特表 2024-516849 基板処理プラットフォームのためのＲＦインピーダンスマッチングネットワーク

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公表特許公報(A)

(11)【公表番号】

(43)【公表日】2024-04-17

(54)【発明の名称】基板処理プラットフォームのためのＲＦインピーダンスマッチングネットワーク

(51)【国際特許分類】

   H05H 1/46 20060101AFI20240410BHJP

【ＦＩ】

H05H1/46 R

H05H1/46 M

【審査請求】有

【予備審査請求】未請求

(21)【出願番号】P 2023568145

(86)(22)【出願日】2022-05-02

(85)【翻訳文提出日】2023-12-21

(86)【国際出願番号】 US2022027230

(87)【国際公開番号】W WO2022235544

(87)【国際公開日】2022-11-10

(31)【優先権主張番号】17/314,173

(32)【優先日】2021-05-07

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(81)【指定国・地域】

(71)【出願人】

【識別番号】390040660

【氏名又は名称】アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＡＰＰＬＩＥＤ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ，ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

【住所又は居所原語表記】３０５０ Ｂｏｗｅｒｓ Ａｖｅｎｕｅ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ ＣＡ ９５０５４ Ｕ．Ｓ．Ａ．

(74)【代理人】

【識別番号】110002077

【氏名又は名称】園田・小林弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】クオ， ユエ

(72)【発明者】

【氏名】クッタネール， クリシュナ クマール

(72)【発明者】

【氏名】ユイ， チエ

(72)【発明者】

【氏名】ラーマスワーミ， カーティク

(72)【発明者】

【氏名】ヤン， ヤン

【テーマコード（参考）】

2G084

【Ｆターム（参考）】

2G084CC12

2G084CC33

2G084DD02

2G084DD15

2G084DD23

2G084DD38

2G084DD57

2G084FF15

2G084HH02

2G084HH20

2G084HH23

2G084HH24

2G084HH34

2G084HH43

(57)【要約】

基板を処理するためにマッチングネットワークを使用する方法および装置が、本明細書において提供される。例えば、プラズマ処理チャンバによる使用のために構成されるマッチングネットワークは、プラズマ処理チャンバのシステムコントローラに接続可能なローカルコントローラと、ローカルコントローラに接続される第１の電動コンデンサと、第１の電動コンデンサに接続される第２の電動コンデンサと、インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータをそれぞれ取得するための、マッチングネットワークの入力における第１のセンサ、および、マッチングネットワークの出力における第２のセンサと、ローカルコントローラを、第１の電動コンデンサ、第２の電動コンデンサ、第１のセンサ、および、第２のセンサに接続する制御自動化技術向けＥｔｈｅｒｎｅｔ（ＥｔｈｅｒＣＡＴ）通信インターフェースとを含む。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

プラズマ処理チャンバによる使用のために構成されるマッチングネットワークであって、
前記プラズマ処理チャンバのシステムコントローラに接続可能なローカルコントローラと、
前記ローカルコントローラに接続される第１の電動コンデンサと、
前記第１の電動コンデンサに接続される第２の電動コンデンサと、
インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータをそれぞれ取得するための、前記マッチングネットワークの入力における第１のセンサ、および、前記マッチングネットワークの出力における第２のセンサと、
前記ローカルコントローラを、前記第１の電動コンデンサ、前記第２の電動コンデンサ、前記第１のセンサ、および、前記第２のセンサに接続する制御自動化技術向けＥｔｈｅｒｎｅｔ（ＥｔｈｅｒＣＡＴ）通信インターフェースと
を含む、マッチングネットワーク。

【請求項2】

前記ローカルコントローラに接続され、反射ＲＦ電力が順方向電力の所定のパーセンテージを上回るときに、ＲＦジェネレータからのＲＦ電力出力をシャットダウンするように構成される、インターロック回路網をさらに含む、請求項１に記載のマッチングネットワーク。

【請求項3】

前記第１の電動コンデンサは、前記第２の電動コンデンサと並列に接続される、請求項１に記載のマッチングネットワーク。

【請求項4】

前記マッチングネットワークは、Ｌ型またはπ型のうちの１つである、請求項１に記載のマッチングネットワーク。

【請求項5】

前記システムコントローラに接続するように構成される第１の直列ポート、および、前記マッチングネットワークの手動制御のための外部コンピューティングデバイスに接続するように構成される第２の直列ポートのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１に記載のマッチングネットワーク。

【請求項6】

前記ＥｔｈｅｒＣＡＴ通信インターフェースは、ＲＦジェネレータを、前記第１のセンサおよび前記第２のセンサの各々に直接的に接続することを、ＴＴＬ信号を前記ＲＦジェネレータから前記第１のセンサおよび前記第２のセンサの各々に送信するために行う、請求項１に記載のマッチングネットワーク。

【請求項7】

前記ローカルコントローラは、ＥｔｈｅｒＣＡＴマスタデバイスであり、前記第１の電動コンデンサ、前記第２の電動コンデンサ、前記第１のセンサ、および、前記第２のセンサは、ＥｔｈｅｒＣＡＴスレーブデバイスであり、
接続されるときに、前記ローカルコントローラは、前記システムコントローラが前記ＥｔｈｅｒＣＡＴマスタデバイスであり、前記ローカルコントローラがＥｔｈｅｒＣＡＴスレーブデバイスであるように、マスタからスレーブへの転換を実行するように構成される、請求項１から６のいずれか一項に記載のマッチングネットワーク。

【請求項8】

ＲＦジェネレータと、
前記ＲＦジェネレータに接続され、基板を処理するように構成されるシステムコントローラを含むプラズマ処理チャンバと、
マッチングネットワークであって、
前記プラズマ処理チャンバの前記システムコントローラに接続可能なローカルコントローラと、
前記ローカルコントローラに接続される第１の電動コンデンサと、
前記第１の電動コンデンサに接続される第２の電動コンデンサと、
インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータをそれぞれ取得するための、前記マッチングネットワークの入力における第１のセンサ、および、前記マッチングネットワークの出力における第２のセンサと、
前記ローカルコントローラを、前記第１の電動コンデンサ、前記第２の電動コンデンサ、前記第１のセンサ、および、前記第２のセンサに接続する制御自動化技術向けＥｔｈｅｒｎｅｔ（ＥｔｈｅｒＣＡＴ）通信インターフェースと
を含む、マッチングネットワークと
を含む、プラズマ処理システム。

【請求項9】

前記マッチングネットワークは、前記ローカルコントローラに接続されたインターロック回路網であって、反射ＲＦ電力が順方向電力の所定のパーセンテージを上回るときに、前記ＲＦジェネレータからのＲＦ電力出力をシャットダウンするように構成されたインターロック回路網をさらに含む、請求項８に記載のプラズマ処理システム。

【請求項10】

前記第１の電動コンデンサは、前記第２の電動コンデンサと並列に接続される、請求項８に記載のプラズマ処理システム。

【請求項11】

前記マッチングネットワークは、Ｌ型またはπ型のうちの１つである、請求項８に記載のプラズマ処理システム。

【請求項12】

前記システムコントローラに接続するように構成される第１のネットワークポート、および、前記マッチングネットワークの手動制御のための外部コンピューティングデバイスに接続するように構成される第２の直列ポートのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項８に記載のプラズマ処理システム。

【請求項13】

前記ＥｔｈｅｒＣＡＴ通信インターフェースは、前記ＲＦジェネレータを、前記第１のセンサおよび前記第２のセンサの各々に直接的に接続することを、ＴＴＬ信号を前記ＲＦジェネレータから前記第１のセンサおよび前記第２のセンサの各々に送信するために行う、請求項８に記載のプラズマ処理システム。

【請求項14】

前記ローカルコントローラは、ＥｔｈｅｒＣＡＴマスタデバイスであり、前記第１の電動コンデンサ、前記第２の電動コンデンサ、前記第１のセンサ、および、前記第２のセンサは、ＥｔｈｅｒＣＡＴスレーブデバイスであり、
接続されるときに、前記ローカルコントローラは、前記システムコントローラが前記ＥｔｈｅｒＣＡＴマスタデバイスであり、前記ローカルコントローラがＥｔｈｅｒＣＡＴスレーブデバイスであるように、マスタからスレーブへの転換を実行するように構成される、請求項８から１３のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。

【請求項15】

第１のＲＦジェネレータおよび第２のＲＦジェネレータと、
前記第１のＲＦジェネレータおよび前記第２のＲＦジェネレータの各々に接続され、基板を処理するように構成されるシステムコントローラを含むプラズマ処理チャンバと、
第１のマッチングネットワークおよび第２のマッチングネットワークであって、各々が、
第１の電動コンデンサと、
前記第１の電動コンデンサに接続される第２の電動コンデンサと、
インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータをそれぞれ取得するための、入力における第１のセンサ、および、出力における第２のセンサであって、前記第１のマッチングネットワークの前記第１の電動コンデンサは、前記第２のマッチングネットワークの前記第１の電動コンデンサに接続される、第１のセンサおよび第２のセンサと、
ローカルコントローラまたは前記システムコントローラのうちの少なくとも１つを、前記第１のマッチングネットワークおよび前記第２のマッチングネットワークの各々の、前記第１の電動コンデンサ、第２の電動コンデンサ、第１のセンサ、および、第２のセンサに接続する制御自動化技術向けＥｔｈｅｒｎｅｔ（ＥｔｈｅｒＣＡＴ）通信インターフェースと
を含む、第１のマッチングネットワークおよび第２のマッチングネットワークと
を含む、プラズマ処理システム。

【請求項16】

前記第１のマッチングネットワークおよび前記第２のマッチングネットワークの各々は、前記ローカルコントローラまたは前記システムコントローラのうちの少なくとも１つに接続されたインターロック回路網であって、反射ＲＦ電力が順方向電力の所定のパーセンテージを上回るときに、ＲＦジェネレータからのＲＦ電力出力をシャットダウンするように構成されたインターロック回路網をさらに含む、請求項１５に記載のプラズマ処理システム。

【請求項17】

前記第１の電動コンデンサは、前記第２の電動コンデンサと並列に接続される、請求項１５に記載のプラズマ処理システム。

【請求項18】

前記第１のマッチングネットワークおよび前記第２のマッチングネットワークは、Ｌ型またはπ型のうちの１つである、請求項１５に記載のプラズマ処理システム。

【請求項19】

前記第１のマッチングネットワークおよび前記第２のマッチングネットワークの各々は、前記システムコントローラに接続するように構成される第１のネットワークポート、ならびに、前記第１のマッチングネットワークおよび前記第２のマッチングネットワークの手動制御のための外部コンピューティングデバイスに接続するように構成される第２の直列ポートのうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１５に記載のプラズマ処理システム。

【請求項20】

前記ＥｔｈｅｒＣＡＴ通信インターフェースは、前記第１のＲＦジェネレータおよび前記第２のＲＦジェネレータを、前記第１のセンサおよび前記第２のセンサの各々に直接的に接続することを、ＴＴＬ信号を前記第１のＲＦジェネレータおよび前記第２のＲＦジェネレータから前記第１のセンサおよび前記第２のセンサの各々に送信するために行う、請求項１５から１９のいずれか一項に記載のプラズマ処理システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の実施形態は、一般的には、基板処理プラットフォームに、および、より詳しくは、基板処理プラットフォームのためのＲＦインピーダンスマッチングネットワークに関係する。

【背景技術】

【0002】

従前のプラズマ処理チャンバ（リアクタ）は、典型的には直列通信プロトコルをベースにして開発される、電力効率を最適化するためにＲＦ源とプラズマ処理チャンバとの間で使用される、ローカルコントローラを含んでいることもある、１つまたは複数のＲＦインピーダンスマッチングネットワークを含んでいることもある。マッチングネットワークセッティングおよびチューニングアルゴリズムは、ローカルメモリ上に記憶されることもあり、チューニングされたマッチングポイントにおいて、最大電力が、ＲＦ源からプラズマ負荷内へと送出され、ほぼゼロの電力が、ＲＦ源に戻るように反射される。ローカルコントローラは、直列通信プロトコル、例えば、ＲＳ－２３２またはＲＳ－４８５をベースにして開発され、１つまたは複数のマッチセンサからのデータをモニタし、チューニングアルゴリズムを使用して、１つまたは複数の電動可変コンデンサ（ｍｏｔｏｒｉｚｅｄ ｖａｒｉａｂｌｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を自動的に調整する。複数個のＲＦ周波数が使用されるときなど、一部の実例において、対応するマッチングネットワークは、互いから隔離され、互いから独立して作動する。

【発明の概要】

【0003】

基板を処理するためにマッチングネットワークを使用する方法および装置が、本明細書において提供される。少なくとも一部の実施形態において、プラズマ処理チャンバによる使用のために構成されるマッチングネットワークは、プラズマ処理チャンバのシステムコントローラに接続可能なローカルコントローラと、ローカルコントローラに接続される第１の電動コンデンサと、第１の電動コンデンサに接続される第２の電動コンデンサと、インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータをそれぞれ取得するための、マッチングネットワークの入力における第１のセンサ、および、マッチングネットワークの出力における第２のセンサと、ローカルコントローラを、第１の電動コンデンサ、第２の電動コンデンサ、第１のセンサ、および、第２のセンサに接続する制御自動化技術向けＥｔｈｅｒｎｅｔ（ＥｔｈｅｒＣＡＴ：Ｅｔｈｅｒｎｅｔ ｆｏｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）通信インターフェースとを含む。

【0004】

少なくとも一部の実施形態にしたがえば、プラズマ処理システムは、ＲＦジェネレータと、ＲＦジェネレータに接続され、基板を処理するように構成されるシステムコントローラを含むプラズマ処理チャンバと、マッチングネットワークであって、プラズマ処理チャンバのシステムコントローラに接続可能なローカルコントローラと、ローカルコントローラに接続される第１の電動コンデンサと、第１の電動コンデンサに接続される第２の電動コンデンサと、インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータをそれぞれ取得するための、マッチングネットワークの入力における第１のセンサ、および、マッチングネットワークの出力における第２のセンサと、ローカルコントローラを、第１の電動コンデンサ、第２の電動コンデンサ、第１のセンサ、および、第２のセンサに接続する制御自動化技術向けＥｔｈｅｒｎｅｔ（ＥｔｈｅｒＣＡＴ）通信インターフェースとを含む、マッチングネットワークとを含む。

【0005】

少なくとも一部の実施形態にしたがえば、プラズマ処理システムは、第１のＲＦジェネレータおよび第２のＲＦジェネレータと、第１のＲＦジェネレータおよび第２のＲＦジェネレータの各々に接続され、基板を処理するように構成されるシステムコントローラを含むプラズマ処理チャンバと、第１のマッチングネットワークおよび第２のマッチングネットワークであって、各々が、第１の電動コンデンサと、第１の電動コンデンサに接続される第２の電動コンデンサと、インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータをそれぞれ取得するための、入力における第１のセンサ、および、出力における第２のセンサであって、第１のマッチングネットワークの第１の電動コンデンサは、第２のマッチングネットワークの第１の電動コンデンサに接続される、第１のセンサおよび第２のセンサと、ローカルコントローラまたはシステムコントローラのうちの少なくとも１つを、第１のマッチングネットワークおよび第２のマッチングネットワークの各々の、第１の電動コンデンサ、第２の電動コンデンサ、第１のセンサ、および、第２のセンサに接続する制御自動化技術向けＥｔｈｅｒｎｅｔ（ＥｔｈｅｒＣＡＴ）通信インターフェースとを含む、第１のマッチングネットワークおよび第２のマッチングネットワークとを含む。

【0006】

本開示の他の、およびさらなる実施形態が、下記で説明される。

【0007】

上記で簡潔に約言された、および、下記でより詳細に論考される、本開示の実施形態は、添付される図面において描写される本開示の例示的な実施形態への参照により理解され得る。しかしながら、添付される図面は、本開示の典型的な実施形態のみを例示し、それゆえに、範囲について制限的と考えられるべきではなく、なぜなら、本開示は、他の等しく効果的な実施形態を認めることがあるからである。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがう、処理チャンバの横断面線図である。

【図2】本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがう、マッチングネットワークのブロック線図である。

【図3】本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがう、デュアル周波数マッチングネットワークのブロック線図である。

【図4】本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがう、デュアル周波数マッチングネットワークのブロック線図である。

【図5】本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがう、基板を処理するための方法のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0009】

理解を容易にするために、同一の参照番号が、可能な場合、図に共通である同一の要素を指定するために使用されている。図は、同縮尺で描画されず、明確さのために単純化されることがある。１つの実施形態の要素および特徴は、さらなる詳説なしに、他の実施形態に有益に組み込まれることがある。

【0010】

基板処理プラットフォームの実施形態が、本明細書において提供される。例えば、本明細書において説明される装置は、１つまたは複数のＲＦ電源、およびプラズマ処理チャンバに接続し得る、１つまたは複数のマッチングネットワークを使用する。マッチングネットワークの、１つまたは複数の構成要素は、制御自動化技術向けｅｔｈｅｒｎｅｔ（ＥｔｈｅｒＣＡＴ）を介して互いと通信する。したがって、本明細書において説明されるマッチングネットワークは、性能、フレキシビリティ、および拡張性における利点をもたらし、なぜならば、ＥｔｈｅｒＣＡＴは、高速のチューニング速度、短い応答時間、および、協調インテリジェントリアルタイム制御をもたらすからである。加えて、本明細書において説明される、開示されるＥｔｈｅｒＣＡＴベースの分散されたマッチングネットワークは、改善されたチューニング信頼性、システム拡張性をもたらし、精巧な電圧波形エンジニアリング用途のための先進的なチューニングアルゴリズムを可能にする。

【0011】

図１は、本開示にしたがう、１つまたは複数のプラズマプロセスを実行するのに適する処理チャンバ１００を含むプラズマ処理システムの１つの例の断面図である。本明細書において開示される教示による使用のために適合させられることがある、適する処理チャンバは、例えば、Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ州Ｓａｎｔａ ＣｌａｒａのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．から入手可能な、１つまたは複数のエッチング処理チャンバを含んでいる。他の処理チャンバが、本開示の方法のうちの１つまたは複数から利益を得るように適合させられることがある。

【0012】

処理チャンバ１００は、内部容積１０６を包囲する、チャンバ本体１０２およびチャンバリッド１０４を含んでいる。チャンバ本体１０２は、典型的には、アルミニウム、ステンレス鋼、または、他の適する材料から製造される。チャンバ本体１０２は、一般的には、側壁１０８と、底部１１０とを含んでいる。基板支持体ペデスタルアクセスポート（示されない）が、一般的には、側壁１０８内に画定され、処理チャンバ１００からの基板１０３の進入および外出を容易にするために、スリットバルブにより、選択的に密閉されている。排気口１２６が、チャンバ本体１０２内に画定され、内部容積１０６をポンプシステム１２８に結合する。ポンプシステム１２８は、一般的には、処理チャンバ１００の内部容積１０６を空ける、および、その内部容積１０６の圧力を調節するために利用される、１つまたは複数のポンプおよびスロットルバルブを含んでいる。実施形態において、ポンプシステム１２８は、プロセス必要性に依存して、典型的には約１ミリトルから約５００ミリトルの間の、約５ミリトルから約１００ミリトルの間の、または、約５ミリトルから５０ミリトルの間の動作圧力において、内部容積１０６の内方の圧力を保つ。

【0013】

チャンバリッド１０４は、チャンバ本体１０２の側壁１０８上に密閉の様態で支持される。チャンバリッド１０４は、処理チャンバ１００の内部容積１０６に対する越権を可能とするために開かれることがある。チャンバリッド１０４は、光学プロセスモニタを容易にする窓１４２を含んでいる。１つの実施形態において、窓１４２は、処理チャンバ１００の外方に取付けられる光学モニタシステム１４０により利用される信号に対して透過性である、石英または他の適する材料から成立させられる。

【0014】

光学モニタシステム１４０は、窓１４２を通して、チャンバ本体１０２の内部容積１０６、および／または、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８上に位置決めされる基板１０３のうちの少なくとも１つをとらえるように位置決めされる。１つの実施形態において、光学モニタシステム１４０は、チャンバリッド１０４に結合され、必要とされる際に、入来する基板パターン特徴不調和（厚さ、および類するものなど）について補償するためのプロセス調整を可能にする情報を提供する、プロセス状態モニタ（プラズマモニタ、温度モニタ、および類するものなど）を提供するために、光学計測学を使用する、統合された堆積プロセスを容易にする。

【0015】

実施形態において、ガスパネル１５８が、プロセスおよび／または洗浄ガスを内部容積１０６に提供するために、処理チャンバ１００に結合される。図１において描写される例において、入り口ポート１３２’、１３２”が、ガスがガスパネル１５８から処理チャンバ１００の内部容積１０６に送出されることを可能とするために、チャンバリッド１０４内に設けられる。実施形態において、ガスパネル１５８は、入り口ポート１３２’、１３２”を通して、および、処理チャンバ１００の内部容積１０６内へと、酸素、および、アルゴンなどの不活性ガス、または、酸素、および、ヘリウムプロセスガスもしくは混合ガスを提供するように適合させられる。１つの実施形態において、ガスパネル１５８から提供されるプロセスガスは、少なくとも、酸素ガスなどの酸化剤を含んでいるプロセスガスを含んでいる。実施形態において、酸化剤を含んでいるプロセスガスは、アルゴンまたはヘリウムなどの不活性ガスをさらに含むことがある。一部の実施形態において、プロセスガスは、水素などの還元剤を含んでおり、アルゴンなどの不活性ガス、または、窒素もしくはヘリウムなどの他のガスと混合されることがある。一部の実施形態において、塩素ガスが、単独で、または、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスのうちの少なくとも１つと組み合わせて提供されることがある。酸素含有ガスの非制限的な例は、Ｏ_２、ＣＯ_２、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、Ｏ_３、Ｈ_２Ｏ、および類するもののうちの１つまたは複数を含んでいる。窒素含有ガスの非制限的な例は、Ｎ_２、ＮＨ_３、および類するものを含んでいる。塩素含有ガスの非制限的な例は、ＨＣｌ、Ｃｌ_２、ＣＣｌ_４、および類するものを含んでいる。実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ１３０が、チャンバリッド１０４の内部表面１１４に結合される。シャワーヘッドアセンブリ１３０は、複数の開孔を含んでおり、それらの開孔によって、ガスが、処理チャンバ１００内で処理されている基板１０３の表面の全域で、あらかじめ規定された分配において、シャワーヘッドアセンブリ１３０を通って、入り口ポート１３２’、１３２”から処理チャンバ１００の内部容積１０６内へと流れることが可能となる。

【0016】

一部の実施形態において、処理チャンバ１００は、プラズマ処理のために容量結合ＲＦエネルギーを利用することがあり、または、一部の実施形態において、処理チャンバ１００は、プラズマ処理のために誘導結合ＲＦエネルギーを使用することがある。一部の実施形態において、遠隔プラズマ源１７７が、任意選択で、混合ガスを遠隔プラズマから、処理のために内部容積１０６に進入するよりも前に引き離すことを容易にするために、ガスパネル１５８に結合されることがある。一部の実施形態において、ＲＦソース電力１４３が、マッチングネットワーク１４１を通してシャワーヘッドアセンブリ１３０に結合される。ＲＦソース電力１４３は、典型的には、最高で約５０００Ｗ、例えば、約２００Ｗから約５０００Ｗの間、または、１０００Ｗから３０００Ｗの間、または、約１５００Ｗを、および、任意選択で、約５０ｋＨｚから約２００ＭＨｚのレンジ内のチューニング可能な周波数において生み出し得る。

【0017】

シャワーヘッドアセンブリ１３０は、加えて、光学計測学信号に対して透過性の領域を含んでいる。光学的に透過性の領域または通路１３８は、光学モニタシステム１４０が、内部容積１０６、および／または、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８上に位置決めされる基板１０３をとらえることを可能とするのに適する。通路１３８は、光学モニタシステム１４０により発生させられる、および、光学モニタシステム１４０に反射される、エネルギーの波長に対して実質的に透過性である、シャワーヘッドアセンブリ１３０内に形成される、または配される、材料、開孔、または、複数の開孔であることがある。１つの実施形態において、通路１３８は、通路１３８を通るガス漏れを防止するための窓１４２を含んでいる。窓１４２は、サファイア板、石英板、または、他の適する材料であることがある。窓１４２は、代替法として、チャンバリッド１０４内に配されることがある。

【0018】

１つの実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ１３０は、処理チャンバ１００の内部容積１０６内へと流れるガスの別個の制御を可能とする、複数のゾーンによって構成される。図１において例示される例における、入り口ポート１３２’、１３２”を通してガスパネル１５８に別個に結合される、内側ゾーン１３４および外側ゾーン１３６としてのシャワーヘッドアセンブリ１３０。

【0019】

一部の実施形態において、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８は、シャワーヘッドアセンブリ１３０などのガス分配アセンブリの下方で、処理チャンバ１００の内部容積１０６内に配される。基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８は、処理中に基板１０３を把持する。基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８は、一般的には、その基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８を通して配される複数のリフトピン（示されない）を含んでおり、それらのリフトピンは、基板１０３を基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８から持ち上げ、従前の様式におけるロボット（示されない）による基板１０３の交換を容易にするように構成される。内側ライナ１１８が、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８の周辺を密接に取り囲むことがある。

【0020】

１つの実施形態において、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８は、取付板１６２と、ベース１６４と、静電チャック１６６とを含んでいる。取付板１６２は、チャンバ本体１０２の底部１１０に結合され、ベース１６４および静電チャック１６６への、中でも、流体、電力ライン、およびセンサリードなどのユーティリティの道筋を定めるための通路を含んでいる。静電チャック１６６は、シャワーヘッドアセンブリ１３０の下方で基板１０３を保持するための電極１８０（例えば、クランプ電極）を含む。静電チャック１６６は、従前から知られているように、基板１０３をチャック表面に対して把持する静電力を生じさせるために、チャック電源１８２により駆動される。代替法として、基板１０３は、クランプ、真空、または重力により、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８に対して保持されることがある。

【0021】

ベース１６４または静電チャック１６６は、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８の横方向温度プロファイルを制御するために、ヒータ１７６と、少なくとも１つの任意選択の埋め込み絶縁物１７４と、複数の導管１６８、１７０とを含んでいることがある。導管１６８、１７０は、それらの導管１６８、１７０を通る温度調節流体を循環させる流体源１７２に流体的に結合される。ヒータ１７６は、電源１７８により調節される。導管１６８、１７０およびヒータ１７６は、ベース１６４の温度、静電チャック１６６を加熱および／または冷却すること、ならびに究極的には、その静電チャック１６６上に配される基板１０３の温度プロファイルを制御するために利用される。静電チャック１６６およびベース１６４の温度は、複数の温度センサ１９０、１９２を使用してモニタされることがある。静電チャック１６６は、静電チャック１６６の基板支持体ペデスタル支持表面内に形成され、ヘリウム（Ｈｅ）などの熱移送（または裏側）ガスの源に流体的に結合される、溝などの、複数のガス通路（示されない）をさらに含んでいることがある。動作において、裏側ガスは、静電チャック１６６と基板１０３との間の熱移送を強化するために、ガス通路内へと、制御された圧力において提供される。実施形態において、基板の温度は、摂氏１００度から摂氏３００度、または、摂氏１５０度から摂氏２５０度など、摂氏２０度から摂氏４５０度において保たれることがある。

【0022】

１つの実施形態において、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８は、カソードとして構成され、複数のＲＦバイアス電源１８４、１８６に結合される電極１８０を含んでいる。ＲＦバイアス電源１８４、１８６は、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８内に配される電極１８０と、チャンバ本体１０２のシャワーヘッドアセンブリ１３０またはチャンバリッド１０４）などの別の電極との間で結合される。ＲＦバイアス電力は、チャンバ本体１０２の処理領域内に配されるガスから形成されるプラズマ放電を励起および維持する。

【0023】

なおも図１を参照すると、一部の実施形態において、デュアルＲＦバイアス電源１８４、１８６は、１つまたは複数のマッチングネットワーク１８８（１つのマッチングネットワークが、図１において示される）を通して、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８内に配される電極１８０に結合される。マッチングネットワーク１８８は、５０Ω伝送ラインを通してＲＦバイアス電源１８４、１８６に接続される。ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６は、１００ｋＨｚから２００ＭＨｚの間の周波数において電力を供給し得る。少なくとも一部の実施形態において、トランジスタ－トランジスタ論理（ＴＴＬ）信号が、高速の応答、および、短いチューン時間のために、ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６から直接的に、マッチングネットワーク１８８の入力センサおよび出力センサに提供され得る。ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６により発生させられる信号は、処理チャンバ１００などのプラズマ処理チャンバ内に提供される混合ガスをイオン化し、そうして、エッチング堆積、または、他のプラズマ強化プロセスを実行するために必要なイオンエネルギーをもたらすために、単一フィードによって、基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８に、マッチングネットワーク１８８を通して送出される。ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６は、一般的には、約１００ｋＨｚから約２００ＭＨｚ（例えば、約１３．５６ＭＨｚ＋／－５％）の周波数を有するＲＦ信号、および、約０ワットから約６０００ワットの間の（例えば、低電力動作のための約５０Ｗから、高電力動作のための約６０００Ｗの）、１ワット（Ｗ）から約１００Ｗの、または、約１Ｗから約３０Ｗの電力を生み出す能力をもつ。バイアス電力１８９が、プラズマの特性を制御するために、電極１８０に結合されることがある。

【0024】

動作中に、基板１０３は、処理チャンバ１００などのプラズマ処理チャンバ内の基板支持体ペデスタルアセンブリ１４８上に配される。プロセスガスおよび／または混合ガスが、ガスパネル１５８からシャワーヘッドアセンブリ１３０を通してチャンバ本体１０２内へと導入される。ポンプシステム１２８などの真空ポンプシステムが、堆積副生物を除去しながら、チャンバ本体１０２の内方の圧力を保つ。

【0025】

コントローラ１５０（例えば、システムコントローラ）が、処理チャンバ１００の動作を制御するために、処理チャンバ１００に結合される。コントローラ１５０は、プロセスシーケンスを制御し、ガスパネル１５８からのガス流を調節するために利用される、中央処理ユニット１５２と、メモリ１５４と、支持体回路１５６とを含んでいる。中央処理ユニット１５２は、産業環境において使用されることがある、任意の形式の汎用コンピュータプロセッサであることがある。ソフトウェアルーチンが、ランダムアクセスメモリ、読み出し専用メモリ、フロッピー、またはハードディスクドライブ（ｈａｒｄ ｄｉｓｋ ｄｒｉｖｅ）、または、他の形式のデジタルストレージなどの、メモリ１５４内に記憶され得る。支持体回路１５６は、中央処理ユニット１５２に従前通りに結合され、キャッシュ、クロック回路、入力／出力システム、電力供給装置、および類するものを含んでいることがある。コントローラ１５０と、処理チャンバ１００の様々な部品との間の双方向性通信が、数多くの信号ケーブルを通してハンドリングされる。

【0026】

少なくとも一部の実施形態において、コントローラ１５０は、ＥｔｈｅｒＣＡＴを介して、ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６（および／またはバイアス電力１８９）、マッチングネットワークコントローラ、ならびに、マッチングネットワーク内のすべての構成要素と通信し、そうして、下記でより詳細に説明されることになるように、先進的なマルチ周波数重畳プラズマエッチング能力をもたらし得る。

【0027】

図２は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがう、処理チャンバ１００による使用のために構成されるマッチングネットワーク１８８のブロック線図である。少なくとも一部の実施形態において、マッチングネットワーク１８８は、Ｌ型またはπ型（Ｐｉ ｔｙｐｅ）マッチングネットワークであり得る。

【0028】

マッチングネットワーク１８８は、ローカルコントローラと、１つまたは複数のセンサと、１つまたは複数の電動コンデンサとを含み、それらのローカルコントローラ、センサ、および電動コンデンサのすべては、ＥｔｈｅｒＣＡＴを介して接続される（破線２０１により例示される）。ＥｔｈｅｒＣＡＴは、リアルタイム産業用Ｅｔｈｅｒｎｅｔプロトコルであり、短いサイクル時間、および、低いジッタに起因して、ＥｔｈｅｒＣＡＴは、プラズマ処理中に、高い速度、および、正確な同期をもたらす。１つまたは複数の他のインターフェースが、マッチングネットワーク１８８の構成要素を互いに、ならびに／または、ＲＦジェネレータおよびプラズマ処理チャンバをマッチングネットワーク１８８に接続するために使用され得る。例えば、伝送ライン２０３（実線により例示される）が、例えば、ＲＦ電力をプラズマ処理チャンバに供給するために、ＲＦジェネレータをマッチングネットワーク１８８に、および、マッチングネットワーク１８８をプラズマ処理チャンバに接続するために使用され得る。

【0029】

少なくとも一部の実施形態において、ローカルコントローラ２００は、ローカルＥｔｈｅｒＣＡＴマスタとして機能し、すべてのマッチングネットワーク構成要素、例えば、センサ、電動コンデンサは、ローカルコントローラ２００により制御されるＥｔｈｅｒＣＡＴスレーブデバイス（ｓｌａｖｅ ｄｅｖｉｃｅ）である。例えば、ローカルコントローラ２００（例えば、ＥｔｈｅｒＣＡＴマスタコントローラ）により送られるコマンドが、すべてのＥｔｈｅｒＣＡＴスレーブデバイスに渡る。ＥｔｈｅｒＣＡＴインターフェースを伴う第１の電動コンデンサ２０２（真空コンデンサ）は、ローカルコントローラ２００に、および、ＥｔｈｅｒＣＡＴインターフェースを伴う第２の電動コンデンサ２０４（真空コンデンサ）に接続され得る。第１の電動コンデンサ２０２は、直列または並列構成において、第２の電動コンデンサ２０４に接続され得る。例えば、例示される実施形態において、第１の電動コンデンサ２０２は、第２の電動コンデンサ２０４と並列に接続される。第１の電動コンデンサおよび第２の電動コンデンサ２０４は、電動可変コンデンサであり、動作中に調整されるように構成される。例えば、ローカルコントローラは、プラズマ処理中の反射電力を最小化するように、第１の電動コンデンサおよび第２の電動コンデンサ２０４を調整するように構成され得る。

【0030】

ローカルコントローラ２００は、インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータをそれぞれ取得するための、マッチングネットワーク１８８の入力において配される第１のセンサ２０６、および、マッチングネットワーク１８８の出力において配される第２のセンサ２０８に、（直接的または間接的に）接続され得る。少なくとも一部の実施形態において、第１のセンサ２０６および第２のセンサ２０８は、マルチ周波数電圧／電流プローブであり得る。測定されるデータは、自動インピーダンスチューニング、負荷インピーダンスモニタ、その他のために使用され得る。

【0031】

少なくとも一部の実施形態において、インターロック回路網２０７が、ローカルコントローラ２００に接続され、構成され、ＲＦジェネレータ障害を防止し得る。例えば、インターロック回路網２０７は、反射ＲＦ電力が、負荷、例えば、処理チャンバ内のプラズマにマッチングネットワーク１８８を通してＲＦジェネレータにより送られるＲＦ電力である順方向電力の所定のパーセンテージ（例えば、＞２０％）を上回るときに、ＲＦジェネレータからのＲＦ電力出力をシャットダウンするように構成される、故障保護回路網を含み得る。

【0032】

上記で指摘されたように、ＥｔｈｅｒＣＡＴ通信インターフェースは、ローカルコントローラ２００を、第１の電動コンデンサ２０２、第２の電動コンデンサ２０４、第１のセンサ２０６、および、第２のセンサ２０８に接続する。ＥｔｈｅｒＣＡＴ通信インターフェースは、ＲＦジェネレータ（例えば、ＲＦバイアス電源１８４、１８６（および／またはバイアス電力１８９））を、第１のセンサ２０６および第２のセンサ２０８の各々に直接的に接続することを、例えば、高速の応答、および、短いチューン時間のために、ＴＴＬ信号２０５をＲＦジェネレータから第１のセンサ２０６および第２のセンサ２０８の各々に送信するために行う。

【0033】

少なくとも一部の実施形態において、ＲＦジェネレータに、および、プラズマ処理チャンバに接続されるときに、ローカルコントローラ２００は、センサおよびステッパモータなどのローカルＥｔｈｅｒＣＡＴスレーブデバイスを制御およびモニタする、ＥｔｈｅｒＣＡＴマスタデバイスとして構成される。ローカルコントローラ２００は、さらには、ＥｔｈｅｒＣＡＴスレーブコントローラと統合され、そのことによって、ローカルコントローラ２００は、ＥｔｈｅｒＣＡＴスレーブデバイスとして働き得るものであり、コントローラ１５０は、ＥｔｈｅｒＣＡＴマスタデバイスとして作動する。すなわち、ローカルコントローラ２００は、コントローラ１５０に関して、マスタからスレーブへの転換を実行するように構成される。ツールコントローラが、産業用コンピュータ上で実現され、要されるドライバとともに埋め込まれ得る。そのような実施形態において、ローカルコントローラ２００は、プラズマ処理中に、コントローラ１５０からフィードバック要求を受信し、それらのフィードバック要求に対するフィードバックを提供し得る。例えば、ローカルコントローラ２００は、第１のセンサ２０６および第２のセンサ２０８を介して取得される、インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータを受信し得る。センサデータおよび可変コンデンサ位置が、コントローラ１５０に送信され、ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６からの順方向および反射電力データなどの、他のシステム処理データと組み合わされ、そうしてそのことが、動作中の協調インテリジェントリアルタイム制御を創出し得る。

【0034】

マッチングネットワーク１８８は、コントローラ１５０に接続するように構成される第１のネットワークポート２１０（例えば、デュアルＲＪ４５型ポート）、および、マッチングネットワーク１８８の手動制御のための外部コンピューティングデバイス（例えば、ラップトップ、または、他の適するコンピューティングデバイス）に接続するように構成される第２の直列ポートのうちの少なくとも１つを含み得る。例えば、少なくとも一部の実施形態において、コントローラ１５０は、プラズマプロセス制御のために、マッチングネットワーク１８８の第１のネットワークポート２１０に接続し得る。ローカルコントローラ２００は、第１のセンサ２０６および第２のセンサ２０８を介して取得される、インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータを受信し得る。センサデータおよび可変コンデンサ位置が、コントローラ１５０に送信され、ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６からの順方向および反射電力データなどの、他のシステム処理データと組み合わされ、そうしてそのことが、動作中の協調インテリジェントリアルタイム制御を創出し得る。少なくとも一部の実施形態において、マッチングネットワーク１８８は、アルゴリズムアップローディングのために、ならびに、例えば、外部ソフトウェアおよびアプリケーションプログラミングインターフェース（ＡＰＩ）を使用することによる、マッチングネットワークの手動制御のために、コンピューティングデバイス２１４に接続するように構成される第２の直列ポート２１２を含んでいることもある。少なくとも一部の実施形態において、外部ソフトウェアおよびＡＰＩは、アップロードされ、メモリ１５４内に記憶され、コントローラ１５０によりアクセスされ、および／または、ローカルコントローラ２００のメモリ（示されない）内にあり得る。少なくとも一部の実施形態において、第１のセンサ２０６および第２のセンサ２０８から取得され得るセンサデータは、コンピューティングデバイス２１４からアクセスされ得る。加えて、第２の直列ポート２１２に接続されるときに、コンピューティングデバイス２１４は、第１の電動コンデンサ２０２および第２の電動コンデンサ２０４を制御するように構成され得る。第１のネットワークポート２１０および第２の直列ポート２１２を設けることは、マッチングネットワーク１８８に、従前のマッチングネットワークと比較して、大きいフレキシビリティをもたらす。例えば、先進的な、プロセスに関係付けられる制御アルゴリズムが、リアルタイムで配備され得るものであり、マッチングネットワーク１８８は、完全に自律的に、コントローラ１５０と協調的に、および／または、コンピューティングデバイス２１４を介して手動で制御されて動作し得る。処理中に、必要とされるならば、本明細書において説明される、ＥｔｈｅｒＣＡＴベースの分散されたＲＦインピーダンスマッチングネットワークによって、コンピューティングデバイス２１４を使用するユーザは、マッチングネットワーク１８８、および、そのマッチングネットワーク１８８と関連付けられる構成要素を完全に制御することが可能となる。

【0035】

図３は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがう、デュアル周波数マッチングネットワーク３００のブロック線図である。例えば、外部ローカルコントローラを伴うデュアル周波数マッチングネットワーク３００が例示される。図３におけるデュアル周波数マッチングネットワーク３００は、図２のマッチングネットワーク１８８と実質的に同様である。したがって、図３におけるデュアル周波数マッチングネットワーク３００に特有である特徴のみが、本明細書において説明される。

【0036】

例えば、デュアル周波数マッチングネットワーク３００は、外部共通コントローラ３０２により制御される、２つの独立したマッチングネットワーク、例えば、マッチングネットワーク１８８ａおよびマッチングネットワーク１８８ｂを含み得る。ローカルコントローラ２００とは違い、図３における外部共通コントローラ３０２は、マッチングネットワーク１８８ａおよびマッチングネットワーク１８８ｂの外方（外部）に場所を定められる。外部共通コントローラ３０２は、ＴＣＰ／ＩＰまたはＥｔｈｅｒＣＡＴのいずれかのプロトコルおよびポートを使用して、コントローラ１５０と通信し得る。外部共通コントローラ３０２は、さらには、例えば、上記で説明された直列ポートのうちの１つまたは複数を介して、コンピューティングデバイス（例えば、ラップトップ）によりアクセスされ得る。

【0037】

図３の実施形態において、ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６は、マッチングネットワーク１８８ａおよびマッチングネットワーク１８８ｂに接続され、コントローラ１５０により同期および制御される。加えて、マッチングネットワーク１８８ａおよびマッチングネットワーク１８８ｂの第１の電動コンデンサ２０２が、ＥｔｈｅｒＣＡＴを介して互いに接続される。その上、マッチングネットワーク１８８ａおよびマッチングネットワーク１８８ｂのインターロック回路網２０７が、同じループ内の、第１のセンサ２０６、および、対応する真空可変コンデンサのステッパモータに直接的に接続される。システム故障、または、予想されない条件が、検出される、または、ユーザ定義モデルから予測されるときに、安全インターロックが、システム保護のために、１ミリ秒に満たない時間スケールにおいてトリガされ得る。

【0038】

図３の構成において、外部共通コントローラ３０２は、高速のチューニング速度、および、短い応答時間をもたらし得る。加えて、コントローラ１５０は、協調インテリジェントリアルタイム制御を可能にし、チューニング信頼性を改善し、システム拡張性をもたらし得る。追加的な制御ポート（示されない、例えば、コンピューティングデバイスに接続するように構成される直列ポート）が、ＲＦマッチングネットワークに、先進的な、プロセスに関係付けられるチューニングアルゴリズムの配備のための、改善されたフレキシビリティを与える。異なる制御パラメータを伴うユーザ定義チューニングアルゴリズムが、異なるプロセス条件についてロードされ得る。

【0039】

図４は、本開示の少なくとも一部の実施形態にしたがう、デュアル周波数マッチングネットワーク４００のブロック線図である。図４におけるデュアル周波数マッチングネットワーク４００は、図３のデュアル周波数マッチングネットワーク３００と実質的に同様である。したがって、図４におけるデュアル周波数マッチングネットワーク４００に特有である特徴のみが、本明細書において説明される。

【0040】

図４の実施形態において、ローカルコントローラ２００および外部共通コントローラ３０２は使用されず、コントローラ１５０は、ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６の両方、ならびに、マッチングネットワーク１８８ａおよびマッチングネットワーク１８８ｂ内のすべての構成要素と通信し得る。したがって、先進的なマルチ周波数重畳プラズマエッチングが達成され得る。加えて、正確なロックされた位相を伴うデュアル偶数高調波ジェネレータが、電圧波形を操作するために使用され得る。例えば、ＲＦバイアス電源１８４は、約１３．５６ＭＨｚの周波数を有し得るものであり、一方で、ＲＦバイアス電源１８６は、約２７．１２ＭＨｚの周波数を有し得る。代替法として、奇数高調波デュアル周波数によって、ＲＦバイアス電源１８４は、１３．５６ＭＨｚの基本周波数を有し得るものであり、一方で、ＲＦバイアス電源１８６は、４０．６８ＭＨｚの奇数周波数を有し得る。そうして、プラズマ特質のフルレンジ制御が、複数個の周波数の位相および振幅を変化させることにより達成され得る。

【0041】

標準的な制御モードにおいて、電動真空コンデンサが、同じマッチボックス包囲体（例えば、マッチングネットワーク包囲体）内にあるセンサの読み取り値をベースにしてチューニングされ得る。代替法として、または加えて、本明細書において説明される、ＥｔｈｅｒＣＡＴベースの分散されたＲＦインピーダンスマッチングネットワークによって、先進的な構成要素再グループ化能力が可能になり、異なるマッチボックス包囲体内に物理的に分離される構成要素が、様々なプロセス要件について仮想的に再グループ化し得る。例えば、図４において示されるように、第１の電動コンデンサ２０２および第２の電動コンデンサ２０４は、第１のマッチボックス包囲体（例えば、マッチングネットワーク１８８ａ）内にあり、一方で、第１の電動コンデンサ２０２および第２の電動コンデンサ２０４は、第２のマッチボックス包囲体（例えば、マッチングネットワーク１８８ｂ）内にある。ＥｔｈｅｒＣＡＴベースの分散されたＲＦインピーダンスマッチングネットワークは、第１のマッチボックス包囲体（または、第２のマッチボックス包囲体）内のセンサのうちの１つまたは複数の読み取り値をベースにしてチューニングし得る、新しい仮想マッチとして、第１のマッチボックス包囲体内の第１の電動コンデンサ２０２および第２の電動コンデンサ２０４を、第２のマッチボックス包囲体内の第２の電動コンデンサ２０４と一緒に再グループ化し得る。例えば、少なくとも１つの実施形態において、ＥｔｈｅｒＣＡＴベースの分散されたＲＦインピーダンスマッチングネットワークは、第１のセンサ２０６の読み取り値をベースにしてチューニングし得る、新しい仮想マッチとして、第１のマッチボックス包囲体内の第１の電動コンデンサ２０２および第２の電動コンデンサ２０４を、第２のマッチボックス包囲体内の第２の電動コンデンサ２０４と一緒に再グループ化し得る。少なくとも一部の実施形態において、他の再グループ化シナリオが、さらには使用され得る（例えば、第１のマッチボックス包囲体内の第１の電動コンデンサ２０２と一緒の、第２のマッチボックス包囲体内の第１の電動コンデンサ２０２および第２の電動コンデンサ２０４）。

【0042】

したがって、５０２において、方法５００は、処理チャンバ内の基板を処理することを含み得る。次に、５０４において、方法５００は、ＥｔｈｅｒＣＡＴ通信インターフェース越しに、マッチングネットワーク（マッチボックス包囲体）内のセンサから、インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータのうちの少なくとも１つを取得することを含み得る。次に、５０６において、方法５００は、ＥｔｈｅｒＣＡＴ通信インターフェース越しに、インラインＲＦ電圧、電流、位相、高調波、およびインピーダンスデータのうちの少なくとも１つを、マッチングネットワークのローカルコントローラ、または、処理チャンバのシステムコントローラのうちの少なくとも１つに送信することであって、ローカルコントローラまたはシステムコントローラのうちの少なくとも１つは、現場ユーザおよび／または遠隔ユーザにより制御可能である、少なくとも１つに送信することを含み得る。次に、５０８において、方法５００は、マッチングネットワーク内に配される第１の電動コンデンサおよび第２の電動コンデンサのうちの少なくとも１つを調整し、必要とされるときに、マッチングネットワーク内の第１の電動コンデンサおよび第２の電動コンデンサを、ローカルコントローラまたはシステムコントローラのうちの少なくとも１つに接続される、異なるマッチングネットワーク（マッチボックス包囲体）内に配される別の電動コンデンサと一緒に再グループ化することを含み得る。

【0043】

本明細書において説明されるマッチングネットワークは、ＲＦバイアス電源１８４およびＲＦバイアス電源１８６により使用される複数個の周波数の位相および振幅を変化させることにより、プラズマ特質（例えば、エッチング特質）の、フルレンジの制御をもたらし得るものであり、例えば、マッチングネットワークは、２つの高調波的に関係付けられるジェネレータをシームレスにチューニングし得る。例えば、第１のセンサ２０６および第２のセンサ２０８から取得されるすべてのセンサ読み取り値は、先進的な相関チューニングのために、ＥｔｈｅｒＣＡＴ越しに、ローカルコントローラ２００を介して、コントローラ１５０に送られ得るものであり、シース電圧が、１ミリ秒に満たない時間スケール上でカスタマイズされ得る。より高調波的に関係付けられるジェネレータが、例えば、複雑な電圧波形のために使用されるときに、ＥｔｈｅｒＣＡＴベースの分散されたマッチングネットワーク１８８は、基本周波数の第１のセンサ２０６および第２のセンサ２０８からの電圧および電流センサ読み取り値をただ単にベースにして、すべての周波数をチューニングし得る。

【0044】

前述は、本開示の実施形態を対象としたものであるが、本開示の他の、およびさらなる実施形態が、本開示の基礎的な範囲から逸脱することなく考案されることがある。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【国際調査報告】