特表 2024-510995 接続アセンブリ

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-03-12

(54)【発明の名称】接続アセンブリ

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20240305BHJP

   H05G 2/00 20060101ALI20240305BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 503

G03F7/20 521

H05G2/00 K

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023555756

(86)(22)【出願日】2022-02-21

(85)【翻訳文提出日】2023-10-19

(86)【国際出願番号】 EP2022054228

(87)【国際公開番号】W WO2022199959

(87)【国際公開日】2022-09-29

(31)【優先権主張番号】21164821.7

(32)【優先日】2021-03-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】504151804

【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．

(74)【代理人】

【識別番号】100079108

【弁理士】

【氏名又は名称】稲葉 良幸

(74)【代理人】

【識別番号】100109346

【弁理士】

【氏名又は名称】大貫 敏史

(74)【代理人】

【識別番号】100117189

【弁理士】

【氏名又は名称】江口 昭彦

(74)【代理人】

【識別番号】100134120

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 和彦

(72)【発明者】

【氏名】ヴァンデルハリアン，イヴォ

【テーマコード（参考）】

2H197

4C092

【Ｆターム（参考）】

2H197CA10

2H197GA05

2H197GA11

2H197GA12

2H197GA24

2H197HA03

2H197HA04

2H197HA05

2H197HA10

4C092AA06

4C092AA15

4C092AB19

4C092AC09

(57)【要約】

ＥＵＶ光源において使用される高圧液体金属供給システム用の接続アセンブリ（２４）であって、モノリシックブロックを備え、モノリシックブロックは、液体金属を保持するように構成されたリザーバに接続するための少なくとも１つの接続部（２１）と、少なくとも１つの接続部を少なくとも２つの液体金属出口／入口（２２、２３）と流体接続するように構成された内部通路（２５）と、内部の液体金属を固化することによって通路を遮断するように構成された少なくとも２つの凍結弁（１５、１６、１７）と、を備える接続アセンブリ（２４）について記載する。また、このような接続アセンブリを含む液体金属貯蔵アセンブリ、このような液体金属貯蔵アセンブリ又はこのような接続アセンブリを含むリソグラフィ装置、並びに、リソグラフィ装置又は方法におけるこのようなアセンブリ又は装置の使用についても記載する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＥＵＶ光源において使用される高圧液体金属供給システム用の接続アセンブリであって、モノリシックブロックを備え、
前記モノリシックブロックは、
液体金属を保持するように構成されたリザーバに接続するための少なくとも１つの接続部と、
前記少なくとも１つの接続部を少なくとも２つの液体金属出口／入口と流体接続するように構成された内部通路と、
内部の液体金属を固化することによって通路を遮断するように構成された少なくとも２つの凍結弁と、
を備える、接続アセンブリ。

【請求項2】

前記凍結弁と熱的接続した１つ以上の熱調節要素を更に備える、請求項１に記載のアセンブリ。

【請求項3】

前記１つ以上の熱調節要素は、１つ以上の冷却要素、及び／又は、前記凍結弁と熱的接続した１つ以上の加熱要素を含む、請求項２に記載のアセンブリ。

【請求項4】

前記アセンブリは、前記１つ以上の熱調節要素を制御して前記凍結弁を選択的に開閉するように構成された１つ以上のコントローラを備える、請求項２又は３に記載のアセンブリ。

【請求項5】

前記１つ以上の熱調節要素は、各凍結弁を内部の前記金属の融点未満に局所的に冷却し、及び／又は、各凍結弁を内部の前記金属の融点を超えて加熱するように構成される、請求項２から４の何れか一項に記載のアセンブリ。

【請求項6】

前記アセンブリは、約３０ｋｐｓｉまでの圧力、好ましくは少なくとも約３０００ｐｓｉ、好ましくは少なくとも約４０００ｐｓｉの圧力で動作するように構成される、請求項１から５の何れか一項に記載のアセンブリ。

【請求項7】

各凍結弁は、他の凍結弁（複数も可）から少なくとも部分的に熱的に分離される、請求項１から６の何れか一項に記載のアセンブリ。

【請求項8】

各凍結弁は、断面積の低減された前記ブロックのセクションによって他の凍結弁（複数も可）から少なくとも部分的に熱的に分離される、請求項７に記載のアセンブリ。

【請求項9】

前記少なくとも２つの凍結弁のうちの第１の凍結弁は、液体金属を受容するように構成された前記少なくとも２つの液体金属出口／入口のうちの一方と流体連通し、
前記第１の凍結弁は、液体金属を保持するように構成されたリザーバに接続するため、前記少なくとも１つの接続部と流体連通し、
前記第１の凍結弁は、前記少なくとも２つの凍結弁のうちの第２の凍結弁とも流体連通する、請求項１から８の何れか一項に記載のアセンブリ。

【請求項10】

前記少なくとも２つの凍結弁のうちの第２の凍結弁は、第１の液体金属リザーバと接続するように構成された前記少なくとも１つの接続部、前記少なくとも２つの凍結弁のうちの第１の凍結弁、任意選択の第３の凍結弁、及び液体金属を排出するように構成された前記少なくとも２つの液体金属出口／入口のうちの一方と流体連通する、請求項１から９の何れか一項に記載のアセンブリ。

【請求項11】

前記アセンブリは、前記少なくとも２つの凍結弁のうちの第２の凍結弁と流体連通し、第２の液体金属リザーバに接続するように構成された接続部と流体連通し、液体金属を排出するように構成された前記少なくとも２つの液体金属出口／入口のうちの出口と連通する、第３の凍結弁を備える、請求項１から１０の何れか一項に記載のアセンブリ。

【請求項12】

液体スズに耐性を示す材料から形成され、好ましくは、前記材料はモリブデン又はモリブデン合金である、請求項１から１１の何れか一項に記載のアセンブリ。

【請求項13】

請求項１から１２の何れか一項に記載のアセンブリを含む、ＥＵＶリソグラフィ装置又はソース用の液体金属供給アセンブリ。

【請求項14】

請求項１から１３の何れか一項に記載のアセンブリを含む、リソグラフィ装置。

【請求項15】

リソグラフィ装置又は方法における、請求項１から１４の何れか一項に記載のアセンブリ又は装置の使用。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２１年３月２５日出願のＥＰ／ＵＳ出願第２１１６４８２１．７号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。

【0002】

[0002] 本発明は、ＥＵＶ光源において使用される高圧液体金属供給システム用の接続アセンブリ、ＥＵＶリソグラフィ装置用の液体金属貯蔵アセンブリ、このような接続アセンブリ又は液体金属貯蔵アセンブリを備えたリソグラフィ装置、並びにリソグラフィソース、装置、又は方法におけるこのようなアセンブリ又は装置の使用に関する。

【背景技術】

【0003】

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）でのパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層に投影することができる。

【0004】

[0004] 基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を使用することができる。この放射の波長は、基板上に形成可能なフィーチャの最小サイズを決定する。４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置は、例えば１９３ｎｍの波長を有する放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成するのに使用することができる。

【0005】

[0005] ウェーハとも称され得る基板が、ウェーハテーブルによってリソグラフィ装置内に支持される。

【0006】

[0006] ＥＵＶ放射を使用する特定のリソグラフィ装置では、ターゲット材料の液滴をレーザで照明することによって放射ビームを生成する。このような放射を生成するＥＵＶソースは、レーザ生成プラズマ源と称されることもある。レーザは、ターゲット材料をプラズマに変換し、次いでプラズマがＥＵＶ放射を放出し、ＥＵＶ放射が収集されて放射ビームに形成され得る。ターゲット材料の液滴は、液滴生成器アセンブリによって生成され、液滴生成器アセンブリには、ターゲット材料貯蔵アセンブリからターゲット材料が供給される。ターゲット材料の比較的高い圧力と、液体ターゲット材料自体の特性と、により、液体ターゲット材料の漏れのリスクがある。

【0007】

[0007] 本発明は、既存のシステムの欠点の少なくとも一部に対処することを目的として提供されている。

【発明の概要】

【0008】

[0008] 本発明の第１の態様によると、ＥＵＶ光源において使用される高圧液体金属供給システム用の接続アセンブリであって、モノリシックブロックを備え、モノリシックブロックは、液体金属を保持するように構成されたタンクへの接続のための少なくとも１つの接続部と、少なくとも１つの接続部を少なくとも２つの液体金属出口／入口と流体接続するように構成された内部通路と、内部の液体金属を固化することによって通路を遮断するように構成された少なくとも２つの凍結弁と、を備える接続アセンブリを提供する。

【0009】

[0009] 本発明は、内部通路と凍結弁とがモノリシックブロックから形成されるモノリシック接続アセンブリを提供する。他のアセンブリにおいて、凍結弁は、液体金属を移送するパイプとは別個に形成される。例えば、２つの凍結弁と、凍結弁に接続する別個に形成された３つのパイプと、が存在し得る。別個に形成されたパイプは、別個の凍結弁に接続される必要がある。しかしながら、繰り返し使用した後、パイプと凍結弁との間の接続部にはひび割れが生じる可能性があるため、内部の液体金属に漏れが生じ得ることが分かっている。既存のシステムにおいて、パイプは、異なるコンポーネントがともに嵌合可能となる程度の可撓性を有する。更に、パイプが作成される材料は、液体金属、特に液体スズへの露出に安定である必要がある。したがって、パイプは、タンタル合金から形成される。このタンタル合金は、液体金属、特に液体スズへの露出に安定である一方、酸素脆化を受けやすい。これは、酸素がタンタル合金に入ってタンタル合金をより脆くすることが原因である。タンタル合金は、スズの融点を超えて加熱されるため、脆化が発生する確率は、周辺温度における確率よりも高い。更に、既存の設計の移送パイプは、非常に薄いため、取扱い及び製造が困難である。一方で、本発明によると、内部通路がモノリシックブロックから形成されるため、これらを製造するのがより容易となり、要求されるアセンブリが存在しないため、いずれかのパイプが捩れたり、さもなければ損傷したりするリスクがない。また本発明は、不活性保護雰囲気を要求する、タンタル合金の溶接を行う必要性を回避する。

【0010】

[00010] 本発明に係るアセンブリは、複数の別個の部品でなく、単一の部品を含むため、他のシステムと比較してアセンブリの構築が大幅に簡易化される。更に、凍結弁及び内部通路は、モノリシックブロックとして形成されるため、亀裂が入り得、又は漏れを生じ得るコンポーネント間の接続部又は接合部が存在しない。実際のところ、本発明のアセンブリによると、各々、漏れに晒され得る８つ以上の接合部又は接続部が存在する既存のシステムとは対照的に、より少ない数の接合部又は接続部が提供される必要がある。本発明ではまた、移送パイプと凍結弁との間の接続部又は接合部間にガスケットを有する必要がなくなる。ガスケットの材料は、経時的に分割し、更には蒸発が生じる可能性があり、漏れに繋がり得る。更に既存のシステムによると、液体金属が溶融時に膨張するため、装置が誤った順序で加熱又は冷却されると、ラインの破裂のリスクがあり、関連の凍結弁が閉鎖される一方で移送パイプ内の金属が溶融されると、移送パイプ内の圧力が上昇する可能性があり、別個に形成されたパイプと凍結弁との間の接合部又は接続部でラインの破裂又は漏れに繋がり得る。本発明は、連携がより容易となり、損傷を受けにくい、基本的に漏れ防止の接続アセンブリを提供することができる。本明細書に記載のとおり、液体金属は、スズであることが好ましい。接続アセンブリは、少なくとも１つの接続部を少なくとも２つの液体金属入口／出口と接続するように構成された内部通路を備える。このようにして、接続アセンブリは、液体金属リザーバと少なくとも２つの液体金属出口／入口との間で液体金属を移送するように構成される。少なくとも２つの液体金属出口／入口の間の一方は、スズプライミングアセンブリから液体スズを受容するためのものであってもよく、他方は、液滴生成器アセンブリに液体スズを排出するためのものであってもよい。このように、少なくとも２つの液体金属出口／入口は、液体金属の進入及び／又は退出ポイントとして機能し、液体金属が接続アセンブリを介して液体金属リザーバから出入りして移送される。

【0011】

[00011] アセンブリは、凍結弁と熱的接続した１つ以上の熱調節要素を含んでもよい。１つ以上の熱調節要素は、１つ以上の冷却要素を含み得る。追加又は代替として、１つ以上の熱調節要素は、１つ以上の加熱要素を含み得る。凍結弁の開閉は、固化を制御し、内部に収容された金属を溶融することによって制御される。凍結弁が開放されるとき、内部の金属の融点を超えて加熱されることで、金属が溶融し、弁を通じて流動可能となる。一方で、凍結弁が閉鎖されるとき、内部の金属の融点を下回って冷却され、固化し、流体流動を行わせないプラグを形成する。本発明は、使用される精密な加熱又は冷却手段によって特に限定されるものでなく、要求される程度の加熱及び／又は冷却を提供することができる任意の手段が使用され得る。一例において、加熱手段には、少なくとも１つのヒータが含まれる。ヒータには、ロッドヒータ、プレートヒータ、加熱ワイヤ、又は実際には、他の任意の好適なヒータが含まれ得る。一例において、冷却手段には、水冷却回路が含まれる。モノリシックブロックとしてアセンブリを構築することにより、調節要素は、既存のシステムの場合よりも簡単に取り付け可能である。

【0012】

[00012] アセンブリは、１つ以上の熱調節要素を制御して凍結弁を選択的に開閉するように構成された１つ以上のコントローラを備え得る。１つ以上のコントローラは、独立して別個に凍結弁を制御するように構成され得る。このようにして、凍結弁の開閉が制御されることにより、アセンブリ内の流体流動を可能にしたり、又は防止したりすることができる。

【0013】

[00013] １つ以上の熱調節要素は、各凍結弁を内部の金属、好ましくはスズの融点未満に局所的に冷却するように構成され得る。１つ以上の熱調節要素は、各凍結弁を内部の金属、好ましくはスズの融点を超えて局所的に加熱するように構成され得る。

【0014】

[00014] アセンブリは、約３０ｋｐｓｉまで、約２５ｋｐｓｉまで、約２０ｋｐｓｉまで、約１５ｋｐｓｉまで、約１０ｋｐｓｉまで、約５ｋｐｓｉまでの圧力で動作するように構成され得る。アセンブリは、少なくとも約３ｋｐｓｉ、少なくとも約４ｋｐｓｉ、又は少なくとも約５ｋｐｓｉの圧力で動作するように構成されることが好ましい。液体スズ供給システムは、十分な速度でＥＵＶ放射を生成すべく、レーザビームによって照明されるスズ液滴を提供するのに要求されるため、典型的に、高圧下で作動される。アセンブリをモノリスとして形成することにより、アセンブリは、そうでない場合に比較してより高い圧力に耐えることができる。液体金属がパイプを介して移送される場合、少ない体積の液体金属が移送されるため、外径は数ミリメートル、内径は１ミリメートル程度である。したがって、このようなパイプを製造するのは困難且つコストがかかる。対照的に、本発明では、穿孔（drilling）によって移送導管の形成が可能となる。

【0015】

[00015] 各凍結弁は、他の凍結弁（複数も可）から少なくとも部分的に熱的に分離され得る。各凍結弁は、断面積の低減されたブロックのセクションによって他の凍結弁（複数も可）から少なくとも部分的に分離され得る。凍結弁はすべて、同一のモノリシックブロックにおいて形成されるため、最終的に互いに熱的接続されるものの、凍結弁の開閉を個別に制御することが依然として可能である。これは、調節要素によって達成され得る一方、断面の低減されたモノリシックブロックの領域によって凍結弁を互いに分離することで支援可能となるのは、１つの凍結弁から他の凍結弁への熱エネルギの移送を制御することであることが分かっている。実施形態において、凍結弁には、内部通路の断面積に比較して断面積の低減された通路を含み得る。

【0016】

[00016] アセンブリは、液体金属を受容するように構成された少なくとも２つの液体金属出口／入口のうちの一方と流体連通した少なくとも２つの凍結弁のうちの第１の凍結弁を含んでもよく、第１の凍結弁は、液体金属を保持するように構成されたリザーバに接続するため、少なくとも１つの接続部と流体連通し、第１の凍結弁は、少なくとも２つの凍結弁のうちの第２の凍結弁とも流体連通する。液体金属は、任意の好適なソースから受容され得る。一例において、液体金属は、汚染粒子の少ない固形物から流体ターゲット材料を作製するように構成されたプライミングシステムからのものである。液体金属は、濾過されて、望ましくない酸化スズ粒子を除去してもよい。液体金属は、スズであってもよい。

【0017】

[00017] アセンブリは、第１の液体金属リザーバと接続するように構成された少なくとも１つの接続部、少なくとも２つの凍結弁のうちの第１の凍結弁、任意選択の第３の凍結弁、及び液体金属を排出するように構成された少なくとも２つの液体金属出口／入口のうちの一方と流体連通した少なくとも２つの凍結弁のうちの第２の凍結弁を含んでもよい。液体スズを排出するように構成された出口は、液体金属の液滴を生成するように構成された液滴生成器アセンブリに接続され得る。液体金属の液滴は、その後、レーザで照明され、要求される波長を有する放射ビームを最終的に提供することができる。

【0018】

[00018] アセンブリは、少なくとも２つの凍結弁のうちの第２の凍結弁と流体連通し、第２の液体金属リザーバに接続するように構成された接続部と流体連通し、液体金属を排出するように構成された少なくとも２つの液体金属出口／入口のうちの出口と連通した、第３の凍結弁を含み得る。

【0019】

[00019] アセンブリは、液体スズに耐性を示す材料から形成され得る。アセンブリは、モリブデン又はモリブデン合金から形成され得る。モリブデンは、液体スズへの露出に耐えることができ、酸素脆化しない。あるいは、アセンブリは、硬質クロム化層又はホウ化層等、保護層を備えたステンレス鋼から形成され得る。

【0020】

[00020] 接続アセンブリは、付加製造（additive manufacturing）によって形成され得る。３Ｄ印刷としても知られる付加製造により、液体金属が流動するための導管と凍結弁とを備えた内部構造を備えたモノリシックブロックの作成を可能にする。凍結弁又は流体接続等、接続アセンブリの内部フィーチャは、ビレットから形成され得る。内部フィーチャは、穿孔によって作成され得る。

【0021】

[00021] 本発明の第２の態様によると、本発明の第１の態様に係る、アセンブリを含むＥＵＶリソグラフィ装置又はソース用の液体金属供給アセンブリを提供する。

【0022】

[00022] 液体金属貯蔵アセンブリは、一次リザーバと、再充填リザーバと、を含み得る。一次リザーバと再充填リザーバとは、液体金属、好ましくは液体スズを収容するように構成される。リザーバは、アルゴン及び水素を含む形成ガス等のガスによって加圧されるように構成され得る。リザーバは、内部に収容された液体金属が接続アセンブリを通じて排出され、液体金属を液滴生成器アセンブリに提供するように加圧され得る。リザーバはまた、本発明の接続アセンブリを介して液体金属が再充填されるように構成され得る。

【0023】

[00023] 本発明の第３の態様によると、本発明の第１又は第２の態様に係るアセンブリを含む、リソグラフィ装置、好ましくはＥＵＶリソグラフィ装置が提供される。

【0024】

[00024] 本発明の第４の態様によると、リソグラフィ装置又は方法における本発明の第１、第２、又は第３の態様のいずれかに係るアセンブリ又は装置の使用が提供される。

【0025】

[00025] 本発明のいずれの態様のフィーチャも、フィーチャが互いに相互互換可能でない場合を除いて組み合わせ可能であり、このような組み合わせもすべて、明示的に考慮及び開示される。

【図面の簡単な説明】

【0026】

[00026] 本発明の実施形態を、添付の図面を参照して、単なる例示として以下に説明する。

【0027】

【図1】リソグラフィ装置と放射源とを備えるリソグラフィシステムを示す。

【図2】別個に形成された凍結弁と移送パイプとを備えるアセンブリの概略図である。

【図3】本発明に係るアセンブリの概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

[00027] 図１は、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを備えたリソグラフィシステムを示している。放射源ＳＯは、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、このＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡ（例えばマスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴと、投影システムＰＳと、基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴと、を備える。

【0029】

[00028] 照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前にＥＵＶ放射ビームＢを調節するように構成される。そのため、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を備えることができる。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は共に、ＥＵＶ放射ビームＢに所望の断面形状と所望の強度分布とを与える。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はこれらの代わりに、他のミラー又はデバイスを備えることができる。

【0030】

[00029] このように調節された後、ＥＵＶ放射ビームＢはパターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗに投影するように構成される。この目的のため、投影システムＰＳは、基板テーブルＷＴにより保持された基板Ｗにパターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’を投影するように構成された複数のミラー１３、１４を備えることができる。投影システムＰＳは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用し、これによってパターニングデバイスＭＡにおける対応するフィーチャよりも小さいフィーチャの像を形成することができる。例えば、４又は８の縮小係数を適用することができる。投影システムＰＳは、図１では２つのミラー１３、１４のみを有するものとして示されているが、投影システムＰＳは様々な数のミラー（例えば６個又は８個のミラー）を備えることができる。

【0031】

[00030] 基板Ｗは、前もって形成されたパターンを含むことができる。このような場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン付きＥＵＶ放射ビームＢ’により形成された像を、基板Ｗ上に前もって形成されたパターンと位置合わせする。

【0032】

[00031] 相対真空、すなわち大気圧を大きく下回る圧力の少量のガス（例えば水素）を、放射源ＳＯ、照明システムＩＬ、及び／又は投影システムＰＳ内に供給することができる。

【0033】

[00032] 図１に示されている放射源ＳＯは例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と呼ぶことがあるタイプである。例えばＣＯ_２レーザを含み得るレーザシステム１は、レーザビーム２を介して、例えば燃料放出器３から与えられるスズ（Ｓｎ）のような燃料にエネルギを堆積するよう配置されている。以下の記載ではスズに言及するが、任意の適切な燃料を使用すればよい。燃料は、例えば液体の形態とすることや、例えば金属又は合金とすることが可能である。燃料放出器３は、例えば小滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４へ向かう軌道に沿って誘導するよう構成されたノズルを備えることができる。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４においてスズに入射する。レーザエネルギのスズへの堆積は、プラズマ形成領域４においてスズプラズマ７を生成する。プラズマイオンによる電子の脱励起及び再結合の間に、プラズマ７からＥＵＶ放射を含む放射が放出される。燃料放出器３は、液滴生成器アセンブリ（図示せず）の一部であり得る。液滴生成器アセンブリには、本発明に係る接続アセンブリを介して、液体スズが供給され得る。

【0034】

[00033] プラズマからのＥＵＶ放射は、コレクタ５によって収集され集束される。コレクタ５は、例えば近法線入射放射コレクタ５を含む（より一般的に法線入射放射コレクタと呼ばれることもある）。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、１３．５ｎｍ等の所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように配置された多層ミラー構造を有し得る。コレクタ５は、２つの焦点を有する楕円構成を有し得る。焦点のうち第１のものはプラズマ形成領域４にあり、焦点のうち第２のものは中間焦点６にあり得る。これについては以下で検討する。

【0035】

[00034] レーザシステム１は、放射源ＳＯから空間的に分離してもよい。これが当てはまる場合、レーザビーム２は、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダ及び／又は他の光学系を含むビームデリバリシステム（図示せず）によって、レーザシステム１から放射源ＳＯへ渡すことができる。レーザシステム１、放射源ＳＯ、及びビームデリバリシステムは、共に放射システムと見なすことができる。

【0036】

[00035] コレクタ５によって反射された放射は、ＥＵＶ放射ビームＢを形成する。ＥＵＶ放射ビームＢは、中間焦点６で集束されて、プラズマ形成領域４に存在するプラズマの中間焦点６での像を形成する。中間焦点６の像は、照明システムＩＬの仮想放射源として作用する。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの閉鎖構造９の開口８に又は開口８の近くに位置付けられるように配置されている。

【0037】

[00036] 図２は、ＥＵＶ光源において使用される液体金属供給システム用の既存のアセンブリの概略図である。アセンブリは、第１の凍結弁１５と、第２の凍結弁１６と、第３の凍結弁１７と、を含む。アセンブリはまた、液体金属を受容するように構成された、一次リザーバ１８と、再充填リザーバ１９と、を含む。凍結弁１５、１６、１７、一次リザーバ１８、及び再充填リザーバ１９を接続するのは、別個に形成された移送パイプ２０である。接続部２１は、移送パイプ２０と、凍結弁１５、１６、１７、一次リザーバ１８、及び再充填リザーバ１９と、の接合部に設けられる。概略図からわかるように、多数の接続部２１（そのすべてに番号が付されていない）が存在し、漏れやすくなる。アセンブリは、ノズル供給システム（図示せず）への出力２２を含み、ノズル供給システムが、最終的に、所望の波長の放射の生成のための液体金属の液滴を形成する。アセンブリはまた、プライミングシステムからの入力２３を含み、プライミングシステムは、固形物から液体ターゲット材料を作製するように構成される。

【0038】

[00037] 図３は、本発明の一実施形態に係る接続アセンブリ２４の概略図である。一次リザーバ１８及び再充填リザーバ１９が図示されているが、これらは必ずしも本発明の装置の一部を形成する必要はない。更に、概略図のジオメトリは、特定のジオメトリを示すことが意図されるものでなく、他のジオメトリも可能である。接続アセンブリ２４は、第１の凍結弁１５と、第２の凍結弁１６と、任意選択の第３の凍結弁１７と、を備える。いくつかの実施形態においては、第３の凍結弁１７がないことが理解される。図示のとおり、第１、第２、及び第３の凍結弁１５、１６、１７は、内部通路２５によって接続される。凍結弁１５、１６、１７は、内部通路２５と一体形成されることで、漏れの傾向を有する接続部の数を低減する。図示の実施形態において、４つの接続部、すなわち、プライミングアセンブリから第１の凍結弁１５までの液体金属入力の間、再充填リザーバと第１の凍結弁１５及び第２の凍結弁１６を接続する内部通路２５との間、一次リザーバ１８と任意選択の第３の凍結弁１７との間、内部通路２５とノズル供給システム２２への液体金属出力との間がある。対照的に、別個に形成された移送パイプを有するアセンブリは、２倍を超える数の接続部を有する。

【0039】

[00038] 接続アセンブリ２４は、３Ｄ印刷とも称される付加製造を使用して製造され得る。これにより、凍結弁及び内部通路等、所望の内部フィーチャを備えた単一本体の製造が可能となる。接続アセンブリ２４は、ビレットから製造され得る。内部通路及び凍結弁は、穿孔によって製造され得る。穿孔では、要求される内部フィーチャを作成するためにビレット内に追加の穴が存在することを要求し得るが、このような追加の穴は、プラグ及び封止され得る。モノリシックブロックの外観内に任意の穴を封止するように構成されたプラグ又はキャップが提供されてもよい。プラグ又はキャップは、任意の好適な材料を含むことができるが、この材料は、モノリシックブロックと同一の材料であることが好ましい。

【0040】

[00039] 凍結弁１５、１６、１７に隣接する領域は、モノリシックブロックの他の領域よりも小さな断面積を有する。この目的は、１つの凍結弁から他の凍結弁へのモノリシックブロックを通じた熱エネルギの移送を制御することである。このようにして、凍結弁は、互いに効果的に分離されることで、凍結弁の開閉をより簡便に制御できるようにする。追加又は代替として、内部通路の直径を低減することができる。

【0041】

[00040] 接続アセンブリ２４は、１つ以上の凍結弁と熱的連通した調節要素又はユニット（図示せず）を含んでもよい。調節要素又はユニットの動作の制御のために、１つ以上のコントローラ（図示せず）も設けられてよい。

【0042】

実施形態は、以下の番号を付した条項に記載される。
１．ＥＵＶ光源において使用される高圧液体金属供給システム用の接続アセンブリであって、モノリシックブロックを備え、
モノリシックブロックは、
液体金属を保持するように構成されたリザーバに接続するための少なくとも１つの接続部と、
少なくとも１つの接続部を少なくとも２つの液体金属出口／入口と流体接続するように構成された内部通路と、
内部の液体金属を固化することによって通路を遮断するように構成された少なくとも２つの凍結弁と、
を備える、接続アセンブリ。
２．凍結弁と熱的接続した１つ以上の熱調節要素を更に備える、条項１に記載のアセンブリ。
３．１つ以上の熱調節要素は、１つ以上の冷却要素、及び／又は、凍結弁と熱的接続した１つ以上の加熱要素を含む、条項２に記載のアセンブリ。
４．アセンブリは、１つ以上の熱調節要素を制御して凍結弁を選択的に開閉するように構成された１つ以上のコントローラを備える、条項２又は３に記載のアセンブリ。
５．１つ以上の熱調節要素は、各凍結弁を内部の金属の融点未満に局所的に冷却し、及び／又は、各凍結弁を内部の金属の融点を超えて加熱するように構成される、条項２から４のいずれかに記載のアセンブリ。
６．アセンブリは、約３０ｋｐｓｉまでの圧力、好ましくは少なくとも約３０００ｐｓｉ、好ましくは少なくとも約４０００ｐｓｉの圧力で動作するように構成される、条項１から５のいずれかに記載のアセンブリ。
７．各凍結弁は、他の凍結弁（複数も可）から少なくとも部分的に熱的に分離される、条項１から６のいずれかに記載のアセンブリ。
８．各凍結弁は、断面積の低減されたブロックのセクションによって他の凍結弁（複数も可）から少なくとも部分的に熱的に分離される、条項７に記載のアセンブリ。
９．少なくとも２つの凍結弁のうちの第１の凍結弁は、液体金属を受容するように構成された少なくとも２つの液体金属出口／入口のうちの一方と流体連通し、第１の凍結弁は、液体金属を保持するように構成されたリザーバに接続するため、少なくとも１つの接続部と流体連通し、第１の凍結弁は、少なくとも２つの凍結弁のうちの第２の凍結弁とも流体連通する、条項１から８のいずれかに記載のアセンブリ。
１０．少なくとも２つの凍結弁のうちの第２の凍結弁は、第１の液体金属リザーバと接続するように構成された少なくとも１つの接続部、少なくとも２つの凍結弁のうちの第１の凍結弁、任意選択の第３の凍結弁、及び、液体金属を排出するように構成された少なくとも２つの液体金属出口／入口、のうちの一方と流体連通する、条項１から９のいずれかに記載のアセンブリ。
１１．アセンブリは、少なくとも２つの凍結弁のうちの第２の凍結弁と流体連通し、第２の液体金属リザーバに接続するように構成された接続部と流体連通し、液体金属を排出するように構成された少なくとも２つの液体金属出口／入口のうちの出口と連通する、第３の凍結弁を備える、条項１から１０のいずれかに記載のアセンブリ。
１２．液体スズに耐性を示す材料から形成され、好ましくは、材料はモリブデン又はモリブデン合金である、条項１から１１のいずれかに記載のアセンブリ。
１３．条項１から１２のいずれかに記載のアセンブリを含む、ＥＵＶリソグラフィ装置又はソース用の液体金属供給アセンブリ。
１４．条項１から１３のいずれかに記載のアセンブリを含む、リソグラフィ装置。
１５．リソグラフィ装置又は方法における、条項１から１４のいずれかに記載のアセンブリ又は装置の使用。

【0043】

[00041] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。

【0044】

[00042] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。したがって、請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

【図1】

【図2】

【図3】

【国際調査報告】