特表2024-515941レーザビーム計測システム、レーザビームシステム、ＥＵＶ放射源及びリソグラフィ装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公表特許公報(A)
(11)【公表番号】
(43)【公表日】2024-04-11
(54)【発明の名称】レーザビーム計測システム、レーザビームシステム、ＥＵＶ放射源及びリソグラフィ装置
(51)【国際特許分類】
G03F 7/20 20060101AFI20240404BHJP
G01N 21/63 20060101ALI20240404BHJP
【ＦＩ】
G03F7/20 501
G03F7/20 521
G01N21/63 Z
【審査請求】未請求
【予備審査請求】未請求
(21)【出願番号】P 2023561318
(86)(22)【出願日】2022-03-29
(85)【翻訳文提出日】2023-11-22
(86)【国際出願番号】 EP2022058282
(87)【国際公開番号】W WO2022228807
(87)【国際公開日】2022-11-03
(31)【優先権主張番号】21171106.4
(32)【優先日】2021-04-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(31)【優先権主張番号】21177836.0
(32)【優先日】2021-06-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】EP
(81)【指定国・地域】
(71)【出願人】
【識別番号】504151804
【氏名又は名称】エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ．
(74)【代理人】
【識別番号】100079108
【弁理士】
【氏名又は名称】稲葉 良幸
(74)【代理人】
【識別番号】100109346
【弁理士】
【氏名又は名称】大貫 敏史
(74)【代理人】
【識別番号】100117189
【弁理士】
【氏名又は名称】江口 昭彦
(74)【代理人】
【識別番号】100134120
【弁理士】
【氏名又は名称】内藤 和彦
(72)【発明者】
【氏名】ビーカー，ウィレム，ポール
(72)【発明者】
【氏名】アナンダン，クリシュナ プラシャンス
(72)【発明者】
【氏名】ガングリー，ヴァシシュタ，パルタサラシー
【テーマコード（参考）】
2G043
2H197
【Ｆターム（参考）】
2G043AA03
2G043EA10
2G043KA03
2H197GA01
2H197GA05
2H197GA24
2H197HA03
(57)【要約】
２つの独立した光路に沿って第１のレーザビームパルス及び第２のレーザビームパルス（４３０）をターゲットに順次向けるように構成されるレーザビームシステムと協働するように構成されたレーザビーム計測システム（５００）であって、ビームステアリングデバイス（４７０）及び検出システム（５１０）を含むレーザビーム計測システム（５００）。このレーザビーム計測システムを含むレーザビームシステム及びＥＵＶ放射源も記載される。
【選択図】図６
【選択図】図６
【特許請求の範囲】
【請求項1】
２つの独立した光路に沿って第１のレーザビームパルス及び第２のレーザビームパルスをターゲットに順次向けるレーザビームシステムと協働するレーザビーム計測システムであって、ビームステアリングデバイスであって、
前記第１のレーザビームパルスの反射の一部を第１の方向に沿って向け直すことであって、前記反射は、前記ターゲットから反射される、ことと、
前記第２のレーザビームパルスの一部を第１の方向に沿って反射することと
を行うビームステアリングデバイス、
検出システムであって、
前記第２のレーザビームの前記反射された一部を受け取ることとと、
前記第１のレーザビームの前記向け直された一部を受け取ることと、
前記第１のレーザビームパルスの前記反射と前記第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定することとと
を行う検出システム
を含むレーザビーム計測システム。
【請求項2】
前記ビームステアリングデバイスは、第１の光学素子であって、
前記第２のレーザビームパルスの前記一部を前記第１の方向に沿って反射すること、
前記第１のレーザビームパルスの前記反射を受け取ることであって、前記反射は、前記ターゲットから反射される、ことと、
前記第１の方向とは実質的に反対の方向に沿って前記第１のレーザビームパルスの前記反射の前記一部を反射することと
を行う第１の光学素子、
再帰反射器であって、
前記第１のレーザビームパルスの前記反射の前記一部を受け取ることとと、
実質的に前記第１の方向に沿って前記第１のレーザビームパルスの前記反射の前記一部を再帰反射することとと
を行う再帰反射器
を含み、
前記第１の光学素子は、
前記第１のレーザビームパルスの前記反射の前記再帰反射された一部を受け取ることとと、
実質的に前記第１の方向に沿って、前記第１のレーザビームパルスの前記反射の前記再帰反射された一部の一部を透過させることとと
を更に行い、
前記検出システムは、前記第１のレーザビームの前記反射の前記再帰反射された一部の前記一部を更に受け取る、請求項１に記載のレーザビーム計測システム。
【請求項3】
前記検出システムは、前記第１のレーザビームの前記向け直された一部又は前記第１のレーザビームパルスの前記反射の前記再帰反射された一部の前記一部を前記検出システムの第１のセンサに向けることと、
前記第２のレーザビームパルスの前記反射された一部を前記検出システムの第２のセンサに向けることと
を行う、請求項１又は２に記載のレーザビーム計測システム。
【請求項4】
前記第１のセンサは、前記第１のセンサ上での前記第１のレーザビームの前記向け直された一部又は前記第１のセンサ上での前記第１のレーザビームパルスの前記反射の前記再帰反射された一部の前記一部の位置を表す第１の信号を提供し、前記第２のセンサは、前記第２のセンサ上での前記第２のレーザビームパルスの前記反射された一部の位置を表す第２の信号を提供し、
前記検出システムは、処理ユニットを含み、前記処理ユニットは、前記第１の信号及び前記第２の信号に基づいて、前記第１のレーザビームパルスの前記反射と前記第２のレーザビームパルスとの間の前記相対的な向きを決定する、請求項３に記載のレーザビーム計測システム。
【請求項5】
前記第１の光学素子は、前記第２のレーザビームパルスの少なくとも９０％を透過させ、前記第１の光学素子は、前記第１のレーザビームパルスの１０～９０％、好ましくは４０～６０％を透過させる、請求項１～４の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
【請求項6】
第２の光学素子を更に含み、前記第２の光学素子は、前記第２のレーザビームパルスの前記反射された一部の部分を前記検出器システムに向け直すことと、
前記第１のレーザビームの前記向け直された一部又は前記第１のレーザビームパルスの前記反射の前記再帰反射された一部の前記一部を前記検出器システムに実質的に向け直すことと
を行う、請求項１～５の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
【請求項7】
前記第２のレーザビームパルスの前記反射された一部の前記部分及び前記第１のレーザビームの前記向け直された一部又は前記第１のレーザビームパルスの前記反射の前記再帰反射された一部の前記一部は、実質的に同じ方向に向け直される、請求項６に記載のレーザビーム計測システム。
【請求項8】
前記第１の光学素子は、前記第１のレーザビームパルスの前記反射を受け取るための第１の表面と、前記第２のレーザビームパルスを受け取るための第２の表面とを含む、請求項１～７の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
【請求項9】
レーザビームシステムであって、複数の第１のレーザビームパルスを生成する第１のレーザビーム源と、
複数の第２のレーザビームパルスを生成する第２のレーザビーム源と、
前記複数の第１のレーザビームパルス及び前記複数の第２のレーザビームパルスをそれぞれの複数のターゲットに向ける光学アセンブリと、
前記第１のレーザビーム源、前記第２のレーザビーム源及び前記光学アセンブリを制御して、前記複数の第１のレーザビームパルスのうちの第１のレーザビームパルス及び前記複数の第２のレーザビームパルスのうちの第２のレーザビームパルスを前記複数のターゲットのうちのターゲットに順次向ける制御システムと、
請求項１～８の何れか一項に記載のレーザビーム計測システムと
を含むレーザビームシステム。
【請求項10】
前記光学アセンブリは、前記第１のレーザビーム源と前記ターゲットとの間に前記複数の第１のレーザビームパルスのための第１の光路を提供することと、
前記第２のレーザビーム源と前記ターゲットとの間に前記複数の第２のレーザビームパルスのための第２の光路を提供することと
を行う、請求項９に記載のレーザビームシステム。
【請求項11】
前記レーザビーム計測システムの前記第１の光学素子は、前記第２の光路中に配置される、請求項１０に記載のレーザビームシステム。
【請求項12】
前記光学アセンブリは、前記第２の光路中に配置された第１の誘導素子を含み、前記第１の誘導素子は、前記第２のレーザビームパルスを前記第２の光路に沿って前記ターゲットに向けて導くことと、
前記第１のレーザビームパルスの前記反射を実質的に前記第２の光路に沿って前記第１の光学素子に向けて導くことと
を行う、請求項１１に記載のレーザビームシステム。
【請求項13】
前記複数の第１のレーザビームパルスの放射波長は、前記複数の第２のレーザビームパルスの放射波長と異なる、請求項９～１２の何れか一項に記載のレーザビームシステム。
【請求項14】
前記複数の第２のレーザビームパルスの前記放射波長は、前記複数の第１のレーザビームパルスの前記放射波長よりも約１０倍大きい、請求項１３に記載のレーザビームシステム。
【請求項15】
ＥＵＶ放射源であって、請求項９～１４の何れか一項に記載のレーザビームシステムと、
前記複数のターゲットを生成する燃料放出器と
を含むＥＵＶ放射源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２１年４月２９日に出願された欧州特許出願公開第２１１７１１０６．４号及び２０２１年６月４日に出願された欧州特許出願公開第２１１７７８３６．０号の優先権を主張するものであり、これらは、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
[0001] 本出願は、２０２１年４月２９日に出願された欧州特許出願公開第２１１７１１０６．４号及び２０２１年６月４日に出願された欧州特許出願公開第２１１７７８３６．０号の優先権を主張するものであり、これらは、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【0002】
[0002] 本発明は、ＥＵＶ放射源のためのレーザビームシステムに適用され得るレーザビーム計測システムに関する。レーザビーム計測システムは、ターゲット、例えばＥＵＶ放射源におけるターゲットに当てるために使用される複数のレーザビームの特性を評価することができる。
【背景技術】
【0003】
[0003] リソグラフィ装置は、基板に所望のパターンを施すように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用することができる。リソグラフィ装置は、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）のパターンを、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上に投影することができる。
【0004】
[0004] パターンを基板に投影するために、リソグラフィ装置は、電磁放射を使用し得る。この放射の波長により、基板上に形成することができるフィーチャの最小寸法が決まる。極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用し、４～２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有するリソグラフィ装置を使用して、例えば１９３ｎｍの波長を用いる放射を使用するリソグラフィ装置よりも小さいフィーチャを基板上に形成し得る。
【0005】
[0005] 必要とされるＥＵＶ放射を得るために、ＥＵＶリソグラフィ装置は、ＥＵＶ放射源を利用する。そのような放射源は、レーザパルスを用いてスズの液滴を標的にすることによってＥＵＶ放射のパルスを生成し得る。既知の放射源では、ＥＵＶ放射は、プリパルスと呼ばれ得る第１のレーザパルスをスズの液滴に当て、続いてメインパルスと呼ばれ得る第２のレーザパルスを当てることによって生成される。レーザパルスエネルギーをＥＵＶ放射に確実に効率的に変換するために、レーザビームパルスとターゲットとの間の正確な位置合わせが必要である。そのような位置合わせを決定する既知のシステムは、計測システムへのレーザビーム信号の複雑なルーティングによって測定誤差が持ち込まれる傾向があり得る。
【発明の概要】
【0006】
[0006] 本発明の目的は、ＥＵＶ放射源の燃料などのターゲットに対してレーザビームパルスをより正確に位置合わせすることを可能にするレーザビーム計測システムを提供することである。従って、本発明の一態様によれば、レーザビーム計測システムが提供される。レーザビーム計測システムは、２つの独立した光路に沿って第１のレーザビームパルス及び第２のレーザビームパルスをターゲットに順次向けるように構成されるレーザビームシステムと協働するように構成される。レーザビームシステムは、ＥＵＶ放射源の一部であり得、ターゲットは、ＥＵＶ放射を生成するための任意のタイプの燃料、例えばスズ液滴であり得る。従って、レーザビーム計測システムは、ＥＵＶ放射源で使用され得るか又はＥＵＶ放射源に適し得る。レーザビーム計測システムは、
－ ビームステアリングデバイスであって、
・第１のレーザビームパルスの反射の一部を第１の方向に沿って向け直すことであって、この反射は、ターゲットから反射される、向け直すこと、
・第２のレーザビームパルスの一部を第１の方向に沿って反射すること
を行うように構成されたビームステアリングデバイス、
－ 検出システムであって、
・第２のレーザビームの反射された一部を受け取ることと、
・第１のレーザビームの向け直された一部を受け取ることと、
・第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定することと
を行うように構成された検出システム
を含む。この決定は、受け取られたビームに基づき得る。
－ ビームステアリングデバイスであって、
・第１のレーザビームパルスの反射の一部を第１の方向に沿って向け直すことであって、この反射は、ターゲットから反射される、向け直すこと、
・第２のレーザビームパルスの一部を第１の方向に沿って反射すること
を行うように構成されたビームステアリングデバイス、
－ 検出システムであって、
・第２のレーザビームの反射された一部を受け取ることと、
・第１のレーザビームの向け直された一部を受け取ることと、
・第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定することと
を行うように構成された検出システム
を含む。この決定は、受け取られたビームに基づき得る。
【0007】
[0007] 本発明の別の態様によれば、レーザビーム計測システムが提供され、このレーザビーム計測システムは、２つの独立した光路に沿って第１のレーザビームパルス及び第２のレーザビームパルスをターゲットに順次向けるように構成されるレーザビームシステムと協働するように構成され、このレーザビーム計測システムは、
－ 第１の光学素子であって、
・第２のレーザビームパルスの一部を第１の方向に沿って反射すること、
・第１のレーザビームパルスの反射を受け取ることであって、この反射は、ターゲットから反射される、受け取ること、
・第１の方向とは実質的に反対の方向に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部を反射すること
を行うように構成された第１の光学素子、
－ 再帰反射器であって、
・第１のレーザビームパルスの反射の一部を受け取ることと、
・実質的に第１の方向に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部を再帰反射することと
を行うように構成された再帰反射器
を含み、
第１の光学素子は、
・第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部を受け取ることと、
・実質的に第１の方向に沿って、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部を透過させることと
を行うように更に構成される。
－ 第１の光学素子であって、
・第２のレーザビームパルスの一部を第１の方向に沿って反射すること、
・第１のレーザビームパルスの反射を受け取ることであって、この反射は、ターゲットから反射される、受け取ること、
・第１の方向とは実質的に反対の方向に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部を反射すること
を行うように構成された第１の光学素子、
－ 再帰反射器であって、
・第１のレーザビームパルスの反射の一部を受け取ることと、
・実質的に第１の方向に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部を再帰反射することと
を行うように構成された再帰反射器
を含み、
第１の光学素子は、
・第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部を受け取ることと、
・実質的に第１の方向に沿って、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部を透過させることと
を行うように更に構成される。
【0008】
[0008] 本発明の更なる態様によれば、レーザビームシステムが提供され、このレーザビームシステムは、
－ 複数の第１のレーザビームパルスを生成するように構成された第１のレーザビーム源と、
－ 複数の第２のレーザビームパルスを生成するように構成された第２のレーザビーム源と、
－ 複数の第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスをそれぞれの複数のターゲットに向けるように構成された光学アセンブリと、
－ 第１のレーザビーム源、第２のレーザビーム源及び光学アセンブリを制御して、複数の第１のレーザビームパルスのうちの第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスのうちの第２のレーザビームパルスを複数のターゲットのうちのターゲットに順次向けるように構成された制御システムと、
－ 本発明によるレーザビーム計測システムと
を含む。
－ 複数の第１のレーザビームパルスを生成するように構成された第１のレーザビーム源と、
－ 複数の第２のレーザビームパルスを生成するように構成された第２のレーザビーム源と、
－ 複数の第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスをそれぞれの複数のターゲットに向けるように構成された光学アセンブリと、
－ 第１のレーザビーム源、第２のレーザビーム源及び光学アセンブリを制御して、複数の第１のレーザビームパルスのうちの第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスのうちの第２のレーザビームパルスを複数のターゲットのうちのターゲットに順次向けるように構成された制御システムと、
－ 本発明によるレーザビーム計測システムと
を含む。
【0009】
[0009] 本発明の更に別の態様によれば、ＥＵＶ放射源が提供され、このＥＵＶ放射源は、
－ 本発明によるレーザビームシステムと、
－ 複数のターゲットを生成するように構成された燃料放出器と
を含む。
－ 本発明によるレーザビームシステムと、
－ 複数のターゲットを生成するように構成された燃料放出器と
を含む。
【0010】
[00010] 本発明の更に別の態様によれば、リソグラフィシステムが提供され、このリソグラフィシステムは、
－ 本発明によるＥＵＶ放射源と、
－ リソグラフィ装置と
を含む。
－ 本発明によるＥＵＶ放射源と、
－ リソグラフィ装置と
を含む。
【0011】
[00011] ここで、本発明の実施形態について、添付の概略図面を参照して単なる例として説明する。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明による放射源及びリソグラフィ装置を含むリソグラフィシステムを示す。
【図2】本発明の実施形態によるレーザビームシステムを示す。
【図3a】本発明の実施形態によるレーザビームシステムの動作を示す。
【図3b】本発明の実施形態によるレーザビームシステムの動作を示す。
【図3c】本発明の実施形態によるレーザビームシステムの動作を示す。
【図4】本発明の実施形態によるレーザビーム計測システムを概略的に示す。
【図5】本発明の実施形態によるレーザビーム計測システムを概略的に示す。
【図6】本発明の実施形態を概略的に示し、第１の光学素子及び再帰反射器は、１つの単一構成要素内に含まれ得る。
【発明を実施するための形態】
【0013】
[00012] 図１は、放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡを含む、本発明によるリソグラフィシステムを示す。放射源ＳＯ、例えば本発明によるＥＵＶ放射源は、ＥＵＶ放射ビームＢを生成し、そのＥＵＶ放射ビームＢをリソグラフィ装置ＬＡに供給するように構成される。リソグラフィ装置ＬＡは、照明システムＩＬ、パターニングデバイスＭＡ（例えば、マスク）を支持するように構成された支持構造ＭＴ、投影システムＰＳ及び基板Ｗを支持するように構成された基板テーブルＷＴを含む。
【0014】
[00013] 照明システムＩＬは、ＥＵＶ放射ビームＢがパターニングデバイスＭＡに入射する前に、ＥＵＶ放射ビームＢを調節するように構成される。更に、照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１を含み得る。ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１は、一緒になって、所望の断面形状及び所望の強度分布を有するＥＵＶ放射ビームＢを提供する。照明システムＩＬは、ファセットフィールドミラーデバイス１０及びファセット瞳ミラーデバイス１１に加えて又はその代わりに、他のミラー又はデバイスを含み得る。
【0015】
[00014] このように調節された後、ＥＵＶ放射ビームＢは、パターニングデバイスＭＡと相互作用する。この相互作用の結果として、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’が生成される。投影システムＰＳは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’を基板Ｗ上に投射するように構成される。その目的のために、投影システムＰＳは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’を、基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に投射するように構成された複数のミラー１３、１４を含み得る。投影システムＰＳは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’に縮小係数を適用し、従ってパターニングデバイスＭＡ上の対応するフィーチャよりも小さいフィーチャを有する像を形成し得る。例えば、４又は８の縮小係数を適用し得る。図１では、投影システムＰＳは、２つのミラー１３、１４のみを有するものとして示されているが、投影システムＰＳは、異なる数のミラー（例えば、６つ又は８つのミラー）を含み得る。
【0016】
[00015] 基板Ｗは、以前に形成されたパターンを含み得る。この場合、リソグラフィ装置ＬＡは、パターン付与されたＥＵＶ放射ビームＢ’によって形成された像を基板Ｗ上の以前に形成されたパターンと位置合わせする。
【0017】
[00016] 相対的真空、即ち大気圧を大幅に下回る圧力での少量のガス（例えば、水素）が放射源ＳＯ、照明システムＩＬ及び／又は投影システムＰＳ内に提供され得る。
【0018】
[00017] 図１に示される放射源ＳＯは、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれ得るタイプのものである。レーザシステム１は、例えば、ＣＯ２レーザを含み得、エネルギーを、レーザビーム２を介して、例えば燃料放出器３から提供されるスズ（Ｓｎ）などの燃料に堆積させるように構成される。レーザシステム１は、例えば、本発明によるレーザビームシステムを含み得、前述のレーザビームシステムは、本発明によるレーザビーム計測システムを含む。以下の説明ではスズについて言及するが、任意の適切な燃料を使用し得る。燃料は、例えば、液体の形態であり得、例えば金属又は合金であり得る。燃料放出器３は、例えば、液滴の形態のスズを、プラズマ形成領域４に向かう軌道に沿って向けるように構成されたノズルを含み得る。レーザビーム２は、プラズマ形成領域４においてスズに入射する。スズにレーザエネルギーを堆積させると、プラズマ形成領域４においてスズプラズマ７が発生する。電子の脱励起及びプラズマのイオンとの再結合中、プラズマ７からＥＵＶ放射を含む放射が放出される。
【0019】
[00018] プラズマからのＥＵＶ放射は、コレクタ５によって集光され、集束される。コレクタ５は、例えば、近垂直入射放射コレクタ５（より一般的に垂直入射放射コレクタと呼ばれることもある）を含む。コレクタ５は、ＥＵＶ放射（例えば、１３．５ｎｍなどの所望の波長を有するＥＵＶ放射）を反射するように構成された多層ミラー構造を有し得る。コレクタ５は、２つの焦点を有する楕円偏光構造を有し得る。以下で考察するように、焦点の第１のものは、プラズマ形成領域４にあり得、焦点の第２のものは、中間焦点６にあり得る。
【0020】
[00019] レーザシステム１は、放射源ＳＯから空間的に離れ得る。この場合、レーザビーム２は、例えば、適切な誘導ミラー、及び／又はビーム拡大器、及び／又は他の光学部品を含むビームデリバリーシステム（図示せず）を用いてレーザシステム１から放射源ＳＯまで進み得る。レーザシステム１、放射源ＳＯ及びビームデリバリーシステムをまとめて放射システムとみなし得る。
【0021】
[00020] コレクタ５によって反射された放射は、ＥＵＶ放射ビームＢを形成する。ＥＵＶ放射ビームＢは、中間焦点６で集束して、プラズマ形成領域４に存在するプラズマの中間焦点６での像を形成する。中間焦点６での像は、照明システムＩＬの仮想放射源としての役割を果たす。放射源ＳＯは、中間焦点６が放射源ＳＯの封入構造９内の開口部８又はその近傍に位置するように配置される。
【0022】
[00021] 図１は、放射源ＳＯをレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源として示すが、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源又は自由電子レーザ（ＦＥＬ）などの任意の適切な放射源を使用してＥＵＶ放射を生成し得る。
【0023】
[00022] 本発明の一態様によれば、レーザビーム計測システムが提供される。一実施形態では、レーザビーム計測システムは、ＬＰＰ源などのＥＵＶ放射源に使用することができるレーザビームシステム内に含まれる。明確にするために、レーザビーム計測システムは、レーザビームシステムに関連して説明されるが、レーザビーム計測システムに関係した全ての要素は、レーザビームシステムに関連する以外でも動作可能である。本発明の一実施形態によるレーザビームシステム２００が図２に概略的に示されている。本発明によれば、レーザビームシステム２００は、第１のレーザビーム源２１０により、複数の第１のレーザビームパルス２１０．１を生成するように構成される。前述の第１のレーザビームパルスは、第１のレーザビーム源２１０によって順番に生成され、放出される。レーザビームシステム２００は、複数の第２のレーザビームパルスを生成するように構成された第２のレーザビーム源２２０を更に含む。前述の第２のレーザビームパルスは、第２のレーザビーム源２２０によって順番に生成され、放出される。
【0024】
[00023] レーザビームシステム２００は、複数の第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスをそれぞれの複数のターゲットに向けるように構成された光学アセンブリ２３０を更に含む。レーザビームシステム２００がＥＵＶ放射源内に適用される場合、複数のターゲットは、例えば、図１に示すように、燃料放出器２４０によって順番に放出されるスズ液滴２４０．１のストリームであり得る。本発明によれば、レーザビームシステム２００は、制御システム２５０を更に含み、この制御システム２５０は、第１のレーザビーム源、第２のレーザビーム源及び光学アセンブリを制御して、第１の複数のレーザビームパルス２１０．１のうちの第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルス２２０．１のうちの第２のレーザビームパルスを複数のターゲットのうちのターゲットに順次向けるように構成される。従って、複数のターゲットのうちのターゲット２４０．１が複数の第１のレーザビームパルス２１０．１のうちの第１のレーザビームパルスによって当てられると、このターゲットは、後の時点で複数の第２のレーザビームパルス２２０．１のうちの第２のレーザパルスによって当てられることになる。これは、例えば、適切な制御信号２５０．１をレーザビーム源２１０及び２２０並びに光学アセンブリ２３０に提供することによって行うことができる。本発明によるレーザビームシステム２００の光学アセンブリ２３０は、ミラー又はレンズなどの様々な構成要素２３０．１１及び２３０．２１を含んで、レーザビームパルス２１０．１及び２２０．１をターゲット２４０．１のストリームに向けて導き得る。レーザビームシステム２００は、本発明によるレーザビーム計測システム２６０を更に含む。そのようなレーザビーム計測システムについては、以下でより詳細に説明する。
【0025】
[00024] 図示する実施形態では、光学アセンブリ２３０は、第１のレーザビーム源２１０とターゲット２４０．１との間に複数の第１のレーザビームパルス２１０．１の第１の光路２３０．１を提供するように構成される。レーザビームパルス２１０．１を適切に導き整形するために、前述の第１の光路２３０．１に沿って、誘導素子とも呼ばれる１つ又は複数の構成要素２３０．１１が使用され得る。光学アセンブリ２３０は、第２のレーザビーム源２２０とターゲット２４０．１との間に複数の第２のレーザビームパルス２２０．１の第２の光路２３０．２を提供するように更に構成される。誘導素子とも呼ばれる様々な構成要素２３０．２１が前述の第２の光路２３０．２に沿って使用され得る。
【0026】
[00025] 図示する実施形態では、第１及び第２の光路２３０．１、２３０．２は、互いに離れており、即ち、それらは、一致しない。従って、第１及び第２の光路２３０．１及び２３０．２は、独立した光路と呼ばれ得る。従って、一実施形態では、第１の光路及び第２の光路は、レーザ源からターゲットまで物理的に異なる位置又は場所にある。そのような実施形態では、複数の第１及び第２のレーザビームパルスは、放射源からターゲットまで何らの光路も共有しない。図示する実施形態では、第１のレーザビームパルス及び第２のレーザビームパルスは、異なるレーザビーム源２１０及び２２０によって生成される。これにより、複数の第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスに対して、異なる特徴（例えば、パワー及び／又は放射波長）を有するパルスを適用することが容易になる。一実施形態では、それらのレーザビーム源は、異なる放射周波数を有するパルスを生成するように構成され得る。一例として、第１のレーザ源２１０は、例えば、約１μｍ又はおよそ１μｍ、例えば１０２８ｎｍの放射波長を有するレーザビームパルスを生成するように構成され得る一方、第２のレーザ源２２０は、例えば、約１０μｍ、例えば１０．６μｍの放射波長を有するレーザビームパルスを生成するように構成され得る。一実施形態では、複数の第２のレーザビームパルスの放射波長は、複数の第１のレーザビームパルスの放射波長よりも５～２５倍大きい。一実施形態では、複数の第２のレーザビームパルスの放射波長は、複数の第１のレーザビームパルスの放射波長よりも１０倍大きい。
【0027】
[00026] レーザビームシステム２００がＥＵＶ放射を生成するために使用される場合、第１のレーザビームパルス２１０．１及び第２のレーザビームパルス２２０．２を用いてスズ液滴２４０．１を順次標的にすることにより、レーザビームパルス２１０．１及び２２０．１が適切にターゲット２４０．１に照準を定め、所定の位置でターゲットに当たることを確実にし、従ってＥＵＶ放射に最も効果的に変換するのを確実にすることが好ましい。レーザビームシステム２００がＬＰＰ ＥＵＶ源内に適用される場合、レーザビームパルスは、図１に示すプラズマ形成領域４などのプラズマ形成領域でスズターゲットに当たるように構成され得る。
【0028】
[00027] スズ液滴、例えばターゲット２４０．１にレーザエネルギーを堆積させると、例えばプラズマ形成領域４においてスズプラズマが発生する。電子の脱励起及びプラズマのイオンとの再結合中、プラズマからＥＵＶ放射を含む放射が放出される。２つ以上のレーザパルスを用いてレーザエネルギーを堆積させた場合、より効率的にＥＵＶ放射に変換できることが観察された。有利には、本発明によるレーザビームシステム２００をそのように適用し得る。特に、レーザビームシステム２００は、第１の時点において、第１のレーザ源２１０によって放出された第１のレーザビームパルス２１０．１をターゲット２４０．１に当て、その後の第２の時点において、第２のレーザビーム源２２０によって放出された第２のレーザビームパルス２２０．１をそのターゲット２４０．１に当てるように構成され得る。そのような構成では、第１のレーザビームパルス２１０．１は、ターゲット２４０．１、例えばスズ液滴の液滴形状の変形を引き起こす。第１のレーザビームパルス２１０．１によるターゲット２４０．１との衝突と、第２のレーザビームパルスによるターゲット２４０．１との衝突との間の期間中、ターゲット２４０．１は、例えば、実質的に球状を有する液滴からより平坦な物体、例えばディスク状又はパンケーキ状の物体に変形し得る。前述の期間中、ターゲット、即ちスズ液滴又は平坦な物体の何れにしてもターゲット２４０．１の軌道２４０．２に沿って伝播し続ける。
【0029】
[00028] 本発明によれば、第１の時点で放出された第１のレーザビームパルス２１０．１は、例えば、プリパルスと呼ばれ得る。その後の第２の時点で放出された第２のレーザビームパルス２２０．１は、例えば、メインパルスと呼ばれ得る。更に、本発明の一実施形態では、メインパルス、例えばレーザビームパルス２２０．１の発射前に複数のプリパルスが発射され得ることに留意されたい。ターゲット、例えば平坦なスズ液滴は、第２のレーザビームパルス２２０．１によって当てられるとプラズマに変わり、このプラズマがＥＵＶ放射を放出することができる。好ましい実施形態では、第２のレーザビームパルス２２０の断面のサイズは、平坦なスズ液滴のサイズよりも実質的に大きい。第２のレーザビームパルス２２０．１の軌道は、第２のレーザビームパルス２２０．１が平坦なスズ液滴と重なり合うようなものであることが好ましい。
【0030】
[00029] 確実に最も効果的にＥＵＶ放射を生成するために、適用されるレーザビームパルスが好ましい位置で液滴又はターゲットに当たる必要があることが理解されるであろう。従って、両方のレーザパルス、即ち第１のレーザビームパルス及び第２のレーザビームパルスがターゲット、例えばターゲット２４０．１に正確に照準を合わせる必要がある。本発明では、ターゲットは、生成されたレーザビームパルスの何れかが当たることになる要素又は特徴を指し得ることに留意されたい。従って、一実施形態では、ターゲットは、例えば、放出器２４０などの放出器によって生成されたスズ液滴を指し得るか、又は例えば以前に発射されたレーザビームパルスと相互作用することにより変形した変形液滴を指し得る。パルスがターゲットに正確に照準を合わせているかどうかを評価するために、本発明の一実施形態によるレーザビームシステム２００は、本発明によるレーザビーム計測システム２６０を更に含む。以下でより詳細に説明するように、レーザビーム計測システム２６０を使用して、パルスがターゲットに正確に照準を合わせているかどうかの評価が行われる。
【0031】
[00030] そうするために、本発明によるレーザビーム計測システム２６０は、ターゲット２４０に照準を合わせている第２のレーザビームパルス２２０．１の少なくとも一部だけでなく、それより前にターゲット２４０．１に発射された第１のレーザビームパルス２１０．１の反射の少なくとも一部も受け取るように構成される。これについては、図３ａ～図３ｃでより詳細に説明する。
【0032】
[00031] 図３ａは、第１のレーザビーム源２１０が第１の光路２３０．１に沿ってターゲット２４０．１に向けて第１のレーザビームパルス２１０．１を発射した時点の図２のレーザビームシステム２００を概略的に示す。点線２３０．２は、レーザビームシステムの第２の光路、即ち第２のレーザビーム源２２０によって発射されるレーザパルスが沿う光路を示したものである。しかしながら、当業者に理解されるように、第１の光路２３０．１と第２の光路２３０．２とは、実際には同じターゲット位置で交わらないことを指摘することができる。むしろ、ターゲット２４０．１の移動に起因して、ターゲット２４０．１が第２のレーザビームパルス２２０．１によって当てられる位置は、ターゲット２４０．１が第１のレーザビームパルス２１０．１によって当てられる位置のやや下流になる。
【0033】
[00032] 図３ｂは、ターゲット２４０．１に対するレーザビームパルス２１０．１の効果を概略的に示す。レーザビームパルス２１０．１の結果として、レーザビームパルス２１０．１の反射は、矢印２７０によって示される様々な方向で生じる。これらの反射２７０のうち、実質的に又は概ねレーザビームシステム２００の第２の光路２３０．２に沿って向けられた反射２７０．１が発生し得る。本発明によれば、第１のレーザビーム源２１０によって発射された第１のレーザビームパルス２１０．１のこの反射２７０．１は、第２の光路に類似した又は第２の光路と概ね若しくは実質的に一致し得る光路に沿って、第２のレーザビームパルス２２０．１と比較して反対の方向に伝播することができ、及び前述の第２の光路２３０．２中に配置されたレーザビーム計測システム２６０によって受け取られることができる。ターゲットが第１のレーザビームパルス２１０．１によって当てられた時点と、ターゲット２４０．１、即ちやや変形したターゲットが第２のレーザビームパルス２２０．１によって当てられた時点との間のターゲット２４０．１の典型的な変位を考慮すると、第１のレーザビームパルス２１０．１の反射２７０．１と第２のレーザビームパルスとの角度差は、例えば、数ミリラジアンであり得る。
【0034】
[00033] 図３ｃは、第２のレーザビームパルス２２０．１が第２のレーザビーム源２２０によって第２の光路２３０．２に沿ってターゲット２４０．１に向けて発射された時点を概略的に示す。本発明によれば、前述の第２のレーザビームパルス２２０．１は、第２の光路に配置されたレーザビーム計測システム２６０によっても受け取られる。
【0035】
[00034] 一実施形態では、図２、図３ａ～図３ｃに概略的に示されるようなレーザビーム計測システム２６０は、前述の受け取られたパルス、特に第１のレーザビームパルス２１０．１の反射２７０．１及び第２のレーザビームパルス２２０．１の特徴を決定するように構成され得る。一実施形態では、レーザビーム計測システム２６０は、例えば、受け取られた両方のパルスの相対的な向きを決定するように構成され得る。この点において、２つの異なる光路２３０．１及び２３０．２の使用に起因して、第１のレーザビーム源２１０によって放出される第１のレーザビームパルス２１０．１は、レーザビーム計測システム２６０によって受け取られないことを指摘することができる。更に説明するように、これは、本発明によるレーザビーム計測システムの設計に有利に応用される。
【0036】
[00035] 図４は、本発明によるレーザビーム計測システム４００の一実施形態を概略的に示す。そのようなレーザビーム計測システム４００は、例えば、図２、図３ａ～図３ｃに示すレーザビームシステム２００内のレーザビーム計測システム２６０として適用され得る。
【0037】
[00036] 本発明の一実施形態によるレーザビーム計測システム４００は、第１のレーザビームパルス、例えばプリパルス（ＰＰ）及び第２のレーザビームパルス、例えばメインパルス（ＭＰ）を順次ターゲットに向けるように構成されるレーザビームシステム、例えばレーザビームシステム２００内で有利に使用され得る。
【0038】
[00037] 図示する実施形態では、レーザビーム計測システム４００は、光路４２０中に配置された第１の光学素子４１０を含む。図２、図３ａ～図３ｃを参照すると、前述の光路４２０は、光路２３０．２、即ち第２のレーザビームパルスがそれに沿ってターゲットに向けて発射される光路及び第１のレーザビームパルスの反射が、反対方向であるが、それに沿って伝播する光路であり得る。
【0039】
[00038] 図示する実施形態では、矢印４３０は、光路４２０に沿って伝播する第２のレーザビームパルスを示す。図示する実施形態では、矢印４４０は、光路４２０に沿って伝播する第１のレーザビームパルスの反射を示す。前述の反射４４０は、例えば、第１のレーザビームパルスがターゲットに当たることによって引き起こされ得る。図示する実施形態では、光路４２０に配置された第１の光学素子４１０は、
－ 第２のレーザビームパルス４３０の一部４３０．１を、矢印４５０によって示される第１の方向に沿って反射すること、
－ 第１のレーザビームパルスの反射４４０を受け取ることであって、この反射は、ターゲットから反射される、受け取ること、
－ 第１の方向４５０とは実質的に反対の方向４６０に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部４４０．１を反射すること
を行うように構成される。
－ 第２のレーザビームパルス４３０の一部４３０．１を、矢印４５０によって示される第１の方向に沿って反射すること、
－ 第１のレーザビームパルスの反射４４０を受け取ることであって、この反射は、ターゲットから反射される、受け取ること、
－ 第１の方向４５０とは実質的に反対の方向４６０に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部４４０．１を反射すること
を行うように構成される。
【0040】
[00039] 第１の光学素子４１０での反射に関して、一般に、反射は、この素子の前面及び後面の両方で発生することを指摘することができる。一実施形態では、前述の反射の一方のみを測定のために使用するように第１の光学素子４１０を設計することができる。一例では、光学素子４１０は、例えば、第１のレーザビームパルスの反射の反射された一部４４０．１が第１の光学素子４１０の後面で発生し、第２のレーザビームパルス４３０の一部４３０．１も第１の光学素子の後面で発生するように設計され得る。代わりに、反射された一部４４０．１及び４３０．１の両方が第１の光学素子４１０の前面で発生し得るか、又は両方の反射が異なる表面で発生し得る。この点において、第１の光学素子の後面は、例えば、ターゲットに最も近い表面４１０．１を指し得る一方、第１の光学素子の前面は、例えば、到来する第２のレーザビームパルス４３０に面する表面４１０．２を指し得る。図４に示す実施形態では、第２のレーザビームパルス４３０の一部４３０．１は、前面４１０．２において反射されるものとして示されている一方、第１のレーザビームパルスの反射４４０の一部４４０．１は、第１の光学素子４１０の後面４１０．１において反射されるものとして示されていることが見て取れる。
【0041】
[00040] 図示する実施形態では、レーザビーム計測システム４００は、再帰反射器４６０を更に含み、この再帰反射器４６０は、
－ 第１のレーザビームパルスの反射４４０の一部４４０．１を受け取ることと、
－ 矢印４４０．２によって示すように、実質的に第１の方向４５０に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部４４０．１を再帰反射することと
を行うように構成される。そのような再帰反射器４６０の一例としては、コーナーキューブが挙げられる。しかしながら、他の種類の再帰反射器も同様に考えられる。再帰反射器４６０は、例えば、融解石英からできているガラスキューブを含むことができ、外面は、例えば、金属又は他の反射材料層でコーティングされている。図示する実施形態では、第１の光学素子４１０は、
－ 第１のレーザビームパルスの反射４４０の再帰反射された一部４４０．２を受け取ることと、
－ 実質的に第１の方向４５０に沿って、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３を放出する（又は透過させる）ことと
を行うように更に構成される。
－ 第１のレーザビームパルスの反射４４０の一部４４０．１を受け取ることと、
－ 矢印４４０．２によって示すように、実質的に第１の方向４５０に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部４４０．１を再帰反射することと
を行うように構成される。そのような再帰反射器４６０の一例としては、コーナーキューブが挙げられる。しかしながら、他の種類の再帰反射器も同様に考えられる。再帰反射器４６０は、例えば、融解石英からできているガラスキューブを含むことができ、外面は、例えば、金属又は他の反射材料層でコーティングされている。図示する実施形態では、第１の光学素子４１０は、
－ 第１のレーザビームパルスの反射４４０の再帰反射された一部４４０．２を受け取ることと、
－ 実質的に第１の方向４５０に沿って、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３を放出する（又は透過させる）ことと
を行うように更に構成される。
【0042】
[00041] 結果として、本発明の一実施形態によるレーザビーム計測システム４００は、実質的に同じ方向、即ち図示されるような第１の方向４５０に沿って、ターゲットに発射された第２のレーザビームパルスを表す信号４３０．１及びターゲットに発射された第１のレーザビームパルスの反射を表す信号４４０．３を放出するように構成される。使用される特定の光学構成要素４１０、４６０により、前述の信号４３０．１及び４４０．３は、実質的に同じ光路に沿って更に伝播し得る。実際には、信号４４０．３とも呼ばれる、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３がたどる経路と、信号４３０．１とも呼ばれる、第２のレーザビームパルス４３０の反射された一部４３０．１がたどる経路とは、実質的に一致し得る。この結果として、信号４３０．１及び４４０．３を導くために必要とされる任意の更なる光学コンポーネントは、両方の信号で共通であり得、従って両方の信号間の空間的な関係が乱されることが回避される。
【0043】
[00042] 従って、レーザビーム計測システム４００は、少数の光学コンポーネントを使用するのみで、第２のレーザビームパルスを表す信号４３０．１と、第１のレーザビームパルスの反射を表す信号４４０．３とを実質的に位置合わせされた又は同一線上に並んだ方式で生成可能であることを更に指摘することができる。更に説明するように、これらの信号に基づいて、検出システムは、レーザビームパルスがターゲットに正確に照準を合わせているかどうかを評価し得る。この点において、本発明によるレーザビーム計測システムは、有利には、第１のレーザビームパルス及び第２のレーザビームパルスの光路の分離を利用することを更に指摘することができる。ターゲットに当たる第１のレーザビームパルスは、光路４２０と異なる光路に沿ってターゲットに到達するため、第１のレーザビームパルスは、レーザビーム計測システム２００と干渉又は相互作用しない。特に、第１のレーザビームパルスは、第１の光学素子４１０と干渉又は相互作用せず、及び第１の方向にいかなる反射も生成しない。
【0044】
[00043] 一実施形態では、第１の光学素子４１０は、第２のレーザビームパルスの少なくとも９０％を透過させるように構成される。レーザビーム計測システム４００の第１の光学素子４１０は、第２のレーザビームパルス４３０、例えばターゲットに当てるためのメインパルスの光路４２０中に配置されているため、第２のレーザビームパルス４３０のごく小さい一部のみが反射されることを保証することが有利であり得る。第２のレーザビームパルス４３０の９５％超又は９９％超が第１の光学素子４１０を透過することが好ましい。一実施形態では、約９９．７％の透過率が実現される。
【0045】
[00044] 一実施形態では、第１の光学素子４１０は、第１のレーザビームパルス、例えばターゲットに当てるためのプリパルスの３０～７０％、好ましくは４０～６０％を透過させるように構成される。図４から分かるように、放出又は透過された、第１のレーザビームパルスの反射４４０の再帰反射された一部４４０．２の一部４４０．３は、まず、第１の光学素子４１０における反射を経て、光学素子４６０において再帰反射した後、第１の光学素子４１０の透過を経たものである。従って、透過率と反射率との両方の最適値は、５０％となり、その結果、反射４４０の２５％が信号４４０．３として到達することになる。そのような場合、第１のレーザビームパルス４４０の反射の約５０％が第１の光学素子４１０を透過することになり、前述の成分は、参照番号４４０．４によって示されている。第１の光学素子の特徴を、第１のレーザビームパルスの波長に対応する波長を有する放射の透過率及び反射率に関して最適化する必要はないことを指摘することができる。むしろ、第２のレーザビームパルスの波長に対応する波長を有する放射の透過率を高くすることを目指す方がより適切である。前述の第２のレーザビームパルス又はメインパルスは、通常、第１のレーザビームパルスよりも大きいパワーを有する。従って、第１の光学素子４１０での加熱の悪影響を回避するために、第２のレーザビームパルスのパワーの放散又は吸収を低く保つことを確実にすることが適切である。従って、第１の光学素子の透過率は、１０％～９０％の範囲内又は更に１％～９９％の範囲内であり得る。レーザビーム計測システムがＥＵＶ放射源のレーザビームシステム内で使用される場合、メインパルスのパワーは、かなり大きいものになり得る。第１の光学素子４１０は、そのような負荷に耐えられる必要がある。一例として、第１の光学素子は、ダイヤモンド基板を含むことができる。ダイヤモンド基板を例えば反射防止被覆物でコーティングして、レーザビームパルス、特に第２のレーザビームパルスのために必要とされる高い透過率を実現することができる。一実施形態では、ダイヤモンド基板の両側をコーティングすることができる。片側は、例えば、第１の光学素子の片側において、第２のレーザビームパルスに対してゼロではない反射率を得るために、僅かに異なる被覆物でコーティングされ得る。
【0046】
[00045] 第１の光学素子の反射率及び透過率について所望の値を得るために、第１の光学素子は、第１及び第２のレーザビームパルスの放射波長を考慮に入れて設計され得る。本発明の一実施形態では、第１のレーザビームパルスは、例えば、概ね１μｍの波長を有し得、第２のレーザビームパルスは、例えば、概ね１０μｍの波長を有し得る。
【0047】
[00046] 一実施形態では、本発明によるレーザビーム計測システムは、検出システムを更に含む。そのようなレーザビーム計測システムについては、図５に概略的に示されている。
【0048】
[00047] 図５は、本発明によるレーザビーム計測システム５００を概略的に示し、計測システム５００は、図４に示すようなレーザビーム計測システム４００に加えて、検出システム５１０を含む。図示する実施形態では、検出システム５１０は、
－ 第２のレーザビームパルス４３０の反射された一部４３０．１を受け取ることと、
－ 第１のレーザビームの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３を受け取ることと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定することと
を行うように構成される。
－ 第２のレーザビームパルス４３０の反射された一部４３０．１を受け取ることと、
－ 第１のレーザビームの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３を受け取ることと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定することと
を行うように構成される。
【0049】
[00048] 図示する実施形態では、それぞれ第２のレーザビーム４３０及び反射された第１のレーザビーム４４０から得られる部分４３０．１及び４４０．３は、部分４３０．１及び４４０．３を少なくとも部分的に反射するように構成された光学素子５３０によってまず受け取られる。第２の光学素子５３０から反射された反射された一部は、４４０．５及び４３０．２として示され、参照番号４４０．５は、素子５３０から反射された部分４４０．３の一部を示し、参照番号４３０．２は、素子５３０から反射された部分４３０．１の一部を示す。
【0050】
[00049] 第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの決定された相対的な向き又は方向に基づいて、本発明によるレーザビームシステム、例えば図２、図３ａ～図３ｃに示すレーザビームシステム２００の制御システムは、レーザビーム源２１０若しくは２２０又は光学アセンブリ２３０を制御するように構成され得る。この点において、関心対象の相対的な向きは、ターゲット２４０．１から反射された第１のレーザビームパルスの反射と、ターゲット２４０．１に向かう第２のレーザビームパルスの方向との間の相対的な向きとであることを指摘することができる。第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの両方は、同じ第１の光学素子によって受け取られるため、前述の相対的な向きは、測定システム全体にわたって維持される。換言すると、第２のレーザビームパルス４３０の反射４３０．１と、第１のレーザビームパルスの反射４４０の再帰反射された一部４４０．２の一部４４０．３との間の相対的な向きは、ターゲット２４０．１から反射された第１のレーザビームパルスの反射と、ターゲット２４０．１に向かう第２のレーザビームパルスの方向との間の相対的な向きと実質的に同じである。決定された相対的な向きに基づいて、レーザビームパルスがターゲットに照準を合わせている精度を評価することができる。従って、この決定された相対的な向きは、第１のレーザビームパルスの受け取られた反射の主光線と、第２のレーザビームパルスの主光線との間の角度と呼ぶこともでき、本発明によるレーザビームシステムの制御システムにフィードバックを提供する。前述のフィードバックは、例えば、制御システムによって使用されて、例えば生成されるレーザビームパルスのタイミング又は向きなどのレーザビーム源の動作を制御することができ、及び／又はレーザビームシステムの光学アセンブリ、例えばレーザビームシステム２００の光学アセンブリ２３０の１つ以上の素子の位置又は向きなどのレーザビームシステムの光学アセンブリの動作を制御することができる。第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの相対的な向きは、ビーム角度オフセットとも呼ばれ得る。レーザビームパルスとターゲットとの適切な又は所望の位置合わせを確実にするために、この相対的な向き又はビーム角度オフセットを所定の値よりも低く保つことが望ましい。上述のように、第１のレーザビームパルスがターゲット２４０．１に当たると、例えば平坦な形状へのターゲットの変形が引き起こされる。この変形を可能にするために、特定の期間が必要であり、その期間中にターゲットが更に移動する。第１のレーザビームパルスと第２のレーザビームパルスとが作用する間の期間に対応する前述の期間中にターゲットが移動する距離は、例えば、概ね２００μｍであり得る。次いで、この距離と、レーザビームシステムの光学レイアウトに関する情報とに基づいて、第２のレーザビームパルスと、ターゲット２４０．１から反射された第１のレーザビームパルスの反射との間の必要な角度差又は相対的な向きを決定することができる。通常、必要な角度差は、例えば、１～２ミリラジアンであり得る。
【0051】
[00050] 図５に示す実施形態では、検出システム５１０は、共通の入口窓５１０．１を介して、第２のレーザビームパルスの反射された一部４３０．１と、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３とを受け取るように構成される。図示する実施形態では、検出システム５１０は、
－ 第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３を検出システム５１０の第１のセンサ５１２に向けることと、
－ 第２のレーザビームパルスの反射された一部４３０．１を検出システム５１０の第２のセンサ５１４に向けることと
を行うように構成される。以下に示すように、検出システム５１０は、信号４３０．１及び４４０．３の一部又は部分のみを受け取ることを指摘することができる。換言すると、第１の光学素子４１０によって反射又は透過された信号４３０．１及び４４０．３の強度は、これらの信号を検出システム５１０に導く光路に沿って更に低減され得る。
－ 第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３を検出システム５１０の第１のセンサ５１２に向けることと、
－ 第２のレーザビームパルスの反射された一部４３０．１を検出システム５１０の第２のセンサ５１４に向けることと
を行うように構成される。以下に示すように、検出システム５１０は、信号４３０．１及び４４０．３の一部又は部分のみを受け取ることを指摘することができる。換言すると、第１の光学素子４１０によって反射又は透過された信号４３０．１及び４４０．３の強度は、これらの信号を検出システム５１０に導く光路に沿って更に低減され得る。
【0052】
[00051] 図示する実施形態では、検出システム５１０は、受け取られた部分４３０．１及び４４０．３を第１及び第２のセンサ５１２、５１４に向けるための２つのリフレクタ５１６、５１８を含む。当業者に理解されるように、リフレクタ５１６、５１８は、信号４３０．１及び４４０．３をセンサ５１２、５１４に向けて導くことができるように、必要な反射率及び透過率を有する必要がある。センサ５１２、５１４のレイアウトを変更することにより、１つのリフレクタのみを使用することで十分であり得ることを指摘することもできる。
【0053】
[00052] 一実施形態では、センサが第１のレーザビームパルスと第２のレーザビームパルスとの両方の放射波長に対して十分な感度を有する場合、同様に１つのセンサのみを使用することで十分であり得る。本発明の一実施形態では、第１のレーザビームパルスは、例えば、概ね１μｍの波長を有し得、第２のレーザビームパルスは、例えば、概ね１０μｍの波長を有し得る。そのような実施形態では、２つの別個のセンサを適用することが好ましいことがある。
【0054】
[00053] 図示する実施形態では、検出システム５１０の第１のセンサ５１２は、第１のセンサ５１２上での第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３の位置を表す第１の信号５１２．１を提供するように構成され、第２のセンサ５１４は、第２のセンサ５１４上での第２のレーザビームパルスの反射された一部４３０．１の位置を表す第２の信号５１４．１を提供するように構成される。検出システム５１０は、処理ユニット５２０を更に含み、処理ユニット５２０は、第１の信号５１２．１及び第２の信号５１４．１に基づいて、第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定するように構成される。一実施形態では、処理ユニット５２０は、第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの相対的な向きを表す出力信号を更に出力し得る。次いで、そのような出力信号は、レーザビーム計測システムを組み込んだレーザビームシステムの制御システムによって使用され得る。代替として、レーザビーム計測システム５００の処理ユニット５２０は、計測システムが適用されるレーザビームシステムの制御システム内に組み込まれ得ることを指摘することができる。
【0055】
[00054] 図示する実施形態では、レーザビーム計測システム５００は、第２の光学素子５３０を更に含み、この第２の光学素子５３０は、
－ 第２のレーザビームパルス４３０の反射された一部４３０．１の一部４３０．２を検出器システム５１０に向け直すことと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３又は一部４４０．３の一部４４０．５を検出器システム５１０に向け直すことと
を行うように構成される。図示する実施形態では、第２の光学素子５３０は、信号４３０．１又は第２のレーザビームパルス４３０の反射された一部の一部４３０．２が素子５３０を透過し、ビームダンプ５４０で終わることになり、ビームダンプ５４０では、信号４３０．１の過剰なエネルギーが吸収されるように設計される。信号４３０．１及び４４０．３の強度及び検出システム５１０の要件、特にセンサ５１２、５１４に到達する所望の信号強度に応じて、リフレクタ５１６及び５１８並びに第２の光学素子５３０は、必要とされる強度がセンサで受け取られるように設計され得る。一例として、リフレクタ５１８は、信号４３０．１の更に低減した部分のみがセンサ５１４に到達するように、信号４３０．１の受け取られた部分４３０．２を部分的に透過させるように設計され得る。
－ 第２のレーザビームパルス４３０の反射された一部４３０．１の一部４３０．２を検出器システム５１０に向け直すことと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３又は一部４４０．３の一部４４０．５を検出器システム５１０に向け直すことと
を行うように構成される。図示する実施形態では、第２の光学素子５３０は、信号４３０．１又は第２のレーザビームパルス４３０の反射された一部の一部４３０．２が素子５３０を透過し、ビームダンプ５４０で終わることになり、ビームダンプ５４０では、信号４３０．１の過剰なエネルギーが吸収されるように設計される。信号４３０．１及び４４０．３の強度及び検出システム５１０の要件、特にセンサ５１２、５１４に到達する所望の信号強度に応じて、リフレクタ５１６及び５１８並びに第２の光学素子５３０は、必要とされる強度がセンサで受け取られるように設計され得る。一例として、リフレクタ５１８は、信号４３０．１の更に低減した部分のみがセンサ５１４に到達するように、信号４３０．１の受け取られた部分４３０．２を部分的に透過させるように設計され得る。
【0056】
[00055] 図示する実施形態では、第１の光学素子４１０は、第１のレーザビームパルスの反射４４０を受け取るための第１の表面４１０．１と、第２のレーザビームパルス４３０を受け取るための第２の表面４１０．２とを含む。一実施形態では、前述の表面は、実質的に互いに平行である。一実施形態では、第１及び第２の表面４１０．１及び４２０．２は、平行ではない方式で構成される。従って、第１の光学素子４１０は、くさび形であり得る。そうすることにより、望ましくない反射を破棄又はフィルタリングすることができる。従って、図４を参照すると、第１の光学素子４１０を適切に成形することにより、第１の光学素子４１０の後面４１０．１で生じる反射のみを計測システム４００又は５００で使用し、前面４１０．２で生じる反射を除去することを確実にし得る。
【0057】
[00056] 図示する実施形態では、素子５８０は、レーザビーム計測システムが使用されるレーザビームシステムの光学アセンブリの誘導素子を概略的に表す。誘導素子５８０は、例えば、第２のレーザビームパルス４３０をターゲットに集束させるように構成されたレーザビームシステムの集束ユニットの一部であり得る。図示する構成では、誘導素子５８０は、ターゲットに照準を合わせた第１のレーザビームパルスの反射を受け取り、それを光路４２０に沿って向けるように更に構成される。
【0058】
[00057] 更なる実施形態では、第１の光学素子４１０及び再帰反射器４６０は、図６に示すようなビームステアリングデバイス４７０などの単一の構成要素内に含まれ得る。従って、この実施形態は、図２～図５の実施形態と互換性があり、これらの図に記載された全ての特徴は、任意の組み合わせでこの実施形態に含まれ得る。図６は、ＥＵＶリソグラフィ装置のＥＵＶ放射源に適したレーザビーム計測システムについて説明している。このレーザビーム計測システムは、第１のレーザビームパルス２１０．１及び第２のレーザビームパルス２２０．１、４３０をターゲットに順次向けるように構成されるレーザビームシステムと協働するように構成される。他の実施形態では、第１のレーザビームパルス及び第２のレーザ４３０ビームパルスは、２つの独立した光路に沿ってターゲットに向けられる。
【0059】
[00058] レーザビーム計測システムは、ビームステアリングデバイス４７０を含む。ビームステアリングデバイス４７０は、第１及び第２のレーザビームパルスの一部の方向を変更するように構成される。第１のビームパルスに関して、ビームステアリングデバイス４７０は、第１のレーザビームパルスの一部を第１の方向４５０に沿って反射するように構成される。第２のビームパルスに関して、ビームステアリングデバイスは、第２のレーザビームパルスの一部を第１の方向４５０に沿って反射するように構成される。レーザビーム計測は、検出システムを含み、この検出システムは、
－ 第１のレーザビームの向け直された一部を受け取ること、
－ 第２のレーザビームの反射された一部を受け取ること、
－ 第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定すること
を行うように構成される。
－ 第１のレーザビームの向け直された一部を受け取ること、
－ 第２のレーザビームの反射された一部を受け取ること、
－ 第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定すること
を行うように構成される。
【0060】
[00059] 第１のビームパルスの一部を第１の方向４５０にステアリングするために、ビームステアリングデバイス４７０は、以前の実施形態で説明した第１の光学素子４１０及び再帰反射器４６０を含み得る。従って、その使用に起因して、ビームステアリングデバイスの第１の光学素子４１０及び再帰反射器４６０は、図２～図５で上述したのと同じ役割を果たすように構成される。例えば、
－ 第１の光学素子４１０は、
〇第２のレーザビームパルス４３０の一部４３０．１を第１の方向４５０に沿って反射することと、
〇第１のレーザビームパルスの反射４４０を受け取ることであって、この反射は、ターゲットから反射される、受け取ることと、
〇第１の方向４５０とは実質的に反対の方向４６０に沿って第１のレーザビーム４４０パルスの反射の一部４４０．１を反射することと、
〇第１のレーザビームパルスの反射４４０の再帰反射された一部４４０．２を受け取ることと、
〇実質的に第１の方向４５０に沿って、第１のレーザビームパルスの反射４４０の再帰反射された一部４４０．１の一部４４０．３を放出又は透過させることと
を行うように構成される。
－ 再帰反射器４６０は、第１のレーザビームパルスの反射４４０の一部４４０．１を受け取り、矢印４４０．２によって示されるように、第１のレーザビームパルスの反射４４０の一部４４０．１を実質的に第１の方向４５０に沿って再帰反射するように構成される。
－ 第１の光学素子４１０は、
〇第２のレーザビームパルス４３０の一部４３０．１を第１の方向４５０に沿って反射することと、
〇第１のレーザビームパルスの反射４４０を受け取ることであって、この反射は、ターゲットから反射される、受け取ることと、
〇第１の方向４５０とは実質的に反対の方向４６０に沿って第１のレーザビーム４４０パルスの反射の一部４４０．１を反射することと、
〇第１のレーザビームパルスの反射４４０の再帰反射された一部４４０．２を受け取ることと、
〇実質的に第１の方向４５０に沿って、第１のレーザビームパルスの反射４４０の再帰反射された一部４４０．１の一部４４０．３を放出又は透過させることと
を行うように構成される。
－ 再帰反射器４６０は、第１のレーザビームパルスの反射４４０の一部４４０．１を受け取り、矢印４４０．２によって示されるように、第１のレーザビームパルスの反射４４０の一部４４０．１を実質的に第１の方向４５０に沿って再帰反射するように構成される。
【0061】
[00060] 従って、検出システム５１０は、第２のレーザビームパルスの反射された一部４３０．１を受け取り、第１のレーザビームの反射の再帰反射された一部の一部４４０．３を受け取り、及び第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定するようにも構成される。
【0062】
[00061] 理解されるように、図６の実施形態は、以前の全ての図の実施形態と互換性がある。従って、上記の実施形態は、それらを含み得る。簡単にするために、図１～図５の実施形態は、図６に関連して再度開示されないが、図１～図５の実施形態は、上述の図６の実施形態に部分的に組み合わせて含まれ得る。
【0063】
[00062] 本発明によるレーザビーム計測システムを含む、本発明によるレーザビームシステムは、有利には、本発明によるＥＵＶ放射源に適用され得る。本発明によるレーザビームシステムをＥＵＶ放射源に適用することにより、レーザビームパルスの照準合わせを正確に評価することができ、従ってＥＵＶ放射を効果的に生成することが可能になる。
【0064】
[00063] 本発明によるＥＵＶ放射源は、本発明によるリソグラフィシステムで有利に使用され得、前述のシステムは、本発明によるＥＵＶ放射源とリソグラフィ装置とを含む。そのようなシステムでは、リソグラフィ装置は、生成されたＥＵＶ放射を露光プロセスで使用するように構成され得る。
【0065】
[00064] 本明細では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用について特に言及していることがあるが、本明細書に記載するリソグラフィ装置には、他の用途があり得ることを理解されたい。他の可能な用途としては、集積光学システム、磁気ドメインメモリのガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造が挙げられる。
【0066】
[00065] 本明細書では、リソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について特に言及していることがあるが、本発明の実施形態は、他の装置に使用され得る。本発明の実施形態は、マスク検査装置、計測装置或いはウェーハ（若しくは他の基板）又はマスク（若しくは他のパターニングデバイス）などの物体を測定又は処理する任意の装置の一部を形成し得る。これらの装置は、一般に、リソグラフィツールと呼ばれ得る。そのようなリソグラフィツールは、真空状態又は周囲（非真空）状態を使用し得る。
【0067】
[00066] 光リソグラフィに関連して本発明の実施形態の使用について上記で具体的に言及してきたが、本発明は、状況が許容する場合、光リソグラフィに限定されず、他の用途、例えばインプリントリソグラフィでも使用できることが理解されるであろう。
【0068】
[00067] 状況が許容する場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はそれらの任意の組み合わせで実装され得る。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサによって読み出し及び実行ができる、機械可読媒体に記憶された命令としても実装され得る。機械可読媒体には、機械（例えば、コンピューティングデバイス）によって読み出し可能な形態で情報を記憶又は送信するための任意の機構が含まれ得る。例えば、機械可読媒体は、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光学記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気的、光学的、音響的又は他の形態の伝播信号（例えば、搬送波、赤外信号、デジタル信号等）などを含み得る。更に、本明細書では、ファームウェア、ソフトウェア、ルーティン、命令は、特定の動作を行うものとして説明され得る。しかしながら、そのような説明は、単に便宜上のものであり、そのような動作は、実際には、ファームウェア、ソフトウェア、ルーティン、命令等を実行するコンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ又は他のデバイスから生じるものであり、その際、アクチュエータ又は他のデバイスを物理的世界と相互作用させ得ることを理解されたい。
【0069】
[00068] 本発明の具体的な実施形態について上記で説明したが、本発明は、説明したものとは別の方法で実施され得ることを理解されたい。上記の説明は、例示であり、限定することを意図したものではなく、従って、以下に記載する条項の範囲から逸脱することなく、説明した本発明に対する変更形態がなされ得ることが当業者に明らかであろう。
１．２つの独立した光路に沿って第１のレーザビームパルス及び第２のレーザビームパルスをターゲットに順次向けるように構成されるレーザビームシステムと協働するように構成されたレーザビーム計測システムであって、
－ 第１の光学素子であって、
・第２のレーザビームパルスの一部を第１の方向に沿って反射すること、
・第１のレーザビームパルスの反射を受け取ることであって、この反射は、ターゲットから反射される、受け取ること、
・第１の方向とは実質的に反対の方向に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部を反射すること
を行うように構成された第１の光学素子、
－ 再帰反射器であって、
・第１のレーザビームパルスの反射の一部を受け取ることと、
・実質的に第１の方向に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部を再帰反射することと
を行うように構成された再帰反射器
を含み、
第１の光学素子は、
・第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部を受け取ることと、
・実質的に第１の方向に沿って、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部を透過させることと
を行うように更に構成される、レーザビーム計測システム。
２．検出システムを更に含み、この検出システムは、
－ 第２のレーザビームの反射された一部を受け取ることと、
－ 第１のレーザビームの反射の再帰反射された一部の一部を受け取ることと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定することと
を行うように構成される、条項１に記載のレーザビーム計測システム。
３．検出システムは、共通の入口窓を介して、第２のレーザビームパルスの反射された一部と、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部とを受け取るように構成される、条項２に記載のレーザビーム計測システム。
４．検出システムは、
－ 第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部を検出システムの第１のセンサに向けることと、
－ 第２のレーザビームパルスの反射された一部を検出システムの第２のセンサに向けることと
を行うように構成される、条項３に記載のレーザビーム計測システム。
５．第１のセンサは、第１のセンサ上での第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部の位置を表す第１の信号を提供するように構成され、第２のセンサは、第２のセンサ上での第２のレーザビームパルスの反射された一部の位置を表す第２の信号を提供するように構成される、条項４に記載のレーザビーム計測システム。
６．検出システムは、処理ユニットを含み、処理ユニットは、第１の信号及び第２の信号に基づいて、第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定するように構成される、条項５に記載のレーザビーム計測システム。
７．第１の光学素子は、第２のレーザビームパルスの少なくとも９０％を透過させるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
８．第１の光学素子は、第１のレーザビームパルスの１０％～９０％、好ましくは４０～６０％を透過させるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
９．第２の光学素子を更に含み、この第２の光学素子は、
－ 第２のレーザビームパルスの反射された一部の部分を検出器システムに向け直すことと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部を検出器システムに実質的に向け直すことと
を行うように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
１０．第２のレーザビームパルスの反射された一部の部分及び第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部は、実質的に同じ方向に向け直される、条項９に記載のレーザビーム計測システム。
１１．第１の光学素子は、第１のレーザビームパルスの反射を受け取るための第１の表面と、第２のレーザビームパルスを受け取るための第２の表面とを含む、先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
１２．レーザビームシステムであって、
－ 複数の第１のレーザビームパルスを生成するように構成された第１のレーザビーム源と、
－ 複数の第２のレーザビームパルスを生成するように構成された第２のレーザビーム源と、
－ 複数の第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスをそれぞれの複数のターゲットに向けるように構成された光学アセンブリと、
－ 第１のレーザビーム源、第２のレーザビーム源及び光学アセンブリを制御して、複数の第１のレーザビームパルスのうちの第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスのうちの第２のレーザビームパルスを複数のターゲットのうちのターゲットに順次向けるように構成された制御システムと、
－ 先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システムと
を含むレーザビームシステム。
１３．光学アセンブリは、
－ 第１のレーザビーム源とターゲットとの間に複数の第１のレーザビームパルスのための第１の光路を提供することと、
－ 第２のレーザビーム源とターゲットとの間に複数の第２のレーザビームパルスのための第２の光路を提供することと
を行うように構成される、条項１２に記載のレーザビームシステム。
１４．レーザビーム計測システムの第１の光学素子は、第２の光路中に配置される、条項１３に記載のレーザビームシステム。
１５．光学アセンブリは、第２の光路中に配置された第１の誘導素子を含み、この第１の誘導素子は、
－ 第２のレーザビームパルスを第２の光路に沿ってターゲットに向けて導くことと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射を実質的に第２の光路に沿って第１の光学素子に向けて導くことと
を行うように構成される、条項１４に記載のレーザビームシステム。
１６．複数の第１のレーザビームパルスの放射波長は、複数の第２のレーザビームパルスの放射波長と異なる、条項１２～１５の何れか一項に記載のレーザビームシステム。
１７．複数の第２のレーザビームパルスの放射波長は、複数の第１のレーザビームパルスの放射波長よりも約１０倍大きい、条項１６に記載のレーザビームシステム。
１８．ＥＵＶ放射源であって、
－ 条項１２～１７の何れか一項に記載のレーザビームシステムと、
－ 複数のターゲットを生成するように構成された燃料放出器と
を含むＥＵＶ放射源。
１９．リソグラフィシステムであって
－ 条項１８に記載のＥＵＶ放射源と、
－ リソグラフィ装置と
を含むリソグラフィシステム。
１．２つの独立した光路に沿って第１のレーザビームパルス及び第２のレーザビームパルスをターゲットに順次向けるように構成されるレーザビームシステムと協働するように構成されたレーザビーム計測システムであって、
－ 第１の光学素子であって、
・第２のレーザビームパルスの一部を第１の方向に沿って反射すること、
・第１のレーザビームパルスの反射を受け取ることであって、この反射は、ターゲットから反射される、受け取ること、
・第１の方向とは実質的に反対の方向に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部を反射すること
を行うように構成された第１の光学素子、
－ 再帰反射器であって、
・第１のレーザビームパルスの反射の一部を受け取ることと、
・実質的に第１の方向に沿って第１のレーザビームパルスの反射の一部を再帰反射することと
を行うように構成された再帰反射器
を含み、
第１の光学素子は、
・第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部を受け取ることと、
・実質的に第１の方向に沿って、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部を透過させることと
を行うように更に構成される、レーザビーム計測システム。
２．検出システムを更に含み、この検出システムは、
－ 第２のレーザビームの反射された一部を受け取ることと、
－ 第１のレーザビームの反射の再帰反射された一部の一部を受け取ることと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定することと
を行うように構成される、条項１に記載のレーザビーム計測システム。
３．検出システムは、共通の入口窓を介して、第２のレーザビームパルスの反射された一部と、第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部とを受け取るように構成される、条項２に記載のレーザビーム計測システム。
４．検出システムは、
－ 第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部を検出システムの第１のセンサに向けることと、
－ 第２のレーザビームパルスの反射された一部を検出システムの第２のセンサに向けることと
を行うように構成される、条項３に記載のレーザビーム計測システム。
５．第１のセンサは、第１のセンサ上での第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部の位置を表す第１の信号を提供するように構成され、第２のセンサは、第２のセンサ上での第２のレーザビームパルスの反射された一部の位置を表す第２の信号を提供するように構成される、条項４に記載のレーザビーム計測システム。
６．検出システムは、処理ユニットを含み、処理ユニットは、第１の信号及び第２の信号に基づいて、第１のレーザビームパルスの反射と第２のレーザビームパルスとの間の相対的な向きを決定するように構成される、条項５に記載のレーザビーム計測システム。
７．第１の光学素子は、第２のレーザビームパルスの少なくとも９０％を透過させるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
８．第１の光学素子は、第１のレーザビームパルスの１０％～９０％、好ましくは４０～６０％を透過させるように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
９．第２の光学素子を更に含み、この第２の光学素子は、
－ 第２のレーザビームパルスの反射された一部の部分を検出器システムに向け直すことと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部を検出器システムに実質的に向け直すことと
を行うように構成される、先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
１０．第２のレーザビームパルスの反射された一部の部分及び第１のレーザビームパルスの反射の再帰反射された一部の一部は、実質的に同じ方向に向け直される、条項９に記載のレーザビーム計測システム。
１１．第１の光学素子は、第１のレーザビームパルスの反射を受け取るための第１の表面と、第２のレーザビームパルスを受け取るための第２の表面とを含む、先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システム。
１２．レーザビームシステムであって、
－ 複数の第１のレーザビームパルスを生成するように構成された第１のレーザビーム源と、
－ 複数の第２のレーザビームパルスを生成するように構成された第２のレーザビーム源と、
－ 複数の第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスをそれぞれの複数のターゲットに向けるように構成された光学アセンブリと、
－ 第１のレーザビーム源、第２のレーザビーム源及び光学アセンブリを制御して、複数の第１のレーザビームパルスのうちの第１のレーザビームパルス及び複数の第２のレーザビームパルスのうちの第２のレーザビームパルスを複数のターゲットのうちのターゲットに順次向けるように構成された制御システムと、
－ 先行する条項の何れか一項に記載のレーザビーム計測システムと
を含むレーザビームシステム。
１３．光学アセンブリは、
－ 第１のレーザビーム源とターゲットとの間に複数の第１のレーザビームパルスのための第１の光路を提供することと、
－ 第２のレーザビーム源とターゲットとの間に複数の第２のレーザビームパルスのための第２の光路を提供することと
を行うように構成される、条項１２に記載のレーザビームシステム。
１４．レーザビーム計測システムの第１の光学素子は、第２の光路中に配置される、条項１３に記載のレーザビームシステム。
１５．光学アセンブリは、第２の光路中に配置された第１の誘導素子を含み、この第１の誘導素子は、
－ 第２のレーザビームパルスを第２の光路に沿ってターゲットに向けて導くことと、
－ 第１のレーザビームパルスの反射を実質的に第２の光路に沿って第１の光学素子に向けて導くことと
を行うように構成される、条項１４に記載のレーザビームシステム。
１６．複数の第１のレーザビームパルスの放射波長は、複数の第２のレーザビームパルスの放射波長と異なる、条項１２～１５の何れか一項に記載のレーザビームシステム。
１７．複数の第２のレーザビームパルスの放射波長は、複数の第１のレーザビームパルスの放射波長よりも約１０倍大きい、条項１６に記載のレーザビームシステム。
１８．ＥＵＶ放射源であって、
－ 条項１２～１７の何れか一項に記載のレーザビームシステムと、
－ 複数のターゲットを生成するように構成された燃料放出器と
を含むＥＵＶ放射源。
１９．リソグラフィシステムであって
－ 条項１８に記載のＥＵＶ放射源と、
－ リソグラフィ装置と
を含むリソグラフィシステム。
【図1】
【図2】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図4】
【図5】
【図6】
【国際調査報告】