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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-02-13
(54)【発明の名称】液相コンフォーマルシリコン酸化物スピンオン堆積
(51)【国際特許分類】
H01L 21/316 20060101AFI20240205BHJP
C23C 20/08 20060101ALI20240205BHJP
【ＦＩ】
H01L21/316 G
C23C20/08
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023547700
(86)(22)【出願日】2022-02-03
(85)【翻訳文提出日】2023-09-22
(86)【国際出願番号】 US2022015048
(87)【国際公開番号】W WO2022169934
(87)【国際公開日】2022-08-11
(31)【優先権主張番号】63/147,028
(32)【優先日】2021-02-08
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(71)【出願人】
【識別番号】514028776
【氏名又は名称】トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス，インコーポレーテッド
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】クラーク，ロバート ディー．
【テーマコード（参考）】
4K022
5F058
【Ｆターム（参考）】
4K022AA02
4K022AA37
4K022BA15
4K022BA20
4K022CA09
4K022CA14
4K022CA25
4K022DA06
4K022DB01
4K022DB18
4K022DB24
4K022EA02
5F058BA09
5F058BB05
5F058BC02
5F058BC03
5F058BD04
5F058BD05
5F058BF46
5F058BH04
5F058BH07
5F058BJ07
(57)【要約】
液相コンフォーマルシリコン酸化物スピンオン堆積の方法は、プロセスチャンバ内に基板を提供することと、第１の液体内のアルミニウムを含有する第１の反応物質を基板上でスピンして、基板上に第１の反応物質の自己制御層を形成することと、第２の液体内のシラノール試薬を含有する第２の反応物質を基板上でスピンすることであって、第１の反応物質の自己制御層が、基板上のシラノール試薬の吸着を触媒する、スピンすることと、基板を熱処理して、吸着したシラノール試薬からシリコン酸化膜を形成することと、を含む。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を処理する方法であって、プロセスチャンバ内に基板を提供することと、
第１の液体内のアルミニウムを含有する第１の反応物質を前記基板上でスピンして、前記基板上に前記第１の反応物質の自己制御層を形成することと、
第２の液体内のシラノール試薬を含有する第２の反応物質を前記基板上でスピンすることであって、前記第１の反応物質の前記自己制御層が、前記基板上の前記シラノール試薬の吸着を触媒する、前記スピンすることと、
前記基板を熱処理して、吸着した前記シラノール試薬からシリコン酸化膜を形成することと、
を含む、方法。
【請求項2】
前記第１の反応物質及び前記第２の反応物質の表面飽和を増大させるために、前記スピンするステップを少なくとも１回順次繰り返すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記基板上の前記シリコン酸化膜の厚さを増加させるために、前記スピンするステップ及び前記熱処理を少なくとも１回順次繰り返すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記スピンするステップのうちの１つ若しくは複数の後、前記熱処理の後、又はその両方の後に、前記基板をリンス液でリンスすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記リンス液が、オクタン、イソオクタン、ピリジン、トルエン、グリコール、ケトン、エーテル、アルコール、又はキシレンを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項6】
前記基板が、異なる第１の露出材料表面及び第２の露出材料表面を含み、前記シリコン酸化膜が、選択的に前記第１の露出材料表面上に形成されるが、前記第２の露出材料表面上には形成されない、請求項１に記載の方法。
【請求項7】
前記第１の露出材料表面が、誘電材料表面を含み、前記第２の露出材料表面が、金属表面を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項8】
前記基板が、隆起特徴を含み、前記シリコン酸化膜が、前記隆起特徴の面上にコンフォーマルに形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項9】
前記アルミニウムを含有する第１の反応物質が、アルミニウム塩、アルミニウムアルコキシド、有機金属アルミニウム化合物、又は有機金属系アルミニウム化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項10】
前記シラノール試薬を含有する第２の反応物質が、アルコキシシラノールを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項11】
前記アルコキシシラノールが、トリス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノール、メチル－ビス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、又はメチル－ビス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノールを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項12】
前記熱処理が、約８０℃～約２００℃の間の温度で前記基板をベーキングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項13】
前記熱処理が、約１００℃～約１５０℃の間の温度で前記基板をベーキングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項14】
前記第１の反応物質を前記基板上で前記スピンすること、前記第２の反応物質を前記基板上で前記スピンすること、及び前記熱処理のうちの１つ又は複数が、実質的に水分がない不活性雰囲気下で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項15】
基板を処理する方法であって、プロセスチャンバ内に基板を提供することであって、前記基板が隆起特徴を含む、前記提供することと、
第１の液体内のトリメチルアルミニウムを含有する第１の反応物質を前記基板上でスピンして、前記基板上に前記第１の反応物質の自己制御層を形成することと、
第２の液体内のシラノール試薬を含有する第２の反応物質を前記基板上でスピンすることであって、前記トリメチルアルミニウムの前記自己制御層が、前記基板上の前記シラノール試薬の吸着を触媒する、前記スピンすることと、
前記基板を熱処理して、吸着した前記シラノール試薬から前記隆起特徴の表面上にコンフォーマルなシリコン酸化膜を形成することと、
を含む、方法。
【請求項16】
前記シラノール試薬を含有する第２の反応物質が、アルコキシシラノールを含み、前記アルコキシシラノールが、トリス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノール、メチル－ビス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、又はメチル－ビス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノールを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項17】
前記熱処理が、約８０℃～約２００℃の間の温度で前記基板をベーキングすることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項18】
前記基板上の前記シリコン酸化膜の厚さを増加させるために、前記第１の反応物質を前記基板上で前記スピンすること、前記第２の反応物質を前記基板上で前記スピンすること、及び前記熱処理することを、少なくとも１回順次繰り返すことをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項19】
基板を処理する方法であって、プロセスチャンバ内に基板を提供することであって、前記基板が、異なる第１の露出材料表面及び第２の露出材料表面を含む、前記提供することと、
第１の液体内のトリメチルアルミニウムを含有する第１の反応物質を前記基板上でスピンして、前記基板上の前記第１の露出表面上に前記トリメチルアルミニウムの自己制御層を選択的に形成することと、
第２の液体内のシラノール試薬を含有する第２の反応物質を前記基板上でスピンすることであって、前記トリメチルアルミニウムの前記自己制御層が、前記第１の露出材料表面上の前記シラノール試薬の選択的吸着を触媒する、前記スピンすることと、
前記基板を熱処理して、吸着した前記シラノール試薬から前記第１の露出材料表面上にコンフォーマルなシリコン酸化膜を選択的に形成することと、
を含む、方法。
【請求項20】
前記シラノール試薬を含有する第２の反応物質が、アルコキシシラノールを含み、前記アルコキシシラノールが、トリス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノール、メチル－ビス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、又はメチル－ビス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノールを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項21】
前記第１の露出材料表面上の前記シリコン酸化膜の厚さを増加させるために、前記第１の反応物質を前記基板上で前記スピンすること、前記第２の反応物質を前記基板上で前記スピンすること、及び前記熱処理することを、少なくとも１回順次繰り返すことをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連特許及び出願の相互参照
本出願は、２０２１年２月８日に出願された米国仮特許出願第６３／１４７，０２８号明細書に対する優先権及びその出願日の利益を主張するものであり、その出願の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本出願は、２０２１年２月８日に出願された米国仮特許出願第６３／１４７，０２８号明細書に対する優先権及びその出願日の利益を主張するものであり、その出願の全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
本発明は、概して、半導体デバイス用の基板上にコンフォーマル酸化物を堆積させる方法に関し、より詳細には、コンフォーマル液相スピンオン堆積によって基板上にシリコン酸化膜を堆積させる方法に関する。
【背景技術】
【0003】
マルチパターニング及び自己整合型パターニング方式は、半導体産業の至る所で使用されている。パターニングプロセスにおいて、酸化物層が側壁スペーサとして頻繁に使用されており、高スループットで低コストのコンフォーマル酸化物層の必要性が、増大し続けている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明の実施形態は、液相コンフォーマルシリコン酸化物スピンオン堆積のための処理システム及び方法を説明する。一実施形態によれば、方法は、プロセスチャンバ内に基板を提供することと、第１の液体内のアルミニウムを含有する第１の反応物質を基板上でスピンして、基板上に第１の反応物質の自己制御層を形成することと、第２の液体内のシラノール試薬を含有する第２の反応物質を基板上でスピンすることであって、第１の反応物質の自己制御層が、基板上の第２の反応物質の吸着を触媒する、スピンすることと、基板を熱処理して、吸着したシラノール試薬からシリコン酸化膜を形成することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0005】
【図1】本発明の実施形態による、基板を処理するためのプロセスフロー図である。
【図2A-2F】本発明の実施形態による、隆起特徴上に側壁スペーサを形成する方法を、断面図を通して概略的に示す。
【図3】本発明の実施形態による、基板を処理するための処理システムを概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【0006】
本発明の実施形態は、液相コンフォーマルシリコン酸化物スピンオン堆積のための処理システム及び方法を与える。
【0007】
図１は、本発明の実施形態による、基板を処理するためのプロセスフロー図１である。ステップ１００において、方法は、処理システムのプロセスチャンバ内に基板を提供することを含む。例示的な処理システムは、図３に概略的に示されている。処理システムは、２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板、又はより大きなサイズの基板を処理するように構成されてもよい。実際、当業者には理解されるように、処理システムは、基板、ウェハ、又はＬＣＤをそれらのサイズに関係なく処理するように構成され得ることが企図される。したがって、本発明の実施形態の態様は、半導体基板の処理に関連して説明されるが、本発明は、それだけに限定されるものではない。
【0008】
ステップ１０２において、方法は、第１の液体内のアルミニウムを含有する第１の反応物質を基板上でスピンすることを含む。アルミニウムを含有する第１の反応物質は、例えば、アルミニウム塩、直接アルミニウムカーボン接合のない有機金属アルミニウム化合物、又は直接アルミニウムカーボン接合を含む有機金属系アルミニウム化合物を含み得る。アルミニウム塩の例は、硫酸アルミニウム（Ａｌ２（ＳＯ４）３）、臭化アルミニウム（ＡｌＢｒ３）、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）、ヨウ化アルミニウム（ＡｌＩ３）、及び水酸化アルミニウム水和物（Ａｌ（ＯＨ）３ｘＨ２Ｏ）を含む。有機金属アルミニウム化合物の例は、アルミニウムβ－ジケトネート、アルミニウムアルコキシド、アルミニウムジアルキルアミド、及びアルミニウムホスフィン錯体を含む。アルミニウムβ－ジケトネートの例は、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）（Ａｌ（ａｃａｃ）３）及びアルミニウムトリス（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（Ａｌ（ｈｆａｃ）３）を含む。アルミニウムアルコキシドの例は、ｉ－Ｐｒがイソプロピル基であるアルミニウムイソプロポキシド（Ａｌ（Ｏ－ｉ－Ｐｒ）３、及びｔ－Ｂｕがｔｅｒｔ－ブトキシド基であるアルミニウムｔｅｒｔ－ブトキシド（Ａｌ（Ｏ－ｔ－Ｂｕ）３を含む。アルミニウムジアルキルアミドの例は、トリス（ジメチルアミノ）アルミニウム（（Ｍｅ２Ｎ）３Ａｌ）及びトリス（ジエチルアミノ）アルミニウム（（Ｅｔ２Ｎ）３Ａｌ）を含む。アルミニウムホスフィン錯体の一例は、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）を含む。有機金属系アルミニウム化合物の例は、トリメチルアルミニウム（（Ａｌ３Ｍｅ６））及びトリエチルアルミニウム（Ａｌ２Ｅｔ６）を含む。
【0009】
第１の液体は、第１の反応物質を容易に溶解し、且つプロセスチャンバ内における第１の反応物質の基板への輸送を容易にする、有機化合物を含み得る。第１の液体の非限定的な例は、オクタン及びピリジンを含む。ステップ１０２は、回転基板の上面の上方に位置する液体吐出ノズルを用いて実行され得る。基板に接触すると、第１の反応物質の自己制御層又は第１の反応物質の反応生成物が基板上に形成され、第１の液体内の過剰な第１の反応物質が、基板から振り落とされる。
【0010】
ステップ１０４において、基板は、任意選択で、リンス液でリンスされる。基板は、リンス中スピンしていてもよく、リンスは、過剰な第１の反応物質及び反応副生成物を基板から除去することに役立ち得る。リンス液の非限定的な例は、オクタン、イソオクタン、ピリジン、トルエン、グリコール、ケトン、エーテル、アルコール、又はキシレンを含む。
【0011】
ステップ１０６において、方法は、第２の液体内のシラノール試薬を含有する第２の反応物質を基板上でスピンすることであって、アルミニウムを含有する第１の反応物質の自己制御層が、基板上のシラノール試薬の吸着を触媒する、スピンすることを含む。シラノール試薬を含有する第２の反応物質は、アルコキシシラノール、例えば、トリス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノール、メチル－ビス（ｔｅｒｔ－ブトキシ）シラノール、又はメチル－ビス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノールを含み得る。
【0012】
第２の液体は、第２の反応物質を容易に溶解し、且つプロセスチャンバ内における第２の反応物質の基板への輸送を容易にする、有機化合物を含み得る。第２の液体の非限定的な例は、オクタン及びピリジンを含む。ステップ１０６は、回転基板の上面の上方に位置する液体吐出ノズルを用いて実行され得る。基板に接触すると、第２の反応物質の層又は第２の反応物質の反応生成物が基板上に形成され、第２の液体内の過剰な第１の反応物質が、基板から振り落とされる。
【0013】
一例では、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を含有する第１の反応物質は、Ｓｉ－ＯＨ表面種を含有する基板上にスピンされ、その後、トリス（ｔｅｒｔ－ペントキシ）シラノール（ＴＰＳＯＬ）を含有する第２の反応物質が、基板上にスピンされ、それが、吸着したＡｌ含有触媒と反応して、Ｃ５Ｈ１０のβ－Ｈ除去によりＳｉＯＨ表面種を形成する。吸着したＡｌ含有触媒は、Ａｌ含有触媒が封鎖され、且つ触媒活性が停止する前に、複数のＴＰＳＯＬ分子と反応することが可能である。その後、ＴＰＳＯＬが基板上に加えられることはない。
【0014】
ステップ１０８において、基板は、任意選択で、リンス液でリンスされる。基板は、リンス中スピンしていてもよく、リンスは、過剰な第２の反応物質及び反応副生成物を基板から除去することに役立ち得る。リンス液の非限定的な例は、オクタン及びピリジンを含む。
【0015】
ステップ１０２～１０８のシーケンスは、基板上の第１の反応物質及び第２の反応物質の表面被覆率を増加させるために少なくとも１回繰り返されてもよい。これは、プロセス矢印１１０によって概略的に示されている。一実施形態によれば、第１の反応物質を基板上でスピンすること、第２の反応物質を基板上でスピンすること、及び熱処理のうちの１つ又は複数が、実質的に水分がない不活性雰囲気下で実行される。
【0016】
ステップ１１２において、基板は、熱処理されて、吸着したシラノール試薬又は部分的に反応したシラノール試薬からシリコン酸化膜が形成される。熱処理は、ステップ１０２～１０８の温度よりも高く基板温度を上昇させることによって実行されてもよく、基板から残りの液体全てを放出し、且つ吸着したシラノール試薬に反応してシリコン酸化膜を形成するのに十分高い基板温度で行われてもよい。いくつかの例では、熱処理は、約８０℃～約２００℃、又は約１００℃～約１５０℃の間の温度で基板をベーキングすることを含み得る。結果として得られるシリコン酸化膜の化学組成は、ＳｉＯｘを含んでもよく、ここで、ｘは２以下である。
【0017】
ステップ１０２～１１２のシーケンスは、シリコン酸化膜の厚さを増加させるために少なくとも１回繰り返されてもよい。これは、プロセス矢印１１４によって概略的に示されている。
【0018】
一実施形態によれば、基板は、異なる第１の露出材料表面及び第２の露出材料表面を含み、第１の液体内のアルミニウムを含有する第１の反応物質を基板上でスピンすることは、選択的に第１の反応物質の自己制御層を第１の露出材料表面上に形成するが、第２の露出材料表面上には形成しない。その後、第２の液体内のシラノール試薬を含有する第２の反応物質を基板上でスピンすること、第１の反応物質の自己制御層は、第１の露出表面上に吸着するが第２の露出表面上には吸着しない、シラノール試薬の選択的吸着を触媒する。続く熱処理ステップは、高品質で低汚染のシリコン酸化膜を第１の露出表面上にのみ選択的に形成する。
【0019】
いくつかの例では、第１の露出材料表面は、誘電材料面、例えばＳｉＯ２、高誘電率（ｈｉｇｈ－ｋ）材料、又は低誘電率（ｌｏｗ－ｋ）材料を含み得る。例えば、高誘電率材料は、金属酸化物、例えばＡｌ２Ｏ３又はＨｆＯ２を含み得る。例えば、低誘電率材料は、ＳｉＣＯＨ材料を含み得る。一例では、第２の露出材料表面は、金属面、例えばＣｕ、Ｒｕ、Ｃｏ、又はＷを含み得る。一実施形態によれば、基板は、パターニングされた特徴を含み、シリコン酸化膜は、少なくとも実質的に一定の厚さで、パターニングされた特徴の上にコンフォーマルに堆積される。パターニングされた特徴は、例えば、窪んだ特徴、隆起した特徴、及びそれらの組み合わせを含み得る。
【0020】
スピンオンプロセスを用いて、高いウェハ（基板）スループットが半導体製造設定で達成可能であり、したがって、所有コストは、スピンオンプロセス固有の速度に起因して、従来の気相堆積と比較して減少している。加えて、スピンオンプロセスを使用するとき、１つの槽から別の槽へ基板を移動することなく、且つウェハをハンドリングすることなく、反応が複数サイクルを通過し得る。それによって、スピンオンプロセスを用いた基板の汚染の可能性が低下する。さらに、水を残すことなく塗布又は熱処理時に完全に乾燥する反応物質及び液体の使用が、プロセスのスループットを増加させ、自己制限的方法で反応が進行することを保証する方法を提供する。いくつかの例では、スピンオンプロセスは、フォトレジストスピンオン及び熱処理（ベーキング）に従来使用されているトラックベースプラットフォーム上で実行されてもよく、半導体製造における重要な適用は、自己整合型の複数パターニング方式を含み得る。
【0021】
図２Ａ～２Ｆは、本発明の実施形態による、隆起特徴上に側壁スペーサを形成する方法を、断面図を通して概略的に示す。図２Ａは、隆起特徴２０２及びベース領域２００を含むパターニングされた基板２を示す。いくつかの例では、隆起特徴２０２の幅は、約５ｎｍ～約２００ｎｍ、約５ｎｍ～約５０ｎｍ、約５ｎｍ～約２０ｎｍ、約１０ｎｍ～約１００ｎｍ、又は約１０ｎｍ～約５０ｎｍであり得る。いくつかの例では、隆起特徴２０２の高さは、約１０ｎｍ～約５００ｎｍ、約２０ｎｍ～約２００ｎｍ、約２０ｎｍ～約１００ｎｍ、約５０ｎｍ～約５００ｎｍ、又は約５０ｎｍ～約２００ｎｍであり得る。
【0022】
図２Ｂは、第１の液体内のアルミニウムを含有する第１の反応物質をスピンオンした後のパターニングされた基板２を示す。パターニングされた基板２に接触すると、第１の反応物質の自己制御層２０４又は第１の反応物質の反応生成物が基板２上に形成され、第１の液体内の過剰な第１の反応物質が、基板から振り落とされる。その後、パターニングされた基板２は、任意選択で、リンス液でリンスされる。基板は、リンス中スピンしていてもよく、リンスは、過剰な第１の反応物質及び反応副生成物を、パターニングされた基板２から除去することに役立ち得る。第１の反応物質の吸着の自己制限的性質は、場合によってはほぼ完璧に、非常に小さなナノメートルスケール寸法においても、比較的高いアスペクト比構造上に非常に高いコンフォーマリティをもたらす。このことによって、大きな基板領域にわたる優れた厚さ制御及び極端に低い非均一性が可能となる。
【0023】
図２Ｃは、第２の液体内でシラノール試薬を含有する第２の反応物質をスピンオンした後のパターニングされた基板２を示す。基板に接触すると、第２の反応物質のコンフォーマル層２０６又は第２の反応物質の反応生成物がパターニングされた基板２上に形成され、第２の液体内の過剰な第１の反応物質が、パターニングされた基板２から振り落とされる。
【0024】
図２Ｄは、吸着したシラノール試薬及びその反応生成物からシリコン酸化膜を形成する熱処理の後の、パターニングされた基板２を示す。熱処理は、スピンオン及びリンスステップの温度よりも高く基板温度を上昇させることによって実行されてもよく、基板から残りの液体全てを放出し、且つ吸着したシラノール試薬に完全に反応してシリコン酸化膜を形成するのに十分高い基板温度で行われてもよい。いくつかの例では、熱処理は、約８０℃～約２００℃、又は約１００℃～約１５０℃の間の温度で基板をベーキングすることを含み得る。
【0025】
図２Ｅは、厚いシリコン酸化膜２１０を形成するためのスピン、リンス、及び熱処理のステップの繰り返しの後の、パターニングされた基板２を示す。
【0026】
図２Ｆは、隆起特徴２０２の側壁上に側壁スペーサ２１２を形成する異方性ドライエッチングプロセスの後の、パターニングされた基板２を示す。
【0027】
図３は、本発明の実施形態による、基板を処理するための処理システム３００を概略的に示す。処理システム３００は、半導体産業が現在基板（ウェハ）をフォトレジスト層でコーティングするために採用しているものに類似した、半閉鎖スピンオン堆積システムであり得る。半閉鎖構成は、ヒューム制御を可能にし、排気量を最小化する。処理システム３００は、基板３０２を支持し、加熱し、回転する（スピンする）ための基板ホルダ３１２を含むプロセスチャンバ３１０と、回転手段３１８（例えばモータ）と、処理液体３１６を基板３０２の上面に提供するように構成された液体吐出ノズル３１４と、を含む。液体供給システム３０４、３０６、及び３０８は、液体吐出ノズル３１４に異なる処理液体を供給する。異なる処理液体は、例えば、第１の液体内のアルミニウムを含有する第１の反応物質、第２の液体内のシラノール試薬を含有する第２の反応物質、及びリンス液を含み得る。他の実施形態によれば、処理システム３００は、基板に異なる液体を提供するための追加の液体吐出ノズル（図示せず）を含んでもよい。例示的な回転速度は、基板３０２の上面を処理液体３１６に露出している間、約５００ｒｐｍ～約１５００ｒｐｍ、例えば１０００ｒｐｍであってもよい。
【0028】
処理システム３００は、プロセスチャンバ３１０に連結されプロセスチャンバ３１０を制御し得るコントローラ３２０と、液体供給システム３０４、３０６、及び３０８と、液体吐出ノズル３１４と、回転手段３１８と、基板ホルダ３１２を加熱する手段と、をさらに含む。基板３０２は、膜堆積中に不活性雰囲気下にあってもよい。処理システム３００は、２００ｍｍ基板、３００ｍｍ基板、又はより大きなサイズの基板を処理するように構成されてもよい。当業者には理解されるように、処理システム３００は、基板、ウェハ、又はＬＣＤをそれらのサイズに関係なく処理するように構成され得る。したがって、本発明の態様は、半導体基板の処理に関連して説明されるが、本発明は、それだけに限定されるものではない。
【0029】
処理システム３００は、基板ホルダ３１２を加熱することによって、基板３０２を熱処理するように構成され得る。代替として、基板３０２は、熱処理のために第２の処理システム（図示せず）に移送されてもよい。
【0030】
液相コンフォーマルシリコン酸化物スピンオン堆積のための処理システム及び方法は、様々な実施形態において開示されている。本発明の実施形態の上記の説明は、例示と解説のために提示されている。この説明は、網羅的であること又は開示されているまさにその形態に本発明を限定することを意図するものではない。本明細書及び以下の特許請求の範囲は、説明目的でのみ使用され、限定するものとして解釈されるべきではない用語を含む。関連する技術分野の当業者であれば、上記の教示に照らして多くの修正形態及び変形形態が可能であることを理解し得る。当業者は、図面に示されている様々な構成要素の様々な等価な組み合わせ及び置換形態を認識するであろう。したがって、本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、むしろ本明細書に添付された特許請求の範囲によって限定されることを意図している。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図2F】
【図3】
【国際調査報告】