特表 2024-511398 ファセットシステム及びリソグラフィ装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-03-13

(54)【発明の名称】ファセットシステム及びリソグラフィ装置

(51)【国際特許分類】

   G03F 7/20 20060101AFI20240306BHJP

【ＦＩ】

G03F7/20 521

G03F7/20 502

G03F7/20 503

【審査請求】未請求

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023557424

(86)(22)【出願日】2022-03-21

(85)【翻訳文提出日】2023-11-06

(86)【国際出願番号】 EP2022057388

(87)【国際公開番号】W WO2022200294

(87)【国際公開日】2022-09-29

(31)【優先権主張番号】102021202768.7

(32)【優先日】2021-03-22

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】503263355

【氏名又は名称】カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】230118913

【弁護士】

【氏名又は名称】杉村 光嗣

(74)【代理人】

【識別番号】100230514

【弁理士】

【氏名又は名称】泉 卓也

(72)【発明者】

【氏名】ラルフ アメリン

【テーマコード（参考）】

2H197

【Ｆターム（参考）】

2H197BA10

2H197CA06

2H197CA10

2H197CB04

2H197CB16

2H197CB26

2H197DA04

2H197DA09

2H197DB05

2H197GA01

2H197GA11

2H197GA23

2H197HA03

(57)【要約】

リソグラフィ装置（１００Ａ、１００Ｂ）用のファセットシステム（３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ）であって、光学有効面（３０６）を有するファセット素子（３０４）と、第１空間方向（ｘ）を軸としてファセット素子（３０４）を傾斜させる第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）と、第１空間方向（ｘ）に対して直角の向きの第２空間方向（ｙ）を軸としてファセット素子（３０４）を傾斜させる第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）とを備え、第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）及び第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）は、第１空間方向（ｘ）及び第２空間方向（ｙ）が張る共通の平面（Ｅ）に配置されるファセットシステム。

【特許請求の範囲】

【請求項1】

リソグラフィ装置（１００Ａ、１００Ｂ）用のファセットシステム（３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ）であって、
光学有効面（３０６）を有するファセット素子（３０４）と、
第１空間方向（ｘ）を軸として前記ファセット素子（３０４）を傾斜させる第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）と、
前記第１空間方向（ｘ）に対して直角の向きの第２空間方向（ｙ）を軸として前記ファセット素子（３０４）を傾斜させる第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）と
を備え、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）及び前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）は、前記第１空間方向（ｘ）及び前記第２空間方向（ｙ）が張る共通の平面（Ｅ）に配置されるファセットシステム。

【請求項2】

請求項１に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）及び／又は前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）は、前記光学有効面（３０６）に対して直角の向きの第３空間方向（ｚ）の前記ファセット素子（３０４）のストローク運動（Ｈ１、Ｈ２）を行うよう構成されるファセットシステム。

【請求項3】

請求項１又は２に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）は、２つの反対向きの傾斜運動（Ｋ１、Ｋ２）で前記第１空間方向（ｘ）を軸として前記ファセット素子（３０４）を選択的に傾斜させるよう構成された少なくとも２つのピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）を含むファセットシステム。

【請求項4】

請求項３に記載のファセットシステムにおいて、前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）は、２つの反対向きの傾斜運動（Ｋ３、Ｋ４）で前記第２空間方向（ｙ）を軸として前記ファセット素子（３０４）を選択的に傾斜させるよう構成された少なくとも２つのピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）を含むファセットシステム。

【請求項5】

請求項４に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）の前記ピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）及び前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）のピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）は、並んで配置されるファセットシステム。

【請求項6】

請求項４又は５に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）の前記ピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）及び前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）のピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）は、交互に配置されるファセットシステム。

【請求項7】

請求項４～６のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）の前記ピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）は、相互に平行に且つ相互に離れて配置され、前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）の前記ピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）も同様に、相互に平行に且つ相互に離れて配置されるファセットシステム。

【請求項8】

請求項４～７のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）の前記ピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）及び前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）の前記ピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）は、相互に対して直角に配置されるファセットシステム。

【請求項9】

請求項４～８のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、第１ピエゾアクチュエータ（３０８）、第２ピエゾアクチュエータ（３１０）、第３ピエゾアクチュエータ（３１２）、及び第４ピエゾアクチュエータ（３１４）をさらに備え、前記第１ピエゾアクチュエータ（３０８）及び前記第３ピエゾアクチュエータ（３１２）は、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）に割り当てられ、前記第２ピエゾアクチュエータ（３１０）及び前記第４ピエゾアクチュエータ（３１４）は、前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）に割り当てられるファセットシステム。

【請求項10】

請求項９に記載のファセットシステムにおいて、基板（３０２）をさらに備え、前記第１ピエゾアクチュエータ（３０８）のみが前記基板（３０２）に接続されるファセットシステム。

【請求項11】

請求項１０に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ（３０８）は、前記基板（３０２）及び前記第２ピエゾアクチュエータ（３１０）のみに接続され、該第２ピエゾアクチュエータ（３１０）は、前記第１ピエゾアクチュエータ（３０８）及び前記第３ピエゾアクチュエータ（３１２）のみに接続され、該第３ピエゾアクチュエータ（３１２）は、前記第２ピエゾアクチュエータ（３１０）及び前記第４ピエゾアクチュエータ（３１４）のみに接続され、該第４ピエゾアクチュエータ（３１４）は、前記第３ピエゾアクチュエータ（３１２）及び前記ファセット素子（３０４）のみに接続されるファセットシステム。

【請求項12】

請求項１～１１のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、前記ファセット素子（３０４）は、平面視で正方形であるファセットシステム。

【請求項13】

請求項１～１２のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、センサ（３５６、３５８、３６０、３６２）が、該ファセットシステム（３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ）に組み込まれるファセットシステム。

【請求項14】

リソグラフィ装置（１００Ａ、１００Ｂ）であって、請求項１～１３のいずれか１項に記載のファセットシステム（３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ）を備えたリソグラフィ装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、リソグラフィ装置のファセットシステム及び当該ファセットシステムを備えたリソグラフィ装置に関する。

【0002】

先願である独国特許出願第１０ ２０２１ ２０２ ７６８．７号の内容の全体を参照により援用する。

【背景技術】

【0003】

マイクロリソグラフィは、例えば集積回路等の微細構造コンポーネントの製造に用いられる。マイクロリソグラフィプロセスは、照明系及び投影系を有するリソグラフィ装置を用いて実行される。この場合、照明系により照明されたマスク（レチクル）の像を、投影系により、感光層（フォトレジスト）で被覆されて投影系の像平面に配置された基板、例えばシリコンウェーハに投影することで、マスク構造を基板の感光コーティングに転写するようにする。

【0004】

集積回路の製造における構造のさらなる小型化が望まれることにより、０．１ｎｍ～３０ｎｍの範囲、特に１３．５ｎｍの波長を有する光を用いるＥＵＶリソグラフィ装置（極紫外線、ＥＵＶ）が現在開発中である。このようなＥＵＶリソグラフィ装置の場合、ほとんどの材料がこの波長の光に対して高い吸収を示すので、以前のような屈折光学ユニット、すなわちレンズ素子の代わりに、反射光学ユニット、すなわちミラーを用いなければならない。当該ミラーは、略垂直入射で又は斜入射で動作する。

【0005】

照明系は、特に、視野ファセットミラー及び瞳ファセットミラーを備える。視野ファセットミラー及び瞳ファセットミラーは、いわゆるファセットミラーの形態とすることができ、このようなファセットミラーは、それぞれ数百個ものファセットを有することが多い。視野ファセットミラーのファセットは、「視野ファセット」とも称し、瞳ファセットミラーのファセットは、「瞳ファセット」とも称する。複数の瞳ファセットを１つの視野ファセットに割り当てることができる。高開口数と共に良好な照明を得るために、上記１つの視野ファセットをそれに割り当てられた瞳ファセット間で切り替えることが望ましい。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

こうした背景から、本発明の目的は、改良された視野ファセットシステムを提案することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

したがって、リソグラフィ装置用の視野ファセットシステムが提案される。視野ファセットシステムは、光学有効面を有するファセット素子と、第１空間方向を軸としてファセット素子を傾斜させる第１ピエゾアクチュエータ装置と、第１空間方向に対して直角の向きの第２空間方向を軸としてファセット素子を傾斜させる第２ピエゾアクチュエータ装置とを備え、第１ピエゾアクチュエータ装置及び第２ピエゾアクチュエータ装置は、第１空間方向及び第２空間方向が張る共通の平面に配置される。

【0008】

第１ピエゾアクチュエータ装置及び第２ピエゾアクチュエータ装置が設けられる結果として、第１空間方向及び第２空間方向の両方を軸としてファセット素子を傾斜させることができる。第１ピエゾアクチュエータ装置及び第２ピエゾアクチュエータ装置を適切に作動させることにより、第１空間方向及び第２空間方向を軸とした複合傾斜を得ることができる。これにより、ファセット素子を任意の数の異なる傾斜位置に切り替えることができる。

【0009】

ファセットシステムは、視野ファセットシステム又は瞳ファセットシステムを含むことができる。ファセットシステムは、鏡面反射器の一部とすることもできる。ファセット素子は、視野ファセット素子又は瞳ファセット素子であり得る。ファセットシステムは、特にリソグラフィ装置のビーム整形・照明系の一部である。特に、ファセットシステムは、ファセットミラー、特に視野ファセットミラーの一部である。このようなファセットミラーは、碁盤目状又はパターンの形状に配置された複数の上記ファセットシステムを含むことが好ましい。すなわち、ファセットシステムは、行列状に相互に上下左右に配置されることが好ましい。このような視野ファセットミラーは、任意の数のファセットシステムを含み得る。例として、視野ファセットミラーは、数十万個のファセットシステムを含み得る。各ファセット素子は、単独で複数の異なる傾斜位置に傾斜することができる。

【0010】

第１空間方向又はｘ方向、第２空間方向又はｙ方向、及び第３空間方向又はｚ方向を有する座標系が、ファセットシステムに割り当てられる。空間方向は、相互に対して直角に位置決めされる。第３空間方向は、光学有効面に対して直角の向きとすることができる。第１空間方向及び第２空間方向は、光学有効面と平行な向きとすることができる。

【0011】

ファセット素子は、ミラー基板又は基板から製造される。基板は、特にシリコンを含み得る。光学有効面は、ファセット素子の前面、すなわちピエゾアクチュエータ装置とは反対側に設けられる。光学有効面は光を反射する。光学有効面はミラー面とすることができる。光学有効面は、ファセット素子に塗布されたコーティングを用いて作ることができる。特に、ファセット素子自体は光に対して不透明である。光学有効面は、使用光又は光、特にＥＵＶ放射線を反射するのに適している。しかしながら、これは、光の少なくとも一部がファセット素子に吸収される結果として熱がファセット素子に導入されることを妨げない。

【0012】

特に、第１ピエゾアクチュエータ装置は、光学有効面と平行な向きであることが好ましい第１空間方向を軸としてファセット素子を傾斜させる働きをする。したがって、第２ピエゾアクチュエータ装置は、特に、光学有効面と平行且つ第１空間方向に対して直角の向きであることが好ましい第２空間方向を軸としてファセット素子を傾斜させる働きをする。光学有効面は平面であることが好ましい。しかしながら、光学有効面は曲面とすることもできる。例として、光学有効面は円柱状又はトロイダル状とすることができる。

【0013】

ピエゾアクチュエータ装置は、ピエゾ素子装置又はピエゾ作動素子装置と称することもできる。この場合、「ピエゾアクチュエータ」又は「ピエゾ素子」は、電圧の印加の結果として機械的運動を実行するためにいわゆるピエゾ効果を利用するコンポーネントを意味すると理解されたい。用語「ピエゾアクチュエータ」及び「ピエゾ素子」は、所望に応じて交換可能である。各ピエゾアクチュエータ装置は、複数のピエゾアクチュエータを含み得る。好ましくは２つのピエゾアクチュエータが、各ピエゾアクチュエータ装置に割り当てられる。ピエゾアクチュエータは、いわゆる曲げトランスデューサであるか、又はそのように称することができる。

【0014】

平面視で、すなわち光学有効面に対して直角の視線方向で、ファセット素子は、第１ピエゾアクチュエータ装置及び第２ピエゾアクチュエータ装置の両方を完全に隠す。すなわち、ファセットシステムに入射した光は、光学有効面のみに入射して、例えばピエゾアクチュエータ装置等のファセットシステムのさらに他のコンポーネントには入射しないことが好ましい。その結果として、ファセット素子又は光学有効面の高い充填度を得ることができる。

【0015】

特に、第１ピエゾアクチュエータ装置は、第１空間方向を軸として又は第１空間方向と平行な向きの軸周りにのみファセット素子を枢動又は傾斜させるのに適している。したがって、第２ピエゾアクチュエータ装置は、第２空間方向を軸として又は第２空間方向と平行な向きの軸回りにのみファセット素子を傾斜させるのに適している。第１ピエゾアクチュエータ装置及び第２ピエゾアクチュエータ装置を用いて、ファセット素子の任意の数の傾斜状態又は傾斜位置を設定することができる。

【0016】

好ましくは、ファセットシステムは、ピエゾアクチュエータ装置又はピエゾアクチュエータ装置に割り当てられたピエゾアクチュエータを作動させるのに適した制御ユニットを備える。作動のために電圧が各ピエゾアクチュエータに印加される。電圧の印加により、各ピエゾアクチュエータは、ファセット素子を傾斜させるために変形する。この場合、各ピエゾアクチュエータを、非変形又は非撓み状態から変形又は撓み状態に変えることができる。非撓み状態と撓み状態との間に任意の数の中間状態を設けることができる。すなわち、ピエゾアクチュエータは、非撓み状態と撓み状態との間で連続的に変形させるか又は撓ませることができる。

【0017】

一実施形態によれば、第１ピエゾアクチュエータ装置及び／又は第２ピエゾアクチュエータ装置は、光学有効面に対して直角の向きの第３空間方向のファセット素子のストローク運動を行うよう構成される。

【0018】

これにより、さらなる自由度が得られる。ファセット素子は、結果として少なくとも３つの自由度、具体的には第１空間方向を軸とした回転自由度、第２空間方向を軸とした回転自由度、及び第３空間方向の並進自由度を有する。ファセット素子にストローク運動を実行させるために、各ピエゾアクチュエータ装置に割り当てられたピエゾアクチュエータは、同時に作動されると共に、第３空間方向のストローク運動が生じるように同程度に撓ませられる。ファセット素子の複合ストローク・傾斜運動を実行することもできる。光学有効面が湾曲している場合、第３空間方向は、例えば光学有効面の頂点に対して直角の向きであり得る。

【0019】

第１ピエゾアクチュエータ装置及び第２ピエゾアクチュエータ装置は、第１空間方向及び第２空間方向が張る共通の平面に配置される。

【0020】

共通の平面は、第１空間方向及び第２空間方向が張る平面と平行に配置されることもできる。例として、ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータの下面又は上面は、全てが共通の平面に配置される。ピエゾアクチュエータの１つが作動されるか又は電流を印加されるとすぐに、上記ピエゾアクチュエータは共通の平面外に変形し、結果としてファセット素子が傾斜する。

【0021】

さらに別の実施形態によれば、第１ピエゾアクチュエータ装置は、２つの反対向きの傾斜運動で第１空間方向を軸としてファセット素子を選択的に傾斜させるよう構成された少なくとも２つのピエゾアクチュエータを含む。

【0022】

傾斜運動は、傾斜方向とも称し得る。例として、傾斜運動は、第１空間方向を軸として時計回り及び反時計回りの向きであり得る。例として、第１傾斜運動が半時計回りの向きであり、第２傾斜運動が時計回りの向きである。例として、ファセット素子は、結果として例えば１００ｍｒａｄの傾斜角で傾斜することができる。第１ピエゾアクチュエータ装置の両方のピエゾアクチュエータを同時に作動させると共に同程度に撓ませた場合、ファセット素子は上記ストローク運動を実行する。前述のように、傾斜運動及びストローク運動の組合せも実行され得る。

【0023】

さらに別の実施形態によれば、第２ピエゾアクチュエータ装置は、２つの反対向きの傾斜運動で第２空間方向を軸としてファセット素子を選択的に傾斜させるよう構成された少なくとも２つのピエゾアクチュエータを含む。

【0024】

傾斜運動は、第２空間方向を軸として時計回り及び反時計回りの向きであり得る。例として、時計回りの向きの第３傾斜運動及び反時計回りの向きの第４傾斜運動が設けられる。第１傾斜運動及び第２傾斜運動は、第３傾斜運動及び第４傾斜運動に対して直角の向きである。前述のように、傾斜運動は傾斜方向とも称し得る。

【0025】

さらに別の実施形態によれば、第１ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータ及び第２ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータは、並んで配置される。

【0026】

特に、これは、全てのピエゾアクチュエータが前後に並べられることを意味する。好ましくは、第１ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータ及び第２ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータは、同一の構成である。特に、ピエゾアクチュエータは、圧電曲げトランスデューサとして知られるものであり、電流を印加されると長さは変わらないが曲率が変わる。

【0027】

さらに別の実施形態によれば、第１ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータ及び第２ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータは、交互に配置される。

【0028】

特に、これは、第１ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータが第２ピエゾアクチュエータ装置の２つのピエゾアクチュエータ間にそれぞれ配置され、逆もまた同様であることを意味する。好ましくは、第１ピエゾアクチュエータ、第２ピエゾアクチュエータ、第３ピエゾアクチュエータ、及び第４ピエゾアクチュエータが設けられ、第２ピエゾアクチュエータは、第１ピエゾアクチュエータと第３ピエゾアクチュエータとの間に配置される。特に、第３ピエゾアクチュエータは、第２ピエゾアクチュエータと第４ピエゾアクチュエータとの間に配置される。

【0029】

さらに別の実施形態によれば、第１ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータは、相互に平行に且つ相互に離れて配置され、第２ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータも同様に、相互に平行に且つ相互に離れて配置される。

【0030】

特に、第１ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータは、第２空間方向に見た場合に相互に離れて且つ相互に平行に配置される。したがって、第２ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータは、第１空間方向に見た場合に相互に平行に且つ相互に離れて配置される。特に、ピエゾアクチュエータは、細長い棒状又は帯状のコンポーネントの形態である。ピエゾアクチュエータは、主延在方向又は長手方向に沿って最大の幾何学的広がりを有する。第１ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータは、特に、それらの主延在方向が第１空間方向に延びるように配置される。したがって、第２ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータは、それらの主延在方向が第２空間方向に延びるように配置される。

【0031】

さらに別の実施形態によれば、第１ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータ及び第２ピエゾアクチュエータ装置のピエゾアクチュエータは、相互に対して直角に配置される。

【0032】

したがって、これにより、ピエゾアクチュエータの螺旋状又は渦巻状の配置が得られる。特に、前述のように、第１ピエゾアクチュエータ、第２ピエゾアクチュエータ、第３ピエゾアクチュエータ、及び第４ピエゾアクチュエータが設けられる。この場合、第２ピエゾアクチュエータは、第１ピエゾアクチュエータに対して直角に配置される。さらに、第３ピエゾアクチュエータは、第２ピエゾアクチュエータに対して直角に配置される。第４ピエゾアクチュエータは、第３ピエゾアクチュエータに対して直角に配置される。第１ピエゾアクチュエータ及び第３ピエゾアクチュエータは、第１ピエゾアクチュエータ装置に割り当てられる。したがって、第２ピエゾアクチュエータ及び第４ピエゾアクチュエータは、第２ピエゾアクチュエータ装置に割り当てられる。この場合、「直角に」は、ピエゾアクチュエータの上記主延在方向が相互に対して直角になることを意味すると理解されたい。この場合、「直角に」は、９０°±１０°、好ましくは９０°±５°、より好ましくは９０°±１°、より好ましくは正確に９０°の角度を意味するとさらに理解されたい。

【0033】

さらに別の実施形態によれば、ファセットシステムは、第１ピエゾアクチュエータ、第２ピエゾアクチュエータ、第３ピエゾアクチュエータ、及び第４ピエゾアクチュエータをさらに備え、第１ピエゾアクチュエータ及び第３ピエゾアクチュエータは、第１ピエゾアクチュエータ装置に割り当てられ、第２ピエゾアクチュエータ及び第４ピエゾアクチュエータは、第２ピエゾアクチュエータ装置に割り当てられる。

【0034】

すなわち、第１ピエゾアクチュエータ装置は、第１ピエゾアクチュエータ及び第３ピエゾアクチュエータを含む。したがって、第２ピエゾアクチュエータ装置は、第２ピエゾアクチュエータ及び第４ピエゾアクチュエータを含む。ピエゾアクチュエータの数は任意であることが好ましい。しかしながら、特に、正確に４つのピエゾアクチュエータが設けられる。

【0035】

さらに別の実施形態によれば、ファセットシステムは、基板をさらに備え、第１ピエゾアクチュエータのみが基板に接続される。

【0036】

基板は、ファセットシステムの本体とも称され得る。基板は、シリコンからなることが好ましい。しかしながら、基板は、銅、特に銅合金、例えばインバー等の鉄－ニッケル合金、シリコン、又は他の何らかの適当な材料も含み得る。この場合、第１ピエゾアクチュエータ「のみ」が基板に接続されることは、第２～第４ピエゾアクチュエータが基板に接続固定されないことを意味する。特に、第２～第４ピエゾアクチュエータと基板との間にそれぞれギャップが設けられ得る。ピエゾアクチュエータ装置は、基板とファセット素子との間に配置される。

【0037】

さらに別の実施形態によれば、第１ピエゾアクチュエータは、基板及び第２ピエゾアクチュエータのみに接続され、第２ピエゾアクチュエータは、第１ピエゾアクチュエータ及び第３ピエゾアクチュエータのみに接続され、第３ピエゾアクチュエータは、第２ピエゾアクチュエータ及び第４ピエゾアクチュエータのみに接続され、第４ピエゾアクチュエータは、第３ピエゾアクチュエータ及びファセット素子のみに接続される。

【0038】

好ましくは、連結部位を有する棒状の接続部が第４ピエゾアクチュエータに設けられ、ファセット素子はそれに固定される。例として、ファセット素子は、連結部位に材料的に接続され得る。材料的な接続では、接続相手が原子間力又は分子力により繋ぎ合わせられる。材料的な接続は、接続手段及び／又は接続相手の破壊によってのみ分離できる解除不可能な接続である。材料的な接続は、例えば接着又ははんだ付けにより実施され得る。例として、ファセット素子は、任意の接合法を用いて連結部位に接続される。

【0039】

さらに別の実施形態によれば、ファセット素子は平面視で正方形である。

【0040】

この場合、「平面視」は、光学有効面に対して直角の視線方向を意味すると理解されたい。しかしながら、ファセット素子は、平面視で任意の他の所望の幾何学的形状も有し得る。例として、ファセット素子は、細長い矩形、円形、六角形、又は細長く円弧状に湾曲している。

【0041】

さらに別の実施形態によれば、ファセットシステムは一体的なコンポーネントである。

【0042】

この場合、「一体的」又は「一部品」は、ファセットシステムが複数の分離可能なコンポーネントから構成されるのではなく共通の又は一体的なコンポーネントを形成することを意味すると理解されたい。例として、ファセットシステムは、微小電気機械製造法（微小電気機械システム、ＭＥＭＳ）により実現することができる。この場合、複数のベース層から構成された３次元微細構造が、異なるコーティング法、微細構造化・エッチング技術、及び接合法を用いて実現される。例として、微細構造はシリコンからなり得る。例として、ピエゾアクチュエータは、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電セラミックスに基づき得る。

【0043】

さらに別の実施形態によれば、センサがファセットシステムに組み込まれる。

【0044】

センサは、任意の数のセンサ、特に静電容量センサを含み得る。

【0045】

さらに、上記ファセットシステムを備えたリソグラフィ装置が提案される。

【0046】

リソグラフィ装置は、複数の上記ファセットシステムを備えることができる。リソグラフィ装置は、ＥＵＶリソグラフィ装置又はＤＵＶリソグラフィ装置であり得る。ＥＵＶは「極紫外線」を意味し、０．１ｎｍ～３０ｎｍの使用光の波長を示す。ＤＵＶは「深紫外線」を意味し、３０ｎｍ～２５０ｎｍの使用光の波長を示す。

【0047】

この場合の「a(an)」は、厳密に１つの要素に制限するものと必ずしも理解すべきでない。正確には、複数の要素、例えば、２つ、３つ、又はそれ以上等を設けることもできる。ここで用いる他の数字はいずれも、記載の数の要素に厳密に制限されるという趣旨で理解すべきでもない。正確には、別途指示のない限り数の増減が可能である。

【0048】

ファセットシステムに関して記載した実施形態及び特徴は、提案されたリソグラフィ装置にも適宜当てはまり、またその逆でもある。

【0049】

本発明のさらに他の可能な実施態様は、例示的な実施形態に関して上述又は後述されている特徴又は実施形態の明記されていない組み合わせも含む。この場合、当業者であれば、個々の態様を改良又は補足として本発明の各基本形態に加えることもあろう。

【0050】

本発明のさらに他の有利な構成及び態様は、従属請求項の主題であり、後述する本発明の例示的な実施形態の主題でもある。好ましい実施形態に基づいて添付図面を参照して本発明を以下でより詳細に説明する。

【図面の簡単な説明】

【0051】

【図1A】ＥＵＶリソグラフィ装置の実施形態の概略図を示す。

【図1B】ＤＵＶリソグラフィ装置の実施形態の概略図を示す。

【図2】図１Ａ又は図１Ｂに示すリソグラフィ装置の光学装置の一実施形態の概略図を示す。

【図3】図１Ａ又は図１Ｂに示すリソグラフィ装置の光学装置のさらに別の実施形態の概略図を示す。

【図4】図２に示す光学装置の視野ファセットミラーの一実施形態の概略平面図を示す。

【図5】図４の詳細図Ｖを示す。

【図6】図２に示す光学装置のさらに別の概略図を示す。

【図7】図２に示す光学装置及び図３に示す光学装置の光学系の実施形態の概略平面図を示す。

【図8】図７の断面線ＩＩＸ－ＩＩＸに従った光学系の概略断面図を示す。

【図9】図７の断面線ＩＸ－ＩＸに従った光学系の概略断面図を示す。

【図10】図７に示す光学系のピエゾアクチュエータの実施形態の概略断面図を示す。

【図11】図２に示す光学装置及び図３に示す光学装置の光学系のさらに別の実施形態の概略斜視図を示す。

【図12】図１１に示す光学系のさらに別の概略斜視図を示す。

【図13】図２に示す光学装置及び図３に示す光学装置の光学系のさらに別の実施形態の概略斜視図を示す。

【図14】図１３に示す光学系のさらに別の概略斜視図を示す。

【発明を実施するための形態】

【0052】

別途指示のない限り、図中で同一の又は機能的に同一の要素には同じ参照符号を設けてある。図示は必ずしも一定の縮尺ではないことにも留意されたい。

【0053】

図１Ａは、ビーム整形・照明系１０２及び投影系１０４を備えたＥＵＶリソグラフィ装置１００Ａの概略図を示す。この場合、ＥＵＶは「極紫外線」を意味し、０．１ｎｍ～３０ｎｍの使用光の波長を示す。ビーム整形・照明系１０２及び投影系１０４は、それぞれが真空ハウジング（図示せず）内に設けられ、各真空ハウジングは排気デバイス（図示せず）を用いて真空引きされる。真空ハウジングは、光学素子を機械的に移動させる又は設定する駆動装置が設けられた機械室（図示せず）により囲まれる。さらに、電気コントローラ等を上記機械室内に設けることもできる。

【0054】

ＥＵＶリソグラフィ装置１００Ａは、ＥＵＶ光源１０６Ａを備える。ＥＵＶ域（極紫外域）の、すなわち例えば５ｎｍ～２０ｎｍの波長域の放射線１０８Ａを発するプラズマ源（又はシンクロトロン）を、例えばＥＵＶ光源１０６Ａとして設けることができる。ビーム整形・照明系１０２において、ＥＵＶ放射線１０８Ａを集束させ、所望の作動波長をＥＵＶ放射線１０８Ａからフィルタリングする。ＥＵＶ光源１０６Ａが発生したＥＵＶ放射線１０８Ａは、空気中の透過率が比較的低く、こうした理由でビーム整形・照明系１０２及び投影系１０４の導光空間が真空引きされる。

【0055】

図１Ａに示すビーム整形・照明系１０２は、５つのミラー１１０、１１２、１１４、１１６、１１８を有する。ビーム整形・照明系１０２の通過後に、ＥＵＶ放射線１０８Ａはフォトマスク（レチクルとも称する）１２０へ導かれる。フォトマスク１２０は、同様に反射光学素子として具現され、システム１０２、１０４の外部に配置され得る。さらに、ＥＵＶ放射線１０８Ａは、ミラー１２２によりフォトマスク１２０へ指向され得る。フォトマスク１２０は、投影系１０４により縮小されてウェーハ１２４等に結像される構造を有する。

【0056】

投影系１０４（投影レンズとも称する）は、フォトマスク１２０をウェーハ１２４に結像するために６個のミラーＭ１～Ｍ６を有する。この場合、投影系１０４の個々のミラーＭ１～Ｍ６は、投影系１０４の光軸１２６に関して対称に配置され得る。ＥＵＶリソグラフィ装置１００ＡのミラーＭ１～Ｍ６の数は、図示の数に制限されないことに留意されたい。設けられるミラーＭ１～Ｍ６の数をより多くすることもより少なくすることもできる。さらに、ミラーＭ１～Ｍ６は、ビーム整形用に前面が概して湾曲している。

【0057】

図１Ｂは、ビーム整形・照明系１０２及び投影系１０４を備えたＤＵＶリソグラフィ装置１００Ｂの概略図を示す。この場合、ＤＵＶは「深紫外線」を意味し、３０ｎｍ～２５０ｎｍの使用光の波長を示す。図１Ａを参照して既に記載したように、ビーム整形・照明系１０２及び投影系１０４は、対応する駆動デバイスを有する機械室により囲まれ得る。

【0058】

ＤＵＶリソグラフィ装置１００Ｂは、ＤＵＶ光源１０６Ｂを有する。例として、例えば１９３ｎｍのＤＵＶ域の放射線１０８Ｂを発するＡｒＦエキシマレーザをＤＵＶ光源１０６Ｂとして設けることができる。

【0059】

図１Ｂに示すビーム整形・照明系１０２は、ＤＵＶ放射線１０８Ｂをフォトマスク１２０へ導く。フォトマスク１２０は、透過光学素子として形成され、システム１０２、１０４の外部に配置され得る。フォトマスク１２０は、投影系１０４により縮小されてウェーハ１２４等に結像される構造を有する。

【0060】

投影系１０４は、フォトマスク１２０をウェーハ１２４に結像するために複数のレンズ素子１２８及び／又はミラー１３０を有する。この場合、投影系１０４の個々のレンズ素子１２８及び／又はミラー１３０は、投影系１０４の光軸１２６に関して対称に配置され得る。ＤＵＶリソグラフィ装置１００Ｂのレンズ素子１２８及びミラー１３０の数は、図示の数に制限されないことに留意されたい。設けられるレンズ素子１２８及び／又はミラー１３０の数をより多くすることもより少なくすることもできる。さらに、ミラー１３０は、ビーム整形用に前面が概して湾曲している。

【0061】

最終レンズ素子１２８とウェーハ１２４との間の空隙は、屈折率が１を超える液体媒体１３２で置き換えることができる。液体媒体１３２は、例えば高純度水であり得る。このような構成は、液浸リソグラフィとも称し、高いフォトリソグラフィ解像度を有する。媒体１３２は、浸液と称することもできる。

【0062】

図２は、光学装置２００の一実施形態の概略図を示す。光学装置２００は、ビーム整形・照明系１０２、特にＥＵＶリソグラフィ装置１００Ａのビーム整形・照明系１０２である。したがって、光学装置２００をビーム整形・照明系とも呼ぶことができ、ビーム整形・照明系１０２を光学装置と呼ぶことができる。光学装置２００は、先に説明したような投影系１０４の上流に配置され得る。

【0063】

しかしながら、光学装置２００は、ＤＵＶリソグラフィ装置１００Ｂの一部とすることもできる。しかしながら、以下では光学装置２００がＥＵＶリソグラフィ装置１００Ａの一部であるものとする。光学装置２００のほかに、図２は、ＥＵＶ放射線１０８Ａを発する先に説明したようなＥＵＶ光源１０６Ａ、及びフォトマスク１２０も示す。ＥＵＶ光源１０６Ａは、光学装置２００の一部であり得る。

【0064】

光学装置２００は、複数のミラー２０２、２０４、２０６、２０８を含む。さらに、任意選択の偏向ミラー２１０を設けることができる。偏向ミラー２１０は、斜入射で動作するので、斜入射ミラーと称することもできる。偏向ミラー２１０は、図１Ａに示すミラー１２２に相当し得る。ミラー２０２、２０４、２０６、２０８は、図１Ａに示すミラー１１０、１１２、１１４、１１６、１１８に相当し得る。特に、ミラー２０２はミラー１１０に相当し、ミラー２０４はミラー１１２に相当する。

【0065】

ミラー２０２は、光学装置２００のいわゆるファセットミラー、特に視野ファセットミラーである。ミラー２０４も、光学装置２００のファセットミラー、特に瞳ファセットミラーである。ミラー２０２は、ＥＵＶ放射線１０８Ａをミラー２０４へ反射する。ミラー２０６、２０８の少なくとも一方は、光学装置２００のコンデンサミラーであり得る。ミラー２０２、２０４、２０６、２０８の数は任意である。例として、図１Ａに示すように、５つのミラー２０２、２０４、２０６、２０８、すなわちミラー１１０、１１２、１１４、１１６、１１８、又は図２に示すように、４つのミラー２０２、２０４、２０６、２０８を設けることが可能である。しかしながら、好ましくは、少なくとも３つのミラー２０２、２０４、２０６、２０８、すなわち視野ファセットミラー、瞳ファセットミラー、及びコンデンサミラーが設けられる。

【0066】

ミラー２０２、２０４、２０６、２０８は、ハウジング２１２内に配置される。ハウジング２１２は、光学装置２００の動作中、特に露光動作中には真空にすることができる。すなわち、ミラー２０２、２０４、２０６、２０８は真空中に配置される。

【0067】

光学装置２００の動作中、ＥＵＶ光源１０６ＡはＥＵＶ放射線１０８Ａを発する。例として、スズプラズマをこの目的で生成することができる。スズプラズマを生成するために、スズ体、例えばスズビーズ又はスズ滴にレーザパルスを衝突させることができる。スズプラズマはＥＵＶ放射線１０８を発し、これが、ＥＵＶ光源１０６Ａのコレクタ、例えば楕円面ミラーを用いて集光され、光学装置２００の方向に送られる。コレクタは、ＥＵＶ放射線１０８Ａを中間焦点２１４に集束させる。中間焦点２１４は、中間焦点面と呼ぶこともできるか、又は中間焦点面内にある。

【0068】

光学装置２００を通過すると、ＥＵＶ放射線１０８Ａはミラー２０２、２０４、２０６、２０８のそれぞれ及び偏向ミラー２１０により反射される。この場合、全てのミラー２０２、２０４、２０６、２０８を必要とするわけではない。特に、偏向ミラー２１０は不要である。ＥＵＶ放射線１０８Ａのビーム経路を参照符号２１６で示す。フォトマスク１２０は、光学装置２００の物体面２１８に配置される。物体視野２２０が物体面２１８に位置決めされている。

【0069】

図３は、光学装置４００のさらに別の実施形態の概略図を示す。光学装置４００は、光学装置２００のように、ビーム整形・照明系１０２、特にＥＵＶリソグラフィ装置１００Ａのビーム整形・照明系１０２である。したがって、光学装置４００をビーム整形・照明系とも呼ぶことができ、ビーム整形・照明系１０２を光学装置と呼ぶことができる。

【0070】

しかしながら、光学装置４００は、ＤＵＶリソグラフィ装置１００Ｂの一部とすることもできる。しかしながら、以下では光学装置４００がＥＵＶリソグラフィ装置１００Ａの一部であるものとする。

【0071】

放射源４０２から出るＥＵＶ放射線１０８Ａは、コレクタ４０４により集束される。コレクタ４０４の下流で、ＥＵＶ放射線１０８Ａは、中間焦点面４０６を伝播した後に、鏡面反射器４１０の目標通りの照明に役立つビーム整形ファセットミラー４０８に入射する。鏡面反射器４０１はミラーなので、ミラーと称することもできる。ビーム整形ファセットミラー４０８及び鏡面反射器４１０により、ＥＵＶ放射線１０８Ａは、物体面４１２の物体視野４１４を完全に照明するように整形され、所定の、例えば均一に照明された、円形境界の瞳照明分布、すなわち対応する照明設定が、レチクルの下流に配置された投影系１０４の瞳面４１６に現れる。

【0072】

鏡面反射器４１０の反射面は、個別ミラーに細分される。照明要件に応じて、鏡面反射器４１０のこれらの個別ミラーは、群別されて個別ミラー群を形成し、すなわち鏡面反射器４１０のファセットを形成する。各個別ミラー群は、それぞれ単独ではレチクル視野を完全に照明しない照明チャネルを形成する。全ての照明チャネルの総体のみが、レチクル視野の完全で均一な照明をもたらす。鏡面反射器４１０の個別ミラー及びビーム整形ファセットミラー４０８のファセットの両方を、アクチュエータシステムにより傾斜可能とすることができ、異なる視野及び瞳照明を設定可能である。

【0073】

図４は、ファセットミラー、特に視野ファセットミラーの形態である、先に説明したようなミラー２０２の一実施形態の概略平面図を示す。ミラー２０４、４０８及び鏡面反射器４１０も、ファセットミラーの形態であり得る。しかしながら、ミラー２０２のみについて以下で述べる。しかしながら、ミラー２０２に関する全ての説明は、ミラー２０４、４０８及び鏡面反射器４１０にも当てはまる。

【0074】

図５は、図４の詳細図ＩＶを示す。以下では図４及び図５を同時に参照する。したがって、ファセットミラー又は視野ファセットミラーを、以下において参照符号２０２で示す。第１空間方向又はｘ方向ｘ、第２空間方向又はｙ方向ｙ、及び第３空間方向又はｚ方向ｚを有する座標系が、視野ファセットミラー２０２に割り当てられる。

【0075】

視野ファセットミラー２０２は、複数のファセット２２２を含むが、図５ではそのうち２つのみに参照符号を設けてある。ファセット２２２は、パターンの形態で、格子の形態で、又は碁盤目状に配置される。特に、これは、ファセット２２２が行列状に相互に上下左右に配置されることを意味する。ファセット２２２は、いわゆるれんが状に配置されることが好ましい。各れんがは、２５×２５の上記ファセット２２２を有し得る。れんがのファセット２２２間に、４０μｍ～５０μｍの距離を設けることができる。個々のれんが間に１００μｍの距離を設けることができる。

【0076】

ファセット２２２は、特に視野ファセットであり、以下でそのようにも呼ばれる。例として、視野ファセットミラー２０２は、数十万個の視野ファセット２２２を含み得る。各視野ファセット２２２は、個別に傾斜可能であり得る。ファセット２２２は、ミラーに割り当てられる場合、瞳ファセットとも呼ばれ得る。

【0077】

図４及び図５に示す平面図において、視野ファセット２２２は、多角形、例えば四角形であり得る。特に、視野ファセット２２２は、図５に示すように正方形であり得る。視野ファセット２２２が正方形である場合、これらは例えば１ｍｍの辺長を有し得る。しかしながら、視野ファセット２２２は、円形又は六角形とすることもできる。原理上、視野ファセット２２２の幾何学的形状は所望に応じる。例として、視野ファセット２２２は、細長い矩形の幾何学的形状を有することもできる。視野ファセット２２２は、平面視で湾曲、特に円弧状に湾曲させることもできる。

【0078】

図６は、図２に示す光学装置２００からの大幅に拡大した抜粋部分を示す。光学装置２００は、ＥＵＶ放射線１０８Ａを発するＥＵＶ光源１０６Ａ（図示せず）と、中間焦点２１４と、視野ファセットミラー２０２と、瞳ファセットミラーの形態のミラー２０４とを含む。ミラー２０４は、以下では瞳ファセットミラーと呼ぶ。ミラー２０６、２０８、偏向ミラー２１０、及びハウジング２１２は図６には示さない。瞳ファセットミラー２０４は、投影系１０４の入射瞳面又はそれとの共役面に少なくとも略配置される。

【0079】

中間焦点２１４は、ＥＵＶ光源１０６Ａの開口絞りである。簡単のために、以下の説明では、中間焦点２１４を作るための開口絞りと実際の中間焦点、すなわち上記開口絞りの開口とを区別しない。

【0080】

視野ファセットミラー２０２は、上述のように複数の視野ファセット２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄ、２２２Ｅ、２２２Ｆを担持する担持体又は本体２２４を含む。視野ファセット２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄ、２２２Ｅ、２２２Ｆは、同一の形態を有することができるが、特にそれらの境界の形状及び／又は各光学有効面２２６の曲率が相互に異なることもできる。光学有効面２２６は、ミラー面である。光学有効面２２６は、平面である。しかしながら、光学有効面２２６は、曲面とすることもできる。

【0081】

光学有効面２２６は、ＥＵＶ放射線１０８Ａを瞳ファセットミラー２０４の方向に反射する働きをする。図６では、視野ファセット２２２Ａの光学有効面２２６のみに参照符号を設けてある。しかしながら、視野ファセット２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄ、２２２Ｅ、２２２Ｆも同様にこのような光学有効面２２６を有する。光学有効面２２６は、視野ファセット面と呼ぶことができる。

【0082】

視野ファセット２２２Ｃのみについて以下で述べる。しかしながら、視野ファセット２２２Ｃに関する全ての説明は、視野ファセット２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｄ、２２２Ｅ、２２２Ｆにも当てはまる。したがって、ＥＵＶ放射線１０８Ａのうち視野ファセット２２２Ｃに当たる部分のみを図示する。しかしながら、視野ファセットミラー２０２の全体がＥＵＶ光源１０６Ａを用いて照明される。

【0083】

瞳ファセットミラー２０４は、複数の瞳ファセット２３０Ａ、２３０Ｂ、２３０Ｃ、２３０Ｄ、２３０Ｅ、２３０Ｆを担持する担持体又は本体２２８を含む。瞳ファセット２３０Ａ、２３０Ｂ、２３０Ｃ、２３０Ｄ、２３０Ｅ、２３０Ｆのそれぞれは、光学有効面２３２、特にミラー面を有する。図６では、瞳ファセット２３０Ａの光学有効面２３２のみに参照符号を設けてある。光学有効面２３２は、ＥＵＶ放射線１０８Ａの反射に適している。光学有効面２３２は、瞳ファセット面と呼ぶことができる。

【0084】

異なる瞳間の切り替えのために、視野ファセット２２２Ｃを異なる瞳ファセット２３０Ａ、２３０Ｂ、２３０Ｃ、２３０Ｄ、２３０Ｅ、２３０Ｆ間で切り替えることができる。特に、この目的で、瞳ファセット２３０Ｃ、２３０Ｄ、２３０Ｅは、視野ファセット２２２Ｃに割り当てられる。これには、視野ファセット２２２Ｃを傾斜させる必要がある。この傾斜は、例えば１００ｍｒａｄ以下で機械的に行われる。

【0085】

視野ファセット２２２Ｃは、上述のように、１つのアクチュエータ（図示せず）又は複数のアクチュエータを用いて、複数の位置又は傾斜位置Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３間で傾斜可能である。第１傾斜位置Ｐ１では、視野ファセット２２２Ｃは、中間焦点２１４を結像光ビーム２３４Ａ（破線で示す）で瞳ファセット２３０Ｃに結像する。第２傾斜位置Ｐ２では、視野ファセット２２２Ｃは、中間焦点２１４を結像光ビーム２３４Ｂ（実線で示す）で瞳ファセット２３０Ｄに結像する。第３傾斜位置Ｐ３では、視野ファセット２２２Ｃは、中間焦点２１４を結像光ビーム２３４Ｃ（点線で示す）で瞳ファセット２３０Ｅに結像する。各瞳ファセット２３０Ｃ、２３０Ｄ、２３０Ｅは、視野ファセット２２２Ｃをフォトマスク１２０（ここには図示せず）に又はその付近に結像する。

【0086】

視野ファセット２２２Ｃを異なる傾斜位置Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３にすることができるように、ｘ方向ｘ及びｙ方向ｙが張る平面内で２つの空間方向、具体的にはｘ方向ｘ及びｙ方向ｙを軸として視野ファセット２２２Ｃを傾斜させることができる必要がある。瞳ファセット２３０Ｃ、２３０Ｄ、２３０Ｅへの視野ファセット２２２Ｃの上記割当ては、必須であると解釈すべきでない。割当ては照明設定に応じて異なり得る。瞳ファセット２３０Ｃ、２３０Ｄ、２３０Ｅも傾斜可能であり得る。同時に、ＥＵＶ放射線１０８Ａにより生じる高い熱負荷を放散することができる必要がある。さらなる要件は、視野ファセット２２２Ｃの位置精度が高いこと、及びそれに関連して例えば温度変化等の外乱に対する感度が低いことにある。

【0087】

可能な限り高い視野ファセット２２２Ｃのフィルファクタを得るために、アクチュエータシステム、センサシステム、及びさらなる機械素子の全体を光学有効面２２６の下に配置することが望ましい。微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を製造する従来技術を用いて視野ファセット２２２Ｃの駆動素子、センサ素子、及び機械素子を実現可能にするために、視野ファセット２２２Ｃの層状構造が選択され得る。

【0088】

ＥＵＶリソグラフィ装置１００Ａでの使用に対する通常の要求に関して、例えば静電容量アクチュエータシステムに基づく以前の解決手段は、この場合はプロセス技術に高い要求を課している。これは特に、製造される構造の高いアスペクト比に当てはまる。したがって、視野ファセット２２２Ｃの動作に必要なアクチュエータシステム、センサシステム、及びメカニクスを比較的容易で少ないプロセスステップを用いて製造することができる設計が望ましい。

【0089】

図７は、光学系３００Ａの一実施形態の概略図を示す。図８は、図７の断面線ＩＩＸ－ＩＩＸに従った光学系３００Ａの概略断面図を示す。図９は、図７の断面線ＩＸ－ＩＸに従った光学系３００Ａの概略断面図を示す。以下では図７～図９を同時に参照する。

【0090】

光学系３００Ａは、先に説明したような光学装置２００、４００の一部である。特に、光学装置２００、４００は、複数の上記光学系３００Ａを含むことができる。光学系３００Ａは、特に、先に説明したような視野ファセットミラー２０２、瞳ファセットミラー２０４、ファセットミラー４０８、又は鏡面反射器４１０の一部でもある。しかしながら、視野ファセットミラー２０２のみについて以下で述べる。しかしながら、視野ファセットミラー２０２に関する全ての説明は、瞳ファセットミラー２０４、ファセットミラー４０８、又は鏡面反射器４１０にも適宜当てはまる。

【0091】

光学系３００Ａは、先に説明したような視野ファセット２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄ、２２２Ｅ、２２２Ｆである。したがって、光学系３００Ａは、視野ファセット、ファセットシステム、視野ファセットシステム、又は視野ファセット装置と呼ぶこともできる。光学系３００Ａは、ファセットシステム、特に視野ファセットシステムであることが好ましい。しかしながら、光学系３００は、瞳ファセットシステムとすることもできる。しかしながら、以下において、ファセットシステムを光学系３００Ａと呼ぶ。

【0092】

光学系３００Ａは、本体又は基板３０２を含む。基板３０２は、特にシリコンを含み得る。基板３０２は、視野ファセットミラー２０２の本体２２４の一部であるか又はそれと強固に接続される。その結果として、基板３０２は、光学系３００の「固定世界」を形成する。

【0093】

さらに、光学系３００Ａは、光学有効面３０６を有するファセット素子３０４、特に視野ファセット素子を含む。光学有効面３０６はミラー面である。光学有効面３０６は、ＥＵＶ放射線１０８Ａを反射するのに適している。光学有効面３０６は、特に、図６に示す光学有効面２２６に相当する。

【0094】

並んで接続された複数のピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４が、基板３０２とファセット素子３０４との間に設けられる。ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４は、ピエゾ素子又はピエゾ作動素子と呼ぶこともできる。全てのピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４は、共通の平面Ｅに配置される。平面Ｅは、ｘ方向ｘ及びｙ方向ｙに張られるか、又はｘ方向ｘ及びｙ方向ｙが張る平面と平行に配置される。

【0095】

主延在方向Ｈが、各ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４に割り当てられるが、図７には第１ピエゾアクチュエータ３０８についてのみ記される。第１ピエゾアクチュエータ３０８の主延在方向Ｈは、ｘ方向ｘの向きである。この場合、主延在方向Ｈは、各ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４が最大の幾何学的広がりを有する方向であると理解されたい。

【0096】

第１ピエゾアクチュエータ３０８は、連結部位３１６においてその全長にわたって基板３０２に強固に接続される。連結部位３１６は、第１ピエゾアクチュエータ３０８の後面３１８に設けられる。他のピエゾアクチュエータ３１０、３１２、３１４は、基板３０２と接触しない。第１ピエゾアクチュエータ３０８の前面３２０が、第２ピエゾアクチュエータ３２０にその端面接続部位３３２で強固に接続される。第２ピエゾアクチュエータ３１０も同様に、後面３２４及び前面３２６を有する。前面３２６は、第２ピエゾアクチュエータ３１０が第１ピエゾアクチュエータ３０８と第３ピエゾアクチュエータ３１２との間に配置されるように第３ピエゾアクチュエータ３１２にその端面接続部位３２８で強固に接続される。第３ピエゾアクチュエータ３１２も、後面３３０及び前面３３２を含む。

【0097】

端面接続部位３３４を用いて、第４ピエゾアクチュエータ３１４が第３ピエゾアクチュエータ３１２の前面３３２に接続される。第４ピエゾアクチュエータ３１４も、後面３３６及び前面３３８を含む。ファセット素子３０４が強固に接続される連結部位３４２との接続部分３４０が、前面３３８から突出する。

【0098】

図１０は、第１ピエゾアクチュエータ３０８の実施形態を示す。ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４は、同一の構造を有することが好ましいので、第１ピエゾアクチュエータ３０８のみについて以下で述べる。第１ピエゾアクチュエータ３０８に関する以下の説明は、ピエゾアクチュエータ３１０、３１２、３１４に適宜当てはまる。第１ピエゾアクチュエータ３０８は、キャリア層３４４を含む。キャリア層３４４は、シリコンから、特に多結晶又は単結晶シリコンから製造することができる。キャリア層３４４上に、ピエゾ層３４６が配置される。ピエゾ層３４６は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電セラミックスに基づき得る。

【0099】

ピエゾ層３４６は、第１電極３４８と第２電極３５０との間に配置される。この場合、第１電極３４８は、キャリア層３４４とピエゾ層３４６との間に配置される。電極３４８、３５０は、電圧源３５２を用いて通電することができる。

【0100】

第１ピエゾアクチュエータ３０８の機能を以下で説明する。第１ピエゾアクチュエータ３０８は、図１０の向きで左側に固定又はクランプされる。電極３４８、３５０を用いて電圧が上記ピエゾ層３４６に印加されると、ピエゾ層３４６内に電界が形成される。結果として、ピエゾ層３４６は、ｘ方向ｘ及びｙ方向ｙが張っている層平面と平行な方向に縮む又は収縮し、その結果としてピエゾ層３４６はキャリア層３４４と共に図１０の向きで上方に曲がる。第１ピエゾアクチュエータ３０８は、ユニモルフアクチュエータ又はユニモルフピエゾアクチュエータとも呼ばれ得る。

【0101】

電圧が第１ピエゾアクチュエータ３０８に印加されると、又は第１ピエゾアクチュエータ３０８が作動されると、第１ピエゾアクチュエータ３０８は、非変形又は非撓み状態Ｚ１（実線を用いて示す）から変形又は撓み状態Ｚ２（破線を用いて示す）になる。任意の数の中間状態を非撓み状態Ｚ１と撓み状態Ｚ２との間に設けることができるので、第１ピエゾアクチュエータ３０８は、非撓み状態Ｚ１と撓み状態Ｚ２との間で連続的に撓み可能である。例として、第１ピエゾアクチュエータ３０８の撓みは、電圧依存的に、例えば電極３４８、３５０に印加される電圧が大きくなると第１ピエゾアクチュエータ３０８の撓みが大きくなるように実施され得る。

【0102】

図７～図９に戻り、光学系３００Ａの機能を説明する。ピエゾアクチュエータ３０８、３１２を用いて、ｘ方向ｘを軸として又はｘ方向ｘと平行に延びる軸周りにファセット素子３０４を逆の向きに傾斜させることができる。例として、第１ピエゾアクチュエータ３０８のみを作動させた場合、ファセット素子３０４は、図８に傾斜運動Ｋ１を用いて示すように、図８の向きでｘ方向ｘを軸として反時計回りの傾斜を実行する。

【0103】

これに対して、第３ピエゾアクチュエータ３１２のみを作動させた場合、ファセット素子３０４は、図８に傾斜運動Ｋ２を用いて示すように、図８の向きでｘ方向ｘを軸として時計回りの傾斜を実行する。両方のピエゾアクチュエータ３０８、３１２を同時に作動させると共に同程度に撓ませた場合、ファセット素子３０４は、ｘ方向ｘを軸として傾斜せずにｚ方向ｚの純粋なストローク運動Ｈ１を実行する。２つのピエゾアクチュエータ３０８、３１２を同時に作動させつつ不均等に撓ませることにより、傾斜運動Ｋ１、Ｋ２及びストローク運動Ｈ１からのファセット素子３０４の複合運動を得ることができる。

【0104】

図９に示すように、ピエゾアクチュエータ３１０、３１４を用いて、ｙ方向ｙを軸として又はｙ方向ｙと平行に延びる軸周りにファセット素子３０４を逆の向きに傾斜させることができる。例として、第２ピエゾアクチュエータ３１０のみを作動させた場合、ファセット素子３０４は、図９に傾斜運動Ｋ３を用いて示すように、図９の向きでｙ方向ｙを軸として時計回りの傾斜を実行する。

【0105】

これに対して、第４ピエゾアクチュエータ３１４のみを作動させた場合、ファセット素子３０４は、図９に傾斜運動Ｋ４を用いて示すように、図９の向きでｙ方向ｙを軸として反時計回りの傾斜を実行する。両方のピエゾアクチュエータ３１０、３１４を同時に作動させると共に同程度に撓ませた場合、ファセット素子３０４は、ｚ方向ｚの純粋なストローク運動Ｈ２を実行する。２つのピエゾアクチュエータ３１０、３１４を同時に作動させつつ不均等に撓ませることにより、傾斜運動Ｋ３、Ｋ４及びストローク運動Ｈ２からのファセット素子３０４の複合運動を得ることができる。

【0106】

全てのピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４を組み合わせて作動させることにより、ｘ方向ｘ、ｙ方向ｙ、及びｚ方向ｚを軸とした複合的な傾斜／ストローク運動を得ることができる。ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４を作動させるために制御ユニット３５４が設けられる。

【0107】

先に説明したようなピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４のこの連続配置の結果として、傾斜運動Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４に基づいて説明したように、２つの軸、具体的にはｘ方向ｘ及びｙ方向ｙを軸としてそれぞれ正及び負の方向にファセット素子３０４を傾斜させることができる。いくつか又は全てのピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４を同時に動作させる結果として、ｘ方向及びｘ及びｙ方向ｙを軸とした傾斜運動Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４の組合せを実現することができるので、全体的な２次元の傾斜場をファセット素子３０４に対して設定することができる。

【0108】

さらに、ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４を用いた駆動により、ストローク運動Ｈ１、Ｈ２を用いて、光学有効面３０６に直交する方向に、具体的にはｚ方向ｚに沿ってファセット素子３０４を移動させる選択肢が得られる。例として、方向ｘ、ｙに割り当てられた２つのピエゾアクチュエータ３０８、３１２又は３１０、３１４が同じ電圧で同時に作動される場合、先に説明したようにファセット素子３０４の傾斜ではなく、ｚ方向ｚに沿った並進、具体的には各ストローク運動Ｈ１、Ｈ２がある。

【0109】

４つのピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４全ての並列動作についても同様である。その結果として、ファセット素子３０４は、３つの自由度、具体的にはｘ方向ｘ及びｙ方向ｙを軸とした傾斜運動Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４並びにｚ方向ｚに沿ったストローク運動Ｈ１、Ｈ２を有する。この特性により、さらなる自由度、したがって照明状態の設定のさらなる柔軟性が得られる。

【0110】

例えばピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４の撓みを記録するためのセンサシステムの組込みは、例えば電極の形態の容量素子、又は例えばピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４と平行に配置されたピエゾ抵抗センサにより、例えば実施することができる。静電容量センサシステムを実現するために、電極がピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４の上面に取り付けられ得る。その場合、対応する対向電極を、ファセット素子３０４の下面に適宜取り付けることができる。そうすると、ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４とファセット素子３０４の下面の電極との間の距離は、ファセット素子３０４が傾斜すると変わる。その結果として、静電容量がファセット素子３０４の傾斜角の関数として変わる。したがって、静電容量センサを実装することができる。

【0111】

センサシステムがピエゾ抵抗センサにより実現される場合、センサ３５６、３５８、３６０、３６２が各ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４に割り当てられる。例として、センサ３５６、３５８、３６０、３６２は、変形した場合に抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子である。ピエゾ抵抗センサ３５６、３５８、３６０、３６２は、可動素子、例えばキャリア層３４４に組み込むことができるか、又は自由部位でこれに施すことができる。代替として、ピエゾ抵抗センサ３５６、３５８、３６０、３６２は、ピエゾ層３４６と平行な付加的な屈曲素子内／上に位置し得る。

【0112】

ピエゾアクチュエータ３０８、３１２は、共に光学系３００Ａの第１ピエゾアクチュエータ装置３６４を形成し、これがｘ方向ｘを軸とした傾斜運動Ｋ１、Ｋ２を容易にする。これに対して、ピエゾアクチュエータ３１０、３１４は、共に光学系３００Ａの第２ピエゾアクチュエータ装置３６６を形成し、これがｙ方向ｙを軸とした傾斜運動Ｋ３、Ｋ４を容易にする。

【0113】

図１１及び図１２はそれぞれ、光学系３００Ｂのさらに別の実施形態の概略斜視図を示し、ファセット素子３０４は図１１には示されていない。光学系３００Ｂが光学系３００Ａと異なる点は、光学系３００Ｂが、図７～図９に非常に概略的にしか示さない光学系３００Ａの可能な構造的実施形態を表すことだけである。

【0114】

２つの帯状の結合要素３６８、３７０、特に第１結合要素３６８及び第２結合要素３７０が、各ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４に割り当てられ、各ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４は、その割り当てられた帯状の結合要素間に配置されてそれらに強固に接続される。図１１では、第１ピエゾアクチュエータ３０８の結合要素３６８、３７０のみに参照符号を設けてある。

【0115】

結合要素３６８、３７０は、基板３０２と同じ材料から製造され得る。第１ピエゾアクチュエータ３０８の第１結合要素３６８のみが、その全長にわたって基板に強固に接続される。例として、第１ピエゾアクチュエータ３０８の第１結合要素３６８は、基板３０２に一体的に接続され、特に材料を一体的に接続される。

【0116】

この場合、「一体的」又は「一部品」は、基板３０２及び第１ピエゾアクチュエータ３０８の第１結合要素３６８が共通のコンポーネントを形成し、異なるコンポーネントから組み立てられていないことを意味する。この場合、「材料を一体的に」は、第１ピエゾアクチュエータ３０８の第１結合要素３６８及び基板が全体的に同じ材料から製造されることを意味する。他の全ての結合要素３６８、３７０は、基板３０２と接続されない。光学系３００Ｂの機能は、光学系３００Ａの機能に対応する。

【0117】

図１３及び図１４はそれぞれ、光学系３００Ｃのさらに別の実施形態の概略斜視図を示し、ファセット素子３０４は図１３には示されていない。その構造に関して、光学系３００Ｃは、光学系３００Ｂのものに対応するが、光学系３００Ｃの結合要素３６８、３７０が光学系３００Ｂのものよりも大きな断面積を有する点が異なる。光学系３００Ｂ、３００Ｃの機能は同一である。

【0118】

高い熱負荷に対処するために、ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４及び接続部位３２２、３２８、３３４が全体として可能な限り低い熱抵抗を有するようにこれらを設計することが有利である。この目的で、接続部位３２２、３２８、３３４の断面積を可能な限り大きく選択すべきである。さらに、広いピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４は、熱抵抗を低減すると同時に、ファセット素子３０４の達成可能な最大傾斜角を僅かにしか損なわないので有利である。

【0119】

記載の光学系３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃは、従来の微小電気機械製造法を用いて実現することができる。この場合、特にシリコン製の複数のベース層から構成された３次元微細構造が、異なるコーティング法、微細構造化・エッチング技術、及び接合法を用いて実現される。

【0120】

光学系３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃの利点を以下で説明する。ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４は、大きな傾斜角の実現を容易にする。これらの大きな傾斜角は、力密度が高いピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４の使用と、ファセット素子３０４の各傾斜運動Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｉ４へのピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４の直接変換とにより得ることができる。

【0121】

ピエゾアクチュエータ３０８、３１０、３１２、３１４は、僅かな空間しか必要とせず、したがってセンサシステムを組み込む空間を大きく空ける。例として、ファセット素子３０４の位置を記録するためにセンサが設けられ得る。その結果として、調整されたシステムを構築することができる。各設計が単純な構造の少数のコンポーネントしか含まず、それら全てが共通の平面Ｅに配置されるので、光学系３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃの生産は簡便である。ファセット素子３０４のストローク運動Ｈ１、Ｈ２の選択により、さらなる柔軟性が得られる。

【0122】

本発明は、例示的な実施形態に基づいて説明したが、多様な方法で変更可能である。

【符号の説明】

【0123】

１００Ａ ＥＵＶリソグラフィ装置
１００Ｂ ＤＵＶリソグラフィ装置
１０２ ビーム整形・照明系
１０４ 投影系
１０６Ａ ＥＵＶ光源
１０６Ｂ ＤＵＶ光源
１０８Ａ ＥＵＶ放射線
１０８Ｂ ＤＵＶ放射線
１００ ミラー
１１２ ミラー
１１４ ミラー
１１６ ミラー
１１８ ミラー
１２０ フォトマスク
１２２ ミラー
１２４ ウェーハ
１２６ 光軸
１２８ レンズ素子
１３０ ミラー
１３２ 媒体
２００ 光学装置
２０２ ミラー／視野ファセットミラー
２０４ ミラー／瞳ファセットミラー
２０６ ミラー
２０８ ミラー
２１０ 偏向ミラー
２１２ ハウジング
２１４ 中間焦点
２１６ ビーム経路
２１８ 物体面
２２０ 物体視野
２２２ ファセット／視野ファセット
２２２Ａ 視野ファセット
２２２Ｂ 視野ファセット
２２２Ｃ 視野ファセット
２２２Ｄ 視野ファセット
２２２Ｅ 視野ファセット
２２２Ｆ 視野ファセット
２２４ 本体
２２６ 光学有効面
２２８ 本体
２３０Ａ 瞳ファセット
２３０Ｂ 瞳ファセット
２３０Ｃ 瞳ファセット
２３０Ｄ 瞳ファセット
２３０Ｅ 瞳ファセット
２３０Ｆ 瞳ファセット
２３２ 光学有効面
２３４Ａ 結像光ビーム
２３４Ｂ 結像光ビーム
２３４Ｃ 結像光ビーム
３００Ａ 光学系／ファセットシステム
３００Ｂ 光学系／ファセットシステム
３００Ｃ 光学系／ファセットシステム
３０２ 基板
３０４ ファセット素子
３０６ 光学有効面
３０８ ピエゾアクチュエータ
３１０ ピエゾアクチュエータ
３１２ ピエゾアクチュエータ
３１４ ピエゾアクチュエータ
３１６ 連結部位
３１８ 後面
３２０ 前面
３２２ 接続部位
３２４ 後面
３２６ 前面
３２８ 接続部位
３３０ 後面
３３２ 前面
３３４ 接続部位
３３６ 後面
３３８ 前面
３４０ 接続部分
３４２ 連結部位
３４４ キャリア層
３４６ ピエゾ層
３４８ 電極
３５０ 電極
３５２ 電圧源
３５４ 制御ユニット
３５６ センサ
３５８ センサ
３６０ センサ
３６２ センサ
３６４ ピエゾアクチュエータ装置
３６６ ピエゾアクチュエータ装置
３６８ 結合要素
３７０ 結合要素
４００ 光学装置
４０２ 放射源
４０４ コレクタ
４０６ 中間焦点面
４０８ ファセットミラー
４１０ 鏡面反射器
４１２ 物体面
４１４ 物体視野
４１６ 瞳面
Ｅ 平面
Ｈ 主延在方向
Ｈ１ ストローク運動
Ｈ２ ストローク運動
Ｋ１ 傾斜運動
Ｋ２ 傾斜運動
Ｋ３ 傾斜運動
Ｋ４ 傾斜運動
Ｍ１ ミラー
Ｍ２ ミラー
Ｍ３ ミラー
Ｍ４ ミラー
Ｍ５ ミラー
Ｍ６ ミラー
Ｐ１ 傾斜位置
Ｐ２ 傾斜位置
Ｐ３ 傾斜位置
ｘ ｘ方向
ｙ ｙ方向
ｚ ｚ方向
Ｚ１ 状態
Ｚ２ 状態

【図1A】

【図1B】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【手続補正書】

【提出日】2023-11-21

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

リソグラフィ装置（１００Ａ、１００Ｂ）用のファセットシステム（３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ）であって、
光学有効面（３０６）を有するファセット素子（３０４）と、
第１空間方向（ｘ）を軸として前記ファセット素子（３０４）を傾斜させる第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）と、
前記第１空間方向（ｘ）に対して直角の向きの第２空間方向（ｙ）を軸として前記ファセット素子（３０４）を傾斜させる第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）と
を備え、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）及び前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）は、前記第１空間方向（ｘ）及び前記第２空間方向（ｙ）が張る共通の平面（Ｅ）に配置され、
前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）及び／又は前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）は、前記光学有効面（３０６）に対して直角の向きの第３空間方向（ｚ）の前記ファセット素子（３０４）のストローク運動（Ｈ１、Ｈ２）を行うよう構成されるファセットシステム。

【請求項2】

請求項１に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）は、２つの反対向きの傾斜運動（Ｋ１、Ｋ２）で前記第１空間方向（ｘ）を軸として前記ファセット素子（３０４）を選択的に傾斜させるよう構成された少なくとも２つのピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）を含むファセットシステム。

【請求項3】

請求項２に記載のファセットシステムにおいて、前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）は、２つの反対向きの傾斜運動（Ｋ３、Ｋ４）で前記第２空間方向（ｙ）を軸として前記ファセット素子（３０４）を選択的に傾斜させるよう構成された少なくとも２つのピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）を含むファセットシステム。

【請求項4】

請求項３に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）の前記ピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）及び前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）のピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）は、並んで配置されるファセットシステム。

【請求項5】

請求項３又は４に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）の前記ピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）及び前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）のピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）は、交互に配置されるファセットシステム。

【請求項6】

請求項３～５のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）の前記ピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）は、相互に平行に且つ相互に離れて配置され、前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）の前記ピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）も同様に、相互に平行に且つ相互に離れて配置されるファセットシステム。

【請求項7】

請求項３～６のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）の前記ピエゾアクチュエータ（３０８、３１２）及び前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）の前記ピエゾアクチュエータ（３１０、３１４）は、相互に対して直角に配置されるファセットシステム。

【請求項8】

請求項３～７のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、第１ピエゾアクチュエータ（３０８）、第２ピエゾアクチュエータ（３１０）、第３ピエゾアクチュエータ（３１２）、及び第４ピエゾアクチュエータ（３１４）が設けられ、前記第１ピエゾアクチュエータ（３０８）及び前記第３ピエゾアクチュエータ（３１２）は、前記第１ピエゾアクチュエータ装置（３６４）に割り当てられ、前記第２ピエゾアクチュエータ（３１０）及び前記第４ピエゾアクチュエータ（３１４）は、前記第２ピエゾアクチュエータ装置（３６６）に割り当てられるファセットシステム。

【請求項9】

請求項８に記載のファセットシステムにおいて、基板（３０２）をさらに備え、前記第１ピエゾアクチュエータ（３０８）のみが前記基板（３０２）に接続されるファセットシステム。

【請求項10】

請求項９に記載のファセットシステムにおいて、前記第１ピエゾアクチュエータ（３０８）は、前記基板（３０２）及び前記第２ピエゾアクチュエータ（３１０）のみに接続され、該第２ピエゾアクチュエータ（３１０）は、前記第１ピエゾアクチュエータ（３０８）及び前記第３ピエゾアクチュエータ（３１２）のみに接続され、該第３ピエゾアクチュエータ（３１２）は、前記第２ピエゾアクチュエータ（３１０）及び前記第４ピエゾアクチュエータ（３１４）のみに接続され、該第４ピエゾアクチュエータ（３１４）は、前記第３ピエゾアクチュエータ（３１２）及び前記ファセット素子（３０４）のみに接続されるファセットシステム。

【請求項11】

請求項１～１０のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、前記ファセット素子（３０４）は、平面視で正方形であるファセットシステム。

【請求項12】

請求項１～１１のいずれか１項に記載のファセットシステムにおいて、センサ（３５６、３５８、３６０、３６２）が、該ファセットシステム（３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ）に組み込まれるファセットシステム。

【請求項13】

リソグラフィ装置（１００Ａ、１００Ｂ）であって、請求項１～１２のいずれか１項に記載のファセットシステム（３００Ａ、３００Ｂ、３００Ｃ）を備えたリソグラフィ装置。

【国際調査報告】