知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-01-22
(54)【発明の名称】汚染低減システム
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240115BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F7/20 521
G03F7/20 501
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023542911
(86)(22)【出願日】2021-12-15
(85)【翻訳文提出日】2023-09-13
(86)【国際出願番号】 EP2021085835
(87)【国際公開番号】W WO2022152491
(87)【国際公開日】2022-07-21
(31)【優先権主張番号】21151852.7
(32)【優先日】2021-01-15
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100105924
【弁理士】
【氏名又は名称】森下 賢樹
(74)【代理人】
【識別番号】100134256
【弁理士】
【氏名又は名称】青木 武司
(72)【発明者】
【氏名】クヴォン、ヴラディミール
(72)【発明者】
【氏名】ヤクニン、アンドレイ、ミハイロヴィチ
(72)【発明者】
【氏名】ファン デ ケルクホフ、マルクス、アドリアヌス
(72)【発明者】
【氏名】アスタホフ、ドミトリー、イーゴレヴィチ
【テーマコード（参考）】
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H197CA10
2H197CA18
2H197CD03
2H197CD12
2H197CD13
2H197FA01
2H197GA01
2H197GA03
2H197GA05
2H197GA06
2H197GA11
2H197GA12
2H197GA16
2H197GA18
2H197GA20
2H197HA03
2H197HA04
2H197HA05
2H197HA10
(57)【要約】
【解決手段】プラズマ環境中のパターニングシステムの汚染を低減するための汚染低減システムは、放射ビーム中にパターニングシステムを保持するよう配置されるサポートと、パターニングシステムから放射ビームの一部を遮蔽するよう構成されるシャッタと、シャッタとサポートの間に位置する電極であって、電源に接続され、電極と、サポートに保持されるパターニングシステムとの間に電界を生成するよう構成される電極と、を備える。
【選択図】図２Ｂ
【選択図】図２Ｂ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パターニングシステムの汚染を低減するための汚染低減システムであって、放射ビーム中にパターニングシステムを保持するよう配置されるサポートと、
パターニングシステムから放射ビームの一部を遮蔽するよう構成されるシャッタと、 前記シャッタと前記サポートとの間に位置する電極であって、電源に接続され、前記電極と、前記サポートに保持される前記パターニングシステムとの間に電界を生成するよう構成される電極と、を備える汚染低減システム。
【請求項2】
前記電極は、単一電極である、請求項１に記載の汚染低減システム。
【請求項3】
前記電極は、前記サポートに対して分離可能に取り付けられる、請求項１または２に記載の汚染低減システム。
【請求項4】
前記電界は、２Ｖ／ｍｍ未満である、請求項１から３のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項5】
前記生成される電界の大きさは、所定値よりも大きく、前記所定値は、前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界に対応する第２電界を表し、
前記生成される電界および前記第２電界は、反対の極性を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項6】
前記パターニングシステムにおける前記電界を測定するための手段をさらに備え、前記所定値は、前記測定された電界を備える、請求項５に記載の汚染低減システム。
【請求項7】
前記所定値を記憶するメモリをさらに備える、請求項５または６に記載の汚染低減システム。
【請求項8】
前記所定値は、時間とともに変化する関数を備え、前記電源によって印加される電圧は、時間とともに変化し、前記所定値に依存して選択される、請求項５から７のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項9】
前記放射ビームによって照明されるように配置される前記パターニングシステムの表面にガスを提供するよう構成されるガス出口をさらに備える、請求項１から８のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項10】
前記ガス出口および電極は、一体である、請求項９に記載の汚染低減システム。
【請求項11】
前記電極から熱を除去するように構成される冷却システムをさらに備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項12】
前記電極は、前記パターニングシステムおよび／またはシャッタの平面にほぼ平行に延びる平坦面を備える、請求項１から１１のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項13】
前記電極は、第１部分と、前記第１部分から電気的に絶縁される第２部分とを備える、請求項１から１２のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項14】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の汚染低減システムを備えるレチクルステージ。
【請求項15】
請求項１４に記載のレチクルステージおよび／または請求項１から１３のいずれか一項に記載の汚染低減システムを備える、リソグラフィ装置。
【請求項16】
パターニングシステムの汚染を抑制する方法であって、前記パターニングシステムは、放射ビーム中に保持され、前記パターニングシステムの一部は、シャッタによって前記放射ビームから遮蔽されており、
前記方法は、前記シャッタと前記パターニングシステムとの間に位置する電極に電圧を印加し、前記電極と前記パターニングシステムとの間に電界が生成されるようにすることを備える方法。
【請求項17】
前記電圧は、前記生成される電界の大きさが所定値よりも大きくなるように印加され、前記所定値は、前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界に対応する第２電界を表し、
前記生成される電界および前記第２電界は、反対の極性を有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界を測定することをさらに備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項19】
前記電圧を印加することは、第１時間間隔中に第１電圧を印加することと、第２時間間隔中に第２電圧を印加することと、を備え、前記第１電圧および前記第２電圧が異なる、請求項１６から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項20】
前記第１電圧は、第１極性を有し、前記第２電圧は、前記第１極性とは反対の第２極性を有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項21】
プラズマ環境中の汚染特性を決定するための計測システムであって、請求項１から１３のいずれか一項に記載の汚染低減システムと、
検知装置と、を備え、
前記検知装置は、前記電極の表面上の一以上の汚染粒子の一以上の特性を決定するよう動作可能である、計測システム。
【請求項22】
前記特性は、前記一以上の汚染粒子の量、および／または、密度、および／または、組成を備える、請求項２１に記載の計測システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
［関連出願へのクロスリファレンス］
本出願は、２０２１年１月１５日に出願された欧州出願第２１１５１８５２．７号の優先権の利益を主張し、その全体が参照により本書に組み込まれる。
本出願は、２０２１年１月１５日に出願された欧州出願第２１１５１８５２．７号の優先権の利益を主張し、その全体が参照により本書に組み込まれる。
【0002】
［技術分野］
本発明は、汚染低減システムに関する。特に、プラズマ環境中、例えばリソグラフィ環境中で使用される汚染低減システムに関するが、これに限定されるものではない。
本発明は、汚染低減システムに関する。特に、プラズマ環境中、例えばリソグラフィ環境中で使用される汚染低減システムに関するが、これに限定されるものではない。
【背景技術】
【0003】
リソグラフィ装置は、基板上に所望のパターンを形成するための装置である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用できる。リソグラフィ装置は、例えば、基板上に設けられた放射線感受性材料（レジスト）の層上に、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）のパターンを投影しうる。
【0004】
基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用しうる。この放射の波長は、基板上に形成できるフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外（ＥＵＶ）を使用するリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長を有する放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さなフィーチャを基板上に形成するために使用されうる。
【0005】
ＥＵＶ放射は、リソグラフィ装置内の汚染の生成に寄与しうる。例えば、ＥＵＶ放射は、リソグラフィ装置内に存在する物質（例えば、少量のガス）と相互作用してプラズマを形成しうる。プラズマは、リソグラフィ装置内の表面から汚染粒子を放出させるのに適した強い静電気力を提供しうる。一般に、ＥＵＶ放射のパワーが増加すると、ＥＵＶ生成プラズマによって表面から放出される粒子の数が増加する。
【0006】
汚染粒子は、影響されやすい（センシティブな）光学表面に輸送されて入射する可能性がある。例えば、汚染粒子は、パターニングデバイス（すなわち、マスクまたはレチクル上）に入射する可能性がある。このような汚染粒子は、基板上に結像され、所望の投影パターンを乱し、その結果、リソグラフィ装置によって製造される製品に欠陥を生じさせる可能性がある。別の例として、汚染粒子は、リソグラフィ装置の構成要素またはリソグラフィ装置内に存在する物体を損傷させる可能性があり（例えば、レチクルを保護するペリクルを断裂させる可能性がある）、それによってメンテナンス活動の頻度が増加し、リソグラフィ装置の生産性が低下する。したがって、上記の問題の一以上を軽減することが望ましいかもしれない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明の第１の態様によれば、パターニングシステムの汚染を低減するための汚染低減システムであって、放射ビーム中にパターニングシステムを保持するよう配置されるサポートと、パターニングシステムから放射ビームの一部を遮蔽するよう構成されるシャッタと、シャッタとサポートの間に位置し、電源に接続され、電極と、サポートに保持されるパターニングシステムとの間に電界を生成するよう構成される電極と、を備える汚染低減システムが提供される。
【0008】
電界は、電極とパターニングシステムとの間の少なくとも一つの帯電粒子が電極によって引き寄せられるようなものである。電界は、少なくとも一つの帯電粒子がパターニングシステムから遠ざかるようなものである。帯電粒子は汚染物質であってもよい。一実施形態において、パターニングシステムは基板を備えてもよい。他の実施形態において、基板はレチクル、または、ペリクルを有するレチクルであってもよい。
【0009】
このような構成は、プラズマ環境中で使用されてもよい。プラズマ環境は、パターニングデバイスの近傍における放射ビームの入射によって少なくとも部分的に引き起こされる可能性がある。電極が放射ビームから遮蔽されているため、電極はプラズマ環境中のプラズマ本体から離れた位置にあり、したがって制御可能にバイアスされることができる。さらに、電極がシャッタとパターニングシステムとの間に位置するため、粒子をパターニングシステムから遠ざけるのに十分な電界を発生させるには、比較的小さな電圧が必要とされる。低電圧は、特にプラズマ環境におけるアークのリスクを低減する。したがって、本発明は、プラズマ環境中に配置されるパターニングシステムの汚染の低減に適している。
【0010】
パターニングシステムがサポートによって保持されているとき、電極はシャッタとパターニングシステムとの間に位置する。つまり、パターニングデバイスの使用時、電極がシャッタとパターニングシステムとの間に位置する。使用時において、汚染低減システムは、放射ビームによって照明されるパターニングシステムを備えてもよい。電極は、シャッタとサポートとの間に配置されるが、シャッタおよびサポートから電気的に絶縁されていてもよい。電極は、シャッタまたはサポートと直接接触しなくてもよい。電界は、パターニングシステムの平面に対してほぼ垂直であってもよい。パターニングシステムは、第２電極として機能してもよい。
【0011】
サポートは、放射ビーム中にパターニングシステムを保持するように配置される。したがって、サポートは、放射ビームがパターニングシステムに与えられる間、パターニングシステムを保持するように構成される。
【0012】
電極は、単一電極であってもよい。つまり、シャッタとパターニングシステムとの間には単一電極のみが配置されてもよい。電界は、単一電極とパターニングシステムとの間に生成され、単一電極が第１電極として機能し、パターニングシステムが第２電極として機能してもよい。このような構成は、単一電極とパターニングシステムとの間に電界を生成することを可能にし、パターニングシステムの近傍に大きな体積を必要とせずに汚染を低減または防止することを可能にする。したがって、この構成は、多くの体積を犠牲にすることなく、少ない体積にて採用されうる。
【0013】
電極は、サポートに対して分離可能に取り付けられてもよい。電極は、サポートおよびパターニングシステムに対して分離可能に移動してもよい。電極は、シャッタに機械的に結合されてもよい。電極は、放射ビームから電極が遮蔽されたままとなるように、シャッタとともに移動可能であってもよい。電極は、汚染の低減が望ましい場所である、パターニングシステムのある場所に移動されてもよい。
【0014】
電界は、２Ｖ／ｍｍ未満であってもよい。このような低電界を用いることは、アークが発生する可能性を低減させ、汚染低減システムの安全性を有利に向上させる。追加的に、電圧は、１Ｖ／ｍｍ未満であってもよい。
【0015】
生成される電界の大きさは、所定値よりも大きくてよく、所定値は、電極に電圧が印加されていないときのパターニングシステムにおける電界に対応する第２電界を表し、生成される電界および第２電界は、反対の極性を有する。
【0016】
反対の極性とは、生成される電界が第２電界と比較して反対の方向に向けられることを意味する。このようにして、第２電界は、生成される電界によって打ち負かされるかもしれない。したがって、電圧が印加されていないときにはパターニングシステムに引き寄せられるであろう汚染物質は、電圧が印加されるときに電極によって引き寄せられ、パターニングシステムから離れるようにして逸れるかもしれない。このような電界は、電圧源によって印加される電圧を所定値に依存して選択することによって生成されてもよい。
【0017】
パターニングシステムにおける電界は、放射ビームの入射に起因して発生する可能性がある。パターニングシステムにおける電界は、パターニングシステムがプラズマ環境中にあることに起因しうる。パターニングシステムにおけるとは、パターニングシステムの近傍、例えば、放射ビームから放射を受けるパターニングシステムの表面上または表面の近くにあるとみなされてもよい。二以上の所定値が使用されてもよい。
【0018】
汚染低減システムは、パターニングシステムにおける電界を測定するための手段をさらに備えてもよい。所定値は、測定される電界を備えてもよい。例えば、汚染低減システムは、センサを備えてもよい。電界は、パターニングシステムの表面および／または表面に近い領域で測定されてもよい。経験的に測定することにより、電極に電圧が印加されていないときの電界は、それに基づいて計算される電圧を印加することによって正確に打ち負かされうる。
【0019】
汚染低減システムは、所定値を記憶するためのメモリをさらに備えてもよい。所定値は、例えば理論的分析および／またはモデル化によって計算されてもよい。所定値は、経験的に測定される一以上の電界値に対応してもよい。
【0020】
所定値は、時間とともに変化する関数を備えてもよい。電圧源によって印加される電圧は、時間とともに変化してもよく、所定値に依存して選択されてもよい。すなわち、生成される電界は、時間とともに変化してもよい。印加電圧は、連続的に変化可能であってもよい。変化する電圧は、より低い電圧の印加を可能にしつつ、依然として汚染を低減しうる。
【0021】
汚染低減システムは、電圧源によって印加される電圧を制御するように動作可能な制御装置をさらに備えてもよい。
【0022】
汚染低減システムは、放射ビームによって照明されるように配置されるパターニングシステムの表面にガスを提供するように構成されるガス出口をさらに備えてもよい。ガス出口は、中性汚染粒子および／または帯電していない粒子がパターニングシステムに到達するのを阻止するガスカーテンを生成してもよい。
【0023】
ガス出口および電極は、一体であってもよい。すなわち、ガスノズルが電極を備えてもよい。有益なことに、これは、パターニングシステム内で他の有益な用途を有する表面に二重の機能性を提供することができるため、体積をほとんどまたは全く犠牲にすることなく、電極をパターニングシステムに組み込むことを可能にする。
【0024】
汚染低減システムは、電極から熱を除去するように構成される冷却システムをさらに備えてもよい。冷却システムを設けることにより、例えばプラズマ環境との相互作用に起因する熱の蓄積が除去されてもよい。熱の除去は、電極の損傷を低減し、および/または、電極上に付着する汚染物質の放出リスクを低減しうる。熱の除去は、汚染低減システムの寿命を向上させうる。
【0025】
電極は、パターニングシステムおよび／またはシャッタの平面とほぼ平行に延びる平坦面を備えてもよい。この構造を有する電極は、誘導電界に起因する無視できる程度の機械的損傷を受ける可能性がある。電極は、パターニングシステムおよび／またはシャッタの平面に対して垂直な厚さをミリメートルオーダで有してもよい。パターニングシステムの平面に平行／垂直とは、通常の使用時にサポートによって保持されるときのパターニングシステムに関連して解釈されるべきである。
【0026】
電極は、第１部分と、第１部分から電気的に絶縁される第２部分とを備えてもよい。第１部分および第２部分のそれぞれに異なる電圧が印加されてもよい。したがって、例えば、異なる極性／方向を有する追加の電界が生成される可能性があるため、追加の汚染物質の方向付けが実行されてもよい。
【0027】
本発明の第２の態様によれば、本発明の第１の態様のいずれかの実施形態の汚染低減システムを備えるレチクルステージが提供される。
【0028】
本発明の第３の態様によれば、本発明の第２の態様のレチクルステージおよび／または本発明の第１の態様のいずれかの実施形態の汚染低減システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【0029】
本発明の第４の態様によれば、パターニングシステムの汚染を抑制する方法が提供される。パターニングシステムは、放射ビーム中に保持され、パターニングシステムの一部は、シャッタによって放射ビームから遮蔽される。この方法は、シャッタとパターニングシステムとの間に位置する電極に電圧を印加し、電極とパターニングシステムとの間に電界が生成されるようにすることを備える。
【0030】
サポートは、放射ビーム中にパターニングシステムを保持するように配置される。したがって、サポートは、放射ビームがパターニングシステムに与えられる間、パターニングシステムを保持するように構成される。
【0031】
電界は、電極とパターニングシステムとの間の少なくとも一つの荷電粒子が電極によって引き付けられるようなものである。電界は、少なくとも一つの荷電粒子がパターニングシステムから遠ざかるようなものである。 荷電粒子は、汚染物質であってもよい。
【0032】
このような構成は、プラズマ環境中で使用されてもよい。プラズマ環境は、パターニングデバイスの近傍における放射ビームの入射によって少なくとも部分的に引き起こされる可能性がある。
【0033】
印加される電圧は、生成される電界の大きさが所定値よりも大きくなるようにすることができ、所定値は、電極に電圧が印加されないときのパターニングシステムにおける電界に対応する第２電界を表し、生成される電界および第２電界は、反対の極性を有する。
【0034】
反対の極性とは、生成される電界が第２電界と比較して反対の方向に向けられることを意味する。このようにして、第２電界は、生成される電界によって打ち負かされるかもしれない。したがって、電圧が印加されていないときにはパターニングシステムに引き寄せられるであろう汚染物質は、電圧が印加されるときに電極によって引き寄せられ、パターニングシステムから離れるようにして逸れるかもしれない。このような電界は、電圧源によって印加される電圧を所定値に依存して選択することによって生成されてもよい。
【0035】
パターニングシステムにおける電界は、放射ビームの入射に起因して発生する可能性がある。パターニングシステムにおける電界は、パターニングシステムがプラズマ環境中にあることに起因しうる。パターニングシステムにおけるとは、パターニングシステムの近傍、例えば、放射ビームから放射を受けるパターニングシステムの表面上または表面の近くにあるとみなされてもよい。二以上の所定値が使用されてもよい。
【0036】
この方法は、電極に電圧が印加されていないときにパターニングシステムにおける電界を測定することをさらに備えてもよい。代わりに、電圧が印加されていないときのパターニングシステムにおける電界が理論的に計算されてもよい。この方法は、必要に応じて、測定または計算された電界を記憶することをさらに備えてもよい。
【0037】
電圧を印加することは、第１時間間隔中に第１電圧を印加することと、第２時間間隔中に第２電圧を印加することとを備え、第１電圧および第２電圧が異なる。
【0038】
電圧は、放射ビームの特性の関数として変化してもよく、放射ビーム自体が時間とともに変化してもよい。例えば、変化は、放射ビームのパルスレートおよび／またはパワーの関数であってもよい。変化する電圧を印加することによって、生成される電界は、放射ビームの入射に起因して生じる電界の変化に合わせて調整されてもよい。変化する電圧は、より低い電圧の印加を可能にしつつ、依然として汚染を低減しうる。電圧は、例えば入射する放射ビームに起因して、パターニングシステムの近傍で経験される電界および／またはパターニングシステムによって経験されるバイアスに依存して変化してもよい。
【0039】
第１電圧は、第１極性を有してもよく、第２電圧は、第１極性とは反対の第２極性を有してもよい。極性を反転することは、一以上の汚染物質を電極の表面から放出させることを促進しうる。一以上の汚染物質の放出は、洗浄および／または計測の目的に有益となりうる。
【0040】
放出される汚染物質がダミー基板に付着しうるように、ダミー基板が導入されてもよい。このようなダミー基板は、放出される汚染物質が他の構成要素、例えばパターニングシステムに付着するリスクを低減してもよい。このようなダミー基板は、例えばダミー基板の表面の汚染物質の一以上の特性を検知することによって、その後の計測手順に使用されてもよい。
【0041】
本発明の第５の態様によれば、プラズマ環境中の汚染特性を決定するための計測システムであって、本発明の第１の態様の汚染低減システムのいずれかの実施形態と、検知装置とを備える計測システムが提供される。検知装置は、電極の表面上の一以上の汚染粒子の一以上の特性を決定するよう動作可能である。
【0042】
このような計測システムは、プラズマ環境内、例えばリソグラフィ装置内の汚染の特性をより良く理解するために使用されてもよい。
【0043】
特性は、一以上の汚染粒子の量、および／または、密度、および／または、組成を備える。
【0044】
一態様または一実施形態に関して説明された特徴は、別の態様または別の実施形態に関して説明された任意の特徴と組み合わせることができ、そのような組み合わせはすべて本書で明示的に考慮および開示されることが理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【0045】
本発明の実施の形態は、単なる例示として、添付の概略的な図面を参照しながら、以下に説明される。
【図1】リソグラフィ装置および放射源を備えるリソグラフィシステムを示す図である。
【図2A】従来装置のレチクルミニ環境を概略的に示す図である。
【図2B】本発明の実施形態に係るレチクルミニ環境を概略的に示す図である。
【図3】本発明の実施形態に係るレチクルミニ環境の別の構成を示す図である。
【図4】注目領域におけるプラズマ環境内の電界プロファイルを表す曲線を示す図である。
【図5】プラズマ環境中の汚染物質の単位電荷あたりの運動量の変化を表す曲線を示す図である。
【図6】本発明の実施形態に係る汚染低減システムの例示的な電極を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0046】
図１は、放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置ＬＡを備えるリソグラフィシステムを示す。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、ＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成されるサポート構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成される基板テーブルＷＴとを備える。
【0047】
図１に示される放射源ＳＯは、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれるタイプのものである。例えばＣＯ２レーザを含みうるレーザシステム１は、例えば燃料エミッタ３から供給される錫（Ｓｎ）などの燃料にレーザビーム２を介してエネルギーを与えるように構成される。以下の説明では錫が参照されるが、任意の適切な燃料が使用されてもよい。燃料は、例えば、液体の形態であってもよく、例えば、金属または合金であってもよい。 燃料エミッタ３は、例えば液滴の形態で、錫をプラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って方向付けるように構成されるノズルを備えてもよい。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４において錫に入射する。レーザエネルギーを錫に与えることで、プラズマ形成領域４において錫プラズマ７が形成される。ＥＵＶ放射を含む放射は、電子とプラズマのイオンとの脱励起および再結合の間にプラズマ７から放出される。
【0048】
プラズマからのＥＵＶ放射は、コレクタ５によって収集および集束される。コレクタ５は、例えば、近法線入射放射コレクタ５（より一般的には、法線入射放射コレクタと呼ばれることもある）を備える。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、１３．５ｎｍといった所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように構成される多層ミラー構造を有してもよい。コレクタ５は、二つの焦点を有する楕円体構造を有してもよい。後述されるように、焦点のうちの第１焦点はプラズマ形成領域４にあってもよく、焦点のうちの第２焦点は中間焦点６にあってもよい。
【0049】
レーザシステム１は、放射源ＳＯから空間的に分離されてもよい。この場合、レーザビーム２は、例えば、適切な方向付けミラーおよび／またはビームエキスパンダ、および／または他の光学系を備えるビームデリバリシステム（図示せず）の助けを借りて、レーザシステム１から放射源ＳＯに通過してもよい。レーザシステム１、放射源ＳＯ、およびビームデリバリシステムは、合わせて放射システムとみなされてもよい。
【0050】
コレクタ５によって反射された放射は、ＥＵＶ放射ビームＢを形成する。ＥＵＶ放射ビームＢは、中間焦点６において集束され、プラズマ形成領域４に存在するプラズマの中間焦点６での像を形成する。中間焦点６での像は、照明システムＩＬのための仮想放射源として機能する。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの筐体構造９の開口８に、または開口８の近くに位置するように配置される。
【0051】
図１は、放射源ＳＯをレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源として描いているが、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源または自由電子レーザ（ＦＥＬ）といった任意の適切な源（ソース）を使用してＥＵＶ放射が生成されてもよい。
【0052】
照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調整するように構成される。それについて、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１を含んでもよい。ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１は協働して、所望の断面形状および所望の強度分布を有するＥＵＶ放射ビームＢを提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０およびファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて、または代えて、他のミラーまたはデバイスを含んでもよい。
【0053】
ペリクル（図示せず）は、パターニングデバイスＭＡに（例えばペリクルフレームを介して）取り付けられてもよい。パターニングデバイス、ペリクル、およびペリクルフレームＭＡは、パターニングシステムと呼ばれてもよい。追加の構成要素は、レチクルミニ環境ＲＭＥと呼ばれる領域内のパターニングデバイスＭＡの近傍に設けられる。追加の構成要素は、放射ビームＢをさらに調整するために設けられ、例えばブレードとも呼ばれるシャッタ（図示せず）が設けられる。汚染粒子がパターニングデバイスＭＡに輸送されて付着する可能性を低減するために汚染低減システムも提供される。汚染低減システムは、電極１００を含む。
【0054】
ＥＵＶ放射ビームＢは、調整された後、パターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。
【0055】
投影システムＰＳは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投影するように構成される。この目的のために、投影システムＰＳは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗ上に投影するように構成される複数のミラー１３、１４を備えてもよい。投影システムＰＳは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用してもよく、これにより、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを有する像を形成してもよい。例えば、４または８の縮小係数が適用されてもよい。投影システムＰＳは、図１において２個のミラー１３、１４のみを有するように示されているが、投影システムＰＳは、異なる個数のミラー（例えば、６個または８個のミラー）を含んでもよい。
【0056】
基板Ｗは、既に形成されたパターンを含んでもよい。この場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン化されたＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成された像を、基板Ｗ上に既に形成されたパターンと位置合わせする。
【0057】
図２Ａは、従来のリソグラフィ装置のレチクルミニ環境ＲＭＥを概略的に示す。レチクルミニ環境ＲＭＥは、サポート構造ＭＴによって支持されるパターニングシステムＭＳを含む。上述したように、パターニングシステムは、パターニングデバイスおよびペリクルを備えてもよい。サポート構造ＭＴは、例えばサポート構造ＭＴの平面内（すなわち、図２に示されるｙ方向）において、放射ビームＢに対してスキャンされるように動作可能である。このようにして、サポート構造ＭＴ、したがってパターニングシステムＭＳは、パターニングデバイス上のパターンの異なる部分をパターン化された放射ビームＢ’に記録できるようにスキャンされることができる。
【0058】
シャッタシステムは、第１シャッタ２２および第２シャッタ２４を備え、レチクルミニ環境ＲＭＥ内に設けられる。シャッタ２２、２４は、パターニングシステムＭＳに入射する放射ビームＢの領域を制御するために（例えば、ｙ方向の放射ビームのサイズを制御するために）使用されうる。また、シャッタ２２、２４は、（例えば、基板のスキャン露光間において）放射ビームＢを周期的に遮断し、放射ビームＢがパターニングシステムＭＳに入射するのを防ぐために使用されてもよい。図２に描かれるシャッタシステムは、簡略図であり、シャッタシステムが異なる形態を取ってもよいことが理解されよう。例えば、より多い、または、より少ないシャッタがシャッターシステムに使用されてもよく、シャッタは任意の形状を有してもよい。シャッターシステムにおけるシャッタの動きは、典型的には制御モジュールによって制御される。
【0059】
レチクルミニ環境ＲＭＥは、ガスノズル２６を含む。ガスノズル２６は、レチクルミニ環境ＲＭＥ、特に放射ビームＢによって照明されるべきパターニングシステムＭＳの表面にガスを供給する。レチクルミニ環境ＲＭＥには、汚染物質として知られる浮遊汚染粒子が存在しうる。汚染物質の直径は通常、ナノメートルからマイクロメートルのオーダーである。ガスノズル２６によって供給されるガスは、パターニングシステムＭＳ（例えば、パターニングデバイスまたはパターニングデバイスに取り付けられるペリクル）に汚染粒子が移動して付着するのを阻止するように作用するガスカーテンを形成する。水素ガスが典型的に使用される。ガスは、典型的に放射によって照明されるパターニングシステムＭＳの表面２０の近傍に提供される。
【0060】
リソグラフィプロセスの間、パターニングシステムＭＳおよびレチクルミニ環境ＲＭＥは、放射ビームＢによる照明に起因して放射にさらされる。したがって、レチクルミニ環境ＲＭＥ内のガスは、放射ビームによって照明され、イオン化してプラズマを形成する。プラズマは、レチクルミニ環境ＲＭＥの一部または全体にわたって延びる可能性があるため、レチクルミニ環境ＲＭＥはプラズマ環境にあると呼ばれることがある。プラズマ環境は、放射ビームＢが入射するときに存続する可能性があり、さらに、放射ビームＢが入射しなくなった後もある期間にわたって追加的に存続する可能性がある。プラズマ環境に起因して、従前は中性ガス内に浮遊していたであろう汚染物質が、現在はプラズマ環境内に存在する。プラズマ環境内の汚染物質は、プラズマ内の荷電種 (例えば、イオン、電子) に起因して帯電するようになる。典型的に、汚染物質は負に帯電する。
【0061】
レチクルミニ環境ＲＭＥ内での帯電に起因して、電界が発生する。特に、パターニングシステムＭＳは、典型的に正に帯電し、シャッタ２２とパターニングシステムＭＳとの間に電界Ｅ１が確立される。電界Ｅ１は、負に帯電する汚染物質がパターニングシステムＭＳに向かって駆動され、パターニングシステムＭＳへの汚染物質の付着を促進するようなものである。特に、汚染物質は、パターニングデバイスの表面または（ペリクルが存在する場合には）ペリクルの表面を備えてもよいパターニングシステムＭＳの表面２０に付着する可能性がある。パターニングデバイス上またはペリクル上のいずれか（つまり、パターニングシステムＭＳ上）の汚染は、リソグラフィ装置の結像品質に悪影響を与えることができる。電界Ｅ１は、典型的に、ガスノズル２６によって提供されるガスカーテンによって汚染物質に加わる力よりも電界Ｅ１によって汚染物質に加わる力が大きくなる程度に十分に強いため、電界Ｅ１は、ガスカーテンの汚染防止能力を打ち負かす（上回る）。
【0062】
図２Ｂは、本発明のある実施形態に係るリソグラフィ装置のレチクルミニ環境ＲＭＥを概略的に示す。電極１００は、シャッタ２２とパターニングシステムＭＳとの間に設けられる。電極１００は、電圧源（図示せず）に接続されており、したがってバイアスされている。電極１００とパターニングシステムＭＳとの間の電位差は、例えば電極１００に与えられる電圧を制御することによって、電極１００とパターニングシステムＭＳとの間に電界Ｅ２が確立されるように構成される。この構成において、パターニングシステムＭＳは、（第１）電極１００と電極対を形成する第２電極として機能する。電界Ｅ２は、パターニングシステムＭＳ（第２電極）と（第１）電極１００との間に生じる。電界Ｅ２は、帯電した汚染物質に力を及ぼす。その結果、汚染物質を方向付けることができ、特に、パターニングシステムＭＳから遠ざかるように方向付けしうる。
【0063】
この構成例において、電極は、パターニングシステムＭＳに対して正の電圧でバイアスされる。例えば、パターニングシステムＭＳは接地されてもよく、その場合、電極１００は任意の正の電位差を有してもよい。あるいは、パターニングシステムＭＳは、例えば蓄積された静電荷に起因して何らかのバイアスを有してもよく、その場合、電極１００は、パターニングシステムＭＳ上の任意のバイアスに対してより大きい正の（またはより小さい負の）電位差を有してもよい。その結果、負に帯電した汚染物質が電極１００に引き付けられる。したがって、電界Ｅ２によって及ぼされる力に起因して、汚染物質はパターニングシステムＭＳから遠ざかるように方向付けされる。
【0064】
別の例において、電極は、反対極性の電圧で、例えばパターニングシステムＭＳに対して負の電圧でバイアスされてもよい。この例では、電界の方向が反転するため、正に帯電した汚染物質が電極１００に引き寄せられるかもしれない。したがって、電極に印加されるバイアスの極性は、利用する特定のプラズマ環境に基づいて調整されてもよい。
【0065】
図２Ｃ、２Ｄ、２Ｅおよび２Ｆは、パターニングシステムＭＳがプラズマ環境内にあるとき（例えば放射ビームによる照明後）の図２Ｂに示される構成の一部における負に帯電した汚染物質２７、２８の動きを概略的に示す。図示される汚染物質２７、２８は、電極１００とパターニングシステムＭＳとの間に位置する。
【0066】
図２Ｃは、電極１００に電圧が供給されないときの第１汚染物質２７の動きを示す。この例において、汚染物質２７は、パターニングシステムＭＳに向かう方向に初速度２９Ｃを有する。図２Ｃに示される座標系では、この初速度２９Ｃは、正のｚ方向である。汚染低減策がなければ、汚染物質２７は、破線で示されるようにパターニングシステムＭＳに移動し、パターニングシステムＭＳを汚染するであろう。初速度２９Ｃは、少なくとも部分的には、図２Ａを参照して説明したように生じる電界に起因する。つまり、プラズマ環境における帯電に起因して、シャッタ（図示せず）とパターニングシステムＭＳとの間に電界が確立され、負に帯電した汚染物質２７がパターニングシステムＭＳに向かって引き寄せられるようになる。
【0067】
図２Ｄは、電極１００に電圧が供給されたときの図２Ｃの汚染物質２７の動きを示す。印加される電圧は、電極１００にバイアスが印加されないときに生じるであろう電界と比較して、電極１００とパターニングシステムＭＳとの間の電界の方向を反転させるのに十分となる程度に大きい。電極１００によって生成される電界は、汚染物質２７の進行方向の変化に影響を与える程度に十分に大きい。汚染物質２７は、電極１００に向かう方向、つまり、負のｚ方向の更新速度２９Ｄを有する。汚染物質２７は、その後、破線で示されるように電極１００に移動する。 このようにして、電極１００に電圧を印加すると、汚染物質が電極１００に引き寄せられることによって、汚染物質がパターニングシステムＭＳから遠ざかるように方向付けされるであろう。
【0068】
汚染物質２７が電極１００に向けて移動すると、汚染物質が電極に付着することによって、汚染物質が浮遊粒子から表面に局在する粒子に変換されうる。汚染物質を電極１００上に局在化させることにより、汚染物質はレチクルミニ環境ＲＭＥの周囲を再循環することができなくなり、パターニングシステムＭＳに移動／付着することができなくなる。汚染物質が電極に付着するか否かは、汚染物質および電極の材質特性、および／または、電極の表面状態に依存しうる。
【0069】
図２Ｅは、電極１００に電圧が供給されていないときの第２汚染物質２８の動きを示す。この例において、汚染物質２８は、パターニングシステムＭＳに向かう方向（つまり、正のｚ方向）の成分と、パターニングシステムＭＳを横切る方向（つまり、正のｙ方向）の成分とを有する。パターニングシステムＭＳに向かう方向の初速度２９Ｅの成分は、少なくとも部分的には、図２Ａを参照して説明したように生じる電界に起因する。初速度２９Ｅの横方向の成分は、環境の他の側面、例えばプラズマ環境および／またはガスノズルからのガス圧力によって及ぼされる力に起因しうる。
【0070】
図２Ｆは、電極１００に電圧が供給されたときの図２Ｅの汚染物質２８の動きを示す。印加される電圧は、電極１００にバイアスが印加されないときに生じるであろう電界と比較して、電極１００とパターニングシステムＭＳとの間の電界の方向を反転させるのに十分となる程度に大きい。電極１００によって生成される電界は、汚染物質２８の移動方向の変化に影響を与える程度に十分に大きい。汚染物質２８は、パターニングデバイスＭＳに向かう方向の成分であって、初速度２９Ｃの成分の大きさに比べて小さい成分を有する更新速度２９Ｅを有する。しかしながら、更新速度２９Ｅの横成分は電界の影響を比較的受けない。その結果、汚染物質２８は、破線で示されるようにパターニングシステムＭＳが位置する平面に向かって移動し続けるが、パターニングシステムＭＳから逸れる。つまり、汚染物質２８は、パターニングシステムＭＳに直接向かうように移動しないように、またはパターニングシステムＭＳに衝突しないように、パターニングシステムＭＳから遠ざかるように方向付けされる。この状況において、汚染物質２８は、電極１００による引力を経験するが、電極１００に向かって移動しない。
【0071】
図２Ｄおよび２Ｆを参照しながら上述した粒子ステアリング（方向付け）の例では、汚染物質は、電極による引力を経験し、したがってパターニングシステムから遠ざかるように方向付けされる。その結果、汚染物質低減システムの一部として電極を設けることは、汚染物質がパターニングシステムに向かって移動し、パターニングシステム上に付着する可能性を低減させる。
【0072】
電極１００は、パターニングシステムＭＳのうち、放射ビームＢを介した放射によって照明されない領域に配置される。特に、電極１００は、シャッタ２２によって放射から遮蔽される。その結果、電極１００は、放射ビームによって生成されるプラズマの本体から空間的に離れている。したがって、例えば加熱に起因する、電極１００への損傷が低減される。さらに、電極１００が放射ビームＢから遮蔽される場合、電極１００に付着していた汚染物質が再放出される可能性が低くなる。
【0073】
シャッタ２２は、（第３）電極としても機能してよく、電極１００とシャッタ２２との間に別の電界Ｅ３が発生してもよい。これは、シャッタ２２と電極１００との間の電位差に起因して発生し、例えばシャッタ２２が接地され、電極１００が上述のようにバイアスされる場合である。汚染物質は、上述したものと同じ方法で、この電界Ｅ３によって方向付けされる可能性がある。電極１００がシャッタ２２のいずれのバイアスよりも正にバイアスされる例では、負に帯電した汚染物質がシャッタ２２から離れて電極１００に向かうように方向付けされる可能性がある。
【0074】
【0075】
図３に示される構成は、シャッタ２４とパターニングシステムＭＳとの間に位置するガスノズル３００を備える。ガスノズル３００は、電圧源（図示せず）に接続されており、したがって、ガスノズル３００は電極として機能する。この構成において、ガスノズル３００とパターニングシステムＭＳとの間には、図２Ｂの電極１００を参照して上述したように、電界Ｅ２が生じる。ガスノズル３００とシャッタ２４との間には、対応する電界Ｅ３が生じてもよい。パターニングシステムＭＳおよびシャッタ２４のいずれのバイアスよりも大きな正の電圧がガスノズル３００に印加されると、電界Ｅ２、Ｅ３は、ガスノズル３００による引力に起因して負に帯電した汚染物質を方向付ける。したがって、汚染物質をパターニングシステムＭＳから離れるように逸らせ、ガスノズル３００に汚染物質を固定することにより、パターニングシステムＭＳに到達する汚染が低減される。
【0076】
上述したように、例えば図２Ｄで示されるように汚染物質が電極に向けて移動するような引力である場合、汚染物質が電極表面に堆積しうるため、いくつかの構成では、電極はその表面に汚染物質を蓄積できる。この汚染物質は、プラズマ環境内の汚染に関するさらなる情報を決定するために調査されてもよい。特に、汚染物質が付着した電極の表面を調査し、汚染物質の一以上の特性、例えば汚染物質の化学組成または密度を決定してもよい。電極の表面に対し、既知の計測手法、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＳ）、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、プロフィロメトリ、エリプソメトリが使用されてもよい。
【0077】
また、計測手段がプラズマ環境内に実装されてもよく、例えば計測装置をリソグラフィ装置内に配置し、その場の電極を用いて、電極の特性および／または電極上の汚染物質の特性を測定し、汚染物質に関連する特性を決定できるようにしてもよい。あるいは、電極をその「使用中」の位置から取り外した後、例えばプラズマ環境から取り出した後、電極および／または汚染物質に対して計測手段が使用されてもよい。
【0078】
汚染物質は、追加的または代替的に、電極の表面から除去され、除去後に調査されてもよい。電極から除去された後の汚染物質の調査は、汚染物質の特性に関する情報を与えるかもしれない。既知の計測手法、例えば、粒子質量分級（ＰＭＣ）、ＳＥＭ、ＥＤＳ、ＡＦＭ、または透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）が汚染物質の調査に使用されてもよい。
【0079】
汚染物質は、電極に印加される電圧の極性を反転することによって、電極の表面から除去されてもよい。例えば、電極に負の電圧を印加して汚染物質を電極に引き寄せ、その結果、電極表面に汚染物質を堆積させる場合、電極に正の電圧を印加すると、電極から汚染物質が放出される可能性がある。汚染物質が電極から放出されるか否かは、汚染物質および電極の材料特性および／または電極の表面状態に依存しうる。汚染物質を放出するときに、ダミー基板を電極の近くに配置して、汚染物質がこのダミー基板に付着するようにしてもよい。ダミー基板は、その後、計測目的で分析されてもよい。追加的または代替的に、ダミー基板は、単に環境内の他の構成要素、例えばパターニングシステムＭＳに汚染物質が付着するリスクを低減するために設けられてもよい。
【0080】
電極とパターニングシステムとの間の電界のいかなる大きさも、汚染物質に力を加えることになるため、電極による汚染物質の引き付けを生じさせるであろう。電圧は、電界に起因して汚染物質に加わる力が、パターニングシステムまたはその一部から汚染物質を遠ざけるように方向付けるのに十分となる程度に大きくなるように選択されてもよい。いくつかの場合、電圧は、例えば図２Ｃおよび２Ｄを参照して説明したように、力が汚染粒子の方向の変化に影響を与えるのに十分となる程度に大きくなるように、汚染粒子が反転して電極に向かって移動するように選択されてもよい。いくつかの場合、電圧は、例えば図２Ｅおよび２Ｆを参照して説明したように、力が速度ベクトルを変えるのに十分となる程度に大きくなり、汚染物質がパターニングシステムから外れるように選択されてもよい。いくつかの場合、汚染物質に作用する力が、汚染物質が経験する可能性のある他の力、例えば、（例えばプラズマ環境内の中性粒子に対する）抗力や（例えばプラズマ環境内のプラズマクーロン場に起因する）クーロン力を超えるように、電圧を選択することが有益であるかもしれない。
【0081】
また、電圧は、アークのリスクの低減に十分となる程度に低くなるように選択されてもよい。シャッタとパターニングシステムとの間に位置する電極は、パターニングシステムに近接しているため、汚染物質の偏向に十分となる程度に強い電界の印加は、比較的低い電圧、例えば０－１０Ｖの範囲で達成できる。
【0082】
第１の例では、静的な電圧が印加される。静的とは、電極１００に印加される電圧がほぼ一定であることを意味する。第２の例では、動的な電圧が印加される。動的とは、電圧が変化する、例えば時間経過とともに変化することを意味する。これらの例とその効果については、以下でさらに詳述される。
【0083】
図４は、注目領域におけるプラズマ環境内の電界プロファイルを表す曲線を示す。注目領域は、レチクルミニ環境内にあり、図２Ｂを参照して説明したものと同様のパターニングシステムＭＳの表面２０に近い位置にある。特に、本発明に係るシステムにおける電界プロファイルを表す曲線の場合、注目領域は、電極（例えば電極１００）と表面（例えば表面２０）との間に位置する。従来のシステム（例えば図２Ａに描かれるもの)における電界プロファイルを表す曲線では、注目領域は、電極の存在しない対応する位置にあり、例えば、図２Ａに電界Ｅ１が示される領域である。
【0084】
電界は、縦軸で示される。電界は、電界の方向性を表すために負の値と正の値で表される。電界は正にも負にもなることができず、この表現はパターニングシステムおよび電極に対する方向性を表すものであることが理解されよう。負の電界は、負に帯電した汚染物質をパターニングシステムに引き付ける電界に対応する。正の電界は、負に帯電した汚染物質をパターニングシステムから遠ざける電界に対応する。ゼロ電界（つまり、電界がない）は破線で示される。図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、図２Ａの電界Ｅ１は、負のｚ方向の方向を有する負の電界として表される一方、図２Ｂの電界Ｅ２は、正のｚ方向の方向を有する正の電界として表されうる。
【0085】
電界プロファイルは、放射パルスがパターニングシステムを照明する（例えば、シャッタが開いた後に放射ビームがパターニングシステムに到達可能になる）ゼロ点から開始する時間に対して示される。電界プロファイルは、この最初のパルスに続く５μｓの電界プロファイルがその後に示される。パルスは、数百ナノ秒程度以下のパルス幅を有する。
【0086】
第１曲線４０は、電極がない従来装置の注目領域における電界プロファイルを示す。電界の大きさは、０秒から１００ｎｓでの２５Ｖ／ｍの大きさの負のピークに向けて急速に増加する。その後、電界の大きさは減少し、５μｓの時間窓にわたってゼロの大きさにゆっくりと近づく。電界は正にならない。したがって、この構成において負に帯電した汚染物質は、最初の数百ナノ秒間でパターニングシステムに強く引き付けられ、その後、パターニングシステムに弱く引き付けられ続けるか（電界が弱い負の場合）、または作用を受けないまま（電界がゼロの大きさを有する場合）となる。
【0087】
第２曲線４２は、電極を備える装置の注目領域における電界プロファイルを示し、静的な電圧が印加される場合を示す。特に、当該装置は、図２Ｂに描かれるものと同様に構成され、電極１００とパターニングシステムＭＳの表面２０との間の間隔は約５ｍｍである。注目領域内の電界の大きさは、０秒から１００ｎｓ付近での約４５Ｖ／ｍの大きさの負のピークに向けて急速に増加する。このピークは、パルスの持続期間において従来装置と比較してより強い大きさの負となる。つまり、負に帯電した汚染物質は、パルスの持続期間中にパターニングシステムに強く引き付けられる。その後、電界の大きさは１００ｎｓから約７００ｎｓの間で減少する。７００ｎｓ付近で電界は正になり、２ｍｓ付近で約１０Ｖ／ｍの大きさの正の最大値で頭打ちになるまで、正の大きさが徐々に増加する。電界は、５μｓの時間窓全体にわたってこの正の最大値のままとなる。電界が正である間、負に帯電した粒子は電極に引き寄せられる。したがって、最初は短時間においてパターニングシステムに引き寄せられるにもかかわらず、電極に静的な電圧を印加することにより、５μｓの時間窓の範囲内のかなりの時間においてパターニングシステムから負に帯電した汚染物質を遠ざけるように方向付けできる。
【0088】
第３曲線４４は、電極を有する装置の注目領域における電界プロファイルを示し、動的電圧が印加される場合を示す。装置および注目領域は、第３曲線４４と第２曲線４２とで同じである。
【0089】
第３曲線４４は、０秒から５μｓまでの時間窓全体にわたってわずかに正である。つまり、動的な電圧が印加される場合、電界が常に正になるように電圧を調整できる。したがって、電極に印加される動的な電圧を用いて、負に帯電した汚染物質をパターニングシステムから常に遠ざけることができる。
【0090】
動的な電圧は、電極に印加される電圧Ｖ（ｔ）が時間ｔに対して変化する。このような変化は、以下の式（１）によって表されてもよい。
【数1】
【0091】
ここで、ｆ（…）は関数を表し、Ｅ（ｔ）は電極に電圧が印加されていないときの時間 t に対する電界の変化を表す。電界Ｅ（ｔ）は、理論的計算（例えば分析的）または経験的データ（例えばパターニングデバイスにおける電位測定による）に基づく推定値であってもよい。電界Ｅ（ｔ）は、例えば、プラズマ環境において自然に発生する電界（例えば、図２Ａの電界Ｅ１）であってもよい。
【0092】
ある具体例において、電極による汚染物質の引き付けに寄与する電界がパターニングデバイスによる汚染物質の引き付けに寄与する電界よりも常に大きくなるように、電界Ｅ（ｔ）を生成するための電圧が計算される。その結果、図４で使用される基準フレームにおいて、注目領域内の全体的な電界は常に正になる。
【0093】
この例において、電圧は、電極での電位φｅが以下の式（２）を満たすように選択されてもよい。
【数2】
【0094】
ここで、φｐｓは、電極に電圧が印加されていないときにパターニングシステムにて生じる電位またはパターニングシステムの近傍にて生じる電位である。電位φｐｓは、理論的に計算されてもよいし、または経験的に測定されてもよい。
は、注目領域内の全体的な電界強度に影響を与えるように選択されうるオフセットであり、例えば、より大きなオフセット
は、汚染物質の運動量により大きな変化を与え、より大きな速度でパターニングシステムから汚染物質を遠ざけるように方向付けうる。
【数3】
【数4】
【0095】
オフセット
は、
にしたがって計算できる。ここで、Ｅａｖｇは、電極に電圧が印加されないときの注目領域における平均電界強度であり、電極に電圧が印加されないときのｚ方向（δｚ）の電位変化（δφ）に基づいて計算される。式（２）で表される電位φｅ、φｐｓは、時間の関数である。
【数5】
【数6】
【0096】
ある具体例において、センサがパターニングシステムの近傍に配置される。センサは、パターニングシステムにおける電界 (および／または電位φｐｓ) をモニタするために使用される。データは、例えば入射する放射および／またはプラズマ環境における他の変化に起因して、パターニングシステムにおける電界が時間の経過とともにどのように変化するかのモニタリングによって収集できる。したがって、動的な電圧は、センサによって取得されたデータに基づいて計算されてもよい。センサは、パターニングシステム上に配置されてもよいし、パターニングシステムの一部を形成してもよい。
【0097】
別の例において、パターニングシステムにおける電界（および／または電位φｐｓ）は、理論的に計算されてメモリに記憶されてもよい。電界値は、例えばプラズマ環境の変化に応答して、および／または入射する放射に起因して、一定期間にわたって計算されてもよい。
【0098】
電界値が検知されるか理論的に計算されるかにかかわらず、電界値は、所定の電界値として記憶されてもよい。したがって、これらの所定の電界値は、電極に与えられるべき電圧または電圧プロファイル（つまり、変化する電圧）を計算するために使用されてもよい。
【0099】
式（１）および（２）とは異なる関数が選択されてもよい。なお、関数（１）および（２）は時間ｔの関数として記載した。しかしながら、動的な電圧は、注目領域内の変化する電界に応じて変化してもよいことが理解されよう。変化する電界は、少なくとも部分的には入射する放射に起因する。したがって、動的な電圧は、放射の一以上の特性、例えばパルスレート、パルス幅、パルスエネルギー、放射波長の関数として変化するように表されてもよい。
【0100】
図５の曲線は、プラズマ環境中の汚染物質の単位電荷あたりの運動量の変化を表す。運動量変化曲線は、図４に描かれる電界プロファイルに対応する。つまり、第１曲線５０は、電極がない従来装置の注目領域内の汚染物質の運動量変化を表し、第２曲線５２は、静的な電圧でバイアスされる電極を有する装置の注目領域内の汚染物質の運動量変化を表し、第３曲線５４は、動的な電圧でバイアスされる電極を有する装置の注目領域内の汚染物質の運動量変化を表す。
【0101】
負の運動量の領域５６は、破線のボックスで囲まれて示されており、パターニングシステムに向かう方向の運動量を表す。逆に、この基準フレームにおいて、正の運動量を有する汚染物質は、パターニングシステムから遠ざかる。図２Ｃおよび２Ｄを参照すると、負の運動量は正のｚ方向の運動量とみなされてもよく、正の運動量は負のｚ方向の運動量とみなされてもよい。
【0102】
曲線は、ゼロ（０μｓ）にて生じるパターニングシステムに到達する放射パルスに続く２０μｓの時間窓について示される。図示される例において、これは、おおよそ放射線の繰り返しレートである (つまり、時間窓は、放射の単一パルスおよびその後の放射が供給されない一時停止における運動量変化を示す)。
【0103】
第１曲線５０は、電極がないシステムを表し、２０μｓの時間窓全体にわたって負である。つまり、電極がない場合、汚染物質は常にパターニングシステムに向けて移動する。
【0104】
第２曲線５２は、電極への静的な電圧の印加を表し、約２μｓの間にわたって負の運動量を示す。したがって、静的な電圧が印加されるとき、最初の２μｓの間、汚染物質はパターニングデバイスに向かって移動し続ける。これは、図４に描かれる電界プロファイル４２に対応し、電界は、放射パルスの到着後の短時間にわたって負である。第２曲線５２は、１μｓ付近でピークとなり、汚染物質に与えられる運動量変化の大きさが減少し、２μｓ付近でゼロに達するまで減少し続けることを示す。２μｓを超えると、第２曲線は正になって大きさが急速に増加する。したがって、汚染物質は、２μｓより後において方向の変化に十分となる程度に電極によって方向付けされ、時間の経過とともに速度が増加するようにして電極に向けて移動する。
【0105】
第３曲線５４は、電極への動的な電圧の印加を表し、常に正である。第３曲線５４は、示されている時間窓全体にわたってほぼ直線的に大きさが増加する。したがって、この動的な電圧が印加される電極を有するレチクルミニ環境内の汚染物質は、パターニングシステムから遠ざけるように常に方向付けされうる。
【0106】
上記の議論では、平均運動量を考慮している。粒子の集団は、運動量の統計的な広がりを備えるため、集団内の全ての粒子が説明したように反応するわけではないことが理解されよう。しかしながら、統計的に平均的な粒子は、説明したように振る舞うであろう。したがって、動的な電圧が印加されるときに一以上の粒子がパターニングデバイスに向けて移動するかもしれないが、粒子の大多数はパターニングデバイスから遠ざかるように方向付けされる。
【0107】
汚染物質に付与される運動量の影響は、放射の追加のパルスがプラズマ環境に照明されるにつれて累積する。つまり、図５に描かれる２０μｓの時間窓の終わりにおいて、単位電荷あたりの運動量は、静的な場合と動的な場合の双方においてゼロではない。放射の第２パルスに起因する運動量変化を考慮するとき、汚染物質はこれらのゼロではない運動量から始まり、電極によって提供される電界によって追加の運動量を獲得する。したがって、汚染物質ステアリング（方向付け）の影響は、時間の経過とともに (パルス数の関数として) 増加する。この累積効果に起因して、低い電圧であったとしても複数回の放射パルスの後に粒子に実質的なステアリング効果が与えられるため、電極に供給される電圧はさらに低いかもしれない。
【0108】
図６は、本発明のある実施形態に係る汚染低減システムの例示的な電極６００を概略的に示す。電極６００は、シャッタ２２とパターニングシステムＭＳとの間に設けられる。電極６００は、第１部分６４および第２部分６６を備える。第１部分６４および第２部分６６は、互いに電気的に絶縁される。第１部分６４および第２部分６６は、それぞれ電圧供給源（図示せず）に接続される。第１部分６４および第２部分６６は、二つの出力を有する単一電圧源に接続されてもよいし、二つの別個の電圧源に接続されてもよい。
【0109】
第１部分６４に供給される第１電圧は、電極６００とパターニングシステムＭＳとの間に第２電界Ｅ２が生成されるようなものである。第１電圧（したがって第２電界Ｅ２）は、負に帯電した汚染粒子が電極６００の第１部分６４に引き付けられるようなものである。したがって、汚染粒子は、電界Ｅ２によって加えられる力に起因して、パターニングシステムＭＳから離れるように方向付けされてもよい。
【0110】
第２部分６６に供給される第２電圧は、電極６００とシャッタ２２との間に第３電界Ｅ３が生成されるようなものである。第２電圧（したがって第３電界Ｅ３）は、負に帯電した汚染粒子が電極６００の第２部分６６から離れるように方向付けされるようなものである。したがって、汚染粒子は、電界Ｅ３によって加えられる力に起因して、パターニングシステムＭＳからさらに離れるように方向付けされてもよい。
【0111】
電極は、所与のプラズマ環境および／またはリソグラフィ装置の体積要件を考慮して、任意のサイズおよび形状で使用されてもよい。注目する形状電極の一つは、平坦な電極であり、電極はパターニングデバイスに対して平行な平面である。この構成において、電極は、誘導電界に起因する機械的損傷を回避するのに実質的に十分な厚さを有してもよい。例えば、ある例示的なリソグラフィ装置における電極は、約０．４μＮの誘導場力を経験するかもしれない。このような誘導場力は無視できると考えられるため、ｍｍ程度以下の厚さを有する電極が選択されてもよい。電極は、シャッタと平行な平面内に配置されてもよい。
【0112】
電極は、シャッタと同様の形状を有してもよい。例えば、電極とシャッタの形状は相補的であってもよい。電極は、シャッタと実質的に同じ形状を有してもよいが、シャッタよりも断面積がわずかに小さい。したがって、電極は、典型的に、シャッタの射影内に留まってもよい（つまり、シャッタは、放射ビームが電極に照明されることを常に妨げてもよい）。
【0113】
電極は、パターニングシステムおよび／またはそのサポートとは別個に取り付けられてもよい。したがって、電極は、パターニングシステムとともに移動しないであろう。むしろ、電極は、シャッタ上に取り付けられてもよく、シャッタに機械的に結合されてもよい。シャッタに取り付けるか、シャッタに機械的に結合することにより、電極は、シャッタとともに移動してもよい。この構成において、電極は、シャッタの動きに関係なく、常にシャッタによって放射ビームから遮蔽されてもよい。
【0114】
簡略化のために、図面において多くの特徴（例えば、配線および電圧源）が省略されていることが理解されよう。
【0115】
本書の図面に示されるレチクルミニ環境ＲＭＥは、本質的に例示的なものであり、具体的な体積を明示的に表すものとして考慮されるべきではない。むしろ、レチクルミニ環境ＲＭＥは、レチクルの近傍の一般的な領域を示すために示されており、そのように理解されるべきである。本書に記載される様々な特徴は、以下に記載される特許請求の範囲にしたがって配置されてもよく、それらの位置は、本書に描かれるレチクルミニ環境ＲＭＥを参照することによって限定されない。さらに、本書で説明されるプラズマ環境は、装置の任意の部分に拡張されてもよく、レチクルミニ環境ＲＭＥに限定されない。プラズマ環境は、プラズマが形成される体積として定義される。
【0116】
この文書では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本書に記載されるリソグラフィ装置は他の用途を有してもよいことが理解されよう。可能性のある他の用途は、集積光学システム、磁区ドメインメモリ用の案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ （ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造を含む。
【0117】
この文書では、リソグラフィ装置の文脈で本発明の実施形態について具体的な言及がなされたかもしれないが、本発明の実施形態は他の装置で使用されてもよい。本発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置、またはマスク（または他のパターニングデバイス）といった物体を測定または処理する任意の装置の部分を形成してもよい。これらの装置は、一般にリソグラフィツールと呼ばれるかもしれない。そのようなリソグラフィツールは、真空条件または大気（非真空）条件を使用してもよい。
【0118】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、本発明は、記載以外の方法で実施されてもよいことが理解されるであろう。上記の説明は、限定ではなく、例示を意図したものである。したがって、以下の特許請求の範囲から逸脱することなく、説明された本発明に変更が加えられてもよいことは、当業者には明らかであろう。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【手続補正書】
【提出日】2023-11-14
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
パターニングシステムの汚染を低減するための汚染低減システムであって、放射ビーム中にパターニングシステムを保持するよう配置されるサポートと、
パターニングシステムから放射ビームの一部を遮蔽するよう構成されるシャッタと、 前記シャッタと前記サポートとの間に位置する電極であって、電源に接続され、前記電極と、前記サポートに保持される前記パターニングシステムとの間に電界を生成するよう構成される電極と、を備える汚染低減システム。
【請求項2】
前記電極は、単一電極である、請求項１に記載の汚染低減システム。
【請求項3】
前記電極は、前記サポートに対して分離可能に取り付けられる、請求項１または２に記載の汚染低減システム。
【請求項4】
前記生成される電界の大きさは、所定値よりも大きく、前記所定値は、前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界に対応する第２電界を表し、
前記生成される電界および前記第２電界は、反対の極性を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項5】
前記パターニングシステムにおける前記電界を測定するための手段をさらに備え、前記所定値は、前記測定された電界を備える、請求項４に記載の汚染低減システム。
【請求項6】
前記所定値を記憶するメモリをさらに備える、請求項４または５に記載の汚染低減システム。
【請求項7】
前記所定値は、時間とともに変化する関数を備え、前記電源によって印加される電圧は、時間とともに変化し、前記所定値に依存して選択される、請求項４から６のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項8】
前記放射ビームによって照明されるように配置される前記パターニングシステムの表面にガスを提供するよう構成されるガス出口をさらに備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項9】
前記ガス出口および電極は、一体である、請求項８に記載の汚染低減システム。
【請求項10】
前記電極から熱を除去するように構成される冷却システムをさらに備える、請求項１から９のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項11】
前記電極は、前記パターニングシステムおよび／またはシャッタの平面にほぼ平行に延びる平坦面を備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
【請求項12】
請求項１から１１のいずれか一項に記載の汚染低減システムを備えるレチクルステージ。
【請求項13】
請求項１２に記載のレチクルステージおよび／または請求項１から１１のいずれか一項に記載の汚染低減システムを備える、リソグラフィ装置。
【請求項14】
パターニングシステムの汚染を抑制する方法であって、前記パターニングシステムは、放射ビーム中に保持され、前記パターニングシステムの一部は、シャッタによって前記放射ビームから遮蔽されており、
前記方法は、前記シャッタと前記パターニングシステムとの間に位置する電極に電圧を印加し、前記電極と前記パターニングシステムとの間に電界が生成されるようにすることを備える方法。
【請求項15】
プラズマ環境中の汚染特性を決定するための計測システムであって、請求項１から１１のいずれか一項に記載の汚染低減システムと、
検出装置と、を備え、
前記検出装置は、前記電極の表面上の一以上の汚染粒子の一以上の特性を決定するよう動作可能である、計測システム。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0118】
本発明の特定の実施形態が上述されたが、本発明は、記載以外の方法で実施されてもよいことが理解されるであろう。上記の説明は、限定ではなく、例示を意図したものである。したがって、以下の特許請求の範囲および以下の項から逸脱することなく、説明された本発明に変更が加えられてもよいことは、当業者には明らかであろう。
（項１）
パターニングシステムの汚染を低減するための汚染低減システムであって、
放射ビーム中にパターニングシステムを保持するよう配置されるサポートと、
パターニングシステムから放射ビームの一部を遮蔽するよう構成されるシャッタと、 前記シャッタと前記サポートとの間に位置する電極であって、電源に接続され、前記電極と、前記サポートに保持される前記パターニングシステムとの間に電界を生成するよう構成される電極と、を備える汚染低減システム。
（項２）
前記電極は、単一電極である、項１に記載の汚染低減システム。
（項３）
前記電極は、前記サポートに対して分離可能に取り付けられる、項１または項２に記載の汚染低減システム。
（項４）
前記電界は、２Ｖ／ｍｍ未満である、項１から項３のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項５）
前記生成される電界の大きさは、所定値よりも大きく、
前記所定値は、前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界に対応する第２電界を表し、
前記生成される電界および前記第２電界は、反対の極性を有する、項１から項４のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項６）
前記パターニングシステムにおける前記電界を測定するための手段をさらに備え、前記所定値は、前記測定された電界を備える、項５に記載の汚染低減システム。
（項７）
前記所定値を記憶するメモリをさらに備える、項５または項６に記載の汚染低減システム。
（項８）
前記所定値は、時間とともに変化する関数を備え、
前記電源によって印加される電圧は、時間とともに変化し、前記所定値に依存して選択される、項５から項７のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項９）
前記放射ビームによって照明されるように配置される前記パターニングシステムの表面にガスを提供するよう構成されるガス出口をさらに備える、項１から項８のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項１０）
前記ガス出口および電極は、一体である、項９に記載の汚染低減システム。
（項１１）
前記電極から熱を除去するように構成される冷却システムをさらに備える、項１から項１０のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項１２）
前記電極は、前記パターニングシステムおよび／またはシャッタの平面にほぼ平行に延びる平坦面を備える、項１から項１１のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項１３）
前記電極は、第１部分と、前記第１部分から電気的に絶縁される第２部分とを備える、項１から項１２のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項１４）
項１から項１３のいずれか一項に記載の汚染低減システムを備えるレチクルステージ。
（項１５）
項１４に記載のレチクルステージおよび／または項１から項１３のいずれか一項に記載の汚染低減システムを備える、リソグラフィ装置。
（項１６）
パターニングシステムの汚染を抑制する方法であって、
前記パターニングシステムは、放射ビーム中に保持され、前記パターニングシステムの一部は、シャッタによって前記放射ビームから遮蔽されており、
前記方法は、前記シャッタと前記パターニングシステムとの間に位置する電極に電圧を印加し、前記電極と前記パターニングシステムとの間に電界が生成されるようにすることを備える方法。
（項１７）
前記電圧は、前記生成される電界の大きさが所定値よりも大きくなるように印加され、
前記所定値は、前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界に対応する第２電界を表し、
前記生成される電界および前記第２電界は、反対の極性を有する、項１６に記載の方法。
（項１８）
前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界を測定することをさらに備える、項１７に記載の方法。
（項１９）
前記電圧を印加することは、第１時間間隔中に第１電圧を印加することと、第２時間間隔中に第２電圧を印加することと、を備え、
前記第１電圧および前記第２電圧が異なる、項１６から項１８のいずれか一項に記載の方法。
（項２０）
前記第１電圧は、第１極性を有し、前記第２電圧は、前記第１極性とは反対の第２極性を有する、項１９に記載の方法。
（項２１）
プラズマ環境中の汚染特性を決定するための計測システムであって、
項１から項１３のいずれか一項に記載の汚染低減システムと、
検知装置と、を備え、
前記検知装置は、前記電極の表面上の一以上の汚染粒子の一以上の特性を決定するよう動作可能である、計測システム。
（項２２）
前記特性は、前記一以上の汚染粒子の量、および／または、密度、および／または、組成を備える、項２１に記載の計測システム。
（項１）
パターニングシステムの汚染を低減するための汚染低減システムであって、
放射ビーム中にパターニングシステムを保持するよう配置されるサポートと、
パターニングシステムから放射ビームの一部を遮蔽するよう構成されるシャッタと、 前記シャッタと前記サポートとの間に位置する電極であって、電源に接続され、前記電極と、前記サポートに保持される前記パターニングシステムとの間に電界を生成するよう構成される電極と、を備える汚染低減システム。
（項２）
前記電極は、単一電極である、項１に記載の汚染低減システム。
（項３）
前記電極は、前記サポートに対して分離可能に取り付けられる、項１または項２に記載の汚染低減システム。
（項４）
前記電界は、２Ｖ／ｍｍ未満である、項１から項３のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項５）
前記生成される電界の大きさは、所定値よりも大きく、
前記所定値は、前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界に対応する第２電界を表し、
前記生成される電界および前記第２電界は、反対の極性を有する、項１から項４のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項６）
前記パターニングシステムにおける前記電界を測定するための手段をさらに備え、前記所定値は、前記測定された電界を備える、項５に記載の汚染低減システム。
（項７）
前記所定値を記憶するメモリをさらに備える、項５または項６に記載の汚染低減システム。
（項８）
前記所定値は、時間とともに変化する関数を備え、
前記電源によって印加される電圧は、時間とともに変化し、前記所定値に依存して選択される、項５から項７のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項９）
前記放射ビームによって照明されるように配置される前記パターニングシステムの表面にガスを提供するよう構成されるガス出口をさらに備える、項１から項８のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項１０）
前記ガス出口および電極は、一体である、項９に記載の汚染低減システム。
（項１１）
前記電極から熱を除去するように構成される冷却システムをさらに備える、項１から項１０のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項１２）
前記電極は、前記パターニングシステムおよび／またはシャッタの平面にほぼ平行に延びる平坦面を備える、項１から項１１のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項１３）
前記電極は、第１部分と、前記第１部分から電気的に絶縁される第２部分とを備える、項１から項１２のいずれか一項に記載の汚染低減システム。
（項１４）
項１から項１３のいずれか一項に記載の汚染低減システムを備えるレチクルステージ。
（項１５）
項１４に記載のレチクルステージおよび／または項１から項１３のいずれか一項に記載の汚染低減システムを備える、リソグラフィ装置。
（項１６）
パターニングシステムの汚染を抑制する方法であって、
前記パターニングシステムは、放射ビーム中に保持され、前記パターニングシステムの一部は、シャッタによって前記放射ビームから遮蔽されており、
前記方法は、前記シャッタと前記パターニングシステムとの間に位置する電極に電圧を印加し、前記電極と前記パターニングシステムとの間に電界が生成されるようにすることを備える方法。
（項１７）
前記電圧は、前記生成される電界の大きさが所定値よりも大きくなるように印加され、
前記所定値は、前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界に対応する第２電界を表し、
前記生成される電界および前記第２電界は、反対の極性を有する、項１６に記載の方法。
（項１８）
前記電極に電圧が印加されないときの前記パターニングシステムにおける電界を測定することをさらに備える、項１７に記載の方法。
（項１９）
前記電圧を印加することは、第１時間間隔中に第１電圧を印加することと、第２時間間隔中に第２電圧を印加することと、を備え、
前記第１電圧および前記第２電圧が異なる、項１６から項１８のいずれか一項に記載の方法。
（項２０）
前記第１電圧は、第１極性を有し、前記第２電圧は、前記第１極性とは反対の第２極性を有する、項１９に記載の方法。
（項２１）
プラズマ環境中の汚染特性を決定するための計測システムであって、
項１から項１３のいずれか一項に記載の汚染低減システムと、
検知装置と、を備え、
前記検知装置は、前記電極の表面上の一以上の汚染粒子の一以上の特性を決定するよう動作可能である、計測システム。
（項２２）
前記特性は、前記一以上の汚染粒子の量、および／または、密度、および／または、組成を備える、項２１に記載の計測システム。
【国際調査報告】