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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-02-01
(54)【発明の名称】均一性ドリフトの高速補正
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240125BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 503
G03F7/20 502
G03F7/20 521
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023544369
(86)(22)【出願日】2022-01-16
(85)【翻訳文提出日】2023-08-28
(86)【国際出願番号】 EP2022050819
(87)【国際公開番号】W WO2022161795
(87)【国際公開日】2022-08-04
(31)【優先権主張番号】63/142,581
(32)【優先日】2021-01-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(31)【優先権主張番号】63/144,798
(32)【優先日】2021-02-02
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】503195263
【氏名又は名称】エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ウィーナー，ロベルト ビー．
(72)【発明者】
【氏名】マンカラ，カリヤン，クマー
(72)【発明者】
【氏名】ダウニー，トッド アール．
【テーマコード（参考）】
2H197
【Ｆターム（参考）】
2H197BA04
2H197CA06
2H197CA10
2H197CB26
2H197DA09
2H197DB06
2H197FA01
2H197FB03
2H197GA01
2H197GA05
2H197GA08
2H197GA20
2H197GA23
2H197HA03
2H197JA03
(57)【要約】
リソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整するためのシステム、装置及び方法が提供される。例示的方法は、放射源がフィンガアセンブリの一部分を放射で照射することを含む可能性がある。例示的方法は更に、放射検出器がフィンガアセンブリの一部分の照射に反応して放射の少なくとも一部分を受光することを含む可能性がある。例示的方法は更に、プロセッサが、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定することを含む可能性がある。例示的方法は更に、プロセッサが、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させることを含む可能性がある。その後、例示的方法は、プロセッサが、フィンガアセンブリに結合された運動制御システムに制御信号を送信することを含む可能性がある。
【選択図】図５Ａ
【選択図】図５Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
放射を発生させ、発生させた前記放射をフィンガアセンブリに向けて伝送するように構成された放射源と、伝送した前記放射の少なくとも一部分を受光するように構成された放射検出器と、
受光した前記放射に基づいて前記フィンガアセンブリの形状の変化を決定し、決定した前記フィンガアセンブリの前記形状の前記変化に基づいて前記フィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させ、前記制御信号を前記フィンガアセンブリに結合された運動制御システムに送信する、ように構成されたプロセッサと、
を備えた、システム。
【請求項2】
前記決定した前記フィンガアセンブリの前記形状の前記変化が、前記フィンガアセンブリのフィンガチップの深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射への露光に反応した前記フィンガチップの成長に基づいた前記フィンガチップの光学的エッジの位置の変化を含む、請求項１のシステム。
【請求項3】
前記放射源が、リソグラフィ装置のウェーハ交換動作中に前記放射を伝送するように構成されている、請求項１のシステム。
【請求項4】
前記発生させた放射が、レーザカーテンを含み、前記放射検出器が、前記レーザカーテンによる前記フィンガアセンブリの一部分の照射に反応して前記伝送した放射の前記少なくとも一部分を受光するように構成されている、請求項１のシステム。
【請求項5】
前記フィンガアセンブリの前記一部分が、前記フィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジから離間して配設された前記フィンガアセンブリの前記フィンガチップの機械的エッジを含む、請求項４のシステム。
【請求項6】
前記受光した放射が、前記伝送した放射による前記フィンガアセンブリのフィンガチップの表面の照射に反応して前記フィンガチップの前記表面から反射された放射を含む、請求項１のシステム。
【請求項7】
前記プロセッサが、前記受光した放射に基づいて前記フィンガアセンブリ上に配設された基準マークの位置の変化を測定し、
測定した前記基準マークの前記位置の前記変化に基づいて前記フィンガアセンブリの前記形状の前記変化を決定する、
ように構成されている、請求項１のシステム。
【請求項8】
前記基準マークが、前記フィンガアセンブリのフィンガチップ上に配置された多層膜ミラー材料の領域に付与されている、請求項７のシステム。
【請求項9】
リソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整する方法であって、放射源が、フィンガアセンブリの一部分を放射で照射すること、
放射検出器が、前記フィンガアセンブリの前記一部分の照射に反応して前記放射の少なくとも一部分を受光すること、
プロセッサが、受光した前記放射に基づいて前記フィンガアセンブリの形状の変化を決定すること、
前記プロセッサが、決定した前記フィンガアセンブリの前記形状の前記変化に基づいて前記フィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させること、及び
前記プロセッサが、前記フィンガアセンブリに結合された運動制御システムに前記制御信号を送信すること、
を含む、方法。
【請求項10】
前記フィンガアセンブリの前記形状の前記変化を決定することが、前記プロセッサが前記フィンガアセンブリのフィンガチップの深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射への露光に反応した前記フィンガチップの成長に基づいて前記フィンガチップの光学的エッジの位置の変化を決定することを含む、請求項９の方法。
【請求項11】
前記フィンガアセンブリの前記一部分を照射することが、前記放射源が前記リソグラフィ装置のウェーハ交換動作中に前記フィンガアセンブリの前記一部分を前記放射で照射することを含む、請求項９の方法。
【請求項12】
前記放射が、レーザカーテンを含み、前記放射の前記少なくとも一部分を受光することが、前記放射検出器が前記フィンガアセンブリの前記一部分を前記レーザカーテンで照射することに反応して前記伝送した放射の前記少なくとも一部分を受光することを含む、請求項９の方法。
【請求項13】
前記フィンガアセンブリの前記一部分が、前記フィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジから離間して配設された前記フィンガアセンブリの前記フィンガチップの機械的エッジを含む、請求項１２の方法。
【請求項14】
前記放射の前記少なくとも一部分を受光することが、前記放射検出器が前記フィンガアセンブリのフィンガチップの表面を前記放射で照射することに反応して前記フィンガチップの前記表面から反射した放射を受光することを含む、請求項９の方法。
【請求項15】
前記フィンガアセンブリの前記形状の前記変化を決定することが、前記プロセッサが、前記受光した放射に基づいて前記フィンガアセンブリ上に配設された基準マークの位置の変化を測定することと、
前記プロセッサが、測定した前記基準マークの前記位置の前記変化に基づいて前記フィンガアセンブリの前記形状の前記変化を決定することと、
を含む、請求項９の方法。
【請求項16】
前記基準マークが、前記フィンガアセンブリのフィンガチップ上に配置された多層膜ミラー材料の領域に付与される、請求項１５の方法。
【請求項17】
フィンガボディと、フィンガチップと、
前記フィンガチップの表面に配置された多層膜ミラー材料と、
前記多層膜ミラー材料の領域に付与された基準マークのセットと、
を含むフィンガアセンブリを備えた、装置。
【請求項18】
前記基準マークのセットが、２つ以上の基準マークを含む、請求項１７の装置。
【請求項19】
前記多層膜ミラー材料が、リソグラフィ装置の露光動作中に、深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射を放射検出器に向けて反射させるように構成されている、請求項１７の装置。
【請求項20】
前記多層膜ミラー材料が、モリブデンを含む、請求項１７の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] この出願は、２０２１年１月２８日出願の米国出願第６３／１４２，５８１号及び２０２１年２月２日出願の米国出願第６３／１４４，７９８号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0001] この出願は、２０２１年１月２８日出願の米国出願第６３／１４２，５８１号及び２０２１年２月２日出願の米国出願第６３／１４４，７９８号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本開示は、リソグラフィ装置及びシステムにおける照明不均一性を補正するためのシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、同義でマスク又はレチクルと称されるパターニングデバイスを使用して、形成中のＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、通常基板に設けた放射感応性材料（例えばレジスト）の層への結像により行われる。一般的に、単一の基板は、順次パターンが付与される隣接したターゲット部分のネットワークを含む。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、ターゲット部分を所与の方向（「スキャン」方向）と平行又は逆平行（例えば反対）に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナと、を含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することが可能である。
【0004】
[0004] 半導体製造プロセスが継続的に進歩しているため、何十年にもわたり、１デバイス当たりのトランジスタなどの機能素子の数が着実に増加している一方、回路素子の寸法は、継続的に減少しており、一般的にムーアの法則と称される傾向に従っている。ムーアの法則に遅れをとらないために、半導体業界は、一層小さいフィーチャの作成を可能にする技術を追求している。基板にパターンを投影するために、リソグラフィ装置が電磁放射を使用することがある。この放射の波長は、基板にパターン付与されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている一般的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１３．５ｎｍである。
【0005】
[0005] 極端紫外（ＥＵＶ）放射（例えば約５０ナノメートル（ｎｍ）以下の波長を有し（軟Ｘ線と称されることもある）、約１３．５ｎｍの波長の光を含む電磁放射）が、基板（例えばシリコンウェーハ）内又は基板上に極めて小さいフィーチャを生成するために、リソグラフィ装置内で又はリソグラフィ装置と共に使用される可能性がある。４ｎｍ～２０ｎｍの範囲内の波長（例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍ）を有するＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置を使用して、例えば１９３ｎｍの波長を有する放射を使用するリソグラフィ装置と比べて、より小さいフィーチャを基板上に形成することができる。
【0006】
[0006] ＥＵＶ光を生成する方法は、ＥＵＶ領域の輝線を有する元素、例えばキセノン（Ｘｅ）、リチウム（Ｌｉ）、又はスズ（Ｓｎ）を有する材料をプラズマ状態に変換することを含むが、必ずしもこれに限定されない。例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれるそのような方法の１つでは、プラズマは、例えば、材料の液滴、プレート、テープ、ストリーム、又はクラスタの形態のターゲット材料（これは、ＬＰＰ源に関連して同義で燃料と称される）を、ドライブレーザと称され得る増幅光ビームで照射することによって生成される可能性がある。このプロセスのために、プラズマは、一般的に密閉容器（例えば真空チャンバ）内で生成され、様々なタイプのメトロロジ機器を使用してモニタリングされる。
【0007】
[0007] リソグラフィ装置は、典型的には、放射源が発生させた放射をその放射がパターニングデバイスに入射する前に調節する照明システムを備える。照明システムは、例えば偏光及び／又は照明モードなど、放射の１つ以上の特性を修正することがある。照明システムは、放射に存在する不均一性（例えば強度不均一性）を補正する又は低下させる均一性補正システムを備えることがある。均一性補正デバイスは、強度変動を補正するために放射ビームの縁に挿入される作動フィンガアセンブリを採用することがある。均一性補正システムにより調整可能な照明の空間的広がりは、とりわけフィンガアセンブリのサイズと、均一性補正システムにおいてフィンガアセンブリを動かすのに使用される作動デバイスのサイズと、に依存する。既知の加工設計からフィンガパラメータを修正することは取るに足りないことではない。なぜなら、そのような修正は、放射ビームの１つ以上の特性の望ましくない変更につながる可能性があるからである。
【0008】
[0008] パターニングデバイス及び基板における画質の許容値を達成するためには、制御された均一性を有する照明ビームが望ましい。照明ビームが、パターニングデバイスで反射する又はパターニングデバイスを透過する前に、不均一な強度プロファイルを有するのが一般的である。リソグラフィプロセスの様々な段階で、照明ビームが向上された均一性を達成するように制御されることが望ましい。均一性とは、照明ビームの関連する断面にわたる一定の強度を指す可能性があるが、選択された均一性パラメータを達成するように照明を制御する能力を指す可能性もある。パターニングデバイスは放射ビームにパターンを付与し、その放射ビームは基板に投影される。この投影されるビームの画質は、ビームの均一性の影響を受ける。
【0009】
[0009] したがって、製造能力及び歩留まり率を最大化し、製造不良を最小化し、且つデバイス当たりのコストを削減するために、リソグラフィツールがリソグラフィプロセスを可能な限り効率的に実行するように照明均一性を制御することが望ましい。
【発明の概要】
【0010】
[0010] 本開示は、リソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整するためのシステム、装置、及び方法の様々な態様を説明する。
【0011】
[0011] いくつかの態様では、本開示はシステムを説明する。システムは、放射を発生させ、発生させた放射をフィンガアセンブリに向けて伝送するように構成された放射源を備える可能性がある。システムは更に、伝送した放射の少なくとも一部分を受光するように構成された放射検出器を備える可能性がある。システムは更に、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定するように構成されたプロセッサを備える可能性がある。プロセッサは更に、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させるように構成される可能性がある。プロセッサは更に、制御信号をフィンガアセンブリに結合された運動制御システムに送信するように構成される可能性がある。
【0012】
[0012] いくつかの実施形態では、決定したフィンガアセンブリの形状の変化は、フィンガアセンブリのフィンガチップの深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射への露光に反応したフィンガチップの成長に基づいたフィンガチップの光学的エッジの位置の変化を含む可能性がある。
【0013】
[0013] いくつかの態様では、放射源はリソグラフィ装置のウェーハ交換動作中に放射を伝送するように構成される可能性がある。他の態様では、放射源はリソグラフィ装置のウェーハ露光動作中に放射を伝送するように構成される可能性がある。
【0014】
[0014] いくつかの態様では、発生させた放射はレーザカーテンを含む可能性があり、放射検出器は、レーザカーテンによるフィンガアセンブリの一部分の照射に反応して伝送した放射の少なくとも一部分を受光するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリの一部分は、フィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジから離間して配設されたフィンガアセンブリのフィンガチップの機械的エッジを含む可能性がある。
【0015】
[0015] いくつかの態様では、受光した放射は、伝送した放射によるフィンガアセンブリのフィンガチップの表面の照射に反応してフィンガチップの表面から反射された放射を含む可能性がある。
【0016】
[0016] いくつかの態様では、プロセッサは更に、フィンガアセンブリ上に配設された基準マークの位置の変化を、受光した放射に基づいて測定するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、フィンガアセンブリの形状の変化を測定した基準マークの位置の変化に基づいて決定するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、基準マークは、フィンガアセンブリのフィンガチップ上に配置された多層膜ミラー材料の領域に付与される可能性がある。例えばそのような態様では、放射検出器は、リソグラフィ装置のウェーハ露光動作中に使用される化学線ＥＵＶ光の反射部分を感知するように構成される可能性がある。
【0017】
[0017] いくつかの態様では、本開示は装置を説明する。装置はフィンガアセンブリを備える可能性がある。フィンガアセンブリは、フィンガボディ、フィンガチップ、フィンガチップの表面に配置された多層膜ミラー材料、及び多層膜ミラー材料の領域に付与された基準マークのセットを含む可能性がある。いくつかの態様では、基準マークのセットは２つ以上の基準マークを含む可能性がある。いくつかの態様では、多層膜ミラー材料は、リソグラフィ装置の露光動作中にＤＵＶ放射又はＥＵＶ放射を放射検出器に向けて反射するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、多層膜ミラー材料はモリブデンを含む可能性がある。
【0018】
[0018] いくつかの態様では、本開示はリソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整する方法を説明する。方法は、放射源がフィンガアセンブリの一部分を放射で照射することを含む可能性がある。方法は更に、放射検出器がフィンガアセンブリの一部分の照射に反応して放射の少なくとも一部分を受光することを含む可能性がある。方法は更に、プロセッサが、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定することを含む可能性がある。方法は更に、プロセッサが、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させることを含む可能性がある。方法は更に、プロセッサが、フィンガアセンブリに結合された運動制御システムに制御信号を送信することを含む可能性がある。
【0019】
[0019] いくつかの態様では、フィンガアセンブリの形状の変化を決定することは、プロセッサが、フィンガアセンブリのフィンガチップのＤＵＶ放射又はＥＵＶ放射への露光に反応したフィンガチップの成長に基づいて、フィンガチップの光学的エッジの位置の変化を決定することを含む可能性がある。
【0020】
[0020] いくつかの態様では、フィンガアセンブリの一部分を照射することは、放射源が、リソグラフィ装置のウェーハ交換動作中にフィンガアセンブリの一部分を放射で照射することを含む可能性がある。他の態様では、フィンガアセンブリの一部分を照射することは、放射源が、リソグラフィ装置のウェーハ露光動作中にフィンガアセンブリの一部分を放射で照射することを含む可能性がある。
【0021】
[0021] いくつかの態様では、放射はレーザカーテンを含む可能性があり、放射の少なくとも一部分を受光することは、放射検出器が、フィンガアセンブリの一部分をレーザカーテンで照射することに反応して伝送した放射の少なくとも一部を受光することを含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリの一部分は、フィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジから離間して配設されたフィンガアセンブリのフィンガチップの機械的エッジを含む可能性がある。
【0022】
[0022] いくつかの態様では、放射の少なくとも一部分を受光することは、放射検出器が、フィンガアセンブリのフィンガチップの表面を放射で照射することに反応してフィンガチップの表面から反射された放射を受光することを含む可能性がある。
【0023】
[0023] いくつかの態様では、フィンガアセンブリの形状の変化を決定することは、プロセッサが、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリ上に配設された基準マークの位置の変化を測定することを含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリの形状の変化を決定することは更に、プロセッサが、測定した基準マークの位置の変化に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定することを含む可能性がある。いくつかの態様では、基準マークは、フィンガアセンブリのフィンガチップ上に配置された多層膜ミラー材料の領域に付与される。例えばそのような態様では、方法は、放射検出器が、リソグラフィ装置のウェーハ露光動作中に使用される化学線ＥＵＶ光の反射部分を感知することを含む可能性がある。
【0024】
[0024] 更なる特徴及び様々な態様の構造及び動作は、添付の図面を参照して以下に詳細に記載される。本開示が本明細書に記載される特定の態様に限定されないことに留意されたい。そのような態様は、本明細書では単なる例示目的で提示されるものである。更なる態様は、本明細書に含まれる教示に基づいて当業者に明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【0025】
[0025] 本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する添付の図面は、本開示を図示し、記述と共にこの開示の態様の原理を説明すること、及び当業者がこの開示の態様を実施及び使用することを可能にすることに更に役立つ。
【0026】
【図1A】[0026] 本開示のいくつかの態様に係る例示的反射型リソグラフィ装置の概略図である。
【図1B】[0027] 本開示のいくつかの態様に係る例示的透過型リソグラフィ装置の概略図である。
【図3】[0029] 本開示のいくつかの態様に係る例示的リソグラフィセルの概略図である。
【図4】[0030] 本開示のいくつかの態様に係る例示的反射型リソグラフィ装置のための例示的放射源の概略図である。
【図5A】[0031] 本開示のいくつかの態様に係る例示的照明均一性補正システムの概略図である。
【図5B】[0031] 本開示のいくつかの態様に係る例示的照明均一性補正システムの概略図である。
【図6】[0032] 本開示のいくつかの態様に係る例示的照明均一性補正システムの概略図である。
【図7】[0033] 本開示のいくつかの態様に係る別の例示的照明均一性補正システムの概略図である。
【図8】[0034] 本開示のいくつかの態様に係る別の例示的照明均一性補正システムの概略図である。
【図9】[0035] 本開示のいくつかの態様に係る例示的な基準マークのセットの概略図である。
【図10】[0036] 本開示のいくつかの態様に係る別の例示的照明均一性補正システムの概略図である。
【図11】[0037] 本開示のいくつかの態様又はその一部分に係る、リソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整する例示的方法である。
【図12】[0038] 本開示のいくつかの態様又はその一部分を実装するための例示的コンピュータシステムである。
【0027】
[0039] 本開示の特徴及び利点は、同様の参照符号が全体を通して対応する要素を特定する図面と併せて、以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面では、別段の記載のない限り、一般に同様の参照番号は、同一の、機能的に類似した、及び／又は構造的に類似した要素を示す。更に一般に、参照番号の１つ以上の一番左の数字は、その参照番号が最初に現れる図を特定する。別段の記載のない限り、本開示全体を通して提供される図面は、一定の縮尺の図面と解釈されるべきではない。
【発明を実施するための形態】
【0028】
[0040] この明細書は、本開示の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。１つ以上の開示される実施形態は、単に本開示を説明するものである。本開示の範囲は、１つ以上の開示される実施形態に限定されない。本開示の広さ及び範囲は、本明細書に添付される特許請求の範囲及びその均等物によって規定される。
【0029】
[0041] 記載される１つ以上の実施形態及び本明細書における「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などへの言及は、記載される１つ以上の実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含み得るが、あらゆる実施形態がその特定の特徴、構造、又は特性を必ずしも含まないことがあることを示す。また、そのような表現は、必ずしも同じ実施形態を指しているわけではない。更に、特定の特徴、構造、又は特性がある実施形態との関連で説明される場合、明示的な記載の有無にかかわらず、他の実施形態との関連でそのような特徴、構造、又は特性に影響を与えることが、当業者の知識の範囲内にあることが理解される。
【0030】
[0042] 「下（beneath）」、「下（below）」、「下（lower）」、「上（above）」、「上（on）」、「上（upper）」などのような空間的に相対的な用語は、図に示すように、ある要素又は機能と別の１つ以上の要素又は１つ以上の機能との関係を説明するのを容易にするために、本明細書で使用されることがある。空間的に相対的な用語は、図に示されている向きに加えて、使用中又は動作中のデバイスの様々な向きを包含することが意図されている。デバイスは、他の配向である（９０度回転される又は他の向きである）可能性があり、本明細書で使用される空間的に相対的な記述語は、同様に適宜解釈されることがある。
【0031】
[0043] 本明細書で使用される「約」という用語は、特定の技術に基づいて変動し得る所与の量の値を示す。特定の技術に基づいて、「約」という用語は、例えば、値の１０～３０％の範囲（例えば、値の±１０％、±２０％、又は±３０％）内で変動する所与の量の値を示す可能性がある。
【0032】
概要
[0044] 「Ｕｎｉｃｏｍ」と称される例示的照明均一性補正システムが、フィンガアセンブリ、すなわち「フィンガ」のセットを照明スリットに導入することによって照明「ホットスポット」を減衰させ、クロススキャン方向のスリット均一性を調整することができる。Ｕｎｉｃｏｍは、次の２つの「モード」、すなわち（１）照明効果を補正するためのウェーハごとの均一性補正に関わる第１のモード、及び（２）スリット均一性がウェーハ及びプロセス効果を補正するためにダイごとに修正され、均一性補正がステッピングダイと並行して変化する第２のモード、のどちらかで動作するように構成される可能性がある。入射光（例えばＥＵＶ放射）がＵｎｉｃｏｍフィンガチップを加熱するときに、Ｕｎｉｃｏｍ位置測定及びフィンガチップからの測定されない距離は変化し、スリット均一性にドリフトが生じる可能性がある。例えばリソグラフィ装置において電力が上昇するにつれて、均一性ドリフトの予期されるクリティカルディメンジョン（ＣＤ）効果は、約０．０６ｎｍ（６００Ｗ源電力より小さい）から約０．１ｎｍ（６００Ｗ源電力以上）以上に高まる可能性がある。ＣＤ効果は均一性の割合の約０．３倍に等しい可能性がある。ＣＤ均一性（ＣＤＵ）要件は約０．７ｎｍ～約１．２ｎｍである可能性がある。いくつかの例では、スリット均一性ドリフトが補償されないことがある。
[0044] 「Ｕｎｉｃｏｍ」と称される例示的照明均一性補正システムが、フィンガアセンブリ、すなわち「フィンガ」のセットを照明スリットに導入することによって照明「ホットスポット」を減衰させ、クロススキャン方向のスリット均一性を調整することができる。Ｕｎｉｃｏｍは、次の２つの「モード」、すなわち（１）照明効果を補正するためのウェーハごとの均一性補正に関わる第１のモード、及び（２）スリット均一性がウェーハ及びプロセス効果を補正するためにダイごとに修正され、均一性補正がステッピングダイと並行して変化する第２のモード、のどちらかで動作するように構成される可能性がある。入射光（例えばＥＵＶ放射）がＵｎｉｃｏｍフィンガチップを加熱するときに、Ｕｎｉｃｏｍ位置測定及びフィンガチップからの測定されない距離は変化し、スリット均一性にドリフトが生じる可能性がある。例えばリソグラフィ装置において電力が上昇するにつれて、均一性ドリフトの予期されるクリティカルディメンジョン（ＣＤ）効果は、約０．０６ｎｍ（６００Ｗ源電力より小さい）から約０．１ｎｍ（６００Ｗ源電力以上）以上に高まる可能性がある。ＣＤ効果は均一性の割合の約０．３倍に等しい可能性がある。ＣＤ均一性（ＣＤＵ）要件は約０．７ｎｍ～約１．２ｎｍである可能性がある。いくつかの例では、スリット均一性ドリフトが補償されないことがある。
【0033】
[0045] 一例では、スリット均一性ドリフトが約９００秒ごとに、又は別の例ではウェーハロットごとに１回測定及び補正され、補正不可能なＣＤ効果がもたらされる可能性がある。いくつかの態様では、ＣＤ効果は頻度がより高い測定を実行することによって低下する可能性がある。一方、各均一性リフレッシュ（ＵＲ）測定は約２秒を要し、ウェーハステージにおいてセンサを使用する可能性がある。結果として、これらの測定はウェーハステージチャック交換と並行して実行されない可能性がある。更に、スリット均一性ドリフトを半分に減らすために、少なくとも２つの追加の均一性リフレッシュ測定が第１のロットで必要とされ、２５個のウェーハのためのロット時間が約９００秒から約９０４秒に延びるため、全体的な機械スループットが低下することがある。
【0034】
[0046] これに対して、本開示のいくつかの態様は、Ｕｎｉｃｏｍの補正されていない熱ドリフトを補正するためにフィンガチップに近接した基準測定法を用いることを提供することができる。フィンガチップの１つの基準面を周期的に測定することによって、実際のフィンガチップ成長が、ウェーハステージにおいてセンサを必要とすることなく周期的に測定される結果、スループット効果がもたらされない可能性がある。エンコーダスケールなどの位置センサに関してフィンガチップ成長を測定及び推定するために、本開示のいくつかの態様は、エンコーダインデックスパルスに対するＵｎｉｃｏｍフィンガチップにおける又はこれと関連付けられた１つ以上の基準点の距離の変化を測定することを提供することができる。いくつかの態様では、Ｕｎｉｃｏｍフィンガチップからエンコーダ基準マークまでの元の距離は、周期的に較正されるか又はＵｎｉｃｏｍ構築中に一度測定される可能性がある。
【0035】
[0047] いくつかの態様では、本開示は、全てのフィンガアセンブリに及ぶ１つのビームを含むフィンガチップセンサを提供できるものであり、センサの数を最小限に抑える。そのような態様では、各フィンガはその完全な移動経路をフィンガチップの位置が測定されるまで進まなければならないことがある。例えば各フィンガは、その完全な移動経路を約２００ｍｓで進むことができる。結果として、２８個のフィンガアセンブリの全てを測定することが約６秒を要する可能性があり、したがって測定がウェーハ交換と並行して実行される可能性がある。
【0036】
[0048] いくつかの態様では、ロットの間に測定されるフィンガアセンブリの数を最大にするためにアルゴリズムが使用される可能性がある。なぜならウェーハチャック交換時間が約２．５秒であり、Ｕｎｉｃｏｍの移動に利用可能な「シャドウタイム」が約０．４３秒であるためである。例えば本開示のいくつかの態様は、最も奥に挿入されたフィンガアセンブリと最も少なく挿入されたフィンガアセンブリのみを測定し、測定結果を補間することができる。付加的に又は代替的に、本開示のいくつかの態様は、フィンガチップ上にマークをエッチングすること（又はこのマークを作るためにフィンガチップに新しい表面を作成すること）、及びこのマークの変位をフィンガ熱成長の関数として測定することを含む可能性がある。
【0037】
[0049] いくつかの態様では、フィンガチップ成長が、エンコーダインデックスに対するフィンガチップアセンブリの選ばれた基準点の距離の変化に比例する可能性がある。いくつかの態様では、測定及び調整はウェーハごとに又はダイごとに行われる可能性がある。いくつかの態様では、「室温」又はフィンガチップからエンコーダまでの基準距離が、周期的に又はフィンガチップアセンブリの構築中に一度だけ較正される可能性がある。いくつかの態様では、約８μｍ以下のフィンガチップ成長が検出される可能性がある。
【0038】
[0050] いくつかの態様では、本開示は、例えば、放射源がフィンガアセンブリの一部分を放射で照射すること、放射検出器がフィンガアセンブリの一部分を照射することに反応して放射の少なくとも一部分を受光すること、プロセッサが、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定すること、プロセッサが、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させること、及び、プロセッサがフィンガアセンブリに結合された運動制御システムに制御信号を送信することによって、リソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整すること、を提供する。
【0039】
[0051] 本明細書に開示されるシステム、装置、方法、及びコンピュータプログラム製品に対する多くの例示的な態様が存在する。例えば、本開示の態様は、ＵｎｉｃｏｍからのＣＤドリフト及びＣＤＵ効果を約０．１ｎｍ以上（例えば約３５０Ｗより大きい源電力を有する全てのツール世代について）から約０．０６ｎｍ未満に低下させることを提供する。ＣＤＵ要件が約０．６ｎｍ以下であり得るとき、約０．１ｎｍから約０．０６ｎｍへのＣＤＵ効果の４０パーセント低下は大きい可能性がある。別の例では、本開示の態様はウェーハステージにセンサを必要としないため、ＣＤドリフトを低下させるスループット効果は実質的にない。更に別の例では、本開示の態様はＵｎｉｃｏｍの外側にセンサ（例えば高精度圧力センサ）を必要としない。更に別の例では、本開示の態様はフィンガアセンブリ挿入を事前に知っていることを必要としない。
【0040】
[0052] しかしながら、このような態様をより詳細に説明する前に、本開示の態様が実装され得る例示的環境を示すことが有益である。
【0041】
例示的リソグラフィシステム
[0053] 図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ本開示の態様が実装され得るリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、リソグラフィ装置１００及び１００’は、ＸＺ平面（例えば、Ｘ軸は右を指し示し、Ｚ軸は上方を指し、Ｙ軸は見ている人から離れて紙面内を指す）に対して垂直な視点（例えば側面視）から示され、パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、ＸＹ平面（例えば、Ｘ軸は右を指し示し、Ｙ軸は上方を指し、Ｚ軸は見ている人に向かって紙面から外を指す）に対して垂直な別の視点（例えば上面視）から示される。
[0053] 図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ本開示の態様が実装され得るリソグラフィ装置１００及びリソグラフィ装置１００’の概略図である。図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、リソグラフィ装置１００及び１００’は、ＸＺ平面（例えば、Ｘ軸は右を指し示し、Ｚ軸は上方を指し、Ｙ軸は見ている人から離れて紙面内を指す）に対して垂直な視点（例えば側面視）から示され、パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、ＸＹ平面（例えば、Ｘ軸は右を指し示し、Ｙ軸は上方を指し、Ｚ軸は見ている人に向かって紙面から外を指す）に対して垂直な別の視点（例えば上面視）から示される。
【0042】
[0054] いくつかの態様では、リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、以下の構造、放射ビームＢ（例えば深紫外線（ＤＵＶ）放射ビーム又は極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビーム）を調節するように構成された照明システムＩＬ（例えばイルミネータ）、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）を支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）、及び基板Ｗ（例えばレジストコートウェーハ）を保持するように構成され、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された、基板テーブルＷＴ（例えばウェーハテーブル）などの基板ホルダの１つ以上を含む可能性がある。リソグラフィ装置１００及び１００’は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む部分）に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成された投影システムＰＳ（例えば屈折投影レンズシステム）も有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型である。リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。
【0043】
[0055] いくつかの態様では、動作中、照明システムＩＬは、放射源ＳＯから（例えば図１Ｂに示されるビームデリバリシステムＢＤを介して）放射ビームを受光することができる。照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁、静電、及び他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学構造を含む可能性がある。いくつかの態様では、照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡの平面において、断面に所望の空間及び角度強度分布を有するように放射ビームＢを調節するように構成される可能性がある。
【0044】
[0056] いくつかの態様では、支持構造ＭＴは、基準フレームに対するパターニングデバイスＭＡの配向、リソグラフィ装置１００及び１００’の少なくとも一方の設計、並びにパターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件に依存する方法でパターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために機械的、真空、静電、又は他のクランプ技術を用いることができる。支持構造ＭＴは、例えば、フレーム又はテーブルである可能性があり、必要に応じて固定又は可動である可能性がある。センサを使用することによって、支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが、例えば投影システムＰＳに対して所望の位置にあることを確実にすることができる。
【0045】
[0057] 「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを作成するためなど、放射ビームＢの断面にパターンを付与するのに使用され得る任意のデバイスを指すと広く解釈されるものとする。放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路を形成するためにターゲット部分Ｃに作成される、デバイス内の特定の機能層に対応する可能性がある。
【0046】
[0058] いくつかの態様では、パターニングデバイスＭＡは、（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’の場合のように）透過型であるか、又は（図１Ａのリソグラフィ装置１００の場合のように）反射型である可能性がある。パターニングデバイスＭＡは、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネル、他の適切な構造、又はそれらの組み合わせなどの様々な構造を含む可能性がある。マスクは、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、又はハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、及び様々なハイブリッドマスクタイプを含む可能性がある。一例では、プログラマブルミラーアレイは、小型ミラーのマトリックス配置を含む可能性があり、各小型ミラーは、入射放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾けられる可能性がある。傾斜ミラーは、放射ビームＢにパターンを付与することができ、放射ビームＢは、小型ミラーのマトリックスによって反射される。
【0047】
[0059] 「投影システム」ＰＳという用語は、広く解釈されるものであり、使用される露光放射及び／又は（例えば基板Ｗ上での）液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要因に応じて適宜、屈折、反射、反射屈折、磁気、アナモルフィック、電磁、及び静電光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを包含することができる。真空環境が、他のガスが過剰に放射又は電子を吸収する可能性があるため、ＥＵＶ又は電子ビーム放射に使用される可能性がある。したがって、真空環境は、真空壁及び真空ポンプを用いてビームパス全体に提供される可能性がある。加えて、本明細書における「投影レンズ」という用語の使用は、いくつかの態様では、より一般的な用語「投影システム」ＰＳと同義と解釈することができる。
【0048】
[0060] いくつかの態様では、リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、２つ（例えば「デュアルステージ」）以上の基板テーブルＷＴ及び／又は２つ以上のマスクテーブルを有するタイプのものである可能性がある。このような「マルチステージ」機械では、更なる基板テーブルＷＴを並行して使用することができるか、又は１つ以上の他の基板テーブルＷＴが露光に使用されている間、１つ以上のテーブル上で準備ステップを行うことができる。一例では、基板Ｗの後続の露光の準備のステップは、基板テーブルＷＴの１つの上に位置する基板Ｗに対して、基板テーブルＷＴの別の１つの上に位置する別の基板Ｗが別の基板Ｗ上のパターンを露光させるために使用されている間に実行される可能性がある。いくつかの態様では、更なるテーブルは、基板テーブルＷＴでない場合がある。
【0049】
[0061] いくつかの態様では、基板テーブルＷＴに加えて、リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、測定ステージを含む可能性がある。測定ステージは、センサを保持するように配置される可能性がある。センサは、投影システムＰＳの特性、放射ビームＢの特性、又はその両方を測定するように配置される可能性がある。いくつかの態様では、測定ステージは複数のセンサを保持することができる。いくつかの態様では、測定ステージは、基板テーブルＷＴが投影システムＰＳから離れたとき、投影システムＰＳの真下に移動することができる。
【0050】
[0062] いくつかの態様では、リソグラフィ装置１００及び／又はリソグラフィ装置１００’は、基板の少なくとも一部分が、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を満たすように比較的高い屈折率を有する液体（例えば水）によって覆われ得るタイプのものである可能性もある。液浸液は、リソグラフィ装置の他の空間、例えばパターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間にも与えられる可能性がある。液浸技術は、投影システムの開口数を増やすことを提供する。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板などの構造が液体中に沈められなければならないことを意味するのではなく、単に液体が露光中に投影システムと基板との間に位置することを意味する。様々な液浸技術が、参照により全体として本明細書に組み込まれる、２００５年１０月４日に発行された「LITHOGRAPHIC APPARATUS AND DEVICE MANUFACTURING METHOD」という名称の米国特許第６，９５２，２５３号に記載されている。
【0051】
[0063] 図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、照明システムＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームＢを受光する。放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置１００又は１００’は、例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、別個の物理的エンティティである可能性がある。そのような場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００又は１００’の一部を構成すると見なされず、放射ビームＢは、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（例えば図１Ｂに示される）を用いて放射源ＳＯから照明システムＩＬに通過する。他の場合、放射源ＳＯは、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、リソグラフィ装置１００又は１００’の不可欠な部分である可能性がある。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと称される可能性がある。
【0052】
[0064] いくつかの態様では、照明システムＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを含む可能性がある。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれ「σ-outer」及び「σ-inner」と称される）を調節することができる。加えて、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮ及び放射コレクタＣＯ（例えばコンデンサ又はコレクタ系）などの様々な他のコンポーネントを含む可能性がある。いくつかの態様では、照明システムＩＬを使用して、その断面に所望の均一性及び強度分布を有するように放射ビームＢを調節することができる。
【0053】
[0065] 図１Ａを参照すると、動作中、放射ビームＢは、支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）上に保持され得るパターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク、レチクル、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネル、任意の他の適切な構造又はそれらの組み合わせ）に入射する可能性があり、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（例えば設計レイアウト）によってパターン形成される可能性がある。リソグラフィ装置１００では、放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡから反射される可能性がある。パターニングデバイスＭＡを横断した後（例えばパターニングデバイスＭＡから反射された後）、放射ビームＢは、放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃ又はステージに配置されたセンサに集束させ得る投影システムＰＳを通過することができる。
【0054】
[0066] いくつかの態様では、第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦＤ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、放射ビームＢのパスに様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動することができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦＤ１（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使用して、放射ビームＢのパスに対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。
【0055】
[0067] いくつかの態様では、パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２並びに基板アライメントマークＰ１及びＰ２を使用して位置合わせされる可能性がある。図１Ａ及び図１Ｂは、基板アライメントマークＰ１及びＰ２が専用ターゲット部分を占有するものとして示すが、基板アライメントマークＰ１及びＰ２は、ターゲット部分間の空間に位置することがある。基板アライメントマークＰ１及びＰ２は、ターゲット部分Ｃ間に位置する場合、スクライブラインアライメントマークとして知られている。基板アライメントマークＰ１及びＰ２は、インダイマークとしてターゲット部分Ｃエリアに配置されることもある。これらのインダイマークは、例えばオーバーレイ測定のためのメトロロジマークとして使用される可能性もある。
【0056】
[0068] いくつかの態様では、限定ではなく例示目的で、本明細書の図の１つ以上は、デカルト座標系を利用する可能性がある。デカルト座標系は、３つの軸、すなわちＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸を含む。３つの軸のそれぞれは、他の２つの軸と直交する（例えば、Ｘ軸は、Ｙ軸及びＺ軸と直交し、Ｙ軸は、Ｘ軸及びＺ軸と直交し、Ｚ軸は、Ｘ軸及びＹ軸と直交する）。Ｘ軸を中心とした回転がＲｘ回転と称される。Ｙ軸を中心とした回転がＲｙ回転と称される。Ｚ軸を中心とした回転がＲｚ回転と称される。いくつかの態様では、Ｘ軸及びＹ軸は水平面を規定する一方、Ｚ軸は垂直方向にある。いくつかの態様では、デカルト座標系の配向は、例えばＺ軸が水平面に沿った成分を有するように異なる場合がある。いくつかの態様では、円筒座標系などの別の座標系が使用される可能性がある。
【0057】
[0069] 図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、支持構造ＭＴに保持されるパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを横断した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。いくつかの態様では、投影システムＰＳは、照明システム瞳と共役な瞳を有する可能性がある。いくつかの態様では、放射の一部は、照明システム瞳における強度分布から生じ、マスクパターンＭＰにおいて回折の影響を受けることなくマスクパターンを横断し、照明システム瞳における強度分布の像を生成することができる。
【0058】
[0070] 投影システムＰＳは、マスクパターンＭＰの像ＭＰ’を、像ＭＰ’が強度分布からの放射によってマスクパターンＭＰから生成された回折ビームによって形成される場合に、基板Ｗにコーティングされたレジスト層に投影する。例えば、マスクパターンＭＰは、ラインアンドスペースのアレイを含む可能性がある。上記アレイにおける０次回折と異なる放射の回折が、ラインに垂直な方向の方向変化によって方向転換された回折ビームを発生させる。反射光（例えば０次回折ビーム）は、伝搬方向の変化なしにパターンを横断する。０次回折ビームは、投影システムＰＳの瞳共役の上流にある、投影システムＰＳの上部レンズ又は上部レンズ群を横断して、瞳共役に到達する。瞳共役の平面内にあり、０次回折ビームと関連した強度分布の部分は、照明システムＩＬの照明システム瞳における強度分布の像である。いくつかの態様では、アパーチャデバイスは、投影システムＰＳの瞳共役を含む平面に又は実質的にその平面に配置される可能性がある。
【0059】
[0071] 投影システムＰＳは、レンズ又はレンズ群を用いて、０次回折ビームだけでなく、１次又は１次以上の回折ビーム（図示せず）を捕捉するように配置される。いくつかの態様では、ラインに垂直な方向に延在するラインパターンを結像するためのダイポール照明を使用して、ダイポール照明の解像度向上効果を利用することができる。例えば、１次回折ビームは、基板Ｗの高さにおいて対応する０次回折ビームと干渉して、可能な限り最高の解像度及びプロセスウィンドウ（例えば許容露光ドーズ偏差と組み合わせた使用可能な焦点深度）でマスクパターンＭＰの像を生成する。いくつかの態様では、非点収差は、照明システム瞳の反対の象限に放射ポール（図示せず）を設けることによって減少させることができる。更に、いくつかの態様では、非点収差は、反対の象限の放射ポールと関連した投影システムＰＳの瞳共役において０次ビームを遮断することによって減少させることができる。これは、参照により全体として本明細書に組み込まれる、２００９年３月３１日に発行された「LITHOGRAPHIC PROJECTION APPARATUS AND A DEVICE MANUFACTURING METHOD」という名称の米国特許第７，５１１，７９９号により詳細に記載されている。
【0060】
[0072] いくつかの態様では、第２のポジショナＰＷ及び位置測定システムＰＭＳ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサなどの位置センサを含む）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、放射ビームＢのパスの集束及び位置合わせされた位置に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動することができる。同様に、（例えばマスクライブラリの機械検索後又はスキャン中に）第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）（図１Ｂには示されていない）を使用して、放射ビームＢのパスに対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２並びに基板アライメントマークＰ１及びＰ２を使用して位置合わせすることができる。
【0061】
[0073] 一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を構成するロングストロークポジショナ（粗動位置決め）及びショートストロークポジショナ（微動位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークポジショナ及びショートストロークポジショナを使用して実現することができる。（スキャナとは対照的に）ステッパの場合、支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続される可能性があるか又は固定される可能性がある。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２、並びに基板アライメントマークＰ１及びＰ２を使用して位置合わせされる可能性がある。（図示されるような）基板アライメントマークは、専用ターゲット部分を占有するが、ターゲット部分（例えばスクライブラインアライメントマーク）間の空間に位置する可能性がある。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられる状況では、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２は、ダイ間に位置する可能性がある。
【0062】
[0074] 支持構造ＭＴ及びパターニングデバイスＭＡは、真空チャンバＶ内に存在する可能性があり、真空チャンバＶでは、真空内ロボットを使用してマスクなどのパターニングデバイスを真空チャンバの内外に移動させることができる。代替的に、支持構造ＭＴ及びパターニングデバイスＭＡが真空チャンバの外にある場合、様々な輸送動作のために真空内ロボットに類似した真空外ロボットを使用することができる。いくつかの例では、真空内ロボット及び真空外ロボットの両方は、移送ステーションの固定された運動マウントへのペイロード（例えばマスク）の円滑な移送のために較正される必要がある。
【0063】
[0075] いくつかの態様では、リソグラフィ装置１００及び１００’は、以下のモードの少なくとも１つで使用される可能性がある。
【0064】
[0076] １．ステップモードでは、放射ビームＢに付与されたパターン全体が一度にターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に保たれる（例えば単一静的露光）。次に、異なるターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴはＸ及び／又はＹ方向にシフトされる。
【0065】
[0077] ２．スキャンモードでは、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる（例えば単一動的露光）。支持構造ＭＴ（例えばマスクテーブル）に対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって決定される可能性がある。
【0066】
[0078] ３．別のモードでは、支持構造ＭＴは、プログラマブルパターニングデバイスＭＡを保持しながら実質的に静止状態に保たれ、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴは移動又はスキャンされる。パルス放射源ＳＯが用いられる可能性があり、基板テーブルＷＴの各移動後又はスキャン中の連続する放射パルス間において必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、プログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスＭＡを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用される可能性がある。
【0067】
[0079] いくつかの態様では、リソグラフィ装置１００及び１００’は、上記の使用モード又は完全に異なる使用モードの組み合わせ及び／又はバリエーションを用いる可能性がある。
【0068】
[0080] いくつかの態様では、図１Ａに示されるように、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームＢを発生させるように構成されたＥＵＶ源を備える可能性がある。一般に、ＥＵＶ源は、放射源ＳＯにおいて構成される可能性があり、対応する照明システムＩＬは、ＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームＢを調節するように構成される可能性がある。
【0069】
[0081] 図２は、放射源ＳＯ（例えばソースコレクタ装置）、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示している。図２に示されるように、リソグラフィ装置１００は、ＸＺ平面（例えば、Ｘ軸は右を指し示し、Ｚ軸は上方を指す）に対して垂直な視点（例えば側面視）から示される。
【0070】
[0082] 放射源ＳＯは、閉鎖構造２２０内で真空環境を維持できるように構築及び配置される。放射源ＳＯは、ソースチャンバ２１１及びコレクタチャンバ２１２を備え、ＥＵＶ放射を生成及び伝送するように構成される。ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気、例えば電磁スペクトルのＥＵＶ領域の放射を放出するようにＥＵＶ放射放出プラズマ２１０が生成される、キセノン（Ｘｅ）ガス、リチウム（Ｌｉ）蒸気、又はスズ（Ｓｎ）蒸気によって生成される可能性がある。少なくとも部分的にイオン化されたＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、例えば、放電又はレーザビームによって生成される可能性がある。効率的な放射の発生のために、例えば約１０．０パスカル（Ｐａ）のＸｅガス、Ｌｉ蒸気、Ｓｎ蒸気、又は任意の他の適切なガスもしくは蒸気の分圧を使用することができる。いくつかの態様では、ＥＵＶ放射を生成するために、励起スズのプラズマが提供される。
【0071】
[0083] ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０により放出された放射は、ソースチャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へ任意選択的なガスバリア又は汚染物質トラップ２３０（例えば、場合により汚染物質バリア又はフォイルトラップとも称される）経由で通過し、ガスバリア又は汚染物質トラップ２３０は、ソースチャンバ２１１の開口又は開口の後に配置されている。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含む可能性がある。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア又はガスバリア及びチャネル構造の組み合わせを含む可能性もある。本明細書に更に示される汚染物質トラップ２３０は、少なくともチャネル構造を含む。
【0072】
[0084] コレクタチャンバ２１２は、放射コレクタＣＯ（例えばコンデンサ又はコレクタ系）を含む可能性があり、放射コレクタＣＯは、いわゆる斜入射型コレクタである可能性がある。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ面２５１及び下流放射コレクタ面２５２を有する。放射コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射されて仮想光源点ＩＦに集束される可能性がある。仮想光源点ＩＦは、一般に中間焦点と称され、ソースコレクタ装置は、仮想光源点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口２１９又は開口２１９の近くに位置するように配置される。仮想光源点ＩＦは、ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０の像である。格子スペクトルフィルタ２４０は赤外線（ＩＲ）放射を抑制するのに使用される可能性がある。
【0073】
[0085] 続いて、放射は照明システムＩＬを横断し、照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２２１の所望の角度分布及びパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２２及びファセット瞳ミラーデバイス２２４を含む可能性がある。支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２２１の反射時、パターン形成されたビーム２２６が形成され、パターン形成されたビーム２２６は、反射要素２２８、２２９を介して投影システムＰＳによってウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗ上に結像される。
【0074】
[0086] 照明システムＩＬ及び投影システムＰＳには、一般に図示されるよりも多くの要素が存在する可能性がある。任意選択的に、格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプによって存在する可能性がある。更に、図２に示されるよりも多くのミラーが存在する可能性がある。例えば、図２に示されるものよりも１～６個多い反射要素が投影システムＰＳに存在する可能性がある。
【0075】
[0087] 図２に示されるように、放射コレクタＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）のほんの一例として、斜入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を備えた入れ子型コレクタとして描かれている。斜入射型リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は、光軸Ｏを中心として軸対称に配置され、このタイプの放射コレクタＣＯが、好ましくは放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源と組み合わせて使用される。
【0076】
例示的リソグラフィセル
[0088] 図３は、リソセル又はクラスタと称されることもあるリソグラフィセル３００を示している。図３に示されるように、リソグラフィセル３００は、ＸＹ平面（例えば、Ｘ軸は右を指し示し、Ｙ軸は上方を指す）に対して垂直な視点（例えば上面視）から示される。
[0088] 図３は、リソセル又はクラスタと称されることもあるリソグラフィセル３００を示している。図３に示されるように、リソグラフィセル３００は、ＸＹ平面（例えば、Ｘ軸は右を指し示し、Ｙ軸は上方を指す）に対して垂直な視点（例えば上面視）から示される。
【0077】
[0089] リソグラフィ装置１００又は１００’は、リソグラフィセル３００の一部を構成する可能性がある。リソグラフィセル３００は、基板に対して露光前及び露光後プロセスを実行するための１つ以上の装置を含む可能性もある。例えば、これらの装置は、レジスト層を堆積させるためのスピンコータＳＣ、露光されたレジストを現像するためのデベロッパＤＥ、冷却プレートＣＨ、及びベークプレートＢＫを含む可能性がある。基板ハンドラＲＯ（例えばロボット）が、入出力ポートＩ／Ｏ１及びＩ／Ｏ２から基板をピックアップし、様々なプロセス装置間でそれらを移動させ、それらをリソグラフィ装置１００又は１００’のローディングベイＬＢに搬送する。まとめてトラックと称されることが多いこれらのデバイスは、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下にあり、トラック制御ユニットＴＣＵ自体は、監視制御システムＳＣＳによって制御され、監視制御システムＳＣＳは、リソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置も制御する。したがって、スループット及び処理効率を最大にするために様々な装置を動作させることができる。
【0078】
例示的放射源
[0090] 例示的反射型リソグラフィ装置（例えば図１Ａのリソグラフィ装置１００）用の放射源ＳＯのある例が図４に示されている。図４に示すように、放射源ＳＯは、下記のＸＹ平面に垂直な視点（例えば上面視）から示されている。
[0090] 例示的反射型リソグラフィ装置（例えば図１Ａのリソグラフィ装置１００）用の放射源ＳＯのある例が図４に示されている。図４に示すように、放射源ＳＯは、下記のＸＹ平面に垂直な視点（例えば上面視）から示されている。
【0079】
[0091] 図４に示す放射源ＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と称され得るタイプである。例えば二酸化炭素（ＣＯ２）レーザを含み得るレーザシステム４０１が、燃料ターゲット発生器４０３（例えば、燃料放出器、液滴発生器）から提供される１つ以上の個別のスズ（Ｓｎ）液滴などの燃料ターゲット４０３’に１つ以上のレーザビーム４０２を介してエネルギーを付与するように配置されている。いくつかの態様によれば、レーザシステム４０１は、パルス連続波又は準連続波レーザである可能性があるか、パルス連続波又は準連続波レーザのように動作する可能性がある。燃料ターゲット発生器４０３から放出される燃料ターゲット４０３’（例えば液滴）の軌道はＸ軸と平行である可能性がある。いくつかの態様によれば、１つ以上のレーザビーム４０２は、Ｘ軸に対して垂直なＹ軸に平行な方向に伝搬する。Ｚ軸は、Ｘ軸とＹ軸の両方に対して垂直であり、概ね紙面の奥に（又は手前に）延びるが、他の態様では他の構成が使用される。いくつかの実施形態では、レーザビーム４０２は、Ｙ軸に平行以外の方向に（例えば、燃料ターゲット４０３’の軌道のＸ軸方向に直交以外の方向に）伝搬することができる。
【0080】
[0092] いくつかの態様では、１つ以上のレーザビーム４０２は、プリパルスレーザビーム及びメインパルスレーザビームを含む可能性がある。そのような態様では、レーザシステム４０１は、修正された燃料ターゲットを発生させるために燃料ターゲット４０３’のそれぞれにプリパルスレーザビームを照射するように構成される可能性がある。レーザシステム４０１は更に、プラズマ４０７を発生させるために修正された燃料ターゲットのそれぞれにメインパルスレーザビームを照射するように構成される可能性がある。
【0081】
[0093] 以下の説明ではスズについて言及しているが、任意の適切なターゲット材料を使用することができる。ターゲット材料は、例えば液状である可能性があり、また、例えば金属又は合金である可能性がある。燃料ターゲット発生器４０３は、例えば燃料ターゲット４０３’（例えば個別の液滴）の形態のスズを軌道に沿ってプラズマ形成領域４０４に向けるように構成されたノズルを備える可能性がある。説明の残りの部分を通して、「燃料」、「燃料ターゲット」又は「燃料液滴」についての言及は、燃料ターゲット発生器４０３が放出するターゲット材料（例えば液滴）について言及しているものと理解されるべきである。燃料ターゲット発生器４０３は燃料放出器を含む可能性がある。１つ以上のレーザビーム４０２は、プラズマ形成領域４０４においてターゲット材料（例えばスズ）に入射する。レーザエネルギーのターゲット材料内への蓄積は、プラズマ形成領域４０４においてプラズマ４０７を生成する。ＥＵＶ放射を含む放射が、脱励起及びプラズマのイオンと電子の再結合の間にプラズマ４０７から放出される。
【0082】
[0094] ＥＵＶ放射は放射コレクタ４０５（例えば放射コレクタＣＯ）によって収集及び集束される。いくつかの態様では、放射コレクタ４０５は、近法線入射放射コレクタ（より一般的には法線入射放射コレクタと称されることがある）を含む可能性がある。放射コレクタ４０５は、ＥＵＶ放射（例えば、約１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置される多層構造である可能性がある。いくつかの態様によれば、放射コレクタ４０５は、２つの焦点を有する楕円構成を有する可能性がある。本明細書で考察するように、第１の焦点はプラズマ形成領域４０４にある可能性があり、第２の焦点は中間焦点４０６にある可能性がある。
【0083】
[0095] いくつかの態様では、レーザシステム４０１は、放射源ＳＯから比較的遠く離れたところに位置する可能性がある。このような場合、１つ以上のレーザビーム４０２は、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ、及び／又は他の光学系を備えるビームデリバリシステム（図示せず）を用いて、レーザシステム４０１から放射源ＳＯへ通過する可能性がある。レーザシステム４０１及び放射源ＳＯは、全体で放射システムと見なされる可能性がある。
【0084】
[0096] 放射コレクタ４０５で反射される放射が放射ビームＢを形成する。放射ビームＢは、照明システムＩＬのための仮想放射源の役割を果たす、プラズマ形成領域４０４の像を形成するための点（例えば中間焦点４０６）に集束される。放射ビームＢが集束される点は、中間焦点（ＩＦ）（例えば中間焦点４０６）と称される可能性がある。放射源ＳＯは、中間焦点４０６が放射源ＳＯの閉鎖構造４０９の開口４０８に、又は開口４０８の近くに位置するように配置されている。
【0085】
[0097] 放射ビームＢは、放射源ＳＯから照明システムＩＬ内に通過する。照明システムＩＬは、放射ビームＢを調節するように構成されている。放射ビームＢは照明システムＩＬから移動し、支持構造ＭＴにより保持されたパターニングデバイスＭＡに入射する。パターニングデバイスＭＡは、放射ビームＢを反射し、これにパターン付与する。パターニングデバイスＭＡから反射した後、パターン付与された放射ビームＢは投影システムＰＳに入る。投影システムは、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗに放射ビームＢを投影するように構成されている複数のミラーを備える。投影システムＰＳは、放射ビームに縮小係数を適用し、パターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャより小さいフィーチャを有する像を形成することができる。例えば縮小係数４を適用することができる。図２では投影システムＰＳが２つのミラーを有するものとして示されているが、投影システムは、任意の数のミラー（例えば６個のミラー）を備える可能性がある。
【0086】
[0098] 放射源ＳＯは、図４に示されていないコンポーネントを備える可能性もある。例えば、放射源ＳＯにスペクトルフィルタが設けられる可能性がある。スペクトルフィルタは、ＥＵＶ放射に対しては実質的に透過的であるが、赤外線放射などの他の放射波長を実質的に遮断するものである可能性がある。
【0087】
[0099] 放射源ＳＯ（又は放射システム）は更に、プラズマ形成領域４０４における燃料ターゲット（例えば液滴）の像を得るための、より具体的には、燃料ターゲットの影の像を得るための燃料ターゲット撮像システムを備える可能性がある。燃料ターゲット撮像システムは、燃料ターゲットの縁部から回折された光を検出することができる。以下の記述における燃料ターゲットの像についての言及は、燃料ターゲットの影の像又は燃料ターゲットが生じさせる回折パターンにも言及するものと理解されるべきである。
【0088】
[0100] 燃料ターゲット撮像システムは、ＣＣＤアレイ又はＣＭＯＳセンサなどの光検出器を備える可能性があるが、燃料ターゲットの像を得るのに適したいずれの撮像デバイスも使用できることが理解されるであろう。燃料ターゲット撮像システムが光検出器に加えて、１つ以上のレンズなどの光学コンポーネントを備え得ることが理解されるであろう。例えば、燃料ターゲット撮像システムは、カメラ４１０、例えば光センサ、すなわち光検出器と１つ以上のレンズとの組み合わせを備える可能性がある。光学コンポーネントは、光センサ又はカメラ４１０が近視野像及び／又は遠視野像を得るように選択される可能性がある。カメラ４１０は、放射源ＳＯ内の、カメラがプラズマ形成領域４０４及び放射コレクタ４０５上に設けられた１つ以上のマーカ（図４には示されていない）を見通す任意の適切な場所に配置される可能性がある。ただし、いくつかの態様では、カメラ４１０の損傷を回避するために、１つ以上のレーザビーム４０２の伝搬経路及び燃料ターゲット発生器４０３から放出される燃料ターゲットの軌道から離れた位置にカメラ４１０を配置することが必要である可能性がある。いくつかの態様によれば、カメラ４１０は、燃料ターゲットの像を接続４１２を介してコントローラ４１１に提供するように構成されている。接続４１２は有線接続として示されているが、接続４１２（及び本明細書で言及される他の接続）が、有線接続、無線接続又はこれらの組み合わせとして実装され得ることが理解されるであろう。
【0089】
[0101] 図４に示すように、放射源ＳＯは、燃料ターゲット４０３’（例えば個別のスズ液滴）を発生させプラズマ形成領域４０４に向けて放出するように構成された燃料ターゲット発生器４０３を備える可能性がある。放射源ＳＯは更に、プラズマ形成領域４０４でプラズマ４０７を発生させるために１つ以上のレーザビーム４０２を燃料ターゲット４０３’の１つ以上に照射するように構成されたレーザシステム４０１を備える可能性がある。放射源ＳＯは更に、プラズマ４０７が放出した放射を収集するように構成された放射コレクタ４０５（例えば放射コレクタＣＯ）を備える可能性がある。
【0090】
【0091】
[0103] 図５Ａに示すように、例示的照明均一性補正システム５００は、フィンガアセンブリのセット５０２（例えばピッチが約ｘ４ｍｍの２８個のフィンガアセンブリ）と、フィンガチップのセット５０４（例えば各フィンガアセンブリは対応するフィンガチップを含む）と、フレーム５２８と、フレクシャのセット５３０と、フレクシャのセット５３２と、を備える可能性がある。いくつかの態様では、例示的照明均一性補正システム５００は、ターゲット均一性を達成するために、フィンガアセンブリのセット５０２の各フィンガアセンブリの位置を（例えば１つ以上の磁石アセンブリなどを備える運動制御システムを使用して）個別に制御して照明スリットの強度を修正することができる。
【0092】
[0104] 図５Ｂに示すように、例示的照明均一性補正システム５００は、放射源５４０と放射検出器５６０とを備える可能性がある。いくつかの態様では、放射源５４０は、放射５４２を発生させ、放射５４２を放射検出器５６０に向けてフィンガアセンブリのセット５０２にわたって伝送するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、放射５４２はレーザカーテンを含む可能性がある。いくつかの態様では、例示的照明均一性補正システム５００は、フィンガチップ熱成長をチェックするために（例えばウェーハ露光動作間の）ウェーハ交換動作中にフィンガアセンブリのセット５０２の１つ以上のフィンガアセンブリをレーザカーテン内に移動させるように構成される可能性がある。いくつかの態様では、放射検出器５６０は放射５４２の少なくとも一部分を受光するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、放射５４２の受光部分は、伝送した放射５４２によるフィンガチップの表面の照射に反応してフィンガアセンブリのフィンガチップの表面（例えば光学的エッジと対向して配設された機械的エッジ）から反射された放射を含む可能性がある。
【0093】
[0105] いくつかの態様では、フィンガチップのセット５０４の１つ以上のフィンガチップの光学的エッジは、リソグラフィ装置のウェーハ露光動作中に放射５８０（例えばＤＵＶ又はＥＵＶ放射）に露光される可能性があり、これにより１つ以上のフィンガチップは露光の結果として（又は多重露光の間に）成長することがある。いくつかの態様では、例示的照明均一性補正システム５００は更に、受光した放射５４２に基づいてフィンガアセンブリのセット５０２の１つ以上のフィンガアセンブリの形状の変化を決定するように構成されたプロセッサ（図示せず）を備える可能性がある。
【0094】
[0106] 図６は、本開示のいくつかの態様に係る例示的照明均一性補正システム６００の概略図である。
【0095】
[0107] 図６に示すように、フィンガアセンブリのセットがフィンガアセンブリ６２０を含む可能性がある。フィンガアセンブリ６２０は、フィンガボディ６２２と、フィンガチップ６２４と、（例えばフィンガアセンブリ６２０の位置を調整するための）アクチュエータ６２６と、（例えばエンコーダスケールなどを含む）位置センサ６２８と、フレクシャ６３０と、フレクシャ６３２と、を備える可能性がある。フィンガチップ６２４は、光学的エッジ６２４ａと機械的エッジ６２４ｂとを備える可能性がある。いくつかの態様では、フィンガチップ６２４の光学的エッジ６２４ａは、リソグラフィ装置のウェーハ露光動作中に放射６８０（例えばＤＵＶ又はＥＵＶ放射）に露光される可能性があり、これによりフィンガチップ６２４は露光の結果として（又は多重露光の間に）成長することがある。
【0096】
[0108] いくつかの態様では、放射源が放射６４２をフィンガアセンブリ６２０に向けて（例えばフィンガチップ６２４の機械的エッジ６２４ｂに向けて）伝送するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、放射源は、リソグラフィ装置のウェーハ交換動作（例えばウェーハ露光動作の後）中に放射６４２を伝送するように構成される可能性があり、ウェーハ交換動作中にフィンガチップ６２４の機械的エッジ６２４ｂは放射６４２を横切って移動する。
【0097】
[0109] いくつかの態様では、放射検出器が、放射６４２によるフィンガアセンブリ６２０の一部分の照射に反応して放射６４２の少なくとも一部分を受光するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリ６２０の一部分は、フィンガアセンブリ６２０のフィンガチップ６２４の光学的エッジ６２４ａから離間して配設されたフィンガアセンブリ６２０のフィンガチップ６２４の機械的エッジ６２４ｂを含む可能性がある。
【0098】
[0110] いくつかの態様では、例示的照明均一性補正システム６００は更に、受光した放射６４２に基づいてフィンガアセンブリのセットの１つ以上のフィンガアセンブリの形状の変化を決定するように構成されたプロセッサ（図示せず）を備える可能性がある。例えばプロセッサは、フィンガチップ６２４の放射６８０への露光に反応したフィンガチップ６２４の成長に基づいて、フィンガアセンブリ６２０のフィンガチップ６２４の光学的エッジ６２４ａの位置の変化を決定するように構成される可能性がある。
【0099】
[0111] いくつかの態様では、プロセッサは更に、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリ６２０上に配設された基準マークの位置の変化を測定するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、測定した基準マークの位置の変化に基づいてフィンガアセンブリ６２０の形状の変化を決定するように構成される可能性がある。
【0100】
[0112] いくつかの態様では、プロセッサは更に、決定したフィンガアセンブリのセットの１つ以上のフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリのセットの１つ以上のフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させるように構成される可能性がある。例えばプロセッサは、決定したフィンガアセンブリ６２０の形状の変化に基づいてフィンガアセンブリ６２０の位置を修正するように構成された制御信号を発生させるように構成される可能性がある。
【0101】
[0113] プロセッサは更に、フィンガアセンブリのセットの１つ以上のフィンガアセンブリに結合された運動制御システム（例えば１つ以上の磁石アセンブリなどを含む）に制御信号を送信するように構成される可能性がある。例えばプロセッサは、フィンガボディ６２２に結合されたアクチュエータ６２６などを含む運動制御システムに制御信号を送信するように構成される可能性がある。
【0102】
[0114] 図７は、本開示のいくつかの態様に係る例示的照明均一性補正システム７００の概略図である。
【0103】
[0115] 図７に示すように、例示的照明均一性補正システム７００は、フィンガチップ７２４を有するフィンガアセンブリと、放射源７４０と、フィンガアセンブリごとの放射検出器７６０（例えば２８個のフィンガアセンブリのための２８個の放射検出器）と、を備える可能性がある。いくつかの態様では、放射源７４０は放射を発生させ、発生させた放射をフィンガアセンブリの表面７２５（例えばフィンガアセンブリの光学面）に配設された基準マークのセット７２２（例えば１つ以上の基準マーク）に向けて伝送するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、放射源７４０は、リソグラフィ装置のウェーハ交換動作（例えばウェーハ露光動作の後）中に放射を伝送するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、放射検出器７６０は、表面７２５から反射した放射の少なくとも一部分を受光するように構成される可能性がある。
【0104】
[0116] いくつかの態様では、例示的照明均一性補正システム７００は更に、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定するように構成されたプロセッサ（図示せず）を備える可能性がある。例えばプロセッサは、フィンガチップ７２４のＥＵＶ又はＤＵＶ放射への露光に反応したフィンガチップ７２４の成長に基づいて、フィンガアセンブリのフィンガチップ７２４の光学的エッジの位置の変化を決定するように構成される可能性がある。
【0105】
[0117] いくつかの態様では、プロセッサは更に、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの表面７２５に配設された基準マークのセット７２２の位置の変化を測定するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、測定した基準マークのセット７２２の位置の変化に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定するように構成される可能性がある。
【0106】
[0118] いくつかの態様では、プロセッサは更に、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させるように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、フィンガアセンブリに結合された運動制御システム（例えば磁石アセンブリなどのアクチュエータなどを含む）に制御信号を送信するように構成される可能性がある。
【0107】
[0119] 図８は、本開示のいくつかの態様に係る例示的照明均一性補正システム８００の概略図である。
【0108】
[0120] 図８に示すように、例示的照明均一性補正システム８００は、フィンガチップ８２４を有するフィンガアセンブリと、放射源８４０と、フィンガアセンブリごとの放射検出器８６０（例えば２８個のフィンガアセンブリのための２８個の放射検出器）と、を備える可能性がある。いくつかの態様では、放射源８４０は放射を発生させ、発生させた放射をフィンガアセンブリの表面８２３（例えばフィンガアセンブリの機械（非光学）面）に配設された基準マークのセット８２２（例えば１つ以上の基準マーク）に向けて伝送するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、放射源８４０は、リソグラフィ装置のウェーハ交換動作（例えばウェーハ露光動作の後）中に放射を伝送するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、放射検出器８６０は、表面８２３から反射した放射の少なくとも一部分を受光するように構成される可能性がある。
【0109】
[0121] いくつかの態様では、例示的照明均一性補正システム８００は更に、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定するように構成されたプロセッサ（図示せず）を備える可能性がある。例えばプロセッサは、フィンガチップ８２４のＥＵＶ又はＤＵＶ放射への露光に反応したフィンガチップ８２４の成長に基づいて、フィンガアセンブリのフィンガチップ８２４の光学的エッジの位置の変化を決定するように構成される可能性がある。
【0110】
[0122] いくつかの態様では、プロセッサは更に、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの表面８２３に配設された基準マークのセット８２２の位置の変化を測定するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、測定した基準マークのセット８２２の位置の変化に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定するように構成される可能性がある。
【0111】
[0123] いくつかの態様では、プロセッサは更に、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させるように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、フィンガアセンブリに結合された運動制御システム（例えばアクチュエータなどを含む）に制御信号を送信するように構成される可能性がある。
【0112】
[0124] 図９は、本開示のいくつかの態様に係る例示的な基準マークのセット９００の概略図である。
【0113】
[0125] 図９に示すように、例示的な基準マークのセット９００は、フィンガアセンブリの表面に配設された基準マーク９０２（例えば時刻ｔ０で９０２ａ及び時刻ｔ１で９０２ｂと称される）を含む可能性がある。いくつかの態様では、基準マーク９０２はフィンガチップ基準と称される可能性がある。例示的な基準マークのセット９００は更に、フィンガアセンブリの表面、例えばフィンガアセンブリ上に配設された又はフィンガアセンブリに取り付けられた位置センサ（例えばエンコーダ）の表面などに配設されたインデックスマーク９０４を含む可能性がある。１つの例示的かつ非制限的な例では、インデックスマーク９０４は「エンコーダインデックス」と称される可能性がある。
【0114】
[0126] いくつかの態様では、時刻ｔ０は例示的照明均一性補正システムの製造中に実行される較正プロセスに関連付けられた時刻に対応する可能性があり、基準マーク９０２ａが時刻ｔ０に測定されたフィンガチップ上の基準位置に対応する可能性があり、ここで値Ｄ０は基準マーク９０２ａからインデックスマーク９０４までの距離に対応する。
【0115】
[0127] いくつかの態様では、時刻ｔ１は動作（例えば、ウェーハ交換動作、ウェーハ露光動作）中に実行される測定に関連付けられた時刻に対応する可能性があり、基準マーク９０２ｂが時刻ｔ１に測定されたフィンガチップ上の基準位置に対応する可能性があり、ここで値Ｄ１は基準マーク９０２ｂからインデックスマーク９０４までの距離に対応する。いくつかの態様では、値Ｄ１は、リソグラフィ装置の動作中のフィンガチップ成長によって値Ｄ０よりも大きい可能性がある。いくつかの態様では、時刻ｔ０から時刻ｔ１までの基準マーク９０２の位置の変化が、値Ｄ０と値Ｄ１の差に基づいて決定される可能性がある。例えば時刻ｔ０における基準マーク９０２ａから時刻ｔ１における基準マーク９０２ｂへの位置の変化は値Ｄ０と値Ｄ１の差に比例する可能性がある。
【0116】
[0128] 図１０は、本開示のいくつかの態様に係る例示的照明均一性補正システム１０００の概略図である。
【0117】
[0129] 図１０に示すように、例示的照明均一性補正システム１０００は、フィンガチップ１０２４を有するフィンガアセンブリを備える可能性がある。いくつかの態様では、フィンガチップ１０２４は、光学的エッジ１０２４ａと機械的エッジ１０２４ｂとを備える可能性がある。いくつかの態様では、フィンガチップ１０２４の光学的エッジ１０２４ａは、リソグラフィ装置のウェーハ露光動作中に入射放射１０８０（例えばＤＵＶ放射、又は化学線ＥＵＶ光などのＥＵＶ放射）に露光される可能性があり、これによりフィンガチップ１０２４は露光の結果として（又は多重露光の間に）成長することがある。
【0118】
[0130] いくつかの態様では、フィンガチップ１０２４は更に、フィンガチップ１０２４の表面１０２５に配置された多層膜ミラー材料を含む可能性がある。いくつかの態様では、多層膜ミラー材料はモリブデンとシリコンの交互層を含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガチップの最高定常状態温度を、多層膜ミラー材料が実質的に安定した状態を保てるように低下させることができる。いくつかの態様では、多層膜ミラー材料は、ドリフト補償能力を高め、放射源パワーが増すときにフィンガチップの残存不能な付着損失のリスクを低下させながら熱効果を低下させるために入射放射の大部分を反射することができる。いくつかの態様では、フィンガチップ１０２４は角度の付いたフィンガチップである可能性があり、表面１０２５に配置される多層膜ミラー材料は、入射放射１０８０の６０パーセント超を放射検出器１０９０に向けて（例えば反射放射１０８２として）反射することができる。結果として、フィンガチップ１０２４にかかる熱負荷を軽減することができ、例示的照明均一性補正システム１０００の信頼性、耐用期間、及び性能を向上させることができる。
【0119】
[0131] いくつかの態様では、例示的照明均一性補正システム１０００は更に、放射検出器１０９０（例えば、１次元又は２次元のセンサアレイ、「ビーム－フィンガチップ動きセンサ」）を備える可能性がある。いくつかの態様では、例示的照明均一性補正システム１０００は、フィンガアセンブリごとに１つの放射検出器を備える可能性がある。いくつかの態様では、多層膜ミラー材料は、リソグラフィ装置の露光動作中に入射放射１０８０を放射検出器１０９０に向けて反射するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、放射検出器１０９０は、リソグラフィ装置のウェーハ露光動作中に使用された入射放射１０８０の反射部分（例えば反射放射１０８２）を感知するように構成される可能性がある。
【0120】
[0132] いくつかの態様では、基準マークのセットが多層膜ミラー材料の領域に付与される可能性がある。いくつかの態様では、基準マークのセットは２つ以上の基準マークを含む可能性がある。いくつかの態様では、マーク（例えば、ＥＵＶレチクルに対して行われるように、吸収体材料により形成された特定の形状（例えば線系列）を有する細線として構成された）又はマークのセットが、フィンガチップ１０２４の位置の検出可能性、精度、又はその両方を高めるために多層膜ミラー材料の特定の領域に付与される可能性がある。いくつかの態様では、本明細書に記載の他の放射検出器からのデータは、照明ビーム移動の個別の効果を取り除くために放射検出器１０９０からのデータと組み合わせられる可能性がある。
【0121】
[0133] いくつかの態様では、例示的照明均一性補正システム１０００は更に、受光した放射に基づいてフィンガチップ１０２４の形状の変化を決定するように構成されたプロセッサ（図示せず）を備える可能性がある。例えばプロセッサは、フィンガチップ１０２４の放射１０８０への露光に反応したフィンガチップ１０２４の成長に基づいて、フィンガチップ１０２４の光学的エッジ１０２４ａの位置の変化を決定するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、受光した放射に基づいてフィンガチップ１０２４の表面１０２５に配設された基準マークの位置の変化を測定するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、測定した基準マークの位置の変化に基づいてフィンガチップ１０２４の形状の変化を決定するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、決定したフィンガチップ１０２４の形状の変化に基づいてフィンガチップ１０２４の位置を修正するように構成された制御信号を発生させるように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは更に、フィンガアセンブリに結合された運動制御システム（例えばアクチュエータなどを含む）に制御信号を送信するように構成される可能性がある。いくつかの態様では、プロセッサは、フィンガ位置を決定することによってドーズエラー及び均一性エラーを低減するために、反射放射１０８２を以前に取得した保存データセットと比較するように構成されることがある。結果として、例示的照明均一性補正システム１０００の性能は、このビーム移動データの向上した正確さ及び利用可能性に基づいて向上する可能性がある。
【0122】
照明スリット均一性を調整するための例示的プロセス
[0134] 図１１は、本開示のいくつかの態様又はその一部分に係るリソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整する例示的方法１１００である。例示的方法１１００を参照して説明される動作は、以上の図１から図１０及び以下の図１２を参照して説明されるものなど、本明細書に記載のシステム、装置、コンポーネント、技術、又はそれらの組み合わせのいずれかによって、又はいずれかに従って実行される可能性がある。
[0134] 図１１は、本開示のいくつかの態様又はその一部分に係るリソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整する例示的方法１１００である。例示的方法１１００を参照して説明される動作は、以上の図１から図１０及び以下の図１２を参照して説明されるものなど、本明細書に記載のシステム、装置、コンポーネント、技術、又はそれらの組み合わせのいずれかによって、又はいずれかに従って実行される可能性がある。
【0123】
[0135] 動作１１０２において、方法は、スリット均一性を補正するために１つ以上のフィンガアセンブリを移動させることを含む可能性がある。いくつかの態様では、１つ以上のフィンガアセンブリの移動は、適切な機械的な又は他の方法を用いて達成される可能性があり、以上の図１から図１０及び以下の図１２を参照して説明されるいずれかの態様又は態様の組み合わせに従って１つ以上のフィンガアセンブリを移動させることを含む可能性がある。
【0124】
[0136] 動作１１０４において、方法は、ウェーハ交換動作（いくつかの態様では、ウェーハ露光動作）と並行して実行されるステップ、例えば動作１１０６におけるフィンガチップ成長を測定及び推定すること、及び、動作１１０８における必要な場合にフィンガアセンブリ位置を補正すること、を含む可能性がある。
【0125】
[0137] 動作１１０６において、方法は、フィンガチップ成長を測定及び推定することを含む可能性がある。例えば動作１１０６において、方法は、放射源がフィンガアセンブリの一部分を放射で照射することを含む可能性がある。いくつかの態様では、放射はレーザカーテンを含む可能性があり、放射の少なくとも一部分を受光することは、放射検出器が、フィンガアセンブリの一部分をレーザカーテンで照射することに反応して、伝送した放射の少なくとも一部分を受光することを含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリの一部分は、フィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジから離間して配設されたフィンガアセンブリのフィンガチップの機械的エッジを含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリの一部分の照射は、適切な機械的な又は他の方法を用いて達成される可能性があり、以上の図１から図１０及び以下の図１２を参照して説明されるいずれかの態様又は態様の組み合わせに従ってフィンガアセンブリの一部分を照射することを含む可能性がある。
【0126】
[0138] 更に動作１１０６において、方法は、放射検出器が、フィンガアセンブリの一部分の照射に反応して放射の少なくとも一部分を受光することを含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリの一部分を照射することは、放射源が、リソグラフィ装置のウェーハ交換動作中にフィンガアセンブリの一部分を放射で照射することを含む可能性がある。他の態様では、フィンガアセンブリの一部分を照射することは、放射源が、リソグラフィ装置のウェーハ露光動作中にフィンガアセンブリの一部分を放射で照射することを含む可能性がある。いくつかの態様では、放射の少なくとも一部分を受光することは、放射検出器が、フィンガチップの表面を放射で照射することに反応してフィンガアセンブリのフィンガチップの表面から反射された放射を受光することを含む可能性がある。いくつかの態様では、放射の受光は、適切な機械的な又は他の方法を用いて達成される可能性があり、以上の図１から図１０及び以下の図１２を参照して説明されるいずれかの態様又は態様の組み合わせに従って放射を受光することを含む可能性がある。
【0127】
[0139] 更に動作１１０６において、方法は、プロセッサが、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定することを含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリの形状の変化を決定することは、プロセッサが、フィンガチップのＤＵＶ放射又はＥＵＶ放射への露光に反応したフィンガチップの成長に基づいてフィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジの位置の変化を決定することを含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリの形状の変化を決定することは、プロセッサが、受光した放射に基づいて、フィンガアセンブリ上に配設された基準マークの位置の変化を測定することを含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリの形状の変化を決定することは更に、プロセッサが、測定した基準マークの位置の変化に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定することを含む可能性がある。いくつかの態様では、基準マークは、フィンガアセンブリのフィンガチップ上に配置された多層膜ミラー材料の領域に付与される。例えばそのような態様では、方法は、放射検出器が、リソグラフィ装置のウェーハ露光動作中に使用される化学線ＥＵＶ光の反射部分を感知することを含む可能性がある。いくつかの態様では、変化の決定は、適切な機械的な又は他の方法を用いて達成される可能性があり、以上の図１から図１０及び以下の図１２を参照して説明されるいずれかの態様又は態様の組み合わせに従って変化を決定することを含む可能性がある。
【0128】
[0140] 動作１１０８において、方法は、必要な場合にフィンガアセンブリ位置を補正することを含む可能性がある。例えば動作１１０６において、方法は、プロセッサが、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させることを含む可能性がある。更に動作１１０６において、方法は、プロセッサが、フィンガアセンブリに結合された運動制御システムに制御信号を送信することを含む可能性がある。いくつかの態様では、フィンガアセンブリ位置の補正は、適切な機械的な又は他の方法を用いて達成される可能性があり、以上の図１から図１０及び以下の図１２を参照して説明されるいずれかの態様又は態様の組み合わせに従ってフィンガアセンブリ位置を補正することを含む可能性がある。
【0129】
[0141] 動作１１１０において、方法は、ウェーハロットが完了しているかどうかを判定することを含む可能性がある。完了していない場合、方法は動作１１０２に進む可能性がある。完了している場合、方法は動作１１１２に進む可能性がある。動作１１１２において、方法は、均一性リフレッシュ（ＵＲ）を実行すべきかどうかを決定することを含む可能性がある。実行すべきでない場合、方法は動作１１０２に進む可能性がある。実行すべきである場合、方法は動作１１１４に進む可能性がある。動作１１１４において、方法はＵＲ補正を実行することを含む可能性がある。
【0130】
例示的コンピューティングシステム
[0142] 本開示の態様は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装される可能性がある。本開示の態様は、１つ以上のプロセッサにより読み取り及び実行が行われ得る機械可読媒体に記憶された命令として実装される可能性もある。機械可読媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）により読み取り可能な形式で情報の記憶又は伝送を行うための任意の機構を含む可能性がある。例えば、機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学式記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響、又は他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）などを含む可能性がある。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令、及びそれらの組み合わせは、本明細書では特定の動作を行うものとして記載される可能性がある。しか
しながら、そのような記載が単に便宜上のものであること、及びそのような動作が、実際にはコンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスがファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令、又はそれらの組み合わせを実行し、そうする際に、アクチュエータ又は他のデバイス（例えば、サーボモータ、ロボットデバイス）を物理世界と対話させることから生じることが理解されるべきである。
[0142] 本開示の態様は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装される可能性がある。本開示の態様は、１つ以上のプロセッサにより読み取り及び実行が行われ得る機械可読媒体に記憶された命令として実装される可能性もある。機械可読媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）により読み取り可能な形式で情報の記憶又は伝送を行うための任意の機構を含む可能性がある。例えば、機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光学式記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響、又は他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）などを含む可能性がある。更に、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令、及びそれらの組み合わせは、本明細書では特定の動作を行うものとして記載される可能性がある。しか
しながら、そのような記載が単に便宜上のものであること、及びそのような動作が、実際にはコンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスがファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令、又はそれらの組み合わせを実行し、そうする際に、アクチュエータ又は他のデバイス（例えば、サーボモータ、ロボットデバイス）を物理世界と対話させることから生じることが理解されるべきである。
【0131】
[0143] 様々な態様は、例えば、図１２に示される例示的コンピューティングシステム１２００などの１つ以上のコンピューティングシステムを使用して実装される可能性がある。例示的コンピューティングシステム１２００は、図５Ａ及び図５Ｂに示された例示的照明均一性補正システム５００、図６に示された例示的照明均一性補正システム６００、図７に示された例示的照明均一性補正システム７００、図８に示された例示的照明均一性補正システム８００、図１０に示された例示的照明均一性補正システム１０００、図１１を参照して説明された任意のシステム、サブシステムもしくはコンポーネント、任意の他の適切なシステム、サブシステム、もしくはコンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの本明細書に記載された機能を実行可能な専用コンピュータである可能性がある。例示的コンピューティングシステム１２００は、プロセッサ１２０４などの１つ以上のプロセッサ（中央処理装置すなわちＣＰＵとも呼ばれる）を含む可能性がある。プロセッサ１２０４は、通信インフラ１２０６（例えばバス）に接続されている。例示的コンピューティングシステム１２００は、１つ以上のユーザ入出力インターフェイス１２０２を介して通信インフラ１２０６と通信するモニタ、キーボード、ポインティングデバイスなどの１つ以上のユーザ入出力デバイス１２０３を含む可能性もある。例示的コンピューティングシステム１２００は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）などのメインメモリ１２０８（例えば１つ以上の一次記憶デバイス）を含む可能性もある。メインメモリ１２０８は、１つ以上のレベルのキャッシュを含む可能性がある。メインメモリ１２０８は、内部に制御論理（例えばコンピュータソフトウェア）及び／又はデータを記憶している。
【0132】
[0144] 例示的コンピューティングシステム１２００は、二次メモリ１２１０（例えば１つ以上の二次記憶デバイス）を含む可能性もある。二次メモリ１２１０は、例えばハードディスクドライブ１２１２及び／又はリムーバブル記憶ドライブ１２１４を含む可能性がある。リムーバブル記憶ドライブ１２１４は、フロッピーディスクドライブ、磁気テープドライブ、コンパクトディスクドライブ、光学式記憶デバイス、テープバックアップデバイス、及び／又は任意の他の記憶デバイス／ドライブである可能性がある。
【0133】
[0145] リムーバブル記憶ドライブ１２１４は、リムーバブル記憶ユニット１２１８と対話することができる。リムーバブル記憶ユニット１２１８は、コンピュータソフトウェア（制御論理）及び／又はデータを記憶したコンピュータ使用可能又は可読記憶デバイスを含む。リムーバブル記憶ユニット１２１８は、フロッピーディスク、磁気テープ、コンパクトディスク、ＤＶＤ、光学式記憶ディスク、及び／又は任意の他のコンピュータデータ記憶デバイスである可能性がある。リムーバブル記憶ドライブ１２１４は、リムーバブル記憶ユニット１２１８からの読み取り、及び／又はリムーバブル記憶ユニット１２１８への書き込みを行う。
【0134】
[0146] いくつかの態様によれば、二次メモリ１２１０は、コンピュータプログラム及び／又は他の命令及び／又はデータが例示的コンピューティングシステム１２００によってアクセスされることを可能にするための他の手段、機器又は他の手法を含む可能性がある。このような手段、機器又は手法は、例えば、リムーバブル記憶ユニット１２２２及びインターフェイス１２２０を含む可能性がある。リムーバブル記憶ユニット１２２２及びインターフェイス１２２０の例は、プログラムカートリッジ及びカートリッジインターフェイス（ビデオゲームデバイスにおいて見られるものなど）、リムーバブルメモリチップ（ＥＰＲＯＭもしくはＰＲＯＭなど）及び関連のソケット、メモリスティック及びＵＳＢポート、メモリカード及び関連のメモリカードスロット、並びに／又は任意の他のリムーバブル記憶ユニット及び関連のインターフェイスを含む可能性がある。
【0135】
[0147] 例示的コンピューティングシステム１２００は更に、通信インターフェイス１２２４（例えば１つ以上のネットワークインターフェイス）を含む可能性がある。通信インターフェイス１２２４は、例示的コンピューティングシステム１２００が、リモートデバイス、リモートネットワーク、リモートエンティティなど（個々に及びまとめてリモートデバイス１２２８と称される）の任意の組み合わせと通信及び対話することを可能にする。例えば、通信インターフェイス１２２４は、例示的コンピューティングシステム１２００とリモートデバイス１２２８との通信路１２２６を介した有線及び／又は無線であり得る、そしてＬＡＮ、ＷＡＮ、インターネットなどの任意の組み合わせを含み得る通信を可能にする可能性がある。制御論理、データ又はその両方は、通信路１２２６を介して例示的コンピューティングシステム１２００に及び例示的コンピューティングシステム１２００から伝送される可能性がある。
【0136】
[0148] 本開示の前述の態様の動作は、多様な構成及びアーキテクチャで実装される可能性がある。したがって、前述の態様の動作の一部又は全ては、ハードウェア、ソフトウェア又はその両方で実行される可能性がある。いくつかの態様では、有形の非一時的装置又は製品が、本明細書でコンピュータプログラム製品又はプログラム記憶デバイスとも称される制御論理（ソフトウェア）を記憶した有形の非一時的コンピュータ使用可能又は可読媒体を含む。これは、例示的コンピューティングシステム１２００、メインメモリ１２０８、二次メモリ１２１０並びにリムーバブル記憶ユニット１２１８及び１２２２、それに上記の任意の組み合わせを具現化する有形製品を含むが、それらに限定されない。そのような制御論理は、１つ以上のデータ処理デバイス（例示的コンピューティングシステム１２００など）によって実行されると、そのようなデータ処理デバイスに本明細書に記載される動作を行わせる。
【0137】
[0149] 本開示に含まれる教示に基づいて、図１２に示されるもの以外のデータ処理デバイス、コンピュータシステム及び／又はコンピュータアーキテクチャを使用した本開示の態様の実施方法及び使用方法が当業者に明らかになるであろう。具体的には、本開示の態様は、本明細書に記載されるもの以外のソフトウェア、ハードウェア、及び／又はオペレーティングシステムの実装形態で動作することができる。
【0138】
[0150] 本開示の実施形態が、以下の条項によって更に説明される可能性がある。
１．放射を発生させ、発生させた放射をフィンガアセンブリに向けて伝送するように構成された放射源と、 伝送した放射の少なくとも一部分を受光するように構成された放射検出器と、
受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定し、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させ、制御信号をフィンガアセンブリに結合された運動制御システムに送信する、ように構成されたプロセッサと、
を備えた、システム。
２．決定したフィンガアセンブリの形状の変化が、フィンガアセンブリのフィンガチップの深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射への露光に反応したフィンガチップの成長に基づいたフィンガチップの光学的エッジの位置の変化を含む、条項１のシステム。
３．放射源が、リソグラフィ装置のウェーハ交換動作中に放射を伝送するように構成されている、条項１のシステム。
４．発生させた放射が、レーザカーテンを含み、
放射検出器が、レーザカーテンによるフィンガアセンブリの一部分の照射に反応して伝送した放射の少なくとも一部分を受光するように構成されている、条項１のシステム。
５．フィンガアセンブリの一部分が、フィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジから離間して配設されたフィンガアセンブリのフィンガチップの機械的エッジを含む、条項４のシステム。
６．受光した放射が、伝送した放射によるフィンガアセンブリのフィンガチップの表面の照射に反応してフィンガチップの表面から反射された放射を含む、条項１のシステム。
７．プロセッサが、
受光した放射に基づいてフィンガアセンブリ上に配設された基準マークの位置の変化を測定し、
測定した基準マークの位置の変化に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定する
ように構成されている、条項１のシステム。
８．基準マークが、フィンガアセンブリのフィンガチップ上に配置された多層膜ミラー材料の領域に付与されている、条項７のシステム。
９．リソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整する方法であって、
放射源が、フィンガアセンブリの一部分を放射で照射すること、
放射検出器が、フィンガアセンブリの一部分の照射に反応して放射の少なくとも一部分を受光すること、
プロセッサが、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定すること、
プロセッサが、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させること、及び、
プロセッサが、フィンガアセンブリに結合された運動制御システムに制御信号を送信すること、
を含む、方法。
１０．フィンガアセンブリの形状の変化を決定することが、プロセッサがフィンガアセンブリのフィンガチップの深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射への露光に反応したフィンガチップの成長に基づいてフィンガチップの光学的エッジの位置の変化を決定することを含む、条項９の方法。
１１．フィンガアセンブリの一部分を照射することが、放射源がリソグラフィ装置のウェーハ交換動作中にフィンガアセンブリの一部分を放射で照射することを含む、条項９の方法。
１２．放射が、レーザカーテンを含み、
放射の少なくとも一部分を受光することが、放射検出器がフィンガアセンブリの一部分をレーザカーテンで照射することに反応して伝送した放射の少なくとも一部分を受光することを含む、条項９の方法。
１３．フィンガアセンブリの一部分が、フィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジから離間して配設されたフィンガアセンブリのフィンガチップの機械的エッジを含む、条項１２の方法。
１４．放射の少なくとも一部分を受光することが、放射検出器がフィンガアセンブリのフィンガチップの表面を放射で照射することに反応してフィンガチップの表面から反射した放射を受光することを含む、条項９の方法。
１５．フィンガアセンブリの形状の変化を決定することが、
プロセッサが、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリ上に配設された基準マークの位置の変化を測定すること、及び
プロセッサが、測定した基準マークの位置の変化に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定すること、
を含む、条項９の方法。
１６．基準マークが、フィンガアセンブリのフィンガチップ上に配置された多層膜ミラー材料の領域に付与される、条項１５の方法。
１７．フィンガボディと、
フィンガチップと、
フィンガチップの表面に配置された多層膜ミラー材料と、
多層膜ミラー材料の領域に付与された基準マークのセットと、
を含むフィンガアセンブリを備えた、装置。
１８．基準マークのセットが、２つ以上の基準マークを含む、条項１７の装置。
１９．多層膜ミラー材料が、リソグラフィ装置の露光動作中に、深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射を放射検出器に向けて反射させるように構成されている、条項１７の装置。
２０．多層膜ミラー材料が、モリブデンを含む、条項１７の装置。
１．放射を発生させ、発生させた放射をフィンガアセンブリに向けて伝送するように構成された放射源と、 伝送した放射の少なくとも一部分を受光するように構成された放射検出器と、
受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定し、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させ、制御信号をフィンガアセンブリに結合された運動制御システムに送信する、ように構成されたプロセッサと、
を備えた、システム。
２．決定したフィンガアセンブリの形状の変化が、フィンガアセンブリのフィンガチップの深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射への露光に反応したフィンガチップの成長に基づいたフィンガチップの光学的エッジの位置の変化を含む、条項１のシステム。
３．放射源が、リソグラフィ装置のウェーハ交換動作中に放射を伝送するように構成されている、条項１のシステム。
４．発生させた放射が、レーザカーテンを含み、
放射検出器が、レーザカーテンによるフィンガアセンブリの一部分の照射に反応して伝送した放射の少なくとも一部分を受光するように構成されている、条項１のシステム。
５．フィンガアセンブリの一部分が、フィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジから離間して配設されたフィンガアセンブリのフィンガチップの機械的エッジを含む、条項４のシステム。
６．受光した放射が、伝送した放射によるフィンガアセンブリのフィンガチップの表面の照射に反応してフィンガチップの表面から反射された放射を含む、条項１のシステム。
７．プロセッサが、
受光した放射に基づいてフィンガアセンブリ上に配設された基準マークの位置の変化を測定し、
測定した基準マークの位置の変化に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定する
ように構成されている、条項１のシステム。
８．基準マークが、フィンガアセンブリのフィンガチップ上に配置された多層膜ミラー材料の領域に付与されている、条項７のシステム。
９．リソグラフィ装置における照明スリット均一性を調整する方法であって、
放射源が、フィンガアセンブリの一部分を放射で照射すること、
放射検出器が、フィンガアセンブリの一部分の照射に反応して放射の少なくとも一部分を受光すること、
プロセッサが、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定すること、
プロセッサが、決定したフィンガアセンブリの形状の変化に基づいてフィンガアセンブリの位置を修正するように構成された制御信号を発生させること、及び、
プロセッサが、フィンガアセンブリに結合された運動制御システムに制御信号を送信すること、
を含む、方法。
１０．フィンガアセンブリの形状の変化を決定することが、プロセッサがフィンガアセンブリのフィンガチップの深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射への露光に反応したフィンガチップの成長に基づいてフィンガチップの光学的エッジの位置の変化を決定することを含む、条項９の方法。
１１．フィンガアセンブリの一部分を照射することが、放射源がリソグラフィ装置のウェーハ交換動作中にフィンガアセンブリの一部分を放射で照射することを含む、条項９の方法。
１２．放射が、レーザカーテンを含み、
放射の少なくとも一部分を受光することが、放射検出器がフィンガアセンブリの一部分をレーザカーテンで照射することに反応して伝送した放射の少なくとも一部分を受光することを含む、条項９の方法。
１３．フィンガアセンブリの一部分が、フィンガアセンブリのフィンガチップの光学的エッジから離間して配設されたフィンガアセンブリのフィンガチップの機械的エッジを含む、条項１２の方法。
１４．放射の少なくとも一部分を受光することが、放射検出器がフィンガアセンブリのフィンガチップの表面を放射で照射することに反応してフィンガチップの表面から反射した放射を受光することを含む、条項９の方法。
１５．フィンガアセンブリの形状の変化を決定することが、
プロセッサが、受光した放射に基づいてフィンガアセンブリ上に配設された基準マークの位置の変化を測定すること、及び
プロセッサが、測定した基準マークの位置の変化に基づいてフィンガアセンブリの形状の変化を決定すること、
を含む、条項９の方法。
１６．基準マークが、フィンガアセンブリのフィンガチップ上に配置された多層膜ミラー材料の領域に付与される、条項１５の方法。
１７．フィンガボディと、
フィンガチップと、
フィンガチップの表面に配置された多層膜ミラー材料と、
多層膜ミラー材料の領域に付与された基準マークのセットと、
を含むフィンガアセンブリを備えた、装置。
１８．基準マークのセットが、２つ以上の基準マークを含む、条項１７の装置。
１９．多層膜ミラー材料が、リソグラフィ装置の露光動作中に、深紫外（ＤＵＶ）放射又は極端紫外（ＥＵＶ）放射を放射検出器に向けて反射させるように構成されている、条項１７の装置。
２０．多層膜ミラー材料が、モリブデンを含む、条項１７の装置。
【0139】
[0151] 本明細書において、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して具体的な言及がなされることがあるが、本明細書に記載のリソグラフィ装置が集積光学システム、磁気ドメインメモリのためのガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、ＬＣＤ、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他の適用例を有し得ることが理解されるものとする。そのような代替適用例に関連して、本明細書における「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれより一般的な用語である「基板」又は「ターゲット部分」と同義であると見なされ得ることを当業者であれば理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光前又は後に、例えばトラックユニット（一般的にレジスト層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジユニット及び／又は検査ユニットにおいて処理される可能性がある。適用可能な場合、本明細書の開示は、上記及び他の基板処理ツールに適用される可能性がある。更に、基板は、例えば多層ＩＣを作製するために２回以上処理される可能性があり、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、複数の処理された層を既に含む基板を指す場合もある。
【0140】
[0152] 本明細書の用語又は専門用語は、本明細書の専門用語又は用語が本明細書の教示に鑑みて当業者によって解釈されるように、説明を目的としたものであり、限定を目的としたものではないことが理解されるべきである。
【0141】
[0153] 本明細書で使用される「基板」という用語は、上に材料層が加えられる材料を表す。いくつかの態様では、基板自体がパターン形成される可能性があり、基板の上に加えられる材料もパターン形成される可能性があるか、又はパターン形成なしのままである可能性がある。
【0142】
[0154] 本明細書に開示される例は、この開示の実施形態の例示であり、限定ではない。本分野で通常遭遇する様々な条件及びパラメータの他の適切な変更形態及び適応形態（これらは、当業者に明らかになるであろう）は、本開示の趣旨及び範囲内にある。
【0143】
[0155] 本開示の具体的な態様を上記に記載したが、これらの態様が記載した以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。これらの記載は、本開示の実施形態を限定することを意図したものではない。
【0144】
[0156] 背景、概要、及び要約のセクションではなく、詳細な説明のセクションが請求項を解釈するのに使用されることが意図されていることが理解されるべきである。概要及び要約のセクションは、本発明者によって企図されるような１つ以上の（ただし、全てではない）例示的な実施形態を記載することがあり、したがって決して本実施形態及び添付の請求項を限定することを意図したものではない。
【0145】
[0157] 本開示のいくつかの態様は、特定の機能の実装及びそれらの関係を示す機能的構成ブロックを用いて以上で説明されている。これらの機能的構成ブロックの境界は、説明の便宜上、本明細書では任意に定められている。特定の機能及びそれらの関係が適切に実行される限りにおいて、別の境界が定められる可能性がある。
【0146】
[0158] 本開示の特定の態様の上記の説明は、他者が、当技術分野の技能の範囲内の知識を適用することによって、過度の実験を行うことなく、本開示の一般概念から逸脱することなく、様々な用途のためにそのような特定の態様を容易に変更及び／又は適応させることができるように、態様の一般的性質を完全に明らかにするであろう。したがって、このような適応形態及び変更形態は、本明細書に提示される教示及びガイダンスに基づいて、開示される態様の均等物の意味及び範囲内にあることが意図される。
【0147】
[0159] 本開示の広さ及び範囲は、上記の例示的態様又は実施形態の何れによっても限定されるものではなく、以下の請求項及びその均等物のみに従って定義されるものとする。
【図1A】
【図1B】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【国際調査報告】