特表2024-512848酸化膜反応面制御剤、これを用いた酸化膜形成方法、これから製造された半導体基板及び半導体素子

発明の名称　酸化膜反応面制御剤、これを用いた酸化膜形成方法、これから製造された半導体基板及び半導体素子

出願人　ソウルブレイン　シーオー．，　エルティーディー　（識別番号 321001986）

　　　　特許公開件数ランキング 1003 位（22件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 2393 位（6件）（共同出願を含む）

公報番号　特表-2024-512848

公報発行日　2024年3月21

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_P1-2024-512848

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