知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
▶ アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドの特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-01-10
(54)【発明の名称】フォトレジストの露光後ベークのための装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/027 20060101AFI20231227BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 568
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023536957
(86)(22)【出願日】2021-11-16
(85)【翻訳文提出日】2023-08-09
(86)【国際出願番号】 US2021059552
(87)【国際公開番号】W WO2022132363
(87)【国際公開日】2022-06-23
(31)【優先権主張番号】17/126,797
(32)【優先日】2020-12-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】390040660
【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ブッフベルガー， ジュニア， ダグラス エー．
(72)【発明者】
【氏名】ルボミルスキー， ドミトリー
(72)【発明者】
【氏名】デュコヴィッチ， ジョン オー．
(72)【発明者】
【氏名】ネマニ， シュリニヴァス ディ．
【テーマコード（参考）】
5F146
【Ｆターム（参考）】
5F146KA04
5F146KA10
(57)【要約】
本明細書では、フォトリソグラフィプロセス中に空隙を介在させることなく、電場及び／又は磁場をフォトレジスト層に印加するための方法及び装置が提供される。本方法及び装置は、処理流体が充填されるように構成されるチャンバ本体と、基板キャリアとを含む。基板が基板キャリア上に搬入される間、基板キャリアは処理空間の外側に配置されるが、処理流体に進入するのと同時又は進入する前のどちらかで、処理位置まで回転される。基板キャリアは、基板の露光後のベークプロセスを実行するために電場が利用される前に、電極と平行な処理位置まで回転される。
【選択図】図１Ｃ
【選択図】図１Ｃ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
処理空間を画定するチャンバ本体であって、底面、
１つ又は複数の側壁、及び
前記チャンバ本体の前記底面を通って配置された流体ポート
を備える、チャンバ本体と、
基板キャリアと、
主要面を含む、前記底面の上方に配置される電極と、
前記チャンバ本体内に配置され、前記基板キャリアを処理位置にガイドするように構成されたトラックであって、１つ又は複数の基板の各々のデバイス側は、前記処理位置にある間、前記電極の主要面に平行である、トラックと、
前記キャリアトラックの少なくとも一部と平行な位置に前記基板キャリアを位置決めするように動作可能なアクチュエータと
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
トラックは、前記チャンバ本体の前記底面に対して第１の角度で配置された第１のトラックセグメントと、
前記第１のトラックセグメントに連結された移行トラックセグメントと、
前記移行トラックセグメントに連結され、前記電極の前記主要面に平行な第２のトラックセグメントと
を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
搬入デバイスが、アクチュエータに連結され、搬入位置から前記第１のトラックセグメントと平行な角度付けされた位置まで前記基板キャリアを回動させるように構成されている、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記角度付けされた位置は、水平面に対して約６０度～約９０度である、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記基板キャリアが前記処理位置にある間の前記電極と前記基板キャリアとの間の距離が、約７ｍｍ未満である、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記トラックは接地されている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記基板キャリアは、前記基板キャリアを前記トラックに連結する１つ又は複数のトラックコネクタを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記基板キャリアは複数の単一キャリアを有するバッチキャリアであり、前記電極はバッチ電極であり、前記バッチ電極は複数の電極デバイスを含み、前記複数の電極デバイスの各々が互いに平行に配置されている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記トラックは、前記チャンバ本体の前記１つ又は複数の側壁に連結される、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記基板キャリアの各々が、その上に配置された絶縁層を含む、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項11】
処理空間を画定するチャンバ本体であって、底面、
１つ又は複数の側壁、及び
前記チャンバ本体の前記底面を通って配置された流体ポート
を備える、チャンバ本体と、
回動アセンブリであって、
基板支持面を含む基板キャリア、
前記基板支持面に平行な主要面を含むように配置される電極、及び
前記基板キャリア及び前記電極に連結され、前記基板キャリア及び前記電極を軸を中心に回動させるように構成されたアクチュエータ
を備える、回動アセンブリと
を備える、基板処理装置。
【請求項12】
前記チャンバ本体は、前記底面に配置された１つ又は複数の接地された接続部を含む、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項13】
前記基板キャリアは、前記電極から電気的に絶縁されている、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記電極は、電源に電気的に接続されている、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項15】
流体蓄積槽が、前記チャンバ本体の前記１つ又は複数の側壁の外側の下方に配置されている、請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項16】
基板キャリアが移送位置にある間に、前記基板キャリア上に１つ又は複数の基板を位置決めすることであって、前記基板キャリア上の前記１つ又は複数の基板は、前記基板キャリアが前記移送位置にあるときに、実質的に水平な配向を有している、１つ又は複数の基板を位置決めすることと、流体ポートからチャンバ本体の処理空間に処理流体を流入させることと、
流体進入位置に前記基板キャリアを配向することであって、前記１つ又は複数の基板は、前記実質的に水平な配向から約６０度～約９０度である流体進入配向を有する前記流体進入位置で前記基板キャリア上に配置される、前記基板キャリアを配向することと、
前記基板キャリア上に配置された前記１つ又は複数の基板の少なくとも一部を、前記流体進入配向にある間に、前記処理流体中に浸漬することと、
前記基板キャリアを処理位置に位置決めすることであって、前記基板キャリア上に配置された前記１つ又は複数の基板は、前記処理流体内に完全に浸漬され、前記基板のデバイス側は、第２の電極の主要面に平行である、前記基板キャリアを処理位置に位置決めすることと
を含む、基板処理方法。
【請求項17】
前記電極の前記主要面は、前記処理位置にある間、前記チャンバ本体の底面に対して直角である、請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項18】
前記基板の少なくとも一部を前記処理流体内に浸漬した後に、前記基板キャリアは、前記基板の前記デバイス側が前記チャンバ本体の底面と平行になるように、軸を中心に回動される、請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項19】
前記基板キャリアは、前記基板の前記デバイス側が前記チャンバ本体の前記底面と平行になるように、トラックに沿って搬送され回転される、請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項20】
前記処理流体が、前記チャンバ本体の１つ又は複数の側壁の上面の上方を流れ、前記チャンバ本体の外側に配置された流体蓄積槽に流入する、請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項21】
処理空間を画定するベースアセンブリであって、底面、
１つ又は複数の側壁、
チャンバ本体を通って配置された流体入口、及び
前記チャンバ本体を通って配置された流体出口
を備える、ベースアセンブリと、
電極アセンブリであって、
穿孔された電極、及び
前記ベースアセンブリ及び前記穿孔された電極の側方に連結されたアクチュエータ
を備える、電極アセンブリと
を備える、基板処理装置。
【請求項22】
前記穿孔された電極は電極メッシュである、請求項２１に記載の基板処理装置。
【請求項23】
前記アクチュエータは、軸を中心に前記穿孔された電極を回動させるように構成されている、請求項２１記載の基板処理装置。
【請求項24】
前記ベースアセンブリは、前記１つ又は複数の側壁の外側に配置された堰を更に備える、請求項２１に記載の基板処理装置。
【請求項25】
前記ベースアセンブリに連結された加熱アセンブリを更に備える、請求項２１に記載の基板処理装置。
【請求項26】
前記処理空間内に１つ又は複数のクランプを更に備える、請求項２１に記載の基板処理装置。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［０００１］本開示は、概して、基板を処理するための方法及び装置に関し、より具体的には、フォトリソグラフィプロセスを改善するための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【0002】
［０００２］集積回路は、単一のチップ上に数百万の構成要素（例えば、トランジスタ、キャパシタ及び抵抗器）を含みうる複雑なデバイスに進化してきた。フォトリソグラフィは、チップ上に構成要素を形成するために使用されうるプロセスである。概して、フォトリソグラフィのプロセスにはいくつかの基本的な段階が含まれる。最初に、基板上にフォトレジスト層が形成される。化学的増幅型フォトレジストは、レジスト樹脂と光酸発生剤とを含みうる。光酸発生剤は、その後の露光段階で電磁放射に露光されると、現像プロセスにおけるフォトレジストの溶解性を変化させる。電磁放射は、任意の適切な波長を有し、例えば、１９３ｎｍのＡｒＦレーザ、電子ビーム、イオンビーム、又は他の適切な放射源からのものでありうる。
【0003】
［０００３］露光段階において、基板の特定の領域を選択的に電磁放射に露光させるために、フォトマスク又はレチクルが使用されうる。他の露光方法は、マスクレス露光法でありうる。光酸発生剤は光への露光によって分解されうるため、それによって酸が生成され、レジスト樹脂内に潜在的な酸の画像がもたらされる。露光後、基板は、露光後ベークプロセスにおいて加熱されうる。露光後ベークプロセスの間、光酸発生剤によって生成された酸は、レジスト樹脂と反応し、この後の現像プロセスの間のレジストの溶解性を変化させる。
【0004】
［０００４］露光後ベークの後に、基板、特にフォトレジスト層が現像され、すすがれる。使用されるフォトレジストのタイプに応じて、電磁放射線に露光された基板の領域は、除去に対する耐性を有するか、又はより除去され易くなるかのどちらかである。現像とすすぎの後に、マスクのパターンは、ウェット又はドライのエッチングプロセスを使用して、基板に転写される。
【0005】
［０００５］チップ設計の進化には、より高速な回路及びより高い回路密度が継続的に必要になる。より高い回路密度への需要によって、集積回路部品の寸法の縮小が必要となる。集積回路部品の寸法が縮小するにつれて、より多くの要素が、半導体集積回路上の所与のエリア内に配置されることが求められる。それに応じて、リソグラフィ処理は、更により小さなフィーチャを基板上に転写しなければならず、リソグラフィは、精密に、正確に、かつ損傷なく行われなければならない。フィーチャを精密かつ正確に基板上に転写するために、高解像度リソグラフィは、短波長の放射を提供する光源を使用しうる。短波長は、基板又はウエハ上の最小プリント可能サイズを縮小することに役立つ。しかし、短波長リソグラフィは、低スループット、ラインエッジラフネスの増大、及び／又はレジスト感度の低下といった問題に悩まされる。
【0006】
［０００６］リソグラフィの露光／現像解像度の向上のため、電磁放射が伝達されるフォトレジスト層の一部分の化学的特性を修正するように、露光プロセスの前又は後に基板上に配置されたフォトレジスト層に電場を生成するために、電極アセンブリが利用されうる。しかしながら、そのようなシステムを実装する際の課題は、まだ十分に克服されていない。
【0007】
［０００７］したがって、浸漬フィールドガイド式の露光後ベーク処理を改良するための改良された方法及び装置が必要とされる。
【発明の概要】
【0008】
［０００８］本開示は、概して、基板処理装置に関する。具体的には、本開示の実施形態は、チャンバ本体、基板キャリア、電極、トラック、及びアクチュエータを含む基板装置に関する。チャンバ本体は、処理空間（ｐｒｏｃｅｓｓ ｖｏｌｕｍｅ）を画定し、底面、１つ又は複数の側壁、及びチャンバ本体の底面を通って配置された流体ポートを含む。電極は、主要面を含む底面の上方に配置される。トラックは、チャンバ本体内に配置され、基板キャリアを処理位置にガイドする（ｇｕｉｄｅ）ように構成される。１つ又は複数の基板の各々のデバイス側は、処理位置にある間、電極の主要面と平行である。アクチュエータは、キャリアトラックの少なくとも一部と平行な位置に基板キャリアを位置決めするように動作可能である。
【0009】
［０００９］別の実施形態では、基板処理装置は、チャンバ本体と、回動アセンブリ（ｓｗｉｎｇ ａｓｓｅｍｂｌｙ）とを含む。チャンバ本体は、処理空間を画定し、底面、１つ又は複数の側壁、及びチャンバ本体の底面を通って配置された流体ポートを含む。回動アセンブリは、基板支持面を有する基板キャリアと、基板支持面に平行に配置された主要面を有する電極と、基板キャリア及び電極に連結され、軸を中心に基板キャリア及び電極を回動させるように構成されたアクチュエータとを含む。
【0010】
［００１０］更に別の実施形態では、基板処理方法について説明する。基板処理方法は、基板キャリアが移送位置（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）にある間に、基板キャリア上に１つ又は複数の基板を位置決めすることを含む。基板キャリア上の１つ又は複数の基板は、基板キャリアが移送位置にあるとき、実質的に水平な配向を有する。本方法は、流体ポートからチャンバ本体の処理空間に処理流体を流入させることと、基板キャリアを流体進入位置に配向することとを更に含む。流体進入位置にある間、１つ又は複数の基板は、実質的に水平な配向から約６０度～約９０度である流体進入配向を有する基板キャリア上に配置される。本方法は、基板キャリア上に配置された１つ又は複数の基板の少なくとも一部を、流体進入配向にある間に、処理流体中に浸漬することと、基板キャリアを処理位置に位置決めすることであって、基板キャリア上に配置された１つ又は複数の基板は、処理流体内に完全に浸漬され、基板のデバイス側は、第２の電極の主要面に平行である、基板キャリアを処理位置に位置決めすることとを更に含む。
【0011】
［００１１］更に別の実施形態では、基板処理装置は、処理空間及び電極アセンブリを画定するベースアセンブリを含む。ベースアセンブリは、底面、１つ又は複数の側壁、チャンバ本体を通って配置された流体入口、及びチャンバ本体を通って配置された流体出口を含む。電極アセンブリは、穿孔された電極と、ベースアセンブリと穿孔された電極の側方に連結されたアクチュエータとを含む。
【0012】
［００１２］本開示の上述の特徴を詳しく理解しうるように、上記で簡単に要約された本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態が添付する図面に示されている。しかし、添付する図面は、例示的な実施形態のみを示しており、したがってその範囲を限定すると見なすべきではなく、他の等しく有効な実施形態を許容しうることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1A】［００１３］本明細書に記載される１つの実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｆｉｅｌｄ ｇｕｉｄｅｄ ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ ｃｈａｍｂｅｒ）の概略断面図である。
【図1B】本明細書に記載される１つの実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図1C】本明細書に記載される１つの実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図1D】本明細書に記載される１つの実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図1E】本明細書に記載される１つの実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図2A】［００１５］本明細書に記載される別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図2B】本明細書に記載される別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図4A】［００２３］本明細書に記載される別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図4B】本明細書に記載される別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図4C】本明細書に記載される別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図4D】本明細書に記載される別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図5A】［００２４］本明細書に記載される更に別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図5B】本明細書に記載される更に別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図5C】本明細書に記載される更に別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図7A】［００２７］本明細書に記載される更に別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図7C】［００２９］本明細書に記載される更に別の実施形態による、浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略断面図である。
【図8】［００３１］本明細書に記載される実施形態による浸漬露光後のベークプロセス（ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）を実行するための方法の工程を示す。
【図9】［００３２］本明細書に記載の別の実施形態による浸漬露光後のベークプロセスを実行するための方法の工程を示す。
【図10】［００３３］本明細書に記載される更に別の実施形態による浸漬露光後のベークプロセスを実行するための方法の工程を示す。
【図11】［００３４］本明細書に記載される更に別の実施形態による浸漬露光後のベークプロセスを実行するための方法の工程を示す。
【図12】［００３５］本明細書に記載される更に別の実施形態による浸漬露光後のベークプロセスを実行するための方法の工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【0014】
［００３６］理解を容易にするため、可能な場合、図に共通する同一の要素を指し示すために同一の参照番号が使用された。１つの実施形態の要素及び特徴は、更なる記述がなくとも、他の実施形態に有益に組み込まれ得ると想定されている。
【0015】
［００３７］本開示は、概して、露光後ベークプロセスのための方法及び装置に関する。本明細書で開示する方法及び装置は、半導体用途のためのフォトリソグラフィプロセスにおいて、ラインエッジ／幅ラフネス（ｌｉｎｅ ｅｄｇｅ／ｗｉｄｔｈ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を低減し、露光解像度を向上させることに役立つ。
【0016】
［００３８］本明細書で開示される方法及び装置は、フォトリソグラフィプロセスのフォトレジスト感度及び生産性を改善する。露光後のベーク手順中に光酸発生剤により生成される荷電種のランダムな拡散は、ラインエッジ／幅ラフネス及びレジスト感度の低下に寄与する。本明細書で説明するような電極アセンブリは、フォトリソグラフィプロセス中に電場及び／又は磁場をフォトレジスト層に印加するために利用される。電場及び／又は磁場の印加は、光酸発生剤により生成される荷電種の拡散を制御する。更に、フォトレジスト層と電極アセンブリとの間には、その間に発生する電場を向上させるために、中間媒体が利用される。
【0017】
［００３９］フォトレジスト層と電極アセンブリとの間に画定される空隙により、電極アセンブリに印加される電圧降下が生じ、よって、不利なことには、フォトレジスト層に発生することが望ましい電場のレベルが低下する。フォトレジスト層における電場のレベルが不正確であると、結果的に、フォトレジスト層に荷電種を特定の所望の方向に駆動又は生成するための電圧電力が不十分又は不正確になり、よって、フォトレジスト層に対するラインエッジプロファイル制御の低下につながりうる。従って、フォトレジスト層と相互作用する電場のレベルをある所望のレベルに維持するために、フォトレジスト層と電極アセンブリとの間に中間媒体が載置され、その間に空隙が生じるのを防止する。そうすることで、電場によって生成された荷電種は、ライン及び間隔方向に沿って所望の方向に導かれ、不正確でランダムな拡散に起因するラインエッジ／幅ラフネスを実質的に防止する。こうして、生成された電場の制御されたレベル又は所望のレベルにより、フォトレジスト層の露光プロセス及び／又は現像プロセスに対する精度及び感度が向上する。１つの例では、中間媒体は、スラリ、ゲル、溶液、又は固体媒体といった、電極アセンブリから基板上に配置されたフォトレジスト層に伝達する際に決められた範囲で印加される電圧レベルを効率的に維持しうる、非気相媒体である。
【0018】
［００４０］中間媒体を使用している間でさえ、フォトレジスト層と電極アセンブリとの間には、電圧降下がなおも存在する。この電圧降下は、フォトレジスト層と電極アセンブリとの間の距離に直接関係している。したがって、フォトレジスト層と電極アセンブリとの間の距離を短縮することは、フォトレジスト層と電極アセンブリとの間の電場の均一性を向上させることに役立つ。中間媒体を使用する間に考慮すべきもう１つの点は、フォトレジスト層と電極アセンブリとの間のバブリング（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）である。フォトレジスト層と電極アセンブリとの間でのバブリング及びエアポケット（ａｉｒ ｐｏｃｋｅｔ）の形成により、電場内が不均一になるため、露光後ベークプロセス後のフォトレジスト内の欠陥及び不正確さの数が増加する。フォトレジストと電極アセンブリとの間の距離を短縮するための本明細書に記載の本装置及び方法は、有益には、フォトレジスト層と電極アセンブリとの間の気泡又はエアポケットの数を低減する。
【0019】
［００４１］図１Ａ～１Ｅは、本明細書に記載される１つの実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００の概略断面図である。浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００は、チャンバ本体１０２と電極アセンブリ１３５を含む。チャンバ本体１０２は浸漬槽であり、キャリア１０１上の基板１５０を受け入れるように構成されており、基板１５０とキャリア１０１が中間媒体１３９に完全に浸漬されるようになっている。中間媒体１３９は、電極アセンブリ１３５から基板１５０上に配置されたフォトレジスト層に伝達する際に、印加される電圧レベルを決められた範囲に効率的に維持しうるスラリ、ゲル、溶液、又は固体媒体などの非気相媒体である。
【0020】
［００４２］チャンバ本体１０２は、底面１２４と、１つ又は複数の側壁１０４と、チャンバ本体１０２の底面１２４を通って配置される第１の流体ポート１２０と、チャンバ本体１０２の底面１２４を通って配置される第２の流体ポート１２５と、トラック１０６と、搬入デバイス（ｌｏａｄｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅ）１１４とを含む。
【0021】
［００４３］底面１２４及び１つ又は複数の側壁１０４は、処理空間１０５を画定する。処理空間１０５は、本明細書に記載されるように、第１の流体ポート１２０及び第２の流体ポート１２５の一方又は両方を通して、中間媒体１３９で少なくとも部分的に充填される。処理空間１０５は、中間媒体１３９が液体、スラリ、ゲル、又は固体媒体であるため、片側が少なくとも部分的に開放されうる。中間媒体１３９は、処理空間１０５を充填し、１つ又は複数の側壁１０４を覆う前に、チャンバ本体１０２の底面１２４を覆うように、第１の流体ポート１２０及び第２の流体ポート１２５の一方又は両方から流れる。中間媒体１３９が１つ又は複数の側壁１０４の上面１４０のレベルまで上昇し、１つ又は複数の側壁１０４を越えて流体蓄積槽（ｆｌｕｉｄ ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎ ｂａｓｉｎ）１１２に流出するように、中間媒体１３９は、処理空間１０５を完全に満たす。チャンバ本体１０２の底面１２４及び１つ又は複数の側壁１０４が加熱される。いくつかの実施形態では、チャンバ本体１０２は、その中に配置された１つ又は複数の抵抗加熱要素又は加熱チャネル（図示せず）を含む。
【0022】
［００４４］流体蓄積槽１１２がチャンバ本体１０２を少なくとも部分的に取り囲むように、流体蓄積槽１１２がチャンバ本体１０２の外側に配置される。流体蓄積槽１１２は、チャンバ本体１０２の底面１２４の下方に配置される。代替的には、流体蓄積槽１１２は、側壁１０４の１つ以上に取り付けられうる。流体蓄積槽１１２は、処理空間１０５から側壁１０４を越えて流出する中間媒体１３９のための容器（ｒｅｃｅｐｔａｃｌｅ）又は排水ます（ｃａｔｃｈ ｂａｓｉｎ）として機能する。流体蓄積槽１１２は、中間媒体１３９を流体蓄積槽１１２から除去するためのドレン（図示せず）を含む。
【0023】
［００４５］第１の流体ポート１２０と第２の流体ポート１２５は、チャンバ本体１０２の底面１２４を通って配置される。第１の流体ポート１２０及び第２の流体ポート１２５の各々は、流体入口又は流体出口のいずれかを含む。いくつかの実施形態では、第１の流体ポート１２０は流体入口であり、第２の流体ポート１２５は流体出口である。この実施形態において、流体が第１の流体ポート１２０を通って処理空間１０５に導入され、流体が第２の流体ポート１２０を通って同時に又は周期的に除去される際に、中間媒体１３９が、処理空間１０５を通って連続的に循環されうる。
【0024】
［００４６］更に他の実施形態では、第１の流体ポート１２０のみが存在し、中間媒体１３９は、プロセス工程の間にオーバーフローバルブ１２９を使用して、チャンバ本体１０２から除去される。オーバーフローバルブ１２９は、プロセス工程間で開閉されるように構成されうる。いくつかの実施形態では、オーバーフローバルブ１２９が開位置にあるとき、中間媒体１３９は、流体蓄積槽１１２内に排出される。オーバーフローバルブ１２９は、代替的には、中間媒体１３９を除去するための導管（図示せず）に連結されうる。オーバーフローバルブ１２９は、チャンバ本体１０２の底面１２４に配置される。
【0025】
［００４７］第１の流体ポート１２０は、第１の流体導管１２１、第１のポートバルブ１２２、及び第１の流体源１２３を含む。第１の流体導管１２１は、チャンバ本体１０２及び処理空間１０５に流体連結される。第１の流体導管１２１は、チャンバ本体１０２の底面１２４と第１の流体源１２３との間に配置される。第１の流体導管１２１は、パイプ又はチャネルである。第１の流体導管１２１は、チャンバ本体１０２の底面１２４上の処理空間１０５に接続された第１の端部と、第１の流体源１２３に接続された第２の端部とを有する。第１の流体源１２３は、中間媒体１３９を処理空間１０５内に供給するように構成される流体源である。第１の流体源１２３は、中間媒体１３９の分布のための流体パネルの一部でありうる。第１の流体源１２３は、追加的には、洗浄流体など、他の流体を処理空間１０５に供給するように構成されうる。第１の流体源１２３は、処理空間１０５内への中間媒体１３９の流れを制御する。第１のポートバルブ１２２は、第１の流体導管１２１に沿って、第１の流体源１２３と処理空間１０５との間に配置される。第１のポートバルブ１２２は、ゲートバルブ又はスロットルバルブである。第１のポートバルブ１２２は、中間媒体１３９の処理空間１０５への流入を制御するように構成され、いくつかの実施形態では、第１のポートバルブ１２２は、中間媒体１３９の処理空間１０５への流入を微調整する。いくつかの実施形態において、第１のポートバルブ１２２は、開位置又は閉位置にあるように構成され、流体が第１の流体源１２３から処理空間１０５に流入するのを停止しうる。第１の流体源１２３は、いくつかの実施形態では、処理流体を予しうる。いくつかの実施形態では、処理流体は、約１００℃～約２００℃、例えば約１１０℃～約１５０℃、例えば約１１５℃～約１３０℃の温度に予熱される。
【0026】
［００４８］第２の流体ポート１２５は、第２の流体導管１２６、第２のポートバルブ１２７、及び第２の流体源１２８を含む。第２の流体ポート１２５は、追加の流体入口又は流体出口のいずれかとして構成されうる。流体入口として利用される場合、第２の流体導管１２６は、第１の流体導管１２１に類似しており、第２のポートバルブ１２７は、第１のポートバルブ１２２に類似しており、第２の流体源１２８は第１の流体源１２３に類似している。第２の流体ポートが流体出口として構成される場合、第２の流体導管１２６と第２のポートバルブ１２７は同じままであるが、第２の流体源１２８は、流体ポンプに置き換えられる。流体ポンプは、第２の流体導管１２６を通して処理空間１０５から流体を除去する役割を果たす。第１の流体ポート１２０及び第２の流体ポート１２５は、処理空間１０５内の中間媒体１３９の循環を増加させるために、底壁１２４の反対側に配置される。
【0027】
［００４９］トラック１０６は、少なくとも部分的に処理空間１０５内に配置される。トラック１０６は、第１のトラックセグメント１０７、移行トラックセグメント１０８、第２のトラックセグメント１０９を含む。第１のトラックセグメント１０７は、水平面に対してある角度で配置される。水平面は、Ｘ軸、チャンバ本体１０２の底面１２４、又は第２のトラックセグメント１０９に平行でありうる。第１のトラックセグメント１０７は、移行トラックセグメント１０８に連結され、チャンバ本体１０２の上部に向かって上方に延びる。よって、第１のトラックセグメント１０７が、移行トラックセグメント１０８から、１つ又は複数の側壁１０４の上面１４０に向かって延びる。いくつかの実施形態において、第１のトラックセグメント１０７は、１つ又は複数の側壁１０４の１つに沿って延び、第１のトラックセグメント１０７の上部は、処理空間１０５が満杯のとき、中間媒体１３９の上面と同じ高さである。第１のトラックセグメント１０７は、線形トラックセグメントである。しかし、ある実施形態では、第１のトラックセグメント１０７は、湾曲していてもよい。第１のトラックセグメント１０７は、基板と基板キャリアの進入角度（ａｎｇｌｅ ｏｆ ｅｎｔｒｙ）がゼロでない角度になるように角度が付けられている。進入角度は、基板１５０及び／又は基板キャリア１０１が処理空間１０５及び中間媒体１３９に進入する際に、基板１５０及び基板キャリア１０１の主平面が水平面と交差する初期角度である。基板１５０及び基板キャリア１０１の主平面又は主表面は、上面を通る平面として定義される。基板１５０に関して、主平面又は主要面は、基板１５０の上面又はデバイス側と平行な平面である。基板キャリア１０１に関して、主平面又は主要面は、基板キャリア１０１の上面に平行な平面である。ここで、上面は、基板がその中に配置されるとき、基板１５０のデバイス側に平行である。第１のトラックセグメント１０７は、水平面からの進入角度が約７０度～約９０度である。移行トラックセグメント１０８は、第１のトラックセグメント１０７と第２のトラックセグメント１０９を接続するトラックの曲線セクションである。第２のトラックセグメント１０９は、水平なトラックセグメントである。第２のトラックセグメント１０９は、水平面とＸ軸に平行である。第２のトラックセグメント１０９は線形トラックセグメントであり、コネクタ１１０の上部に配置され、トラック１０６の第２のトラックセグメント１０９をチャンバ本体１０２の底面１２４に連結する。コネクタ１１０が更に接地され、トラック１０６を接地する。トラック１０６は、電気接続１３０によって接地に接続される。移行トラックセグメント１０８への接続部とは反対側の第２のトラックセグメント１０９の端部には、端部停止部分１１１が接続されている。端部停止部分１１１は、基板処理中にキャリア１０１が確実に第２のトラックセグメント１０９上に適切に位置決めされるようにするためのガイドとして機能する。
【0028】
［００５０］搬入デバイス１１４は、１つ又は複数の側壁１０４の上面１４０の上部に配置される。搬入デバイス１１４は、１つ又は複数のコネクタを使用して、搬入デバイス１１４の上面１４１でキャリア１０１に連結するように構成される。１つ又は複数のコネクタは、前部コネクタ１１８ａと後部コネクタ１１８ｂを含む。前部コネクタ１１８ａ及び後部コネクタ１１８ｂの各々は、キャリア１０１を搬入デバイス１１４及びトラック１０６に沿って移動させるためのアクチュエータでありうる。いくつかの実施形態では、前部コネクタ１１８ａ及び後部コネクタ１１８ｂは、搬入デバイス１１４に連結されており、キャリア１０１が処理位置に移動する際に、トラック１０６に連結されるように移行しうる。前部コネクタ１１８ａ及び後部コネクタ１１８ｂは、前部コネクタ１１８ａ及び後部コネクタ１１８ｂの各々が移送中に搬入デバイス１１４及びトラック１０６と連動するように、シャトル接続部又はスライダーでありうる。いくつかの実施形態では、キャリア１０１は、アクチュエータとして前部コネクタ１１８ａ及び／又は後部コネクタ１１８ｂを使用して、トラック１０６及び搬入デバイス１１４に沿って移送される。更に他の実施形態では、キャリア１０１は、外部の作動デバイスによって作動されるか、トラック１０６及び搬入デバイス内に配置されるコンベヤ上にある。
【0029】
［００５１］搬入デバイス１１４は、アクチュエータ１１６を使用してチャンバ本体１０２に連結される。アクチュエータ１１６は、トラック１０６に最も近い搬入デバイス１１４の遠位端と、１つ又は複数の側壁１０４の上面１４０とに連結される。アクチュエータ１１６は、キャリア１０１と共に搬入デバイス１１４を水平位置から角度付けされた位置まで回動させるように構成される。図１Ａに示すように、搬入デバイス１１４とキャリア１０１は、水平位置に示されている。
【0030】
［００５２］電極アセンブリ１３５は、チャンバ本体１０２の上方に配置される。電極アセンブリ１３５は、静電メッシュ１３６、線形アクチュエータ１３７、及び電源１３８を含む。静電メッシュ１３６は、電極を形成する導電性メッシュである。静電メッシュ１３６は、静電メッシュ１３６の主要面として定義されうる線形底面を有している。静電メッシュ１３６の主要面は、処理位置にあるときに基板１５０のデバイス側と平行になるように構成される表面である。静電メッシュ１３６は、１つ又は複数の層で織られることがあり、その静電メッシュ１３６を貫通して配置される複数の開口部を含む。いくつかの実施形態では、静電メッシュ１３６は、微細に穿孔された電極板である。静電メッシュ１３６は、電極アセンブリ１３５が中間媒体１３９に浸漬される際に電極アセンブリ１３５の下に捕捉される気泡又はガスポケットの量を減少させるために利用される。いくつかの実施形態における静電メッシュ１３６は、炭化ケイ素メッシュなどの非金属メッシュである。他の実施形態では、静電メッシュ１３６は、銅、アルミニウム、スチールメッシュなどの導電性金属メッシュである。線形アクチュエータ１３７は、静電メッシュ１３６の垂直移動を可能にするために、静電メッシュ１３６の上面に連結される。線形アクチュエータ１３７は、プロセス環境（図示せず）の上面に連結されてもよく、垂直に下に向かって延びる。電源１３８は、線形アクチュエータ１３７を通して静電メッシュ１３６に電気的に接続される。電源１３８は、静電メッシュ１３６に電力を印加するように構成される。いくつかの実施形態では、例えば４０００Ｖ未満、例えば３０００Ｖ未満など、最大５０００Ｖの電位が電源１３８によって静電メッシュ１３６に印加される。図１Ａに示されるように、静電メッシュ１３６は上部位置に配置される。いくつかの実施形態では、静電メッシュ１３６の上部位置は、チャンバ本体１０２の処理空間１０５内にある。いくつかの実施形態では、静電メッシュ１３６及び電極アセンブリ１３５は、静電メッシュ１３６内に蓄積されたいかなる気泡もがメッシュからスピンして外れるように、露光後ベーク処理中に垂直軸を中心に回転される。静電メッシュ１３６の回転は、更に、欠陥の影響を基板１５０上方に広げることによって、電場内の欠陥の影響を低減することに役立つ。
【0031】
［００５３］図１Ａ～１Ｅは、図１Ａに示す初期基板搬入位置（ｌｏａｄｉｎｇ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）から処理位置へのキャリア１０１の移動プロセスを示す。図１Ａ～１Ｅは、図８の方法８００で議論される工程を示す。方法８００は、第１の工程８０２、第２の工程８０４、第３の工程８０６、第４の工程８０８、第５の工程８１０、第６の工程８１２、第７の工程８１４、第８の工程８１６、第９の工程８１８、及び第１０の工程８２０を含む。図１Ａは、第１、第２、又は第３の工程８０２、８０４、８０６のいずれかの最中又はその後のものとして示されている。
【0032】
［００５４］第１の工程８０２の間、中間媒体１３９のような処理流体が処理空間１０５に導入される。処理流体は、第１の流体ポート１２０又は第２の流体ポート１２５の一方又は組み合わせを通して導入される。処理流体は、処理空間１０５内で連続的に循環され、１つ又は複数の側壁１０４の上面１４０上方を流れうる。いくつかの実施形態では、各基板が処理される間に（ｂｅｔｗｅｅｎ ｅａｃｈ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ）、処理空間１０５全体の処理流体が空になりうる。更に他の実施形態では、処理流体が連続的に循環されるため、各基板が処理される間に、処理空間は、満杯のままであってもよい。
【0033】
［００５５］第２の工程８０４の間、図１Ｆの基板１５０などの基板がキャリア１０１の上部に載置される。キャリア１０１は、電極として機能しうる。基板１５０が別のチャンバから移送ロボット（図示せず）のブレードによってキャリア上に載置されるように、基板１５０は、移送位置にあるキャリア１０１の上部に載置される。移送位置は、基板１５０のデバイス側が水平面と平行になる位置である。キャリア１０１と基板１５０は、移送位置にある間、搬入デバイス１１４の上部に配置される。第３の工程８０６では、基板１５０がキャリア１０１に固定される。基板１５０は、機械式クランプを使用してキャリア１０１に固定されうる（図３Ｃ参照）。基板１５０は、代替的には、キャリア１０１に組み込まれた伸縮可能な棚を使用して、又は真空チャックによって、キャリア１０１に固定されてもよい。
【0034】
［００５６］基板１５０が図１Ａの移送位置でキャリア１０１によって固定された後に、キャリア１０１、基板１５０、及び搬入デバイス１１４は、第４の工程８０８の間に、移送位置とは異なる角度付けされた位置まで回動される。図１Ｂには、角度付けされた位置が示される。角度付けされた位置にある間、キャリア１０１、基板１５０、及び搬入デバイス１１４の各々は、軸Ａを中心に回動される。キャリア１０１、基板１５０、及び搬入デバイス１１４の配向は、第１の角度θ１だけ変化する。第１の角度θ１は、約６０度～約９０度、例えば約７０度～約９０度、例えば約８０度～約９０度、例えば約８２度～約８８度である。第１の角度θ１は、基板１５０及びキャリア１０１が中間媒体１３９に進入する角度を決定する。第１の角度θ１は水平面に対してとられており、したがって、第１の角度θ１はｘ軸に対してとられていることがある。
【0035】
［００５７］角度をつけた位置にある間、搬入デバイス１１４は、トラック１０６の第１のトラックセグメント１０７の上部と一直線上にある。搬入デバイス１１４の上面１４１は、第１のトラックセグメント１０７の上面１４２と一直線上にある。搬入デバイス１１４の上面１４１と第１のトラックセグメント１０７の上面１４２とを位置合わせすることにより、キャリア１０１を搬入デバイス１１４から第１のトラックセグメント１０７上に移送することができる。いくつかの実施形態では、搬入デバイス１１４と第１のトラックセグメント１０７は、角度をつけた位置にある間に相互作用し、互いに結合する。
【0036】
［００５８］搬入デバイス１１４が角度付き位置に回動された後に、キャリア１０１及び基板１５０は、第５の工程８１０の間に、搬入デバイス１１４から第１のトラックセグメント１０７上にかつ処理空間１０５内に移送される。搬入デバイス１１４から第１のトラックセグメント１０７上へのキャリア１０１と基板１５０の移送を図１Ｃに示す。第５の工程８１０中に、基板１５０を保持するキャリア１０１が、トラック１０６に沿って移送される。前部コネクタ１１８ａ及び後部コネクタ１１８ｂは、トラック１０６又は搬入デバイス１１４の一方に連結される。図１Ｃに示すように、キャリア１０１が処理空間１０５に移送される際に、前部コネクタ１１８ａがトラック１０６に連結される一方で、後部コネクタ１１８ｂは、搬入デバイス１１４に連結される。キャリア１０１は、トラック１０６に沿って処理空間１０５内に移送され、中間媒体１３９によって浸漬される。キャリア１０１及び基板１５０が浸漬される際に形成されるガスポケット又は気泡の量を減少させるために、キャリア１０１は、図示されたような角度で中間媒体１３９によって浸漬される。
【0037】
［００５９］キャリア１０１が中間媒体１３９によって完全に浸漬される前に、キャリア１０１は移行トラックセグメント１０８に到達する。キャリア１０１が移行トラックセグメント１０８に到達すると、キャリア１０１は、角度付き位置の角度から水平により近い角度まで回動される。キャリア１０１と基板１５０が浸漬される際の回動運動は、キャリア１０１と基板１５０の周囲に蓄積される気泡の数とサイズを更に減少させることが判明している。回動運動は更に、より浅いチャンバ本体１０２の使用を可能にするという点で有益である。浅いチャンバ本体１０２を使用することで、更に、浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００全体のサイズが縮小される。別個の前部コネクタ１１８ａと後部コネクタ１１８ｂを使用することで、更に、キャリア１０１が湾曲したトラックに沿って移動できるようになり、回動動作が可能になる。
【0038】
［００６０］図１Ｄは、キャリア部材１０１がトラック１０６に沿って処理空間１０５及び中間媒体１３９内に移送される際の、キャリア１０１及び基板１５０の回動を更に示す。前部コネクタ１１８ａが移行トラックセグメント１０８に沿って第２のトラックセグメント１０９に移送される際に、キャリア１０１の中央部は、トラック１０６から引き離され、より水平な位置まで回動しうる。
【0039】
［００６１］キャリア１０１及び基板１５０が中間媒体１３９内に完全に浸漬された後に、キャリア１０１及び基板１５０は、第６の工程８１２の間に、処理空間１０５内の処理位置に移送される。キャリア１０１と基板１５０の処理位置を図１Ｅに示す。処理位置は、基板１５０のデバイス側がチャンバ本体１０２の底面１２４と平行になるような水平位置である。キャリア１０１内に配置される基板１５０のデバイス側は、チャンバ本体１０２の底面１２４から第１の高さＨ１となっている。第１の高さＨ１は、基板１５０のデバイス側の全てにわたって等しくなりうる。
【0040】
［００６２］キャリア１０１及び基板１５０が処理位置に載置された後に、静電メッシュ１３６は、基板１５０の上部デバイス側の表面と平行な位置で処理空間１０５内まで下げられる。いくつかの実施形態では、静電メッシュ１３６は、第１～第６の工程８０２～８１２を通して下げられうるが、静電メッシュ１３６は、キャリア１０１が処理位置に到達した後にのみ処理位置にもたらされる。静電メッシュ１３６の底面が基板１５０のデバイス側から第２の高さＨ２となるように、基板１５０のデバイス側と近接接触し、かつそのデバイス側と平行な位置に、静電メッシュ１３６が載置される。第２の高さＨ２は、約７ｍｍ未満、例えば約５ｍｍ未満、例えば約３ｍｍ未満、例えば約１ｍｍ未満、例えば約０．５ｍｍ未満である。本明細書で説明する実施形態では、基板１５０のデバイス側と静電メッシュ１３６との間の機械的バリアが限られていると、第２の高さＨ２を低減することが可能である。
【0041】
［００６３］いったん第７の工程８１４が完了し、静電メッシュ１３６が処理位置内にあると、電場が基板１５０に印加され、第８の工程８１６の間に露光後ベークプロセスが実行される。電場は、第１の電極として機能するキャリア１０１と、第２の電極として機能する静電メッシュ１３６との間に分布する。電場は、最大約５０００Ｖ、例えば最大約３５００Ｖ、例えば最大約３０００Ｖの電圧差を印加することによって、生成されうる。静電メッシュ１３６と基板１５０との間の電場は、約１０×１０６Ｖ／ｍ未満、例えば１×１０６Ｖ／ｍ未満、例えば１×１０５Ｖ／ｍ未満である。電場は、露光後のベーク工程が完了するまで、基板１５０に印加される。
【0042】
［００６４］第８の工程８１６中の電場印加後に、静電メッシュ１３６は、第９の工程８１８中に、処理位置から遠ざかり、処理空間１０５の外へ移送される。静電メッシュ１３６が処理空間１０５から除去されると、キャリア１０１はまた、処理空間１０５内に追随した経路に類似する経路に沿って、処理空間１０５から取り外される。第９の工程８１８の間、キャリア１０１は、基板１５０がロボット（図示せず）によってキャリアから取り外されるように、移送位置まで再び搬送されうる。
【0043】
［００６５］第９の工程８１８の間にキャリア及び静電メッシュ１３６が処理空間１０５から取り外された後に、処理空間１０５は、オプションで、中間媒体１３９のような処理流体から排出される。第１０の工程８２０の間、処理流体が処理空間１０５から排出される。
【0044】
［００６６］図１Ｆは、本明細書に記載される１つの実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００の概略平面図である。浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００は、図１Ａ～１Ｅに関して説明したものと同じである。図１Ｆは、キャリア１０１が図１Ａに示すような搬入位置又は移送位置にあるときの露光後ベークチャンバ１００の平面図を示す。図１Ｆは、キャリア１０１上の基板１５０の位置決めを示し、更にトラック１０６を示す。トラック１０６と搬入デバイス１１４は、本明細書では２つの別個のレールとして示されているが、トラックの２つの部分の間のスパンによって取り付けられていてもよい。図１Ｆに示すように、静電メッシュ１３６は、キャリアが静電メッシュ１３６の下の処理位置にある間、基板１５０とキャリア１０１を完全に覆うようにサイズ決めされる。
【0045】
［００６７］図２Ａ及び図２Ｂは、本明細書に記載される別の実施形態による、浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００の概略断面図である。図２Ａ～４Ｃのチャンバ本体１０２は、図１Ａ～１Ｅのチャンバ本体１０２に類似している。加えて、トラック１０６及び搬入デバイス１１４は、図１Ａ～１Ｅのトラック１０６及び搬入デバイス１１４に類似している。図２Ａ～２Ｃの実施形態は、基板キャリア１０１が第２の基板キャリア２０１に置き換えられ、電極アセンブリ１３５が基板キャリア２０１の一体型電極リッド２０３に置き換えられている点で、図１Ａ～Ｅの実施形態と異なる。
【0046】
［００６８］第２の基板キャリア２０１は、下部キャリア部分２０２と電極リッド２０３とを含む。電極リッド２０３は、図２Ａに示す基板受け取り位置と、図２Ｂに示す基板処理位置との間で回動するように、一端で下部キャリア部分２０２に連結される。基板受け取り位置にある間、電極リッド２０３は上昇位置に配置される。上昇位置は、角度付けされた位置でありうる。ここで、電極リッド２０３は、キャリア部分２０２に対してある角度で配置され、基板１５０などの基板は、キャリア部分２０２上に搬入可能である。電極リッド２０３の取り付けと構成については、図３Ｄ～３Ｆを参照してより詳細に説明する。電極リッド２０３は、電極リッド２０３を通って配置された複数の開口部が存在するような静電メッシュでありうる。複数の開口部２０３は、図２Ｂに示すように、第２の基板キャリア２０１が基板処理位置に運ばれる際に、電極リッド２０３と基板１５０との間から気泡を逃がすことができる点で有益である。
【0047】
［００６９］基板１５０がキャリア部分２０２に搬入された後に、電極リッド２０３は閉位置まで回動する。キャリア部分２０２を閉じることは、第２の基板キャリア２０１及び基板１５０がトラック１０６に沿って回転及び移送される際に、基板１５０をキャリア部分２０２に固定することに役立つ。電極リッド２０３は、トラック１０６を通して電源２３８に電気的に接続される。電源２３８は、電極リッド２０３に電力を印加するように構成される。いくつかの実施形態では、最大５０００Ｖ（例えば４０００Ｖ未満、例えば３０００Ｖ未満など）の電位が電源２３８によって電極リッド２０３に印加される。いくつかの実施形態では、トラック１０６の２つのレールのうちの一方がトラック１０６を電気的に接地するためのリードラインを含む一方で、トラック１０６の２つのレールのうちの他方が電源２３８を電極リッド２０３に連結するためのリードラインを含むように、キャリア部分２０２が電気的に接地１３０される。電極リッド２０３は、複数のコネクタ１１８ａ、１１８ｂの１つ以上を通して、トラック１０６に電気的に接続されうる。
【0048】
［００７０］図２Ａ、２Ｂ、及び９を参照して、方法９００を説明することができる。本方法は、第１の工程９０２から始まる。第１の工程９０２の間、中間媒体１３９のような処理流体が処理空間１０５に導入される。第１の工程９０２は、図１Ａに関して説明した第１の工程８０２に類似する。第２の工程９０４の間、基板１５０は、電極リッド２０３が搬入位置にある間に、第２の基板キャリア２０１内に載置される。搬入位置は、電極リッド２０３が上昇位置にあるときの位置である。
【0049】
［００７１］第２の基板キャリア２０１も同様に、第３の工程９０６の間、基板１５０を固定するために利用される。第３の工程９０６の間、電極リッド２０３は閉位置まで回動され、基板１５０は第２の基板キャリア２０１内に固定される。基板１５０は、電極リッド２０３を閉位置まで下げる前か又は下げている間のどちらかで、固定される。第３の工程９０６に続いて、基板１５０は、第４の工程９０８及び第５の工程９１０の間に、搬入デバイス１１４から処理空間１０５内に移送される。第４の工程９０８及び第５の工程９１０は、図８の方法８００の第４の工程８０８及び第５の工程８１０に類似している。第４の工程９０８の間、第２の基板キャリア２０１は、第５の工程９１０の間にトラックに沿って処理空間に進入する前に、角度のついた位置まで回動される。
【0050】
［００７２］図２Ｂに示すように、第２の基板キャリア２０１は、図８の第６の工程８１２及び図１Ｅの基板キャリア１０１の処理位置と同様に、第６の工程９１２の間、トラック１０６に沿って搬送され、処理位置に移動される。処理位置では、第２の基板キャリア２０１は第２のトラックセグメント１０９上にある。
【0051】
［００７３］図２Ｃは、本明細書で説明する図２Ａ及び図２Ｂの実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバの概略平面図である。図２Ｃは、搬入位置における第２の基板キャリア２０１、並びに処理位置における点線の第２の基板キャリア２０１’とを示す。電源２３８がトラック１０６の第１のレールに接続される一方で、トラック１０６の第２のレールは接地１３０される。
【0052】
［００７４］第２の基板キャリア２０１が処理位置に位置決めされた後に、基板１５０に電場が印加される。基板１５０が第２の基板キャリア２０１のキャリア部分２０２によって接地される際に、電極リッド２０３に電力を供給することによって、電場が印加される。基板１５０への電場の印加は、図８の方法８００の第８の工程８１６に関して説明した電場の印加に類似する。第８の工程８１６中の電場印加後に、第２の基板キャリア２０１及び基板１５０は、処理流体及び処理空間１０５から取り外され、移送位置に戻される。図９の第８の工程９１６は、図８の第９の工程８１８に類似する。その後、基板１５０は、インデックスロボット（図示せず）によって取り外すされうる。第２の基板キャリア２０１の取り外しに続いて（又は同時に）、図８の第１０の工程８１０に関して説明した工程に類似した第９の工程９１８において、処理流体が処理空間１０５から排出される。
【0053】
［００７５］図３Ａは、本明細書に記載される実施形態による、図１Ａ～１Ｅの浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００と共に利用される基板キャリア１０１の概略平面図である。基板キャリア１０１は、第１の部分３０２、第２の部分３０４、及びスパン部分３０６を含む。第１の部分３０２と第２の部分３０４は、キャリア１０１の先頭エッジでスパン部分３０６によって接続されている。キャリア１０１の先頭エッジは、処理位置に移動する間に、最初に中間媒体１３９に入るように構成されているキャリアのエッジである。基板１５０は、第１の部分３０２及び第２の部分３０４の両方の内部に形成された窪み３１６内に置かれる。いくつかの実施形態では、スパン部分３０６が基板１５０の搬入領域の下に延びている場合、窪み３１６もスパン部分３０６内に形成されうる。窪み３１６は、基板１５０を受け入れるようにサイズ決定され、基板１５０の側面の少なくとも一部を囲むことによって、基板１５０が横方向に移動するのを防止する。
【0054】
［００７６］開口部３１０は、第１の部分３０２と第２の部分３０４との間に、かつスパン部分３０６の反対側に、配置される。開口部３１０は、ロボット（図示せず）が基板１５０をキャリア１０１に載置及びキャリア１０１から除去できるように配置され、ロボットのブレードが第１の部分３０２と第２の部分３０４との間に一時的に挿入されるようになっている。基板１５０がロボットによってキャリア１０１上に載置されると、１つ又は複数の機械式クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃがクランピング位置（ｃｌａｍｐｉｎｇ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）まで作動され、基板１５０を固定する。１つ又は複数の機械式クランプは、第１のクランプ３０８ａ、第２のクランプ３０８ｂ、及び第３のクランプ３０８ｃを含む。第１のクランプ３０８ａはスパン部分３０６に取り付けられ、第２のクランプ３０８ｂは第２の部分３０４に取り付けられ、第３のクランプ３０８ｃは第１の部分３０２に取り付けられる。クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃの各々が互いに約１８０度の角度で配置されるように、第１のクランプ３０８ａ、第２のクランプ３０８ｂ、及び第３のクランプ３０８ｃの各々が、窪み３１６の周囲に均等に分散される。第１のクランプ３０８ａ、第２のクランプ３０８ｂ、及び第３のクランプ３０８ｃの各々は、複数のディボット３０７の対応する１つの内部に配置される。各ディボット３０７は、キャリア１０１の上面内に形成される小さな凹部である。ディボット３０７は、第１のクランプ３０８ａ、第２のクランプ３０８ｂ、及び第３のクランプ３０８ｃの各々の下方に配置される。第１のクランプ３０８ａ、第２のクランプ３０８ｂ、及び第３のクランプ３０８ｃがクランピング位置からディボット３０７内に後退し、基板１５０を解放しうるように、ディボット３０７の各々が、第１のクランプ３０８ａ、第２のクランプ３０８ｂ、及び第３のクランプ３０８ｃから、わずかに更に外に向かって配置される。いくつかの実施形態では、基板１５０を窪み３１６の内部に固定するために、より多い又はより少ないクランプが存在しうる。いくつかの実施形態では、単一のクランプ、２つのクランプ、又は４つ以上のクランプが存在しうる。利用されるクランプの数は、基板１５０のサイズ及びクランプ機構の種類に依存しうる。
【0055】
［００７７］図３Ｂは、本明細書に記載される実施形態による、図１Ａ～１Ｅの浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００と共に利用される基板キャリア１０１の概略底面図である。第１の部分３０２と底部分３０４の各々の底部には、図１Ａ～１Ｅに関して説明したように、前部コネクタ１１８ａ及び後部コネクタ１１８ｂがある。図３Ｂに示すように、基板キャリア１０１の底面上には４つのコネクタ１１８ａ、１１８ｂがある。４つのコネクタ１１８ａ、１１８ｂにより、キャリア１０１を湾曲トラック１０６に沿って移動させることができる（図１Ａ～１Ｅ参照）。前部コネクタ１１８ａ及び／又は後部コネクタ１１８ｂのいずれかが、トラック１０６に沿ったキャリア１０１の移動を可能にするモータ又はアクチュエータアセンブリを含むことが企図される。いくつかの実施形態では、前部コネクタ１１８ａのみが、モータ又はアクチュエータアセンブリを含む。他の実施形態では、後部コネクタ１１８ｂのみが、モータ又はアクチュエータアセンブリを含む。他の実施形態では、前部コネクタ１１８ａ及び後部コネクタ１１８ｂの各々が、モータ又はアクチュエータアセンブリを含む。本明細書には図示されていないが、前部コネクタ１１８ａ又は後部コネクタ１１８ｂのいずれもモータアセンブリを含まず、キャリアが代わりにコンベヤシステムに沿って配置され、前部コネクタ１１８ａ又は後部コネクタ１１８ｂのいずれかによってコンベヤに連結されることが更に企図される。
【0056】
［００７８］基板１５０は、窪み３１６内に配置される。図３Ｂに示すように、窪みは、基板１５０を載置する棚を形成するように、基板１５０のエッジ外側から内側に延びる。棚の内面は、基板の底部の下方に配置され、第１の内面３１２及び第２の内面３１４として示されている。第１の内面３１２及び第２の内面３１４は、凹面である。第１の内面３１２は、第１の部分３０２の内側エッジに沿って配置され、第２の内面３１４は、第２の部分３０４の内側エッジに沿って配置される。第１の内面３１２と第２の内面３１４は、キャリア１０１の底部に沿って開口部３１０を形成する。開口部３１０が基板１５０の大部分の下方に形成されているものとして構成されているように示されているが、基板１５０に対してより大きな棚を提供し、キャリア１０１の基板１５０との表面の接触面積を増大させるように、開口部３１０をより狭くして、開口部３１０と基板１５０が重なる面積をより小さくしてもよいことが企図される。しかし、窪み３１６によって形成される棚のサイズを縮小することによって、中間媒体１３９内に浸漬する間に基板１５０の周囲に形成されるエアポケットが少なくなる。
【0057】
［００７９］図３Ｃは、本明細書に記載される実施形態による、図１Ａ～１Ｅの浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００と共に利用される基板キャリア１０１の概略側面図である。図３Ｃは、基板キャリア１０１上に形成される第１の棚３１８及び第２の棚３２０を示す。第１の棚３１８は第１の部分３０２に配置され、第２の棚３２０は第２の部分３０４に形成される。基板１５０の底面１５２は、第１の棚３１８と第２の棚３２０の表面と接触する。基板１５０のデバイス側１５１は、第１の棚３１８及び第２の棚３２０の反対側に配置され、第１のクランプ３０８ａ、第２のクランプ３０８ｂ、及び第３のクランプ３０８ｃによってクランプされる。クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃは、開位置と閉位置との間で作動可能である。図３Ｃに示すように、クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃは閉位置にある。開位置に移動するために、クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃは、上方位置まで回転するように軸を中心に作動されうる。代替的には、クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃが半径方向に外側に向かって延びて開位置まで移動し、かつ半径方向に内側に向かって延びて閉位置まで移動するように、クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃは、横方向に移動しうる。
【0058】
［００８０］図３Ｄは、本明細書に記載される実施形態による、図２Ａ～２Ｃの浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバと共に利用される基板キャリア２０１の概略断面側面図である。図３Ａ～３Ｃの第１の基板キャリア１０１と区別するために、本明細書では、基板キャリア２０１が第２の基板キャリア２０１と称されることがある。図３Ｄ～３Ｅの基板キャリア２０１は、下部キャリア部分２０２と電極リッド２０３を含む。下部キャリア部分２０２は、図３Ａ～３Ｃの基板キャリア１０１と構造が類似する。
【0059】
［００８１］下部キャリア部分２０２は、第１の部分３０２、第２の部分３０４、及びスパン部分３０６を含む。窪み３１６は、第１の部分３０２と第２部分３０４の両方の内部に形成される。開口部３１０は、第１の部分３０２と第２の部分３０４との間に、かつスパン部分３０６の反対側に、配置される。１つ又は複数の機械式クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃが、追加的になおも利用される。図３Ｄ及び図３Ｅの下部キャリア部分２０２は、第３の部分３２８を更に含み、この第３の部分３２８は、第１の部分３０２及び第２の部分３０４の各々から上に向かって延びるリップを形成する。第３の部分３２８のリップは、スパン部分３０６から最も遠い基板１５０の外側部分の周囲に壁を形成する。第３の部分３２８により、基板１５０は、下部キャリア部分２０２により良好に固定することができる。第３の部分３２８は、上面に形成された溝３２６を含む。溝３２６は、突出部３２４を受け入れ、基板キャリア２０１が搬入位置と処理位置との間で移送される間、突出部３２４（図３Ｄに点線で示される）を溝３２６内部に固定するようにサイズ決めされる。
【0060】
［００８２］電極リッド２０３は、穿孔された電極３２３、突出部３２４、アクチュエータ３２２（図３Ｅに示す）を含む。前述のように、穿孔された電極３２３は、穿孔された板又はメッシュでありうる。穿孔された電極３２３は導電性材料から形成され、穿孔された電極３２３が帯電し、穿孔された電極３２３と基板１５０との間に電場を形成しうるようになっている。穿孔された電極３２３は、それを貫通して形成される複数の開口部（図示せず）を有し、穿孔された電極３２３の底面３２１の下方及び基板キャリア２０１内の空間（ｖｏｌｕｍｅ）から、基板キャリア２０１内の空間の外にガスが流れることができるようになる。複数の開口部は、穿孔された電極３２３の構造的統合性を維持しつつ、ガスが抜けるように間隔をあけて配置される。基板１５０と穿孔された電極３２３との間の空間内のガス及び気泡が減少することにより、穿孔された電極３２３と基板１５０との間の電場の均一性が向上する。構造的統合性は、穿孔された電極３２３を均一な形状に保つことに役立ち、穿孔された電極３２３が開位置と閉位置との間で作動される際に、穿孔された電極３２３の変形を低減する。
【0061】
［００８３］穿孔された電極３２３の底面３２１が基板１５０の上面１５１から第３の高さＨ３となるように、穿孔された電極３２３は、基板１５０のデバイス側と近接接触し、かつそのデバイス側と平行に、載置される。第３の高さＨ３は、約７ｍｍ未満、例えば約５ｍｍ未満、例えば約３ｍｍ未満、例えば約１ｍｍ未満、例えば約０．５ｍｍ未満である。基板１５０のデバイス側と穿孔された電極３２３との間に限られた機械的バリアが存在すると、第３の高さＨ３が低減されうる。
【0062】
［００８４］図３Ｅに示すように、アクチュエータ３２２は穿孔された電極３２３の一端に連結される。また、アクチュエータ３２２は、一端で下部キャリア部分２０２に連結されており、穿孔された電極３２３と下部キャリア部分２０２とがアクチュエータ３２２において連結されるようになっている。アクチュエータ３２２は、ステッピングモータ、サーボモータ、ＡＣブラシレスモータ、ＤＣブラシ付きモータ、ＤＣブラシレスモータ、又はダイレクトドライブモータなどの回転アクチュエータでありうる。アクチュエータ３２２は、スパン部分３０６と同様に、一端で穿孔された電極３２３に接続される。アクチュエータ３２２は、基板１５０が下部キャリア部分２０２内に搬入された後に、穿孔された電極３２３が開位置から閉位置に回動するように、穿孔された電極３２３を軸Ｆを中心に回動させるように構成される。アクチュエータ３２２が穿孔された電極３２３を閉位置まで回動させると、突出部３２４が溝３２６に挿入され、穿孔された電極３２３の反対側の端部が下部キャリア部分２０２に固定される。突出部３２４は穿孔された電極３２３の底面３２１から延びる。いくつかの実施形態では、代わりに、突出部が下部キャリア部分２０２の第３の部分３２８から延びうる。そして、突出部を受けるように穿孔された電極３２３内に、溝が配置される。
【0063】
［００８５］図３Ｆは、別の実施形態による、図２Ａ～２Ｃの浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ１００と共に利用される基板キャリア２０１の更に別の概略断面側面図である。図３Ｆの基板キャリア２０１は、図３Ｄ及び図３Ｅの基板キャリア２０１と同様である。クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃが穿孔された電極３２３の底面３２１に連結され、第３の部分３２８が変更された第３の部分３２８’に置き換えられている点で、図３Ｆの基板キャリア２０１は、図３Ｄ及び図３Ｅの基板キャリア２０１と異なる。変更された第３の部分３２８’は、外側の溝３３２を含む。外側の溝３３２は、変更された第３の部分３２８’と第２の部分３０４から形成される。外側の溝３３２は突出部３３９を受けるようにサイズ決定される。外側の溝３３２は、修正された第３の部分３２８’から半径方向外側に、かつ穿孔された電極３２３の外側エッジ上に、配置される。図３Ｆの突出部３３９が更に第１の部分３０２と第２の部分３０４との間に壁を形成しうるという点で、突出部３３９は、図３Ｄ及び図３Ｅの突出部３２４とは異なる。
【0064】
［００８６］突出部３３９は基板キャリア２０１を取り囲んでおり、これにより処理中の基板１５０のエッジ付近の電場均一性が向上する。いくつかの実施形態では、基板１５０の上面１５１と穿孔された電極３２３との間の均一な磁場の形成をより良好に促進するために、第１の部分３０２、第２の部分３０４、スパン部分３０６、及び突出部３３９の各々は、第１の部分３０２、第２の部分３０４、スパン部分３０６、及び突出部３３９の表面の少なくとも一部に、類似の材料でコーティングされる。
【0065】
［００８７］クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃの各々が穿孔された電極３２３の底面３２１に連結されていることで、基板１５０をクランプする機械的複雑さが更に低減される。これは、穿孔された電極３２３が閉位置まで回動する際に、基板１５０が、基板キャリア２０１内の所定位置にクランプされるからである。図には明示されていないが、図３Ｄ及び図３Ｅの実施形態では、クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃは、代替的には、穿孔された電極３２３の底面３２１に連結されうる。
【0066】
［００８８］図４Ａ～４Ｄは、本明細書に記載する別の実施形態による、浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ４００の概略断面図である。図４Ａ～４Ｄのチャンバ本体１０２は、図１Ａ～１Ｅのチャンバ本体１０２に類似している。図４Ａ～４Ｄの実施形態のチャンバ本体１０２は、トラック１０６、搬入デバイス１１４、アクチュエータ１１６を利用しない。基板１５０は、代わりに回動アセンブリ４５０を使用して処理空間１０５と中間媒体１３９内に移送される。回動アセンブリ４５０は、基板１５０を保持するように構成され、電極４３６を含む。回動アセンブリ４５０は、水平位置で基板１５０を受け取り、基板１５０と電極４３６を処理空間１０５内まで回動させるように構成される。
【0067】
［００８９］図４Ａに示されるように、回動アセンブリ４５０は、電極４３６、アクチュエータ連結器（ａｃｔｕａｔｏｒ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）４３７、回動キャリア４０１、及び電源１３８を含む。電極４３６は、本明細書に記載されているように、固体板電極又は静電メッシュである。電極４３６は、電極４３６の底面が基板１５０及び回動キャリア４０１の上面と平行になるように配置される。いくつかの実施形態では、電極４３６の底面は、電極４３６の主要面として定義されてもよく、よって、基板１５０がいったん回動キャリア４０１内に配置されると、電極４３６の主要面が、基板１５０のデバイス側に最も近接した平行面となる。電極４３６はアクチュエータ連結器４３７を通して、電源１３８に電気的に接続される。回動キャリア４０１は電極４３６から電気的に絶縁されており、同時に１つ又は複数の連結部材４１０によって電極４３６に連結されている。回動キャリア４０１は、図３のキャリア１０１に類似しており、回動キャリア４０１は、１つ又は複数の連結部材４１０に連結される。
【0068】
［００９０］１つ又は複数の連結部材４１０は、剛性の電気絶縁体である。１つ又は複数の連結部材４１０は、セラミック、ポリマー、又はセラミックとポリマーの組み合わせのいずれか１つから形成されうる。いくつかの実施形態では、１つ又は複数の連結部材４１０は、石英又はアルミナから形成される。１つ又は複数の連結部材４１０は、電極４３６と回動キャリア４０１のエッジに連結される。１つ又は複数の連結部材４１０は、電極４３６と回動キャリア４０１との間の一定の変位を維持するために剛性である。
【0069】
［００９１］いくつかの実施形態では、１つ又は複数の連結部材４１０は、１つ又は複数の線形アクチュエータ４１２と連結され、電極４３６と回動キャリア４０１との間の変位を増減可能にしうる。１つ又は複数の線形アクチュエータ４１２は、電極４３６及び１つ又は複数の連結部材４１０に接続され、１つ又は複数の連結部材４１０を電極４３６に対して移動させる。１つ又は複数の連結部材４１０は、回動キャリア４０１に固定され、１つ又は複数の線形アクチュエータ４１２が１つ又は複数の連結部材４１０を作動させると、回動キャリア４０１の電極４３６に近づいたり離れたりする動きを可能にする。
【0070】
［００９２］１つ又は複数の線形アクチュエータ４１２は、基板１５０を回動キャリア４０１に搬入する間、電極４３６と回動キャリア４０１とを離間させることが想定される。次いで、電極４３６と回動キャリア４０１との間の空間は、基板１５０が回動キャリア４０１上に搬入され、回動キャリア４０１が処理のために準備された後に、１つ又は複数の線形アクチュエータ４１２によって縮小されるだろう。電極４３６と回動キャリア４０１との間の変位を小さくすることは、露光後ベークプロセスの間、電極４３６と基板１５０との間の均一な電場を維持することに役立つ。
【0071】
［００９３］基板１５０は、１つ又は複数のクランプ４０８を用いて回動キャリア４０１に固定される。１つ又は複数のクランプ４０８は、図３Ａ～３Ｂに関して説明したクランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃに類似する。いくつかの実施形態では、１つ又は複数のクランプ４０８は、基板を囲むリングが膨張又は充填されて基板１５０のエッジ部分又は上面に圧力を印加するような、空気圧式クランプ又は液圧式クランプである。
【0072】
［００９４］アクチュエータ連結器４３７は、電極４３６をアクチュエータ４２０に連結する。アクチュエータ４２０は、回動軸Ｂを中心に回動アセンブリ全体を回転させるように構成される。回動軸Ｂは、電極４３６と回動キャリア４０１の両方からオフセットされている。
【0073】
［００９５］図４Ａ～４Ｄは、図１０の方法１０００の工程を示す。方法１０００は、第１の工程１００２、第２の工程１００４、第３の工程１００６、第４の工程１００８、第５の工程１０１０、第６の工程１０１２、第７の工程１０１４、第８の工程１０１６、及び第９の工程１０１８を含む。工程は、本明細書で説明するように、図４Ａ～４Ｄの装置に関して実行される。
【0074】
［００９６］第１の工程１００２、第２の工程１００４、及び第３の工程１００６が、図４Ａに関連して説明される。第１の工程１００２の間、処理空間１０５は中間媒体１３９のような処理流体で充填される。処理流体は、第１の流体ポート１２０又は第２の流体ポート１２５の一方を通って導入される。第１の工程１００２は、図８及び図１Ａ～１Ｅに関して説明した第１の工程８０２に類似する。
【0075】
［００９７］第２の工程１００４は、回動キャリア４０１が移送位置にある間に、基板１５０を回動キャリア４０１上に位置決めすることを含む。移送位置は、前述したように、電極４３６と水平面に平行な位置である。基板１５０は、ロボット（図示せず）を用いて回動キャリア４０１上に載置される。回動キャリア４０１と電極４３６は、基板１５０を回動キャリア４０１上に位置決めする間、間隔をあけた位置にある。
【0076】
［００９８］基板１５０が回動キャリア４０１上に載置された後に、基板１５０は、第３の工程１００６の間に回動キャリア４０１に固定される。基板１５０は、１つ又は複数のクランプ４０８を用いて回動キャリア４０１に固定される。１つ又は複数のクランプ４０８は、機械式クランプ、空気圧式クランプ、又は液圧式クランプのいずれかである。基板１５０を回動キャリア４０１に固定することにより、基板１５０が移動したり回動キャリア４０１から脱落したりすることなく、回動キャリア４０１及び電極４３６を回動軸Ｂを中心に回転させることができる。
【0077】
［００９９］基板１５０が回動キャリア４０１に固定された後に、電極４３６、回動キャリア４０１、及び基板１５０は、第４の工程１００８の間、水平な移送位置から角度付けされた位置に回動される。回動キャリア４０１、電極４３６、及び基板１５０は、図４Ｂに示されるように、回動軸Ｂを中心に、角度のついた位置まで回動される。回動アセンブリ４５０が回動軸Ｂを中心に回転する際に、回動アセンブリ４５０はチャンバ本体１０２の上方に配置される。回動軸Ｂは、中間媒体１３９の上面から基板１５０の半分以上の高さＨ４に配置されうる。いくつかの実施形態では、高さＨ４は約１００ｍｍ～約３００ｍｍ、例えば約１５０ｍｍ～約２５０ｍｍである。垂直位置又は移送位置からの回動アセンブリ４５０の回動角度θ２は、約６０度～約９０度、例えば約７０度～約９０度、例えば約８０度～約９０度、例えば約８２度～約８８度である。回動角度θ２は、水平面に対する基板１５０とキャリア４０１の進入角度である。また、基板１５０とキャリア４０１の進入角度は、処理空間１０５が中間媒体１３９で満たされているときに、中間媒体１３９の上部水平面に対してとられるものとして示されている。進入角度が８０度を超えると、基板１５０、回動キャリア４０１、電極４３６の周囲に形成される気泡及びエアポケットの量が実質的に減少することが判明している。
【0078】
［０１００］第５の工程１０１０中に、電極４３６、回動キャリア４０１、及び基板１５０は、処理空間内に移送され、中間媒体１３９に浸漬される。第５の工程１０１０を図４Ｃに示す。電極４３６、回動キャリア４０１、及び基板１５０が中間媒体１３９に浸漬されると、回動アセンブリ４５０は、第４の工程１００８の角度付けされた位置からより水平な位置まで回転される。回動アセンブリ４５０全体を下降させながら回動軸Ｂを中心に回動アセンブリ４５０を同時に回動させると、電極４３６、回動キャリア４０１、及び基板１５０が湾曲した経路に沿って浸漬される。回動アセンブリ４５０が中間媒体１３９に浸漬されているときに回動アセンブリ４５０を回動させると、電極４３６、回動キャリア４０１、及び基板１５０の周囲に気泡が蓄積するのを低減することが示されている。いくつかの実施形態では、回動アセンブリ４５０が回動軸Ｂを中心に水平位置まで回転する前に、回動アセンブリ４５０は、中間媒体１３９に完全に又はほぼ完全に浸漬されうる。回動アセンブリ４５０が図４Ｂの角度付けされた位置から水平位置に回転して戻り始める前に、回動軸Ｂは、中間媒体１３９の上面の上方約－１５０ｍｍ～約１５０ｍｍ、例えば約－１００ｍｍ～約１００ｍｍ、例えば約－５０ｍｍ～約５０ｍｍの高さＨ５でありうる。回動アセンブリ４５０の最後の部分が中間媒体１３９に浸漬される際の進入の回動角度θ３は、約５度～約６０度、例えば約１０度～約４５度である。
【0079】
［０１０１］電極４３６全体、回動キャリア４０１、及び基板１５０が中間媒体１３９に浸漬された後に、第６の工程１０１２において、回動アセンブリ４５０が処理空間内の処理位置に移送される。回動アセンブリ４５０の処理位置が、図４Ｄに示されている。図４Ｄにおいて、基板１５０のデバイス側は水平に配置されており、図１の例では、チャンバ本体１０２の底面１２４とも平行である。回動キャリア４０１は、１つ又は複数のコネクタ１１０の上部に載置される。１つ又は複数のコネクタ１１０は、回動キャリア４０１をチャンバ本体１０２の底面１２４に電気的及び機械的に接続する。１つ又は複数のコネクタ１１０は、電気的に接地１３０されている。回動キャリア４０１の接地は、更に基板１５０を接地する。基板及び回動キャリア４０１がコネクタ１１０によって接地される代わりに、回動キャリア４０１は、１つ又は複数の連結部材４１０を通過し、アクチュエータ連結部４３７を通って、電源１３８の電極４３６との接続と同様の方法で接地された構成要素（図示せず）に向かう接続部によって接地される。
【0080】
［０１０２］処理位置にある間に、基板１５０に電場を印加し、露光後ベークプロセスを実行する第７の工程１０１４が実行される。第７の工程１０１４は、図８の方法８００の第８の工程８１６に類似する。電極４３６と基板１５０のデバイス側との間の高さＨ６は、約７ｍｍ未満、例えば約５ｍｍ未満、例えば約３ｍｍ未満、例えば約１ｍｍ未満、例えば約０．５ｍｍ未満である。本明細書で説明する実施形態では、基板１５０のデバイス側と電極４３６との間の機械的バリアが限られていると、高さＨ６を低減することが可能である。
【0081】
［０１０３］第７の工程１０１４の露光後ベークプロセスが実行された後に、電極４３６、回動キャリア４０１、及び基板１５０は、第８の工程１０１６の間に処理空間１０５の外に移送される。第８の工程１０１６の間、電極４３６、回動キャリア４０１、及び基板１５０を処理空間１０５内に載置するために利用される方法と類似しているが、それとは逆の方法における中間媒体１３９（ｔｈｅ ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｍｅｄｉｕｍ １３９ ｉｎ ａ ｍｅｔｈｏｄ ｓｉｍｉｌａｒ ｔｏ， ｂｕｔ ｒｅｖｅｒｓｅｄ ｆｒｏｍ， ｔｈｅ ｍｅｔｈｏｄ ｕｔｉｌｉｚｅｄ ｔｏ ｐｌａｃｅ ｔｈｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ４３６， ｔｈｅ ｓｗｉｎｇ ｃａｒｒｉｅｒ ４０１， ａｎｄ ｔｈｅ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ １５０ ｗｉｔｈｉｎ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓ ｖｏｌｕｍｅ １０５）。
【0082】
［０１０４］第９の工程１０１８の間、中間媒体１３９のような処理流体は、第１の流体源１２０、第２の流体源１２５、又はオーバーフローバルブ１２９のうちの１つを通して処理空間１０５から排出される。第９の工程１０１８の処理空間１０５からの処理流体の排出は、図８の方法８００の第１０の工程８２０に類似している。
【0083】
［０１０５］図５Ａ～５Ｃは、本明細書に記載される更に別の実施形態による、浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ５００の概略断面図である。浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ５００は、チャンバ本体１０２と基板バッチキャリア５０１を含む。バッチキャリア５０１は、複数の基板を保持するように構成される。複数の基板は、１つ又は複数のロボット（図示せず）を用いてバッチキャリア５０１上に載置されうる。チャンバ本体１０２は、図１Ａ～１Ｅに関して説明したチャンバ本体１０２に類似する。図５Ａのチャンバ本体１０２は、側壁トラック５１０と、その上に取り付けられたバッチ電極デバイス５３６とを更に含む。図１Ａ～１Ｅ及び図４Ａ～４Ｄのコネクタ１１０は、更に支持体５０３に置き換えられる。
【0084】
［０１０６］バッチ電極デバイス５３６は、複数の単一電極５０６ａ～５０６ｆを含む。バッチ電極デバイス５３６は、チャンバ本体１０２の処理空間１０５内に配置され、処理空間１０５が中間媒体１３９で十分に満たされている間、中間媒体１３９のような処理流体中に完全に浸漬されるように構成される。複数の単一電極５０６ａ～５０６ｆは、互いに平行に、かつチャンバ本体１０２の底面１２４に対して直角に配置される。単一電極５０６ａ～５０６ｆの各々は、基板１５０が処理位置にある間、基板１５０に平行な平面の表面となるように構成される主要面を含む。主要面は、単一電極５０６ａ～５０６ｆの最大の平面の表面であり、電場を形成するように構成されうる。複数の電極５０６ａ～５０６ｆは、１つ又は複数の支持ビーム５０７に沿って配置される。１つ又は複数の支持ビーム５０７は、電極５０６ａ～５０６ｆに対して直角に配置される。１つ又は複数の支持ビーム５０７は、連結部５０８においてチャンバ本体１０２の側壁１０４に連結される。複数の電極５０６ａ～５０６ｆは、１つ又は複数の支持ビーム５０７に沿って間隔をあけて配置され、バッチ電極軸Ｄを中心にセンタリングされる。バッチ電極軸Ｄは、チャンバ本体１０２の側壁１０４に対して直角である。
【0085】
［０１０７］連結器５０８は、側壁トラック５１０とは別の、しかし側壁トラック５１０と平行なトラック（図示せず）上に配置されうる。代替的には、電極５０６ａ～５０６ｆの各々は、支持ビームを使用することなく、処理チャンバの側壁１０４に個別に装着されうる。複数の電極５０６ａ～５０６ｆの各電極を装着することで、各電極を別々に交換することができ、処理空間１０５内の機械的な複雑さが軽減される。バッチ電極デバイス５３６は、電源１３８に電気的に結合されており、電極５０６ａ～５０６ｆの各々が、電源１３８に電気的に接続されるようになっている。いくつかの実施形態では、電源１３８はいくつかの電源を含む。
【0086】
［０１０８］バッチキャリア５０１は、側壁トラック５１０に沿って配置され、複数の単一基板キャリア又は単一キャリア５０２ａ～５０２ｆを含む。複数の単一キャリア５０２ａ～５０２ｆは、１つ又は複数の支持ビーム５０４によって、まとめて連結される。複数の単一キャリア５０２ａ～５０２ｆは、互いに平行であり、１つ又は複数の支持ビーム５０４に沿って間隔をあけて配置される。複数の単一キャリア５０２ａ～５０２ｆは、バッチキャリア軸Ｃを中心にセンタリングされる。バッチキャリア軸Ｃは、１つ又は複数の支持ビーム５０４が進行する方向に平行である。バッチキャリア５０１は、アクチュエータ５０５によってチャンバ本体に連結される。アクチュエータ５０５は、側壁トラック５１０に連結される。アクチュエータ５０５は、バッチキャリア５０１を側壁トラック５１０に取り付け、バッチキャリア５０１を、回転軸Ｅを中心に回転させるように構成される。複数の単一キャリア５０２ａ～５０２ｆは、接地される。いくつかの実施形態では、バッチキャリア５０１は、個々の基板を保持するためのスロットを有するカセットである。
【0087】
［０１０９］側壁トラック５１０は、１つ又は複数の側壁１０４のうちの１つの側壁に取り付けられ、その側壁に沿って配置された垂直トラックである。側壁トラック５１０は直線的トラックであり、締め具を用いて１つ又は複数の側壁１０４に連結されうる。側壁トラック５１０は、チャンバ本体１０２が中間媒体１３９で充填されるレベルより上方に延びうる。いくつかの実施形態では、側壁トラック５１０は、チャンバ空間１０５から、１つ又は複数の側壁１０４の上面１４０の上方に延びる。バッチキャリア５０１がバッチ電極デバイス５３６に衝突することなく、バッチキャリア５０１を水平位置まで完全に回転させることができるように、側壁トラック５１０がチャンバ空間１０５から延びる。
【0088】
［０１１０］図５Ａ～５Ｄは、図１１の方法１１００内のプロセス工程を示す。図１１の方法１１００は更に、第１の工程１１０２、第２の工程１１０４、第３の工程１１０６、第４の工程１１０８、第５の工程１１１０、第６の工程１１１２、第７の工程１０１４、及び第８の工程１０１６を含む。第１の工程１１０２、第２の工程１１０４、及び第３の工程１１０６は、バッチキャリア５０１が図５Ａに示すように移送位置にある間に、完了する。第１の工程１１０２は、中間媒体１３９のような処理流体を処理空間１０５に導入することを含む。第１の工程１１０２は、図８の方法８００の第１の工程８０２に類似する。
【0089】
［０１１１］第２の工程１１０４は、バッチキャリア５０１上に複数の基板１５０を位置決めすることを含む。複数の基板１５０は、バッチキャリア５０１が水平移送位置にある間に、１つ又は複数のロボット（図示せず）によってバッチキャリア５０１上に載置される。水平移送位置は、単一キャリア５０２ａ～５０２ｆ上に位置決めされた基板１５０の各々の表面が水平面に対して平行、かつ電極５０６ａ～５０６ｆの各々の主面に対して直角な位置である。
【0090】
［０１１２］バッチキャリア５０１の単一キャリア５０２ａ～５０２ｆの各々の上に基板１５０が載置された後に、第３の工程１１０６の間に、基板１５０が単一キャリア５０２ａ～５０２ｆの各々に固定される。基板１５０の各々は、１つ又は複数のクランプ５２８ａ～５２８ｃ（図６Ｂ）を用いて、単一キャリア５０２ａ～５０２ｆに固定されうる。１つ又は複数のクランプ５２８ａ～５２８ｃは、機械式クランプ、空気圧式クランプ、又は液圧式クランプのいずれかでありうる。基板１５０を単一キャリア５０２ａ～５０２ｆに固定することにより、基板１５０が単一キャリア５０２ａ～５０２ｆから移動又は落下することなく、バッチキャリア５０１を回転軸Ｅを中心に回転させることができる。
【0091】
［０１１３］基板１５０がバッチキャリア５０１に固定された後に、バッチキャリア５０１と基板１５０は、第４の工程１１０８の間、回転軸Ｅを中心に回動される。回転軸Ｅを中心としてバッチキャリア５０１を回動させることは、バッチキャリア５０１と基板１５０を垂直な中間位置まで角度θ４だけ回動させる。図５Ｂは、第４の工程１１０８後のバッチキャリア５０１の配向を示す。バッチキャリア５０１が回動する角度θ４は、約８０度～約９０度、例えば約８５度～約９０度、例えば約９０度である。第４の工程１１０８が実行された後に、基板１５０の上面は、電極５０６ａ～５０６ｆの各々の底面と平行になり、バッチキャリア軸Ｃは、バッチ電極軸Ｄと平行になる。
【0092】
［０１１４］第４の工程１１０８の後に、単一キャリア５０２ａ～５０２ｆ及び基板１５０は、中間媒体１３９の深さ及び電極５０６ａ～５０６ｆの位置に応じて、中間媒体１３９内に部分的に浸漬されるか、又は全く浸漬されない。
【0093】
［０１１５］第４の工程１１０８の後に、バッチキャリア５０１と基板１５０は、第５の工程１１１０の間、側壁トラック５１０に沿って処理空間１０５内に移送される。バッチキャリア５０１及び基板１５０は、図５Ｃに示すように、処理位置に移送され、単一キャリア５０２ａ～５０２ｆのうちの１つ以上が、チャンバ本体１０２の底面１２４に配置される支持体５０３と接触する。支持体は電気的に絶縁されており、バッチキャリア５０１のバッチ電極デバイス５３６との位置合わせを補助する。処理位置内にある間、基板１５０の各々が、電極５０６ａ～５０６ｆの１つと単一キャリア５０２ａ～５０２ｆの１つとの双方によって分離される。電極５０６ａ～５０６ｆは帯電電極として機能し、単一キャリア５０２ａ～５０２ｆは接地電極として機能し、基板１５０と電極５０６ａ～５０６ｆとの間に電場を形成する。単一キャリア５０２ａ～５０２ｆの各々が電極５０６ａ～５０６ｆの１つとセンタリングされるように、バッチキャリア軸Ｃとバッチ電極軸Ｄが、処理位置にある間に位置合わせされる。
【0094】
［０１１６］基板１５０の１つの上面は、電極５０６ａ～５０６ｆの１つの底面から距離Ｄ１だけ分離される。距離Ｄ１は、約７ｍｍ未満、例えば約５ｍｍ未満、例えば約３ｍｍ未満、例えば約１ｍｍ未満、例えば約０．５ｍｍ未満である。本明細書に記載される実施形態では、基板１５０のデバイス側と電極５０６ａ～５０６ｆとの間の機械的バリアが限られている際に、距離Ｄ１を短縮することが可能である。
【0095】
［０１１７］第５の工程１１１０の後に、第６の工程１１１２中に、バッチキャリア５０１内の基板１５０の各々に電場が印加される。第６の工程１１１２は、図８の方法８００の第８の工程８１６に類似する。第６の工程１１１２の露光後ベークプロセスが実行された後に、バッチキャリア５０１は、第７の工程１１１４の間に処理空間１０５から移送される。第７の工程１１１４の間、バッチキャリア５０１は、バッチキャリア５０１を処理空間１０５内に載置するために利用される方法に類似するがそれとは逆の方法で、中間媒体１３９から除去される。
【0096】
［０１１８］第８の工程１１１６の間、中間媒体１３９のような処理流体は、第１の流体源１２０、第２の流体源１２５、又はオーバーフローバルブ１２９のうちの１つを通して処理空間１０５から排出される。第８の工程１１１６中の処理空間１０５からの処理流体の排出は、図８の方法８００の第１０の工程８２０に類似している。
【0097】
［０１１９］図６Ａは、本明細書に記載される実施形態による、図５Ａ～５Ｃの浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバと共に利用されるバッチキャリア５０１の概略断面側面図である。バッチキャリア５０１は、複数の単一キャリア５０２ａ～５０２ｆを含む。図６Ａの実施形態では、６つの単一キャリア５０２ａ～５０２ｆが存在するが、任意の数の単一キャリア５０２ａ～５０２ｆが利用される可能性があることが企図される。いくつかの実施形態では、バッチキャリア５０１は、２つ以上の単一基板キャリア、例えば３つ以上の単一基板キャリアを含む。単一キャリア５０２ａ～５０２ｆのような単一基板キャリアの各々は、１つ又は複数の支持ビーム５０７ａ、５０７ｂに接続される。図６Ａの実施形態では、第１の支持ビーム５０７ａ及び第２の支持ビーム５０７ｂが存在する。支持ビーム５０７ａ、５０７ｂは、単一キャリア５０１ａ～５０２ｆをまとめて接続し、バッチキャリア５０１を形成する。バッチキャリア５０１は更に、バッチキャリア５０１を回転させるためにその一端に配置されるアクチュエータ５０５を含む。
【0098】
［０１２０］単一キャリア５０２ａ～５０２ｆの各々は、保持部分５２０と絶縁部分５２２とを含む。保持部分５２０は、基板１５０を保持するように構成される。絶縁部分５２２は、絶縁部分５２２の下方に配置された電極５０６ａ～５０６ｆなどのあらゆる電極の磁場から基板１５０を電気的に絶縁するための絶縁材料から形成される。保持部分５２０は絶縁部分５２２の上方に配置され、バッチキャリア５０１上に配置される間、各基板１５０がその間に配置される絶縁部分５２２を有するようになっている。
【0099】
［０１２１］図６Ｂは、本明細書に記載される実施形態による、図６Ａのバッチキャリア５０１の単一基板キャリア５０２ａ～５０２ｆの概略断面平面図である。単一基板キャリア５０２ａ～５０２ｆが示されており、第１の部分６０２、第２の部分６０４、及びスパン部分６０６を含んでいる。第１の部分６０２と第２の部分６０４は、単一キャリア５０２ａ～５０２ｆの一方の側でスパン部分６０６によって接続される。基板１５０は、図３Ａの窪み３１６と同様の方法で、第１の部分６０２と第２の部分６０４の両方の内部に形成された窪み内に載置される。
【0100】
［０１２２］開口部６１０は、第１の部分６０２と第２の部分６０４との間に、かつスパン部分６０６の反対側に、配置される。開口部６１０は、ロボット（図示せず）が基板１５０を単一キャリア５０２ａ～５０２ｆに載置及び単一キャリア５０２ａ～５０２ｆから除去できるように配置され、ロボットのブレードが第１の部分６０２と第２の部分６０４との間に一時的に挿入されるようになっている。基板１５０がロボットによって単一キャリア５０２ａ～５０２ｆ上に載置されると、１つ又は複数の機械式クランプ５２８ａ、５２８ｂ、５２８ｃがクランピング位置（ｃｌａｍｐｉｎｇ ｐｏｓｉｔｉｏｎ）まで作動され、基板１５０を固定する。１つ又は複数の機械式クランプは、第１のクランプ５２８ａ、第２のクランプ５２８ｂ、及び第３のクランプ５２８ｃを含む。第１のクランプ５２８ａはスパン部分６０６に取り付けられ、第２のクランプ５２８ｂは第２の部分６０４に取り付けられ、第３のクランプ５２８ｃは第１の部分６０２に取り付けられる。クランプ５２８ａ、５２８ｂ、５２８ｃの各々が互いに約１８０度の角度で配置されるように、第１のクランプ５２８ａ、第２のクランプ５２８ｂ、及び第３のクランプ５２８ｃの各々が、窪みの周囲に均等に分散される。いくつかの実施形態では、基板１５０を固定するために、より多い又はより少ないクランプが存在しうる。いくつかの実施形態では、液圧式クランプ又は空気圧式クランプが使用されうる。
【0101】
［０１２３］支持ビーム５０７ａ、５０７ｂは、単一キャリア５０２ａ～５０２ｆを通って配置される。第１の支持ビーム５０７ａは第１の部分６０２に接続され、第２の支持ビーム５０７ｂは第２の部分６０４に接続される。支持ビーム５０７ａ、５０７ｂは、単一キャリア５０２ａ～５０２ｆの外側エッジの周囲に配置され、基板１５０を、開口部６１０を通して単一キャリア５０２ａ～５０２ｆ上に載置できるように構成される。単一キャリア５０２ａ～５０２ｆの下には、絶縁部分５２２がある。絶縁部分５２２は、単一キャリア５０２ａ～５０２ｆの全体及び基板１５０の下に配置されている。
【0102】
［０１２４］図７Ａは、更に別の実施形態による浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ７００の概略断面図である。図７Ａの浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ７００は、図２Ａ～２Ｃ及び図３Ｄ～３Ｆの基板キャリア２０１と類似した要素を含む。浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ７００は、ベース部分７０１と電極アセンブリ７０３を含む。電極アセンブリ７０３は、ベース部分７０１に連結され、基板１５０のような基板の出入りを可能にするために、開位置と閉位置との間を移動するように構成される。基板１５０は、電極アセンブリ７０３が閉位置に移動する前に、ベース部分７０１内に載置される。電極アセンブリ７０３の動きは、回転、回動運動、又は線形運動でありうる。電極アセンブリ７０３とベース部分７０１は、処理空間７０５を形成する。処理空間７０５は、電極アセンブリ７０３によって基板１５０に電場が印加される前に、処理流体で充填される。
【0103】
［０１２５］浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ７００のベース部分７０１は、本体７０７と堰７０８とを含む。本体７０７は、ベース部分７０１の底面７２６及び側壁７２４を形成する。側壁７２４は底面７２６から電極アセンブリ７０３に向かって上方に延びる。底面７２６は、基板１５０を支持するように構成され、基板１５０の下方に配置された空洞７２２を含む。空洞７２２は、ロボットブレード（図示せず）がその中に配置できるように構成されており、基板１５０がロボットブレードによって底面７２６上に載置され、その後、ロボットブレードが、ベース部分７０１の構成要素のいずれにも接触することなく、基板１５０の下から除去できるようになっている。側壁７２４は、基板１５０の少なくとも一部を取り囲んでいる。
【0104】
［０１２６］ベース部分７０１は更に、１つ又は複数の流体入口７０２と１つ又は複数の流体出口７０４を含む。１つ又は複数の流体入口７０２は、基板１５０を取り囲み、側壁７２４の内面に沿って配置された複数の流体入口７０２でありうる。１つ又は複数の流体出口７０４は、基板１５０を取り囲み、本体７０７の底面７２６を通って配置された複数の出口７０４である。１つ又は複数の流体入口７０２は、流体源７１０と流体連結されている。流体源７１０は、第１の流体源１２３に類似する。流体源７１０は、処理流体を処理空間７０５に供給する。１つ又は複数の流体出口７０４は、排出ポンプ７１２と流体連結している。排出ポンプ７１２は、基板１５０が電場を用いて処理された後に、処理流体を処理空間７０５から除去するように構成される。１つ又は複数の流体出口７０４は、ベース部分７０１の底面７２６を通って配置され、充填レベルに関係なく、すべての流体が処理空間７０５から除去できるようにする。いくつかの実施形態では、１つ又は複数の流体入口７０２もまた、底面７２６を通って形成されうる。流体入口７０２及び流体出口７０４の各々は、ベース部分７０１内に配置された環状チャネルの一部である。流体源７１０及び排出ポンプ７１２の各々は、ベース部分７０１を通って配置された環状チャネルと流体接触しており、環状チャネルは、それぞれ流体入口７０２及び流体出口７０４を通って処理空間７０５と流体連結している。
【0105】
［０１２７］基板１５０は、１つ又は複数の機械式クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃによってベース部分７０１の底面７２６にクランプされる。１つ又は複数の機械式クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃは、図３Ａ～３Ｆに関してより詳細に説明される。１つ又は複数の機械式クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃは、基板１５０をベース部分７０１に固定し、流体が処理空間７０５に充填されるか又は処理空間７０５から排出される際の基板１５０の移動を妨げる。１つ又は複数の機械式クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃは、更に、流体が空洞７２２に充填されたり、又は処理中に基板１５０の下からガスが漏れたりするのを防止することに役立つ。
【0106】
［０１２８］電極アセンブリ７０３は、ベース部分７０１の上部に配置され、リッドを形成する。電極アセンブリ７０３は、穿孔された電極３２３を含む。穿孔された電極３２３は、図３Ｄ～３Ｆに関してより詳細に説明される。穿孔された電極３２３の底面３２１は、基板１５０に面する。穿孔された電極３２３の底面３２１と基板１５０の上面１５１との間の距離は、第７の高さＨ７である。第７の高さＨ７は、約７ｍｍ未満、例えば約５ｍｍ未満、例えば約３ｍｍ未満、例えば約１ｍｍ未満、例えば約０．５ｍｍ未満である。本明細書に記載される実施形態では、基板１５０のデバイス側と穿孔された電極３２３との間の機械的バリアが限られている際に、第７の高さＨ７を短縮することが可能である。電極アセンブリ７０３は、電源７３８に電気的に接続される。電源７３８は、穿孔された電極３２３に電力を印加するように構成される。いくつかの実施形態では、電源７３８によって最大５０００Ｖ、例えば４０００Ｖ未満、例えば３０００Ｖ未満の電位が穿孔された電極３２３に印加される。ベース部分７０１は、接地され、基板を接地して、穿孔された電極３２３の反対側の第２の電極を形成する。
【0107】
［０１２９］堰７０８は、処理空間７０５の外側に配置される。堰７０８は、ベース部分７０１に連結され、穿孔された電極３２３を通って逃げる余分な流体を集める。堰７０８は、堰７０８とベース部分７０１との間に配置された槽（ｂａｓｉｎ）７２０を含む。いくつかの実施形態において、処理空間７０５からの処理流体は、穿孔された電極３２３を通って処理空間７０５から流出する。過剰な処理流体の使用が有益であり、電場９１４の印加中に処理空間７０５内の気泡の量を減少させるために利用されうる。出口７０６は、堰７０８を貫通して形成され、第２の排出ポンプ７１４を槽７２０に流体連結し、槽７２０からの流体の除去を可能にする。堰７０８と槽７２０は、ベース部分７０１を囲みうる。
【0108】
［０１３０］図７Ｂは、平面７Ｂ－７Ｂを通してとられた、図７Ａの浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ７００の別の概略断面側面図である。図７Ｂに示すように、電極アセンブリ７０３は開位置まで回動しうる。穿孔された電極３２３は、アクチュエータ３２２のため、軸Ｆを中心に開位置まで回動する。図３Ｄ～３Ｆのアクチュエータ３２２と同様に、アクチュエータ３２２は、ベース部分７０１と同様に穿孔された電極３２３の一端に連結される。突出部３３９は、図３Ｄ～３Ｆで説明した基板キャリア２０１の実施形態と同様の方法で、外側溝３３２内に形成される。アクチュエータ３２２から最も遠い基板の側面に沿って壁を形成する突出部３３９は、処理空間７０５内に処理流体を保持することに役立つ可能性があるという点で有益である。
【0109】
［０１３１］図７Ｃは、本明細書に記載される更に別の実施形態による、浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ７００の概略断面図である。浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ７００は、図７Ａ及び図７Ｂに関して説明したものに類似するが、追加的に、ベース部分７０１の下方に配置された加熱アセンブリ７４０を含む。加熱アセンブリ７４０は、堰７０８及びベース部分７０１の底部に連結される。加熱アセンブリ７４０により、有益には、基板１５０が迅速かつ均一に加熱可能になりうる。基板１５０と加熱アセンブリ７４０との間の距離が小さいときには、加熱／冷却の不均一性や遅延を引き起こす、基板１５０と加熱アセンブリ７４０との間の熱質量は少ない。図７Ｃの加熱アセンブリ７４０は、ハウジング７４２と、ハウジング７４２内に配置された複数のランプ７４４とを含む。ハウジング７４２は、ベース部分７０１に連結され、ランプ７４４からのエネルギーを処理空間７０５に向かって方向付けるために使用されうる。いくつかの実施形態では、ハウジング７４２の内面は、ハウジングによって吸収されるエネルギー量を低減するために反射面でありうる。ハウジング７４２をベース部分７０１に連結できるように、堰７２０を貫通する開口部が形成されうる。
【0110】
［０１３２］図７Ｄは、本明細書に記載される実施形態による、図７Ａ～７Ｃの浸漬フィールドガイド式の露光後ベークチャンバ７００の平面図である。図７Ｄに示されるように、１つ又は複数の流体入口７０２及び１つ又は複数の流体出口７０４の各々は、基板１５０の外周周囲に配置される。いくつかの実施形態では、１つ又は複数の流体入口７０２及び１つ又は複数の流体出口７０４の各々は、円弧状であり、基板１５０の外周の一部の周囲で湾曲される。いくつかの実施形態では、１つ又は複数の流体入口７０２及び１つ又は複数の流体出口７０４の各々は、約２０度より大きい、例えば約３０度より大きい、例えば約４５度より大きい、基板１５０の外周周囲に形成される。いくつかの実施形態では、２つ以上の流体入口７０２及び流体出口７０４、例えば３つ以上の流体入口７０２及び流体出口７０４、例えば４つ以上の流体入口７０２及び流体出口７０４が存在する。空洞７２２は、流体入口７０２又は流体出口７０４のいずれとも交差しないように、流体入口７０２の２つ又は流体出口７０４の２つの間に配置されうる。穿孔された電極３２３は、図７Ｄに示すベース部分７０１の上に配置されるだろう。
【0111】
【0112】
［０１３４］第１の工程１２０２は、電極アセンブリ７０３が開位置にある間に、基板１５０のような基板をベース部分７０１内に位置決めすることを含む。穿孔された電極３２３が基板１５０に対してある角度で配置され、基板１５０がベース部分７０１に配置又はそこから取り外すことができる際の、第１の工程１２０２の開位置が図７Ｂに示されている。
【0113】
［０１３５］第１の工程１２０２に続いて、基板１５０をベース部分７０１に固定するための第２の工程１２０４が実行される。基板１５０をベース部分７０１に固定することは、１つ又は複数の機械式クランプ３０８ａ、３０８ｂ、３０８ｃで基板１５０をクランプすること、及び／又は、穿孔された電極３２３を閉位置まで回動させることを含みうる。
【0114】
［０１３６］いくつかの実施形態では、穿孔された電極３２３を閉位置まで回動させることは、基板１５０の固定に続く第３の工程１２０６の一部であり、又はいくつかの実施形態では、第２の工程１２０４と第３の工程１２０６は同時に実行される。
【0115】
［０１３７］第３の工程１２０６に続いて、処理流体を処理空間７０５に導入する第４の工程１２０８が実行される。処理流体は、１つ又は複数の流体入口７０２を通って処理空間７０５に進入し、処理空間７０５を満たす。処理流体の一部は、穿孔された電極３２３を通って処理空間７０５から流出し、堰７０８に落ちる可能性がある。処理流体の導入に続いて又はそれと同時に、第５の工程１２１０が、ベース部分７０１及び処理空間７０５を加熱するために実行される。ベース部分７０１及び処理空間７０５の加熱は、図７Ｃの加熱アセンブリ７４０又は抵抗加熱アセンブリなどの別の加熱アセンブリのうちの１つを用いて実行されうる。基板１５０は、加熱アセンブリ７４０によって加熱される。基板１５０の温度は、処理結果を向上させるために制御される。
【0116】
［０１３８］第５の工程１２１０中の加熱に続いて、穿孔された電極３２３によって基板１５０に電場を印加することによって、第６の工程１２１２が実行される。電場を印加することにより、基板とその上に配置されたフォトレジストに露光後ベークプロセスが実行される。第６の工程１２１２の露光後ベークプロセスの後に、処理流体が、第７の工程１２１４の間に１つ又は複数の流体出口７０４を通って処理空間１０５から排出され、基板１５０が、第８の工程１２１６の間にインデクシングロボット（図示せず）によって除去される。
【0117】
［０１３９］本明細書に記載される実施形態は、露光後ベークプロセスにおけるバブリング（ｂｕｂｂｌｉｎｇ）の影響を低減しつつ、基板が水平に処理されうる点で有益である。また、本明細書に記載される実施形態により、処理中に電極と基板をより近接して配置できるようになり、電場不均一性の影響が低減される。
【0118】
［０１４０］以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び追加の実施形態を考案してもよい。本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。
【図1A】
【図1B】
【図1C】
【図1D】
【図1E】
【図1F】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図3A】
【図3B】
【図3C】
【図3D】
【図3E】
【図3F】
【図4A】
【図4B】
【図4C】
【図4D】
【図5A】
【図5B】
【図5C】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図7C】
【図7D】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【国際調査報告】