▶ アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2023-12-28
(54)【発明の名称】マルチチャンバ基板処理プラットフォーム
(51)【国際特許分類】
G03F 1/24 20120101AFI20231221BHJP
C23C 14/50 20060101ALI20231221BHJP
C23C 16/44 20060101ALI20231221BHJP
【ＦＩ】
G03F1/24
C23C14/50 K
C23C16/44 F
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023537480
(86)(22)【出願日】2021-12-16
(85)【翻訳文提出日】2023-08-17
(86)【国際出願番号】 US2021063754
(87)【国際公開番号】W WO2022140147
(87)【国際公開日】2022-06-30
(31)【優先権主張番号】17/129,077
(32)【優先日】2020-12-21
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ガウタム， リブー
(72)【発明者】
【氏名】ジンダル， ビブー
(72)【発明者】
【氏名】バート， サンジェイ
(72)【発明者】
【氏名】チョーラグディ， プラヴィーン クマール
(72)【発明者】
【氏名】ラマチャンドラン， ビノド
(72)【発明者】
【氏名】レンガラジ， アルン
【テーマコード（参考）】
2H195
4K029
4K030
【Ｆターム（参考）】
2H195BA10
2H195BB25
2H195CA01
2H195CA16
2H195CA23
4K029CA05
4K029DC39
4K029KA01
4K030GA12
(57)【要約】
極紫外線（ＥＵＶ）マスクブランクを含む基板を処理するように構成された基板処理システム又はプラットフォーム及び方法が開示されている。システム又はプラットフォームは、小さい設置面積、高い基板のスループットを提供し、欠陥の発生を最小限に抑える。基板処理システムプラットフォームは、単一の中央移送チャンバ、単一の移送ロボット、基板反転治具、及び単一の中央移送チャンバの周囲に配置された処理チャンバを備える。
【選択図】図３
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板処理プラットフォームであって、中央ロボットハブを含む単一の中央移送チャンバであって、前記中央移送チャンバを取り囲む５つの基板処理チャンバを有し、前記中央移送チャンバ及び前記５つの基板処理チャンバは真空条件下にあり、前記５つの基板処理チャンバは、少なくとも２つのマルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ及び少なくとも１つの基板アニールチャンバと、少なくとも第１のシングルカソードＰＶＤチャンバとを含む、単一の中央移送チャンバと、
前記単一の中央移送チャンバに配置された中央ロボットであって、前記５つの基板処理チャンバから基板をロード及びアンロードするように構成された中央ロボットと、
前記基板処理チャンバと周囲工場環境との間に配置されたファクトリインターフェースと、
前記ファクトリインターフェース内に配置され、前記５つの基板処理チャンバのうちの１つにおいて前記基板の表側及び裏側の両方に材料を堆積させることができるように、表側及び裏側を有する前記基板を１８０度回転させるように構成された基板反転治具と、
前記周囲工場環境から前記ファクトリインターフェース内に及び前記基板反転治具上に基板をロードするように構成されたファクトリインターフェースロボットと
を備える、基板処理プラットフォーム。
【請求項2】
第１のロードロックチャンバ及び第２のロードロックチャンバを更に備え、前記ファクトリインターフェースロボットは、前記ファクトリインターフェースと前記第１のロードロックチャンバとの間、及び前記ファクトリインターフェースと前記第２のロードロックチャンバとの間で前記基板を移送するように構成される、請求項１に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項3】
前記基板処理プラットフォームに、前記ファクトリインターフェースから第１のロードロックチャンバに及び第１のマルチカソードＰＶＤチャンバに基板をロードさせ、前記基板の表側に層を堆積させ、前記第１のマルチカソードＰＶＤチャンバから前記基板を取り出し、前記第１のロードロックチャンバ及び前記第２のロードロックチャンバのうちの一方に前記基板をロードし、次に前記ファクトリインターフェースに前記基板を移送して戻し、前記基板を１８０度回転させて回転した基板を提供し、前記第１のロードロックチャンバ及び前記第２のロードロックチャンバのうちの一方に前記回転した基板を移送し、第２のマルチカソードＰＶＤチャンバに前記回転した基板をロードし、前記回転した基板の裏側に層を堆積させる命令を、実行するように構成されたコントローラを更に備える、請求項２に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項4】
前記少なくとも１つの基板アニールチャンバの各々及び前記少なくとも１つのマルチカソードＰＶＤチャンバの各々は、垂直開口部及びドアを有する垂直スリットバルブを含み、前記ドアは、前記垂直スリットと直交する方向に移動するように構成される、請求項２に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項5】
前記少なくとも１つの基板アニールチャンバは、１又は複数の基板をアニールするように構成された複数基板アニールチャンバである、請求項２に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項6】
異なる材料層を堆積させるように構成された第２のマルチカソードＰＶＤチャンバを更に備える、請求項２に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項7】
異なる材料層を堆積させるように構成された第３のマルチカソードＰＶＤチャンバを更に備える、請求項２に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項8】
第２のマルチカソードＰＶＤチャンバに隣接する第２の基板アニールチャンバを更に備え、前記第２の基板アニールチャンバは、前記中央移送チャンバと連絡している、請求項６に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項9】
前記基板反転治具は、基板反転プロセス中に基板を支持する可動支持治具を含む、請求項２に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項10】
前記基板反転治具は、表側と裏側との間の前記基板のエッジを把持するように構成された一対の把持要素を更に含み、前記把持要素は、１８０度回転して、表側が上方を向く第１の位置から表側が下方を向く第２の位置まで前記基板の表側を回転させるように構成される、請求項９に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項11】
前記基板反転治具に隣接して取り付けられたビルドモジュール治具を更に備え、前記ビルドモジュール治具は、ＥＵＶマスクブランクキャリアアセンブリを支持するように構成されており、前記ＥＵＶマスクブランクキャリアアセンブリは、キャリアベースと、ＥＵＶマスクブランクを受け入れるサイズ及び形状の開口部をその中に有するトップシールドとを含む、請求項１０に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項12】
前記ビルドモジュール治具は、前記キャリアベースから前記トップシールドを分離させるように構成されたリフトピンを更に含む、請求項１１に記載の基板処理プラットフォーム。
【請求項13】
基板処理プラットフォームにおけるＥＵＶマスクブランク基板の処理方法であって、ファクトリインターフェースから前記ＥＵＶマスクブランク基板を取り出して、第１のロードロックチャンバに前記ＥＵＶマスクブランク基板を移送するために、ファクトリインターフェースロボットを使用することと、
前記第１のロードロックチャンバから単一の中央移送チャンバを通して第１のマルチカソードＰＶＤチャンバに前記ＥＵＶマスクブランクを移送するために、中央ロボットを使用することと、
前記第１のマルチカソードＰＶＤチャンバにおいて前記ＥＵＶマスクブランク基板の表側に、複数の二層対を含む反射多層スタックを堆積させることと、
第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ及びシングルカソードＰＶＤチャンバのうちの一方に前記ＥＵＶマスクブランク基板を移送するために、前記中央ロボットを用いることと、
前記第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ及び前記シングルカソードＰＶＤチャンバのうちの一方において、前記反射多層スタックを堆積させた後の前記第１の基板の表側に、吸収体層を堆積させることと、
第１の基板アニールチャンバにおいて前記ＥＵＶマスクブランク基板をアニールすることと、
前記第１のロードロックチャンバ又は第２のロードロックチャンバに前記ＥＵＶマスクブランク基板を移送するために、前記中央ロボットを用いることと、
前記第１のロードロックチャンバ又は前記第２のロードロックチャンバから前記ファクトリインターフェースに、アニール後の前記ＥＵＶマスクブランク基板を移送して戻すために、前記ファクトリインターフェースロボットを用いることと、
表側が下方に向くように前記基板を１８０度回転させるために、前記ファクトリインターフェース内に配置された基板反転治具を用いることと、
前記第１のロードロックチャンバ又は前記第２のロードロックチャンバに前記ＥＵＶマスクブランクを移送するために、前記ファクトリインターフェースロボットを用いることと、
前記第１のロードロックチャンバ又は前記第２のロードロックチャンバから、前記単一の中央移送チャンバを通して、前記シングルカソードＰＶＤチャンバ、前記第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ、及び第３のマルチカソードＰＶＤチャンバのうちの１つに、表側が下方に向いており裏側が上方に向いている状態の前記ＥＵＶマスクブランクを移送するために、前記中央ロボットを用いることと、
前記ＥＵＶマスクブランク基板の裏側に裏側層を堆積させることと
を含む方法。
【請求項14】
前記複数の二層対はＳｉ及びＭｏを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項15】
吸収体層が前記反射多層スタック上に堆積される、請求項１４に記載の方法。
【請求項16】
前記裏側層はＣｒＮを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項17】
前記基板を１８０度回転させる前に、前記ＥＵＶマスクブランク基板を可動支持治具で支持することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項18】
前記基板反転治具は一対の把持要素を更に含み、前記一対の把持要素を使用して、表側と裏側との間の前記基板のエッジを把持し、前記可動支持治具を前記把持要素から離すように移動させ、把持アームを１８０度回転させて、前記基板の表側を、表側が上方を向く第１の位置から表側が下方を向く第２の位置まで回転させる、請求項１７に記載の方法。
【請求項19】
前記基板反転治具に隣接して取り付けられたビルドモジュール治具上でＥＵＶマスクブランク基板を支持することを更に含み、前記ビルドモジュール治具は、ＥＵＶマスクブランクキャリアアセンブリを支持するように構成されており、前記ＥＵＶマスクブランクキャリアアセンブリは、キャリアベースと、ＥＵＶマスクブランクを受け入れるサイズ及び形状の開口部をその中に有するトップシールドとを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項20】
前記ビルドモジュール治具は、前記キャリアベースから前記トップシールドを分離させるように構成されたリフトピンを更に含み、前記リフトピンを使用して前記キャリアベースから前記トップシールドを分離させて、前記ＥＵＶマスクブランク基板を露出させる、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［０００１］本開示は、概して、マルチチャンバ基板処理プラットフォームに関する。特に、本開示の特定の実施形態は、低欠陥及び高スループットで、ＥＵＶマスクブランク及び３００ｍｍウエハ等の様々な基板を処理するように構成された複数の基板処理チャンバ及び２つのロードロックチャンバを含み、設置面積の小さい単一の基板処理プラットフォームに関する。
【背景技術】
【0002】
［０００２］軟Ｘ線投影リソグラフィとしても知られる極紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは、０．０１３５ミクロン以下の最小特徴サイズの半導体デバイスの製造に使用される。一般に５～１００ナノメートルの波長域にある極紫外線は、ほとんどすべての材料に強く吸収される。そのため、極紫外線システムは光の透過ではなく反射によって機能する。一連のミラー又はレンズ素子と、非反射吸収マスクパターンでコーティングされた反射素子又はマスクブランクを使用することにより、パターニングされた活性光線がレジストでコーティングされた半導体基板上に反射される。
【0003】
［０００３］極紫外線リソグラフィシステムのレンズ素子及びマスクブランクは、例えば、超低熱膨張ガラス（例えば、コーニング社から入手可能なＵＬＥ（登録商標）ガラス又はＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）低膨張リチウムアルミノシリケートガラス）等の非常に低い熱膨張性を有する基板上に、モリブデン及びシリコン等の材料の反射多層コーティングがコーティングされる。例えば、１３．５ナノメートルの紫外線に対して１２．５～１４．５ナノメートルのバンドパス等、非常に狭い紫外線バンドパス内の光を強く反射する多層コーティングがコーティングされた基板を使用することで、レンズ素子又はマスクブランク当たり約６５％の反射値が得られている。マスクブランクには、基板の表側に少なくとも平坦化層、反射多層対、キャッピング層、吸収体層、裏側に窒化クロム等の材料層を含む複数の異なる層が異なる処理チャンバで堆積される。層の堆積には一般に、複数のチャンバが使用される。
【0004】
［０００４］ＥＵＶマスクブランクは、マスクブランクの作業面積上の欠陥に対する許容度が低い。欠陥のない極紫外線マスクブランクの製造には、基板（例えば、超低熱膨張ガラス）の平坦で滑らかで欠陥のない表面が必要である。現在の基板処理システム又はプラットフォームにおける従来のＥＵＶマスクブランク製造では、マスクブランクを基板処理システム又はプラットフォームの様々なチャンバの内外へ移動させ、様々な層を堆積させるために、複数のロボットハンドラと基板の手動ハンドオフが必要であり、その結果、欠陥が多くなり、歩留まりが低下する。また、堆積とアニール（反射多層対、キャッピング層、吸収体層、裏側コーティング等）を完了するために複数のチャンバ（又はツール）が必要になるため、基板処理システム又はプラットフォームの設置面積が大きくなり、運用コストが高くなる。３００ｍｍ基板用に設計された既存の中央ロボットをＥＵＶマスクブランク等のはるかに重いＥＵＶ基板の処理に使用すると、欠陥数が上がる原因となる。更に、基板が基板処理チャンバ又はシステム内に導入される際に開閉する現在のスリットバルブは、ＥＵＶマスクブランクの製造において許容できないほど多くの欠陥を発生させる。
【0005】
［０００５］従って、欠陥を低減するために、より小さいプロファイルを有し、マスクブランクのロボットハンドラ及び手動ハンドオフがより少ないシステム又はプラットフォームであるＥＵＶマスクブランクを処理するように構成されたマルチチャンバ基板処理システム又はプラットフォームが必要とされている。
【発明の概要】
【0006】
［０００６］本開示の１又は複数の実施形態は、基板処理プラットフォームを対象とし、基板処理プラットフォームは、中央ロボットハブを含む単一の中央移送チャンバであって、中央移送チャンバを取り囲む５つの基板処理チャンバを有し、中央移送チャンバ及び５つの基板処理チャンバは真空条件下にあり、５つの基板処理チャンバは、少なくとも２つのマルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ及び少なくとも１つの基板アニールチャンバと、少なくとも第１のシングルカソードＰＶＤチャンバとを含む、単一の中央移送チャンバと、単一の中央移送チャンバに配置された中央ロボットであって、５つの基板処理チャンバから基板をロード及びアンロードするように構成された中央ロボットと、基板処理チャンバと周囲工場環境との間に配置されたファクトリインターフェースと、ファクトリインターフェース内に配置され、５つの基板処理チャンバのうちの１つにおいて基板の表側と裏側の両方に材料を堆積させることができるように、表側及び裏側を有する基板を１８０度回転させるように構成された基板反転治具と、周囲工場環境からファクトリインターフェース内に及び基板反転治具上に基板をロードするように構成されたファクトリインターフェースロボットとを備える。
【0007】
［０００７］本開示の別の態様は、基板処理プラットフォームにおけるＥＵＶマスクブランク基板の処理方法に関し、本方法は、ファクトリインターフェースからＥＵＶマスクブランク基板を取り出して、第１のロードロックチャンバにＥＵＶマスクブランク基板を移送するために、ファクトリインターフェースロボットを使用することと、第１のロードロックチャンバから単一の中央移送チャンバを通して第１のマルチカソードＰＶＤチャンバにＥＵＶマスクブランクを移送するために、中央ロボットを使用することと、第１のマルチカソードＰＶＤチャンバにおいてＥＵＶマスクブランク基板の表側に、複数の二層対を含む反射多層スタックを堆積させることと、第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ及びシングルカソードＰＶＤチャンバのうちの一方にＥＵＶマスクブランク基板を移送するために、中央ロボットを用いることと、第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ及びシングルカソードＰＶＤチャンバのうちの一方において、反射多層スタックを堆積させた後の第１の基板の表側に、吸収体層を堆積させることと、第１の基板アニールチャンバにおいてＥＵＶマスクブランク基板をアニールすることと、第１のロードロックチャンバ又は第２のロードロックチャンバにＥＵＶマスクブランク基板を移送するために、中央ロボットを用いることと、第１のロードロックチャンバ又は第２のロードロックチャンバからファクトリインターフェースに、アニール後のＥＵＶマスクブランク基板を移送して戻すために、ファクトリインターフェースロボットを用いることと、表側が下方に向くように基板を１８０度回転させるために、ファクトリインターフェース内に配置された基板反転治具を用いることと、第１のロードロックチャンバ又は第２のロードロックチャンバにＥＵＶマスクブランクを移送するために、ファクトリインターフェースロボットを用いることと、第１のロードロックチャンバ又は第２のロードロックチャンバから、単一の中央移送チャンバを通して、シングルカソードＰＶＤチャンバ、第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ、及び第３のマルチカソードＰＶＤチャンバのうちの１つに、表側が下方に向いており裏側が上方に向いている状態のＥＵＶマスクブランクを移送するために、中央ロボットを用いることと、ＥＵＶマスクブランク基板の裏側に裏側層を堆積させることとを含む。
【0008】
［０００８］上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記に要約した本開示をより具体的に説明する。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を単に示すものであり、従って、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】極紫外線リソグラフィ装置の実施形態を示す概略図である。
【図2】従来のＥＵＶマスクブランク処理プラットフォームを示す概略上面図である。
【図3】本開示の実施形態に係る基板処理プラットフォームの実施形態を示す上面図である。
【図4】本開示の実施形態に係る基板処理プラットフォームの垂直スリットバルブを示す斜視図である。
【図5】本開示の実施形態に係る基板処理プラットフォームの垂直スリットバルブを示す断面図である。
【図6】本開示の実施形態に係る基板処理プラットフォームと共に使用される基板反転治具を示す斜視図である。
【図7】本開示の実施形態に係る基板を反転させるための基板反転治具を示す斜視図である。
【図8】本開示の実施形態に係る基板を反転させるためのロボットブレード及び基板反転治具を示す斜視図である。
【図9】上昇位置にある、本開示の実施形態に係る基板を反転させるための基板反転治具を示す斜視図である。
【図10】本開示の実施形態に係る基板処理プラットフォームと共に使用される中央ロボットを示す斜視図である。
【図11】本開示の実施形態に係る基板処理プラットフォームと共に使用される中央ロボットを示す上面図である。
【図12】本開示の実施形態に係る基板処理プラットフォームと共に使用される中央ロボットのロボットアームアセンブリを示す斜視図である。
【図13】Ａ及びＢは、本開示の実施形態に係る基板処理プラットフォームと共に使用される中央ロボットを示す上面図である。
【図14】本開示の実施形態に係る中央ロボットのロボットブレードを示す斜視図である。
【図16】本開示の実施形態に係るＥＵＶマスクブランクを示す側面図である。
【図17】本開示の実施形態に係る方法を示すフロー図である。
【図18】本開示の実施形態に係る方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
［００２７］本開示の幾つかの例示的な実施形態を説明する前に、本開示は、以下の説明で示す構造又はプロセスステップの詳細に限定されないことを理解されたい。本開示は、他の実施形態が可能であり、様々な方法で実施又は実行されることが可能である。
【0011】
［００２８］本明細書で使用する「水平」という用語は、その配向にかかわらず、マスクブランクの平面又は表面に平行な面として定義される。用語「垂直」は、先ほど定義した水平と直交する方向を指す。「上方（ａｂｏｖｅ）」、「下方（ｂｅｌｏｗ）」、「底部（ｂｏｔｔｏｍ）」、「上部（ｔｏｐ）」、「側面（ｓｉｄｅ）」（「側壁」のように）、「上の（ｈｉｇｈｅｒ）」、「下の（ｌｏｗｅｒ）」、「上方の（ｕｐｐｅｒ）」、「上の（ｏｖｅｒ）」、「下方の（ｕｎｄｅｒ）」等の用語は、図に示すように、水平面に対して定義される。
【0012】
［００２９］用語「上に（ｏｎ）」は、要素間に直接的な接触があることを示す。用語「直接上に（ｄｉｒｅｃｔｌｙ ｏｎ）」は、介在する要素がなく、要素間に直接接触があることを示す。
【0013】
［００３０］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用される場合、「前駆体」、「反応物」、「反応性ガス」等の用語は、基板表面と反応する任意のガス種を指すために互換的に使用される。
【0014】
［００３１］当業者は、プロセス領域を説明するための「第１」及び「第２」等の序数の使用が、処理チャンバ内の特定の位置、又は処理チャンバ内の露出の順序を意味するものではないことを理解されよう。
【0015】
［００３２］本明細書及び添付の特許請求の範囲で使用する用語「基板」は、プロセスが作用する表面、又は表面の一部を指す。また、基板への言及は、文脈が明らかにそうでないことを示さない限り、基板の一部のみを指す場合があることが当業者には理解されよう。更に、幾つかの実施形態では、基板への堆積への言及は、ベア基板と、その上に１又は複数の膜又は特徴が堆積又は形成された基板の両方への堆積を含む。特定の実施形態では、基板は、ＥＵＶマスクブランク又はＥＵＶレチクルブランクである。従って、「ＥＵＶマスクブランク」及び「ＥＵＶレチクルブランク」という語句は、プロセスが作用するＥＵＶマスクブランク又はＥＵＶレチクルブランクの表面、又は表面の一部を指す場合がある。幾つかの実施形態では、ＥＵＶマスクブランク又はＥＵＶレチクルブランクへの堆積への言及は、ベアＵＶマスクブランク又はＥＵＶレチクルブランクと、その上に１又は複数の膜又は特徴が堆積又は形成されたＵＶマスクブランク又はＥＵＶレチクルブランクとの両方への堆積を含む。
【0016】
［００３３］ここで、極紫外線リソグラフィシステム１００の例示的な実施形態を示す図１を参照する。極紫外線リソグラフィシステム１００は、極紫外線光１１２を生成するための極紫外線光源１０２と、一組の反射素子と、ターゲット基板１１０とを含む。反射素子には、集光器１０４、ＥＵＶ反射マスク１０６、光学縮小アセンブリ１０８、マスクブランク、ミラー、又はそれらの組み合わせが含まれる。
【0017】
［００３４］極紫外線光源１０２は、極紫外線光１１２を生成する。極紫外線光１１２は、５～５０ナノメートル（ｎｍ）の範囲の波長を有する電磁放射線である。例えば、極紫外線光源１０２は、レーザ、レーザ生成プラズマ、放電生成プラズマ、自由電子レーザ、放射光、又はそれらの組み合わせを含む。
【0018】
［００３５］極紫外線光源１０２は、様々な特性を有する極紫外線光１１２を生成する。極紫外線光源１０２は、波長の範囲にわたって広帯域の極紫外線放射を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、５から５０ｎｍ、１０から２５ｎｍ、１２．５ｎｍから１４．５ｎｍの範囲、例えば１３．５ｎｍの波長を有する極紫外線光１１２を生成する。
【0019】
［００３６］１又は複数の実施形態では、極紫外線光源１０２は、狭い帯域幅を有する極紫外線光１１２を生成する。例えば、極紫外線光源１０２は、１３．５ｎｍの極紫外線光１１２を生成する。波長ピークの中心は１３．５ｎｍである。
【0020】
［００３７］集光器１０４は、極紫外線光１１２を反射及び集光するための光学ユニットである。集光器１０４は、ＥＵＶ反射マスク１０６を照射するために、極紫外線光源１０２からの極紫外線光１１２を反射及び集光する。
【0021】
［００３８］集光器１０４を単一要素として示したが、幾つかの実施形態の集光器１０４は、極紫外線光１１２を反射及び集光するために、凹面鏡、凸面鏡、平面鏡、又はそれらの組み合わせ等の１又は複数の反射素子を含むことを理解されたい。例えば、幾つかの実施形態の集光器１０４は、単一の凹面鏡、又は凸面、凹面、及び平坦な光学素子を有する光学アセンブリである。
【0022】
［００３９］ＥＵＶ反射マスク１０６は、マスクパターン１１４を有する極紫外線反射素子である。ＥＵＶ反射マスク１０６は、ターゲット基板１１０上に形成すべき回路レイアウトを形成するためのリソグラフィパターンを形成する。ＥＵＶ反射マスク１０６は、極紫外線光１１２を反射する。マスクパターン１１４は、回路レイアウトの一部を画定する。
【0023】
［００４０］光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像を縮小するための光学ユニットである。ＥＵＶ反射マスク１０６からの極紫外線光１１２の反射は、光学縮小アセンブリ１０８によって縮小され、ターゲット基板１１０上に反射される。幾つかの実施形態の光学縮小アセンブリ１０８は、マスクパターン１１４の像のサイズを縮小するためのミラー及び他の光学素子を含む。例えば、幾つかの実施形態の光学縮小アセンブリ１０８は、極紫外線光１１２を反射及び集光するための凹面鏡を含む。
【0024】
［００４１］光学縮小アセンブリ１０８は、ターゲット基板１１０上のマスクパターン１１４の像のサイズを縮小する。例えば、幾つかの実施形態のマスクパターン１１４は、光学縮小アセンブリ１０８によってターゲット基板１１０上に４：１の比率で結像され、マスクパターン１１４によって表される回路をターゲット基板１１０上に形成する。幾つかの実施形態の極紫外線光１１２は、反射マスク１０６をターゲット基板１１０と同期して走査し、ターゲット基板１１０上にマスクパターン１１４を形成する。
【0025】
［００４２］ここで、従来の基板処理プラットフォーム２００の実施形態を示す図２を参照する。従来の基板又はＥＵＶマスクブランク処理プラットフォーム２００は、ソース基板２０３、２０５がロードされ、ＥＵＶマスクブランク処理プラットフォーム２００で処理された基板が取り出されるファクトリインターフェース２０２を含む。ファクトリインターフェース２０２に隣接して、基板処理プラットフォーム２００の外側の周囲工場環境から基板処理プラットフォーム２００内部の真空に基板を移送するための基板輸送ボックス２０４及びその他の構成要素がある。ファクトリインターフェースは、ファクトリインターフェースを制御された環境に保つために、わずかな真空圧下のエンクロージャ内にある。周囲工場環境はファクトリインターフェースの外側である。
【0026】
［００４３］基板ハンドリング真空チャンバ２０８は、２つの真空チャンバ、第１の真空チャンバ２１０及び第２の真空チャンバ２１２を含む。第１の真空チャンバ２１０は第１の基板ハンドリングシステム２１４を含み、第２の真空チャンバ２１２は第２の基板ハンドリングシステム２１６を含む。
【0027】
［００４４］基板ハンドリング真空チャンバ２０８は、他の様々なシステムを取り付けるための複数のポートをその周辺部に有する。第１の真空チャンバ２１０は、ガス抜きシステム２１８、第１の物理的気相堆積システム２２０、第２の物理的気相堆積システム２２２、及び前洗浄システム２２４を有する。ガス抜きシステム２１８は、基板から水分を熱的に脱離させるためのものである。前洗浄システム２２４は、基板、マスクブランク、ミラー、又はその他の光学部品の表面を洗浄するためのものである。
【0028】
［００４５］第１の物理的気相堆積システム２２０及び第２の物理的気相堆積システム２２２等の物理的気相堆積システムは、ソース基板２０３上に導電性材料の薄膜を形成するために使用される。例えば、物理的気相堆積システムには、マグネトロンスパッタリングシステム、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積等の真空堆積システム、又はそれらの組み合わせが含まれる。マグネトロンスパッタリングシステム等の物理的気相堆積システムは、シリコン、金属、合金、化合物、又はそれらの組み合わせの層を含む薄い層をソース基板２０３上に形成する。
【0029】
［００４６］物理的気相堆積システムは、反射層、キャッピング層、及び吸収体層を形成する。例えば、物理的気相堆積システムは、シリコン、モリブデン、酸化チタン、二酸化チタン、酸化ルテニウム、酸化ニオブ、ルテニウムタングステン、ルテニウムモリブデン、ルテニウムニオブ、クロム、タンタル、窒化物、化合物、又はそれらの組み合わせの層を形成する。一部の化合物を酸化物として記載したが、化合物には、酸化物、二酸化物、酸素原子を有する原子混合物、又はそれらの組み合わせが含まれることを理解されたい。
【0030】
［００４７］第２の真空チャンバ２１２には、第１のマルチカソード源２２６、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２が接続されている。例えば、化学気相堆積システム２２８は、流動性化学気相堆積システム（ＦＣＶＤ）、プラズマ化学気相堆積システム（ＣＶＤ）、エアロゾルＣＶＤ、熱フィラメントＣＶＤシステム、又は同様のシステムを含む。別の実施例では、化学気相堆積システム２２８、硬化チャンバ２３０、及び超平滑堆積チャンバ２３２は、従来のＥＵＶマスクブランク処理プラットフォーム２００とは別のシステムにある。
【0031】
［００４８］化学気相堆積システム２２８は、ソース基板２０３上に材料の薄膜を形成する。例えば、化学気相堆積システム２２８は、単結晶層、多結晶層、アモルファス層、エピタキシャル層、又はそれらの組み合わせを含む材料の層をソース基板２０３上に形成するために使用される。幾つかの実施形態の化学気相堆積システム２２８は、シリコン、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、炭素、タングステン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン、金属、合金、及び化学気相堆積に適した他の材料の層を形成する。例えば、化学気相堆積システムは平坦化層を形成する。
【0032】
［００４９］第１の基板ハンドリングシステム２１４は、ソース基板２０３を、大気ハンドリングシステムと第１の真空チャンバ２１０の周辺部の様々なシステムとの間で継続的に真空中を移動させることができる。第２の基板ハンドリングシステム２１６は、ソース基板２０３を継続的に真空中に維持しながら、第２の真空チャンバ２１２の周囲でソース基板２０３を移動させることができる。従来のＥＵＶマスクブランク処理プラットフォーム２００は、第１の基板ハンドリングシステム２１４と第２の基板ハンドリングシステム２１６との間で、ソース基板２０３を継続的に真空中を移送する。
【0033】
［００５０］マルチチャンバ基板処理プラットフォームにおいて、例えばＥＵＶマスクブランク等の両面に堆積された材料層が存在するような方法で処理される基板の製造における課題は、最小の微粒子欠陥で複数の層の堆積及びアニールを達成することである。本開示の１又は複数の実施形態は、ＥＵＶマスクブランク等の基板の両面にインシトゥで堆積させることを可能にするために、最小限のロボットによる移送、高ペイロードロボット、欠陥を低減するためのスリットバルブ設計、及びファクトリインターフェースにおける基板反転治具を備えた１つの包含システムにおいて、ＥＵＶマスクブランク等の基板の全層を堆積させるマルチチャンバ基板処理プラットフォーム又はシステムを提供する。
【0034】
［００５１］１又は複数の実施形態に係る本明細書に記載のマルチチャンバ基板処理プラットフォーム及び方法は、例えば、交互二層、吸収体層（単数又は複数）、キャッピング層、及び裏側層を含む反射多層スタック等の多様な数の層の形成に対応する。更に、１又は複数の実施形態に係る本明細書に記載のマルチチャンバ基板処理プラットフォーム及び方法は、ＥＵＶマスクブランク及び従来の半導体ウエハの両方に対する高度な吸収体の形成のためのアニールチャンバ（複数可）及びＰＶＤチャンバを収容する。１又は複数の実施形態は、欠陥の低減、高歩留まり、及び低コストでＥＵＶマスクブランクを製造するように構成されたマルチチャンバ基板処理プラットフォームを提供する。マルチチャンバ基板処理プラットフォームは、わずか２つのロボットによる移送と１つの基板反転治具でＥＵＶマスクブランクを製造することができ、基板の表側と裏側のアニールとコーティングを必要とする基板プロセスのすべての堆積とアニールの要件を満たすことができる。更に、マルチチャンバ基板処理プラットフォームは、材料の種類、重量、形状寸法が異なる様々な基板（例えば、３００ｍｍウエハ及びＥＵＶマスクブランク用の１５２ｍｍ×１５２ｍｍのＵＬＥ基板）を処理することができ、次ノードの先端吸収体開発に必要なチャンバを組み込むことができる。
【0035】
［００５２］ＥＵＶマスクブランクは、ミラー層（４０Ｓｉ／Ｍｏ二層）、キャッピング層（例えば、Ｒｕ）、基板の表側の吸収体層（複数可）（例えば、ＴａＮ）、及び基板の裏側の層（例えば、ＣｒＮ）を堆積させた高品質の長方形基板（例えば、超低膨張ガラス）を含む。現在のプロセスでは、これらの層を形成するステップと基板をアニールするステップを実行するために異なるツールが必要であり、これは欠陥数を増加させ、歩留まりを低下させる。更に、より大きい設置面積を必要とする複数の異なるシステムは、運用面で不利となる。本明細書に記載のマルチチャンバ基板処理プラットフォームは、設置面積が小さく、欠陥発生が少なく、歩留まりが高い単一システムを提供する。
【0036】
［００５３］本開示の１又は複数の実施形態は、欠陥が低減したＥＵＶマスクブランク及びＥＵＶレチクルブランクを含む様々な基板を製造するように構成されたシステム又はプラットフォームを有利に提供する。幾つかの実施形態では、ＥＵＶマスクブランクは、従来のＥＵＶマスクブランク処理プラットフォームにおける製造と比較して、より高い歩留まり及びより低いコストで製造される。これらの利点の１又は複数は、すべての堆積及びアニール要件を満たすために、２つのロボットによる移送及び１つの基板反転治具を含むＥＵＶマスクブランク処理システムプラットフォーム等の基板処理システム又はプラットフォームによって達成される。具体的な実施形態では、基板処理プラットフォーム又はシステム又はＥＵＶマスクブランク処理システム又はプラットフォームは、２つ以上の中央ロボットを利用せず、具体的な実施形態では、ロボットによる移送を行うために単一の中央ロボットを利用する。１又は複数の実施形態では、本明細書に記載のプラットフォーム又はシステムは、処理システム又はプラットフォームでの処理中にＥＵＶマスクブランク基板等の基板を回転させるための１つを超えない基板反転治具を備える。更に、基板処理システム又はプラットフォームの１又は複数の実施形態は、材料の種類、重量、及び形状寸法が異なる様々な基板（例えば、３００ｍｍウエハ、超低膨張基板を含む１５２ｍｍ×１５２ｍｍのＥＵＶマスクブランク）を処理するように構成することが可能であり、次ノードの先端ＥＵＶ吸収体開発に必要なチャンバを組み込むことができる。
【0037】
［００５４］更に、本開示の１又は複数の実施形態は、ＥＵＶマスク又はＥＵＶレチクル開発のための全ての堆積及びアニールステップを１つのシステムで実行するように構成された基板処理システム又はプラットフォームを有利に提供し、複数のロボットによる移送又は手動移送（例えば、ツール間（又はチャンバ間））によって引き起こされるＥＵＶマスク又はＥＵＶレチクル上の欠陥発生を低減する。幾つかの実施形態では、高ペイロード真空移送設計及び垂直スリットバルブ設計は、欠陥の発生を低減させ、その結果、ＥＵＶマスク及びＥＵＶレチクルを高い歩留まりで製造する。幾つかの実施形態では、基板処理システム又はプラットフォームは、例えば、従来の３００ｍｍウエハ、ＥＵＶマスクブランク基板及びＥＵＶレチクルブランク等、１又は複数の種類の基板用に構成される。
【0038】
［００５５］図３に示すように、基板処理システム又はプラットフォーム３００の実施形態は、中央移送チャンバ３１０を含み、この中央移送チャンバ３１０は幾つかの実施形態では、基板処理システム又はプラットフォーム３００における唯一又は単独又は単一の中央移送チャンバ３１０である。言い換えれば、１つを超える中央移送チャンバ３１０は存在せず、単一の中央移送チャンバ３１０は、中央ロボットハブ３１２に取り付けられた単一の中央ロボット５００（図１０～図１４に詳細に示す）を含む。単一の中央移送チャンバ３１０に配置された中央ロボット５００は、基板処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、及び３７０から基板をロード及びアンロードするように構成される。図示の実施形態では、５つの基板処理チャンバがあるが、本明細書でより詳細に説明するように、基板処理システム又はプラットフォーム３００は、５つ以下の基板処理チャンバを含む。
【0039】
［００５６］基板処理システム又はプラットフォーム３００は更に、基板処理チャンバと、そこから基板がロードされる周囲工場環境３０３との間に配置されたファクトリインターフェース３０２を備える。１又は複数の実施形態では、ファクトリインターフェース３０２は、基板反転治具４００を備えたデュアルファクトリインターフェースとして構成され、これは、以下に更に説明するように、基板処理プラットフォーム又はシステムが任意の基板（例えば、直径３００ｍｍのウエハ及びＥＵＶマスクブランク（例えば、１５２ｍｍ×１５２ｍｍのマスクブランク））の両側に堆積させることを可能にするように構成される。幾つかの実施形態では、以下に更に詳細に説明するように、単一の中央ロボット５００は、１ｋｇのペイロードを支持するように構成され、キャリアベース及びトップシールドを含むＥＵＶマスクブランクキャリアアセンブリを使用して処理されるＥＵＶマスクブランク基板を支持して移送するのに適している。基板反転治具４００（以下に更に詳細に説明する）は、ファクトリインターフェース３０２内に配置され、基板処理チャンバの１つにおいて基板の表側及び裏側の両方に層を堆積させることができるように、表側及び裏側を有する基板を１８０度回転させるように構成される。ファクトリインターフェース３０２は更に、複数のロードポート３０４を備え、ロードポートのうちの一方は、３００ｍｍウエハ等の１つの種類の基板をロードするように構成されていてよく、ロードポートのうちの他方は、ＥＵＶマスクブランクキャリアアセンブリと共にＥＵＶマスクブランク等の別の種類の基板をロードするように構成され得る。
【0040】
［００５７］ファクトリインターフェース３０２と基板処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、及び３７０との間には、真空条件下にある第１のロードロックチャンバ３３２と第２のロードロックチャンバ３３４とがある。ファクトリインターフェースは、エンクロージャ３４８によって周囲工場環境から隔離される。第１のロードロックチャンバ３３２と第２のロードロックチャンバ３３４は、ファクトリインターフェース３０２と中央移送チャンバ３１０との間に配置され、ファクトリインターフェース３０２から基板処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、及び３７０への中間移送空間となるように構成される。以下に更に詳細に説明するように、基板反転治具４００は、基板を１８０度反転又は回転させるように構成される。周囲工場環境３０３からファクトリインターフェース３０２内に、また基板反転治具４００上に基板をロードするように構成されたファクトリインターフェースロボット３５２がある。
【0041】
［００５８］幾つかの実施形態では、ファクトリインターフェースロボット３５２は、ファクトリインターフェース３０２と第１のロードロックチャンバ３３２との間で、及びファクトリインターフェース３０２と第２のロードロックチャンバ３３４との間で基板を移送するように構成される。ファクトリインターフェースロボット３５２は、幾つかの実施形態では更に、図７に関して更に説明するように、ＥＵＶマスクブランク基板及びＥＵＶマスクブランクキャリアアセンブリの処理に利用される第１のビルドモジュール治具４５０及び第２のビルドモジュール治具４５１の内外へ基板をロード及びアンロードするように構成される。
【0042】
［００５９］中央移送チャンバ３１０は、処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、及び３７０間の全ての移送が行われる基板ハンドリング真空チャンバとして構成され、全て真空条件下にある、中央移送チャンバ３１０を取り囲む基板処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、及び３７０間の全ての移送のために単一の中央ロボット５００を有することによって、小さい設置面積を有し、ロボットによる移送を低減させたプラットフォームを提供する。中央移送チャンバ３１０は、中央ロボットハブ３１２上に配置された中央に位置する中央ロボット５００（図１０～図１４に関して更に説明）を含む。以下に更に詳細に説明するように、中央ロボット５００は、所定の経路に沿って基板をロード及び移送するように構成される。幾つかの実施形態では、中央ロボット５００は、時計回りの経路で基板をロード及び移送するように構成される。幾つかの実施形態では、中央ロボットは、反時計回りの経路で基板をロード及び移送するように構成される。幾つかの実施形態では、中央ロボット５００は、２つ以上の処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、及び３７０の間で基板をロード及び移送するように構成される。
【0043】
［００６０］中央移送チャンバ３１０は、２つ以上の処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８及び３７０の各々又は他の様々なシステムの構成要素と連絡する複数のポート３８０（図１２参照）をその周辺部に有する。幾つかの実施形態では、処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８及び３７０は、マルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、基板アニールチャンバ、ガス抜きチャンバ及び前洗浄チャンバを含む。ガス抜きチャンバは、基板から熱的に水分を脱離させるためのものであり、前洗浄チャンバは、基板の表面を洗浄するためのものである。２つ以上の処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、及び３７０が、中央移送チャンバ３１０の周辺部に配置される。
【0044】
［００６１］図３に示すように、第１のマルチカソードＰＶＤチャンバ３６２は、中央移送チャンバ３１０と連絡し、第１のロードロックチャンバ３３２に隣接している。第１の基板アニールチャンバ３６４は、中央移送チャンバと連絡し、第１のマルチカソードＰＶＤチャンバ３６２に隣接している。幾つかの実施形態では、第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ３６６が第１の基板アニールチャンバ３６４に隣接して配置され、第２の基板アニールチャンバ３６８が第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ３６６に隣接して配置される。第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ３６６及び第２の基板アニールチャンバ３６８は各々、ポート３８０を通して中央移送チャンバ３１０と連絡している。幾つかの実施形態では、第２の基板アニールチャンバ３６８は第２のロードロックチャンバ３３４に隣接している。幾つかの実施形態では、第２の基板アニールチャンバ３６８は第３のマルチカソードＰＶＤチャンバ３７０に隣接しており、第３のマルチカソードＰＶＤチャンバは中央移送チャンバ３１０と連絡し、第２のロードロックチャンバ３３４に隣接して配置されている。
【0045】
［００６２］幾つかの実施形態では、１又は複数のアニールチャンバ（３６４、３６８）は、１又は複数の基板をアニールするように構成された複数基板アニールチャンバである。幾つかの実施形態では、マルチカソードＰＶＤチャンバ（３６２、３６６、３７０）のうちの１又は複数は、１又は複数の基板に１又は複数の異なる層を堆積させるように構成されたマルチカソードＰＶＤチャンバである。幾つかの実施形態では、アニールチャンバ（３６４、３６８）のうちの１又は複数及びマルチカソードＰＶＤチャンバ（３６２、３６６、３７０）のうちの１又は複数が、中央ロボット５００から１又は複数の基板を受け入れるように構成された基板支持面を有する１又は複数の領域を含む。幾つかの実施形態では、５つの基板処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、３７０は、少なくとも２つのマルチカソード物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、シングルカソードＰＶＤチャンバ、及び少なくとも１つの基板アニールチャンバ、並びに異なる層を堆積させるように構成された少なくとも第１のマルチカソードＰＶＤチャンバを含む。
【0046】
［００６３］幾つかの実施形態では、処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８は、吸収体（ＴａＮ）、裏側（ＣｒＮ）及びアニールチャンバを含む。幾つかの実施形態では、マルチカソードＰＶＤチャンバ（３６２、３６６、３７０）のうちの１又は複数は、高機能吸収体マルチカソード堆積チャンバを含む。
【0047】
［００６４］幾つかの実施形態では、マルチカソードＰＶＤチャンバ（３６２、３６６、３７０）のうちの１又は複数は、複数のカソードアセンブリを含むＰＶＤチャンバとして構成される。複数のカソードアセンブリは、上部シールドのシールド孔の上方に配置される。複数のカソードアセンブリの各々は、１又は複数のターゲットを含み、１又は複数のターゲットからレチクル又は基板上に材料を堆積させるように構成される。幾つかの実施形態では、ＰＶＤチャンバには回転ぺデスタルも配設されている。このような実施形態では、ＰＶＤチャンバは、上部シールドを回転させることなく、１又は複数のターゲットから交互に材料をスパッタするように構成される。
【0048】
［００６５］幾つかの実施形態では、１又は複数のターゲットは、モリブデンターゲット及びシリコンターゲットを含む。プラズマスパッタリングは、ＰＶＤチャンバにおいてＤＣスパッタリング又はＲＦスパッタリングのいずれかを使用して達成することができる。幾つかの実施形態では、プロセスチャンバは、ＲＦ及びＤＣエネルギーを各カソードアセンブリに関連するターゲットに結合させるための供給構造を含む。
【0049】
［００６６］図４及び図５は、中央移送チャンバ３１０と基板処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８及び３７０の各々との間のインターフェースを提供するポート３８０の例示的な実施形態であり、図示の実施形態では、基板処理チャンバの各々に対してポート３８０が存在する。図示の実施形態では、ポート３８０は垂直スリットバルブ３８１として構成されている。図４は、垂直スリットバルブ３８１を示す斜視図であり、図５は、垂直スリットバルブ３８１を示す断面図である。図４及び図５に示すように、中央移送チャンバ３１０のチャンバ壁３１１には、基板が通過する垂直開口部３８２が形成されている。矢印で示すように、ドア３８４は垂直開口部３８２と直交する方向に移動する。別の言い方をすれば、ドア３８４は中央移送チャンバ３１０のチャンバ壁３１１に対して平行に移動する。従来のポートに比べドア３８４の移動距離が短いため、ドア３８４が完全に閉じたときに生じる衝撃が少なく、従って粒子の発生が最小限に抑えられる。
【0050】
［００６７］図６は、ファクトリインターフェース３０２のエンクロージャ３４８内に配置された基板反転治具４００を示す斜視図である。前述したように、材料の層が、基板処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、３７０のうちの１つにおいてＥＵＶマスクブランク基板等の基板の第１の側（例えば、表側）に堆積され、次いで、基板が中央ロボット５００によって、中央移送チャンバ３１０に、次いでファクトリインターフェース３０２に取り出され、ここで基板は、表側が下方を向き、底側が上方を向くように１８０度反転又は回転される。
【0051】
［００６８］移送及び処理中の移送のすべてが粒子発生の潜在的な原因であるため、ファクトリインターフェース３０２内に基板反転治具４００を統合することにより、不必要な追加のハンドリング及び別のシステムへの基板の移送が減り、粒子の低減に役立つ。幾つかの実施形態では、基板反転治具４００は、ファクトリインターフェース３０２内に位置するビルドモジュール治具の上方に取り付けられる。
【0052】
［００６９］基板反転治具４００は、垂直スライド４０４を支持するベース４０２と、垂直スライド４０４の上方に配置されたモータ４０６とを含む。一対の把持要素４０８、４０９が、基板の表側６１６ｆと裏側６１６ｂとの間で基板６１６（例えば、ＥＵＶマスクブランク）のエッジ６１６ｅを把持するように構成される。把持要素４０８、４０９は、図示のように、離間したアームの形態であってよく、基板６１６を把持又は保持するために互いに接近して閉じ、基板６１６を解放するために更に離間して開くことができる。把持要素４０８、４０９は、ゴム又はプラスチック等の材料のブロックを含む把持特徴を含み得る。把持要素４０８、４０９は、モータ４０６によって駆動されて矢印４１０、４１２の方向に１８０度回転し、基板６１６の表側６１６ｆを、表側６１６ｆが上方を向く第１の位置から、表側６１６ｆが下方を向き、裏側６１６ｂが上方を向く第２の位置まで回転させるように構成される。
【0053】
［００７０］基板反転治具４００は更に、離間され、基板反転又は回転プロセス中に基板６１６を支持するように構成された２つの支持アーム４２０を含む可動支持治具４２２を含む。可動支持治具４２２は、垂直スライド４０４に沿って上下方向に移動し、幾つかの実施形態では、モータ４０６によって動力を供給される。基板反転治具の動作サイクルは、基板反転治具４００が基板６１６を受け入れたときに開始し、基板６１６は、図示の実施形態では、以下に更に説明するように、ファクトリインターフェースロボット３５２からのＥＵＶマスクブランク基板である。
【0054】
［００７１］ここで、基板反転又は回転プロセスの様々な段階を示す図７～図９を参照する。図７は、ファクトリインターフェース３０２における第１のビルドモジュール治具４５０に隣接して配置された基板反転治具４００を示す斜視図である。図７において、第１のビルドモジュール治具４５０は、キャリアベース４６２と、その中に、図１５に示すＥＵＶマスクブランク基板４６５（例えば、１５２ｍｍ×１５２ｍｍの長さ×幅寸法を有するＥＵＶマスクブランク）を受け入れるように構成された開口部４６６を有するトップシールド４６４とを含むマスクブランクキャリアアセンブリ４６０の構成要素がより良く見えるような位置に示されていることが理解されよう。ビルドモジュール治具４５０は、主支持本体４７０と、複数のリフトピン４６８（図７では１本のみ見える）とを含む。ビルドモジュール治具４５０は、ビルドモジュール治具４５０が可動支持治具４２２の下方の位置に取り付けられるように、ファクトリインターフェース内のフレーム又はその他の適切な構造に取り付けることができる。リフトピン４６８は、空気圧、油圧又はモータ（例えば、サーボモータ）アクチュエータによって作動させることができ、これにより、トップシールド４６４がキャリアベース４６２から持ち上げられ、ＥＵＶマスクブランクキャリアアセンブリによって支持され、開口部内に収容された基板６１６が露出する。カバートップシールド４６４を持ち上げると基板６１６が露出するので、反転又は回転プロセス中に基板を可動支持治具４２２に移動させるロボットブレードによって基板にアクセスすることができる。
【0055】
［００７２］図８は、（図３の）ファクトリインターフェースロボット３５２に取り付けられたファクトリインターフェースロボットブレード３５３を示す斜視図である。ファクトリインターフェースロボットブレード３５３は、ファクトリインターフェースロボット３５２が基板反転治具４００の様々な構成要素、すなわち可動支持治具４２２及び一対の把持要素４０８、４０９に対して基板６１６を持ち上げたり下げたりできるように、矢印６９２によって示すように、また矢印６９０によって示す方向に上下に移動可能である。図８に示すように、基板６１６の表側６１６ｆは上向きであり、裏側６１６ｂは下向きである。
【0056】
［００７３］図９は、図８に示す基板を１８０度回転させた後に、一対の把持要素４０８、４０９が可動支持治具４２２の上方の上昇した位置に基板６１６を保持した状態の基板反転治具４００を示す図である。このとき、裏側６１６ｂは上向きとなり、表側６１６ｆは下向きとなっている。ここで、可動支持治具４２２を一対の把持要素４０８、４０９の近くに移動させることができ、スタンドオフ４１２ａ、４１２ｂ、４１２ｃ、及び４１２ｄが基板６１６に接触すると、把持要素４０８、４０９が離間する。次に、ファクトリインターフェースロボットブレード３５３を使用して基板を取り出し、基板をロードロックチャンバ３３２、３３４の一方に載置して戻す。次に、基板の裏側６１６ｂに材料層を堆積させることができるように、中央ロボット５００が基板処理チャンバに基板を移動させる。
【0057】
［００７４］工程において、ファクトリインターフェースロボット３５２は、図８に示すように、可動支持治具４２２の支持アーム４２０上のスタンドオフ４１２ａ、４１２ｂ、４１２ｃ及び４１２ｄ上にＥＵＶマスクブランクの形態の基板６１６を配置する。次に、可動支持治具４２２を上方に移動させ、一対の把持要素４０８、４０９が基板のエッジ６１６ｅを把持する位置に来るようにする。一対の把持要素４０８、４０９は、可動支持治具が一対の把持要素４０８、４０９に近づくように移動する工程の間は離間するように移動していてよく、それから一対の把持要素４０８、４０９は、基板６１６をエッジ６１６ｅで把持するために互いに近づくように移動し得る。
【0058】
［００７５］各把持要素４０８、４０９は、モータ４０６と通信して、モータが基板を把持及び解放することを可能にする把持要素センサ４３２ａ、４３２ｂを有していてよい。把持要素センサ４３２ａ、４３２ｂは、コントローラ３５１と通信しており、このコントローラは、中央ロボット５００及びファクトリインターフェースロボット３５２を含む基板処理システム又はプラットフォーム３００の動作を制御する命令を実行するように構成される。支持アームセンサ４３２ｃ、４３２ｄも、可動支持治具４２２の上方及び下方への移動を制御するために、コントローラと通信している。
【0059】
［００７６］図１０から図１５は、中央ロボット５００の例示的な実施形態を示す図である。半導体基板処理チャンバにおいて３００ｍｍウエハをハンドリングするために使用される従来のロボットアームは、１又は複数の個別の移送作業用に構成される。更に、従来のロボットアームは、アームの重量ペイロード及びアームのリーチによって制限される。特定の用途において、より大きいペイロードとアームのリーチが要求される場合、ロボットの早期摩耗、粒子の発生、垂れ下がりが起きる可能性がある。記載の中央ロボット５００は、有利なことに、３９．５インチのリーチで１ｋｇの荷重を支持する一方で、垂れ下がりを減らし、粒子及び汚染物質の発生を少なくする。
【0060】
［００７７］前述したように、（図３の）中央移送チャンバ３１０は、中央ロボットハブ３１２上に配置された中央に位置する中央ロボット５００を含む。図１０は、中央ロボット５００を示す斜視図であり、図１１は、中央ロボット５００を示す上面図である。図１０及び図１１に示すように、中央ロボット５００は、中央ロボットハブ３１２、ロボットアームアセンブリ５１０、ベースエンドエフェクタ５５０及びロボットブレード５７０を含む。ロボットアームアセンブリは、ｘ－ｙ平面で伸縮し、ｘ－ｙ平面はｚ平面を横切る。
【0061】
［００７８］中央ロボットハブ３１２は、実質的に円筒形の本体５０２と、上面５０４と、上面５０４をＺ平面で横切る中心軸５０１とを有する。ロボットアームアセンブリ５１０は、第１のアーム５１２、第２のアーム５２２、第１のリンケージ５３２及び第２のリンケージ５４２を備える。幾つかの実施形態では、中央ロボットハブ３１２は、第１の回転ディスク５０６及び第２の回転ディスク５０８を更に備える。第１の回転ディスク５０６は上面５０４に隣接し、第２の回転ディスク５０８は第１の回転ディスク５０６に隣接する。第１及び第２の回転ディスク（５０６、５０８）は、反対方向に回転するように構成される。第１の回転ディスク５０６は厚みと外面を有し、第２の回転ディスク５０８は厚みと外面を有する。中央ロボットハブ３１２、第１の回転ディスク５０６及び第２の回転ディスク５０８は、共通の中心軸５０１を有する。
【0062】
［００７９］図１２に示すように、第１のアーム５１２は近位端部５１４及び遠位端部５１６を有し、近位端部５１４はロボットハブ（図示せず）に取り付けられる。本明細書で使用する近位方向はロボットハブに最も近い位置として定義され、遠位方向はロボットハブから最も遠い位置として定義される。同様に、第２のアーム５２２は、近位端部５２４及び遠位端部５２６を有し、近位端部５２４は、ロボットハブ（図示せず）に取り付けられる。第１のリンケージ５３２は、近位端部５３４及び遠位端部５３６を有し、近位端部５３４は、第１のアーム５１２の遠位端部５１６に接続される。第２のリンケージ５４２は、近位端部５４４及び遠位端部５４６を有し、近位端部５４４は、第２のアーム５２２の遠位端部５２６に接続される。幾つかの実施形態では、第１のアーム５１２の近位端部５１４は、第１の回転ディスク５０６の外面に取り付けられ、第２のアーム５２２の近位端部５２４は、第２の回転ディスク５０８の外面に取り付けられる。
【0063】
［００８０］ベースエンドエフェクタアセンブリ５５０は、中間端部５５２及び側方端部５５４を有する。中間端部５５２は、第１のリンケージ５３２の遠位端部５３６に接続され、側方端部５５４は、第２のリンケージ５４２の遠位端部５４６に接続される。遠位部分５７６は、レチクル又はＥＵＶマスクブランク基板を支持するように構成される。幾つかの実施形態では、ベースエンドエフェクタ５５０は、屈曲プレート５５６及びカバー５５８を備え、屈曲プレート及びカバーは、ロボットブレードを固定するように構成される。
【0064】
［００８１］図１１及び図１４に最もよく示すように、ロボットブレード５７０はエンドエフェクタアセンブリから延在ずる。ロボットブレード５７０は、厚さを画定する上面５８０及び底面（図示せず）を有する。ロボットブレード５７０は、エンドエフェクタアセンブリに取り付けられた近位端部５７４を有する近位部分５７２と、遠位端部５７８を有する遠位部分５７６とを含む。遠位部分５７６は、レチクル又は基板６１６が着座する領域を画定する。幾つかの実施形態では、遠位部分５７６は、遠位部分５７６に沿って延在する複数のリブ５８２を含む。幾つかの実施形態では、遠位部分５７６は、ノッチ５８４を有する。図１４に最もよく示すように、ノッチ５８４は、遠位端部５７８から距離Ｄ１に位置するピーク５８６を有する。幾つかの実施形態では、ピーク５８６の距離Ｄ１は、１２インチより大きい。
【0065】
［００８２］図１１は、完全に引き込まれた位置にある中央ロボット５００を図示する。図１３Ａは、完全に伸長した位置にある中央ロボットを図示し、中央ロボット５００は、ロボットブレード５７０のノッチ５８４のピーク５８６に着座したレチクル又は基板６１６を有する。図１３Ｂは、完全に伸長した位置にある中央ロボットを図示する。中央ロボット５００のリーチＲは、中央ロボットハブ３１２の共通中心軸５０１とノッチ５８４のピーク５８６との間の距離によって定義され、リーチはｘ－ｙ平面に延在する。レチクル又は基板６１６がピーク５８６に着座する場合、レチクル又は基板６１６の中心軸９１はピーク５８６の上に位置決めされる。
【0066】
［００８３］幾つかの実施形態では、完全に伸長した位置における中央ロボット５００の最大リーチＲは３９インチより大きい。幾つかの実施形態では、完全に引き込まれた位置における中央ロボット５００の最小リーチＲは１２インチである。
【0067】
［００８４］中央ロボット５００の掃引直径は、中央ロボット５００が完全に引き込まれた位置にあるときに、中央ロボットハブ３１２の共通中心軸５０１から中央ロボット５００の最も遠い点までとして定義される。図１１に示すように、本実施形態では、ロボットブレード５７０の長さにより、最も遠い点は、中央ロボットハブ３１２の共通中心軸５０１からロボットブレード５７０の遠位端部５７８までである。本実施形態では、掃引直径は、３７．４インチ未満である。より短いロボットブレード５７０を有する幾つかの実施形態では、最も遠い点は、共通中心軸５０１から第１及び第２のアーム５１２、５２２の遠位端部５２６、５１６までである。
【0068】
［００８５］図１５は、ロボットブレード５７０上に着座したレチクル又は基板６１６を有するロボットブレード５７０を示す断面図であり、ロボットブレード５７０は、中央移送チャンバ３１０の複数のポート３８０のうちの１つに部分的に挿入されている。レチクル又は基板６１６の重量が１ｋｇであり、完全に伸長した位置における中央ロボット５００の最大リーチが３９インチより大きいため、ｚ－ｘ平面における中央ロボット５００の垂れ下がりは、中央移送チャンバ３１０の複数のポート３８０のうちの１つに挿入されたロボットブレード５７０の通過に影響を及ぼし得る。
【0069】
［００８６］幾つかの実施形態では、ロボットブレード５７０の遠位端部５７８は、中央ロボット５００が１ｋｇの荷重下にある間、完全に伸長した中央ロボット５００の最大リーチにわたって、中央ロボットハブ３１２の共通中心軸５０１に対してｚ方向に０．１９７５インチ未満だけ撓む。中央ロボット５００の垂下比は、中央ロボット５００が１ｋｇの荷重下にある状態で、完全に伸長した中央ロボット５００の最大リーチにわたる、中央ロボットハブ３１２の共通中心軸５０１に対するｚ方向の遠位端部５７８の撓みとして定義される。幾つかの実施形態では、垂下比は０．００５である。
【0070】
［００８７］幾つかの実施形態では、ベースエンドエフェクタ（図示せず）は、完全に伸長した中央ロボット５００の最大リーチにわたって、中央ロボットハブ３１２の共通中心軸５０１に対して０．０１６５インチ未満だけ撓み、中央ロボット５００は１ｋｇの荷重下にある。
【0071】
［００８８］１又は複数の実施形態によれば、中央ロボット５００は、最小の撓み及びより長いリーチのために設計されたロボットアーム及びブレードを備える。ロボットアームのリンケージは、約１キログラムの荷重を担持するブレードを支持するように設計されている。新しいロボットアームのリンケージは、使用中に発生する粒子が少なく、垂れ下がりが少なくなるように設計されている。動作プロファイル、特にロボットの加速と減速は、アセンブリの動作の振動が少なく、粒子の発生が少なくなるように調整されている。
【0072】
［００８９］新しいリンケージの設計及び新しい動作プロファイルによる調整により、改良されたロボットは、最小の粒子発生及び垂れ下がりで、より高いペイロード及びより長いリーチをハンドリングすることができる。ＥＵＶマスクブランク基板の移送中に粒子の発生を抑えながら、より重いＥＵＶマスクブランク基板とキャリアアセンブリをハンドリングすることは、ＥＵＶマスクブランクの製造にとって有益である。
【0073】
［００９０］幾つかの実施形態では、コントローラ３５１は、基板処理プラットフォームに、ファクトリインターフェースから第１のロードロックチャンバ及び第１のマルチカソードＰＶＤチャンバに基板をロードさせ、基板の表側に層を堆積させ、第１のマルチカソードＰＶＤチャンバから基板を取り出させ、第１のロードロックチャンバ及び第２のロードロックチャンバのうちの１つに基板をロードさせ、その後、ファクトリインターフェースに基板を移送させて戻し、基板を１８０度回転させて回転した基板を提供させ、第１のロードロックチャンバ及び第２のロードロックチャンバのうちの１つに回転した基板を移送させ、第１のマルチカソードＰＶＤチャンバ、第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ、及びシングルカソードＰＶＤチャンバのうちの１つに回転した基板をロードさせて回転した基板の裏側に層を堆積させる命令を実行するように構成される。
【0074】
［００９１］図示のように単一のコントローラ３５１が存在していてよい、又は複数のコントローラが存在していてよい。複数のコントローラがある場合、各コントローラは、基板処理システム又はプラットフォーム３００の全体的な機能を制御するために、他の各コントローラと通信する。例えば、複数のコントローラが利用される場合、一次制御プロセッサが、システムを制御するために、他のコントローラの各々に結合され、通信する。コントローラは、様々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するために産業環境で使用され得る、汎用コンピュータプロセッサ、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ等の任意の形態の１つである。本明細書で使用する「通信する、通信している」とは、コントローラが有線通信ラインを介して又は無線で信号を送受信できることを意味する。
【0075】
［００９２］各コントローラは、プロセッサと、プロセッサに結合されたメモリと、プロセッサに結合された入出力デバイスと、異なる電子部品間の通信を提供するための支援回路とを含み得る。メモリは、一過性メモリ（例えば、ランダムアクセスメモリ）及び非一過性メモリ（例えば、ストレージ）のうちの１又は複数を含み、プロセッサのメモリは、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、又はローカルもしくはリモートの任意の他の形態のデジタルストレージ等の容易に入手可能なメモリのうちの１又は複数であり得る。メモリ３９４は、システムのパラメータ及び構成要素を制御するためにプロセッサ３９２によって操作可能な命令セットを保持することができる。支援回路は、従来の方法でプロセッサをサポートするためにプロセッサに結合される。回路は、例えば、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路、サブシステム等を含み得る。
【0076】
［００９３］本明細書に記載の方法は、概して、プロセッサによって実行されると、プロセスチャンバに本開示のプロセスを実行させるソフトウェアルーチンとしてメモリに記憶され得る。ソフトウェアルーチンはまた、プロセッサによって制御されたハードウェアから遠隔に位置する第２のプロセッサによって記憶及び／又は実行され得る。１又は複数の実施形態では、本開示の方法の一部又は全ては、制御されたハードウェアである。このように、幾つかの実施形態では、プロセスは、ソフトウェアによって実装され、コンピュータシステムを使用して、例えば、特定用途向け集積回路又は他のタイプのハードウェア実装態様としてのハードウェアにおいて、又はソフトウェア及びハードウェアの組み合わせとして実行される。ソフトウェアルーチンは、プロセッサによって実行されると、汎用コンピュータを、プロセスが実行されるようにチャンバの動作を制御する特定目的のコンピュータ（コントローラ）に変換する。
【0077】
［００９４］幾つかの実施形態では、コントローラ３５１は、ファクトリインターフェース３０２、処理チャンバ３６２、３６４、３６６、３６８、３７０、及び中央移送チャンバ３１０内に配置された中央ロボット５００の回転を制御するように構成される。
【0078】
［００９５］極紫外線反射素子６０２の実施形態を示す図１６を参照する。１又は複数の実施形態では、極紫外線反射素子６０２は、ＥＵＶマスクブランク又はＥＵＶミラーである。ＥＵＶマスクブランク及びＥＵＶミラーは、図１の極紫外線光１１２を反射するための構造である。
【0079】
［００９６］極紫外線反射素子６０２は、基板６０４、反射層の反射多層スタック６０６、及びキャッピング層６０８を含む。反射多層スタック６０６は、例えば波長１３．５ｎｍのＥＵＶ放射を反射する。１又は複数の実施形態では、図１の集光器１０４又は図１の光学縮小アセンブリ１０８で使用するための反射構造を形成するために、極紫外線ミラーが使用される。
【0080】
［００９７］幾つかの実施形態ではＥＵＶマスクブランクである極紫外線反射素子６０２は、基板６０４、シリコン及びモリブデンの交互層を含む反射層の反射多層スタック６０６、及びオプションのキャッピング層６０８を含む。幾つかの実施形態における極紫外線反射素子６０２は、ＥＵＶマスクブランクであり、これは、パターニングによって図１の反射マスク１０６を形成するために使用される。以下のセクションにおいて、ＥＵＶマスクブランクの用語は、簡略化のために極紫外線ミラーの用語と互換的に使用される。
【0081】
［００９８］ＥＵＶマスクブランクは、マスクパターン１１４を有する反射マスク１０６を形成するために使用される光学的に平坦な構造である。１又は複数の実施形態では、ＥＵＶマスクブランクの反射面は、図１の極紫外線光１１２等の入射光を反射するための平坦な焦点面を形成する。
【0082】
［００９９］基板６０４は、極紫外線反射素子６０２に構造的支持を提供するための要素である。１又は複数の実施形態では、基板６０４は、温度変化中の安定性を提供するために、低い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する材料から作られる。１又は複数の実施形態では、基板５０４は、機械的サイクル、熱サイクル、結晶形成、又はそれらの組み合わせに対する安定性等の特性を有する。１又は複数の実施形態による基板６０４は、シリコン、ガラス、酸化物、セラミック、ガラスセラミック、又はそれらの組み合わせ等の材料から形成される。
【0083】
［００１００］反射多層スタック６０６は、極紫外線光１１２に対して反射性を有する構造である。反射多層スタック６０６は、第１の反射層６１２及び第２の反射層６１４の交互の反射層を含む。第１の反射層６１２及び第２の反射層６１４は反射対６１８を形成する。非限定的な実施形態では、多層スタック６０６は、２０から６０の範囲の反射対６１８、つまり合計最大１２０の反射層を含む。
【0084】
［００１０１］１又は複数の実施形態に係る第１の反射層６１２及び第２の反射層６１４は、様々な材料から形成される。実施形態では、第１の反射層６１２及び第２の反射層６１４は、それぞれシリコン及びモリブデンから形成される。幾つかの実施形態の第１の反射層６１２及び第２の反射層６１４は、様々な構造を有する。実施形態では、第１の反射層６１２及び第２の反射層６１４の両方が、単層、多層、分割層構造、不均一構造、又はそれらの組み合わせで形成される。ほとんどの材料は極紫外線波長で光を吸収するため、使用される光学素子は、他のリソグラフィシステムで使用されるような透過性ではなく反射性である。反射多層スタック６０６は、異なる光学特性を持つ材料の薄層を交互に重ねて反射構造を形成し、ブラッグリフレクタ又はミラーを作成する。
【0085】
［００１０２］１又は複数の実施形態に係る反射多層スタック６０６は、様々な方法で形成される。実施形態では、第１の反射層６１２及び第２の反射層６１４は、マグネトロンスパッタリング、イオンスパッタリングシステム、パルスレーザ堆積、カソードアーク堆積、又はそれらの組み合わせで形成される。
【0086】
［００１０３］例示的な実施形態では、反射多層スタック６０６は、マグネトロンスパッタリング等の物理的気相堆積技法を用いて形成される。実施形態では、反射多層スタック６０６の第１の反射層６１２及び第２の反射層６１４は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のきれいな接合面を含むマグネトロンスパッタリング技法によって形成される特性を有する。実施形態では、反射多層スタック６０６の第１の反射層６１２及び第２の反射層６１４は、正確な厚さ、低い粗さ、及び層間のきれいな接合面を含む物理的気相堆積によって形成される特性を有する。
【0087】
［００１０４］物理的気相堆積技法を用いて形成された反射多層スタック６０６の層の物理的寸法は、反射率を高めるために正確に制御される。実施形態では、シリコンの層等の第１の反射層６１２は、４．１ｎｍの厚さを有する。モリブデンの層等の第２の反射層６１４は、２．８ｎｍの厚さを有する。層の厚さは、極紫外線反射素子の反射率のピーク波長を決定する。層の厚さが正しくない場合、幾つかの実施形態の所望の波長１３．５ｎｍにおける反射率が低下する。
【0088】
［００１０５］１又は複数の実施形態では、キャッピング層６０８は、極紫外線光１１２の透過を可能にする保護層である。実施形態では、キャッピング層６０８は、反射多層スタック６０６上に直接形成される。１又は複数の実施形態では、キャッピング層６０８は、反射多層スタック６０６を汚染物質及び機械的損傷から保護する。一実施形態では、反射多層スタック６０６は、酸素、炭素、炭化水素、又はそれらの組み合わせによる汚染に敏感である。実施形態に係るキャッピング層６０８は、汚染物質と相互作用してそれらを中和する。
【0089】
［００１０６］ここで、方法７００を示す図１７を参照する。１又は複数の実施形態では、基板処理プラットフォームにおけるＥＵＶマスクブランク基板の処理方法７００は、７１０において、ＥＵＶマスクブランク基板の表側に反射多層スタックを堆積させることを含む。７２０において、ＥＵＶマスクブランクをアニールする。７３０において、反射多層スタック上に吸収体層を堆積させる。オプションとして、吸収体層を堆積させる前に、反射多層スタック上にキャッピング層を堆積させることができる。７４０において、ＥＵＶマスクブランクを１８０度回転又は反転させる。基板を反転させた後、７５０において、ＥＵＶマスクブランクの裏側にＣｒＮ等の裏側層を堆積させる。７６０において、ＥＵＶマスクブランクをアニールすることができる。
【0090】
［００１０７］図１８は、方法８００の別の実施形態を開示する。８０２において、本方法は、ファクトリインターフェースからＥＵＶマスクブランク基板を取り出して、第１のロードロックチャンバにＥＵＶマスクブランク基板を移送するために、ファクトリインターフェースロボットを使用することを含む。８０３において、本方法は、第１のロードロックチャンバから単一の中央移送チャンバを通して第１のマルチカソードＰＶＤチャンバにＥＵＶマスクブランクを移送するために、中央ロボットを使用することを含む。８０４において、本方法は、第１のマルチカソードＰＶＤチャンバにおいてＥＵＶマスクブランク基板の表側に、複数の二層対を含む反射多層スタックを堆積させることを含む。８０６において、第２のマルチカソードＰＶＤチャンバにＥＵＶマスクブランク基板を移送するために、中央ロボットを使用する。８０８において、第２のマルチカソードＰＶＤチャンバにおいて反射多層スタックを堆積させた後に、第１の基板の表側に吸収体層を堆積させ、８０８において、第１の基板アニールチャンバにおいてＥＵＶマスクブランク基板をアニールする。
【0091】
［００１０８］８１０において、本方法は、第１のロードロックチャンバ又は第２のロードロックチャンバにＥＵＶマスクブランク基板を移送するために、中央ロボットを用いることを含む。８１２において、本方法は、アニール後に、第１のロードロックチャンバ又は第２のロードロックチャンバからファクトリインターフェースにＥＵＶマスクブランク基板を移送して戻すために、ファクトリインターフェースロボットを用いることを含む。８１４において、本方法は、表側が下方に向くように基板を１８０度回転させるために、ファクトリインターフェースに配置された基板反転治具を用いることを含む。工程８１６において、本方法は、第１のロードロックチャンバ又は第２のロードロックチャンバにＥＵＶマスクブランクを移送するために、ファクトリインターフェースロボットを用いることを含む。８１８において、本方法は、第１のロードロックチャンバ又は第２のロードロックチャンバから単一の中央移送チャンバを通して第１のマルチカソードＰＶＤチャンバ、第２のマルチカソードＰＶＤチャンバ、及びシングルカソードＰＶＤチャンバのうちの１つに、表側が下方に向いており、裏側が上方に向いているＥＵＶマスクブランクを移送するために、中央ロボットを用いること、そしてその後、ＥＵＶマスクブランク基板の裏側に裏側層を堆積させることを含む。
【0092】
［００１０９］本方法の１又は複数の実施形態では、複数の二層対は、Ｓｉ及びＭｏを含む。１又は複数の実施形態では、吸収体層は反射多層スタック上に堆積される。１又は複数の実施形態では、裏側層はＣｒＮを含む。幾つかの実施形態における方法は、基板を１８０度回転させる前に、ＥＵＶマスクブランク基板を可動支持治具で支持することを含む。本方法の幾つかの実施形態では、基板反転治具は、一対の把持要素を更に含み、本方法は、一対の把持要素を使用して、表側と裏側との間の基板のエッジを把持し、可動支持治具を把持要素から離すように移動させ、把持アームを１８０度回転させて、基板の表側を、表側が上方を向く第１の位置から表側が下方を向く第２の位置まで回転させることを含む。
【0093】
［００１１０］本方法の実施形態は、基板反転治具に隣接して取り付けられたビルドモジュール治具上のＥＵＶマスクブランク治具を含んでいてよく、ビルドモジュール治具は、キャリアベースと、ＥＵＶマスクブランクを受け入れるサイズ及び形状を有する開口部をその中に有するトップシールドとを含むＥＵＶマスクブランクキャリアアセンブリを支持するように構成される。１又は複数の実施形態では、本方法は、ビルドモジュール治具が、キャリアベースからトップシールドを分離させるように構成されたリフトピンを更に含み、リフトピンを使用してキャリアベースからトップシールドを分離させて、ＥＵＶマスクブランク基板を露出させることを含む。
【0094】
［００１１１］本明細書全体で言及する、「一実施形態」、「特定の実施形態」、「１又は複数の実施形態」、又は「実施形態」は、その実施形態に関連して記載する特定の特徴、構造、材料、又は特性が本開示の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書中の様々な箇所における「１又は複数の実施形態では」、「特定の実施形態では」、「１つの実施形態では」、又は「実施形態では」等の句の出現は、必ずしも本開示の同じ実施形態を指すとは限らない。更に、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、１又は複数の実施形態において任意の適切な方法で組み合わせることが可能である。
【0095】
［００１１２］本明細書の開示を、特定の実施形態を参照しながら説明してきたが、これらの実施形態は、本開示の原理及び適用の単なる例示であることを理解されたい。本開示の主旨及び範囲から逸脱することなく、本開示の方法及び装置に様々な修正及び変更を加えることができることが、当業者には明らかであろう。したがって、本開示は、添付の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内にある修正及び変更を含むことが意図されている。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【国際調査報告】