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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-02-01
(54)【発明の名称】有機スズ化合物を調製する方法
(51)【国際特許分類】
C07F 7/22 20060101AFI20240125BHJP
【ＦＩ】
C07F7/22 M
C07F7/22 H
【審査請求】有
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023545230
(86)(22)【出願日】2022-01-28
(85)【翻訳文提出日】2023-09-19
(86)【国際出願番号】 US2022014178
(87)【国際公開番号】W WO2022165088
(87)【国際公開日】2022-08-04
(31)【優先権主張番号】63/142,849
(32)【優先日】2021-01-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】505307471
【氏名又は名称】インテグリス・インコーポレーテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110002077
【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】エルメルト， デビット エム．
(72)【発明者】
【氏名】バウム， トーマス エイチ．
(72)【発明者】
【氏名】キャメロン， トーマス エム．
【テーマコード（参考）】
4H049
【Ｆターム（参考）】
4H049VN03
4H049VP01
4H049VQ21
4H049VQ39
4H049VR43
4H049VR53
4H049VS21
4H049VS76
4H049VU24
4H049VV02
4H049VV05
4H049VV16
4H049VW02
4H049VW39
(57)【要約】
アルキル置換基およびアルキルアミノ置換基、またはアルキル置換基およびアルコキシ置換基を有する一定の有機スズ化合物を調製する容易な方法を提供する。本方法は、例えば一定のマイクロエレクトロニクス装置の製造に用いられる極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ技術における、高純度酸化スズ膜の堆積における前駆体として特に有益な高純度形態の有機スズ化合物を提供する。
【選択図】なし
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
式（Ｉ）の化合物を調製する方法であって、
方法が、式（Ａ）の化合物
【請求項2】
Ｌがハロゲン化物、または置換もしくは非置換の芳香族スルホネートもしくはアルキルスルホネートである、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
Ｌがブロモ、ヨード、またはクロロである、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
それぞれのＲおよびそれぞれのＲ１が独立してＣ１～Ｃ３アルキル基から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
Ｒ２が置換または非置換の直鎖または分岐鎖のアルキル基である、請求項１に記載の方法。
【請求項6】
Ｒ２が環状Ｃ１～Ｃ５基である、請求項１に記載の方法。
【請求項7】
Ｒ２が不飽和Ｃ１～Ｃ５基である、請求項１に記載の方法。
【請求項8】
不飽和Ｃ１～Ｃ５基がビニル基またはアセチレニル基である、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
Ｒ２が１つまたは複数のハロゲン基またはエーテル基で更に置換されている、請求項１に記載の方法。
【請求項10】
式Ａの化合物がジハロスタンナンと式（Ｂ）の化合物【請求項11】
ジハロスタンナンがＳｎＣｌ２である、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
式（Ｉ）の化合物を調製する方法であって、
方法が、式（ＩＩ）の化合物
を式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物［式中、Ｒ４はＣ１～Ｃ３アルキル基から選択される］と接触させることを含む、方法。
【請求項13】
Ｒ３が、Ｃ１～Ｃ４アルキル、Ｃ１～Ｃ４アルコキシ、Ｃ１～Ｃ４アルキルスルホニル、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、フェニル、フェノキシ、およびＣ３～Ｃ６シクロアルキルから選択される基で１回または複数回置換されたフェニル基から選択される置換フェニル基である、請求項１２に記載の方法。
【請求項14】
置換フェニル基が２，６－ジ－ｔ－ブチルフェン－１－イル基または２，４，６－トリメチルフェニル基である、請求項１３に記載の方法。
【請求項15】
式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物が（ＣＨ３）３Ｓｉ－Ｎ（ＣＨ３）２である、請求項１２に記載の方法。
【請求項16】
式（ＩＩ）の化合物が、ジハロスタンナンを式Ｍ－ＯＲ３の化合物［式中、Ｍはナトリウム、リチウム、またはカリウムから選択される］と反応させて、式（Ｃ）の化合物を得ることにより調製される、請求項１２に記載の方法。
【請求項17】
式（Ｃ）の化合物が式Ｘ－Ｒ２の化合物と更に反応して、式（ＩＩ）の化合物が得られる、請求項１６に記載の方法。
【請求項18】
式（ＩＩ）の化合物【請求項19】
Ｒ２がイソプロピルである、請求項１８に記載の化合物。
【請求項20】
Ｒ３が２，６－ジ－ｔ－ブチルフェン－１－イルまたは２，４，６－テトラメチルフェニルである、請求項１８に記載の化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、有機スズ化学の分野に属する。特に、本発明は、一定の有機スズ化合物を調製する容易な方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一定の有機スズ化合物が、一定のマイクロエレクトロニクス装置の製造に用いられる極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ技術のような用途における高純度酸化スズ膜の堆積に有益であることが示されてきた。
【0003】
アルキルアミノ基およびアルキル基の組み合わせを有する有機スズ化合物が特に関心を引いている。従って、高純度酸化スズ膜の堆積に用いられるそのような有機スズ化合物を高純度形態で製造する改善した方法が求められている。
【発明の概要】
【0004】
アルキル置換基およびアルキルアミノ置換基、またはアルキル置換基およびアルコキシ置換基を有する一定の有機スズ化合物を調製する容易な方法を提供する。１つの実施形態では、上記方法は、高純度形態の有機スズ前駆体化合物、例えばトリス（ジメチルアミド）イソプロピルスズ（ＣＡＳ Ｎｏ．１９１３９７８－８９－８）を提供する。従って、上記方法の生成物は、例えばマイクロエレクトロニクス装置の製造に用いられる極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ技術における、高純度酸化スズ膜の堆積において特に有益である。
【0005】
本発明は、式（Ｉ）の化合物
［式中、それぞれのＲは独立してＣ１～Ｃ５アルキル基から選択され、それぞれのＲ１は独立してＣ１～Ｃ５アルキル基から選択され、Ｒ２は水素またはＣ１～Ｃ５アルキル基から選択される］
を調製する方法に関する。上記方法は、式（Ａ）の化合物
［式中、Ｍはナトリウム、リチウム、またはカリウムから選択される］
を式Ｌ－Ｒ２の化合物［式中、Ｌは脱離基である］と接触させることを含む。
を調製する方法に関する。上記方法は、式（Ａ）の化合物
を式Ｌ－Ｒ２の化合物［式中、Ｌは脱離基である］と接触させることを含む。
【0006】
本発明は、更に、式（Ｉ）の化合物
［式中、それぞれのＲは独立してＣ１～Ｃ５アルキル基から選択され、それぞれのＲ１は独立してＣ１～Ｃ５アルキル基から選択され、Ｒ２は水素またはＣ１～Ｃ５アルキル基から選択される］
を調製する方法に関する。上記方法は、式（ＩＩ）の化合物
［式中、それぞれのＲ３は独立して直鎖または分岐鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基、フェニル基、および置換フェニル基から選択される］
を式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物と接触させることを含む。
を調製する方法に関する。上記方法は、式（ＩＩ）の化合物
を式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物と接触させることを含む。
【0007】
本発明は、更に、式（ＩＩ）の化合物
［式中、それぞれのＲ３は独立して直鎖または分岐鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基、フェニル基、および置換フェニル基から選択され、Ｒ２は水素またはＣ１～Ｃ５アルキル基から選択される］
に関する。
に関する。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本明細書および添付の特許請求の範囲で用いられる場合、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、および「その（ｔｈｅ）」は、内容が明らかにそうでないと示さない限り複数の指示物を含む。本明細書および添付の特許請求の範囲で用いられる場合、用語「または」は、通常、内容が明らかにそうでないと示さない限り「および／または」を含む意味で用いられる。
【0009】
用語「約」は、通常、示された値と同等と考えられる（例えば、同じ機能または結果を有する）数値の範囲を言う。多くの場合、用語「約」は、有効数字単位まで四捨五入した数を含んでよい。
【0010】
終点を用いて表される数値範囲は、その範囲内に含まれる全ての数字を含む（例えば、１～５は１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４および５を含む）。
【0011】
第１の態様では、本発明は、式（Ｉ）の化合物
［式中、それぞれのＲは独立してＣ１～Ｃ５アルキル基から選択され、それぞれのＲ１は独立してＣ１～Ｃ５アルキル基から選択され、Ｒ２は水素またはＣ１～Ｃ５アルキル基から選択される］
を調製する方法を提供する。上記方法は、式（Ａ）の化合物
を式Ｌ－Ｒ２の化合物と組み合わせることを含み、Ｌは脱離基、例えばハロゲン化物、または置換もしくは非置換の芳香族スルホネートもしくはアルキルスルホネートであり、Ｍはナトリウム、リチウム、またはカリウムから選択される。例えば、式（Ａ）の化合物は、式Ｌ－Ｒ２の化合物［式中、Ｌがブロモ、ヨード、またはクロロである］と接触させることができる。具体例としては、Ｌがヨードである。
を調製する方法を提供する。上記方法は、式（Ａ）の化合物
【0012】
上記方法では、それぞれのＲおよびそれぞれのＲ１は独立してメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、またはｓｅｃ－ペンチル基を含む直鎖または分岐鎖のアルキル基から選択することができる。１つの特定の実施形態では、それぞれのＲおよびそれぞれのＲ１は独立してＣ１～Ｃ３アルキル基、例えばメチル基、エチル基、またはプロピル基から選択される。更に、上記方法では、Ｒ２はＣ１～Ｃ５アルキル基から選択され、これらは置換または非置換の直鎖または分岐鎖のアルキル基であることができる。例えば、Ｒ２は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、またはｓｅｃ－ペンチル基を含む直鎖または分岐鎖のアルキル基であってよい。更に、Ｒ２は環状Ｃ１～Ｃ５基、例えばシクロプロピル基であることができる。また、Ｒ２は不飽和Ｃ１～Ｃ５基、例えばビニル基またはアセチレニル基であってよい。これらのＲ２のうちのいずれもが、例えば１つまたは複数のハロゲン基またはエーテル基で更に置換されていてもよい。例えば、Ｒ２は式－（ＣＨ２）ｎ（ＣＨａＦｂ）ｍを有するフッ素化アルキル基であってよく、ここでｍは１～５かつｍ＋ｎは１～５であり、ｂは１～３かつａ＋ｂ＝３であり、モノフッ素置換Ｃ１～Ｃ５アルキル基、例えば－ＣＨ２Ｆ基または－ＣＨ２ＣＨ２Ｆ基、および全フッ素置換Ｃ１～Ｃ５基、例えば－ＣＦ３基またはＣＦ２ＣＦ３基を含む。あるいは、Ｒ２はアルキルエーテル基であってよく、ここでアルキル部分はＣ１～Ｃ５アルキル基である。１つの特定の実施形態では、それぞれのＲおよびそれぞれのＲ１はメチルであり、Ｒ２はメチル、エチル、またはイソプロピルである。また、Ｍは好ましくはリチウムであってよい。式（Ａ）の化合物は、式（Ｉ）の化合物の合成における有益な中間体である。
【0013】
式Ａの化合物
は、ジハロスタンナン、例えばＳｎＣｌ２と式（Ｂ）の化合物
との反応により調製することができる。
【0014】
この点においては、ＳｎＣｌ２の量に基づいて少なくとも約３モル当量の式（Ｂ）の化合物が用いられ、式（Ａ）の化合物が形成されるが、必要であれば更なる当量が用いられてもよい。例えば、少なくとも約３．２５、３．５、または３．７５を含む少なくとも約３．１モル当量から、約４当量の式（Ｂ）の化合物が用いられてよい。式（Ｂ）の化合物の例は、非求核強塩基、例えばリチウムジエチルアミド、リチウムメチルエチルアミド、リチウムジエチルアミド等を含む。反応は、通常、約－１５℃から適度に上昇した温度、例えば約６０℃の範囲の温度で行うことができるが、例えば反応スケールまたは反応時間に応じて他の温度が用いられてもよい。例えば、反応温度は、約－１０℃～約８０℃、および約－５℃～約７０℃を含む、約－３０℃から約９０℃の間であることができる。いくつかの実施形態では、反応温度が０℃を上回ることが好ましい。好適な溶媒は、例えば、アルカン、例えばヘキサン、および芳香族溶媒、例えばトルエンを含む、非プロトン性溶媒、ならびに例えば、ジメトキシエタンおよびテトラヒドロフランを含む、極性非プロトン性溶媒を含む。他の好適な溶媒が当業者により知られているかまたは決定されうる。更に、この方法の工程の１つ以上は、好ましくは、材料および／または生成物の光への暴露を最小限に抑える条件下で行うことができる（例えば、黄褐色ガラス製品の使用）。
【0015】
従って、式（Ａ）の化合物が形成されるとそのまま、式Ｌ－Ｒ２の化合物（Ｒ２およびＬは上述したとおりである）と反応することができ、式（Ｉ）の化合物が得られる。１つの実施形態では、式（Ｉ）の化合物は、特定の構造
を有する。
【0016】
第２の態様では、本発明は、式（Ｉ）の化合物
［式中、それぞれのＲおよびＲ１は上述したとおりである］
を調製する方法を提供する。この態様では、上記方法は、式（ＩＩ）の化合物
［式中、それぞれのＲ３は独立して直鎖または分岐鎖のＣ１～Ｃ８アルキル基、フェニル基、および置換フェニル基から選択される］
を式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物［式中、Ｒ４はＣ１～Ｃ３アルキル基から選択される］と組み合わせることを含む。例えば、式（ＩＩ）の化合物は、式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物［式中、Ｒ４はメチル基である］と接触させることができる。１つの実施形態では、式（ＩＩ）の化合物について、Ｒ２はメチル、エチル、またはイソプロピルであり、それぞれのＲ３はメチルである。
を調製する方法を提供する。この態様では、上記方法は、式（ＩＩ）の化合物
を式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物［式中、Ｒ４はＣ１～Ｃ３アルキル基から選択される］と組み合わせることを含む。例えば、式（ＩＩ）の化合物は、式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物［式中、Ｒ４はメチル基である］と接触させることができる。１つの実施形態では、式（ＩＩ）の化合物について、Ｒ２はメチル、エチル、またはイソプロピルであり、それぞれのＲ３はメチルである。
【0017】
この態様では、式（Ｉ）の化合物を形成するために、式（ＩＩ）の化合物に比べて少なくとも約３モル当量の式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物が用いられるが、必要であれば更なる当量が用いられてもよい。１つの具体例では、式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物は（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２である。
【0018】
置換フェニル基の例は、Ｃ１～Ｃ４アルキル、Ｃ１～Ｃ４アルコキシ、Ｃ１～Ｃ４アルキルスルホニル、ヒドロキシ、シアノ、ニトロ、ハロ、トリハロメチル、フェニル、フェノキシ、Ｃ３～Ｃ６シクロアルキル等から選択される基で１回または複数回置換されたフェニル基を含む。置換フェニル基の具体例は、２，６－ジ－ｔ－ブチルフェン－１－イル、２，４，６－トリメチルフェニル等を含む。
【0019】
更なる態様では、本発明は、驚くべきことに式（Ｉ）の化合物の合成の中間体として有益であることが見出された、上述した式（ＩＩ）の化合物に関する。
【0020】
式（ＩＩ）の中間体は、ジハロスタンナン、例えばＳｎＣｌ２をモル過剰の式Ｍ－ＯＲ３の化合物［式中、ＭおよびＲ３は上述したとおりである］と反応させて、式（Ｃ）の化合物
［式中、ｎは１以上である］
を得ることにより調製することができる。次いで、この化合物を式Ｘ－Ｒ２の化合物と反応させて、式（ＩＩ）の化合物を得ることができる。
を得ることにより調製することができる。次いで、この化合物を式Ｘ－Ｒ２の化合物と反応させて、式（ＩＩ）の化合物を得ることができる。
【0021】
上記の態様では、ｎは式（Ｃ）のＲ３基の相対サイズに応じて１以上であり、一定の場合、上記に示す繰り返し単位の重合レベルに応じて非常に大きな数であっても不確定の数であってもよい。従って、示されるように、式（Ｃ）の化合物は、ダイマー、トリマー、オリゴマー、および不確定の長さからなる非常に長い直線状ポリマーさえも形成する傾向がある。例えば、式（Ｃ）の化合物は、構造
を有する。
更に、式（Ｃ）の化合物の形成は、常に、例えばダイマー、トリマー等の種類の混合群を生じさせる。式（Ｃ）の中間化合物は、ＳｎＣｌ２と式Ｍ－ＯＲ３の化合物［式中、ＭおよびＲ３は上述したとおりである］とを反応させることにより調製することができる。モル過剰、例えば約２モル当量の式Ｍ－ＯＲ３の化合物をいくつかの場合に用いることができるが、必要であれば更なる当量が用いられてもよい。例えば、少なくとも約２．２５、２．５、または２．７５を含む少なくとも約２．１モル当量から、約３当量の式（Ｂ）の化合物が用いられてよい。第１の態様については、反応は、約－１５℃から適度に上昇した温度、例えば約６０℃の範囲の温度で行うことができるが、他の温度が用いられてもよい。例えば、反応温度は、約－１０℃～約８０℃、および約－５℃～約７０℃を含む、約－３０℃から約９０℃の間であることができる。いくつかの実施形態では、反応温度が０℃を上回ることが好ましい。好適な溶媒は、例えば、アルカン、例えばヘキサン、および芳香族溶媒、例えばトルエンを含む、非プロトン性溶媒、ならびに例えば、ジメトキシエタンおよびテトラヒドロフランを含む、極性非プロトン性溶媒を含む。他の好適な溶媒が当業者により知られているかまたは決定されうる。更に、この方法の工程の１つ以上は、好ましくは、材料および／または生成物の光への暴露を最小限に抑える条件下で行うことができる（例えば、黄褐色ガラス製品の使用）。
更に、式（Ｃ）の化合物の形成は、常に、例えばダイマー、トリマー等の種類の混合群を生じさせる。式（Ｃ）の中間化合物は、ＳｎＣｌ２と式Ｍ－ＯＲ３の化合物［式中、ＭおよびＲ３は上述したとおりである］とを反応させることにより調製することができる。モル過剰、例えば約２モル当量の式Ｍ－ＯＲ３の化合物をいくつかの場合に用いることができるが、必要であれば更なる当量が用いられてもよい。例えば、少なくとも約２．２５、２．５、または２．７５を含む少なくとも約２．１モル当量から、約３当量の式（Ｂ）の化合物が用いられてよい。第１の態様については、反応は、約－１５℃から適度に上昇した温度、例えば約６０℃の範囲の温度で行うことができるが、他の温度が用いられてもよい。例えば、反応温度は、約－１０℃～約８０℃、および約－５℃～約７０℃を含む、約－３０℃から約９０℃の間であることができる。いくつかの実施形態では、反応温度が０℃を上回ることが好ましい。好適な溶媒は、例えば、アルカン、例えばヘキサン、および芳香族溶媒、例えばトルエンを含む、非プロトン性溶媒、ならびに例えば、ジメトキシエタンおよびテトラヒドロフランを含む、極性非プロトン性溶媒を含む。他の好適な溶媒が当業者により知られているかまたは決定されうる。更に、この方法の工程の１つ以上は、好ましくは、材料および／または生成物の光への暴露を最小限に抑える条件下で行うことができる（例えば、黄褐色ガラス製品の使用）。
【0022】
別の態様では、本発明は、以下のスキームに示されるような、上記の式（Ｉ）の化合物が、例えば室温で式Ｒ３－ＯＨのアルコールを用いた処理により式（ＩＩ）の化合物に変換されうる方法を提供する。
式（Ｉ）のスズアミドを式（ＩＩ）のスズアルコキシドに変換することにより、スズアミドを形成する反応により生じるいずれの不純物もまた変換される。例えば、式（Ｉ）の化合物が式（Ｉａ）
を有する不純物を含むことがあり、これは特に蒸留により式（Ｉ）の化合物から分離するのが非常に困難でありうる。
これらの不純物は、混合物が上記に示されるように対応するアルコキシドに変換される場合、式（ＩＩ）の化合物から除去するのがはるかに容易なことがある。更に、Ｒ３がかさ高く、例えばイソプロピル基である場合、再結晶による精製もまた可能なことがある。精製されると、次いで、式（ＩＩ）の化合物は上述したように式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物と反応することができ、それによりかなりの量の式（Ｉａ）の化合物を低減しつつ式（Ｉ）の化合物を再形成し、例えば９０％、９５％、９７％または９９％を超えるこの不純物が除去される。従って、この態様は、式（Ｉ）の化合物を精製する方法でありうる。
これらの不純物は、混合物が上記に示されるように対応するアルコキシドに変換される場合、式（ＩＩ）の化合物から除去するのがはるかに容易なことがある。更に、Ｒ３がかさ高く、例えばイソプロピル基である場合、再結晶による精製もまた可能なことがある。精製されると、次いで、式（ＩＩ）の化合物は上述したように式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物と反応することができ、それによりかなりの量の式（Ｉａ）の化合物を低減しつつ式（Ｉ）の化合物を再形成し、例えば９０％、９５％、９７％または９９％を超えるこの不純物が除去される。従って、この態様は、式（Ｉ）の化合物を精製する方法でありうる。
【0023】
上記に示したように、そのようにして生成された式（Ｉ）の化合物は、マイクロエレクトロニクス装置の表面上の酸化スズ膜の堆積における前駆体として有益である、
【0024】
本発明は、その一定の実施形態の以下の実施例により更に説明することができるが、これらの実施例は単に説明の目的のために含まれるものであり、別の方法で明確に示されない限り本発明の範囲を制限することを意図されないことが理解される。
【実施例】
【0025】
実施例１
塩化スズ（ＩＩ）（ＳｎＣｌ２）（１．０ｇ、５．２１ｍｍｏｌ）およびリチウムジメチルアミド（ＬｉＮ（ＣＨ３）２）（０．８３６ｇ、１６．４ｍｍｏｌ）を、磁気撹拌子を備えた２０ｍＬシンチレーションバイアルに投入し、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１０ｍＬ）で希釈した。得られた桃色混合物を５５℃で６０時間加熱した。得られた灰色混合物を０．２μｍシリンジフィルターでろ過し、暗赤色溶液を得た。２－ヨードプロパン（０．８８５ｇ、５．２１ｍｍｏｌ）を得られた暗赤色溶液に添加し、反応物を６０℃で撹拌しながら１時間加熱し、それにより色がより淡いオレンジ色に変化した。得られたそのままの反応混合物の１Ｈ－ＮＭＲおよび１１９Ｓｎ－ＮＭＲは、ｉＰｒＳｎ（Ｎ（ＣＨ３）２）３の形成と一致する（１１９Ｓｎ－ＮＭＲ、－６４．１８ｐｐｍ）。
塩化スズ（ＩＩ）（ＳｎＣｌ２）（１．０ｇ、５．２１ｍｍｏｌ）およびリチウムジメチルアミド（ＬｉＮ（ＣＨ３）２）（０．８３６ｇ、１６．４ｍｍｏｌ）を、磁気撹拌子を備えた２０ｍＬシンチレーションバイアルに投入し、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１０ｍＬ）で希釈した。得られた桃色混合物を５５℃で６０時間加熱した。得られた灰色混合物を０．２μｍシリンジフィルターでろ過し、暗赤色溶液を得た。２－ヨードプロパン（０．８８５ｇ、５．２１ｍｍｏｌ）を得られた暗赤色溶液に添加し、反応物を６０℃で撹拌しながら１時間加熱し、それにより色がより淡いオレンジ色に変化した。得られたそのままの反応混合物の１Ｈ－ＮＭＲおよび１１９Ｓｎ－ＮＭＲは、ｉＰｒＳｎ（Ｎ（ＣＨ３）２）３の形成と一致する（１１９Ｓｎ－ＮＭＲ、－６４．１８ｐｐｍ）。
【0026】
実施例２（Ｒ２Ｓｎ（ＮＲ）（ＮＲ１）からのＲ２Ｓｎ（ＯＲ３）３の調製）
ｉＰｒＳｎ（Ｎ（ＣＨ３）２）３をバイアルに入れ（１．０ｇ、３．４ｍｍｏｌ）、ヘキサン（３．５ｍＬ）を添加した。メタノール（０．４０ｇ、１２．５ｍｍｏｌ）を室温で混合物に添加し、反応がすぐに生じたことを泡立ちにより確認した。５分後、減圧下で溶媒を除去し、白色固形物を得た（０．７６ｇ、２．９８ｍｍｏｌ、８７．７％収率）。1H-NMR (400 MHz, C6D6, 298K) δ 3.81 (s, 9H); 2.38 (m, 1H); 1.48 (d, 6H) ppm.
ｉＰｒＳｎ（Ｎ（ＣＨ３）２）３をバイアルに入れ（１．０ｇ、３．４ｍｍｏｌ）、ヘキサン（３．５ｍＬ）を添加した。メタノール（０．４０ｇ、１２．５ｍｍｏｌ）を室温で混合物に添加し、反応がすぐに生じたことを泡立ちにより確認した。５分後、減圧下で溶媒を除去し、白色固形物を得た（０．７６ｇ、２．９８ｍｍｏｌ、８７．７％収率）。1H-NMR (400 MHz, C6D6, 298K) δ 3.81 (s, 9H); 2.38 (m, 1H); 1.48 (d, 6H) ppm.
【0027】
実施例３（Ｒ２Ｓｎ（ＯＲ３）３からのＲ２Ｓｎ（ＮＲ）（Ｒ１）の調製）
ｉＰｒＳｎ（ＯＣＨ３）３（２．５ｇ、９．８ｍｍｏｌ）を、撹拌子を備えた４０ｍｌバイアルに投入し、１０ｍＬのトルエンで希釈した。別のバイアルにおいて（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２（３．４４ｇ、２９．４ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのトルエンに溶解させた。（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２溶液をｉＰｒＳｎ（ＯＣＨ３）３バイアルに添加し、得られた白色混合物を７０℃で撹拌しながら１２時間加熱した。１時間後、反応物は透明溶液となった。
ｉＰｒＳｎ（ＯＣＨ３）３（２．５ｇ、９．８ｍｍｏｌ）を、撹拌子を備えた４０ｍｌバイアルに投入し、１０ｍＬのトルエンで希釈した。別のバイアルにおいて（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２（３．４４ｇ、２９．４ｍｍｏｌ）を１０ｍＬのトルエンに溶解させた。（ＣＨ３）３ＳｉＮ（ＣＨ３）２溶液をｉＰｒＳｎ（ＯＣＨ３）３バイアルに添加し、得られた白色混合物を７０℃で撹拌しながら１２時間加熱した。１時間後、反応物は透明溶液となった。
【0028】
翌朝、反応物はわずかに濁った無色溶液となった。反応物を室温に冷却し、減圧下で揮発物を除去し、わずかに濁った無色液体を得た（質量：２．４４ｇ、粗収率：８４．７％）。
【0029】
回収物を、撹拌子を備えた５０ｍＬ丸底フラスコに入れた。短経路の蒸留ヘッドを温度計および１０ｍＬ回収フラスコに取り付けた。装置を動的真空下に置いて８００Ｔｏｒｒのベースラインとし、容器を６０℃に加熱した。容器温度が５８℃に達したときに８００Ｔｏｒｒの圧力で回収フラスコ（ヘッド温度：３８℃）に無色液体が観察された。凝縮器に液体が観察されなくなったら、加熱マントルを切った。回収０．９６ｇ、３１．４％収率。生成物のそのままのサンプルについて収集した１Ｈ－ＮＭＲおよび１１９Ｓｎ－ＮＭＲはｉＰｒＳｎ（Ｎ（ＣＨ３）２）３が合成されたことを裏付けるものであり、以前に収集したＮＭＲデータと一致する。
【0030】
実施例４
反応容器において、ＳｎＣｌ２は２モル当量のＬｉ－ＯＣＨ３と反応することができた。次いで、得られた化合物［Ｓｎ（ＯＣＨ３）２］ｎを単離し、２－ヨードプロパンと反応させ、トリス（メトキシ）イソプロピルスタンナンを得ることができた。次いで、得られたトリス（メトキシ）イソプロピルスタンナンを３モル当量の（ＣＨ３）３Ｓｉ－Ｎ（ＣＨ３）２と反応させ、イソプロピル（トリス）ジメチルアミノスズを得ることができた。
反応容器において、ＳｎＣｌ２は２モル当量のＬｉ－ＯＣＨ３と反応することができた。次いで、得られた化合物［Ｓｎ（ＯＣＨ３）２］ｎを単離し、２－ヨードプロパンと反応させ、トリス（メトキシ）イソプロピルスタンナンを得ることができた。次いで、得られたトリス（メトキシ）イソプロピルスタンナンを３モル当量の（ＣＨ３）３Ｓｉ－Ｎ（ＣＨ３）２と反応させ、イソプロピル（トリス）ジメチルアミノスズを得ることができた。
【0031】
実施例５－ＭｅＳｎ（ＮＭｅ２）３の合成
ＬｉＳｎ（ＮＭｅ２）３（２．０ｇ、７．７５ｍｍｏｌ）を、磁気撹拌子を備えた４０ｍＬバイアルに入れ、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解させた。別のバイアルにおいて、ヨードメタン（１．３１ｇ、９．２９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２ｍＬ）で希釈し、その溶液を撹拌しながらＬｉＳｎ（ＮＭｅ２）３溶液に添加し、それにより反応物は濁り、触ると温かくなった。得られた混合物を室温で２日間撹拌した。反応混合物のろ過したアリコートについて１Ｈ－ＮＭＲおよび１１９Ｓｎ－ＮＭＲを記録した。
1H-NMR (400 MHz, THF, 298K): δ 0.29 (s, 3H); 2.61 (s, 18H) ppm. 119Sn {1H} -NMR (149 MHz, THF, 298K): δ -15.04 ppm.
ＬｉＳｎ（ＮＭｅ２）３（２．０ｇ、７．７５ｍｍｏｌ）を、磁気撹拌子を備えた４０ｍＬバイアルに入れ、テトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解させた。別のバイアルにおいて、ヨードメタン（１．３１ｇ、９．２９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２ｍＬ）で希釈し、その溶液を撹拌しながらＬｉＳｎ（ＮＭｅ２）３溶液に添加し、それにより反応物は濁り、触ると温かくなった。得られた混合物を室温で２日間撹拌した。反応混合物のろ過したアリコートについて１Ｈ－ＮＭＲおよび１１９Ｓｎ－ＮＭＲを記録した。
1H-NMR (400 MHz, THF, 298K): δ 0.29 (s, 3H); 2.61 (s, 18H) ppm. 119Sn {1H} -NMR (149 MHz, THF, 298K): δ -15.04 ppm.
【0032】
実施例６－ＥｔＳｎ（ＮＭｅ２）３の合成
ＬｉＳｎ（ＮＭｅ２）３（２．０ｇ、７．７５ｍｍｏｌ）を、磁気撹拌子を備えた４０ｍＬバイアルに入れ、テトラヒドロフラン（１５ｍＬ）に溶解させた。別のバイアルにおいて、ヨードエタン（１．４４ｇ、９．２９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２ｍＬ）で希釈し、その溶液を－３５℃に冷却した。冷却したらヨードエタン溶液を撹拌しながらＬｉＳｎ（ＮＭｅ２）３溶液に添加し、それにより反応物は触ると温かくなった。得られた混合物を室温で２０分間撹拌し、反応混合物のろ過したアリコートについて１Ｈ－ＮＭＲおよび１１９Ｓｎ－ＮＭＲを記録した。ＮＭＲによればＥｔＳｎ（ＮＭｅ２）３が存在していた。
1H-NMR (400 MHz, THF, 298K): δ 0.89 (t, 3H); 1.16 (q, 2H); 2.66 (s, 18H) ppm. 119Sn {1H} -NMR (149 MHz, THF, 298K): δ -39.13 ppm.
ＬｉＳｎ（ＮＭｅ２）３（２．０ｇ、７．７５ｍｍｏｌ）を、磁気撹拌子を備えた４０ｍＬバイアルに入れ、テトラヒドロフラン（１５ｍＬ）に溶解させた。別のバイアルにおいて、ヨードエタン（１．４４ｇ、９．２９ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２ｍＬ）で希釈し、その溶液を－３５℃に冷却した。冷却したらヨードエタン溶液を撹拌しながらＬｉＳｎ（ＮＭｅ２）３溶液に添加し、それにより反応物は触ると温かくなった。得られた混合物を室温で２０分間撹拌し、反応混合物のろ過したアリコートについて１Ｈ－ＮＭＲおよび１１９Ｓｎ－ＮＭＲを記録した。ＮＭＲによればＥｔＳｎ（ＮＭｅ２）３が存在していた。
1H-NMR (400 MHz, THF, 298K): δ 0.89 (t, 3H); 1.16 (q, 2H); 2.66 (s, 18H) ppm. 119Sn {1H} -NMR (149 MHz, THF, 298K): δ -39.13 ppm.
【0033】
実施例７－ＣＦ３ＣＨ２Ｓｎ（ＯｔＢｕ）３の合成
ＣＦ３ＣＨ２Ｓｎ（ＮＭｅ２）３（２ｇ、５．９８ｍｍｏｌ）を、磁気撹拌子を備えた黄褐色４０ｍＬバイアルに入れ、ヘキサン（３ｍＬ）で希釈した。別のバイアルにおいて、ｔＢｕＯＨ（１．３２ｇ、１７．９ｍｍｏｌ）をヘキサン（５ｍＬ）に溶解させ、撹拌しながら２分間にわたってＳｎ－アミド溶液にゆっくりと滴下した。添加を通してわずかな泡立ちが観察された。添加が完了したら、得られた溶液を室温で１０分間撹拌し、次いで、減圧下で乾燥させ、淡黄褐色溶液を得た。Ｃ６Ｄ６溶液について記録した１Ｈ－ＮＭＲ、１３Ｃ－ＮＭＲ、１９Ｆ－ＮＭＲ、および１１９Ｓｎ－ＮＭＲは、ＣＦ３ＣＨ２Ｓｎ（ＯｔＢｕ）３の形成を裏付けるものである。ＮＭＲによる生成物純度＞９０％。
1H-NMR (400 MHz, C6D6, 298K): δ 1.31 (s, 27H); 1.76 (q, 2H) ppm. 13C-NMR (100 MHz, C6D6, 298K): 28.49 (q), 33.55, 33.69, 74.41 ppm. 119Sn {1H} -NMR (149 MHz, C6D6, 298K): δ -228.35 (q) ppm. 19F-NMR (376 MHz, C6D6, 298K); δ -51.95 (t) ppm.
ＣＦ３ＣＨ２Ｓｎ（ＮＭｅ２）３（２ｇ、５．９８ｍｍｏｌ）を、磁気撹拌子を備えた黄褐色４０ｍＬバイアルに入れ、ヘキサン（３ｍＬ）で希釈した。別のバイアルにおいて、ｔＢｕＯＨ（１．３２ｇ、１７．９ｍｍｏｌ）をヘキサン（５ｍＬ）に溶解させ、撹拌しながら２分間にわたってＳｎ－アミド溶液にゆっくりと滴下した。添加を通してわずかな泡立ちが観察された。添加が完了したら、得られた溶液を室温で１０分間撹拌し、次いで、減圧下で乾燥させ、淡黄褐色溶液を得た。Ｃ６Ｄ６溶液について記録した１Ｈ－ＮＭＲ、１３Ｃ－ＮＭＲ、１９Ｆ－ＮＭＲ、および１１９Ｓｎ－ＮＭＲは、ＣＦ３ＣＨ２Ｓｎ（ＯｔＢｕ）３の形成を裏付けるものである。ＮＭＲによる生成物純度＞９０％。
1H-NMR (400 MHz, C6D6, 298K): δ 1.31 (s, 27H); 1.76 (q, 2H) ppm. 13C-NMR (100 MHz, C6D6, 298K): 28.49 (q), 33.55, 33.69, 74.41 ppm. 119Sn {1H} -NMR (149 MHz, C6D6, 298K): δ -228.35 (q) ppm. 19F-NMR (376 MHz, C6D6, 298K); δ -51.95 (t) ppm.
【0034】
本発明は、一定のその実施形態を特に参照して詳細に記載されてきたが、本発明の意図内および範囲内でバリエーションおよび変更が生じうることが理解される。
【手続補正書】
【提出日】2023-10-11
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
式（Ｉ）の化合物を調製する方法であって、
方法が、式（Ａ）の化合物
【請求項2】
Ｌがハロゲン化物、または置換もしくは非置換の芳香族スルホネートもしくはアルキルスルホネートである、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
Ｌがブロモ、ヨード、またはクロロである、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
式（Ａ）の化合物がジハロスタンナンと式（Ｂ）の化合物【請求項5】
式（Ｉ）の化合物を調製する方法であって、
方法が、式（ＩＩ）の化合物
を式（Ｒ４）３Ｓｉ－Ｎ（Ｒ）（Ｒ１）の化合物［式中、Ｒ４はＣ１～Ｃ３アルキル基から選択される］と接触させることを含む、方法。
【国際調査報告】