク内の前記１つ以上の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されており、前記コントローラは、前記第２の励起機構を作動させる前に、前記第２の磁気切り替えネットワーク内の前記１つ以上の飽和した磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されている、
請求項１のシステム。
【請求項3】
前記第１の磁気切り替えネットワークは、第１の可飽和リアクトル及び第１の磁気コアを備える第１の整流子モジュールと、
第２の可飽和リアクトル及び第２の磁気コアを備える第１の圧縮モジュールと、
を備えており、
前記第２の磁気切り替えネットワークは、
第３の可飽和リアクトル及び第３の磁気コアを備える第２の整流子モジュールと、
第４の可飽和リアクトル及び第４の磁気コアを備える第２の圧縮モジュールと、
を備えており、
前記コントローラは、
１つ以上の動作特性の前記第１の指標に基づいて前記第１の磁気コア及び前記第２の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように、並びに
１つ以上の動作特性の前記第２の指標に基づいて前記第３の磁気コア及び前記第４の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されている、
請求項１のシステム。
【請求項4】
前記コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって前記第１の磁気切り替えネットワーク内の前記１つ以上の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されており、前記１つ以上のコイルの各々は前記第１の磁気切り替えネットワークの前記１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、前記電流の１つ以上の特性は前記第１の指標に基づいており、前記コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって前記第２の磁気切り替えネットワーク内の前記１つ以上の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されており、前記１つ以上のコイルの各々は前記第２の磁気切り替えネットワークの前記１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、前記電流の１つ以上の特性は前記第２の指標に基づいている、
請求項１のシステム。
【請求項5】
前記電流の前記１つ以上の特性は前記電流の振幅を備える、請求項４のシステム。
【請求項6】
前記第１の光学チャンバは加圧された利得媒質を備え、前記第１の励起機構は２つの電極を備え、前記第１の光学チャンバの前記動作特性は、前記第１の光学チャンバ内の前記電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、前記第１の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、前記第１の光学チャンバ内の前記利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備え、前記第１の磁気切り替えネットワークの前記動作特性は、前記第１の磁気切り替えネットワーク内の前記磁気コアのうち１つ以上の温度を備え、前記第２の光学チャンバは加圧された利得媒質を備え、前記第２の励起機構は２つの電極を備え、前記第２の光学チャンバの前記動作特性は、前記第２の光学チャンバ内の前記電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、前記第２の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、前記第２の光学チャンバ内の前記利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備え、前記第２の磁気切り替えネットワークの前記動作特性は、前記第１の磁気切り替えネットワークの前記磁気コアのうち１つ以上の温度を備える、
請求項１のシステム。
【請求項7】
前記第１の光学サブシステムは主発振器を備え、前記第２の光学サブシステムはパワー増幅器を備える、請求項１のシステム。
【請求項8】
前記パルスシード光ビーム及び前記パルス出力光ビームはいずれも、深紫外（ＤＵＶ）域内の１つ以上の波長を備える、請求項１のシステム。
【請求項9】
前記第１のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を備え、前記第２のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を備える、請求項８のシステム。
【請求項10】
前記第１の光学源の前記１つ以上の動作特性を測定するように及び前記第１の光学システムの前記１つ以上の動作特性の前記指標を前記コントローラに提供するように構成された第１の監視モジュールと、前記第２の光学源の前記１つ以上の動作特性を測定するように及び前記第２の光学システムの前記１つ以上の動作特性の前記指標を前記コントローラに提供するように構成された第２の監視モジュールと、
を更に備える、請求項１のシステム。
【請求項11】
光学源及び磁気切り替えネットワークを備える光学システムの１つ以上の動作特性にアクセスするように構成された監視モジュールと、コマンドモジュールであって、
前記磁気切り替えネットワークに磁気的に結合された電気ネットワークに電気量を提供するべく電源を制御するように構成されており、
前記前記磁気切り替えネットワークは、励起パルスを前記光学源に提供するように構成されており、
前記電気量は前記磁気切り替えネットワークの磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置き、
前記電気量の１つ以上の特性は、前記光学システムの前記１つ以上の動作特性に基づいている、コマンドモジュールと、
を備える制御システム。
【請求項12】
前記光学システムの前記１つ以上の動作特性は、前記光学源に提供される励起電圧の大きさと、前記光学源によって生成される前記パルス光ビームの反復率と、前記磁気コアの温度と、前記光学源内のガス状利得媒質の圧力とのうちいずれかを備え、前記電気量の前記１つ以上の特性は、振幅及び持続時間を備える、
請求項１１の制御システム。
【請求項13】
前記電気量は電圧又は電流を備える、請求項１１の制御システム。
【請求項14】
前記電気量は直流（ＤＣ）電流を備え、前記ＤＣ電流の前記振幅は前記光学システムの前記１つ以上の動作特性に基づく、請求項１３の制御システム。
【請求項15】
前記コマンドモジュールは更に、前記光学システムの前記１つ以上の動作特性に基づいてコマンド信号を決定するように、及び前記コマンド信号に基づいて前記電源を制御するように構成されている、請求項１３の制御システム。
【請求項16】
前記電気量の前記１つ以上の特性は振幅及び持続時間を備え、前記振幅は前記動作特性のうち１つ以上に依存する値を有し、前記持続時間は前記動作特性のうち１つ以上に依存する値を有する、請求項１５の制御システム。
【請求項17】
前記コントローラは、複数のパルスの各々が生成された後に前記磁気スイッチの前記磁気コアが前記非飽和状態又は逆飽和状態に置かれるように、前記光学システムによって生成される前記パルス光ビーム内の前記複数のパルスの各パルスの後に前記電源を制御する、請求項１１の制御システム。
【請求項18】
前記複数のパルスは、パルスのバースト内の連続パルスである、請求項１７の制御システム。
【請求項19】
前記複数のパルスは、パルスの第１のバースト内の第１のパルス及びパルスの第２のバースト内の第２のパルスを備える、請求項１７の制御システム。
【請求項20】
前記電気量の１つの特性は、前記複数のパルスのうちの第１のパルスの後に前記磁気コアを前記非飽和状態又は逆飽和状態に置く第１の値と、前記複数のパルスのうちの第２のパルスの後に前記磁気コアを前記非飽和状態又は逆飽和状態に置く第２の値とを有し、前記第１の値は前記第２の値とは異なる、請求項１７の制御システム。
【請求項21】
レーザシステムを備える光学システムの１つ以上の動作特性に基づいて電気量の１つ以上の特性を決定することと、磁気切り替えネットワークの磁気コアのインピーダンスを、前記磁気コアに磁気的に結合されたコイルに前記電気量を提供することによって調整することと、
前記磁気コアの前記インピーダンスを調整した後、光のパルスを生成することと、
を備える方法であって、
前記光のパルスを生成することは、電気パルスが前記レーザシステムの励起機構に提供されるように前記磁気コアを飽和させることを備える、方法。
【請求項22】
前記電気量は電流を備え、前記電気量の前記１つ以上の特性は大きさ又は持続時間を備える、請求項２１の方法。
【請求項23】
前記１つ以上の動作特性は、前記レーザシステムに提供される励起電圧の大きさと、前記レーザシステムによって生成されるパルス光ビームの反復率と、前記磁気コアの温度と、前記レーザシステムのガス状利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備える、請求項２１の方法。
【請求項24】
前記磁気コアの前記インピーダンスを調整することは、前記磁気コアの前記インピーダンスを所定のレベルに調整することを備える、請求項２１の方法。
【請求項25】
前記磁気コアの前記インピーダンスを調整することは、前記磁気コアを逆飽和状態に置くことを備える、請求項２１の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
[0001] 本願は２０２０年１２月２２日に提出され「光学システム用のインピーダンス制御を有する磁気スイッチ」と題された米国出願第６３／１２９，３６９号の優先権を主張するものであり、同出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【0002】
[0002] 本開示は、光学システム用のインピーダンス制御を有する磁気スイッチに関する。光学システムは、例えば、エキシマレーザであり得るか又はそれを含んでいてもよく、深紫外（ＤＵＶ）光を生成し得る。
【0003】
[0003] フォトリソグラフィとは、半導体回路をシリコンウェーハなどの基板上にパターニングするプロセスである。フォトリソグラフィ光学源（又は光源）が、ウェーハ上のフォトレジストを露光させるために用いられる深紫外（ＤＵＶ）光を提供する。フォトリソグラフィにおいて用いられるガス放電光源の１つの種類は、エキシマ光源又はレーザとして知られている。エキシマ光源は、典型的には、アルゴン、クリプトン、又はキセノンなど１つ以上の貴ガスとフッ素又は塩素などの反応性との組み合わせを使用する。エキシマ光源は、（供給される）電気刺激（エネルギ）及び高圧（のガス混合物）の適正条件下では、通電状態においてのみ存在し紫外域の増幅光のもとになるエキシマと呼ばれる擬似分子が作り出されるという事実からその名を得ている。エキシマ光源は深紫外（ＤＵＶ）域に波長を有する光ビームを生成し、この光ビームがフォトリソグラフィ装置内で半導体基板（又はウェーハ）をパターニングするために用いられる。エキシマ光源は、単一のガス放電チャンバを用いて又は複数のガス放電チャンバを用いて構築することができる。
【発明の概要】
【0004】
[0004] 一態様においては、システムは、パルスシード光ビームを生成するように構成された第１の光学サブシステムであって、第１のガス状利得媒質を保持するように構成された第１のチャンバと、その第１のチャンバ内の第１の励起機構とを含む第１の光学サブシステムと、パルスシード光ビームに基づいてパルス出力光ビームを生成するように構成された第２の光学サブシステムであって、第２のガス状利得媒質を保持するように構成された第２のチャンバと、その第２のチャンバ内の第２の励起機構とを含む第２の光学サブシステムと、第１の励起機構を作動させるように構成された第１の磁気切り替えネットワークであって、第１の励起機構を作動させることは第１の光学サブシステムにパルスシード光ビームのパルスを生成させる、第１の磁気切り替えネットワークと、第２の励起機構を作動させるように構成された第２の磁気切り替えネットワークであって、第２の励起機構を作動させることは第２の光学サブシステムにパルス出力光ビームのパルスを生成させる、第２の磁気切り替えネットワークと、コントローラであって、第１の光学サブシステム及び第１の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を含む第１の指標に基づいて、第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように、及び第２の光学サブシステム及び第２の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を含む第２の指標に基づいて、第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されたコントローラと、を含む。
【0005】
[0005] 実施例は以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。
【0006】
[0006] コントローラは、第１の励起機構を作動させる前に、第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されていてもよく、コントローラは、第２の励起機構を作動させる前に、第２の磁気切り替えネットワークの１つ以上の飽和した磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されていてもよい。
【0007】
[0007] 第１の磁気切り替えネットワークは、第１の可飽和リアクトル及び第１の磁気コアを含む第１の整流子モジュールと、第２の可飽和リアクトル及び第２の磁気コアを含む第１の圧縮モジュールとを含んでいてもよく、第２の磁気切り替えネットワークは、第３の可飽和リアクトル及び第３の磁気コアを含む第２の整流子モジュールと、第４の可飽和リアクトル及び第４の磁気コアを含む第２の圧縮モジュールとを含んでいてもよく、コントローラは、１つ以上の動作特性の第１の指標に基づいて第１の磁気コア及び第２の磁気コアのインピーダンスを調整するように、並びに１つ以上の動作特性の第２の指標に基づいて第３の磁気コア及び第４の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されていてもよい。
【0008】
[0008] コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって第１の磁気切り替えネットワークの１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されていてもよく、１つ以上のコイルの各々は第１の磁気切り替えネットワークの１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、電流の１つ以上の特性は第１の指標に基づいている。コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されていてもよく、１つ以上のコイルの各々は第２の磁気切り替えネットワークの１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、電流の１つ以上の特性は第２の指標に基づいている。電流の１つ以上の特性は電流の振幅を含み得る。
【0009】
[0009] 第１の光学チャンバは加圧された利得媒質を含んでいてもよく、第１の励起機構は２つの電極を含んでいてもよい。第１の光学チャンバの動作特性は、第１の光学チャンバ内の電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、第１の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、第１の光学チャンバ内の利得媒質の圧力とのうち１つ以上を含み得る。第１の磁気切り替えネットワークの動作特性は、第１の磁気切り替えネットワーク内の磁気コアのうち１つ以上の温度を含み得る。第２の光学チャンバは加圧された利得媒質を含んでいてもよく、第２の励起機構は２つの電極を含んでいてもよい。第２の光学チャンバの動作特性は、第２の光学チャンバ内の電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、第２の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、第２の光学チャンバ内の利得媒質の圧力とのうち１つ以上を含み得る。第２の磁気切り替えネットワークの動作特性は、第１の磁気切り替えネットワークの磁気コアのうち１つ以上の温度を含み得る。
【0010】
[0010] 第１の光学サブシステムは主発振器を含んでいてもよく、第２の光学サブシステムはパワー増幅器を含んでいてもよい。
【0011】
[0011] パルスシード光ビーム及びパルス出力光ビームはいずれも、深紫外（ＤＵＶ）域内の１つ以上の波長を含み得る。第１のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を含み得る。そして第２のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を含み得る。
【0012】
[0012] システムは、第１の光学源の１つ以上の動作特性を測定するように及び第１の光学システムの１つ以上の動作特性の指標をコントローラに提供するように構成された第１の監視モジュールと、第２の光学源の１つ以上の動作特性を測定するように及び第２の光学システムの１つ以上の動作特性の指標をコントローラに提供するように構成された第２の監視モジュールとを更に含み得る。
【0013】
[0013] 別の一態様においては、コントローラは、光学源及び磁気切り替えネットワークを含む光学システムの１つ以上の動作特性にアクセスするように構成された監視モジュールを含み、コントローラは、磁気切り替えネットワークに磁気的に結合された電気ネットワークに電気量を提供するべく電源を制御するように構成されたコマンドモジュールも含む。磁気切り替えネットワークは励起パルスを光学源に提供するように構成されており、電気量は磁気切り替えネットワークの磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置き、電気量の１つ以上の特性は光学システムの１つ以上の動作特性に基づいている。
【0014】
[0014] 実施例は以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。
【0015】
[0015] 光学システムの１つ以上の動作特性は、光学源に提供される励起電圧の大きさと、光学源によって生成されるパルス光ビームの反復率と、磁気コアの温度と、光学源内のガス状利得媒質の圧力とのうちいずれかを含み得る。電気量の１つ以上の特性は振幅及び持続時間を含み得る。
【0016】
[0016] 電気量は、電圧又は電流を含み得る。電気量は直流（ＤＣ）電流を含んでいてもよく、ＤＣ電流の振幅は光学システムの１つ以上の動作特性に基づき得る。コマンドモジュールは更に、光学システムの１つ以上の動作特性に基づいてコマンド信号を決定するように、及びそのコマンド信号に基づいて電源を制御するように構成されていてもよい。電気量の１つ以上の特性は振幅及び持続時間を含み得、振幅は動作特性のうち１つ以上に依存する値を有し得、持続時間は動作特性のうち１つ以上に依存する値を有し得る。
【0017】
[0017] コントローラは、複数のパルスの各々が生成された後に磁気スイッチの磁気コアが非飽和状態又は逆飽和状態に置かれるように、光学システムによって生成されるパルス光ビーム内の複数のパルスの各パルスの後に電源を制御し得る。複数のパルスは、パルスのバースト内の連続パルスであってもよい。複数のパルスは、パルスの第１のバースト内の第１のパルス及びパルスの第２のバースト内の第２のパルスであってもよい。電気量の１つの特性は、複数のパルスのうちの第１のパルスの後に磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置く第１の値と、複数のパルスのうちの第２のパルスの後に磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置く第２の値とを有していてもよく、第１の値は第２の値とは異なる。
【0018】
[0018] 別の一態様においては、方法は、レーザシステムを含む光学システムの１つ以上の動作特性に基づいて電気量の１つ以上の特性を決定することと、磁気切り替えネットワークの磁気コアのインピーダンスを、磁気コアに磁気的に結合されたコイルに電気量を提供することによって調整することと、磁気コアのインピーダンスを調整した後、光のパルスを生成することとを含む。光のパルスを生成することは、電気パルスがレーザシステムの励起機構に提供されるように磁気コアを飽和させることを含む。
【0019】
[0019] 実施例は以下の特徴のうち１つ以上を含み得る。
【0020】
[0020] 電気量は電流を含んでいてもよく、電気量の１つ以上の特性は大きさ又は持続時間を含んでいてもよい。
【0021】
[0021] １つ以上の動作特性は、レーザシステムに提供される励起電圧の大きさと、レーザシステムによって生成されるパルス光ビームの反復率と、磁気コアの温度と、レーザシステムのガス状利得媒質の圧力とのうち１つ以上を含み得る。
【0022】
[0022] 磁気コアのインピーダンスを調整することは、磁気コアのインピーダンスを所定のレベルに調整することを含み得る。
【0023】
[0023] 磁気コアのインピーダンスを調整することは、磁気コアを逆飽和状態に置くことを含み得る。
【0024】
[0024] 上述した技術のうちいずれの実施例も、システム、方法、プロセス、デバイス、又は装置を含み得る。１つ以上の実施例の詳細を、添付の図面及び以下の説明に記載する。他の特徴は、説明及び図面から、並びに特許請求の範囲から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1A】[0025] システムの一例のブロック図である。
【図1B】[0026] 切り替えネットワークの一例の概略図である。
【図1C】[0027] 磁化曲線の一例である。
【図1D】[0028] 時間の関数としての電流の一例である。
【図2】[0029] ２ステージレーザシステムの一例のブロック図である。
【図3】[0030] コマンドモジュールの一例のブロック図である。
【図4】[0031] 切り替えネットワークの別の一例の概略図である。
【図5A】[0032] 深紫外（ＤＵＶ）光学システムの一例のブロック図である。
【図6】[0034] ＤＵＶ光学システムの別の一例のブロック図である。
【図7】[0035] 実験データの例を示す。
【図8】[0035] 実験データの例を示す。
【図9】[0035] 実験データの例を示す。
【図10】[0035] 実験データの例を示す。
【発明を実施するための形態】
【0026】
[0036] 図１Ａは、システム１００のブロック図である。システム１００は光学源１１０を含む。光学源１１０は、半導体ウェーハを露光するために使用される深紫外（ＤＵＶ）光学源であり得る。光学源１１０は、利得媒質１１９及び励起機構１１３を封入する放電チャンバ１１５を含む。励起機構１１３は、切り替えネットワーク１５０によって生成される電気パルス１５５によって作動される。図１Ｂは、切り替えネットワーク１５０の概略図である。励起機構１１３を作動させると、利得媒質１１９内に反転分布が生じ、光のパルスが生成される。切り替えネットワーク１５０は励起機構１１３に提供される電気パルス１５５の列を発生させ、それによって光学源１１０がパルス光ビーム１１６を生成する。
【0027】
[0037] 以下でより詳細に述べるように、コマンドモジュール１３０が、電気量１４９を使用して、切り替えネットワーク１５０内の磁気スイッチ１５３のインピーダンスを制御する。電気量１４９の１つ以上の特性はシステム１００の１つ以上の動作特性に基づいている。システム１００の動作特性は、光学源１１０と、切り替えネットワーク１５０と、電力源１４２との動作特性、及び／又は光学源１１０と、切り替えネットワーク１５０と、電力源１４２との任意のコンポーネント又はサブシステムの動作特性を含む。このようにして、コマンドモジュール１３０は、磁気スイッチ１５３のインピーダンスを一定値にリセットすること、及び／又は磁気スイッチ１５３が動作特性の変化にかかわらず電気パルス１５５の生成の前（よって、光ビーム１１６のパルスの生成の前）の特定の動作範囲内に動作点を有するように磁気スイッチ１５３のインピーダンスを調整することができる。磁気スイッチ１５３のインピーダンスは、光ビーム１１６内の各パルスを生成する前に、又は光ビーム１１６内の１つ以上であるが全部ではないパルスを生成する前に、調整され得る。
【0028】
[0038] 切り替えネットワーク１５０は、パルス発生ネットワーク１５２と電気ネットワーク１５６とを含む。磁気スイッチ１５３は磁気コア１５１を含む。電気ネットワーク１５６は、磁気コア１５１を介して磁気スイッチ１５３に磁気的に結合される。図１Ｂに示す例では、電気ネットワーク１５６は、磁気コア１５１の周りに巻かれたコイル（例えばコイル状の電線）である。磁気スイッチ１５３は、磁気コア１５１の周りに巻かれた導電性コイルも含み得る。磁気スイッチ１５３は、例えば、可飽和インダクタであってもよい。
【0029】
[0039] 磁気コア１５１は、外部磁界に曝されることに応じて磁化される任意の材料である。磁気コア１５１は、例えば、鉄又は鉄合金のような強磁性材料など、比較的高い透磁率を有する磁性材料であり得る。透磁率（μ）とは、印加される磁界に応じて材料が得る磁化の程度である。強磁性材料が一例として挙げられているが、他の材料が使用されてもよい。
【0030】
[0040] 図１Ｃは、磁気コア１５１に使用され得る材料の磁化曲線１６０の一例の図示である。図１Ｃの磁化曲線は、磁界強度（Ｈ）の関数としての磁気コア１５１の磁化（Ｂ）のプロットである。磁化（Ｂ）の単位はテスラ（Ｔ）であり、磁界強度（Ｈ）の単位はアンペア毎メートル（Ａ／ｍ）である。磁化曲線１６０は非線形であり、磁気コア１５１は磁気ヒステリシスを経験する。第１の方向を有する磁界が磁気コア１５１に印加されると、コア１５１の材料内の原子双極子は第１の方向と整列し、コア１５１の材料は第１の方向に磁化される。第１の磁界が除去されると、整列の一部が保持される。よって、外部磁界が存在しないとき（すなわち、Ｈ＝０）であっても、コア１５１の磁性材料はいくらかの磁化を保持する。
【0031】
[0041] 磁気コア１５１は、順方向飽和領域１６２と逆方向飽和領域１６１とを有する。磁気コア１５１は、外部磁界の印加がもはや磁気コア１５１の材料の磁化の更なる変化を生じないとき、飽和している。磁気コア１５１のインピーダンスは、領域１６２及び１６１において最も低い。磁気コア１５１が飽和しておらず、磁化（Ｂ）が領域１６１と１６２との間にあるとき、磁気スイッチ１５３は比較的高いインピーダンスを有する。議論を進めるために、磁気コア１５１の磁化（Ｂ）は、当初は、図１Ｃにおいて１６３と標識された動作点にある。動作点１６３は逆方向飽和領域１６１にある。他の構成では、動作点は、順方向飽和領域１６２の外側の非飽和領域において開始し得る。
【0032】
[0042] パルス発生ネットワーク１５２は電力源１４２に電気的に接続されている。図１Ｂも参照すると、電力源１４２は、高電圧電源１４１と共振充電回路１３５とを含む。共振充電回路１３５は、高電圧電源１４１の出力１３３ノードに電気的に接続されている。高電圧電源１４１は、例えば、出力ノード１３３において９００Ｖ ＤＣを供給することができる３２キロワット（ｋＷ）電源であってもよい。高電圧電源１４１は、他の仕様及び特性を有していてもよい。例えば、電源１４１は、出力ノード１３３において８００Ｖ ＤＣを供給することができる５２ｋＷ電源であってもよい。電源１４１は、他の電力量及び電圧量を提供するように構成されていてもよく、電圧及び電力の上記の値は例として提供されている。また、出力ノード１３３における電圧は、接地に対して正又は負であり得る。換言すれば、９００Ｖ ＤＣを供給することができる３２ｋＷ電源の例においては、出力ノード１３３における電圧は＋９００Ｖ又は－９００Ｖであり得る。下記で述べる例においては、電源１４１は負極性を有する。
【0033】
[0043] 共振充電回路１３５は、キャパシタ１４３、スイッチ１４８、及びインダクタ１４４を含む。スイッチ１４８は、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などのトランジスタであり得る。キャパシタ１４３は、出力ノード１３３及び接地に電気的に接続されている。スイッチ１４８は出力ノード１３３に電気的に接続されており、スイッチ１４８はインダクタ１４４と直列である。スイッチ１４８が閉じられると、インダクタ１４４はキャパシタ１４３に電気的に接続される。図１Ｂに示す共振充電回路１３５は一例である。他の実施例においては、共振充電回路１３５は、例えば、ダイオード及び追加のスイッチなどの追加のコンポーネントを含み得る。
【0034】
[0044] 高電圧電源１４１は、キャパシタ１４３の両端に電圧を印加する。電荷がキャパシタ１４３に蓄積し、キャパシタ１４３の両端の電圧は、スイッチ１４８が閉じるまで増加するか又は一定のままである。スイッチ１４８が閉じると、キャパシタ１４３に蓄えられた電荷は放電され、共振充電回路１３５の出力ノード１３４に電気的に接続されたキャパシタ１５９に流れる。スイッチ１４８は、キャパシタ１４３の両端の電圧が指定された電圧に達した後及び／又は指定された時間の後に閉じるようにトリガされ得る。指定された電圧値は、指令電圧、プリセット電圧値、又は他の電圧値であってもよい。スイッチ１４８が閉じた後、キャパシタ１４３の電荷は放電される。
【0035】
[0045] キャパシタ１４３からの電荷はキャパシタ１５９に蓄積し、キャパシタ１５９の両端の電圧は、指令電圧まで増加し、スイッチ１４５が閉じるまで指令電圧のままである。スイッチ１４５が閉じると、キャパシタ１５９に蓄えられた電荷は、電流（ｉ１）として、キャパシタ１５９、インダクタ１５８、及びキャパシタ１５４によって形成される共振回路を流れる。図１Ｄは、その電流（ｉ１）と電流（ｉ２）との一例を時間の関数として示す。電流（ｉ１）は、時間幅（ｗ１）及び振幅ｈ１を有する。電流（ｉ２）は、時間幅（ｗ２）及び振幅ｈ２を有する。時間幅ｗ１は、インダクタ１５８、キャパシタ１５９、及びキャパシタ１５４の相対的なインピーダンス値によって決定される。例えば、電流（ｉ１）の時間幅ｗ１は、約５マイクロ秒（μｓ）であり得る。時間幅ｗ２は、キャパシタ１５４、磁気スイッチ１５３、及びピーキングキャパシタ１４６の相対的なインピーダンス値によって決定される。時間幅ｗ２は、例えば５００ナノ秒（ｎｓ）であり得る。
【0036】
[0046] 電流（ｉ１）はキャパシタ１５４から流れ出し、キャパシタ１５４の両端の電圧の絶対値は増加する。電流ｉ１の大部分はキャパシタ１５４から流れ出すが、漏れ電流が磁気スイッチ１５３にも流れる。磁気スイッチ１５３を流れる電流は、図１Ｄでは電流ｉ２として示されている。漏れ電流は、コア１５１の磁化を動作点１６３から経路１６４（図１Ｃ）に沿って増加させ、コア１５１はもはや逆飽和領域１６１にはない。漏れ電流は磁気スイッチ１５３に流入し続け、コア１５１の磁化は、順方向飽和領域１６２に達するまで、経路１６４に沿って増加し続ける。順方向飽和領域１６２にあるとき、コア１５１のインピーダンスはゼロに近い。この点では、磁気スイッチ１５３は、インダクタ１５８よりも低いインピーダンスを有する。キャパシタ１５４に蓄えられた電気エネルギは、磁気スイッチ１５３を通って電流（図１Ｄにおいてはｉ２として示される）として流れ、ピーキングキャパシタ１４６に蓄積する。これにより、ピーキングキャパシタ１４６の両端に電位差が形成される。ピーキングキャパシタ１４６の電圧の絶対値は、例えば、約２０ｋＶであり得る。キャパシタ１４６は電極１１３ａ及び１１３ｂと並列である。よって、キャパシタ１４６の両端の電位差は、電極１１３ａと１１３ｂとの間にも形成される。電極１１３ａ及び１１３ｂ間のこの電位差は利得媒質１１９を励起する励起パルス１５５であり、放電チャンバ１１５は光パルスを放出する。
【0037】
[0047] 磁気スイッチ１５３のインピーダンスは、電流ｉ２が磁気スイッチ１５３の材料の保磁力（Ｈｃ）によって決定される閾値電流値よりも低くなるまで、小さいままである。電流ｉ２が磁気スイッチ１５３を通過すると、電流ｉ２はもはやコア１５１に磁界を印加せず、動作点は動作点１６７に移動する。
【0038】
[0048] 電気パルス１５５内のエネルギの大部分は励起機構１１３及び利得媒質１１９によって吸収されるが、電気パルス１５５内のエネルギの一部は反射し、反射電流１４７（反射１４７と称される）としてパルス発生ネットワーク１５２内に戻る。この例では、反射１４７は、電流（ｉ１）及び（ｉ２）と同じ方向である。再び図１Ｃを参照すると、この例では、コア１５１の磁化（Ｂ）は反射１４７の結果として変化し、コア１５１の動作点は再び飽和領域１６２に向かって移動する。
【0039】
[0049] 反射１４７の大きさは動作特性に依存する。動作特性とは、観察もしくは測定される量、並びに／又は光学源１１０、電力源１４２、切り替えネットワーク１５０、及び／もしくはシステム１００の他の態様からアクセスされる仕様もしくは設定であり得る。動作特性は、放電チャンバ１１５、利得媒質１１９、励起機構１１３、及び切り替えネットワーク１５０の動作に関連する任意のタイプのパラメータ又は特性を含む。動作特性は、例えば、利得媒質１１９の圧力、励起機構１１３に印加される電気パルス１５５の大きさ及び／又は持続時間、利得媒質１１９の温度、コア１５１の温度、コア１５１以外の磁気スイッチ１５３のコンポーネントの温度、キャパシタ１４３の指定された電圧、キャパシタ１５９の指定された電圧、及び／又は電気パルス１５５が励起機構１１３に印加される周波数（光ビーム１１６の反復率に関係する）を含む。
【0040】
[0050] 動作特性は、光学源１１０の動作及び使用中に変動し、バースト間又はパルス間で変動し得る。よって、コア１５１の磁化（Ｂ）が反射１４７に起因して変化する量は一定ではなく、光学源１１０によって生成される各パルスについて異なり得る。したがって、次の電気パルス１５５（よって、光ビーム１１６の次のパルス）が予想通りに生成されるように磁気コア１５１を順方向飽和領域１６２に置くのに必要とされる磁界（Ｈ）の量及び時間の量は、光学源１１０の動作中、必ずしも一定ではない。
【0041】
[0051] 光パルス生成サイクルの開始時にコア１５１の予測可能な磁化を保証するために、磁気コア１５１は電気量１４９（例えばバイアス電流１４９）を使用してバイアスされ、電気量１４９の１つ以上の特性は動作条件に基づいている。
【0042】
[0052] 電気ネットワーク１５６は、コマンドモジュール１３０によって制御されるバイアス電源１４０に電気的に接続されている。コマンドモジュール１３０は、１つ以上の動作特性にアクセスする及び／又はこれを監視する監視モジュール１２０からデータを受信するか又はそのデータにアクセスする。図１Ｂに示す例では、電気量１４９は、ネットワーク１５６のコイルを流れるバイアス電流である。図１Ｃの例に戻ると、電気量１４９は、コア１５１の動作点を点１６３に向かって（及び逆方向飽和領域１６１のより近くに）移動させる。いくつかの実施例においては、電気量１４９は、光の各パルスが生成された後に動作点が逆方向飽和領域１６１内に移動するようなものである。換言すれば、電気量１４９は、磁気コア１５１の動作点（よって、コア１５１のインピーダンス）を、既知の値又は予測可能な値（例えば逆方向飽和領域１６１内の動作点）にリセットする。
【0043】
[0053] コマンドモジュール１３０は、バイアス電源１４０を制御して、バイアス電源１４０に電気ネットワーク１５６への出力（例えば電圧又は電流）を提供させる。出力の特性（例えば大きさ）は動作特性のうち１つ以上に基づいており、したがって電気量１４９も動作特性のうち１つ以上に基づいている。例えば、コマンドモジュール１３０は、光学源１１０の１つ以上の動作特性をバイアス電源１４０の出力の１つ以上の特性に関連付けるデータベース又はルックアップテーブルを格納し得る。よって、電気量１４９は、光学源１１０の動作特性の変化を考慮して変化することができる。このようにバイアス電源１４０を制御することによって、磁気コア１５１の磁化は、動作特性の値にかかわらず、光ビーム１１６のパルスを発生させる前の一定又は略一定の値にリセットされる。
【0044】
[0054] パルス発生サイクルの開始時に磁気コア１５１の磁化を既知の値及び／又は一定値にリセットすることは、電気パルス１５５のタイミングがよりきめ細かく且つ正確に制御及び予測されることを可能にする。例えば、磁気コア１５１の磁化はパルス発生サイクルの開始時に常に同じ動作点にあるので、磁気スイッチに入力されるある特定の量の電気エネルギに対して、磁気コア１５１は、常に同じ時間量で順方向飽和領域１６２に達するであろう。（利得媒質１１９を励起する）電気パルス１５５の生成のタイミングの精密な制御は、例えば、光学源１１０が（図２及び図６に示すような）マルチステージ光源であるとき、切り替えネットワーク１５０がより効果的に使用されることを可能にする。また、電気量１４９は、磁気コア１５１の磁化が各パルス発生サイクルの開始時に逆方向飽和領域１６１に置かれるように制御され得る。電気量１４９の１つ以上の特性を制御すること（及びそれにより磁気コア１５１の磁化を制御すること）によって、逆方向飽和領域１６１と順方向飽和領域１６２との間の磁気コア１５１の全磁化範囲が利用され得る。
【0045】
[0055] さらに、コア１５１の磁化を制御することは、光学源１１０のバーストモード性能も向上させる。バーストモードで動作するとき、光学源１１０によって生成された光ビーム１１６は、光パルスを含まない期間によって分離された光のパルスのバーストを含む。各バーストは、数百、数千、数万、又はそれ以上のパルスを含み得る。パルスのバースト内のパルスは用途に適した反復率を有する。例えば、バースト内のパルスは、６，０００ヘルツ（Ｈｚ）以上の反復率を有し得る。バースト間の期間は、バースト内の２つの連続するパルス間の時間よりもはるかに長い持続時間を有する。例えば、あるパルスのバーストの終わりと次のパルスのバーストとの間の時間は、バースト内の２つの連続するパルス間の時間よりも数百倍又は数千倍長いであろう。バーストの開始時には、放電チャンバ１１５内の過渡現象効果が、最初の数個のパルス（例えば最初の１００個又は２００個のパルス）における光エネルギの量を劇的に変化させる。また、マルチステージシステムでは、様々なステージ間のタイミング差は、バーストの開始時により顕著になる傾向がある。さらに、過渡現象は、例えば、励起機構１１３に印加される電圧、反復率、及び利得媒質１１９の圧力などの動作特性に基づいて変動する。コア１５１の磁化を制御することによって、バースト過渡現象効果は低減され得る。
【0046】
[0056] 図１Ｂに示す概略図は一例として提供されており、他の実施例が可能である。例えば、パルス発生ネットワーク１５２は１つの磁気スイッチのみを含み、キャパシタ１５４と、磁気スイッチ１５３と、ピーキングキャパシタ１４６とによって形成される共振回路は単一の磁気圧縮ステージである。しかしながら、他の実施例においては、パルス発生ネットワーク１５２は追加の磁気圧縮ステージを含む。例えば、パルス発生ネットワーク１５２は、２つ以上の磁気スイッチ及び２つ以上の磁気圧縮ステージを含んでいてもよい。これらの追加のステージは、ピーキングキャパシタ１４６が電極１１３ａ及び１１３ｂと並列のままであるように、パルス発生回路内に置かれる。図４は、２つ以上の磁気圧縮ステージを含む切り替えネットワーク４５０の一例を示す。
【0047】
[0057] また、マルチステージ磁気圧縮回路の任意の変形形態が使用されてもよい。例えば、パルス発生ネットワーク１５２の他の実施例は各磁気圧縮ステージについて別個のバイアス電源１４０及び電気ネットワーク１５６を含んでいてもよく、又は、バイアス電源１４０及び電気ネットワーク１５６の１つのインスタンスが２つ以上の磁気スイッチのインピーダンスを制御するために使用されてもよい。さらに、磁気圧縮ステージの様々なコンポーネント（例えばキャパシタ及びインダクタンスコンポーネントの値）は、ピーキングキャパシタ１４６において生成される電流及び電圧パルスが、他のステージにおいて生成される電圧及び電流よりも短い持続時間及び大きい振幅を有するように選択され得る。
【0048】
[0058] また、パルス発生ネットワーク１５２は、例えばダイオード及び１つ以上の電圧変換器のような他のコンポーネントを含んでいてもよい。パルス発生ネットワーク１５２の具体的な構成にかかわらず、パルス発生ネットワーク１５２内の磁気スイッチのうち少なくとも１つのインピーダンス又は磁化は、上述の電気量１４９のような電気量で制御される。
【0049】
[0059] 加えて、図１Ｂに示す例では、高電圧電源１４１は負極性を有する電圧を提供し、したがって出力ノード１３３における電圧は接地に対して負である。しかしながら、他の実施例においては、高電圧電源１４１は正極性を有する電圧を提供し、したがって出力ノード１３３における電圧は接地に対して正である。高電圧電源１４１の極性が正である実施例においては、電流（ｉ１）及び（ｉ２）並びに反射１４７は、図１Ｂに示されている方向とは反対の方向に流れる。
【0050】
[0060] 図２はシステム２００のブロック図である。システム２００は２ステージレーザシステム２１０を含む。２ステージレーザシステム２１０は、パルスシード光ビーム２１６＿１を生成する第１の放電チャンバ２１５＿１と、パルスシード光ビーム２１６＿１を増幅して増幅パルス光ビーム２１６＿２を生成する第２の放電チャンバ２１５＿２とを含む。第１の放電チャンバ２１５＿１は電極２１３＿１ａ及び２１３＿１ｂとガス状利得媒質２１９＿１とを封入し、第２の放電チャンバ２１５＿２は電極２１３＿２ａ及び２１３＿２ｂとガス状利得媒質２１９＿２とを封入する。
【0051】
[0061] システム２００は切り替えネットワーク２５０＿１及び２５０＿２も含み、その各々が切り替えネットワーク１５０（図１Ａ）のインスタンスである。切り替えネットワーク２５０＿１及び２５０＿２は、それぞれの磁気コア２５１＿１及び２５１＿２を含む。第１の放電チャンバ２１５＿１は第１の監視モジュール２２０＿１によって監視され、第２の放電チャンバ２１５＿２は第２の監視モジュール２２０＿２によって監視される。監視モジュール２２０＿１及び２２０＿２は、それぞれの放電チャンバ２１５＿１及び２１５＿２の１つ以上の動作特性にアクセスし又はこれを監視し、動作特性についてのデータをコマンドモジュール２３０に提供する。例えば、監視モジュール２２０＿１はシード光ビーム２１６＿１の反復率を測定してもよく、監視モジュール２２０＿２は出力光ビーム２１６＿２の反復率を測定してもよい。別の一例では、監視モジュール２２０＿１は、利得媒質２１９＿１の圧力及び温度を測定する環境センサと通信するように構成され得る。同様に、監視モジュール２２０＿２は、利得媒質２１９＿２の圧力及び温度を測定する環境センサと通信するように構成され得る。コマンドモジュール２３０は、放電チャンバ２１５＿１及び２１５＿２の動作特性にそれぞれ基づいて、磁気コア２５１＿１及び２５１＿２のインピーダンスを制御する。
【0052】
[0062] 追加的又は代替的には、監視モジュール２２０＿１及び２２０＿２は、システム２００の他の態様に関係する１つ以上の動作特性を監視する又はこれにアクセスするように構成され得る。例えば、監視モジュール２２０＿１は、切り替えネットワーク２５０＿１内の温度センサと通信して磁気コア２５１＿１の温度を得るように構成され得る。監視モジュール２２０＿２は、切り替えネットワーク２５０＿２内の温度センサと通信して磁気コア２５１＿２の温度を得るように構成され得る。監視モジュール２２０＿１及び２２０＿２はデータをコマンドモジュール２３０に提供し、コマンドモジュールは、監視モジュール２２０＿１及び２２０＿２からのデータにそれぞれ基づいて、磁気コア２５１＿１及び２５１＿２のインピーダンスを制御する。
【0053】
[0063] シード光ビーム２１６＿１のパルスは放電チャンバ２１５＿２に進入する。電気パルス２５５＿２は電極２１３＿２ｂに提供され、電極２１３＿２ｂと電極２１３＿２ａとの間に電位差が形成される。電位差は、利得媒質２１９＿２内の原子、イオン、及び／又は分子を励起する。励起状態の原子、イオン、及び／又は分子は、シード光ビーム２１６＿１のパルスによって刺激されて、より多くの光を同じ放射モードに放出し、増幅光ビームを形成し得る。よって、放電チャンバ２１５＿２はシード光ビーム２１６＿１を増幅し、増幅光ビーム２１６＿２を放出する。
【0054】
[0064] しかしながら、利得媒質２１９＿２が励起されていないときにシード光ビーム２１６＿１のパルスが放電チャンバ２１５＿２を通過する場合には、パルスは増幅されない。コマンドモジュール２３０は、シード光ビーム２１６＿１が放電チャンバ２１５＿２を通過するときに利得媒質２１９＿２が励起されるように、放電チャンバ２１５＿２及び／又は切り替えネットワーク２５０＿１の動作特性に基づいて、切り替えネットワーク２５０＿２内の磁気コア２５１＿２を制御する。また、コマンドモジュール２３０は、切り替えネットワーク２５０＿１内の磁気コア２５１＿１も制御し得る。例えば、コマンドモジュール２３０は、コアを飽和させるのに必要な時間が一定且つ予測可能になるように、それぞれの切り替えネットワーク２５０＿１及び２５０＿２内の磁気コア２５１＿１及び２５１＿２を一定レベルにリセットさせ得る。
【0055】
[0065] 図３はコマンドモジュール３３０のブロック図である。コマンドモジュール３３０は、コマンドモジュール１３０（図１Ａ）又はコマンドモジュール２３０（図２）として使用され得る。コマンドモジュール３３０は、電子処理モジュール３３１と、電子記憶モジュール３３２と、入力／出力（Ｉ／Ｏ）インターフェイス３３３とを含む。
【0056】
[0066] 電子処理モジュール３３１は、汎用又は専用マイクロプロセッサのようなコンピュータプログラムの実行に適した１つ以上のプロセッサと、任意の種類のデジタルコンピュータの任意の１つ以上のプロセッサとを含む。一般に、電子プロセッサは、読み出し専用メモリ、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、又はその両方から命令及びデータを受信する。電子処理モジュール３３１は任意のタイプの電子プロセッサを含み得る。電子処理モジュール３３１の１つ又は複数の電子プロセッサは、命令を実行すると共に電子記憶装置３３２に記憶されたデータにアクセスする。１つ又は複数の電子プロセッサは、電子記憶装置３３２にデータを書き込むこともできる。
【0057】
[0067] 電子記憶装置３３２は、任意のタイプのコンピュータ可読媒体又は機械可読媒体である。例えば、電子記憶装置３３２は、ＲＡＭなどの揮発性メモリであってもよいし、又は不揮発性メモリであってもよい。いくつかの実施例においては、電子記憶装置３３２は、不揮発性及び揮発性の部分又はコンポーネントを含む。電子記憶装置３３２はコマンドモジュール３３０の動作において用いられるデータ及び情報を記憶し得る。電子記憶装置３３２は、コマンドモジュール３３０にバイアス電源１４０のコンポーネント及びサブシステム、切り替えネットワーク１５０、監視装置１２０、光学源１１０、及び／又は（図５及び図６に示すスキャナ装置５８０のような）スキャナ装置と相互作用させる（例えばコンピュータプログラムの形をとる）命令も記憶し得る。
【0058】
[0068] 電子記憶装置３３２は、バイアス制御モジュール３３６を実装する命令も記憶する。バイアス制御モジュール３３６は、監視モジュール１２０から動作特性についての情報を受信し、コマンド信号３５７のための情報をルックアップテーブル３３５から決定する。
【0059】
[0069] コマンド信号３５７は、電気ネットワーク１５６に入力を提供するようにバイアス電源１４０を制御する。電気ネットワーク１５６は、その入力から電気量１４９を発生させる。電気量１４９は、コア１５１（図１Ａ）の磁化を所望の動作点に変化させる。このようにして、電気量１４９は、コア１５１を含む磁気スイッチのインピーダンスを、動作特性に基づいて調整する。
【0060】
[0070] コマンド信号３５７は、バイアス電源１４０が電気ネットワーク１５６に提供する出力電圧及び／又は電流の特性を決定する情報を含む。例えば、バイアス電源１４０はＤＣ電圧及び／又はＤＣ電流を生成することができ、コマンド信号３５７はそのＤＣ電圧及び／又はＤＣ電流の大きさ及び／又は極性を制御し得る。いくつかの実施例においては、バイアス電源１４０は一定の電圧／及び電流を提供し、コマンド信号３５７はバイアス電源１４０と電気ネットワーク１５６との間の外部要素を制御する。例えば、コマンド信号３５７は、ポテンショメータ又は他の要素を制御し、それによって電気ネットワーク１５６への入力を制御し得る。
【0061】
[0071] コマンド信号３５７が電気ネットワーク１５６への入力をどのように制御するかにかかわらず、コマンド信号３５７内の情報は、１つ以上の動作特性に基づいて決定される。例えば、コマンド信号３５７内の情報は、ルックアップテーブル又はデータベース３３５から決定され得る。ルックアップテーブル又はデータベース３３５は、電気量１４９及び／又は電気ネットワーク１５６への入力についての情報を１つ以上の動作特性に関連付ける。電気量１４９についての情報は、例えば、電気量１４９の振幅、極性、及び／又は持続時間を含み得る。例えば、ルックアップテーブル３３５は、電気量１４９の大きさ及び極性の値並びに／又はそのような電気量１４９を生成するであろう電気ネットワーク１５６への入力を、光学源１１０、切り替えネットワーク１５０、及び／又は電力源１４２の動作条件に関連付け得る。光学源１１０の動作条件は、光学源の１つ以上の動作特性によって定義される。例えば、動作条件は、励起機構１１３に印加される電圧、光ビーム１１６の波長、利得媒質１１９の圧力、及び／又は光ビーム１１６の反復率によって定義され得る。
【0062】
[0072] 別の一例では、ルックアップテーブル３３５は、電気量１４９の１つ以上の特性及び／又は電気ネットワーク１５６への入力を、切り替えネットワーク１５０の動作条件に関連付け得る。切り替えネットワーク１５０の動作条件は、コア１５１の温度及び／又はキャパシタ１４３の指定された電圧によって定義され得る。
【0063】
[0073] 更に別の一例では、ルックアップテーブル３３５は、電気量１４９の１つ以上の特性及び／又は電気ネットワーク１５６への入力を、システム１００の動作条件に関連付け得る。システム１００の動作条件は、システム１００の少なくとも２つの異なるサブシステムの少なくとも１つの動作条件によって定義される。例えば、システム１００の動作条件は、利得媒質１１９の温度及びコア１５１の温度によって定義され得る。
【0064】
[0074] ルックアップテーブル又はデータベース３３５は、少なくとも２つの動作条件を含み、各々が電気量１４９及び／又は電気ネットワーク１５６に提供される入力についての情報の１つ以上の特性に関連付けられた数十、数百、数千、又はそれ以上の異なる動作条件を含んでいてもよい。電気量１４９の特性及び／又は特定の動作条件について電気ネットワーク１５６に提供される入力の値は、光学源１１０の製造中に収集されてもよく、光学源１１０が設置された後にオペレータ（例えばエンドユーザ又は保守要員）がルックアップテーブル３３５に値を入力してもよく、又は、ルックアップテーブル３３５はＩ／Ｏインターフェイス３３３を介して自動的に更新されてもよい。また、他の実施例が可能である。例えば、いくつかの実施例においては、ルックアップテーブル３３５に代えて又は加えて、電子記憶装置３３２が、電気量１４９と動作条件との間の数学的関係を実装する命令を記憶する。数学的関係は、光学源１１０が光のパルスを生成した後の磁気コアのインピーダンス又は磁化の量を観察する経験的データから決定され得る。
【0065】
[0075] ルックアップテーブル３３５が対象の動作条件を含まない場合、バイアス制御モジュール３３６は、対象の動作条件に最も類似する動作条件間を補間し得る。バイアス制御モジュール３３６は、バイアス電源１４０及び／又は電気ネットワークがバイアス電流（又は他の形態の電気量１４９）を発生させるのに十分な情報を有するコマンド信号３５７を発生させる。
【0066】
[0076] 監視モジュール１２０は、動作特性を監視することができる任意のタイプのデバイスである。例えば、監視モジュール１２０は、反復率又は励起機構１１３に印加される電圧などの動作特性を測定する光学及び／又は電子コンポーネントを含み得る。いくつかの実施例においては、監視モジュール１２０は、光学源１１０、切り替えネットワーク１５０、及び／又は電力源１４２からの動作特性の値にアクセスする。これらの実施例では、監視モジュール１２０は動作特性を直接測定しない。例えば、監視モジュール１２０は、直接測定を実施する他のセンサ（温度センサ又は圧力センサなど）から読み取り値を取得してもよく、及び／又は製造時に設定されてソース１１０の特定のサブシステム内のメモリに記憶された設定値を取得してもよい。
【0067】
[0077] 監視モジュール１２０は、光ビーム１１６の各パルスの後に、１つ以上の動作特性の値をコマンドモジュール３３０に提供し得る。更に他の実施例においては、監視モジュール１２０からの情報は使用されず、光学源１１０のオペレータは、Ｉ／Ｏインターフェイス３３３介してコマンドモジュール３３０に動作特性を直接入力する。
【0068】
[0078] 電子記憶装置３３２は、レーザコマンドモジュール３３７を構成する命令も記憶する。レーザコマンドモジュール３３７は、光学源１１０及び／又はパルス発生ネットワーク１５２の動作の様々な態様を制御する。レーザコマンドモジュール３３７は、例えば、スイッチ１４８及び１４５の状態を制御する。レーザコマンドモジュール３３７は、共振充電器内のキャパシタ１４３の両端の電圧が指定された電圧に達した後又は所定の時間量が経過した後、スイッチ１４８を閉じるようにトリガする。レーザコマンドモジュール３３７は、キャパシタ１５９の両端の電圧が指定された電圧に達した後、スイッチ１４５を閉じるようにトリガする。例えば、スイッチ１４８及び１４５がトランジスタである実施例においては、レーザコマンドモジュール３３７は、トランジスタのゲートに電圧を提供する電圧源を制御してもよく、その電圧は、トランジスタに状態を変化させ電流を伝導させるのに十分である。指定された電圧及び所定の時間は、電子記憶装置３３２に記憶される。
【0069】
[0079] レーザコマンドモジュール３３７は、光ビーム１１６の反復率など、光学源１１０の他の態様も制御し得る。レーザコマンドモジュール３３７は、やはり電子記憶装置３３２に記憶された及び／又はＩ／Ｏインターフェイス３３３を介して提供される予めプログラムされたレシピに基づいて、様々な態様を制御し得る。
【0070】
[0080] 電子記憶装置３３２は、光学源１１０及び／又はパルス発生ネットワーク１５２の動作において使用される他の様々なパラメータ及び値も記憶し得る。
【0071】
[0081] Ｉ／Ｏインターフェイス３３３は、コマンドモジュール３３０がオペレータ、他のデバイス（監視モジュール１２０など）、及び／又は別の電子デバイス上で動作する自動化されたプロセスとデータ及び信号を交換することを可能にする、任意の種類のインターフェイスである。例えば、電子記憶装置３３２に記憶されたルール又は命令が編集され得る実施例においては、その編集はＩ／Ｏインターフェイス３３３を通じて行われ得る。Ｉ／Ｏインターフェイス３３３は、視覚表示装置、キーボード、並びにパラレルポート、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）接続、及び／又は例えばイーサネットのような任意のタイプのネットワークインターフェイスなどの通信インターフェイスのうち、１つ以上を含み得る。Ｉ／Ｏインターフェイス３３３は、例えばＩＥＥＥ８０２．１１、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、又は近距離通信（ＮＦＣ）接続を通じて、物理的接触のない通信も可能にし得る。
【0072】
[0082] 図４は、切り替えネットワーク４５０の概略図である。切り替えネットワーク４５０は、図２及び図６に示される光学システムのような２ステージ光学システムと共に使用される切り替えネットワークの一例である。切り替えネットワーク４５０は、電力源１４２及びコマンドモジュール３３０と共に使用される。切り替えネットワーク４５０は第１の整流子４７０＿１及び第１の圧縮ヘッド４７２＿１を含み、これらは、第１組の分離された電極４１３＿１の間に電位差を作り出す電気パルスを生成する。電極４１３＿１は、第１のガス状利得媒質も含む第１の放電チャンバ内に封入される。切り替えネットワーク４５０は第２の整流子４７０＿２及び第２の圧縮ヘッド４７２＿２も含み、これらは、第２組の分離された電極４１３＿２の間に電位差を作り出す電気パルスを生成する。分離された電極４１３＿２は、ガス状利得媒質も封入する第２の放電チャンバ内に封入される。
【0073】
[0083] 共振充電回路１３５は、キャパシタ４５９＿１とスイッチ４４５＿１のエミッタとに電気的に接続されている。この例では、スイッチ４４５＿１は、絶縁バイポーラゲートトランジスタ（ＩＧＢＴ）である。スイッチ４４５＿１のゲートは電圧源（図示しない）に結合されている。高電圧電源１４２がオンにトリガされ、電流がキャパシタ４５９＿１に流れる。キャパシタ４５９＿１の両端の電圧が指定された電圧を満たすと、スイッチ４４５＿１はオン状態に変化するようにトリガされ、電流がスイッチ４４５＿１及びインダクタ４５８＿１を通って流れてキャパシタ４５４＿１に蓄積する。電流ｉ１の一部は磁気スイッチ４５３ａ＿１にも漏れ、コア４５１ａ＿１の磁化は順方向飽和点に達するまで増加する。キャパシタ４５４＿１の電気エネルギは磁気スイッチ４５３ａ＿１を通って流れ、ステップアップ電圧変換器（step-up voltage transformer）４７３＿１によってより高い電圧に変換され、キャパシタ４７４＿１に蓄積する。磁気コア４５１ｂ＿１が順方向飽和領域１６２に進入する。キャパシタ４７４＿１に蓄えられた電気エネルギは磁気スイッチ４５３ｂ＿１を通って流れ、ピーキングキャパシタ４４６＿１に蓄積して、第１の対の電極４１３＿１の間に電位差を作り出す。反射電流４４７＿１が作り出され、磁気スイッチ４５３ｂ＿１及び４５３ａ＿１に戻る。第２の整流子４７０＿２及び第２の圧縮ヘッド４７２＿２は、同様に動作する。
【0074】
[0084] 切り替えネットワーク４５０はまた、それぞれのバイアス電源４４２ａ＿１，４４２ａ＿２，４４２ｂ＿１，及び４４２ｂ＿２に電気的に接続された電気ネットワーク４５６ａ＿１，４５６ａ＿２，４５６ｂ＿１，及び４５６ｂ＿２も含む。電気ネットワーク４５６ａ＿１，４５６ａ＿２，４５６ｂ＿１，及び４５６ｂ＿２の各々は、互いに電気的に直列接続されると共にバイアス電源４４２ａ＿１，４４２ａ＿２，４４２ｂ＿１，及び４４２ｂ＿２のそれぞれ１つに電気的に接続された抵抗器及びインダクタを含む。電気ネットワーク４５６ａ＿１，４５６ａ＿２，４５６ｂ＿１，及び４５６ｂ＿２の各々は、電気ネットワークを磁気スイッチ４５３ａ＿１，４５３ａ＿２，４５２ｂ＿１，及び４３５ｂ＿２に磁気的に結合するコイルも含む。
【0075】
[0085] バイアス電源４４２ａ＿１，４４２ａ＿２，４４２ｂ＿１，及び４４２ｂ＿２はコマンドモジュール３３０に結合されている。コマンドモジュール３３０は、電気ネットワーク４５６ａ＿１，４５６ａ＿２，４５６ｂ＿１，及び４５６ｂ＿２へのそれぞれの入力を生成するようにバイアス電源４４２ａ＿１，４４２ａ＿２，４４２ｂ＿１，及び４４２ｂ＿２を制御し、それによってそれぞれの電気量４４９ａ＿１，４４９ａ＿２，４４９ｂ＿１，及び４４９ｂ＿２が生成される。電気量４４９ａ＿１，４４９ａ＿２，４４９ｂ＿１，及び４４９ｂ＿２の各々は、それぞれの磁気スイッチ４５３ａ＿１，４５３ａ＿２，４５３ｂ＿１，及び４５３ｂ＿２の磁気コアの磁化が既知の値にリセットされることをもたらす振幅及び極性を有するバイアス電流である。コマンドモジュール３３０は、それぞれのバイアス電流がそれぞれのコア４５１ａ＿１，４５１ａ＿２，４５１ｂ＿１，及び４５１ｂ＿２を所望の磁化に至らせる振幅及び偏波を有するように、バイアス電源４４２ａ＿１，４４２ａ＿２，４４２ｂ＿１，及び４４２ｂ＿２を制御する。具体的には、コマンドモジュール３３０は、第１組の電極４１３＿１を含む光学源の１つ以上の動作特性、第１の整流子４７０＿１の動作特性、及び／又は第１の圧縮ヘッド４７２＿１の動作特性に基づいて、バイアス電源４４２ａ＿１及び４４２ｂ＿１を制御する。コマンドモジュール３３０は、第２組の電極４１３＿２を含む光学源の１つ以上の動作特性、第２の整流子４７０＿２の動作特性、及び／又は第２の圧縮ヘッド４７２＿２の動作特性に基づいて、バイアス電源４４２ａ＿２及び４４２ｂ＿２を制御する。
【0076】
【0077】
[0087] 図５Ａは、深紫外（ＤＵＶ）光学システム５００の一例である。システム５００は、露光ビーム（又は出力光ビーム）５１６をスキャナ装置５８０に提供する光発生モジュール５１０を含む。図５Ａの例では、光発生モジュール５１０は切り替えネットワーク１５０と共に使用される。制御システム５０５も、光発生モジュール５１０と、光発生モジュール５１０に関連付けられた様々なコンポーネントとに結合されている。
【0078】
[0088] 光発生モジュール５１０は、光発振器５１２を含む。光発振器５１２は出力光ビーム５１６を発生させる。光発振器５１２は、励起機構（カソード５１３－ａ及びアノード５１３－ｂ）を封入する放電チャンバ５１５を含む。放電チャンバ５１５はガス状利得媒質５１９（図５Ａにおいて薄いドットのシェーディングで示される）も含有する。カソード５１３－ａとアノード５１３－ｂとの間の電位差がガス状利得媒質５１９中に電界を形成する。電位差は、切り替えネットワーク１５０が電極５１３－ａと５１３－ｂとの間に電位差を発生させるように高電圧電源１４０を制御することによって発生する。電位差は電界を形成し、電界は利得媒質５１９に、反転分布を引き起こすのに及び誘導放出を介して光のパルスの発生を可能にするのに十分なエネルギを提供する。
【0079】
[0089] そのような電位差を繰り返し作り出すことによって、光ビーム５１６として放出されるパルスの列が形成される。パルス光ビーム５１６の反復率は、電圧が電極５１３－ａ及び５１３－ｂに印加される率によって決定される。パルスの反復率は、例えば、約５００から６，０００ヘルツ（Ｈｚ）に及び得る。いくつかの実施例においては、反復率は６，０００Ｈｚより大きくてもよく、例えば１２，０００Ｈｚ以上であってもよい。光発振器５１２から放出される各パルスは、例えば、およそ１ミリジュール（ｍＪ）のパルスエネルギを有し得る。
【0080】
[0090] また、光ビーム５１６は、光のない間隔によって分離された光のパルスのバーストを含み得る。バーストは、数百又は数千の光のパルスを含み得る。バースト内で、光のパルスは、電極５１３－ａと５１３－ｂとの間に電位差が形成される率によって決定される反復率を有する。バースト間の時間は、用途によって決定され、例えば、バースト内の２つの連続するパルス間の時間よりも数百倍又は数千倍長いであろう。
【0081】
[0091] 制御システム５０５は、監視モジュール１２０からの情報を受信し又はこれにアクセスし、コマンドモジュール１３０を制御する。コマンドモジュール１３０は、電気量１４９（例えばバイアス電流）が用途に適した任意の手法で磁気コア１５１（図１Ａ）をリセットするように、バイアス電源１４２を制御する。例えば、各光パルスが生成される前、一部であるが全部ではない光パルスが生成される前、各パルスバーストが生成される前、一部であるが全部ではない光バーストが生成される前に、所定の時間量の経過に基づいて、又はＤＵＶ光学システム５００のオペレータからの入力に基づいて、電気量１４９が決定され得ると共に磁気コア１５１がリセットされる。いくつかの実施例においては、ウェーハ毎に電気量１４９が決定され磁気コア１５１がリセットされる。つまり、磁気コア１５１は、スキャナ装置５８０において露光されるウェーハ５８２を露光する前に、リセットされる。これらの実施例においては、制御システム５０５は、スキャナ装置５８０に結合されてもよく、露光のために新しいウェーハがロードされる度にトリガを受信し得る。
【0082】
[0092] ガス状利得媒質５１９は、用途に必要な波長、エネルギ、及び帯域幅の光ビームを生成するのに適当な任意のガスであり得る。ガス状利得媒質５１９は１つよりも多くの種類のガスを含んでいてもよく、様々なガスがガス成分として参照される。エキシマ光源の場合には、ガス状利得媒質５１９は、例えばアルゴン又はクリプトンのような貴ガス（希ガス）、あるいは例えばフッ素又は塩素のようなハロゲンを含有し得る。ハロゲンが利得媒質である実施例においては、利得媒質は、ヘリウムなどのバッファガスの他に、微量のキセノンも含む。
【0083】
[0093] ガス状利得媒質５１９は深紫外（ＤＵＶ）域の光を放出する利得媒質であり得る。ＤＵＶ光は、例えば、約１００ナノメートル（ｎｍ）から約４００ｎｍまでの波長を含み得る。ガス状利得媒質５１９の具体例は、約１９３ｎｍの波長の光を放出するフッ化アルゴン（ＡｒＦ）、約２４８ｎｍの波長の光を放出するフッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は約３５１ｎｍの波長の光を放出する塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を含む。
【0084】
[0094] 放電チャンバ５１５の一方の側の分光調整装置５９５と放電チャンバ５１５の第２の側の出力カプラ５９６との間には共振器が形成される。分光調整装置５９５は、例えば格子及び／又はプリズムなど、放電チャンバ５１５の分光出力を微調整する回折光学素子を含み得る。回折光学素子は反射型又は屈折型であり得る。いくつかの実施例においては、分光調整装置５９５は複数の回折光学要素を含む。例えば、分光調整装置５９５は４つのプリズムを含んでいてもよく、そのうちのいくつかは光ビーム５１６の中心波長を制御するように構成され、そのうちの他のものは光ビーム５１６の分光帯域幅を制御するように構成されている。
【0085】
[0095] 光ビーム５１６の分光特性は他の手法で調整されてもよい。例えば、光ビーム５１６の分光帯域幅及び中心波長などの分光特性は、チャンバ５１５のガス状利得媒質の圧力及び／又はガス濃度を制御することによって調整され得る。光発生モジュール５１０がエキシマ光源である実施例については、光ビーム５１６の分光特性（例えば分光帯域幅又は中心波長）は、例えば、チャンバ５１５内のフッ素、塩素、アルゴン、クリプトン、キセノン、及び／又はヘリウムの圧力及び／又は濃度を制御することによって調整され得る。
【0086】
[0096] ガス状利得媒質５１９の圧力及び／又は濃度はガス供給システム５９０によって制御可能である。ガス供給システム５９０は、流体導管５８９を介して放電チャンバ５１５の内部に流体結合される。流体導管５８９は、ガス又は他の流体を、その流体の損失無しに又は最小の損失で輸送することができる、任意の導管である。例えば、流体導管５８９は、流体導管５８９で輸送される１つ又は複数の流体と反応しない材料で作製又はコーティングされたパイプであり得る。ガス供給システム５９０は、利得媒質５１９において用いられる１つ又は複数のガスを含有する及び／又はその供給を受けるように構成されたチャンバ５９１を含む。ガス供給システム５９０は、ガス供給システム５９０が放電チャンバ５１５からガスを除去すること又は同チャンバ内にガスを噴射することを可能にするデバイス（ポンプ、バルブ、及び／又は流体スイッチなど）も含む。ガス供給システム５９０は制御システム５０５に結合されている。
【0087】
[0097] 光発振器５１２は分光分析装置５９８も含む。分光分析装置５９８は、光ビーム５１６の波長を測定又は監視するために用いられ得る測定システムである。図５Ａに示される例においては、分光分析装置５９８は出力カプラ５９６から光を受ける。
【0088】
[0098] 光発生モジュール５１０は他の構成要素及びシステムを含んでいてもよい。例えば、光発生モジュール５１０はビーム準備システム５９９を含み得る。ビーム準備システム５９９はパルスストレッチャを含んでいてもよく、これは時間的にパルスストレッチャと相互作用する各パルスを拡張する。ビーム準備システムは、例えば反射及び／又は屈折光学要素（例えばレンズ及びミラーなど）、及び／又はフィルタなど、光に対して作用することのできる他の構成要素も含み得る。図示される例においては、ビーム準備システム５９９は露光ビーム５１６の経路に位置している。しかしながら、ビーム準備システム５９９はシステム５００内の他の場所に設置されてもよい。
【0089】
[0099] システム５００はスキャナ装置５８０も含む。スキャナ装置５８０はウェーハ５８２を整形された露光ビーム５１６Ａで露光する。整形された露光ビーム５１６Ａは、露光ビーム５１６に投影光学システム５８１を通過させることによって形成される。スキャナ装置５８０は液浸システム又は乾式システムであり得る。スキャナ装置５８０は、ウェーハ５８２に到達する前に露光ビーム５１６が通過する投影光学システム５８１と、センサシステム又はメトロロジシステム５７０とを含む。ウェーハ５８２はウェーハホルダ５８３上に保持又は受容される。スキャナ装置５８０は、例えば、（空調デバイス及び／又は加熱デバイスなどの）温度制御デバイス、及び／又は様々な電気部品のための電源も含み得る。
【0090】
[0100] メトロロジシステム５７０はセンサ５７１を含む。センサ５７１は、例えば帯域幅、エネルギ、パルス長、及び／又は波長など、整形された露光ビーム５１６Ａの特性を測定するように構成され得る。センサ５７１は、例えば、ウェーハ５８２における整形された露光ビーム５１６Ａの像を捕捉することのできるカメラ又は他のデバイス、あるいは、ウェーハ５８２におけるｘ－ｙ平面内の光エネルギの量を記述するデータを捕捉することのできるエネルギ検出器であり得る。
【0091】
[0101] 図５Ｂも参照すると、投影光学システム５８１は、スリット５８４と、マスク５８５と、レンズシステム５８６を含む投影対物システムとを含む。レンズシステム５８６は１つ以上の光学要素を含む。露光ビーム５１６はスキャナ装置５８０に進入してスリット５８４に衝突し、出力光ビーム５１６の少なくともいくらかがスリット５８４を通過して整形された露光ビーム５１６Ａを形成する。図５Ａ及び図５Ｂの例においては、スリット５８４は矩形であり、露光ビーム５１６を細長の矩形形状の光ビームに整形し、これが整形された露光ビーム５１６Ａとなる。マスク５８５は、整形された光ビームのどの部分がマスク５８５によって透過されどの部分がマスク５８５によって遮断されるのかを決定するパターンを含む。ウェーハ５８２上には、ウェーハ５８２上の放射感応性フォトレジスト材料の層を露光ビーム５１６Ａで露光することによって、マイクロ電子フィーチャが形成される。マスク上のパターンの設計は、所望される具体的なマイクロ電子回路フィーチャによって決定される。
【0092】
[0102] 図５Ａに示される構成は、ＤＵＶシステム用の構成の一例である。他の実施例が可能である。例えば、光発生モジュール５１０は、Ｎ個の光発振器５１２を含み得る。ただし、Ｎは１よりも大きい整数である。これらの実施例では、各光発振器５１２は、露光ビーム５１６を形成するビームコンバイナに向けてそれぞれの光ビームを放出するように構成されている。
【0093】
[0103] 図６は、ＤＵＶシステムの別の一構成例を示す。図６は、スキャナ装置５８０に提供されるパルス光ビーム６１６を生成する光発生モジュール６１０を含むフォトリソグラフィシステム６００のブロック図である。制御システム５０５は、システム６００の様々な動作を制御するために、光発生モジュール６１０の様々なコンポーネント及びスキャナ装置５８０に結合されている。光発生モジュール６１０は切り替えネットワーク４５０と共に使用される。
【0094】
[0104] 光発生モジュール６１０は、シード光ビーム６１８をパワー増幅器（ＰＡ）６１２＿２に提供する主発振器（ＭＯ）６１２＿１を含む２ステージレーザシステムである。ＰＡ６１２＿２は、ＭＯ６１２＿１からシード光ビーム６１８を受けてそのシード光ビーム６１８を増幅し、スキャナ装置５８０で使用される光ビーム６１６を発生させる。例えば、いくつかの実施例においては、ＭＯ６１２＿１は、毎パルスおよそ１ミリジュール（ｍＪ）のシードパルスエネルギを有するパルスシード光ビームを放出し得、これらのシードパルスはＰＡ６１２＿２によって約６から１５ｍＪに増幅され得るが、他の例においては他のエネルギが使用されてもよい。
【0095】
[0105] ＭＯ６１２＿１は、２つの細長い電極６１３ａ＿１及び６１３ｂ＿１と、ガス混合物である利得媒質６１９＿１（図６において薄いドットのシェーディングで示される）と、ガス混合物を電極６１３ａ＿１，６１３ｂ＿１間で循環させるための送風機（図示しない）とを有する放電チャンバ６１５＿１を含む。放電チャンバ６１５＿１の一方の側のライン狭隘化モジュール６９５と放電チャンバ６１５＿１の第２の側の出力カプラ６９６との間には共振器が形成される。
【0096】
[0106] 放電チャンバ６１５＿１は、第１のチャンバ窓６６３＿１及び第２のチャンバ窓６６４＿１を含む。第１及び第２のチャンバ窓６６３＿１及び６６４＿１は、放電チャンバ６１５＿１の対向する側部にある。第１及び第２のチャンバ窓６６３＿１及び６６４＿１は、ＤＵＶ範囲の光を透過させると共に、ＤＵＶ光が放電チャンバ６１５＿１に出入りすることを可能にする。
【0097】
[0107] ライン狭隘化モジュール６９５は、放電チャンバ６１５＿１のスペクトル出力を微調整する格子などの回折光学素子を含み得る。光発生モジュール６１０は、出力カプラ６９６及びビーム結合光学システム６６９から出力光ビームを受ける線中心分析モジュール６６８も含む。線中心分析モジュール６６８は、シード光ビーム６１８の波長を測定又は監視するために用いられ得る測定システムである。線中心分析モジュール６６８は、光発生モジュール６１０内の他の場所に設置されてもよいし、又は光発生モジュール６１０の出力に設置されてもよい。
【0098】
[0108] 利得媒質６１９＿１であるガス混合物は、用途に必要とされる波長及び帯域幅の光ビームを生成するのに適当な任意のガスであり得る。エキシマ光源の場合には、ガス混合物は、例えばアルゴン又はクリプトンのような貴ガス（希ガス）、例えばフッ素又は塩素のようなハロゲン、及びヘリウムのようなバッファガスを除く少量のキセノンを含有していてもよい。ガス混合物の具体例は、約１９３ｎｍの波長の光を放出するフッ化アルゴン（ＡｒＦ）、約２４８ｎｍの波長の光を放出するフッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は約３５１ｎｍの波長の光を放出する塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を含む。よって、光ビーム６１６及び６１８は、この実施例ではＤＵＶ範囲内の波長を含む。エキシマ利得媒質（ガス混合物）は、細長い電極６１３ａ＿１，６１３ｂ＿１への電圧の印加によって、高電圧放電における短い（例えばナノ秒）電流パルスでポンピングされる。
【0099】
[0109] ＰＡ６１２＿２は、ＭＯ６１２＿１からシード光ビーム６１８を受けそのシード光ビーム６１８を放電チャンバ６１５＿２を通じてビーム折り返し光学素子６９２へと誘導するビーム結合光学システム６６９を含み、ビーム折り返し光学素子は、シード光ビーム６１８の方向を、放電チャンバ６１５＿２内へと送り返されるように修正又は変更する。ビーム折り返し光学素子６９２及びビーム結合光学システム６６９は循環閉ループ光経路を形成し、その経路内ではリング増幅器への入力がビーム結合光学システム６６９でリング増幅器の出力と交差する。
【0100】
[0110] 放電チャンバ６１５＿２は、１対の細長い電極６１３ａ＿２及び６１３ｂ＿２と、利得媒質６１９＿２（図６において薄いドットのシェーディングで示される）と、利得媒質６１９＿２を電極６１３ａ＿２，６１３ｂ＿２間で循環させるための送風機（図示しない）とを含む。利得媒質６１９＿２を形成するガス混合物は、利得媒質６１９＿１を形成するガス混合物と同一であってもよい。
【0101】
[0111] 放電チャンバ６１５＿２は、第１のチャンバ窓６６３＿２及び第２のチャンバ窓６６４＿２を含む。第１及び第２のチャンバ窓６６３＿２及び６６４＿２は、放電チャンバ６１５＿２の対向する側部にある。第１及び第２のチャンバ窓６６３＿２及び６６４＿２は、ＤＵＶ範囲の光を透過させると共に、ＤＵＶ光が放電チャンバ６１５＿２に出入りすることを可能にする。
【0102】
[0112] 利得媒質６１９＿１又は６１９＿２が、電極６１３ａ＿１，６１３ｂ＿１又は６１３ａ＿２，６１３ｂ＿２間にそれぞれ電位差を作り出すことによってポンピングされるとき、利得媒質６１９＿１及び／又は６１９＿２は光を放出する。パルスの反復率は、様々な用途に関して約５００Ｈｚから６，０００Ｈｚに及ぶであろう。いくつかの実施例においては、反復率は６，０００Ｈｚより大きくてもよく、例えば１２，０００Ｈｚ以上であり得るが、他の実施例においては他の反復率が使用されてもよい。
【0103】
[0113] 電極６１３ａ＿１と６１３ｂ＿１との間の電位差は、図４に関して述べた整流子４７０＿１及び圧縮ヘッド４７２＿１を使用して作り出される。電極６１３ａ＿２と６１３ｂ＿２との間の電位差は、図４に関して述べた整流子４７０＿２及び圧縮ヘッド４７２＿２を使用して作り出される。磁気コア４５１ａ＿１，４５１ａ＿２，４５１ｂ＿１，及び４５１ｂ＿２の各々の磁化は、上述のように、それぞれのバイアス電流４４９ａ＿１，４４９ａ＿２，４４９ｂ＿１，及び４４９ｂ＿２を使用して制御される。磁気コア４５１ａ＿１，４５１ａ＿２，４５１ｂ＿１，及び４５１ｂ＿２の磁化を制御することは、ＭＯ６１２＿１及びＰＡ６１２＿２の動作が効率的且つ適切に同期され協調することを保証するのに役立つ。例えば、ＭＯチャンバ６１２＿１及びＰＡチャンバ６１２＿２のそれぞれの動作条件に基づくバイアス電流でコア４５１ａ＿１，４５１ａ＿２及びコア４５１ｂ＿１，４５１ｂ＿２の磁化を制御することは、シード光ビーム６１８が放電チャンバ６１５＿２に進入するときに利得媒質６１９＿２内に反転分布が存在することを保証するのに役立つ。
【0104】
[0114] 出力光ビーム６１６は、スキャナ装置５８０に到達する前に、ビーム準備システム６９９を通って誘導され得る。ビーム準備システム６９９は、ビーム６１６の様々なパラメータ（帯域幅又は波長など）を測定する帯域幅分析モジュールを含み得る。ビーム準備システム６９９は、出力光ビーム６１６の各パルスを時間的に拡張するパルスストレッチャも含み得る。ビーム準備システム６９９は、例えば反射及び／又は屈折光学要素（例えばレンズ及びミラーなど）、フィルタ、並びに光学的開口（自動シャッタを含む）など、ビーム６１６に対して作用することのできる他の構成要素も含み得る。
【0105】
[0115] ＤＵＶ光発生モジュール６１０は、ＤＵＶ光発生モジュール６１０の内部６７８と流体連通するガス管理システム６９０も含む。
【0106】
[0116] 図７から図１０は、図６の光発生モジュール６１０と同様の２ステージレーザシステムで収集された実験データの例である。図７から図１０にプロットされたデータは、磁気スイッチが順方向飽和に達して電気パルスを生成するための遅延時間である。電気パルスの生成は光パルスの生成に対応する。
【0107】
[0117] 図７から図１０のプロットは、遅延時間を電極電圧（縦軸）及び反復率（横軸）の関数として示す。シェーディングは、観察された遅延時間の量を示す。図７から図１０の各々は、以下のように遅延時間の９つのプロットを含む。３つのプロットからなる最上行はパルスのバースト内の第１のパルスに関するものであり、３つのプロットからなる中間行はパルスのバースト内の第２のパルスに関するものであり、下の３つのプロットはパルスのバースト内の第３のパルスに関するものである。各行において、最も左側のプロットはＭＯチャンバ（図６の放電チャンバ６１５＿１）に関するものであり、中央のプロットはＰＡチャンバ（図６の放電チャンバ６１５＿２）に関するものであり、最も右側のプロットはＭＯ遅延時間とＰＡ遅延時間との間の差である。図７は、２３０キロパスカル（ｋＰａ）の圧力の利得媒質と磁気スイッチの磁気コアに提供される標準バイアス電流とで動作するＭＯ及びＰＡチャンバから得られた。標準バイアス電流とは、予め設定された一定のバイアス電流である。標準バイアス電流は、光源の動作中に変化し得る電気量（上述した量１４９など）とは対照的である。図８は、２３０ｋＰａの圧力の利得媒質と予め設定されたオーバーバイアスとで動作するＭＯ及びＰＡチャンバから得られた。一定のオーバーバイアスは、標準バイアス電流よりも大きいバイアス電流であった。よって、図７及び図８のデータを比較することによって、動作中にバイアス電流を変化させることの効果が見られる。
【0108】
[0118] 図７及び図８のデータに基づくと、遅延差は概してバースト内の第１のパルスについてより顕著であり、遅延差はバイアス電流の量によって影響を受けることが明らかである。よって、上述した制御可能な電気量１４９は、バースト過渡現象の影響を低減するために使用され得る。
【0109】
[0119] 図９のデータは、３２０ｋＰａ及び標準バイアス電流のＭＯ及びＰＡチャンバで得られた。図１０のデータは、３２０ｋＰａ及び予め設定されたオーバーバイアスのＭＯ及びＰＡチャンバで得られた。図９及び図１０のデータを比較すると、遅延差はバースト内の第１のパルスについて最大になる傾向があり、バイアス電流の差は異なる遅延時間をもたらす。また、図９を図７と比較すること及び図１０を図８と比較することも、圧力が遅延時間に影響を与えることを示す。
【0110】
[0120] したがって、上述のように光学源の動作特性に基づくと共に磁気スイッチのインピーダンスを制御するために使用される、制御可能且つ調整可能な電気量１４９（例えば）は、バースト過渡現象の影響を低減すること及び異なるステージの利得媒質の励起の同期を向上させることによって、２ステージレーザシステムの性能を向上させる。
【0111】
[0121] 以下の条項を使用して、様々な実施形態が更に説明され得る。
１．パルスシード光ビームを生成するように構成された第１の光学サブシステムであって、
第１のガス状利得媒質を保持するように構成された第１のチャンバと、
第１のチャンバ内の第１の励起機構と、
を備える第１の光学サブシステムと、
パルスシード光ビームに基づいてパルス出力光ビームを生成するように構成された第２の光学サブシステムであって、
第２のガス状利得媒質を保持するように構成された第２のチャンバと、
第２のチャンバ内の第２の励起機構と、
を備える第２の光学サブシステムと、
第１の励起機構を作動させるように構成された第１の磁気切り替えネットワークであって、第１の励起機構を作動させることは第１の光学サブシステムにパルスシード光ビームのパルスを生成させる、第１の磁気切り替えネットワークと、
第２の励起機構を作動させるように構成された第２の磁気切り替えネットワークであって、第２の励起機構を作動させることは第２の光学サブシステムにパルス出力光ビームのパルスを生成させる、第２の磁気切り替えネットワークと、
コントローラであって、
第１の光学サブシステム及び第１の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を備える第１の指標に基づいて、第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように、及び
第２の光学サブシステム及び第２の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を備える第２の指標に基づいて、第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されたコントローラと、
を備えるシステム。
２．コントローラは、第１の励起機構を作動させる前に、第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されており、
コントローラは、第２の励起機構を作動させる前に、第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の飽和した磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されている、
条項１のシステム。
３．第１の磁気切り替えネットワークは、
第１の可飽和リアクトル及び第１の磁気コアを備える第１の整流子モジュールと、
第２の可飽和リアクトル及び第２の磁気コアを備える第１の圧縮モジュールと、
を備えており、
第２の磁気切り替えネットワークは、
第３の可飽和リアクトル及び第３の磁気コアを備える第２の整流子モジュールと、
第４の可飽和リアクトル及び第４の磁気コアを備える第２の圧縮モジュールと、
を備えており、
コントローラは、
１つ以上の動作特性の第１の指標に基づいて第１の磁気コア及び第２の磁気コアのインピーダンスを調整するように、並びに
１つ以上の動作特性の第２の指標に基づいて第３の磁気コア及び第４の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されている、
条項１のシステム。
４．コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されており、１つ以上のコイルの各々は第１の磁気切り替えネットワークの１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、電流の１つ以上の特性は第１の指標に基づいており、
コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されており、１つ以上のコイルの各々は第２の磁気切り替えネットワークの１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、電流の１つ以上の特性は第２の指標に基づいている、
条項１のシステム。
５．電流の１つ以上の特性は電流の振幅を備える、条項４のシステム。
６．第１の光学チャンバは加圧された利得媒質を備え、第１の励起機構は２つの電極を備え、第１の光学チャンバの動作特性は、第１の光学チャンバ内の電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、第１の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、第１の光学チャンバ内の利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備え、第１の磁気切り替えネットワークの動作特性は、第１の磁気切り替えネットワーク内の磁気コアのうち１つ以上の温度を備え、
第２の光学チャンバは加圧された利得媒質を備え、第２の励起機構は２つの電極を備え、第２の光学チャンバの動作特性は、第２の光学チャンバ内の電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、第２の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、第２の光学チャンバ内の利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備え、第２の磁気切り替えネットワークの動作特性は、第１の磁気切り替えネットワークの磁気コアのうち１つ以上の温度を備える、
条項１のシステム。
７．第１の光学サブシステムは主発振器を備え、第２の光学サブシステムはパワー増幅器を備える、条項１のシステム。
８．パルスシード光ビーム及びパルス出力光ビームはいずれも、深紫外（ＤＵＶ）域内の１つ以上の波長を備える、条項１のシステム。
９．第１のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を備え、第２のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を備える、条項８のシステム。
１０．第１の光学源の１つ以上の動作特性を測定するように及び第１の光学システムの１つ以上の動作特性の指標をコントローラに提供するように構成された第１の監視モジュールと、
第２の光学源の１つ以上の動作特性を測定するように及び第２の光学システムの１つ以上の動作特性の指標をコントローラに提供するように構成された第２の監視モジュールと、
を更に備える、条項１のシステム。
１１．光学源及び磁気切り替えネットワークを備える光学システムの１つ以上の動作特性にアクセスするように構成された監視モジュールと、
コマンドモジュールであって、
磁気切り替えネットワークに磁気的に結合された電気ネットワークに電気量を提供するべく電源を制御するように構成されており、
磁気切り替えネットワークは、励起パルスを光学源に提供するように構成されており、
電気量は磁気切り替えネットワークの磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置き、
電気量の１つ以上の特性は、光学システムの１つ以上の動作特性に基づいている、コマンドモジュールと、
を備える制御システム。
１２．光学システムの１つ以上の動作特性は、光学源に提供される励起電圧の大きさと、光学源によって生成されるパルス光ビームの反復率と、磁気コアの温度と、光学源内のガス状利得媒質の圧力とのうちいずれかを備え、
電気量の１つ以上の特性は、振幅及び持続時間を備える、
条項１１の制御システム。
１３．電気量は電圧又は電流を備える、条項１１の制御システム。
１４．電気量は直流（ＤＣ）電流を備え、ＤＣ電流の振幅は光学システムの１つ以上の動作特性に基づく、条項１３の制御システム。
１５．コマンドモジュールは更に、光学システムの１つ以上の動作特性に基づいてコマンド信号を決定するように、及びコマンド信号に基づいて電源を制御するように構成されている、条項１３の制御システム。
１６．電気量の１つ以上の特性は振幅及び持続時間を備え、振幅は動作特性のうち１つ以上に依存する値を有し、持続時間は動作特性のうち１つ以上に依存する値を有する、条項１５の制御システム。
１７．コントローラは、複数のパルスの各々が生成された後に磁気スイッチの磁気コアが非飽和状態又は逆飽和状態に置かれるように、光学システムによって生成されるパルス光ビーム内の複数のパルスの各パルスの後に電源を制御する、条項１１の制御システム。
１８．複数のパルスは、パルスのバースト内の連続パルスである、条項１７の制御システム。
１９．複数のパルスは、パルスの第１のバースト内の第１のパルス及びパルスの第２のバースト内の第２のパルスを備える、条項１７の制御システム。
２０．電気量の１つの特性は、複数のパルスのうちの第１のパルスの後に磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置く第１の値と、複数のパルスのうちの第２のパルスの後に磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置く第２の値とを有し、第１の値は第２の値とは異なる、条項１７の制御システム。
２１．レーザシステムを備える光学システムの１つ以上の動作特性に基づいて電気量の１つ以上の特性を決定することと、
磁気切り替えネットワークの磁気コアのインピーダンスを、磁気コアに磁気的に結合されたコイルに電気量を提供することによって調整することと、
磁気コアのインピーダンスを調整した後、光のパルスを生成することと、
を備える方法であって、
光のパルスを生成することは、電気パルスがレーザシステムの励起機構に提供されるように磁気コアを飽和させることを備える、方法。
２２．電気量は電流を備え、電気量の１つ以上の特性は大きさ又は持続時間を備える、条項２１の方法。
２３．１つ以上の動作特性は、レーザシステムに提供される励起電圧の大きさと、レーザシステムによって生成されるパルス光ビームの反復率と、磁気コアの温度と、レーザシステムのガス状利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備える、条項２１の方法。
２４．磁気コアのインピーダンスを調整することは、磁気コアのインピーダンスを所定のレベルに調整することを備える、条項２１の方法。
２５．磁気コアのインピーダンスを調整することは、磁気コアを逆飽和状態に置くことを備える、条項２１の方法。
１．パルスシード光ビームを生成するように構成された第１の光学サブシステムであって、
第１のガス状利得媒質を保持するように構成された第１のチャンバと、
第１のチャンバ内の第１の励起機構と、
を備える第１の光学サブシステムと、
パルスシード光ビームに基づいてパルス出力光ビームを生成するように構成された第２の光学サブシステムであって、
第２のガス状利得媒質を保持するように構成された第２のチャンバと、
第２のチャンバ内の第２の励起機構と、
を備える第２の光学サブシステムと、
第１の励起機構を作動させるように構成された第１の磁気切り替えネットワークであって、第１の励起機構を作動させることは第１の光学サブシステムにパルスシード光ビームのパルスを生成させる、第１の磁気切り替えネットワークと、
第２の励起機構を作動させるように構成された第２の磁気切り替えネットワークであって、第２の励起機構を作動させることは第２の光学サブシステムにパルス出力光ビームのパルスを生成させる、第２の磁気切り替えネットワークと、
コントローラであって、
第１の光学サブシステム及び第１の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を備える第１の指標に基づいて、第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように、及び
第２の光学サブシステム及び第２の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を備える第２の指標に基づいて、第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されたコントローラと、
を備えるシステム。
２．コントローラは、第１の励起機構を作動させる前に、第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されており、
コントローラは、第２の励起機構を作動させる前に、第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の飽和した磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されている、
条項１のシステム。
３．第１の磁気切り替えネットワークは、
第１の可飽和リアクトル及び第１の磁気コアを備える第１の整流子モジュールと、
第２の可飽和リアクトル及び第２の磁気コアを備える第１の圧縮モジュールと、
を備えており、
第２の磁気切り替えネットワークは、
第３の可飽和リアクトル及び第３の磁気コアを備える第２の整流子モジュールと、
第４の可飽和リアクトル及び第４の磁気コアを備える第２の圧縮モジュールと、
を備えており、
コントローラは、
１つ以上の動作特性の第１の指標に基づいて第１の磁気コア及び第２の磁気コアのインピーダンスを調整するように、並びに
１つ以上の動作特性の第２の指標に基づいて第３の磁気コア及び第４の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されている、
条項１のシステム。
４．コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されており、１つ以上のコイルの各々は第１の磁気切り替えネットワークの１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、電流の１つ以上の特性は第１の指標に基づいており、
コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されており、１つ以上のコイルの各々は第２の磁気切り替えネットワークの１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、電流の１つ以上の特性は第２の指標に基づいている、
条項１のシステム。
５．電流の１つ以上の特性は電流の振幅を備える、条項４のシステム。
６．第１の光学チャンバは加圧された利得媒質を備え、第１の励起機構は２つの電極を備え、第１の光学チャンバの動作特性は、第１の光学チャンバ内の電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、第１の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、第１の光学チャンバ内の利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備え、第１の磁気切り替えネットワークの動作特性は、第１の磁気切り替えネットワーク内の磁気コアのうち１つ以上の温度を備え、
第２の光学チャンバは加圧された利得媒質を備え、第２の励起機構は２つの電極を備え、第２の光学チャンバの動作特性は、第２の光学チャンバ内の電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、第２の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、第２の光学チャンバ内の利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備え、第２の磁気切り替えネットワークの動作特性は、第１の磁気切り替えネットワークの磁気コアのうち１つ以上の温度を備える、
条項１のシステム。
７．第１の光学サブシステムは主発振器を備え、第２の光学サブシステムはパワー増幅器を備える、条項１のシステム。
８．パルスシード光ビーム及びパルス出力光ビームはいずれも、深紫外（ＤＵＶ）域内の１つ以上の波長を備える、条項１のシステム。
９．第１のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を備え、第２のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を備える、条項８のシステム。
１０．第１の光学源の１つ以上の動作特性を測定するように及び第１の光学システムの１つ以上の動作特性の指標をコントローラに提供するように構成された第１の監視モジュールと、
第２の光学源の１つ以上の動作特性を測定するように及び第２の光学システムの１つ以上の動作特性の指標をコントローラに提供するように構成された第２の監視モジュールと、
を更に備える、条項１のシステム。
１１．光学源及び磁気切り替えネットワークを備える光学システムの１つ以上の動作特性にアクセスするように構成された監視モジュールと、
コマンドモジュールであって、
磁気切り替えネットワークに磁気的に結合された電気ネットワークに電気量を提供するべく電源を制御するように構成されており、
磁気切り替えネットワークは、励起パルスを光学源に提供するように構成されており、
電気量は磁気切り替えネットワークの磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置き、
電気量の１つ以上の特性は、光学システムの１つ以上の動作特性に基づいている、コマンドモジュールと、
を備える制御システム。
１２．光学システムの１つ以上の動作特性は、光学源に提供される励起電圧の大きさと、光学源によって生成されるパルス光ビームの反復率と、磁気コアの温度と、光学源内のガス状利得媒質の圧力とのうちいずれかを備え、
電気量の１つ以上の特性は、振幅及び持続時間を備える、
条項１１の制御システム。
１３．電気量は電圧又は電流を備える、条項１１の制御システム。
１４．電気量は直流（ＤＣ）電流を備え、ＤＣ電流の振幅は光学システムの１つ以上の動作特性に基づく、条項１３の制御システム。
１５．コマンドモジュールは更に、光学システムの１つ以上の動作特性に基づいてコマンド信号を決定するように、及びコマンド信号に基づいて電源を制御するように構成されている、条項１３の制御システム。
１６．電気量の１つ以上の特性は振幅及び持続時間を備え、振幅は動作特性のうち１つ以上に依存する値を有し、持続時間は動作特性のうち１つ以上に依存する値を有する、条項１５の制御システム。
１７．コントローラは、複数のパルスの各々が生成された後に磁気スイッチの磁気コアが非飽和状態又は逆飽和状態に置かれるように、光学システムによって生成されるパルス光ビーム内の複数のパルスの各パルスの後に電源を制御する、条項１１の制御システム。
１８．複数のパルスは、パルスのバースト内の連続パルスである、条項１７の制御システム。
１９．複数のパルスは、パルスの第１のバースト内の第１のパルス及びパルスの第２のバースト内の第２のパルスを備える、条項１７の制御システム。
２０．電気量の１つの特性は、複数のパルスのうちの第１のパルスの後に磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置く第１の値と、複数のパルスのうちの第２のパルスの後に磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置く第２の値とを有し、第１の値は第２の値とは異なる、条項１７の制御システム。
２１．レーザシステムを備える光学システムの１つ以上の動作特性に基づいて電気量の１つ以上の特性を決定することと、
磁気切り替えネットワークの磁気コアのインピーダンスを、磁気コアに磁気的に結合されたコイルに電気量を提供することによって調整することと、
磁気コアのインピーダンスを調整した後、光のパルスを生成することと、
を備える方法であって、
光のパルスを生成することは、電気パルスがレーザシステムの励起機構に提供されるように磁気コアを飽和させることを備える、方法。
２２．電気量は電流を備え、電気量の１つ以上の特性は大きさ又は持続時間を備える、条項２１の方法。
２３．１つ以上の動作特性は、レーザシステムに提供される励起電圧の大きさと、レーザシステムによって生成されるパルス光ビームの反復率と、磁気コアの温度と、レーザシステムのガス状利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備える、条項２１の方法。
２４．磁気コアのインピーダンスを調整することは、磁気コアのインピーダンスを所定のレベルに調整することを備える、条項２１の方法。
２５．磁気コアのインピーダンスを調整することは、磁気コアを逆飽和状態に置くことを備える、条項２１の方法。
【0112】
[0122] 前述の及び他の実施例は以下の特許請求の範囲内にある。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【手続補正書】
【提出日】2023-08-09
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パルスシード光ビームを生成するように構成された第１の光学サブシステムであって、第１のガス状利得媒質を保持するように構成された第１のチャンバと、
前記第１のチャンバ内の第１の励起機構と、
を備える第１の光学サブシステムと、
前記パルスシード光ビームに基づいてパルス出力光ビームを生成するように構成された第２の光学サブシステムであって、
第２のガス状利得媒質を保持するように構成された第２のチャンバと、
前記第２のチャンバ内の第２の励起機構と、
を備える第２の光学サブシステムと、
前記第１の励起機構を作動させるように構成された第１の磁気切り替えネットワークであって、前記第１の励起機構を作動させることは前記第１の光学サブシステムに前記パルスシード光ビームのパルスを生成させる、第１の磁気切り替えネットワークと、
前記第２の励起機構を作動させるように構成された第２の磁気切り替えネットワークであって、前記第２の励起機構を作動させることは前記第２の光学サブシステムに前記パルス出力光ビームのパルスを生成させる、第２の磁気切り替えネットワークと、
コントローラであって、
前記第１の光学サブシステム及び前記第１の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を備える第１の指標に基づいて、前記第１の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように、及び
前記第２の光学サブシステム及び前記第２の磁気切り替えネットワークのうち１つ以上の、１つ以上の動作特性の指標を備える第２の指標に基づいて、前記第２の磁気切り替えネットワーク内の１つ以上の磁気コアのインピーダンスを調整するように構成されたコントローラと、
を備えるシステム。
【請求項2】
前記コントローラは、前記第１の励起機構を作動させる前に、前記第１の磁気切り替えネットワーク内の前記１つ以上の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されており、前記コントローラは、前記第２の励起機構を作動させる前に、前記第２の磁気切り替えネットワーク内の前記１つ以上の飽和した磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されている、
請求項１のシステム。
【請求項3】
前記第１の磁気切り替えネットワークは、第１の可飽和リアクトル及び第１の磁気コアを備える第１の整流子モジュールと、
第２の可飽和リアクトル及び第２の磁気コアを備える第１の圧縮モジュールと、
を備えており、
前記第２の磁気切り替えネットワークは、
第３の可飽和リアクトル及び第３の磁気コアを備える第２の整流子モジュールと、
第４の可飽和リアクトル及び第４の磁気コアを備える第２の圧縮モジュールと、
を備えており、
前記コントローラは、
１つ以上の動作特性の前記第１の指標に基づいて前記第１の磁気コア及び前記第２の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように、並びに
１つ以上の動作特性の前記第２の指標に基づいて前記第３の磁気コア及び前記第４の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されている、
請求項１のシステム。
【請求項4】
前記コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって前記第１の磁気切り替えネットワーク内の前記１つ以上の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されており、前記１つ以上のコイルの各々は前記第１の磁気切り替えネットワークの前記１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、前記電流の１つ以上の特性は前記第１の指標に基づいており、前記コントローラは、１つ以上のコイルに電流を提供することによって前記第２の磁気切り替えネットワーク内の前記１つ以上の磁気コアの前記インピーダンスを調整するように構成されており、前記１つ以上のコイルの各々は前記第２の磁気切り替えネットワークの前記１つ以上の磁気コアのうち１つに磁気的に結合されており、前記電流の１つ以上の特性は前記第２の指標に基づいている、
請求項１のシステム。
【請求項5】
前記第１の光学チャンバは加圧された利得媒質を備え、前記第１の励起機構は２つの電極を備え、前記第１の光学チャンバの前記動作特性は、前記第１の光学チャンバ内の前記電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、前記第１の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、前記第１の光学チャンバ内の前記利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備え、前記第１の磁気切り替えネットワークの前記動作特性は、前記第１の磁気切り替えネットワーク内の前記磁気コアのうち１つ以上の温度を備え、前記第２の光学チャンバは加圧された利得媒質を備え、前記第２の励起機構は２つの電極を備え、前記第２の光学チャンバの前記動作特性は、前記第２の光学チャンバ内の前記電極のうちの少なくとも１つに印加される電圧パルスの大きさと、前記第２の光学チャンバによって生成されるパルス光ビームの反復率と、前記第２の光学チャンバ内の前記利得媒質の圧力とのうち１つ以上を備え、前記第２の磁気切り替えネットワークの前記動作特性は、前記第１の磁気切り替えネットワークの前記磁気コアのうち１つ以上の温度を備える、
請求項１のシステム。
【請求項6】
前記パルスシード光ビーム及び前記パルス出力光ビームはいずれも、深紫外（ＤＵＶ）域内の１つ以上の波長を備える、請求項１のシステム。
【請求項7】
前記第１のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を備え、前記第２のガス状利得媒質は、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）、又は塩化キセノン（ＸｅＣｌ）を備える、請求項６のシステム。
【請求項8】
前記第１の光学源の前記１つ以上の動作特性を測定するように及び前記第１の光学システムの前記１つ以上の動作特性の前記指標を前記コントローラに提供するように構成された第１の監視モジュールと、前記第２の光学源の前記１つ以上の動作特性を測定するように及び前記第２の光学システムの前記１つ以上の動作特性の前記指標を前記コントローラに提供するように構成された第２の監視モジュールと、
を更に備える、請求項１のシステム。
【請求項9】
光学源及び磁気切り替えネットワークを備える光学システムの１つ以上の動作特性にアクセスするように構成された監視モジュールと、コマンドモジュールであって、
前記磁気切り替えネットワークに磁気的に結合された電気ネットワークに電気量を提供するべく電源を制御するように構成されており、
前記前記磁気切り替えネットワークは、励起パルスを前記光学源に提供するように構成されており、
前記電気量は前記磁気切り替えネットワークの磁気コアを非飽和状態又は逆飽和状態に置き、
前記電気量の１つ以上の特性は、前記光学システムの前記１つ以上の動作特性に基づいている、コマンドモジュールと、
を備える制御システム。
【請求項10】
前記光学システムの前記１つ以上の動作特性は、前記光学源に提供される励起電圧の大きさと、前記光学源によって生成される前記パルス光ビームの反復率と、前記磁気コアの温度と、前記光学源内のガス状利得媒質の圧力とのうちいずれかを備え、前記電気量の前記１つ以上の特性は、振幅及び持続時間を備える、
請求項９の制御システム。
【請求項11】
前記電気量は電圧又は電流を備える、請求項９の制御システム。
【請求項12】
前記コマンドモジュールは更に、前記光学システムの前記１つ以上の動作特性に基づいてコマンド信号を決定するように、及び前記コマンド信号に基づいて前記電源を制御するように構成されている、請求項１１の制御システム。
【請求項13】
前記コントローラは、複数のパルスの各々が生成された後に前記磁気スイッチの前記磁気コアが前記非飽和状態又は逆飽和状態に置かれるように、前記光学システムによって生成される前記パルス光ビーム内の前記複数のパルスの各パルスの後に前記電源を制御する、請求項９の制御システム。
【請求項14】
前記電気量の１つの特性は、前記複数のパルスのうちの第１のパルスの後に前記磁気コアを前記非飽和状態又は逆飽和状態に置く第１の値と、前記複数のパルスのうちの第２のパルスの後に前記磁気コアを前記非飽和状態又は逆飽和状態に置く第２の値とを有し、前記第１の値は前記第２の値とは異なる、請求項１３の制御システム。
【請求項15】
レーザシステムを備える光学システムの１つ以上の動作特性に基づいて電気量の１つ以上の特性を決定することと、磁気切り替えネットワークの磁気コアのインピーダンスを、前記磁気コアに磁気的に結合されたコイルに前記電気量を提供することによって調整することと、
前記磁気コアの前記インピーダンスを調整した後、光のパルスを生成することと、
を備える方法であって、
前記光のパルスを生成することは、電気パルスが前記レーザシステムの励起機構に提供されるように前記磁気コアを飽和させることを備える、方法。
【請求項16】
前記電気量は電流を備え、前記電気量の前記１つ以上の特性は大きさ又は持続時間を備える、請求項１５の方法。
【請求項17】
前記磁気コアの前記インピーダンスを調整することは、前記磁気コアの前記インピーダンスを所定のレベルに調整することを備える、請求項１５の方法。
【請求項18】
前記磁気コアの前記インピーダンスを調整することは、前記磁気コアを逆飽和状態に置くことを備える、請求項１５の方法。
【国際調査報告】