特表 2024-501969 集積回路を製造するための方法とシステム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-01-17

(54)【発明の名称】集積回路を製造するための方法とシステム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20240110BHJP

   G03F 9/00 20060101ALI20240110BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 J

G03F9/00 H

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023539066

(86)(22)【出願日】2021-04-19

(85)【翻訳文提出日】2023-06-23

(86)【国際出願番号】 US2021027860

(87)【国際公開番号】W WO2022146471

(87)【国際公開日】2022-07-07

(31)【優先権主張番号】202011612883.3

(32)【優先日】2020-12-30

(33)【優先権主張国・地域又は機関】CN

(31)【優先権主張番号】17/168,632

(32)【優先日】2021-02-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】500049141

【氏名又は名称】ケーエルエー コーポレイション

(74)【代理人】

【識別番号】110001210

【氏名又は名称】弁理士法人ＹＫＩ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】プ ハイフェン

(72)【発明者】

【氏名】ズ ニンチー

(72)【発明者】

【氏名】ツォン シェングアン

【テーマコード（参考）】

2H197

4M106

【Ｆターム（参考）】

2H197AB02

2H197CA09

2H197DA02

2H197EA03

2H197EB23

2H197JA23

4M106AA01

4M106BA02

4M106BA04

4M106CA39

4M106DB01

4M106DB20

4M106DJ07

(57)【要約】

集積回路を製造するための方法は、測定データを第１のウェハ上の第１のグループのオーバレイマークに従って取得することであって、ここで、第１のグループのオーバレイマークが第１のウェハ上の第１の領域に配置されることと、第１のパラメータセットを第１のモデル及び測定データに従って取得することと、第１のパラメータセットを第２のウェハ上の第２の領域に投影して模擬補償データを取得することであって、ここで第２の領域が第１のグループのオーバレイマークの数よりも多い第２のグループのオーバレイマークを含むことと、を含む。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

集積回路を製造するための方法であって、
測定データを、第１のウェハ上の第１のグループのオーバレイマークであって、前記第１のウェハ上の第１の領域に配置される第１のグループのオーバレイマークに従って取得することと、
第１のパラメータセットを第１のモデル及び前記測定データに従って取得することと、 プロセッサを用いて、前記第１のパラメータセットを第２のウェハ上の第２の領域に投影して、模擬補償データを取得することであって、前記第２の領域が前記第１のグループのオーバレイマークの数よりも多い第２のグループのオーバレイマークを含むことと、
を含む、集積回路を製造するための方法。

【請求項2】

前記第１のウェハ上の前記第１の領域を、第１のサブ領域及び第２のサブ領域に分割することと、
前記模擬補償データと第２のモデルに従って、前記第１のサブ領域に関連付けられた第２のパラメータセットを取得することと、
前記模擬補償データと前記第２のモデルに従って、前記第２のサブ領域に関連付けられた第３のパラメータセットを取得することと、
前記第１のサブ領域と前記第２のサブ領域との間のステッチングエラーを、前記第２のパラメータセットと前記第３のパラメータセットに従って較正することと、
前記第１のウェハ上の前記第１の領域のオーバレイエラーを、前記第２のパラメータセットと前記第３のパラメータセットに従って較正することと、
を更に含む、請求項１に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項3】

複数の座標を選択して前記第２のウェハ上の前記第２のグループのオーバレイマークを取得することを更に含む、請求項１に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項4】

前記第１のモデルは、ウェハレベルモデル又は領域レベルモデルの一方である、請求項１に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項5】

前記測定データは、前記第１のグループのオーバレイマークに関連付けられたオフセット量を示す、請求項１に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項6】

前記第１のウェハ上の前記第１の領域と前記第２のウェハ上の前記第２の領域は同じ大きさである、請求項１に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項7】

前記第１のパラメータセットを前記第２のウェハ上の前記第２の領域に投影して、前記模擬補償データを取得することは、
前記第１のウェハ上の前記第１のサブ領域を前記第２のウェハ上の第３のサブ領域に投影することと、
前記第１のウェハ上の前記第２のサブ領域を前記第２のウェハ上の第４のサブ領域に投影することと、
を含む、請求項２に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項8】

前記第１のウェハ上の前記第１のサブ領域と前記第２のウェハ上の前記第３のサブ領域は同じサイズであり、前記第１のウェハ上の前記第２のサブ領域と前記第２のウェハ上の前記第４のサブ領域は同じサイズである、請求項７に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項9】

前記第２のモデルと前記第１のモデルは互換性があり、前記第１のモデルに従って取得されかつ前記第１のサブ領域に関連付けられる第１のグループの補償データと、前記第２のモデルに従って取得されかつ前記第３のサブ領域に関連付けられる第２のグループの補償データとの間の残差は、ゼロである、請求項７に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項10】

前記第２のモデルは、領域内モデルである、請求項１に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項11】

前記第２のウェハは仮想ウェハであり、
前記第２のグループのオーバレイマークは、前記第２のウェハ上の前記第３のサブ領域に配置された第１のオーバレイマークと、前記第２のウェハ上の前記第４のサブ領域に配置された第２のオーバレイマークとを含む、
請求項８に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項12】

集積回路を製造するための方法であって、
第１のサブ領域及び第２のサブ領域を第１のウェハ上の第１の領域内に画定することであって、第１のグループのオーバレイマークが前記第１の領域内に配置されることと、
第１のモデルを前記第１のグループのオーバレイマークに関連付けられた測定データに適用して、第１のパラメータセットを取得することと、
プロセッサを用いて、前記第１のパラメータセットを、第２のウェハ上に在る第２の領域であって、前記第１の領域と同じレイアウトを有する第２の領域に投影して、模擬補償データを取得することと、
を含む、集積回路を製造するための方法。

【請求項13】

前記模擬補償データと第２のモデルに従って、前記第１のサブ領域に関連付けられた第２のパラメータセットを取得することと、
前記模擬補償データと前記第２のモデルに従って、前記第２のサブ領域に関連付けられた第３のパラメータセットを取得することと、
前記第１のサブ領域と前記第２のサブ領域との間のステッチングエラーと、前記第１のウェハ上の前記第１の領域のオーバレイエラーとを、前記第２のパラメータセットと前記第３のパラメータセットに従って較正することと、
を更に含む、請求項１２に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項14】

前記第２の領域は第２のグループのオーバレイマークを含み、前記第２のグループのオーバレイマークの数は、前記第１のグループのオーバレイマークの数よりも多い、請求項１２に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項15】

前記第１のモデルは、ウェハレベルモデル又は領域レベルモデルの一方である、請求項１２に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項16】

前記同じレイアウトは、前記第２のウェハ上の前記第２の領域が、前記第１のウェハ上の前記第１のサブ領域及び前記第２のサブ領域にそれぞれ対応する第３のサブ領域及び第４のサブ領域を含むことを示し、前記第２のモデルと前記第１のモデルは互換性があり、その結果、
前記第１のモデルに従って取得され、かつ前記第１のサブ領域に関連付けられる第１のグループの補償データと、前記第２のモデルに従って取得され、かつ前記第３のサブ領域に関連付けられる第２のグループの補償データとの間の残差はゼロであり、
前記第１のモデルに従って取得され、かつ前記第２のサブ領域に関連付けられる第３のグループの補償データと、前記第２のモデルに従って取得され、かつ前記第４のサブ領域に関連付けられる第４のグループの補償データとの間の残差はゼロである、
請求項１２に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項17】

前記第１のサブ領域と前記第３のサブ領域は同じ大きさであり、
前記第２のサブ領域と前記第４のサブ領域は同じ大きさである、
請求項１６に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項18】

前記第２のグループのオーバレイマークは、前記第２のウェハ上の前記第３のサブ領域に配置された第１のオーバレイマークと、前記第２のウェハ上の前記第４のサブ領域に配置された第２のオーバレイマークとを含む。
請求項１７に記載の集積回路を製造するための方法。

【請求項19】

請求項１２に記載の方法を実行するように構成された集積回路を製造するためのシステムであって、前記プロセッサ、前記プロセッサに結合されたコンピュータ実行可能命令を格納する非一時的コンピュータ可読媒体、及び前記第１のウェハを支持するように構成されるハンドラを含む、システム。

【請求項20】

集積回路を製造するためのシステムであって、
プロセッサ、
コンピュータ実行可能命令を格納し、前記プロセッサに結合された、非一時的コンピュータ可読媒体、及び、
第１のウェハを支持するように構成されるハンドラ、を含み、
ここで、前記プロセッサは前記コンピュータ実行可能命令を実行して、
測定データを、前記第１のウェハ上の第１のグループのオーバレイマークであって、前記第１のウェハ上の第１の領域に配置される第１のグループのオーバレイマーク、に従って取得し、
第１のパラメータセットを第１のモデル及び前記測定データに従って取得し、
前記第１のパラメータセットを、模擬補償データを取得するために、第２のウェハ上の第２の領域であって、前記第１のグループのオーバレイマークの数よりも多い第２のグループのオーバレイマークを含む第２の領域に投影すること、が可能である、
集積回路を製造するためのシステム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、一般に、半導体技術の分野に関し、特に、集積回路を製造するための方法及びシステムに関する。

【背景技術】

【0002】

関連出願の相互参照
本出願は、２０２０年１２月３０日に出願された中国特許出願第２０２０１１６１２８８３．３号に対する優先権を主張し、その開示は参照により本明細書に援用される。

【0003】

フォトリソグラフィは、集積回路製造の分野において重要なプロセスである。フォトリソグラフィのプロセス品質は、集積回路の歩留まり、信頼性、チップ性能、耐用年数などの指標に直接影響する。フォトリソグラフィのプロセス品質における向上は、これらの指標の安定性と密接に関連付けられる。

【0004】

フォトリソグラフィの１つの種類は、フォトリソグラフィ法と呼ばれる。この方法では、フォトマスクを紫外光などの光で照明し、フォトマスク上のパターンを露光によってウェハ上のフォトレジストに転写する。フォトレジストには、紫外線暴露中に化学的変化を受ける１つ以上の成分が含まれる。したがって、フォトレジストに生じる特性変化により、フォトレジストの露光部分又は未露光部分を選択的に除去することができる。このようにして、フォトリソグラフィを介して、フォトマスクからのパターンをフォトレジストに転写し得て、次いでフォトレジストを選択的に除去してパターンを露光する。更に、前述のステップを繰り返して、複数のパターン層を重畳するフォトリソグラフィを実施し得る。

【0005】

半導体プロセス技術の継続的な革新により、複数のパターン層間のオーバレイオフセットをどのように制御するかは、すでに集積回路の歩留まりの重要な要素となっている。オーバレイオフセットを減少する方法は、すでに半導体業界の主要な課題の１つとなっている。別の側面では、フォトマスクサイズの制限のため、ステッチング技術は、電荷結合素子（ＣＣＤ）及び相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）イメージセンサ（ＣＩＳ）の製造に広く採用される。ステッチングオフセットを制御する方法は、別の課題である。

【0006】

アナモルフィックレンズは、高開口数の極端紫外光（ＥＵＶ）フォトリソグラフィ技術に導入され、より高解像度のパターン層を提供する。この技術では、フォトマスク上のパターンを一方向（例えば、Ｘ方向）に引き伸ばして変形する必要があり、フォトマスク上の変形されたパターンは繰り返し露光を要し、ステッチング技術を使用してウェハ上にパターン層を形成する。ステッチングオフセットの制御は、更に高開口数のＥＵＶフォトリソグラフィ技術において不可欠である。オーバレイオフセットとステッチングオフセットのキャリブレーションは、フォトリソグラフィにおいて重要な役割を果たす。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０１４／０２１２８１７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明の実施形態の目的の１つは、ステッチングオフセット及びオーバレイオフセットを較正し、それによってステッチングオフセット及びオーバレイオフセットを効果的に低減するための、集積回路を製造する方法及びシステムを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明の一実施形態は、集積回路を製造するための方法を提供し、測定データを第１のウェハ上の第１のグループのオーバレイマークに従って取得することであって、ここで、第１のグループのオーバレイマークが第１のウェハ上の第１の領域に配置されることと、第１のパラメータセットを第１のモデル及び測定データに従って取得することと、第１のパラメータセットを第２のウェハ上の第２の領域に投影して模擬補償データを取得することであって、ここで第２の領域が第１のグループのオーバレイマークの数よりも多い第２のグループのオーバレイマークを含むことと、を含む。

【0010】

本発明の別の実施形態は、集積回路を製造するための方法を提供し、第１のサブ領域及び第２のサブ領域を第１のウェハ上の第１の領域内に画定することであって、第１のグループのオーバレイマークが第１の領域内に配置されることと、第１のモデルを第１のグループのオーバレイマークに関連付けられた測定データに適用して、第１のパラメータセットを取得することと、第１のパラメータセットを、第２のウェハ上に在る第２の領域であって、第１の領域と同じレイアウトを有する第２の領域に投影して、模擬補償データを取得することと、を含む。

【0011】

本発明の更に別の実施形態は、集積回路を製造するためのシステムを更に提供し、プロセッサ、コンピュータ実行可能命令を格納する不揮発性コンピュータ可読媒体、及びハンドラを含む。コンピュータ実行可能命令を格納する不揮発性コンピュータ可読媒体は、プロセッサに結合される。ハンドラは、ウェハを支持するように構成される。プロセッサは、コンピュータ実行可能命令を実行して、前述の実施形態による集積回路をウェハ上に製造するための方法を実施する。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】本発明の一実施形態によるウェハの概略図である。

【図2(a)】本発明の一実施形態による第１のウェハ上の領域の概略図である。

【図2(b)】本発明の別の実施形態による第１のウェハ上の領域の概略図である。

【図3】本発明の一実施形態による、集積回路を製造するための方法のフローチャートである。

【図4(a)】本発明の一実施形態による投影動作の概略図である。

【図4(b)】本発明の一実施形態による投影動作の概略図である。

【図5】本発明の一実施形態による、第１のウェハ上の領域におけるオーバレイオフセットのベクトル図である。

【図6】図３の動作Ｓ１０が実行された後に得られる、図５に示すオーバレイオフセットのベクトル図の補償ベクトルの図である。

【図7】投影動作Ｓ２０が実行された後の、図６の補償ベクトルの図の補償ベクトルの図である。

【図8(a)】図３に示す方法が実行された後に得られる、オーバレイマークのオフセットベクトルの図である。

【図8(b)】図３に示す方法が実行された後に得られる、ステッチングマークのオフセットベクトルの図である。

【図9(a)】本発明の比較実施形態による集積回路の製造のための方法のフローチャートである。

【図9(b)】図９（ａ）に示す方法が実行された後に得られる、オーバレイマークのオフセットベクトルの図である。

【図9(c)】図９（ａ）に示す方法が実行された後に得られる、ステッチングマークのオフセットベクトルの図である。

【図10】本発明の比較実施形態による、集積回路の製造のための方法のフローチャートである。

【図11】本開示による例示的なシステムである。

【発明を実施するための形態】

【0013】

本発明の趣旨をよりよく理解するために、本発明は、本発明のいくつかの好ましい実施形態を参照して以下に更に説明される。

【0014】

以下、本発明の多様な実施形態について詳細に説明する。特定の実装について説明されるが、これらの実装は説明のために使用されることが理解されるべきである。当業者には、他の部材及び構成は、本発明の趣旨及び保護範囲から逸脱することなく使用され得ることが明らかである。

【0015】

図１は、本発明の一実施形態によるウェハの概略図である。

【0016】

図１は、ウェハＷ１の概略図である。ウェハＷ１は、複数の領域１０を含み得る。各領域１０は、１つの完全な半導体デバイス、例えばチップを含み得る。

【0017】

デバイスは、ウェハＷ１上の各領域１０において、ウェハの基板上に複数の作業手順（限定するものではないが、堆積、エッチング、露光、及び現像を含む）を実行する半導体マシンによって製造され得る。半導体マシンによって実行される各作業手順は、基板上に複数の微細構造層を形成し、最終的に製造が必要なデバイスを形成し得る。

【0018】

製造される半導体デバイスの面積は異なるため、領域１０は、半導体マシンによって実行される各作業手順のサイズ制限を超過する場合がある。したがって、いくつかの実施形態では、半導体マシンは、領域１０内に複数のサブ領域を画定し得る。作業手順は、領域１０内のサブ領域で個別に実行され、最終的に領域１０で製造する必要があるデバイスを完成する。

【0019】

いくつかの実施形態では、領域１０は、サブ領域１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、１０ｈ、及び１０ｉを含み得る。本発明の別のいくつかの実施形態では、サブ領域の数は、実際の必要数に従って決定され得る。例えば、サブ領域の数は９個より多くても、９個より少なくてもよい。

【0020】

図２（ａ）は、本発明の一実施形態による第１のウェハ上の領域の概略図である。図２（ａ）に示すように、領域１００は、中央領域１０２と、中央領域１０２の外側に位置する周縁領域１０４とに分割される。

【0021】

領域１００は、第１のサブ領域１０６ａ及び第２のサブ領域１０６ｂを含む。第１のサブ領域１０６ａ及び第２のサブ領域１０６ｂは、中央領域１０２に位置する。第２のサブ領域１０６ｂは、第１のサブ領域１０６ａに隣接する。図２（ａ）では、第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂは異なるサイズを有する。しかしながら、本発明のいくつかの別の実施形態では、第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂは同じサイズであり得る。

【0022】

複数のオーバレイマーク１０８は、領域１００の周縁領域１０４に配置されてもよい。オーバレイマーク１０８を用いて、第１のウェハの現在の層上の特定の領域の位置を、１つ又は２つ前の層上の特定の領域に対して較正し得る。

【0023】

図２（ａ）では、オーバレイマーク１０８の数は６個である。しかしながら、本発明のいくつかの別の実施形態では、オーバレイマーク１０８の数は、実際の必要数に従って決定され得る。例えば、オーバレイマーク１０８の数は、６個より多くても、６個より少なくてもよい。本発明のいくつかの別の実施形態では、オーバレイマーク１０８は、周縁領域１０４の別の位置に配置されてもよい。更に、オーバレイマーク１０８は、周縁領域１０４に配置されることに限定されない。本発明のいくつかの別の実施形態では、オーバレイマーク１０８は領域１００内の任意の位置に配置され得る。

【0024】

第１のサブ領域１０６ａのサイズは、半導体マシン（例えば、アライナ）の露光サイズ以下であり得る。第２のサブ領域１０６ｂのサイズは、半導体マシン（例えば、アライナ）の露光サイズ以下であり得る。領域１００のサイズは、半導体マシン（例えば、アライナ）の露光サイズより大きい場合がある。製造する必要がある電子部品のサイズが半導体マシン（例えば、アライナ）の露光サイズよりも大きい場合、電子部品はステッチング方式で製造されてもよい。すなわち、電子部品の異なる領域は、独立した露光手順を使用して個別に製造され、最終的に完全な電子部品を形成し得る。

【0025】

電子部品の異なる領域が独立した露光手順を使用して製造される場合、ステッチングマークは、異なる領域間の較正のためにウェハ上に配置され得る。

【0026】

例えば、複数のステッチングマーク１１０は、第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂとの間の周縁領域１０４に配置され得る。ステッチングマーク１１０を用いて、現在のサブ領域の位置を、隣接するサブ領域に対して較正し得る。図２（ａ）では、ステッチングマーク１１０の数は２個である。しかし、本発明のいくつかの別の実施形態では、ステッチングマーク１１０の数は実際の必要数に従って決定され得る。例えば、ステッチングマーク１１０の数は、２個より多くても、２個より少なくてもよい。更に、図２（ａ）では、ステッチングマーク１１０は、第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂとの間の周縁領域１０４に配置される。しかしながら、本発明のいくつかの別の実施形態では、ステッチングマーク１１０は、第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂとの間の中央領域１０２に配置されてもよい。

【0027】

図２（ｂ）は、本発明の別の実施形態による第１のウェハ上の領域の概略図である。図２（ｂ）に示すように、領域２００は、中央領域２０２と、中央領域２０２の外側に位置する周縁領域２０４とに分割される。

【0028】

領域２００は、第１のサブ領域２０６ａ、第２のサブ領域２０６ｂ、第３のサブ領域２０６ｃ、及び第４のサブ領域２０６ｄを含む。第１のサブ領域２０６ａ、第２のサブ領域２０６ｂ、第３のサブ領域２０６ｃ、及び第４のサブ領域２０６ｄは、中央領域２０２に位置する。第２のサブ領域２０６ｂは、第１のサブ領域２０６ａと第３のサブ領域２０６ｃとの間に位置し、第３のサブ領域２０６ｃは、第２のサブ領域２０６ｂと第４のサブ領域２０６ｄとの間に位置する。

【0029】

複数のオーバレイマーク２０８は、領域２００の周縁領域２０４に配置される。オーバレイマーク２０８を用いて、第１のウェハの現在の層上の特定の領域の位置を、１つ又は２つ前の層上の特定の領域に対して較正し得る。図２（ｂ）では、オーバレイマーク２０８の数は８個である。しかしながら、本発明のいくつかの別の実施形態では、オーバレイマーク２０８の数は、実際の必要数に従って決定され得る。例えば、オーバレイマーク２０８の数は、８個より多くても、８個より少なくてもよい。本発明のいくつかの別の実施形態では、オーバレイマーク２０８は、周縁領域２０４の別の位置に配置されてもよい。更に、オーバレイマーク２０８は、周縁領域２０４に配置されることに限定されない。本発明のいくつかの別の実施形態では、オーバレイマーク２０８は領域２００内の任意の位置に配置され得る。

【0030】

複数のステッチングマーク２１０は、第１のサブ領域２０６ａと第２のサブ領域２０６ｂとの間の周縁領域２０４、第２のサブ領域２０６ｂと第３のサブ領域２０６ｃとの間の周縁領域２０４、及び第３のサブ領域２０６ｃと第４のサブ領域２０６ｄとの間の周縁領域２０４に別々に配置され得る。ステッチングマーク２１０を用いて、現在のサブ領域の位置を、隣接するサブ領域に対して較正し得る。図２（ｂ）では、ステッチングマーク２１０の数は６個である。しかし、本発明のいくつかの別の実施形態では、ステッチングマーク２１０の数は実際の必要数に従って決定され得る。例えば、ステッチングマーク２１０の数は、６個より多くても、６個より少なくてもよい。更に、図２（ｂ）では、ステッチングマーク２１０は、第１のサブ領域２０６ａと第２のサブ領域２０６ｂとの間、第２のサブ領域２０６ｂと第３のサブ領域２０６ｃとの間、及び第３のサブ領域２０６ｃと第４のサブ領域２０６ｄとの間の別の位置に配置される。

【0031】

本発明のいくつかの実施形態では、領域１００又は領域２００は、異なる数のサブ領域、例えば３個又は５個を超えるサブ領域を含んでもよいことが理解される。例えば、本発明の特定の実施形態では、領域１００又は領域２００は、図１に示される領域１０であってもよい。複数のオーバレイマークは、領域１００又は領域２００の周縁領域に配置される。複数のステッチングマークは、サブ領域間の周縁領域に配置される。

【0032】

図３は、本発明の一実施形態による、集積回路の製造のための方法のフローチャートである。特に、本発明の一実施形態では、図３は、図２（ａ）に示す領域１００を含む集積回路を製造するための方法のフローチャートである。いくつかの実施形態では、図３に示される方法は、半導体製造マシンによって動作され得る。いくつかの実施形態では、図３に示される方法は、アライナによって動作されてもよい。

【0033】

図３に示すように、動作Ｓ１０において、第１のモデルＭ１が、領域１００内のオーバレイマーク１０８の測定データに適用されて、第１のパラメータセットＤｓ１を取得する。

【0034】

特に、第１のサブ領域１０６ａ及び第２のサブ領域１０６ｂを含む領域１００は全体として扱われ、測定データが領域１００内のオーバレイマーク１０８に従って取得され、第１のパラメータセットＤｓ１が、第１のモデルＭ１と測定データに従って取得される。

【0035】

オーバレイマーク１０８は、領域１００内に配置される。測定データは、オーバレイマーク１０８に関連するオフセット量を示す。本発明のいくつかの実施形態では、測定データは、領域１００の現在の層上のオーバレイマーク１０８と、領域１００内の第１のウェハの１つ又は２つ前の層上のオーバレイマークとの間の実際のオフセットを示す。これらの実際のオフセットは、領域１００の現在の層と、領域１００内の第１のウェハの１つ又は２つ前の層との間で必要とされる補償量を示す。

【0036】

第１のモデルＭ１は、従来のオーバレイモデル、例えば、ウェハレベルモデル又は領域レベルモデルであり得る。第１のパラメータセットＤｓ１は、パラメータのグループであって、アライナがウェハの領域内でステッチングキャリブレーション又はオーバレイキャリブレーションを実行可能にし得る。

【0037】

動作Ｓ１５では、仮想オーバレイマークが第２のウェハ上の第２の領域に配置される。いくつかの実施形態では、仮想オーバレイマークは、第２の領域内に均等に分散されてもよい。ユーザは、アレイ座標を設定／選択し得て、複数の仮想オーバレイマークが第２のウェハ上に配置される。ユーザは、実際の要望に従って、仮想オーバレイマークの数と位置を、第２のウェハ上の第２の領域内に設定し得る。第２の領域内の仮想オーバレイマークの数は、領域１００内のオーバレイマーク１０８の数よりも多くてもよい。

【0038】

動作Ｓ２０では、第１のパラメータセットＤｓ１は、第２のウェハ上の第２の領域に投影され、模擬補償データを取得する。特に、動作Ｓ１０からの第１のパラメータセットＤｓ１は、第２のウェハ上に在る第２の領域であって第１のウェハ上の領域１００と同じレイアウトを有する第２の領域に投影され、模擬補償データを取得する。

【0039】

本発明における投影動作は、第１のパラメータセットＤｓ１を第２のウェハ上の複数のオーバレイマークに適用して、第２のウェハ上のこれらのオーバレイマークに関連する模擬オフセットを取得することを含む。この出願における投影動作は、図４（ａ）及び図４（ｂ）に従って後続の段落で説明される。

【0040】

模擬補償データは、第２のウェハの現在の層上の第２の領域内の第２のグループのオーバレイマークと、第２のウェハの１つ又は２つ前の層上の第２の領域内のオーバレイマークとの間の模擬オフセットを示す。これらの模擬オフセットは、第２のウェハの現在の層上の第２の領域と、第２のウェハ上の第２の領域の１つ又は２つ前の層との間で必要な補償量を示す。同じレイアウトは、第２のウェハ上の第２の領域と第１のウェハ上の領域１００が同じサイズを有し、同じ数とサイズのサブ領域を有することを示す。

【0041】

本発明のいくつかの実施形態では、第２のウェハ上の第２の領域は、第３のサブ領域及び第４のサブ領域を含み得る。同じレイアウトは、第１のウェハ上の第１のサブ領域１０６ａと、第２のウェハ上の第３のサブ領域が同じサイズを有し、第１のウェハ上の第２のサブ領域１０６ｂと第２のウェハ上の第４のサブ領域が同じサイズを有することを更に示す。

【0042】

更に、本発明のいくつかの実施形態では、第１のウェハ上の第１のサブ領域１０６ａは、第２のウェハ上の第３のサブ領域に投影され、第１のウェハ上の第２のサブ領域１０６ｂは、第２のウェハ上の第４のサブ領域に投影される。本発明のいくつかの別の実施形態では、オーバレイマーク１０８の数よりも多い第２のグループのオーバレイマークが、第２のウェハ上の第２の領域に配置される。例えば、第２のウェハ上の第２の領域については、オーバレイマークは、第２の領域の周縁領域に配置され得て、またオーバレイマークは更に、第３のサブ領域と第４のサブ領域に配置され得る。したがって、模擬補償データは、更に、第２の領域の周縁領域におけるオーバレイマークに対する補償データと、第３のサブ領域及び第４のサブ領域のオーバレイマークに対する補償データを示す。

【0043】

本発明のいくつかの別の実施形態では、第２のウェハは仮想ウェハである。第２のグループのオーバレイマークは、第２のウェハ上の第３のサブ領域（例えば、図４（ｂ）のサブ領域３０６ａ）に配置された第１のオーバレイマークと、第２のウェハ上の第４のサブ領域（例えば、図４（ｂ）のサブ領域３０６ｂ）に配置された第２のオーバレイマークとを含む。第２のウェハは、半導体マシン（例えば、アライナ）内で定義された仮想ウェハであってもよい。ユーザは、実際の要望に従って、第３のサブ領域及び第４のサブ領域内の仮想オーバレイマークの数及び位置を設定し得る。

【0044】

動作Ｓ３０では、第２のパラメータセットＤｓ２と第３のパラメータセットＤｓ３は、模擬補償データと第２のモデルＭ２に従って取得される。特に、第２のウェハ上の第３のサブ領域と第４のサブ領域は、２つの独立したサブ領域として処理され、第３のサブ領域に関連する第２のパラメータセットＤｓ２と第４のサブ領域に関連する第３のパラメータセットＤｓ３は、動作Ｓ２０からの模擬補償データと第２のモデルＭ２に従って取得される。

【0045】

本発明のいくつかの実施形態では、第２のモデルＭ２は領域内モデルである。第２のモデルＭ２は、第１のモデルＭ１と互換性があり、第１のモデルＭ１に従って取得され、かつ第１のサブ領域１０６ａに関連付けられる第１のグループの補償データと、第２のモデルＭ２に従って取得されかつ第３のサブ領域に関連付けられる第２のグループの補償データとの間の残差を、ゼロにすることができる。

【0046】

例えば、領域１００に関連付けられた第１のパラメータセットＤｓ１が、動作Ｓ１０において第１のモデルＭ１に従って取得された後、領域１００に関連付けられた補償データは、第１のパラメータセットＤｓ１から取得され得る。補償データは、第１のサブ領域１０６ａに関連付けられた第１のグループの補償データを含む。補償データを使用して、ウェハ上の領域１００の現在の層と領域１００の１つ又は２つ前の層との間のオフセットを補償し得る。第３のサブ領域に関連付けられた第２のグループの補償データは、動作Ｓ３０において第２のモデルＭ２に従って取得される。第１のグループの補償データと第２のグループと補償データとの間の残差はゼロである。

【0047】

本発明のいくつかの実施形態では、第２のパラメータセットＤｓ２及び第３のパラメータセットＤｓ３は、それぞれ、補償量を示し、補償量は、第２の領域の第３のサブ領域及び第４のサブ領域にマッピングされ、第１のウェハ上の領域１００がシミュレートされて第２のウェハ上の第２の領域に重ねられる場合に、第２のグループのオーバレイマークに関連付けられる。

【0048】

動作Ｓ４０では、ステッチングオフセット及びオーバレイオフセットは、第２のパラメータセットＤｓ２及び第３のパラメータセットＤｓ３に従って較正される。特に、第１のウェハ上の第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂとの間のステッチングオフセットは、動作Ｓ３０からの第２のパラメータセットＤｓ２及び第３のパラメータセットＤｓ３に従って較正され、そして、第１のウェハ上の領域１００内のオーバレイオフセットは、第２のパラメータセットＤｓ２及び第３のパラメータセットＤｓ３に従って較正される。

【0049】

図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本発明の一実施形態による投影動作の概略図である。

【0050】

図４（ａ）は、第１のウェハ上の領域１００を示す。図４（ａ）に示すように、オーバレイマーク１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、１０８＿４、１０８＿５、及び１０８＿６のグループは、領域１００の周縁領域１０４に配置される。オーバレイマーク１０８＿１に関連付けられた測定データは、ベクトルｅ１によって表される。オーバレイマーク１０８＿２に関連付けられた測定データは、ベクトルｅ２によって表される。オーバレイマーク１０８＿３に関連付けられた測定データは、ベクトルｅ３によって表される。オーバレイマーク１０８＿４に関連付けられた測定データは、ベクトルｅ４によって表される。オーバレイマーク１０８＿５に関連付けられた測定データは、ベクトルｅ５によって表される。オーバレイマーク１０８＿６に関連付けられた測定データは、ベクトルｅ６によって表される。

【0051】

ベクトルｅ１は、オーバレイマーク１０８＿１における現在の層とウェハの１つ又は２つ前の層との間のオフセットを表し得る。ベクトルｅ２は、オーバレイマーク１０８＿２における現在の層とウェハの１つ又は２つ前の層との間のオフセットを表し得る。同様に、ベクトルｅ３、ｅ４、ｅ５、及びｅ６はそれぞれ、オーバレイマーク１０８＿３、１０８＿４、１０８＿５、及び１０８＿６における現在の層とウェハの１つ又は２つ前の層との間のオフセットを表し得る。

【0052】

いくつかの実施形態では、ベクトルｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４、ｅ５、及びｅ６は、同じ大きさ又は異なる大きさを有してもよい。いくつかの実施形態では、ベクトルｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４、ｅ５、及びｅ６は、同じ方向又は異なる方向を有してもよい。

【0053】

ベクトルｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４、ｅ５、及びｅ６は、図３の動作Ｓ１０における測定データに対応し得る。いくつかの実施形態では、ベクトルｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４、ｅ５、及びｅ６は、動作Ｓ１０において第１のモデルＭ１に適用されてもよく、その結果、半導体製造マシン（例えば、アライナ）によって読み取られる第１のパラメータセットＤｓ１が、取得され得る。オーバレイマーク１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、１０８＿４、１０８＿５、及び１０８＿６における補償ベクトルは、ベクトルｅ１、ｅ２、ｅ３、ｅ４、ｅ５、及びｅ６に従って取得される第１のパラメータセットＤｓ１によって決定され得る。

【0054】

いくつかの実施形態では、選択された異なる第１のモデルＭ１に従って、オーバレイマーク１０８＿１、１０８＿２、１０８＿３、１０８＿４、１０８＿５、及び１０８＿６に対して得られる補償ベクトルもまた、異なり得る。

【0055】

いくつかの実施形態では、サブ領域１０６ａの周囲のオーバレイマーク１０８＿１、１０８＿２、及び１０８＿３は、同じ大きさと同じ方向を有してもよい。いくつかの実施形態では、サブ領域１０６ａの周囲のオーバレイマーク１０８＿１、１０８＿２、及び１０８＿３は、異なる大きさ又は方向を有してもよい。

【0056】

いくつかの実施形態では、サブ領域１０６ｂの周囲のオーバレイマーク１０８＿４、１０８＿５、及び１０８＿６は、同じ大きさと同じ方向を有してもよい。いくつかの実施形態では、サブ領域１０６ｂの周囲のオーバレイマーク１０８＿４、１０８＿５、及び１０８＿６は、異なる大きさ又は方向を有してもよい。

【0057】

いくつかの実施形態では、サブ領域１０６ａの周囲のオーバレイマークとサブ領域１０６ｂの周囲のオーバレイマークは、同じ大きさと同じ方向を有し得る。いくつかの実施形態では、サブ領域１０６ａの周囲のオーバレイマークとサブ領域１０６ｂの周囲のオーバレイマークは、異なる大きさ又は方向を有し得る。

【0058】

図４（ｂ）は、仮想ウェハ上の領域３００を示す。領域３００は、サブ領域３０６ａ及びサブ領域３０６ｂを含む。領域３００は、領域１００と同じレイアウトを有し得る。領域３００は、領域１００と同じサイズを有し得る。サブ領域３０６ａは、サブ領域１０６ａと同じレイアウトを有し得る。サブ領域３０６ａは、サブ領域１０６ａと同じサイズを有し得る。サブ領域３０６ｂは、サブ領域１０６ｂと同じレイアウトを有し得る。サブ領域３０６ｂは、サブ領域１０６ｂと同じサイズを有し得る。

【0059】

サブ領域３０６ａは、複数の仮想オーバレイマーク（例えば、３０８＿１及び３０８＿２）を含み得る。いくつかの実施形態では、仮想オーバレイマークは、サブ領域３０６ａ内に均等に分散されてもよい。同様に、サブ領域３０６ｂは、複数の仮想オーバレイマーク（例えば、３０８＿３及び３０８＿４）を含み得る。いくつかの実施形態では、仮想オーバレイマークは、サブ領域３０６ｂ内に均等に分散されてもよい。ユーザは、アレイ座標を設定／選択し得て、その結果、複数の仮想オーバレイマークが仮想ウェハ上に配置される。ユーザは、実際の要望に従って、サブ領域３０６ａ及びサブ領域３０６ｂ内の仮想オーバレイマークの数及び位置を設定し得る。

【0060】

各仮想オーバレイマークに関連付けられた模擬補償データは、図３の動作Ｓ１０で取得された第１のパラメータセットＤｓ１を、サブ領域３０６ａ及びサブ領域３０６ｂ内の仮想オーバレイマークと組み合わせて利用することによって取得され得る。

【0061】

例えば、仮想オーバレイマーク３０８＿１に関連付けられた模擬オフセットｓｅ１は、第１のパラメータセットＤｓ１及び仮想オーバレイマーク３０８＿１を使用することによって取得され得る。仮想オーバレイマーク３０８＿２に関連付けられた模擬オフセットｓｅ２は、第１のパラメータセットＤｓ１及び仮想オーバレイマーク３０８＿２を使用することによって取得され得る。残りは類推によって推定される。サブ領域３０６ａ及びサブ領域３０６ｂ内において各仮想オーバレイマークに関連付けられた模擬オフセットは、第１のパラメータセットＤｓ１を使用することによって取得され得る。

【0062】

仮想ウェハ上の領域３００において、第１のパラメータセットＤｓ１及び複数の仮想オーバレイマークを使用して模擬オフセットを取得する動作は、本出願では投影動作と呼ばれる。

【0063】

図５は、本発明の一実施形態による、第１のウェハ上の領域におけるオーバレイオフセットのベクトル図である。本発明の一実施形態では、図２（ａ）に示す領域１００は、図５に示す領域の１つであり得る。領域１００は一例として使用される。第１のウェハの現在の層上の領域１００内のオーバレイマーク１０８と、第１のウェハの１つ又は２つ前の層上の対応する領域内のオーバレイマークとの間のオフセット値、例えば、水平オフセット値Ｘ及び垂直オフセット値Ｙと、水平オフセット値Ｘ及び垂直オフセット値Ｙのオフセット方向とが比較され、その結果、水平オフセット値Ｘ、垂直オフセット値Ｙ、及びオフセット方向に基づくオフセットベクトルの図が取得され得る。これらのオフセットベクトルは、第１のウェハの現在の層上の領域１００において、１つ又は２つ前の層上の対応する領域に対する補償を必要とする、オフセット値及び方向を示す。

【0064】

図６は、第１のパラメータセットＤｓ１に基づいて取得された補償ベクトルを示す図であり、取得前に、図３に示す動作Ｓ１０が図５に示すオーバレイオフセットのベクトル図に対して実行される。補償ベクトルは、図５に示すオフセットベクトルに対して補償する量を示し、これは、ウェハの現在の層上の領域１００と、ウェハの１つ又は２つ前の層上の対応する領域との間の位置合わせを達成する。

【0065】

特に、オーバレイマーク１０８と、ウェハの１つ又は２つ前の層上の対応するオーバレイマークとの間のオフセット値（すなわち、測定データ）は、領域１００上のオーバレイマーク１０８に従って取得される。次に、第１のモデルＭ１を測定データに適用して、アライナにより認識され実行され得る第１のパラメータセットＤｓ１を取得する。続いて、アライナは、第１のパラメータセットＤｓ１に従って、領域１００上のオーバレイマーク１０８のオフセットに対して必要な補償ベクトルの図を取得して表示し得る。測定エラー又はマシンエラーが存在すると、図６の補償ベクトルの図、及び図５のオフセットベクトルの図が完全に同一ではないことを理解すべきである。

【0066】

図７は、投影動作Ｓ２０が実行された後の、図６の補償ベクトルの図の補償ベクトルの図である。図７では、データ強化が図６の補償ベクトルに対して実行される。特に、第１のパラメータセットＤｓ１は、第２のウェハ上の第２の領域（例えば、図４（ｂ）の領域３００）に投影され、第２の領域は第２のグループのオーバレイマークを含み、その数はオーバレイマーク１０８の数よりも多い。このようにして、第２のグループのオーバレイマークに対応する補償ベクトルの図が取得され得る。第２のグループのオーバレイマークの数がオーバレイマーク１０８の数よりも多いため、図７に示される補償ベクトルの図は、より多くの補償ベクトルデータを含み、それによってデータ強化が実行される。

【0067】

図８（ａ）は、図３に示す方法が実行された後に得られる、オーバレイマークのオフセットベクトルを示す図である。特に、図８（ａ）は、図７に示す補償ベクトルの図を用いて図５に示すオフセットベクトルの図を補償した後に補償を必要とする残りのオフセットベクトルの図である。図８（ａ）から分かるように、領域１００内のオーバレイマーク１０８のオフセットベクトル値は、すでに非常に小さい。つまり補償後は、ウェハの現在の層上の領域１００内のオーバレイマーク１０８と、１つ又は２つ前の層上のオーバレイマークとの間のオフセット値は、すでに大幅に減少され、それによって領域１００内のオーバレイオフセットは大幅に減少される。

【0068】

図８（ｂ）は、図３に示す方法が実行された後に取得される、ステッチングマークのオフセットベクトルの図である。図８（ｂ）から分かるように、補償後、ウェハ上のサブ領域間のステッチングオフセットの値は非常に小さく、ほぼ省略可能となり得る。つまり、補償後のサブ領域間のステッチングオフセットもまた、大幅に減少される。

【0069】

図９（ａ）は、本発明の比較実施形態による、集積回路を製造するための方法のフローチャートである。図９（ａ）は、図２（ａ）に示す集積回路を製造するための方法のフローチャートであり、これは、オーバレイマークのオフセットを補償することのみを考慮する。

【0070】

動作Ｓ２０では、第１のモデルＭ１は、第１のサブ領域１０６ａ及び第２のサブ領域１０６ｂのオーバレイマーク１０８の測定データに適用されて、第１のパラメータセットＤｓ１’を取得する。特に、第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂは、２つの独立したサブ領域とみなされ、ウェハの現在の層上のオーバレイマーク１０８と、ウェハの１つ又は２つ前の層上の対応するオーバレイマークとの間のオフセット値（すなわち、測定データ）は、第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂとのオーバレイマーク１０８に従って取得され、そして、第１のモデルＭ１が測定データに適用されて、アライナによって認識され実行され得る第１のパラメータセットＤｓ１’が取得される。

【0071】

動作Ｓ２２では、オーバレイマーク１０８のオフセットは、第１のパラメータセットＤｓ１’に従って補償される。特に、アライナは、第１のサブ領域１０６ａ及び第２のサブ領域１０６ｂにおけるウェハの現在の層上のオーバレイマーク１０８のオフセットを、第１のパラメータセットＤｓ１’に従って補償する。

【0072】

図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す方法が使用された後に得られる、オーバレイマークのオフセットベクトルの図である。特に、図９（ｂ）は、図９（ａ）に示す方法を用いて、第１のサブ領域１０６ａ及び第２のサブ領域１０６ｂにおけるオーバレイマーク１０８のオフセットを補償した後に、補償を必要とする残りのオフセットベクトルの概略図である。図８（ａ）のオフセットベクトルの図と比較すると、図９（ｂ）に示すオフセットベクトルの図におけるオフセットベクトル値は、依然として比較的大きい。

【0073】

図９（ｃ）は、図９（ａ）に示す方法が使用された後に得られる、ステッチングマークのオフセットベクトルの図である。特に、図９（ｃ）は、図９（ａ）に示す動作Ｓ２０後に取得された第１のパラメータセットＤｓ１’を用いてステッチングオフセット値を補償した後に、依然として補償を必要とする残りのオフセット値ベクトルの概略図である。図８（ｂ）に示すステッチングマークのオフセットベクトルの図と比較すると、図９（ｃ）に示すオフセットベクトル値は、依然として非常に大きく、また図５に示す第１のウェハ上の領域のステッチング補償のないオフセットベクトル値よりも更に大きい。

【0074】

図１０は、本発明の比較実施形態による、集積回路を製造するための方法のフローチャートである。図１０は、図２（ａ）に示す集積回路を製造するための方法のフローチャートであり、これは、ステッチングマークのオフセットを補償することのみが考慮される。

【0075】

動作Ｓ３０では、第２のモデルＭ２を、第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂとの間のステッチングマーク１１０の測定データに適用して、第３のパラメータセットＤｓ３’を取得する。特に、第１のサブ領域１０６ａと第２のサブ領域１０６ｂは、２つの独立したサブ領域とみなされ、現在のサブ領域と隣接するサブ領域との間のオフセット値（すなわち、測定データ）は、領域１００内のステッチングマーク１１０に従って取得され、そして、第２のモデルＭ２が測定データに適用されて、アライナによって認識され実行され得る第３のパラメータセットＤｓ３’を取得する。

【0076】

動作Ｓ２２では、ステッチングマーク１１０のオフセットは、第３のパラメータセットＤｓ３’に従って補償される。特に、アライナは、領域１００内のステッチングマーク１１０のオフセット値を、第３のパラメータセットＤｓ３’に従って補償する。

【0077】

この出願は、図１０の方法を使用することによるテストを通じて得られたオフセットベクトルの図を提供していないが、図９（ｂ）及び図９（ｃ）において取得される結果と同様に、図１０の方法を用いて補償を行った後、ステッチングマークとオーバレイマークの補正を必要とする残りのオフセットベクトル値が、比較的大きいままである。

【0078】

計算は、図８（ａ）、図８（ｂ）、図９（ｂ）及び図９（ｃ）のオフセットベクトルの図において別々に実行され、補償後に補償を必要とする残りのオフセット値を取得する。

【表1】

【0079】

表１から分かるように、図９（ｂ）と比較すると、図８（ａ）の補償後、残りのオーバレイオフセットの値は、３０％及び５３％（水平方向に３０％、垂直方向に５３％）減少される。すなわち、図９（ａ）に示す方法と比較して、図３に示す方法は、ウェハ上のオーバレイオフセットを著しく減少する。

【0080】

更に、図９（ｃ）と比較すると、図８（ｂ）の補償後、残りのステッチングオフセットの値は、９３％及び８６％（水平方向に９３％、垂直方向に８６％）減少される。すなわち、図１０に示す方法と比較して、図３に示す方法は、ウェハ上のステッチングオフセットを著しく減少する。

【0081】

したがって、オーバレイオフセット及びステッチングオフセットを図３に示す方法を使用して補償することの効率は、図９（ａ）及び図１０に示す方法の効率よりもはるかに高い。

【0082】

加えて、本発明のいくつかの別の実施形態は、図１１に示されるような集積回路を製造するためのシステムを更に提供する。このシステムは、プロセッサ、コンピュータ実行可能命令を格納する不揮発性コンピュータ可読媒体、及びハンドラを含む。コンピュータ実行可能命令を格納する不揮発性コンピュータ可読媒体は、プロセッサに結合され得る。ハンドラは、ウェハを支持するように構成され得る。プロセッサは、コンピュータ実行可能命令を実行して、図３、図９（ａ）、及び図１０に示す集積回路をウェハ上に製造するための方法を実行する。

【0083】

プロセッサは、当技術分野で周知の任意の適切なプロセッサ、例えば並列プロセッサであってもよく、パーソナルコンピュータシステム、画像コンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、ネットワークアプライアンス、インターネットアプライアンス、又は他のデバイスの一部であってもよい。いくつかの実施形態では、本明細書に開示されるシステム及びその中のサブシステム、ならびに方法の様々なステップ、機能、及び／又は動作は、電子回路、論理ゲート、マルチプレクサ、プログラマブル論理デバイス、ＡＳＩＣ、アナログ又はデジタルのコントロール／スイッチ、マイクロコントローラ、あるいはコンピューティングシステムのうちの１つ以上によって実行される。例えば、本開示を通じて説明される様々なステップは、単一のプロセッサ（又はコンピュータシステム）によって実行されてもよく、あるいは、複数のプロセス（又は複数のコンピュータシステム）によって実行されてもよい。したがって、上記の説明は、本開示に対する限定として解釈されるべきではなく、単なる例示として解釈されるべきである。

【0084】

このシステムは、検出器を含み得て、それは光ビーム又は電子ビームを使用して、ウェハ上の特徴を画像化又は測定し得る。

【0085】

本発明において、ステッチとオーバレイとの関係が見出される。つまり、ステッチは主にオーバレイキャリブレーションによって決定される。オーバレイキャリブレーションを取得する方法が提案され、方法は同時にステッチを減らすことを可能にする。本発明で提案される集積回路を製造するための方法を用いて、オーバレイオフセットとステッチングオフセットの両方を著しく減少させ得る。

【0086】

本明細書全体にわたり、「本発明の一実施形態」という文言、又は類似の用語は、その目的に関して、別の実施形態とともに説明される特定の特徴、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ずしもすべての実施形態に提示されるわけではない、ということを指摘する意図である、ということに留意されたい。したがって、本明細書全体を通じて「本発明の一実施形態」という文言、又は同様の用語が対応して現れる場合、それは必ずしも同じ実施形態を表すものではない。更に、任意の特定の実施形態における特定の特徴、構造、又は特性は、任意の適切な方法で１つ以上の別の実施形態と組み合わせられてもよい。

【0087】

本発明の技術内容及び技術的特徴は、上記に開示される。しかしながら、当業者は、置換及び修正を、本発明の趣旨から逸脱することなく、本発明の教示及び開示に基づいて行い得る。したがって、本発明の保護範囲は、実施形態に開示された内容に限定されるべきではなく、本発明を逸脱しない範囲での様々な置換及び修正を含むべきであり、本特許請求の範囲によって保護される。

【図1】

【図2(a)】

【図2(b)】

【図3】

【図4(a)】

【図4(b)】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8(a)】

【図8(b)】

【図9(a)】

【図9(b)】

【図9(c)】

【図10】

【図11】

【国際調査報告】